JPH09181319A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲート絶縁膜に発生した成膜欠陥部における
絶縁耐圧の低下を抑制し、配線間ショートを大幅に低下
させることができると共に、ゲート電極と半導体膜との
間のリーク電流を抑制した良好な特性のＴＦＴを形成す
ることができるＴＦＴの製造方法を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴの製造方法において、ゲート配線
12上に第１ゲート絶縁膜13を積層する工程の後、第１ゲ
ート絶縁膜13の成膜欠陥部14に露出しているゲート配線
12の金属膜表面を、酸素を含むプラズマ処理もしくは酸
素雰囲気中での加熱処理により酸化せしめる工程を行な
い、その後に第１ゲート絶縁膜13上に第２ゲート絶縁膜
16を積層する工程と、第２ゲート絶縁膜16上に金属膜18
もしくは非晶質シリコンから成る半導体層を積層する工
程を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に用い
られる薄膜トランジスタの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス方式の液晶表示
装置は単純マトリックス方式のものと比べてコントラス
トが高く、多階調表示特性に優れており、特に、スイッ
チング素子として電界効果型の薄膜トランジスタを使用
したアクティブマトリックス方式の液晶表示装置はＣＲ
Ｔ（Cathode-Ray Tube）と同等の画質が得られるように
なっている。

【０００３】そのようなアクティブマトリックス方式の
液晶表示装置に液晶を駆動するスイッチング素子として
用いられる電界効果型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦ
Ｔと略す）は、ベースとなるガラス基板上に画素電極と
ともにマトリックスアレイ状に形成され、個々の画素を
独立して表示駆動するものである。

【０００４】以下、従来のＴＦＴの構成および製造方法
について、図７に示すＴＦＴ基板の断面図に基づき説明
する。

【０００５】図７において、１は絶縁性の透明ベース基
板（透明絶縁性基板）であり、ガラス等より成る基板の
表面に二酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）あるいは５酸化タンタル
（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）等より成るベース絶縁膜が形成されたも
のである。２はタンタル（Ｔａ）等の金属膜より成るＴ
ＦＴのゲート配線、３は酸化シリコン（ＳｉＯ_x ）より
成る第１ゲート絶縁膜、４は窒化シリコン（ＳｉＮ_x ）
より成る第２ゲート絶縁膜である。また、５はソース電
極またはドレイン電極を形成するためのアルミニウム
（Ａｌ）等より成る金属膜である。

【０００６】なお、ＴＦＴが形成される箇所において
は、第２ゲート絶縁膜４と金属膜５との間に、例えばｉ
型非晶質シリコンより成る第１の半導体膜およびｎ⁺ 型
非晶質シリコンより成る第２の半導体膜が積層され、ゲ
ート配線２と共にパターニングされているゲート電極の
上部に残るようにエッチングによりパターニングされて
形成されている（図示せず）。

【０００７】従来のＴＦＴの製造方法においては、ゲー
ト配線２の上に第１ゲート絶縁膜（ＳｉＯ_x ）３と第２
ゲート絶縁膜（ＳｉＮ_x ）４を成膜する場合、第１ゲー
ト絶縁膜３の成膜後に特に処理を行なうことなく、続け
て第２ゲート絶縁膜４を成膜していた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の構成において、
第２ゲート絶縁膜（ＳｉＮ_x ）４は残留応力が高いため
にクラックが発生し易く、また成膜中のパーティクルの
発生が多いためにピンホールが発生し易い膜である。そ
のため、図８に図７と同様の断面図で示すように、ゲー
ト配線２上の膜中にもクラックやピンホール等の欠陥６
が発生し易く、そのために絶縁性が低下するという問題
点があった。また、そのような欠陥６と第１ゲート絶縁
膜３に同様に発生したクラックやピンホール等の欠陥７
が重なる場所においては、ゲート絶縁膜の耐圧性がさら
に低下してしまうため、それが金属膜５から形成したソ
ース配線とゲート配線２とがクロスする場所に該当する
場合では両配線のクロスショート（配線間ショート）が
発生して不良となってしまい、ＴＦＴの半導体膜とゲー
ト電極との間の場所に該当する場合ではリーク電流が増
大してトランジスタ特性が不良となってしまうという問
題点があった。

