JPH09178943A - 偏光光学素子 - Google Patents
偏光光学素子Info
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- JPH09178943A JPH09178943A JP7351448A JP35144895A JPH09178943A JP H09178943 A JPH09178943 A JP H09178943A JP 7351448 A JP7351448 A JP 7351448A JP 35144895 A JP35144895 A JP 35144895A JP H09178943 A JPH09178943 A JP H09178943A
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- wavelength
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は偏光光学素子において、従来に比して
大きなグリツド周期で形成し得、波長 800〔nm〕帯で実
用上十分な消光比を有するようにする。 【解決手段】波長 400〔nm〕から１〔μｍ〕でなる可視
波長域から近赤外波長域の光に対して、偏光作用する偏
光光学素子において、屈折率ｎ1 の透明基板上に形成さ
れている金属グリツドで、各グリツドの断面形状を略矩
形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおける幅ｂ、グリツド周期
ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属グリツドのグリツド間
の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上部の屈折率ｎ3 とし
て、（１）式又は（３）式の条件を満たす。
大きなグリツド周期で形成し得、波長 800〔nm〕帯で実
用上十分な消光比を有するようにする。 【解決手段】波長 400〔nm〕から１〔μｍ〕でなる可視
波長域から近赤外波長域の光に対して、偏光作用する偏
光光学素子において、屈折率ｎ1 の透明基板上に形成さ
れている金属グリツドで、各グリツドの断面形状を略矩
形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおける幅ｂ、グリツド周期
ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属グリツドのグリツド間
の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上部の屈折率ｎ3 とし
て、（１）式又は（３）式の条件を満たす。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 発明の実施の形態 （１）ワイヤーグリツド偏光子（図１及び図２） （２）第１実施例（図３） （３）第２実施例 （４）第３実施例 （５）他のワイヤーグリツド偏光子（図１及び図２） （６）第４実施例（図４） （７）第５実施例（図５及び図６） （８）第６実施例（図７） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は偏光光学素子に関
し、特にワイヤーグリツドを用いた偏光子や偏光ビーム
スプリツタに適用して好適なものである。
し、特にワイヤーグリツドを用いた偏光子や偏光ビーム
スプリツタに適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来型のワイヤーグリツド偏光子では、
グリツド周期ｄは使用する光の波長λの１／５〜１／10
と非常に短周期でなければならないと考えられてきた。
従つて可視波長域から近赤外波長域の光でのワイヤーグ
リツド偏光子は、必要なグリツド周期ｄが例えば波長 8
00〔nm〕では 160〔nm〕以下と非常に小さくなり、その
作製が極めて困難であるという問題があつた。
グリツド周期ｄは使用する光の波長λの１／５〜１／10
と非常に短周期でなければならないと考えられてきた。
従つて可視波長域から近赤外波長域の光でのワイヤーグ
リツド偏光子は、必要なグリツド周期ｄが例えば波長 8
00〔nm〕では 160〔nm〕以下と非常に小さくなり、その
作製が極めて困難であるという問題があつた。
【０００４】グリツド周期ｄを大きくして可視光から近
赤外光での作製を可能にする手段として共鳴型ワイヤー
グリツド偏光子が提案されている（特願平6-340382）。
これによれば、基板の屈折率をｎとした次式
赤外光での作製を可能にする手段として共鳴型ワイヤー
グリツド偏光子が提案されている（特願平6-340382）。
これによれば、基板の屈折率をｎとした次式
【数６】 で表されるような大きなグリツド周期での作製ができ
る。
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
共鳴型ワイヤーグリツド偏光子は金属グレーテイングが
屈折率ｎの媒質中に埋め込まれた場合のみに有効なもの
であり、それ以外の配置についての方策は示されていな
い。また、この共鳴型ワイヤーグリツド偏光子では、Ｐ
偏光透過率Ｔｐを小さくするために、デユーテイ（ｂ／
ｄ）をｂ／ｄ〜 0.6と大きくしなければならないが、こ
のため、Ｓ偏光透過率Ｔｓが低下する。また、Ｓ偏光反
射率Ｒｓの波長依存性が大きくなり、反射消光比（偏光
コントラスト）の波長特性が悪化するという問題点があ
つた。さらに、共鳴型では共鳴波長を使用波長近傍に合
わせるために、金属グレーテイングの厚みや幅をかなり
厳しく制御する必要があつた。
共鳴型ワイヤーグリツド偏光子は金属グレーテイングが
屈折率ｎの媒質中に埋め込まれた場合のみに有効なもの
であり、それ以外の配置についての方策は示されていな
い。また、この共鳴型ワイヤーグリツド偏光子では、Ｐ
偏光透過率Ｔｐを小さくするために、デユーテイ（ｂ／
ｄ）をｂ／ｄ〜 0.6と大きくしなければならないが、こ
のため、Ｓ偏光透過率Ｔｓが低下する。また、Ｓ偏光反
射率Ｒｓの波長依存性が大きくなり、反射消光比（偏光
コントラスト）の波長特性が悪化するという問題点があ
つた。さらに、共鳴型では共鳴波長を使用波長近傍に合
わせるために、金属グレーテイングの厚みや幅をかなり
厳しく制御する必要があつた。
【０００６】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、従来に比して大きなグリツド周期で形成し得、波長
800〔nm〕帯で実用上十分な消光比を有する偏光光学素
