JPH09181240A - リードフレーム処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードカット時の静電気による半導体装置の
静電破壊を防止するリードフレーム処理装置を提供する 【解決手段】 リードカット部１１の上型１２のパンチ
ガイド固定部５４と、下型１３のリードカットダイ固定
部６７とにイオンブローユニット６１、６２を設け、リ
ードカットダイ固定部６７のイオンブロー孔６３とリー
ドカットダイ５３のイオンブロー孔およびリードカット
ダイ固定部６７のイオンブロー孔６８とリードカットダ
イのイオンブロー孔とを通して、リードフレーム４０に
直接イオンブローする。 【効果】 半導体装置の静電破壊が避けられ、半導体装
置の製造歩留向上が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム処理
装置に関し、更に詳しくは、リードフレーム処理時、半
導体装置の静電破壊を防止するためにイオンブロー装置
を取り付けたリードフレーム処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常の樹脂モールドタイプの半導体装置
の製造においては、リードフレームに半導体装置を搭載
して樹脂封止を行った後、レジン落としや、ダムバーカ
ット、バリ取りメッキ加工、リードカット、リード曲げ
およびダイパッドの吊り部カット（ピンチカット）等が
行われるが、上記工程を行う各種装置がリードフレーム
処理装置と言われる装置である。これらリードフレーム
処理装置によるリードフレーム処理時に、半導体装置の
静電破壊が起こる可能性のあるリードフレーム処理工程
は、主にリードフレームより半導体装置のリードを切り
離すリードカット工程、リード曲げ工程およびピンチカ
ット工程がある。最近、この３工程用のリードフレーム
処理装置を一つの装置として構成し、半導体装置の静電
破壊対策のために、リードフレーム処理装置にリードフ
レームが供給される直前にイオンブローユニットを用い
てイオンブローするリードフレーム処理装置がある。

【０００３】図３は、３工程用のリードフレーム処理装
置を一つの装置とした、上記のリードフレーム処理装置
のブロック図で、以下図３を参照して、従来例のリード
フレーム処理装置を説明する。まず、リードフレーム処
理装置１の構成は、リードカット機構部１０、リード曲
げ機構部２０およびピンチカット機構部３０とで構成さ
れている。リードカット機構部は、後述するリードフレ
ーム４０のリードカットをするリードカット部１１およ
びこのリードカット部１１を駆動する機器やリードフレ
ーム４０を載置する、後述するフィードプレート１４の
駆動する機器等で構成されている。また、リード曲げ機
構部２０は、リード曲げ部２１およびこのリード曲げ部
２１を駆動する機器やフィードプレート１４の駆動する
機器等で構成されている。ピンチカット機構部３０は、
半導体装置が張り付けられているリードフレーム４０の
ダイパッド部のピンチをカットするピンチカット部３１
およびこのピンチカット部３１を駆動する機器やフィー
ドプレート１４の駆動する機器等で構成されている。こ
れら３つの機構部１０、２０、３０の間をリードフレー
ム４０を載置したフィードプレートが図３の右より左へ
と移動し、自動的に上記の３工程を行うようになってい
る。

【０００４】樹脂モールドされた半導体装置４１を搭載
したリードフレーム４０は、リードフレーム処理装置１
のリードカット機構部１０の外部に設置された、リード
フレーム４０を収納したリードフレーム用マガジン（図
示省略）より、リードカット機構部１０へ自動的に供給
される。この際、リードフレーム４０はイオンブローユ
ニット２よりイオン化した空気を吹き掛けられて、樹脂
モールドされた半導体装置の樹脂表面を含めたリードフ
レーム４０に帯電した静電気が除電され、その後にリー
ドカット機構部１０に供給される。リードカット機構部
１０に供給されたリードフレーム４０は、フィードプレ
ート１４に載置され、まずリードカット部１１でリード
カットされ、その後フィードプレートがリード曲げ機構
部２０のリード曲げ部２１に移動してリード曲げがおこ
なわれ、続いてフィードプレートがピンチカット構部３
０ののピンチカット部３１に移動してピンチカットさ
れ、このピンチカットでリードフレーム４０から分離さ
れた半導体装置４１の個片は自動的にリードフレーム処
理装置１の外部に搬出され、一方半導体装置４１がリー
ドフレーム４０より分離されて、不要となったリードフ
レーム４０は、フィードプレートより離されて、リード
フレーム処理装置１の外部へ自動的に搬出される。

