JPH09179288A - 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH09179288A JPH09179288A JP34132295A JP34132295A JPH09179288A JP H09179288 A JPH09179288 A JP H09179288A JP 34132295 A JP34132295 A JP 34132295A JP 34132295 A JP34132295 A JP 34132295A JP H09179288 A JPH09179288 A JP H09179288A
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- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光半透過膜たるモリブデンシリサイド膜を透
明基板上に反応性スパッタリング法で成膜する際、混合
ガス雰囲気の成分ガス流量によってＭｏＳｉ膜の透過率
および膜厚を容易に制御できるようにする。 【解決手段】 ハーフトーン形位相シフトマスクブラン
クの光半透過膜を、酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる薄膜で構成する。この薄膜
を製造するに際し、モリブデンと珪素の混合ターゲット
を用いた反応性スパッタリング法によって透明基板上に
成膜する。このとき雰囲気ガスとしてアルゴンガスと亜
酸化窒素の混合ガスを流し、その亜酸化窒素ガスの流量
を２５ｓｃｃｍ以下の範囲に抑えて、その流量を調整す
ることにより透過率、膜厚を制御する。
明基板上に反応性スパッタリング法で成膜する際、混合
ガス雰囲気の成分ガス流量によってＭｏＳｉ膜の透過率
および膜厚を容易に制御できるようにする。 【解決手段】 ハーフトーン形位相シフトマスクブラン
クの光半透過膜を、酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる薄膜で構成する。この薄膜
を製造するに際し、モリブデンと珪素の混合ターゲット
を用いた反応性スパッタリング法によって透明基板上に
成膜する。このとき雰囲気ガスとしてアルゴンガスと亜
酸化窒素の混合ガスを流し、その亜酸化窒素ガスの流量
を２５ｓｃｃｍ以下の範囲に抑えて、その流量を調整す
ることにより透過率、膜厚を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクを通過する
露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの
解像度を向上できるようにした位相シフトマスクブラン
クの製造方法及びそれから作られる位相シフトマスの製
造方法に関し、特に、いわゆるハーフトーン形の位相シ
フトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの
製造方法に関する。
露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの
解像度を向上できるようにした位相シフトマスクブラン
クの製造方法及びそれから作られる位相シフトマスの製
造方法に関し、特に、いわゆるハーフトーン形の位相シ
フトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＬＳＩ等の製造においては、微細
パターン転写のマスクたるフォトマスクの１つとして位
相シフトマスクが用いられている。この位相シフトマス
クは、マスクを通過する露光光間に位相差を与えること
により、転写パターンの解像度を向上できるようにした
ものである。この位相シフトマスクの一つに、いわゆる
ハーフトーン形位相シフトマスクと称されているものが
知られており、光半透過部が露光光を実質的に遮断する
遮光機能と光の位相を反転させる位相シフト機能との両
方の機能を兼ね備えるものである。
パターン転写のマスクたるフォトマスクの１つとして位
相シフトマスクが用いられている。この位相シフトマス
クは、マスクを通過する露光光間に位相差を与えること
により、転写パターンの解像度を向上できるようにした
ものである。この位相シフトマスクの一つに、いわゆる
ハーフトーン形位相シフトマスクと称されているものが
知られており、光半透過部が露光光を実質的に遮断する
遮光機能と光の位相を反転させる位相シフト機能との両
方の機能を兼ね備えるものである。
【０００３】このハーフトーン形位相シフトマスクは、
透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光
に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露
光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構
成し、かつ、この光半透過部を通過した光の位相に対し
て実質的に反転する関係になるようにすることにより、
前記光透過部と光半透過部との境界近傍を通過した光が
互いに打ち消し合うようにして境界部のコントラストを
良好に保持できるようにしたものである。
透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光
に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露
光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構
成し、かつ、この光半透過部を通過した光の位相に対し
て実質的に反転する関係になるようにすることにより、
前記光透過部と光半透過部との境界近傍を通過した光が
互いに打ち消し合うようにして境界部のコントラストを
良好に保持できるようにしたものである。
【０００４】ハーフトーン形位相シフトマスクは、光半
透過部が、光透過率及び位相シフト性能の双方について
要求される最適な機能を有している必要があり、従来、
この最適な値を有する光半透過部を実現できる位相シフ
トマスクとして、特開平６−３３２１５２号公報に記載
されたものが提案されている。これは光半透過部を、酸
素、金属及び珪素を主たる構成要素とする物質からなる
薄膜、あるいは構成要素に窒素も含めた薄膜で構成した
ものである。
透過部が、光透過率及び位相シフト性能の双方について
要求される最適な機能を有している必要があり、従来、
この最適な値を有する光半透過部を実現できる位相シフ
トマスクとして、特開平６−３３２１５２号公報に記載
されたものが提案されている。これは光半透過部を、酸
素、金属及び珪素を主たる構成要素とする物質からなる
