JP2503558B2 - 光スイッチ - Google Patents
光スイッチInfo
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- JP2503558B2 JP2503558B2 JP62336023A JP33602387A JP2503558B2 JP 2503558 B2 JP2503558 B2 JP 2503558B2 JP 62336023 A JP62336023 A JP 62336023A JP 33602387 A JP33602387 A JP 33602387A JP 2503558 B2 JP2503558 B2 JP 2503558B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- mqw
- electric field
- optical
- waveguide
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光交換、光情報処理の分野において光信号の
光路の切換えを行なう半導体光スイッチに関するもので
ある。
光路の切換えを行なう半導体光スイッチに関するもので
ある。
（従来の技術） 近年の光システムの高度化、高性能化に伴い、小型の
光スイッチへの要求が高まっている。小型の光スイッチ
を実現するための一つの構造として雑誌「アイ・イー・
イー・イー・ジャーナル・オブ・カンタム・エレクトロ
ニクス」（IEEE Journal of Quantum Electronics）第Q
E−14巻、1978年、513〜517頁に報告されているような
全反射型光スイッチが知られている。これは２本の交差
した光導波路の交差部の屈折率を電気光学効果を利用し
て低下させ、全反射により光の切換を交差した導波路間
で行なうものである。この全反射型光スイッチは原理的
には小型化が可能であるが、前述の論文では電気光学効
果により屈折率を変化させることを考えているため得ら
れる屈折率変化が小さい。そのため２本の光導波路の交
差角を大きくとることができず、小型化低クロストーク
化が難しかった。
光スイッチへの要求が高まっている。小型の光スイッチ
を実現するための一つの構造として雑誌「アイ・イー・
イー・イー・ジャーナル・オブ・カンタム・エレクトロ
ニクス」（IEEE Journal of Quantum Electronics）第Q
E−14巻、1978年、513〜517頁に報告されているような
全反射型光スイッチが知られている。これは２本の交差
した光導波路の交差部の屈折率を電気光学効果を利用し
て低下させ、全反射により光の切換を交差した導波路間
で行なうものである。この全反射型光スイッチは原理的
には小型化が可能であるが、前述の論文では電気光学効
果により屈折率を変化させることを考えているため得ら
れる屈折率変化が小さい。そのため２本の光導波路の交
差角を大きくとることができず、小型化低クロストーク
化が難しかった。
一方この問題を解決するため、電気通信学会論文誌
（英文）第E68巻、1985年、737〜739頁に掲載された論
文では多重量子井戸（MQW）構造に電界を印加した際の
吸収端近傍での屈折率変化を利用することが提案されて
いる。
（英文）第E68巻、1985年、737〜739頁に掲載された論
文では多重量子井戸（MQW）構造に電界を印加した際の
吸収端近傍での屈折率変化を利用することが提案されて
いる。
第５図は提案されている光スイッチの上面図を示すも
のである。２本の半導体材料による光導波路21a,21bが
交差角θで交わるように配置され、その交差部にMQWを
持つ部分22（図の斜線を施した部分）が形成されてい
る。この交差部の交差角の小さい方の２等分線Ａ−Ａ′
に沿ってMQWの半分には電極23を介して電界を印加する
手段が形成されている。この状態で光導波路21bの左側
から入射した光は通常は直進してそのまま出射する。し
かし電極23によりMQWの半分に電界を印加するとその部
分の屈折率が低下し、全反射が生じ光導波路21aへ光は
出射される。電界によるMQWの屈折率変化は１％程度と
見つもられるので交差角を10゜以上にとることが可能と
なり非常に小型な光スイッチが期待できる。
のである。２本の半導体材料による光導波路21a,21bが
交差角θで交わるように配置され、その交差部にMQWを
持つ部分22（図の斜線を施した部分）が形成されてい
る。この交差部の交差角の小さい方の２等分線Ａ−Ａ′
に沿ってMQWの半分には電極23を介して電界を印加する