【０００９】そのため、第１および第２ゲート絶縁膜３
・４の成膜には多大の注意を払い、成膜装置のメンテナ
ンスを頻繁に行なう等して、欠陥６・７を低減する努力
がなされているが、いずれも完全になくすことができな
いため、ゲート絶縁膜の絶縁破壊による配線間ショート
やトランジスタ特性の不良の発生をなくすことができ
ず、製造歩留りを低下させる原因ともなっていた。

【００１０】本発明はそのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、第１ゲート絶縁
膜の欠陥と第２ゲート絶縁膜の欠陥とが重なる場合にお
いても絶縁耐圧の低下を抑制し、配線間ショートの不良
発生を大幅に低下させることができると共に、ＴＦＴ部
においては第１ゲート絶縁膜の欠陥と第２ゲート絶縁膜
の欠陥とが重なる場所におけるゲート電極と半導体膜と
の間のリーク電流を大幅に抑制して良好なトランジスタ
特性のＴＦＴを形成することができる薄膜トランジスタ
の製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
薄膜トランジスタの製造方法の特徴とするところは、透
明絶縁性基板上に金属膜から成るゲート配線を形成する
工程と、前記透明絶縁性基板および前記ゲート配線上に
第１ゲート絶縁膜を積層する工程と、前記第１ゲート絶
縁膜の成膜欠陥部に露出している前記ゲート配線の金属
膜表面を、酸素を含むプラズマ処理もしくは酸素雰囲気
中での加熱処理により酸化せしめる工程と、前記第１ゲ
ート絶縁膜上に第２ゲート絶縁膜を積層する工程と、こ
の第２ゲート絶縁膜上に金属膜もしくは非晶質シリコン
から成る半導体層を積層する工程とを具備する点にあ
る。

【００１２】また、本発明の請求項２に係る薄膜トラン
ジスタの製造方法の特徴とするところは、前記透明絶縁
性基板および前記ゲート配線上に第１ゲート絶縁膜を積
層する工程と、前記第１ゲート絶縁膜の成膜欠陥部に露
出している前記ゲート配線の金属膜表面を、酸素を含む
プラズマ処理もしくは酸素雰囲気中での加熱処理により
酸化せしめる工程との間に、前記第１ゲート絶縁膜にブ
ラシ洗浄及び／又は超音波洗浄を行なう工程を具備する
点にある。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に係る製造方法
によれば、第１ゲート絶縁膜のゲート配線上の箇所にク
ラックやピンホール等の欠陥が発生して、その欠陥部か
らゲート配線の金属膜が露出したために絶縁耐圧が低下
した場合であっても、その露出した金属膜の表面を、酸
素を含むプラズマ処理もしくは酸素雰囲気中での加熱処
理によって酸化せしめて絶縁膜とするので、欠陥部の絶
縁耐圧が向上する。従って、ゲート配線上で第１ゲート
絶縁膜と第２ゲート絶縁膜の欠陥が重なった場合でも、
金属膜表面の絶縁膜によりゲート絶縁膜の絶縁耐圧を補
強することができ、それにより、配線間ショートの不良
発生を大幅に低下させることができると共に、ＴＦＴ部
においてはゲート電極と半導体膜との間のリーク電流を
大幅に抑制して良好なトランジスタ特性のＴＦＴを形成
することができる。そして、ＴＦＴの製造歩留りを大幅
に向上させることができる。

【００１４】さらに、本発明の請求項２に係る製造方法
によれば、第１ゲート絶縁膜に対してブラシ洗浄もしく
は超音波洗浄またはそれらの両方を行なうことにより、
第１ゲート絶縁膜表面の付着物を除去すると共にクラッ
クやピンホール等の欠陥部にゲート配線の金属膜が十分
に露出した状態となるので、その部分の金属膜表面を酸
素を含むプラズマ処理もしくは酸素雰囲気中での加熱処
理により確実に酸化させることができ、所望の絶縁膜を
安定して得ることができるようになる。それにより、ゲ
ート絶縁膜の絶縁耐圧の補強・配線間ショートの不良発
生の大幅な低下・ゲート電極と半導体膜との間のリーク
電流の大幅な抑制を確実に行なうことができ、ＴＦＴの
製造歩留りを大幅に向上させることができるものとな
る。