薄膜、あるいは構成要素に窒素も含めた薄膜で構成した
ものである。
【０００５】これによれば、酸素（Ｏ2 ）含有量又は、
酸素と窒素（Ｎ2 ）の含有量を選定することにより透過
率を制御することができ、また、薄膜の厚さで位相シフ
ト量を制御できる。また、光半透過部を、このような物
質の薄膜で構成することにより、一種類の材料からなる
単層の膜で構成することができ、異なる材料からなる多
層膜で構成する場合に比較し、成膜行程の簡略化及び単
一のエッチング媒質を用いることができ、製造工程を単
純化できる。
酸素と窒素（Ｎ2 ）の含有量を選定することにより透過
率を制御することができ、また、薄膜の厚さで位相シフ
ト量を制御できる。また、光半透過部を、このような物
質の薄膜で構成することにより、一種類の材料からなる
単層の膜で構成することができ、異なる材料からなる多
層膜で構成する場合に比較し、成膜行程の簡略化及び単
一のエッチング媒質を用いることができ、製造工程を単
純化できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように位相シ
フトマスクの光半透過部には、一方で所定の光透過率
が、他方で所定の位相シフト量が要求される。
フトマスクの光半透過部には、一方で所定の光透過率
が、他方で所定の位相シフト量が要求される。
【０００７】このうち光半透過部を構成する光半透過膜
の露光光に対する光透過率は、一般的には２〜２０％が
望ましいとされている。この範囲内で所定の光透過率を
制御するには、光半透過膜を酸素、珪素、金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜、またはさらに構成要素
に窒素も含む膜で形成する場合、図９に示すように、膜
中の酸素（Ｏ2 ）含有量または窒素（Ｎ2 ）含有量を選
定してやる必要がある。膜中のＯ2 含有量またはＮ2 含
有量を選定するには、光半透過膜の成膜工程に委ねる必
要がある。
の露光光に対する光透過率は、一般的には２〜２０％が
望ましいとされている。この範囲内で所定の光透過率を
制御するには、光半透過膜を酸素、珪素、金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜、またはさらに構成要素
に窒素も含む膜で形成する場合、図９に示すように、膜
中の酸素（Ｏ2 ）含有量または窒素（Ｎ2 ）含有量を選
定してやる必要がある。膜中のＯ2 含有量またはＮ2 含
有量を選定するには、光半透過膜の成膜工程に委ねる必
要がある。
【０００８】酸素、珪素、金属を主たる構成要素とする
物質からなる光半透過膜、またはさらに構成要素に窒素
も含む光半透過膜は、次のように成膜される。酸素、珪
素、金属を主たる構成要素とする物質からなる膜の場合
は、モリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）との混合ターゲ
ット（Ｍｏ：Ｓｉ比率＝１：２ｍｏｌ％）を用い、アル
ゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2 ）との混合ガス雰囲気（Ａ
ｒ：８０〜９０％、Ｏ2：１０〜２０％、圧力：１．５
×１０-3torr）で、反応性スパッタリング法により、透
明基板上に所定膜厚を形成することにより行う。また、
さらに構成要素に窒素も含む膜の場合は、ＭｏとＳｉと
の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用
い、Ａｒと亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）との混合ガス雰囲気
（Ａｒ：７２〜８４％、Ｎ2 Ｏ：１６〜２８％、圧力：
１．５×１０-3torr）で、反応性スパッタリング法によ
り、透明基板上に所定膜厚を形成することにより行う。
この場合、Ｎ2 Ｏの代わりに一酸化窒素（ＮＯ）ガスを
用いてもよい。このようにＭｏＳｉを材料として光半透
過膜を形成する場合には、成膜室に不活性ガスと活性ガ
スとからなるガス流量にたよる部分が大きい。
物質からなる光半透過膜、またはさらに構成要素に窒素
も含む光半透過膜は、次のように成膜される。酸素、珪
素、金属を主たる構成要素とする物質からなる膜の場合
は、モリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）との混合ターゲ
ット（Ｍｏ：Ｓｉ比率＝１：２ｍｏｌ％）を用い、アル
ゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2 ）との混合ガス雰囲気（Ａ
ｒ：８０〜９０％、Ｏ2：１０〜２０％、圧力：１．５
×１０-3torr）で、反応性スパッタリング法により、透
明基板上に所定膜厚を形成することにより行う。また、
さらに構成要素に窒素も含む膜の場合は、ＭｏとＳｉと
の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用
い、Ａｒと亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）との混合ガス雰囲気
（Ａｒ：７２〜８４％、Ｎ2 Ｏ：１６〜２８％、圧力：
１．５×１０-3torr）で、反応性スパッタリング法によ
り、透明基板上に所定膜厚を形成することにより行う。
この場合、Ｎ2 Ｏの代わりに一酸化窒素（ＮＯ）ガスを
用いてもよい。このようにＭｏＳｉを材料として光半透
過膜を形成する場合には、成膜室に不活性ガスと活性ガ
スとからなるガス流量にたよる部分が大きい。
【０００９】したがって、膜中のＯ2 含有量またはＮ2
含有量を選定するには、混合ガスのうち特に活性ガス流
量を制御してやる必要があり、その制御が容易であるこ
とが好ましい。しかし、膜中のＯ2 またはＮ2 含有量
と、Ｏ2 またはＮ2 ガス流量とは必ずしも相関がとれる
ものではなく、この点で、従来のものは、活性ガスのガ
ス流量に対する透過率特性について検討が十分ではなか
った。
含有量を選定するには、混合ガスのうち特に活性ガス流
量を制御してやる必要があり、その制御が容易であるこ
とが好ましい。しかし、膜中のＯ2 またはＮ2 含有量
と、Ｏ2 またはＮ2 ガス流量とは必ずしも相関がとれる
ものではなく、この点で、従来のものは、活性ガスのガ
ス流量に対する透過率特性について検討が十分ではなか
った。
【００１０】また、位相シフトマスクを製造する場合、
透明基板上に光半透過膜を形成して位相シフトマスクブ
ランクを製造し、その光半透過膜を露光、現像、エッチ
ング等を施し、位相シフトマスクを製造する全工程を連
続して行なうため、光半透過膜の成膜も連続で行うこと
が好ましい。しかし、従来のものは、前工程から一定の