手段が形成されている。この状態で光導波路21bの左側
から入射した光は通常は直進してそのまま出射する。し
かし電極23によりMQWの半分に電界を印加するとその部
分の屈折率が低下し、全反射が生じ光導波路21aへ光は
出射される。電界によるMQWの屈折率変化は１％程度と
見つもられるので交差角を10゜以上にとることが可能と
なり非常に小型な光スイッチが期待できる。
（発明が解決しようとする問題点） このようなMQWの電界による屈折率変化は吸収端ある
いはエキシトンのピークのシフトに伴なうものなので、
大きな屈折率変化を得るためには光吸収が大きな波長域
で用いなくてはならない。提案されている光スイッチで
は導波路のガイド層がMQW構造となっているため光の吸
収損失が大きく、このスイッチを多段化、多チャンネル
化するには問題がある。
いはエキシトンのピークのシフトに伴なうものなので、
大きな屈折率変化を得るためには光吸収が大きな波長域
で用いなくてはならない。提案されている光スイッチで
は導波路のガイド層がMQW構造となっているため光の吸
収損失が大きく、このスイッチを多段化、多チャンネル
化するには問題がある。
本発明の目的はこのような問題を解決し、小型低損失
で多段化、多チャンネル化するのに適した光スイッチを
提供することにある。
で多段化、多チャンネル化するのに適した光スイッチを
提供することにある。
（問題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明は、半導体基板上
の互いに交差又は分岐する光導波路が、多重量子井戸構
造より成るクラッド層と、前記多重量子井戸構造に比べ
広いバンドギャップをもつガイド層とから構成され、前
記交差又は分岐する光導波路の交差又は分岐する部分の
一部に電界を印加する手段を設けたものである。
の互いに交差又は分岐する光導波路が、多重量子井戸構
造より成るクラッド層と、前記多重量子井戸構造に比べ
広いバンドギャップをもつガイド層とから構成され、前
記交差又は分岐する光導波路の交差又は分岐する部分の
一部に電界を印加する手段を設けたものである。
（作用） 本発明は多重量子井戸（MQW）構造の電界による大き
な屈折率の減少を利用したものである。まずこの屈折率
の減少について、GaAs/AlGaAsMQW構造を例にとって説明
する。
な屈折率の減少を利用したものである。まずこの屈折率
の減少について、GaAs/AlGaAsMQW構造を例にとって説明
する。
MQWの場合その量子サイズ効果により室温エキシトン
が存在するために光吸収係数スペクトルは、エキシトン
吸収ピーク波長付近で急激な変化を示す。またそれとク
ラマース・クローニッヒの関係にある屈折率スペクトル
も波長に対し大きく変化する。電界がMQWに垂直に印加
されると光吸収スペクトルは全体的に長波長側へシフト
し、同時に屈折率スペクトルも同様に長波長側へシフト
する。それにより各波長において吸収係数変化Δａと屈
折率変化Δｎが得られる。第３図は波長に対するこのΔ
n/nを示したものであり、雑誌「エレクトロニクス・レ
ターズ」（Electronics Letters）第22巻、1986年、888
頁に記載されているものを引用した。第３図において波
長λ１では電界印加（Ｅ＝4.5×104V/cm）による屈折率
の減少Δn/nは約１％と大きな値が得られている。また
この他にもMQWの電界印加による屈折率の減少はMQWの各
ウェルに対してΔn/n＝４％（Ｅ＝１×105V/cm）という
報告も得られている。
が存在するために光吸収係数スペクトルは、エキシトン
吸収ピーク波長付近で急激な変化を示す。またそれとク
ラマース・クローニッヒの関係にある屈折率スペクトル
も波長に対し大きく変化する。電界がMQWに垂直に印加
されると光吸収スペクトルは全体的に長波長側へシフト
し、同時に屈折率スペクトルも同様に長波長側へシフト
する。それにより各波長において吸収係数変化Δａと屈
折率変化Δｎが得られる。第３図は波長に対するこのΔ
n/nを示したものであり、雑誌「エレクトロニクス・レ
ターズ」（Electronics Letters）第22巻、1986年、888
頁に記載されているものを引用した。第３図において波
長λ１では電界印加（Ｅ＝4.5×104V/cm）による屈折率
の減少Δn/nは約１％と大きな値が得られている。また
この他にもMQWの電界印加による屈折率の減少はMQWの各
ウェルに対してΔn/n＝４％（Ｅ＝１×105V/cm）という
報告も得られている。
本発明はこの電界による大きな屈折率減少が得られる