【００１５】以下、本発明のＴＦＴの製造方法につい
て、図１〜図６に基づいて説明する。

【００１６】図１〜図６はＴＦＴ基板の断面図であり、
図１から順に製造工程を追って示している。なお、これ
らの図において同様の箇所には同じ符号を付してある。

【００１７】図１は透明絶縁性基板上にゲート配線また
はゲート電極となる金属膜を積層した状態を示してい
る。同図において、10は絶縁性の透明ベース基板（透明
絶縁性基板）であり、ガラス等より成る基板の表面にＳ
ｉＯ₂ あるいはＴａ₂ Ｏ₅ 等より成るベース絶縁膜が形
成されたものであり、11はＴａあるいはアルミニウム
（Ａｌ）等の金属膜である。

【００１８】次に、図２はゲート配線を形成した状態を
示している。同図において12はゲート配線であり、ＴＦ
Ｔ部においてはゲート電極となる。このゲート配線12
は、金属膜11上にレジストを塗布して現像・エッチング
・レジスト除去を行なってパターニングすることによ
り、所望の配線パターンまたは電極パターンとなるよう
に形成されている。

【００１９】次に、図３は第１ゲート絶縁膜を積層した
状態を示している。同図において、13は第１ゲート絶縁
膜であり、ＳｉＯ_x あるいは酸化タンタル（ＴａＯ_x ）
等の絶縁膜が、基板10のほぼ全面に成膜されている。ま
た、14は第１ゲート絶縁膜13中に発生したクラックやピ
ンホール等の成膜欠陥部であり、ゲート配線12上に発生
して、ゲート配線12の金属膜表面がその成膜欠陥部14に
おいて露出している状態を示している。

【００２０】次に、図４は第１ゲート絶縁膜13の成膜欠
陥部14を通してそこに露出しているゲート配線12の金属
膜表面に、酸素を含むプラズマ処理もしくは酸素雰囲気
中での加熱処理により酸化絶縁膜を形成した状態を示し
ている。同図において、15が酸化絶縁膜である。このよ
うな酸化絶縁膜15は、酸素を含むプラズマ処理もしくは
酸素雰囲気中での加熱処理によってゲート配線12の金属
膜表面を酸化せしめることによって形成される。

【００２１】そのようなプラズマ処理は、プラズマ化さ
せるガスとしてＯ₂ ガスやＮ₂ Ｏガス・ＮＯガスあるい
はそれらとＮ₂ ガスやＡｒガス等の不活性ガスを混合し
たガスを用い、所定のガス圧力下で放電電極に高周波や
マイクロ波を印加して発生させたプラズマに曝すことに
よって行なう。

【００２２】例えば、 200〜300 ℃の基板温度でＮ₂ Ｏ
プラズマにて約10分の処理を行なうことで、成膜欠陥部
14のＴａ金属膜表面に約 200Åの厚さのＴａＯ_x が酸化
絶縁膜15として形成される。

【００２３】上記基板温度のような比較的低温の条件で
は酸素による酸化反応が主となり、窒化反応はほとんど
起きないので、プラズマ中にＮを含んでいても金属膜表
面には酸化絶縁膜15のみが形成される。

【００２４】また、Ｏ₂ ガス雰囲気中で 400℃程度の基
板温度となるように加熱処理を行なうことにより、約５
分で成膜欠陥部14のＴａ金属膜表面に約 200Åの厚さの
ＴａＯ_x が酸化絶縁膜15として形成される。

【００２５】金属膜がＡｌ等の場合も、同様の処理によ
りその表面に同じように酸化絶縁膜15が形成される。

【００２６】この酸化絶縁膜15の膜厚は、150 〜200 Å
程度とすることが望ましい。この膜厚が 150Åより薄い
と成膜欠陥部14の絶縁耐圧を向上させてゲート絶縁膜の
絶縁耐圧を補強することができなくなり、他方、200 Å
を越えると絶縁耐圧は向上するがゲート配線12の配線抵
抗が上昇してしまう傾向があるため、上記範囲の膜厚が
好適である。