搬送速度で送られてくる透明基板を成膜室で一旦停止さ
せ、成膜する必要が生じたため、位相シフトマスクブラ
ンク、ひいては位相シフトマスクの連続生産ができなか
った。
透明基板上に光半透過膜を形成して位相シフトマスクブ
ランクを製造し、その光半透過膜を露光、現像、エッチ
ング等を施し、位相シフトマスクを製造する全工程を連
続して行なうため、光半透過膜の成膜も連続で行うこと
が好ましい。しかし、従来のものは、前工程から一定の
搬送速度で送られてくる透明基板を成膜室で一旦停止さ
せ、成膜する必要が生じたため、位相シフトマスクブラ
ンク、ひいては位相シフトマスクの連続生産ができなか
った。
【００１１】本発明は、上述の問題点を解決するために
なされたものであり、その目的は、光半透過膜を製造す
るに際して、光半透過膜たる酸素、窒素、珪素及び金属
を主たる構成要素とする物質からなる膜の透過率及び膜
厚制御が容易であり、かつ成膜をインライン（通過型）
による連続生産を実現できる位相シフトマスクブランク
の製造方法及び位相シフトマスクの製造方法を提供する
ことにある。
なされたものであり、その目的は、光半透過膜を製造す
るに際して、光半透過膜たる酸素、窒素、珪素及び金属
を主たる構成要素とする物質からなる膜の透過率及び膜
厚制御が容易であり、かつ成膜をインライン（通過型）
による連続生産を実現できる位相シフトマスクブランク
の製造方法及び位相シフトマスクの製造方法を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明にかかる位相シフトマスクブランクの製造
方法は、 （構成１） 実質的に露光に寄与しない強度の光を透過
させる光半透過膜を酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜で構成し、この膜を成膜
室で金属と珪素の混合ターゲットを用いた反応性スパッ
タリング法により透明基板上に成膜する位相シフトマス
クブランクの製造方法において、前記成膜室に不活性ガ
スと亜酸化窒素の混合ガスを流し、該混合ガスのうちの
亜酸化窒素ガスの流量を、前記酸素、窒素、珪素及び金
属を主たる構成要素とする物質からなる膜の露光光に対
する光透過率が所定範囲となるような流量に制御したも
のである。ここに、光透過率の所定範囲は好ましくは２
％〜４０％、より好ましくは３％〜３０％である。
めに、本発明にかかる位相シフトマスクブランクの製造
方法は、 （構成１） 実質的に露光に寄与しない強度の光を透過
させる光半透過膜を酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜で構成し、この膜を成膜
室で金属と珪素の混合ターゲットを用いた反応性スパッ
タリング法により透明基板上に成膜する位相シフトマス
クブランクの製造方法において、前記成膜室に不活性ガ
スと亜酸化窒素の混合ガスを流し、該混合ガスのうちの
亜酸化窒素ガスの流量を、前記酸素、窒素、珪素及び金
属を主たる構成要素とする物質からなる膜の露光光に対
する光透過率が所定範囲となるような流量に制御したも
のである。ここに、光透過率の所定範囲は好ましくは２
％〜４０％、より好ましくは３％〜３０％である。
【００１３】このように反応性スパッタリング法に用い
る雰囲気ガスを不活性ガスと亜酸化窒素の混合ガスにす
ると、他の混合ガスを用いた場合に比較し、光半透過膜
に要求される透過率の範囲での混合ガス雰囲気に対する
相関がよい。
る雰囲気ガスを不活性ガスと亜酸化窒素の混合ガスにす
ると、他の混合ガスを用いた場合に比較し、光半透過膜
に要求される透過率の範囲での混合ガス雰囲気に対する
相関がよい。
【００１４】また、混合ガスのうち亜酸化窒素ガス流量
を調整すれば、透明基板上に成膜される酸素、窒素、珪
素及び金属を主たる構成要素とする物質からなる膜の露
光光に対する透過率を容易に制御でき、所定の透過率を
得ることができる。
を調整すれば、透明基板上に成膜される酸素、窒素、珪
素及び金属を主たる構成要素とする物質からなる膜の露
光光に対する透過率を容易に制御でき、所定の透過率を
得ることができる。
【００１５】また、本発明にかかる位相シフトマスクブ
ランクの製造方法は、 （構成２） 実質的に露光に寄与しない強度の光を透過
させる光半透過膜を酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜で構成し、この膜を成膜
室で金属と珪素の混合ターゲットを用いた反応性スパッ
タリング法により透明基板上に成膜する位相シフトマス
クブランクの製造方法において、前記成膜室に不活性ガ
スと亜酸化窒素の混合ガスを流し、該混合ガスのうち亜
酸化窒素ガスの流量を２５ｓｃｃｍ以下に抑えたもので
ある。
ランクの製造方法は、 （構成２） 実質的に露光に寄与しない強度の光を透過
させる光半透過膜を酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜で構成し、この膜を成膜
室で金属と珪素の混合ターゲットを用いた反応性スパッ
タリング法により透明基板上に成膜する位相シフトマス
クブランクの製造方法において、前記成膜室に不活性ガ
スと亜酸化窒素の混合ガスを流し、該混合ガスのうち亜
酸化窒素ガスの流量を２５ｓｃｃｍ以下に抑えたもので
ある。
【００１６】混合ガスのうち亜酸化窒素ガス流量を２５
ｓｃｃｍ以下に抑えれば、透明基板上に成膜される酸
素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素とする物質か
らなる膜の露光光に対する透過率を容易に制御でき、所
定の透過率を得ることができる。この場合、亜酸化窒素
ガス流量が２５ｓｃｃｍを超えると、ターゲット表面上
（特に非エロージョン部）に酸化物が堆積し放電が不安
定となり、また、透過率の変化量が大きくなりすぎ制御
性が悪くなることから２５ｓｃｃｍ以下の範囲で流量調
整するとよい。
ｓｃｃｍ以下に抑えれば、透明基板上に成膜される酸
素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素とする物質か
らなる膜の露光光に対する透過率を容易に制御でき、所
定の透過率を得ることができる。この場合、亜酸化窒素
ガス流量が２５ｓｃｃｍを超えると、ターゲット表面上
（特に非エロージョン部）に酸化物が堆積し放電が不安
定となり、また、透過率の変化量が大きくなりすぎ制御
性が悪くなることから２５ｓｃｃｍ以下の範囲で流量調
整するとよい。
【００１７】また、本発明にかかる位相シフトマスクブ
ランクの製造方法は、 （構成３） 実質的に露光に寄与しない強度の光を透過