MQWを導波路のクラッド層として用い、クラッド層の屈
折率変化による導波光の等価的な屈折率変化を用いたも
のである。第４図は本発明に用いられる導波路の屈折率
分布を示したものであり、（ａ）は電界が印加されてい
ない（Ｅ＝０）場合、（ｂ）は電界が印加された（Ｅ＞
０）場合を示した。ここでガイド層の屈折率をng,E＝０
の時のMQWクラッド層の屈折率と導波路としての等価的
屈折率をそれぞれnc（０）,neff（０）,E＞０の時をそ
れぞれnc（Ｅ）,neff（Ｅ）とした。電界を印加するこ
とによりMQWクラッド層の屈折率は減少する。それに応
じて導波路の等価的屈折率もその割合は小さいが、電界
が印加されていない場合に比べて小さくなる。更にこの
場合、ガイド層の厚さ、各層の屈折率分布を適当に選ぶ
ことにより （nc（Ｅ）−nc（０））/nc（０）〜−１％のとき （neff（Ｅ）−neff（０））/neff（０））〜−0.3％ つまりMQWクラッド層の屈折率減少が１％程度あれば
導波路の等価的屈折率を約0.3％減少させることが可能
であり、この程度の屈折率変化があれば交差型光スイッ
チを動作させるのには十分である。
MQWを導波路のクラッド層として用い、クラッド層の屈
折率変化による導波光の等価的な屈折率変化を用いたも
のである。第４図は本発明に用いられる導波路の屈折率
分布を示したものであり、（ａ）は電界が印加されてい
ない（Ｅ＝０）場合、（ｂ）は電界が印加された（Ｅ＞
０）場合を示した。ここでガイド層の屈折率をng,E＝０
の時のMQWクラッド層の屈折率と導波路としての等価的
屈折率をそれぞれnc（０）,neff（０）,E＞０の時をそ
れぞれnc（Ｅ）,neff（Ｅ）とした。電界を印加するこ
とによりMQWクラッド層の屈折率は減少する。それに応
じて導波路の等価的屈折率もその割合は小さいが、電界
が印加されていない場合に比べて小さくなる。更にこの
場合、ガイド層の厚さ、各層の屈折率分布を適当に選ぶ
ことにより （nc（Ｅ）−nc（０））/nc（０）〜−１％のとき （neff（Ｅ）−neff（０））/neff（０））〜−0.3％ つまりMQWクラッド層の屈折率減少が１％程度あれば
導波路の等価的屈折率を約0.3％減少させることが可能
であり、この程度の屈折率変化があれば交差型光スイッ
チを動作させるのには十分である。
本発明による交差型スイッチは、交差導波路の交差部
に部分的に電界を印加することで得られる等価的屈折率
の段差Δneff/neff〜0.3％を光の全反射に用いて動作さ
せるものである。
に部分的に電界を印加することで得られる等価的屈折率
の段差Δneff/neff〜0.3％を光の全反射に用いて動作さ
せるものである。
またこの構成では、クラッド層がMQWでありバンドギ
ャップと平均的な屈折率をある程度独立に制御できるた
め、所望の屈折率分布を得ながらガイド層のバンドギャ
ップをMQWクラッド層のバンドギャップに比べ十分広く
とることができる。従って本発明によるスイッチでは導
波光はクラッド層にしみ出したごく１部が吸収を受ける
のみであるため従来のMQWをガイド層として使用してい
たスイッチに比べ十分低損失で多段化、多チャンネル化
に適した光スイッチが実現できる。
ャップと平均的な屈折率をある程度独立に制御できるた
め、所望の屈折率分布を得ながらガイド層のバンドギャ
ップをMQWクラッド層のバンドギャップに比べ十分広く
とることができる。従って本発明によるスイッチでは導
波光はクラッド層にしみ出したごく１部が吸収を受ける
のみであるため従来のMQWをガイド層として使用してい
たスイッチに比べ十分低損失で多段化、多チャンネル化
に適した光スイッチが実現できる。
（実施例） 第１図は本発明による光スイッチの第１の実施例の構
造を示す図であり、ここではGaAs/AlGaAs系材料を用
い、被変調光が入射されるガイド層の上下に電界により
屈折率の減少するMQWクラッド層がある場合について示
した。
造を示す図であり、ここではGaAs/AlGaAs系材料を用
い、被変調光が入射されるガイド層の上下に電界により
屈折率の減少するMQWクラッド層がある場合について示
した。
まず本実施例の製作について説明する。p+−GaAs基板
１上にｉ−GaAs/AlAsMQW層２（GaAsウェル厚100Å,AlAs
バリア層120Å,32周期）を0.7μm,i−AlGaAs（Alの組成
ｘ＝0.27）ガイド層３を0.6μm,i−GaAs/AlAsMQW層４
（GaAsウェル厚100Å,AlAsバリア厚120Å,32周期）を0.
