JPH0918019A - 半導体力学量センサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】何らかの理由により可動部と他の部材（例え
ば、対向して配置された電極）とが接触しようとする際
の不具合等を解消することができる半導体力学量センサ
及びその製造方法を提供する。 【構成】シリコン基板１にはポリシリコン薄膜よりなる
梁構造の可動部３が配置され、可動部３はシリコン基板
１の上方に所定間隔を隔てて配置されている。可動部３
の表面は、シリコン窒化膜よりなる保護膜３３ａ，３３
ｂにて覆われている。可動部３を励振した状態でヨーレ
ートが作用すると、可動部３が基板１の表面に垂直な方
向に変位する。この変位に伴いソース・ドレイン電極で
のドレイン電流が変化し、このドレイン電流の変化から
ヨーレートを検出する。過大な力が加わり、可動部３の
励振用可動電極部と励振用固定電極とが接近しても保護
膜３３ａ，３３ｂにて両者の接触は回避される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体力学量センサ
に係り、詳しくは、加速度，ヨーレート，振動等の力学
量を検出する半導体力学量センサ及びその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体加速度センサの小型化、低
価格化の要望が高まっている。このために、特表平４−
５０４００３号公報にてポリシリコンを電極として用い
た差動容量式半導体加速度センサが示されている。この
種のセンサを図１０，１１，１２を用いて説明する。図
１０にセンサの平面を示すとともに、図１１に図１０の
Ｄ−Ｄ断面図を、図１２に図１０のＥ−Ｅ断面を示す。

【０００３】シリコン基板３８の上方には所定間隔を隔
てて梁構造の可動部３９が配置されている。ポリシリコ
ン薄膜よりなる可動部３９は、梁部４４，４５，４６，
４７と重り部４８と可動電極部４９とからなる。可動部
３９は、アンカー部４０，４１，４２，４３にてシリコ
ン基板３８の上面に固定されている。つまり、アンカー
部４０，４１，４２，４３から梁部４４，４５，４６，
４７が延設され、この梁部４４，４５，４６，４７に重
り部４８が支持されている。この重り部４８には可動電
極部４９が突設されている。一方、シリコン基板３８上
には、１つの可動電極部４９に対し、ポリシリコン薄膜
よりなる固定電極５０が２つ対向するように配置されて
いる。そして、シリコン基板３８の表面に平行な方向
（図１０にＹで示す）に加速度が加わった場合、可動電
極部４９と固定電極５０との間の静電容量において片側
の静電容量は増え、もう一方は減る構造となっている。

【０００４】このセンサの製造は、図１３に示すよう
に、シリコン基板３８の上にシリコン酸化膜等の犠牲層
５１を形成するとともに犠牲層５１におけるアンカー部
となる箇所に開口部５２を形成する。その後、図１４に
示すように、犠牲層５１の上に可動部となるポリシリコ
ン薄膜５３を成膜し、所望のパターン形状にする。引き
続き、エッチング液にてポリシリコン薄膜５３の下の犠
牲層５１を除去し、図１５に示すように、シリコン基板
３８の上方に可動部３９を所定間隔を隔てて配置する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ポリシリコ
ン薄膜５３の下の犠牲層（シリコン酸化膜）５１をエッ
チングして可動部３９を形成する工程により、可動部３
９（ポリシリコン薄膜５３）および固定電極５０がむき
出しになってしまう。その結果、次のような不具合が生
じることがある。図１２において二点鎖線にて示すよう
に何らかの原因により（例えば、過大な加速度により）
可動部３９の可動電極部４９と固定電極５０とが接触し
た場合には両コンデンサ電極が短絡してしまう。又、可
動部３９および固定電極５０が露出しているため、図１
６に示すように、ポリシリコン薄膜よりなる可動部３９
および固定電極５０の表面に自然酸化膜５４が成長した
場合には、可動電極部４９と固定電極５０との間の距離
が当初Ｌ１であったものが自然酸化膜５４の膜厚分だけ
変化してＬ２となってしまい可動電極部４９と固定電極
５０との間の容量が変化し、特性が変化してしまう。さ
らに、ポリシリコン薄膜よりなる可動部３９が露出した
場合には表面においてシリコンのダングリングボンドの
存在により表面が活性な状態になり、可動部３９の表面
に液滴が付いた際にはその表面張力が大きくなる。その
結果、犠牲層エッチング工程において基板の表面につい
たエッチング液を洗浄液（純水）と置換した後の乾燥時
に可動部３９と基板３８との間に洗浄液が液滴状になっ
て残り（図１５にＷにて示す）、その液滴での表面張力
が大きくなっているので、図１７に示すように、可動部
３９が基板３８側に引っ張られ可動部３９が基板３８の
表面に固着してしまう。