させる光半透過膜を酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜で構成し、この膜を金属
と珪素の混合ターゲットを用いた反応性スパッタリング
法により透明基板上に成膜する成膜室を備え、成膜室を
不活性ガスと亜酸化窒素の混合ガス雰囲気とし、この混
合ガスのうち亜酸化窒素のガス流量を２５ｓｃｃｍ以下
とし、前記透明基板をターゲット上に通過しながら成膜
していくことにより、最終的に所定の酸素、窒素、珪素
及び金属を主たる構成要素とする物質からなる膜を透明
基板上に成膜するようにしたものである。
ランクの製造方法は、 （構成３） 実質的に露光に寄与しない強度の光を透過
させる光半透過膜を酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜で構成し、この膜を金属
と珪素の混合ターゲットを用いた反応性スパッタリング
法により透明基板上に成膜する成膜室を備え、成膜室を
不活性ガスと亜酸化窒素の混合ガス雰囲気とし、この混
合ガスのうち亜酸化窒素のガス流量を２５ｓｃｃｍ以下
とし、前記透明基板をターゲット上に通過しながら成膜
していくことにより、最終的に所定の酸素、窒素、珪素
及び金属を主たる構成要素とする物質からなる膜を透明
基板上に成膜するようにしたものである。
【００１８】このように透明基板を搬送しながら成膜さ
せるので、透明基板を移送しながら処理していく一連の
位相シフトマスクブランク製造工程中に成膜工程も導入
することができる。
せるので、透明基板を移送しながら処理していく一連の
位相シフトマスクブランク製造工程中に成膜工程も導入
することができる。
【００１９】また、構成１ないし構成３の態様は、 （構成４） 構成１または３の位相シフトマスクブラン
クの製造方法において、前記酸素、窒素、珪素及び金属
を主たる構成要素とする物質からなる膜および前記混合
ターゲットの構成要素たる金属がモリブデンであること
を特徴としたものであり、これによれば構成１または２
の特徴を最もよく出すことができる。
クの製造方法において、前記酸素、窒素、珪素及び金属
を主たる構成要素とする物質からなる膜および前記混合
ターゲットの構成要素たる金属がモリブデンであること
を特徴としたものであり、これによれば構成１または２
の特徴を最もよく出すことができる。
【００２０】また、構成１ないし構成４のいずれかの態
様は、 （構成５） 構成１ないし４のいずれかに記載の位相シ
フトマスクブランクの製造方法において、前記不活性ガ
スがアルゴンであることを特徴とする。
様は、 （構成５） 構成１ないし４のいずれかに記載の位相シ
フトマスクブランクの製造方法において、前記不活性ガ
スがアルゴンであることを特徴とする。
【００２１】また、本発明にかかる位相シフトマスク
は、 （構成６） 構成１ないし５のいずれかに記載の位相シ
フトマスクブランクの製造方法により位相シフトマスク
ブランクを製造し、この位相シフトマスクブランクの光
半透過膜を選択的にパターン処理を施して、光半透過部
の一部を除去し、光半透過部と、実質的に露光に寄与す
る強度の光を通過させる光透過部とからなるパターンを
形成するようにしたことを特徴としたものであり、これ
によれば、所定の透過率を有する光半透過部を持つ位相
シフトマスクを容易に得ることができる。
は、 （構成６） 構成１ないし５のいずれかに記載の位相シ
フトマスクブランクの製造方法により位相シフトマスク
ブランクを製造し、この位相シフトマスクブランクの光
半透過膜を選択的にパターン処理を施して、光半透過部
の一部を除去し、光半透過部と、実質的に露光に寄与す
る強度の光を通過させる光透過部とからなるパターンを
形成するようにしたことを特徴としたものであり、これ
によれば、所定の透過率を有する光半透過部を持つ位相
シフトマスクを容易に得ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図７は本発明の実施例にかかる位
相シフトマスクブランクを示す部分断面図、図８は図７
の位相シフトマスクブランクから製造される位相シフト
マスクを示す部分断面図である。
相シフトマスクブランクを示す部分断面図、図８は図７
の位相シフトマスクブランクから製造される位相シフト
マスクを示す部分断面図である。
【００２３】以下、本実施例にかかる位相シフトマスク
ブランク及び位相シフトマスクを詳細に説明する。
ブランク及び位相シフトマスクを詳細に説明する。
【００２４】図８において、符号１は透明基板、符号２
はこの透明基板１の上に形成された光半透過部、符号４
は光透過部である。透明基板１は、主表面（表裏の面）
を鏡面研磨した石英ガラス基板（寸法；縦５インチ、横
５インチ、厚さ０．０９インチ）である。
はこの透明基板１の上に形成された光半透過部、符号４
は光透過部である。透明基板１は、主表面（表裏の面）
を鏡面研磨した石英ガラス基板（寸法；縦５インチ、横
５インチ、厚さ０．０９インチ）である。
【００２５】ここに光半透過部２は、酸素、珪素及び金
属を主たる構成要素とする物質からなる薄膜、または構
成要素に窒素も含む薄膜で構成されている。具体的に
は、金属シリサイド及び酸化物、またはこれに窒化物、
窒化酸化物を加えた物質から構成されている。より具体
的には、酸素と珪素の化合物、モリブデンと酸素の化合
物、モリブデンと珪素からなる金属シリサイド、モリブ
デンの単体、またはこれに珪素と窒素の化合物、珪素と
酸化窒素の化合物を加えた物質から構成されている。
属を主たる構成要素とする物質からなる薄膜、または構
成要素に窒素も含む薄膜で構成されている。具体的に
は、金属シリサイド及び酸化物、またはこれに窒化物、
窒化酸化物を加えた物質から構成されている。より具体
的には、酸素と珪素の化合物、モリブデンと酸素の化合
物、モリブデンと珪素からなる金属シリサイド、モリブ
デンの単体、またはこれに珪素と窒素の化合物、珪素と
酸化窒素の化合物を加えた物質から構成されている。
【００２６】この光半透過部２の露光光に対する光透過
率は、一般的には２〜２０％であることが望ましいこと
は前述した通りであり、この範囲内で透過率を制御する
には、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ膜を透明
基板上に成膜するに際し、Ａｒガス中に加える活性ガス
をＯ2 、Ｎ2 Ｏ、またはＮＯガス等の中から選択し、そ
の活性ガスの流量を選定すればよい。しかし、所望する
範囲内での透過率を制御するためには、上述した不活性
ガス流量に対する透過率特性等が不明瞭であった。
率は、一般的には２〜２０％であることが望ましいこと
は前述した通りであり、この範囲内で透過率を制御する
には、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ膜を透明