7μm,n+−GaAsキャップ層５を0.3μｍそれぞれMBE法に
より成長する。
１上にｉ−GaAs/AlAsMQW層２（GaAsウェル厚100Å,AlAs
バリア層120Å,32周期）を0.7μm,i−AlGaAs（Alの組成
ｘ＝0.27）ガイド層３を0.6μm,i−GaAs/AlAsMQW層４
（GaAsウェル厚100Å,AlAsバリア厚120Å,32周期）を0.
7μm,n+−GaAsキャップ層５を0.3μｍそれぞれMBE法に
より成長する。
次にウェハエピ側にAuGeNi/AuNiのｎ側電極６を蒸着
し、将来の交差導波路となる部分の交差部においてその
中心線に対して片方のみを残す様にｎ側電極６のパター
ニングを行ない、このパターン化されたｎ側電極６をマ
スクとしてｉ−GaAs/AlAsMQWクラッド層４に達するまで
n+−GaAsキャップ層５をエッチングにより除去し島状の
メサを形成する。これにより部分適にｐ−ｎ接合を形成
する。次にこの島状のメサが交差部のちょうど片側半分
の位置に在る様に交差型のレジストマスクをパターニン
グし、このマスクを用いｉ−AlGaAsガイド層３に達する
までｉ−GaAs/AlAsMQWクラッド層４をエッチングにより
除去し装荷構造の交差型光導波路を形成する。この時の
導波路は交差角は８゜、導波路幅は８μｍである。最後
に基板側のAuZnのｐ側電極７を蒸着し各電極をアロイし
オーミックコンタクトを形成する。
し、将来の交差導波路となる部分の交差部においてその
中心線に対して片方のみを残す様にｎ側電極６のパター
ニングを行ない、このパターン化されたｎ側電極６をマ
スクとしてｉ−GaAs/AlAsMQWクラッド層４に達するまで
n+−GaAsキャップ層５をエッチングにより除去し島状の
メサを形成する。これにより部分適にｐ−ｎ接合を形成
する。次にこの島状のメサが交差部のちょうど片側半分
の位置に在る様に交差型のレジストマスクをパターニン
グし、このマスクを用いｉ−AlGaAsガイド層３に達する
までｉ−GaAs/AlAsMQWクラッド層４をエッチングにより
除去し装荷構造の交差型光導波路を形成する。この時の
導波路は交差角は８゜、導波路幅は８μｍである。最後
に基板側のAuZnのｐ側電極７を蒸着し各電極をアロイし
オーミックコンタクトを形成する。
次にこの実施例の動作について説明する。ここで使用
されているMQWのエキシトンピーク波長はMQWのウェル厚
とバリア組成によって決まりλex＝845nmである。被変
調光の波長としては今回使用のMQWの電界による大きな
屈折率減少が得られるλ＝850nmの波長とする。電界が
印加されていない場合、ｉ−AlGaAsガイド層３の屈折率
はng＝3.45,i−GaAs/AlAsMQWクラッド層2,4の屈折率はn
c（０）＝3.4であり、ｉ−AlGaAsガイド層３の層厚0.6
μｍより得られる導波路の等価屈折率はneff（０）＝3.