【０００６】そこで、この発明の目的は、何らかの理由
により可動部と他の部材（例えば、対向して配置された
電極）とが接触しようとする際の不具合等を解消するこ
とができる半導体力学量センサ及びその製造方法を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定間隔を
隔てて配置され、力学量の作用に伴う変位に基づいて力
学量を検出するための薄膜よりなる梁構造の可動部と、
前記可動部の表面を被覆する保護膜とを備えた半導体力
学量センサをその要旨とする。

【０００８】請求項２に記載の発明は、半導体基板と、
前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置され、力
学量の作用に伴う変位に基づいて力学量を検出するため
の薄膜よりなる梁構造の可動部とを備え、力学量の作用
に伴う前記可動部の変位に基づいて力学量を検出するよ
うにした半導体力学量センサの製造方法であって、半導
体基板の上に犠牲層を形成するとともに、その上の可動
部形成領域に保護膜を形成する第１工程と、可動部形成
領域での前記保護膜の上に可動部形成用薄膜を形成する
とともに可動部形成用薄膜の露出面を保護膜で覆う第２
工程と、前記保護膜を除去することなく前記犠牲層のみ
を選択的に除去可能なエッチング液を用いて、前記可動
部形成用薄膜の下の犠牲層をエッチング除去する第３工
程とを備えた半導体力学量センサの製造方法をその要旨
とする。

【０００９】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明における前記犠牲層をシリコン酸化膜とし、前記
保護膜をシリコン窒化膜とした半導体力学量センサの製
造方法をその要旨とする。

【００１０】

【作用】請求項１に記載の発明によれば、力学量の作用
に伴い薄膜よりなる梁構造の可動部が変位し、この変位
に基づいて力学量が検出される。又、例えば、可動部と
他の部材（例えば、対向して配置された電極）とが接触
しようとしても可動部が保護膜にて覆われているので、
接触による不具合、例えば、短絡等を防止することがで
きる。

【００１１】又、可動部が保護膜にて覆われているの
で、例えば、シリコンを可動部の材料として使用した際
の可動部の表面での自然酸化膜の成長が防止され、さら
に、ウェットエッチングによる犠牲層除去により可動部
を梁構造としようとした際において、可動部の表面を不
活性な状態とし可動部と基板との間の液滴の表面張力を
弱くできる。

【００１２】請求項２に記載の発明によれば、第１工程
により、半導体基板の上に犠牲層が形成されるととも
に、その上の可動部形成領域に保護膜が形成される。第
２工程により、可動部形成領域での前記保護膜の上に可
動部形成用薄膜が形成されるとともに可動部形成用薄膜
の露出面が保護膜で覆われる。第３工程により、保護膜
を除去することなく犠牲層のみを選択的に除去可能なエ
ッチング液を用いて、可動部形成用薄膜の下の犠牲層が
エッチング除去される。その結果、請求項１に記載の半
導体力学量センサが製造される。

【００１３】請求項３に記載の発明によれば、請求項２
に記載の発明の作用に加え、犠牲層はシリコン酸化膜で
あり、保護膜はシリコン窒化膜であるので、ＨＦ系エッ
チング等を用いて容易に選択的エッチングが行われる。

【００１４】

【実施例】以下、この発明をヨーレートセンサに具体化
した一実施例を図面に従って詳細に説明する。

【００１５】図１は、本実施例のヨーレートセンサの平
面図を示し、ヨーレートの検出にトランジスタを利用し
たものである。図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、図３
には図１のＢ−Ｂ断面を示し、図３には図１のＢ−Ｂ断
面を示し、図４には図１のＣ−Ｃ断面を示す。