基板上に成膜するに際し、Ａｒガス中に加える活性ガス
をＯ2 、Ｎ2 Ｏ、またはＮＯガス等の中から選択し、そ
の活性ガスの流量を選定すればよい。しかし、所望する
範囲内での透過率を制御するためには、上述した不活性
ガス流量に対する透過率特性等が不明瞭であった。
【００２７】そこで、本実施例では、それを確認すべく
次のような実験を行なった。図１は〜図３は、それぞれ
Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯのガス流量を変化させたときの露光
光に対する透過率がどのように変化するかを調べたもの
である。このときの成膜条件は、ＭｏＳｉ混合ターゲッ
ト（Ｍｏ：Ｓｉ比率＝１：２ｍｏｌ％）を用い、Ａｒガ
ス流量は６０ｓｃｃｍ、混合ガス雰囲気の圧力は１．３
〜１．６×１０-3torrである。透過率を規定する露光波
長には３種類用いた。図中の黒四角は水銀ランプのｉ線
（波長λ＝３６５ｎｍ）、黒三角はｇ線（λ＝４３６ｎ
ｍ）、黒丸はＫｒＦエキシマレーザー（λ＝２４８ｎ
ｍ）である。また、横軸はガス流量（ｓｃｃｍ）、縦軸
は各露光光に対する透過率（％）を表す。
次のような実験を行なった。図１は〜図３は、それぞれ
Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯのガス流量を変化させたときの露光
光に対する透過率がどのように変化するかを調べたもの
である。このときの成膜条件は、ＭｏＳｉ混合ターゲッ
ト（Ｍｏ：Ｓｉ比率＝１：２ｍｏｌ％）を用い、Ａｒガ
ス流量は６０ｓｃｃｍ、混合ガス雰囲気の圧力は１．３
〜１．６×１０-3torrである。透過率を規定する露光波
長には３種類用いた。図中の黒四角は水銀ランプのｉ線
（波長λ＝３６５ｎｍ）、黒三角はｇ線（λ＝４３６ｎ
ｍ）、黒丸はＫｒＦエキシマレーザー（λ＝２４８ｎ
ｍ）である。また、横軸はガス流量（ｓｃｃｍ）、縦軸
は各露光光に対する透過率（％）を表す。
【００２８】図において、活性ガスにＯ2 やＮＯを用い
る場合には（図２、図３）、一般的に望ましいとされる
透過率の上限近傍で、ガス流量に対する透過率の制御性
が大幅に悪いことがわかる。この点で、Ｎ2 Ｏを用いた
場合には（図１）、そのようなことはなく、いずれの露
光波長の場合でもなめらかに制御でき、活性ガスとして
Ｎ2 Ｏを用いるときが最も透過率の制御性が良いことが
分かる。さらに、ＭｏＳｉ膜を位相シフトマスクの光半
透過部として使用するとき、透過率は実用的には１〜２
０％であればよいので、Ｎ2 Ｏガス流量を２５ｓｃｃｍ
まで広げても、透過率を前記実用的範囲内で容易に制御
できることが判明した。
る場合には（図２、図３）、一般的に望ましいとされる
透過率の上限近傍で、ガス流量に対する透過率の制御性
が大幅に悪いことがわかる。この点で、Ｎ2 Ｏを用いた
場合には（図１）、そのようなことはなく、いずれの露
光波長の場合でもなめらかに制御でき、活性ガスとして
Ｎ2 Ｏを用いるときが最も透過率の制御性が良いことが
分かる。さらに、ＭｏＳｉ膜を位相シフトマスクの光半
透過部として使用するとき、透過率は実用的には１〜２
０％であればよいので、Ｎ2 Ｏガス流量を２５ｓｃｃｍ
まで広げても、透過率を前記実用的範囲内で容易に制御
できることが判明した。
【００２９】また、光半透過部の位相シフト量φは１８
０°で、実用的には１６０°≦φ≦２００°であればよ
い。この場合にも、混合ガス中の活性ガスのガス流量及
び膜厚を適切に選定すれば、実用的とされる位相シフト
量に相当する膜厚をもつ光半透過膜を得ることができ
る。しかし、所望とする位相シフト量に相当する範囲内
で膜厚を得るのに際して、活性ガス種に対する制御性は
不明瞭であった。
０°で、実用的には１６０°≦φ≦２００°であればよ
い。この場合にも、混合ガス中の活性ガスのガス流量及
び膜厚を適切に選定すれば、実用的とされる位相シフト
量に相当する膜厚をもつ光半透過膜を得ることができ
る。しかし、所望とする位相シフト量に相当する範囲内
で膜厚を得るのに際して、活性ガス種に対する制御性は
不明瞭であった。
【００３０】そこで、膜厚制御性についても前述同様次
のような実験を行なった。図４は、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ
の各ガス流量を変化させたときの膜厚の変化を調べたも
のである。なお、横軸はガス流量（ｓｃｃｍ）、縦軸は
膜厚（オングストローム）を表す。
のような実験を行なった。図４は、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ
の各ガス流量を変化させたときの膜厚の変化を調べたも
のである。なお、横軸はガス流量（ｓｃｃｍ）、縦軸は
膜厚（オングストローム）を表す。
【００３１】図において、活性ガスにＯ2 、ＮＯを用い
た場合には、最初はガス流量の増加により膜厚もリニア
に増加していくが、所定のガス流量を超えると急激にプ
ラズマ中の酸化度が増すため、成膜速度が減少すること
により膜厚が減少するので、膜厚の制御性は必ずしも良
くない。この点で、Ｎ2 Ｏを用いた場合には、わずかに
途中で減少していくものの、その減少はＯ2 、ＮＯと比
較し非常に緩やかであるため、活性ガスとしてＮ2 Ｏを
用いるときも膜厚制御性が良いことが分かる。
た場合には、最初はガス流量の増加により膜厚もリニア
に増加していくが、所定のガス流量を超えると急激にプ
ラズマ中の酸化度が増すため、成膜速度が減少すること
により膜厚が減少するので、膜厚の制御性は必ずしも良
くない。この点で、Ｎ2 Ｏを用いた場合には、わずかに
途中で減少していくものの、その減少はＯ2 、ＮＯと比
較し非常に緩やかであるため、活性ガスとしてＮ2 Ｏを
用いるときも膜厚制御性が良いことが分かる。
【００３２】このようにＮ2 Ｏガスの流量を２５ｓｃｃ
ｍ以下とするＡｒとＮ2 Ｏの混合ガスを流すことによっ
て、透過率および膜厚の制御性が容易な位相シフトマス
クブランクを得ることができる。この位相シフトマスク
ブランクから位相シフトマスクを製造するには、位相シ
フトマスクブランクの光半透過膜上にレジスト膜を形成
し、露光、現像、エッチング、洗浄等の一連の周知のパ
ターン形成処理をして、光半透過膜２ａの一部を除去
し、光透過部４と光半透過部２とでホール系あるいはラ
イン＆スペース等のパターンを形成した位相シフトマス
クを得る。なお、この場合、酸素、珪素及び金属を主た
る構成要素とする物質からなる薄膜、又は、構成要素に
窒素も含む物質からなる薄膜のエッチングは、ドライエ
ッチングによる場合はエッチングガスとして、ＣＦ4 ＋
Ｏ2 混合ガスを用いればよい。
ｍ以下とするＡｒとＮ2 Ｏの混合ガスを流すことによっ