【００２７】また、図４のように酸化処理を行なう前の
工程として、第１ゲート絶縁膜13の成膜後に第１ゲート
絶縁膜13に対してブラシ洗浄もしくは超音波洗浄または
それらの両方を行なうことが望ましい。そのようにして
第１ゲート絶縁膜13に対して充分な洗浄を行ない、第１
ゲート絶縁膜13の表面の付着物を除去すると共に成膜欠
陥部14においてゲート配線12が完全に露出した状態とす
ることができるため、その後の酸化処理による酸化絶縁
膜15の形成を確実に行なうことができ、所望の酸化絶縁
膜15を安定して得ることができるようになる。

【００２８】次に、図５は第２ゲート絶縁膜を積層した
状態を示している。同図において、16は第２ゲート絶縁
膜であり、ＳｉＮ_x から成る絶縁膜が、第１ゲート絶縁
膜13上のほぼ全面に成膜されて積層されている。また、
17は第２ゲート絶縁膜16中に発生したクラックやピンホ
ール等の成膜欠陥部であり、同図においては、第１ゲー
ト絶縁膜13中の成膜欠陥部14のうち図中の右側の成膜欠
陥部14と重なって発生した状態を示している。このよう
に成膜欠陥部14と成膜欠陥部17とがゲート配線12上で重
なった場合は、その部分のゲート配線12が成膜欠陥部14
・17を通して露出することになるが、本発明においては
その露出する部分に酸化絶縁膜15を形成している。

【００２９】次に、図６は第２ゲート絶縁膜16上にソー
ス電極またはドレイン電極を形成するための金属膜を成
膜して積層した状態を示している。同図において18はソ
ース電極またはドレイン電極を形成するための金属膜で
あり、Ａｌやクロム（Ｃｒ）・チタン（Ｔｉ）等の金属
が用いられる。同図により分かるように、ゲート配線12
上の第１ゲート絶縁膜13と第２ゲート絶縁膜16の同一箇
所に成膜欠陥部14・17が重なって発生しても、ゲート配
線12の金属膜表面に形成した酸化絶縁膜15が絶縁耐圧を
向上させ、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧を補強するので、金
属膜18から形成したソース電極またはドレイン電極、あ
るいはそれらの信号配線とゲート配線12との間での絶縁
破壊を防止することができ、配線間ショートの不良発生
を大幅に低下させることができる。また、ＴＦＴ部にお
いては金属膜18の代わりに半導体膜が形成されるが、そ
の場合もゲート電極（ゲート配線）12と半導体膜との間
のリーク電流を大幅に抑制することができ、良好なトラ
ンジスタ特性のＴＦＴが得られる。

【００３０】図９および図10には、ＴＦＴ部の断面図を
示す。これらの図において、20は透明絶縁性基板であ
り、21はゲート電極、23は第１ゲート絶縁膜、24は第１
ゲート絶縁膜中の成膜欠陥部、25は第２ゲート絶縁膜、
26は第２ゲート絶縁膜中の成膜欠陥部、27は成膜欠陥部
24を通して上述のように形成した酸化絶縁膜である。こ
れらは、それぞれ上記の透明絶縁性基板10、ゲート配線
12、第１ゲート絶縁膜13、成膜欠陥部14、第２ゲート絶
縁膜16、成膜欠陥部17、酸化絶縁膜15と同様のものであ
る。22は後述するゲート酸化層である。

【００３１】また、28はｉ型非晶質シリコン（ａ−Ｓ
ｉ）膜等から成る第１半導体膜、29はｎ⁺ 型ａ−Ｓｉ膜
等から成る第２半導体膜、であり、30はソース電極、31
はドレイン電極、32はパッシベーション膜である。ソー
ス電極30およびドレイン電極31は、ＡｌやＣｒ・Ｔｉ等
から成り、パッシベーション膜32はＳｉＮ_x あるいはＳ
ｉＯＮ等から成る。

【００３２】上述の酸化絶縁膜15と同様にして、第１ゲ
ート絶縁膜23の成膜欠陥部24を通してゲート電極21の金
属膜表面を酸化せしめて酸化絶縁膜27を形成したことに
より、ゲート電極21上で第１ゲート絶縁膜23の成膜欠陥
部24と第２ゲート絶縁膜25の成膜欠陥部26とが重なった
部分においても、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧が補強される
ので、ゲート絶縁膜の成膜欠陥部24・26が原因となるゲ
ート電極21と半導体膜28との間のリーク電流を大幅に抑
制することができ、良好なトランジスタ特性のＴＦＴを
得ることができる。