【０００５】上記のように、イオンブローユニット２を
備えたリードフレーム処理装置１を用いても、リードフ
レーム処理時における、半導体装置の静電破壊を完全に
防止することができず、半導体装置を不良品とする虞れ
がある。これは、リードフレーム４０の静電気を除去し
ても、リードフレーム４０がフィードプレートに送られ
る時の摩擦や上記の３つの工程、即ちリードカット、リ
ード曲げおよびピンチカット等でも静電気が発生する可
能性があり、この静電気による半導体装置の破壊が起こ
ることによる。ただ、半導体装置４１のリードがリード
フレーム４０から分離されていない状態での、フィード
プレートとの摩擦によるリードフレーム４０の帯電は、
半導体装置４０の樹脂モールド表面の電位とリードフレ
ーム４０の電位に非常に大きな電位差ができて樹脂モー
ルドを破壊するようなことが無いかぎり、半導体装置内
部はリードフレーム４０の帯電による一定の電位となっ
ているので、半導体装置の静電破壊は起きない。ただ
し、リードフレーム４０が帯電していて、この状態で半
導体装置４１が分離されると、半導体装置４０のリード
間に電位差が生じる可能性が大きくなるため、出来るだ
けリードフレーム４０の帯電は防止する必要がある。

【０００６】ここで、リードフレーム処理装置１におけ
る、静電気の発生する可能性がある上記の３つの工程の
機構部で、一例としてリードカット機構部１０のリード
カット部１１を取り上げ、このリードカット部１１の構
造を、図４を参照して説明する。図４は、図１のリード
カット部１１のＡ−Ａ部における概略断面図で、リード
フレーム４０のリードカットが行われた状態の概略断面
図である。リードカット部１１は、リードをカットする
リードカットパンチ５１がある上型１２とリードをカッ
トするリードカットダイ５２がある下型１３とにより構
成されている。リードフレーム４０がフィードプレート
１４に載置されて、リードカット部１１のリードカット
位置に設置されると、上型１２にあるパンチガイド５３
とこのパンチガイド５３を固定しているパンチガイド固
定部５４とが、サブポスト５５に沿って移動してリード
フレーム４０を、下型１３にあるリードカットダイ５２
に押さえつける。その後、上型１２にあるリードカット
パンチ５１とこのリードカットパンチ５１を支持してい
る支持基板部５６がメインポストに沿って移動して、リ
ードカットパンチ５１とリードカットダイ５２とによっ
て、リードフレーム４０のリードカットを行う。

【０００７】このような構成によるリードカット部１１
で、リードフレームから半導体装置のリードが切断され
る時の摩擦等による静電気が、半導体装置４１側のリー
ドに帯電すると、半導体装置の破壊が発生する虞があ
る。なお、前述した如く、静電気による半導体装置の破
壊が発生する虞があるのは、リードフレーム処理装置の
リードカット部１１のみでなく、リード曲げ部２１やピ
ンチカット部３１でも同様に、静電気による半導体装置
の破壊が発生する虞がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したリ
ードフレーム処理装置における問題点を解決することを
その目的とする。即ち本発明の課題は、リードフレーム
処理装置において、リードフレームの搭載された半導体
装置のリードがリードフレームから分離される時、およ
び分離された後の半導体装置側のリードに静電気が帯電
しないようにしたリードフレーム処理装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
処理装置は、上述の課題を解決するために提案するもの
であり、リードフレームを処理するリードカット部、リ
ード曲げ部およびピンチカット部の内、少なくとも一つ
のリードフレーム処理部を具備したリードフレーム処理
装置であって、リードカット部、リード曲げ部およびピ
ンチカット部の内、少なくとも一つのリードフレーム処
理部で処理されつつある前記リードフレームに、直接イ
オンブロー可能なイオンブロー手段を具備していること
を特徴とするものである。