て、透過率および膜厚の制御性が容易な位相シフトマス
クブランクを得ることができる。この位相シフトマスク
ブランクから位相シフトマスクを製造するには、位相シ
フトマスクブランクの光半透過膜上にレジスト膜を形成
し、露光、現像、エッチング、洗浄等の一連の周知のパ
ターン形成処理をして、光半透過膜２ａの一部を除去
し、光透過部４と光半透過部２とでホール系あるいはラ
イン＆スペース等のパターンを形成した位相シフトマス
クを得る。なお、この場合、酸素、珪素及び金属を主た
る構成要素とする物質からなる薄膜、又は、構成要素に
窒素も含む物質からなる薄膜のエッチングは、ドライエ
ッチングによる場合はエッチングガスとして、ＣＦ4 ＋
Ｏ2 混合ガスを用いればよい。
【００３３】この位相シフトマスクは、図８に示される
ように、露光光Ｌ0 が照射された場合、この露光光Ｌ0
は、光半透過部２を通過して図示しない被転写体に達す
る光Ｌ1 と光透過部４を通過して被転写体に達する光Ｌ
2 とに分かれる。この場合、光半透過部２を通過した光
Ｌ1 の強度は、実質的に露光に寄与しない程度の弱い光
である。一方、光透過部４を通過した光Ｌ2 は実質的に
露光に寄与する強い光である。したがって、これによ
り、パターン露光が行われる。その際、回折現象によっ
て光半透過部２と光透過部４との境界部を通過する光が
互いに相手の領域に回り込むが、両者の光の位相がほぼ
反転した関係にあるので、互いに相殺される。これによ
って境界領域での被転写体上における光強度はほぼ０に
なる。したがって、境界が極めて明確になり、解像度が
向上する。
ように、露光光Ｌ0 が照射された場合、この露光光Ｌ0
は、光半透過部２を通過して図示しない被転写体に達す
る光Ｌ1 と光透過部４を通過して被転写体に達する光Ｌ
2 とに分かれる。この場合、光半透過部２を通過した光
Ｌ1 の強度は、実質的に露光に寄与しない程度の弱い光
である。一方、光透過部４を通過した光Ｌ2 は実質的に
露光に寄与する強い光である。したがって、これによ
り、パターン露光が行われる。その際、回折現象によっ
て光半透過部２と光透過部４との境界部を通過する光が
互いに相手の領域に回り込むが、両者の光の位相がほぼ
反転した関係にあるので、互いに相殺される。これによ
って境界領域での被転写体上における光強度はほぼ０に
なる。したがって、境界が極めて明確になり、解像度が
向上する。
【００３４】次に、透過率及び膜厚の制御性について、
上記したように共に良い結果が得られたＮ2 Ｏガスを使
って、次のような光半透過膜たる酸素、窒素、珪素及び
金属を主たる構成要素とする物質からなる膜の成膜をイ
ンラインで行う場合は次の通りである。図５は、位相シ
フトマスクブランクの成膜室である。水平方向に成膜室
１１を備え、カソードにＭｏＳｉターゲット１２を設け
る。ＡｒとＮ2 Ｏとの混合ガス１３は、カソードの右に
設けられた供給口１４から供給され、成膜室の左に配置
された排気口１５から排気される。透明基板の搬送方向
は右方向であり、ターゲット１２上を通過しながら順次
成膜する。
上記したように共に良い結果が得られたＮ2 Ｏガスを使
って、次のような光半透過膜たる酸素、窒素、珪素及び
金属を主たる構成要素とする物質からなる膜の成膜をイ
ンラインで行う場合は次の通りである。図５は、位相シ
フトマスクブランクの成膜室である。水平方向に成膜室
１１を備え、カソードにＭｏＳｉターゲット１２を設け
る。ＡｒとＮ2 Ｏとの混合ガス１３は、カソードの右に
設けられた供給口１４から供給され、成膜室の左に配置
された排気口１５から排気される。透明基板の搬送方向
は右方向であり、ターゲット１２上を通過しながら順次
成膜する。
【００３５】上述したインラインで得られたｉ線用位相
シフトマスクブランクの膜特性（実施例１〜３）を図６
に示す。実施例１〜３のＡｒガス流量は６０ｓｃｃｍで
あり、Ｎ2 Ｏガス流量は次の通りである。
シフトマスクブランクの膜特性（実施例１〜３）を図６
に示す。実施例１〜３のＡｒガス流量は６０ｓｃｃｍで
あり、Ｎ2 Ｏガス流量は次の通りである。
【００３６】実施例１；１１．０ｓｃｃｍ 実施例２；１２．３ｓｃｃｍ 実施例３；１４．５ｓｃｃｍ なお、これらの実施例では、位相差を１８０°に合わし
ている。
ている。
【００３７】本実施例によれば、図５に示すように、一
定の搬送速度で透明基板を処理していく位相シフトマス
クブランクの製造ラインに光半透過膜の成膜工程を組込
んだので、成膜工程を一連のインラインで実現できる。
定の搬送速度で透明基板を処理していく位相シフトマス
クブランクの製造ラインに光半透過膜の成膜工程を組込
んだので、成膜工程を一連のインラインで実現できる。
【００３８】以上述べたように、光半透過膜たるＭｏＳ
ｉ膜を反応性スパッタリング法で形成するに際し、雰囲
気ガスにＡｒガスとＮ2 Ｏの混合ガスを用い、この混合
ガスのうちのＮ2 Ｏガスの流量を２５ｓｃｃｍ以下に抑
えたので、その規定流量以下の範囲でＮ2 Ｏガスの流量
を調整することにより、実用的な範囲（１〜２０％）の
透過率の制御が容易になった。その結果、所望する透過
率をもつＭｏＳｉ膜が容易に得られ、位相シフトマスク
ブランクひいては位相シフトマスクを安定して製造でき
るようになった。
ｉ膜を反応性スパッタリング法で形成するに際し、雰囲
気ガスにＡｒガスとＮ2 Ｏの混合ガスを用い、この混合
ガスのうちのＮ2 Ｏガスの流量を２５ｓｃｃｍ以下に抑
えたので、その規定流量以下の範囲でＮ2 Ｏガスの流量
を調整することにより、実用的な範囲（１〜２０％）の
透過率の制御が容易になった。その結果、所望する透過
率をもつＭｏＳｉ膜が容易に得られ、位相シフトマスク
ブランクひいては位相シフトマスクを安定して製造でき
るようになった。
【００３９】なお、上記実施例では、光半透過部を構成
する物質の構成要素としての金属としてモリブデンを用
いたが、これに限るものではなく、タンタルもしくはタ
ングステン等を用いてもよい。また、Ａｒガスの代り
に、ヘリウム、ネオン、キセノン等の他の不活性ガスを
用いても良い。さらに、インラインとする成膜工程の成
膜室は一段に限らず多段型でも良い。
する物質の構成要素としての金属としてモリブデンを用
いたが、これに限るものではなく、タンタルもしくはタ
ングステン等を用いてもよい。また、Ａｒガスの代り
に、ヘリウム、ネオン、キセノン等の他の不活性ガスを
用いても良い。さらに、インラインとする成膜工程の成
膜室は一段に限らず多段型でも良い。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
反応性スパッタリング法に用いる雰囲気ガスを、透過率
との相関が良い不活性ガスと亜酸化窒素の混合ガスと