【００３３】なお、酸化絶縁膜27の形成前に第１ゲート
絶縁膜23に対してブラシ洗浄もしくは超音波洗浄または
それらの両方を行なうことが望ましいことは、上述の場
合と同様である。

【００３４】また、図10に示すように、第１ゲート絶縁
膜23を形成する前にゲート電極21の金属膜表面にゲート
酸化層22を形成することにより、ゲート絶縁膜の誘電率
を高めて絶縁性をより良好なものとすることができ、そ
れによってゲート電圧印加時にチャネル部に誘起される
電荷が多くなって、ＴＦＴのオン電流を増加させること
ができるものとなる。

【００３５】例えば、第１ゲート絶縁膜23にＳｉＯ_x 、
第２ゲート絶縁膜25にＳｉＮ_x を用いた場合、ＳｉＯ_x
の比誘電率は約４、ＳｉＮ_x の比誘電率は約７であり、
ＴａＯ_x の比誘電率の約25に比べて非常に低いため、第
１ゲート絶縁膜23にＴａＯ_x、第２ゲート絶縁膜25にＳ
ｉＮ_x を用いた場合よりも比誘電率が約３分の１と低
く、その分ＴＦＴのオン電流も３分の１程度に小さくな
る欠点がある。

【００３６】また、ＳｉＯ_x 膜やＳｉＮ_x 膜には上述の
ようにクラックやピンホール等の成膜欠陥が生じやす
く、ゲート電極21とソース電極30あるいはドレイン電極
31との交差部でそれらの成膜欠陥が生じると、絶縁耐圧
が低下して電極間にショートが発生してしまうという問
題もあった。

【００３７】そこで、ゲート電極21の金属膜表面にゲー
ト酸化層22を形成することにより、そのようなゲート酸
化層22によりゲート絶縁膜全体の比誘電率を向上させ
て、ＴＦＴのオン電流を増加させることができるものと
なる。

【００３８】本発明者の知見によれば、ゲート電極21を
酸化雰囲気に曝す、あるいは酸素を含むプラズマにより
酸化処理することにより、金属膜表面に80〜100 Å程度
の厚さのゲート酸化層22を形成すれば、酸化処理が短時
間で行なえると共に、電極間のショートを防止でき、Ｔ
ＦＴのオン電流も２〜４％程度向上させることができ
た。

【００３９】このようなプラズマによる酸化処理として
は、例えば第１ゲート絶縁膜23を成膜するためのスパッ
タリング装置内で、Ｏ₂ やＮ₂ Ｏ等の酸化性のガスを導
入して基板温度 200℃以上で５分程度のプラズマ処理を
行なう、あるいは第１ゲート絶縁膜23を成膜するための
プラズマＣＶＤ装置内で同様の酸化性のガスを導入して
基板温度 300℃以上で３分程度のプラズマ処理を行な
う、ＡＰ−ＣＶＤ装置の基板昇温ゾーンの最後尾でかつ
成膜ゾーンの前においてＮ₂ ガスと同時にＯ₂ ガスを導
入することで、いずれもＴａ金属膜の表面に80〜100 Å
のＴａＯ_x から成るゲート酸化層22を形成することがで
きる。

【００４０】また、以上のように酸化雰囲気中でゲート
電極21の金属膜表面の酸化を行なうことで、陽極酸化等
の電気的ウェット法と違い、比較的短時間で薄くて緻密
なゲート酸化層22を形成することができる。

【００４１】そのようにしてゲート酸化層22を形成した
ことにより、第１ゲート絶縁膜23にＳｉＯ_x 、第２ゲー
ト絶縁膜25にＳｉＮ_x を用いたのみの場合よりも、ゲー
ト絶縁膜の比誘電率を２〜４％高めることができ、ＴＦ
Ｔのオン電流を２〜４％程度増加させることができ、電
極間ショートも防止することができた。

【００４２】さらに、そのようなゲート酸化層22を形成
することと、第１ゲート絶縁膜23の成膜欠陥部24を通し
て、露出部のゲート電極21に酸化処理を行なうことを組
み合わせることにより、ゲート電極21と半導体膜28の間
のリーク電流が小さく、かつオン電流が大きい良好な特
性のＴＦＴを得ることができた。

【００４３】なお、本発明は以上の例に限定されるもの
ではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更
・改良を加えることは何ら差し支えない。