【００１６】半導体基板としてのＰ型シリコン基板１の
上には絶縁膜２が形成されている。この絶縁膜２は、シ
リコン窒化膜とシリコン酸化膜とを交互に積層した複合
体（積層体）よりなる。

【００１７】シリコン基板１（絶縁膜２）の上には、ポ
リシリコン薄膜よりなる梁構造の可動部３が設けられて
いる。可動部３は梁部４，５，６，７と重り部８と可動
ゲート電極部９，１０と励振用可動電極部１１，１２，
１３，１４とからなる。この可動部３は、アンカー部１
５，１６，１７，１８によりシリコン基板１の表面に固
定され、シリコン基板１（絶縁膜２）の上方に所定間隔
を隔てて配置されている。より詳しくは、アンカー部１
５，１６，１７，１８から梁部４，５，６，７が延び、
梁部４，５，６，７により四角形状の重り部８が支持さ
れている。重り部８はヨーレートによる変位量を稼ぐた
めのものである。重り部８からは可動ゲート電極部９，
１０が互い離間する方向に突出している。可動ゲート電
極部９，１０は、トランジスタでいうゲートの役割を兼
ねる可動電極である。又、重り部８からは励振用可動電
極部１１，１２，１３，１４が突出している。励振用可
動電極部１１，１２，１３，１４は可動部３（可動ゲー
ト電極部９，１０）に対し振動を与える励振用の電極で
ある。可動部３はシリコン基板１の表面に垂直な方向と
水平な方向に変位できるようになっている。

【００１８】又、シリコン基板１の上面において励振用
可動電極部１１，１２，１３，１４と対向するように励
振用固定電極１９，２０，２１，２２がアンカー部２
３，２４，２５，２６により固定されている。この励振
用固定電極１９，２０，２１，２２は、可動部３と同様
にポリシリコン薄膜よりなる。そして、励振用可動電極
部１１，１２，１３，１４と励振用固定電極１９，２
０，２１，２２との間に所定の周波数で電位差を与える
と、静電気力により重り部８が図１中に示すＸ方向に振
動する。

【００１９】図２に示すように、可動ゲート電極部１０
の下方でのシリコン基板１の表面には、ソース・ドレイ
ン電極２７，２８が形成されている。この電極２７，２
８は、Ｐ型シリコン基板１にイオン注入等によりＮ型不
純物を導入することによって形成したものである。より
詳しくは、シリコン基板１に拡散層であるソース・ドレ
イン電極２７，２８が形成されるとともに、絶縁膜（ゲ
ート絶縁膜）２を介して可動ゲート電極部１０が離間し
て配置され、エアギャップ式トランジスタを構成してい
る。この可動ゲート電極部１０に電圧を印加することで
ソース・ドレイン電極２７，２８間に反転層３２が形成
される。

【００２０】同様に、図１に示すように、可動ゲート電
極部９の下方でのシリコン基板１の表面には、ソース・
ドレイン電極２９，３０が形成されている。この電極２
９，３０は、Ｐ型シリコン基板１にイオン注入等により
Ｎ型不純物を導入することによって形成され、絶縁膜
（ゲート絶縁膜）２を介して可動ゲート電極部９が離間
して配置され、エアギャップ式トランジスタを構成して
いる。この可動ゲート電極部９に電圧を印加することで
ソース・ドレイン電極２９，３０間に反転層（図示略）
が形成される。

【００２１】梁部４，５，６，７と重り部８と励振用可
動電極部１１，１２，１３，１４とに対向するＰ型シリ
コン基板１には、下部電極３１が形成され、この下部電
極３１はイオン注入等によりＮ型不純物を導入すること
によって形成したものである。下部電極３１は可動部３
（重り部８）と同電位にされ、可動部３が静電気力で基
板方向に変位して基板と接触するのを防いでいる。

【００２２】可動ゲート電極部９，１０は、重り部８と
梁部４〜７とアンカー部１５〜１８と図示しない配線と
を経由して外部回路に接続され、下部電極３１も図示し
ない配線を介して外部回路に接続されている。