し、しかも、その混合ガスのうちの亜酸化窒素のガス流
量を、酸素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素とす
る物質からなる膜の露光光に対する光透過率が所定範囲
となるような流量に制御することで、光半透過膜たる酸
素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素とする物質か
らなる膜の透過率の制御が容易となり、露光波長に対し
ての透過率を容易に得ることができる。
反応性スパッタリング法に用いる雰囲気ガスを、透過率
との相関が良い不活性ガスと亜酸化窒素の混合ガスと
し、しかも、その混合ガスのうちの亜酸化窒素のガス流
量を、酸素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素とす
る物質からなる膜の露光光に対する光透過率が所定範囲
となるような流量に制御することで、光半透過膜たる酸
素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素とする物質か
らなる膜の透過率の制御が容易となり、露光波長に対し
ての透過率を容易に得ることができる。
【００４１】また、本発明によれば、混合ガスのうちの
亜酸化窒素のガス流量を２５ｓｃｃｍ以下に規定したこ
とにより、その規定の範囲内でガス流量を調整すること
で、光半透過膜たる酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜の透過率の制御が容易と
なり、露光波長に対しての透過率を容易に得ることがで
きる。
亜酸化窒素のガス流量を２５ｓｃｃｍ以下に規定したこ
とにより、その規定の範囲内でガス流量を調整すること
で、光半透過膜たる酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜の透過率の制御が容易と
なり、露光波長に対しての透過率を容易に得ることがで
きる。
【００４２】また、本発明によれば、成膜室に透明基板
を順次移送しつつ透明基板上に成膜するようにしたの
で、光半透過膜の成膜をインラインで実現でき、位相シ
フトマスクブランク及び位相シフトマスクの連続生産が
実現できる。
を順次移送しつつ透明基板上に成膜するようにしたの
で、光半透過膜の成膜をインラインで実現でき、位相シ
フトマスクブランク及び位相シフトマスクの連続生産が
実現できる。
【００４３】また、成膜室に流す混合ガスの亜酸化窒素
ガス流量を２５ｓｃｃｍ以下の規定の範囲内で調整する
ことで、酸素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素と
する物質からなる膜の膜厚の制御が容易となり、露光波
長に対して要求される所定の位相シフト量を容易に得る
ことができる。
ガス流量を２５ｓｃｃｍ以下の規定の範囲内で調整する
ことで、酸素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素と
する物質からなる膜の膜厚の制御が容易となり、露光波
長に対して要求される所定の位相シフト量を容易に得る
ことができる。
【図１】本発明の実施例にかかるＡｒにＮ2 Ｏガスを加
えたときの、Ｎ2 Ｏガス流量に対するＭｏＳｉ膜の透過
率特性図である。
えたときの、Ｎ2 Ｏガス流量に対するＭｏＳｉ膜の透過
率特性図である。
【図２】本発明の実施例にかかるＡｒガスにＯ2 ガスを
加えたときの、Ｏ2 ガス流量に対するＭｏＳｉ膜の透過
率特性図である。
加えたときの、Ｏ2 ガス流量に対するＭｏＳｉ膜の透過
率特性図である。
【図３】本発明の実施例にかかるＡｒガスにＮＯガスを
加えたときの、ＮＯガス流量に対するＭｏＳｉ膜の透過
率特性図である。
加えたときの、ＮＯガス流量に対するＭｏＳｉ膜の透過
率特性図である。
【図４】ＡｒガスにＯ2 、ＮＯ、Ｎ2 Ｏガスを加えたと
きの、各ガス流量に対するＭｏＳｉ膜の膜厚特性図であ
る。
きの、各ガス流量に対するＭｏＳｉ膜の膜厚特性図であ
る。
【図５】本実施例にかかるＭｏＳｉ成膜装置の概略説明
図である。
図である。
【図６】実施例１〜３にかかるｉ線用位相シフトマスク
ブランク膜特性図である。
ブランク膜特性図である。
【図７】本発明の実施例にかかる位相シフトマスクブラ
ンクの構成を示す部分断面図である。
ンクの構成を示す部分断面図である。
【図８】本発明の実施例にかかる位相シフトマスクの構
成を示す部分断面図である。
成を示す部分断面図である。
【図９】ＭｏＳｉ膜中の酸素含有量または窒素含有量と
透過率との関係を示す説明図である。
透過率との関係を示す説明図である。
１…透明基板、２…光半透過部、２ａ…光半透過膜、４
…光透過部、１１…成膜室、１２…ＭｏＳｉターゲッ
ト。
…光透過部、１１…成膜室、１２…ＭｏＳｉターゲッ
ト。
Claims (6)
- 【請求項１】実質的に露光に寄与しない強度の光を透過
させる光半透過膜を酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜で構成し、この膜を成膜
室で金属と珪素の混合ターゲットを用いた反応性スパッ
タリング法により透明基板上に成膜する位相シフトマス
クブランクの製造方法において、 前記成膜室に不活性ガスと亜酸化窒素の混合ガスを流
し、 該混合ガスのうちの亜酸化窒素ガスの流量を、前記酸
素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素とする物質か
らなる膜の露光光に対する光透過率が所定範囲となるよ
うな流量に制御したことを特徴とした位相シフトマスク
ブランクの製造方法。 - 【請求項２】実質的に露光に寄与しない強度の光を透過
させる光半透過膜を酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜で構成し、この膜を成膜
室で金属と珪素の混合ターゲットを用いた反応性スパッ
タリング法により透明基板上に成膜する位相シフトマス
クブランクの製造方法において、 前記成膜室に不活性ガスと亜酸化窒素の混合ガスを流
し、 該混合ガスのうちの亜酸化窒素ガスの流量を２５ｓｃｃ
ｍ以下としたことを特徴とした位相シフトマスクブラン
クの製造方法。 - 【請求項３】実質的に露光に寄与しない強度の光を透過
させる光半透過膜を酸素、窒素、珪素及び金属を主たる
構成要素とする物質からなる膜で構成し、この膜を金属
と珪素の混合ターゲットを用いた反応性スパッタリング
法により透明基板上に成膜する成膜室を備え、 該成膜室に不活性ガスと亜酸化窒素の混合ガスを流し、 該混合ガスのうち亜酸化窒素ガスの流量を２５ｓｃｃｍ
以下とし、 前記透明基板を順次成膜室に連続的に移送していくこと