【００４４】

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１に係る
薄膜トランジスタの製造方法によれば、第１ゲート絶縁
膜の成膜欠陥部に露出しているゲート配線の金属膜表面
を、酸素を含むプラズマ処理もしくは酸素雰囲気中での
加熱処理により酸化せしめた工程を具備することによ
り、第１ゲート絶縁膜の欠陥と第２ゲート絶縁膜の欠陥
とが重なる場合においても絶縁耐圧の低下を抑制し、配
線間ショートの不良発生を大幅に低下させることができ
ると共に、ＴＦＴ部においては第１ゲート絶縁膜の欠陥
と第２ゲート絶縁膜の欠陥とが重なる場所におけるゲー
ト電極と半導体膜との間のリーク電流を大幅に抑制して
良好なトランジスタ特性の薄膜トランジスタを形成する
ことができる薄膜トランジスタの製造方法を提供するこ
とができた。

【００４５】また、本発明の請求項２に係る薄膜トラン
ジスタの製造方法によれば、請求項１に係る製造方法に
加えて、第１ゲート絶縁膜の成膜欠陥部に露出している
ゲート配線の金属膜表面を、酸素を含むプラズマ処理も
しくは酸素雰囲気中での加熱処理により酸化せしめる工
程の前に、第１ゲート絶縁膜にブラシ洗浄及び／又は超
音波洗浄を行なう工程を具備したことにより、第１ゲー
ト絶縁膜表面の付着物を除去すると共にクラックやピン
ホール等の欠陥部にゲート配線の金属膜が十分に露出し
た状態とでき、その部分の金属膜表面を酸素を含むプラ
ズマ処理もしくは酸素雰囲気中での加熱処理により確実
に酸化させて所望の酸化絶縁膜を安定して得ることがで
きる製造方法を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法を説明するＴＦＴ基板の断面
図である。

【図２】本発明の製造方法を説明するＴＦＴ基板の断面
図である。

【図３】本発明の製造方法を説明するＴＦＴ基板の断面
図である。

【図４】本発明の製造方法を説明するＴＦＴ基板の断面
図である。

【図５】本発明の製造方法を説明するＴＦＴ基板の断面
図である。

【図６】本発明の製造方法を説明するＴＦＴ基板の断面
図である。

【図７】従来の製造方法を説明するＴＦＴ基板の断面図
である。

【図８】従来の製造方法によるＴＦＴ基板の問題点を説
明する断面図である。

【図９】本発明の製造方法によるＴＦＴ部の断面図であ
る。

【図１０】本発明の製造方法による他のＴＦＴ部の断面
図である。

【符号の説明】

10・20…透明絶縁性基板、12…ゲート配線、21…ゲート
電極、22…ゲート酸化層、13・23…第１ゲート絶縁膜、
16・25…第２ゲート絶縁膜、14・17・24・26…成膜欠陥
部、15・27…酸化絶縁膜、18…金属膜、28…第１半導体
膜、29…第２半導体膜、30…ソース電極、31…ドレイン
電極、32…パッシベーション膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明絶縁性基板上に金属膜から成るゲー
   ト配線を形成する工程と、前記透明絶縁性基板および前
   記ゲート配線上に第１ゲート絶縁膜を積層する工程と、
   前記第１ゲート絶縁膜の成膜欠陥部に露出している前記
   ゲート配線の金属膜表面を、酸素を含むプラズマ処理も
   しくは酸素雰囲気中での加熱処理により酸化せしめる工
   程と、前記第１ゲート絶縁膜上に第２ゲート絶縁膜を積
   層する工程と、この第２ゲート絶縁膜上に金属膜もしく
   は非晶質シリコンから成る半導体層を積層する工程とを
   具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記透明絶縁性基板および前記ゲート配
   線上に第１ゲート絶縁膜を積層する工程と、前記第１ゲ
   ート絶縁膜の成膜欠陥部に露出している前記ゲート配線
   の金属膜表面を、酸素を含むプラズマ処理もしくは酸素
   雰囲気中での加熱処理により酸化せしめる工程との間
   に、前記第１ゲート絶縁膜にブラシ洗浄及び／又は超音
   波洗浄を行なう工程を具備することを特徴とする請求項
   １記載の薄膜トランジスタの製造方法。