【００２３】さらに、励振用固定電極１９〜２２は外部
回路に配線を介して接続され、所定の周波数の電圧信号
が供給される。ただし、励振用固定電極１９と２０の組
と、励振用固定電極２１と２２の組では、電圧信号の位
相が逆相となっている（１８０度位相がズレている）。

【００２４】さらに、ソース・ドレイン電極２７〜３０
は配線を通して電流検出回路（図示略）に接続されてい
る。又、可動部３（ポリシリコン薄膜）の表面には保護
膜３３，３３ｂが形成されている。より詳しくは、可動
部３（ポリシリコン薄膜）の下面が保護膜３３ａにて覆
われ、上面および側面が保護膜３３ｂにて覆われてい
る。この保護膜３３ａ，３３ｂとゲート絶縁膜２とによ
りトランジスタの動作を安定化させている。その詳細に
ついては後述する。

【００２５】この可動部３は、その下に配置した犠牲層
をエッチングすることにより、基板の上方に所定の間隔
を隔てて配置されたものである。このエッチングに際し
ては、可動部３の表面の保護膜３３ａ，３３ｂと絶縁膜
２とがエッチングされず、犠牲層のみがエッチングされ
るエッチング液が使用される。本実施例では、犠牲層と
してシリコン酸化膜が、保護膜３３ａ，３３ｂとしてシ
リコン窒化膜が、エッチング液としてＨＦ系のエッチン
グ液が用いられる。

【００２６】次に、このように構成したヨーレートセン
サの動作を説明する。可動ゲート電極９，１０に対しシ
リコン基板１との間に電圧を印加すると、ソース・ドレ
イン電極２７，２８との間およびソース・ドレイン電極
２９，３０との間に反転層（３２）が形成され電流が流
れる。

【００２７】一方、励振用固定電極１９，２０と励振用
可動電極部１１，１２との間、及び励振用固定電極２
１，２２と励振用可動電極部１３，１４との間に、ある
周波数の励振用電圧を１８０度位相をズラして印加し
て、励振用可動電極１１〜１４に静電気力を生じさせ
る。その結果、斥力と引力が生じ、可動部３（重り部
８）がシリコン基板１の表面と水平な方向（図１中のＸ
方向）に振動する。

【００２８】この際、ヨーレートによって発生するコリ
オリ力は、この振動の速度に比例するものであり、振動
速度を大きくとるために周波数は振幅の大きくなる共振
点に選ぶことが好ましい。

【００２９】このように振動（励振）している重り部８
に対して、シリコン基板１の表面に水平で図１中にωで
示した軸をもったヨーレートが発生すると、振動速度並
びに振動体の質量に比例したコリオリ力が発生し、重り
部８がシリコン基板１の表面に垂直な方向に変位し、こ
れと同時に可動ゲート電極部９，１０も変位し、可動ゲ
ート電極部９，１０とシリコン基板１との間隔（エアギ
ャップ）が変化する。可動ゲート電極部９，１０が変位
することにより、反転層３２に加わる電界強度が変化し
反転層３２のキャリア濃度が変化して、ソース・ドレイ
ン電極２７，２８間および２９，３０間の電流（ドレイ
ン電流）が変化する。

【００３０】この電流変化によってヨーレートが検出さ
れる。次に、本ヨーレートセンサの製造方法を、図５〜
９を用いて説明する。図５〜９は、図１中のＢ−Ｂ断面
での図である。

【００３１】図５に示すように、Ｐ型シリコン基板１を
用意し、Ｐ型シリコン基板１の上に絶縁膜２、即ち、シ
リコン窒化膜とシリコン酸化膜とを交互に積層した複合
体（積層体）を形成する。そして、図６に示すように、
イオン注入等により不純物を導入して、下部電極３１、
およびソース・ドレイン電極２７，２８，２９，３０を
形成する。

【００３２】この後、図７に示すように、絶縁膜２上に
ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜よりなる犠牲層３４を
形成するとともに、その上にシリコン窒化膜よりなる保
護膜３３ａを形成する。さらに、エッチング工程を経て
犠牲層３４および保護膜３３ａに対しアンカー部形成箇
所に開口部３５を形成する。