【００１０】また、本発明のリードフレーム処理装置
は、リードカット部の上型および下型に、各々イオンブ
ローユニットを設置し、リードカット部にあるリードフ
レームの上面と下面に直接イオンブローするようなイオ
ンブロー孔を設けたことを特徴とするものである。

【００１１】本発明の要点は、リードフレーム処理装置
のリードフレーム処理工程で、静電気発生の虞があるリ
ードカット、リード曲げおよびピンチカット工程の各リ
ードフレームの処理部にあるリードフレームに、直接イ
オンブローして、静電気による帯電を防止し、半導体装
置が静電破壊されるのを防止することにある。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき、添付図
面を参照して説明する。なお従来技術の説明で参照した
図３、４中の構成部分と同様の構成部分には、同一の参
照符号を付すものとする。

【００１３】本実施例はリードフレーム処理装置に本発
明を適用した例であり、これを図１、図２を参照して説
明する。図１のリードフレーム処理装置１のリードカッ
ト部１１は、基本的な構成においては、図４に示す従来
例のリードカット部１１と同様であるが、２個のイオン
ブローユニット６１、６２がリードカット部１１の上型
１２と下型１３に、それぞれ取り付けられた構成となっ
ている。そこで、従来例のリードカット部１１と同様な
構成部分に関しては、既に説明したので、ここでは説明
を省略する。

【００１４】イオンブローユニット６１のリードカット
部１１の上型１３への取り付け位置はパンチガイド固定
部５４で、パンチガイド固定部５４にはイオンブローユ
ニット５１からのイオン化された空気が通るイオンブロ
ー孔６３が設けられている。また、このイオンブロー孔
６３に接続するように、パンチガイド５３にもイオンブ
ロー孔６４が設けられている。これらイオンブロー孔６
３、６４の詳細構造を示したのが、図２（ａ）、（ｂ）
である。ここで、図２（ａ）はパンチガイド固定部５４
の概略平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−
Ｂ部における概略断面図で、パンチガイド固定部５４に
パンチガイド５３が固定されている状態を示している。
まず、図２（ａ）に示すように、イオンブローユニット
６１が取り付けられたパンチガイド固定部５４の開口部
６５とイオンブロー孔６３ａとが、リードカットパンチ
５１が通るリードカットパンチ孔６６を横切らないよう
な位置に設けられている。更に、このイオンブロー孔６
３ａから、リードカットされるリードフレーム４０の半
導体装置４１のほぼ真上まで伸びた２本のイオンブロー
孔６３ｂが設けられ、イオンブロー孔６３ｂから下方の
パンチガイド５４に向かうイオンブロー孔６３ｃが設け
られている。また、図２ｂに示すように、パンチガイド
５３には、上記のイオンブロー孔６３ｃに接続し、リー
ドカットパンチ孔６６に向かう２本のイオンブロー孔６
４が設けられている。

【００１５】一方、イオンブローユニット６２は、図１
に示すように、リードカット部１１の下型１３のリード
カットダイ固定部６７に取り付けられ、リードカットダ
イ固定部６７に設けられたイオンブロー孔６８と、リー
ドカットダイ５２に設けられたイオンブロー孔６９によ
り、リードフレーム４０の半導体装置４１のほぼ真下か
ら、イオンブローが行われるようになっている。

【００１６】本実施例では、高電圧電源（図省略）と空
気供給装置（図省略）と、これらの装置より高電圧と空
気が供給され、イオン化した空気を発生させる２個のイ
オンブローユニット６１、６２、およびイオン化した空
気を、リードフレーム処理部で処理されつつあるリード
フレーム４０に、直接イオンブローするために設けられ
たイオンブロー孔６３、６４や６８、６９とで、イオン
ブロー手段を構成している。

【００１７】リードフレーム処理装置１の動作中は、上
記の２つのイオンブローユニット６１が常時作動してい
るので、リードフレーム４０がフィードプレート１４に
載置されてリードカット部１１に来る間に、摩擦等にと
る静電気がリードフレーム４０に帯電していたとして
も、リードカット処理操作が始まる以前に、リードフレ
ーム４０に帯電した電荷はイオンブローユニット６１、
６２より送られてくるイオン化された空気により除去さ
れる。次に、リードカットするために、パンチガイド固
定部５４がサブポスト５５に沿って下方に移動してリー
ドフレーム４０を押さえ、リードカットパンチ５１を支
持している支持基板部５６がメインポストに沿って下方
に移動して、リードカットパンチ５１とリードカットダ
イ５２とによって、リードフレーム４０のリードカット
を行う際も、常時リードフレーム４０はイオンブローさ
れている状態になっているので、リードカット時には静
電気が発生しても、直ちに静電気が除去されて半導体装
置のリードの静電気による半導体装置の静電破壊が起こ
る虞がない。