429である。この時入射光８は交差型導波路をそのまま
直進し出射光９として出力される。またｉ−AlGaAsガイ
ド層３のバンドギャップ波長はその組成より704nmであ
りガイド層３においては入射光の波長λ＝850nmに対す
る吸収はほとんどなく受ける吸収損失はクラッド層にし
み出した光のみであるため低損失が実現されている。次
に電極6,7間にｐ−ｎ接合に対して逆バイアス電圧が加
えられ、約１×105V/cmの電界が印加された場合につい
て考える。この時電界が印加される部分はｐ−ｎ接合が
存在している交差型光導波路の交差部の片側半分だけで
あり、その部分ではｉ−GaAs/AlAsMQWクラッド層2,4の
屈折率は約１％減少しnc（Ｅ）＝3.37となる。
されているMQWのエキシトンピーク波長はMQWのウェル厚
とバリア組成によって決まりλex＝845nmである。被変
調光の波長としては今回使用のMQWの電界による大きな
屈折率減少が得られるλ＝850nmの波長とする。電界が
印加されていない場合、ｉ−AlGaAsガイド層３の屈折率
はng＝3.45,i−GaAs/AlAsMQWクラッド層2,4の屈折率はn
c（０）＝3.4であり、ｉ−AlGaAsガイド層３の層厚0.6
μｍより得られる導波路の等価屈折率はneff（０）＝3.
429である。この時入射光８は交差型導波路をそのまま
直進し出射光９として出力される。またｉ−AlGaAsガイ
ド層３のバンドギャップ波長はその組成より704nmであ
りガイド層３においては入射光の波長λ＝850nmに対す
る吸収はほとんどなく受ける吸収損失はクラッド層にし
み出した光のみであるため低損失が実現されている。次
に電極6,7間にｐ−ｎ接合に対して逆バイアス電圧が加
えられ、約１×105V/cmの電界が印加された場合につい
て考える。この時電界が印加される部分はｐ−ｎ接合が
存在している交差型光導波路の交差部の片側半分だけで
あり、その部分ではｉ−GaAs/AlAsMQWクラッド層2,4の
屈折率は約１％減少しnc（Ｅ）＝3.37となる。
これによってこの部分では導波路の等価的屈折率は約
0.3％減少しneff（Ｅ）＝3.419となる。従って入射光８
は交差型光導波路を交差部の中央まで伝搬した時に４゜
の角度をもって約0.3％の屈折率減少を受けるため、導
波光は交差部中央で全反射され出射光10として出力され
る。また電界が印加された時にMQWクラッド層2,4での吸
収は多少変化するが、電界が印加されている部分で導波
光は全反射されてしまいその部分を通過しないので、吸
収変化による導波損失増加等の影響ない。
0.3％減少しneff（Ｅ）＝3.419となる。従って入射光８
は交差型光導波路を交差部の中央まで伝搬した時に４゜
の角度をもって約0.3％の屈折率減少を受けるため、導
波光は交差部中央で全反射され出射光10として出力され
る。また電界が印加された時にMQWクラッド層2,4での吸
収は多少変化するが、電界が印加されている部分で導波
光は全反射されてしまいその部分を通過しないので、吸
収変化による導波損失増加等の影響ない。
第２図は本発明による光スイッチの第２の実施例の構
造を示す図である。１本の光導波路11の途中に分岐用の
光導波路12を設け、分岐部の分岐角の２等分線を境とし
て分岐用の光導波路12の存在しない側にのみ電極13とｐ
−ｎ接合を持ち部分的に電界が印加できる構造となって
いる。また、分岐角は８゜である。各層の構造、製造方
法は光導波路の形状が異なるのみ実施例１の場合とほぼ
同様である。次にスイッチの動作について簡単に述べ
る。電界Ｅ＝０の時は入射光15は光導波路11を直進し出
射光16として取り出され。電極13,14間に逆デバイスが
加えられ電界がMQW18に印加された時は作用の項及び実
施例１で説明した様に、電界が印加された部分のみで等
価的屈折率が減少するため分岐部の分岐角の２等分線上
のところ約0.3％の屈折率段差ができ、導波光は全反射
され出射光17として取り出せる。これらに示した様な構
造、動作原理により、MQWクラッド層への電界印加によ
る導波路の等価的屈折率変化を光の全反射に用いた光路
切換機能をもつ光スイッチが実現される。
造を示す図である。１本の光導波路11の途中に分岐用の
光導波路12を設け、分岐部の分岐角の２等分線を境とし
て分岐用の光導波路12の存在しない側にのみ電極13とｐ
−ｎ接合を持ち部分的に電界が印加できる構造となって
いる。また、分岐角は８゜である。各層の構造、製造方
法は光導波路の形状が異なるのみ実施例１の場合とほぼ
同様である。次にスイッチの動作について簡単に述べ
る。電界Ｅ＝０の時は入射光15は光導波路11を直進し出
射光16として取り出され。電極13,14間に逆デバイスが
加えられ電界がMQW18に印加された時は作用の項及び実
施例１で説明した様に、電界が印加された部分のみで等
価的屈折率が減少するため分岐部の分岐角の２等分線上
のところ約0.3％の屈折率段差ができ、導波光は全反射