【００３３】引き続き、図８に示すように、保護膜３３
ａ上にＣＶＤ法等により可動部３および励振用固定電極
１９〜２２の形成部材であるポリシリコン薄膜３６を成
膜し、さらに、可動部の形状となるようにパターニング
する。このとき、励振用固定電極も同時にパターニング
される。

【００３４】この後、図９に示すように、ポリシリコン
薄膜３６の露出面、即ち、側面および上面にシリコン窒
化膜よりなる保護膜３３ｂを形成する。次に、シリコン
酸化膜よりなる犠牲層３４をエッチングして、図３に示
すように、シリコン基板１の上にエアギャップを介して
梁構造の可動部３を配置する。

【００３５】この犠牲層エッチングは、ＨＦ系のエッチ
ング液を用いて犠牲層（シリコン酸化膜）３４を除去す
る。より詳しくは、ＨＦ系のエッチング液の中にシリコ
ン基板１を所定時間、浸漬し、その後、エッチング液か
ら取り出す。この時、表面にはエッチング液が付いてい
るので、純水中にシリコン基板１を浸漬してエッチング
液と純水とを置換する。そして、純水を乾燥する。その
際、図３においてＷにて示すように可動部３の下面とシ
リコン基板１の上面との間に純水が液滴として残り、さ
らなる乾燥の際に可動部３がシリコン基板１の表面に引
っ張られようとする。しかし、可動部３の表面は保護膜
３３ａにて覆われ、活性なポリシリコンの表面が露出し
ておらず、即ち、シリコンのダングリングボンドが露出
していないので、乾燥の過程で可動部３（梁部４〜７、
重り部８等）がシリコン基板１に固着することが防止さ
れる。つまり、図１７に示すように、可動部３９の表
面、つまり、ポリシリコンが露出していると、表面が活
性となり、液滴の表面張力により基板３８に引っ張られ
固着してしまう。これに対し、保護膜３３ａの存在によ
りポリシリコンの表面がマスクされており液滴の表面張
力は弱いものとなり乾燥の過程で可動部３（梁部４〜
７、重り部８等）がシリコン基板１に固着することが防
止される。

【００３６】又、以上のように励振用可動電極部１１〜
１４および励振用固定電極１９〜２２の表面が保護膜３
３ａ，３３ｂにて覆われているので、自然酸化膜が成長
することが無く、図２及び図４に示す間隔（エアギャッ
プ）Ｌ３及びＬ４を一定に保つことができる。つまり、
図２のように可動ゲート電極１０とソース・ドレイン電
極２７，２８で構成されるエアギャップ式トランジスタ
において、間隔Ｌ４とゲート絶縁膜２をトランジスタの
ゲート絶縁膜と考えると、可動ゲート電極部（ポリシリ
コン）１０の表面が露出していると、自然酸化膜が成長
するためにトランジスタのゲート容量が変化し特性がず
れてしまうことが考えられるが、保護膜３３ａ，３３ｂ
によりポリシリコンに自然酸化膜が成長することによる
センサ特性の経時的変化が回避される。

【００３７】さらに、図１６に示す従来構造（図１０の
Ｅ−Ｅ断面）においては、可動部（ポリシリコン）３９
の表面が露出していると、自然酸化膜が成長して可動電
極部４９と固定電極５０との間の距離が変化してしまい
容量値が変化し特性がズレてしまうことがあるが、保護
膜３３ａ，３３ｂによりポリシリコンに自然酸化膜が成
長することによるセンサ特性の経時的変化が回避され
る。

【００３８】さらに、何らかの理由により（例えば、過
大な加速度が加わり）、励振用可動電極部１１〜１４と
励振用固定電極１９〜２２が接触すべく両者が接近して
も、この保護膜３３ａ，３３ｂが絶縁膜として働くため
短絡することを防止する。つまり、図１２により説明し
た短絡を未然に防止することができる。