により、所定の酸素、窒素、珪素及び金属を主たる構成
要素とする物質からなる膜を透明基板上に成膜するよう
にしたことを特徴とする位相シフトマスクブランクの製
造方法。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の位相
シフトマスクブランクの製造方法において、 前記酸素、窒素、珪素及び金属を主たる構成要素とする
物質からなる膜および前記混合ターゲットの構成要素た
る金属がモリブデンであることを特徴とする位相シフト
マスクブランクの製造方法。 - 【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載の位相
シフトマスクブランクの製造方法において、前記不活性
ガスがアルゴンであることを特徴とする位相シフトマス
クブランクの製造方法。 - 【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の位相
シフトマスクブランクの製造方法により位相シフトマス
クブランクを製造し、 該位相シフトマスクブランクの光半透過膜にパターン形
成処理を施して、前記光半透過部の一部を除去し、光半
透過部と、実質的に露光に寄与する強度の光を通過させ
る光透過部とからなるパターンを形成するようにしたこ
とを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34132295A JP2996613B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
| US08/780,123 US5849439A (en) | 1995-12-27 | 1996-12-26 | Method for preparing phase shift mask blank, and phase mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34132295A JP2996613B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09179288A true JPH09179288A (ja) | 1997-07-11 |
| JP2996613B2 JP2996613B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=18345170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34132295A Expired - Lifetime JP2996613B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5849439A (ja) |
| JP (1) | JP2996613B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008003520A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Toshiba Corp | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009223308A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-10-01 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、その製造方法及びパターン転写方法 |
| US7601468B2 (en) | 2002-10-23 | 2009-10-13 | Hoya Corporation | Process for manufacturing half-tone phase shifting mask blanks |
| KR20150138006A (ko) * | 2014-05-29 | 2015-12-09 | 호야 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법과 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
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| US6403267B1 (en) | 2000-01-21 | 2002-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for high transmittance attenuated phase-shifting mask fabrication |
| US6294295B1 (en) | 2000-03-06 | 2001-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Variable transmittance phase shifter to compensate for side lobe problem on rim type attenuating phase shifting masks |
| SG10201607848SA (en) | 2012-05-16 | 2016-11-29 | Hoya Corp | Mask blank, transfer mask, and methods of manufacturing the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-12-27 JP JP34132295A patent/JP2996613B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-26 US US08/780,123 patent/US5849439A/en not_active Expired - Lifetime
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| TWI651584B (zh) * | 2014-05-29 | 2019-02-21 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 相位偏移光罩基底及其製造方法、與相位偏移光罩之製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2996613B2 (ja) | 2000-01-11 |
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