され出射光17として取り出せる。これらに示した様な構
造、動作原理により、MQWクラッド層への電界印加によ
る導波路の等価的屈折率変化を光の全反射に用いた光路
切換機能をもつ光スイッチが実現される。
以上に示した第１及び第２の実施例においては材料と
してGaAs/AlGaAs系材料について説明したが、InGaAsP/I
nP,InGaAs/InAlAs系等の材料系にも適用可能なことは言
うまでもない。電界印加手段としてはｐ−ｎ接合を用い
たが、ショットキー接合も利用可能である。MQWの各層
厚等に関しても同等の効果が得られれば本実施例に限る
ものではない。また光導波路としては装荷構造を用いた
が埋込み構造等の他の３次元光導波路も使用できる。
してGaAs/AlGaAs系材料について説明したが、InGaAsP/I
nP,InGaAs/InAlAs系等の材料系にも適用可能なことは言
うまでもない。電界印加手段としてはｐ−ｎ接合を用い
たが、ショットキー接合も利用可能である。MQWの各層
厚等に関しても同等の効果が得られれば本実施例に限る
ものではない。また光導波路としては装荷構造を用いた
が埋込み構造等の他の３次元光導波路も使用できる。
（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば小型で低
損失な光路切換機能をもつ光スイッチを実現することが
でき、光交換、光情報処理等の分野での利用価値が非常
に大きい。
損失な光路切換機能をもつ光スイッチを実現することが
でき、光交換、光情報処理等の分野での利用価値が非常
に大きい。
第１図は本発明による光スイッチの第１の実施例の構造
を示す図である。第２図は本発明による光スイッチの第
２の実施例の構造を示す図である。第３図は本発明に用
いるMQW構造の電界による屈折率変化を説明するための
図。第４図は本発明の動作原理を説明するために用いる
電界による屈折率分布及び等価的屈折率変化を示す図。
第５図は従来のMQWの電界による屈折率変化を用いた光
スイッチを説明するための図である。 図において、１はp+−GaAs基板、2,4はｉ−GaAs/AlAsMQ
Wクラッド層、３はｉ−AlGaAsガイド層、５はn+−GaAs
キャップ層、6,7,13,14,23は電極、8,15は入射光、9,1
0,16,17は出射光、11,12,21a,21bは光導波路、18,22はM
QWである。
を示す図である。第２図は本発明による光スイッチの第
２の実施例の構造を示す図である。第３図は本発明に用
いるMQW構造の電界による屈折率変化を説明するための
図。第４図は本発明の動作原理を説明するために用いる
電界による屈折率分布及び等価的屈折率変化を示す図。
第５図は従来のMQWの電界による屈折率変化を用いた光
スイッチを説明するための図である。 図において、１はp+−GaAs基板、2,4はｉ−GaAs/AlAsMQ
Wクラッド層、３はｉ−AlGaAsガイド層、５はn+−GaAs
キャップ層、6,7,13,14,23は電極、8,15は入射光、9,1
0,16,17は出射光、11,12,21a,21bは光導波路、18,22はM
QWである。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上の互いに交差又は分岐する光
導波路が、多重量子井戸構造より成るクラッド層と、前
記多重量子井戸構造に比べ広いバンドギャップをもつガ
イド層とから構成され、前記交差又は分岐する光導波路
の交差又は分岐する部分の一部に電界を印加する手段を
有することを特徴とする光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336023A JP2503558B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336023A JP2503558B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 光スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01178933A JPH01178933A (ja) | 1989-07-17 |
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-
1987
- 1987-12-29 JP JP62336023A patent/JP2503558B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7314637B1 (en) | 1999-06-29 | 2008-01-01 | Neopharm, Inc. | Method of administering liposomal encapsulated taxane |
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