【００１８】上記リードカット部１１のリードカットガ
イド固定部５４に取り付けたイオンブローユニット６１
のイオンブロー孔６３は、半導体装置４１のほぼ真上で
２本の６３ｂと６３ｃに分かれ、リードカットガイド５
３の２本のイオンブロー孔６４に接続されて、リードパ
ンチガイド孔６６よりイオン化された空気が出てゆく構
成となっているが、イオンブローユニット６１からのイ
オンブロー孔６３を、１本のイオンブロー孔６３構成と
して、半導体装置４１のほぼ真上に吹き出す構成を取っ
てもよい。また、上記リードカット部１１には、２個の
イオンブローユニット６１、６２を設置した構成となっ
ているが、どちらか１個のイオンブローユニット６１だ
けを設置した構成としてもよい。更に、リードフレーム
処理装置１内の、半導体装置４１が静電気による帯電の
可能性があるリードカット部以外の、他の加工部、即ち
リード曲げ部やピンチカット部にもイオンブローユニッ
トを設置したリードフレーム処理装置構成を取ってもよ
い。更にまた、上記の実施例ではリードカット機構部、
リード曲げ機構部およびピンチカット機構部が一体とな
っているリードフレーム処理装置における実施例を示し
たが、これらの機構部がそれぞれ一つのリードフレーム
処理装置となっているものにも本発明が適応できること
は自明である。

【００１９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のリードフレーム処理装置は、リードフレーム処理部に
あるリードフレームに直接イオンブローすることで、リ
ードカット、リード曲げおよびピンチカット時の静電気
による半導体装置の帯電を防止でき、半導体装置の静電
破壊が避けられるので、半導体装置の製造における製造
歩留向上が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した実施例におけるリードフレー
ム処理装置のリードカット部の概略断面図である。

【図２】本発明を適用した実施例におけるリードカット
部のイオンブローユニットをとりつけたパンチガイド固
定部とパンチガイドで、（ａ）はパンチガイド固定部と
パンチガイドの概略平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＢ−
Ｂ部における概略断面図である。

【図３】従来例のリードフレーム処理装置を説明するた
めの、リードフレーム処理装置の概略ブロック図であ
る。

【図４】従来例のリードフレーム処理装置のリードカッ
ト部を説明するための、リードカット部の概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１ リードフレーム処理装置 ２ イオンブローユニット １０ リードカット機構部 １１ リードカット部 １２ 上型 １３ 下型 １４ フィードプレート１４ ２０ リード曲げ機構部 ２１ リード曲げ部 ３０ ピンチカット機構部 ３１ ピンチカット部 ４０ リードフレーム ４１ 半導体装置 ５１ リードカットパンチ ５２ リードカットダイ ５３ パンチガイド ５４ パンチガイド固定部 ５５ サブポスト ５６ リードカットパンチ支持部 ５７ メインポスト ６１、６２ イオンブローユニット ６３、６４ イオンブロー孔

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレームを処理するリードカット
   部、リード曲げ部およびピンチカット部の内、少なくと
   も一つのリードフレーム処理部を具備したリードフレー
   ム処理装置において、 前記リードカット部、前記リード曲げ部および前記ピン
   チカット部の内、少なくとも一つのリードフレーム処理
   部で処理されつつある前記リードフレームに、直接イオ
   ンブローをするイオンブロー手段を具備してなることを
   特徴とするリードフレーム処理装置。
2. 【請求項２】 前記リードカット部の上型および下型
   に、イオンブローユニットと、前記リードカット部で処
   理されつつある前記リードフレームの上面と下面に直接
   イオンブローをするイオンブロー孔とを設けたことを特
   徴とする、請求項１記載のリードフレーム処理装置。