【００３９】このように本実施例によれば、シリコン基
板１の上にシリコン酸化膜よりなる犠牲層３４を形成す
るとともに、その上の可動部形成領域にシリコン窒化膜
よりなる保護膜３３ａを形成し（第１工程）、可動部形
成領域での保護膜３３ａの上にポリシリコン薄膜３６
（可動部形成用薄膜）を形成するとともにポリシリコン
薄膜３６の露出面をシリコン窒化膜よりなる保護膜３３
ｂで覆い（第２工程）、保護膜３３ａ，３３ｂを除去す
ることなく犠牲層３４のみを選択的に除去可能なＨＦ系
エッチング液を用いて、ポリシリコン薄膜３６の下の犠
牲層３４をエッチング除去した（第３工程）。その結
果、可動部３の表面が保護膜３３ａ，３３ｂにて被覆さ
れ、可動部３が対向する電極１９〜２２と接触して短絡
するといった各種の不具合を解消することができる。

【００４０】本発明の他の態様として、上記実施例では
可動部（ポリシリコン薄膜）３の上面と下面と側面とに
保護膜３３ａ，３３ｂを配置したが、上面に保護膜が無
くてもよい。又、可動部（ポリシリコン薄膜）３の全て
の領域に保護膜を配置したが、可動ゲート電極部９，１
０と重り部８にのみ保護膜を配置してもよい。要は、可
動部３における必要箇所（必要な面、必要な領域）に配
置されていればよい。

【００４１】又、上記実施例においてはヨーレートセン
サについて述べたが、加速度や振動等の力学量を検出す
るセンサに利用できる。又、静電気力を利用したセンサ
（サーボ機構を有するセンサ）等にも利用できる。

【００４２】又、可動部３は、ポリシリコン薄膜の他に
も、例えばタングステン等の耐熱金属にて構成してもよ
い。

【００４３】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、何らか
の理由により可動部と他の部材（例えば、対向して配置
された電極）とが接触しようとする際の不具合等を解消
することができる優れた効果を発揮する。

【００４４】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の半導体力学量センサを容易に製造することがで
きる。請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載
の発明の効果に加え、ＨＦ系エッチング液等を用いて容
易に選択的エッチングを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のヨーレートセンサを示す平面図。

【図２】図１のＡ−Ａ断面図。

【図３】図１のＢ−Ｂ断面図。

【図４】図１のＣ−Ｃ断面図。

【図５】ヨーレートセンサの製造工程を示す断面図。

【図６】ヨーレートセンサの製造工程を示す断面図。

【図７】ヨーレートセンサの製造工程を示す断面図。

【図８】ヨーレートセンサの製造工程を示す断面図。

【図９】ヨーレートセンサの製造工程を示す断面図。

【図１０】従来の加速度センサの全体を示す平面図。

【図１１】図１０のＤ−Ｄ断面図。

【図１２】図１０のＥ−Ｅ断面図。

【図１３】従来の加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１４】従来の加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１５】従来の加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１６】従来の加速度センサを示す断面図。

【図１７】従来の加速度センサを示す断面図。

【符号の説明】

１…半導体基板としてのシリコン基板、３…可動部、３
３ａ，３３ｂ…シリコン窒化膜よりなる保護膜、３４…
シリコン酸化膜よりなる犠牲層、３６…ポリシリコン薄
膜（可動部形成用薄膜）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置され、力
   学量の作用に伴う変位に基づいて力学量を検出するため
   の薄膜よりなる梁構造の可動部と、 前記可動部の表面を被覆する保護膜とを備えたことを特
   徴とする半導体力学量センサ。
2. 【請求項２】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置され、力
   学量の作用に伴う変位に基づいて力学量を検出するため
   の薄膜よりなる梁構造の可動部とを備え、力学量の作用
   に伴う前記可動部の変位に基づいて力学量を検出するよ
   うにした半導体力学量センサの製造方法であって、 半導体基板の上に犠牲層を形成するとともに、その上の
   可動部形成領域に保護膜を形成する第１工程と、 可動部形成領域での前記保護膜の上に可動部形成用薄膜
   を形成するとともに可動部形成用薄膜の露出面を保護膜
   で覆う第２工程と、 前記保護膜を除去することなく前記犠牲層のみを選択的
   に除去可能なエッチング液を用いて、前記可動部形成用
   薄膜の下の犠牲層をエッチング除去する第３工程とを備
   えたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
3. 【請求項３】 前記犠牲層はシリコン酸化膜であり、前
   記保護膜はシリコン窒化膜である請求項２に記載の半導
   体力学量センサの製造方法。