子を提案しようとするものである。
で、従来に比して大きなグリツド周期で形成し得、波長
800〔nm〕帯で実用上十分な消光比を有する偏光光学素
子を提案しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、波長 400〔nm〕から１〔μｍ〕で
なる可視波長域から近赤外波長域の光に対して、偏光作
用する偏光光学素子において、屈折率ｎ1 の透明基板上
に形成されている金属グリツドで、各グリツドの断面形
状を略矩形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおける幅ｂ、グリツ
ド周期ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属グリツドのグリ
ツド間の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上部の屈折率ｎ3
として、（１）式の条件を満たすようにした。
め本発明においては、波長 400〔nm〕から１〔μｍ〕で
なる可視波長域から近赤外波長域の光に対して、偏光作
用する偏光光学素子において、屈折率ｎ1 の透明基板上
に形成されている金属グリツドで、各グリツドの断面形
状を略矩形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおける幅ｂ、グリツ
ド周期ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属グリツドのグリ
ツド間の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上部の屈折率ｎ3
として、（１）式の条件を満たすようにした。
【０００８】また本発明においては、波長 400〔nm〕か
ら１〔μｍ〕でなる可視波長域から近赤外波長域の光に
対して、偏光作用する偏光光学素子において、屈折率ｎ
1 の透明基板上に形成されている金属グリツドで、各グ
リツドの断面形状を略矩形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおけ
る幅ｂ、グリツド周期ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属
グリツドのグリツド間の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上
部の屈折率ｎ3 として、（３）式の条件を満たすように
した。
ら１〔μｍ〕でなる可視波長域から近赤外波長域の光に
対して、偏光作用する偏光光学素子において、屈折率ｎ
1 の透明基板上に形成されている金属グリツドで、各グ
リツドの断面形状を略矩形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおけ
る幅ｂ、グリツド周期ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属
グリツドのグリツド間の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上
部の屈折率ｎ3 として、（３）式の条件を満たすように
した。
【０００９】屈折率ｎ1 の透明基板上に形成されている
金属グリツドで、各グリツドの断面形状を略矩形、厚み
ｈ、厚み 0.5ｈにおける幅ｂ、グリツド周期ｄ、底面と
側面のなす角ｓ、金属グリツドのグリツド間の屈折率ｎ
2 及び金属グリツド上部の屈折率ｎ3 として、（１）式
の条件を満たすようにしたことにより、波長 400〔nm〕
から１〔μｍ〕でなる可視波長域から近赤外波長域の光
に対して偏光作用し得る。
金属グリツドで、各グリツドの断面形状を略矩形、厚み
ｈ、厚み 0.5ｈにおける幅ｂ、グリツド周期ｄ、底面と
側面のなす角ｓ、金属グリツドのグリツド間の屈折率ｎ
2 及び金属グリツド上部の屈折率ｎ3 として、（１）式
の条件を満たすようにしたことにより、波長 400〔nm〕
から１〔μｍ〕でなる可視波長域から近赤外波長域の光
に対して偏光作用し得る。
【００１０】また、屈折率ｎ1 の透明基板上に形成され
ている金属グリツドで、各グリツドの断面形状を略矩
形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおける幅ｂ、グリツド周期
ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属グリツドのグリツド間
の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上部の屈折率ｎ3 とし
て、（３）式の条件を満たすようにしたことにより、波
長 400〔nm〕から１〔μｍ〕でなる可視波長域から近赤
外波長域の光に対して偏光作用し得る。
ている金属グリツドで、各グリツドの断面形状を略矩
形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおける幅ｂ、グリツド周期
ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属グリツドのグリツド間
の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上部の屈折率ｎ3 とし
て、（３）式の条件を満たすようにしたことにより、波
長 400〔nm〕から１〔μｍ〕でなる可視波長域から近赤
外波長域の光に対して偏光作用し得る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１２】（１）ワイヤーグリツド偏光子 本発明は、屈折率ｎの基板上に形成された金属グレーテ
イングにおいて、可視波長域から近赤外波長域（波長 4
00〔nm〕〜１〔μｍ〕）で、低損失かつ実用上十分な消
光比（例えば10以上）を有する偏光ビームスプリツタ
（Ｓ偏光透過率Ｔｓ、Ｐ偏光反射率Ｒｐ：大、Ｐ偏光透
過率Ｔｐ、Ｓ偏光反射率Ｒｓ：小）を金属グレーテイン
グの形状パラメータを選ぶことにより実現する。
イングにおいて、可視波長域から近赤外波長域（波長 4
00〔nm〕〜１〔μｍ〕）で、低損失かつ実用上十分な消
光比（例えば10以上）を有する偏光ビームスプリツタ
（Ｓ偏光透過率Ｔｓ、Ｐ偏光反射率Ｒｐ：大、Ｐ偏光透
過率Ｔｐ、Ｓ偏光反射率Ｒｓ：小）を金属グレーテイン
グの形状パラメータを選ぶことにより実現する。
【００１３】図１に本発明による非共鳴型のワイヤーグ
リツド偏光ビームスプリツタの断面の概略図を示す。金
属グリツド１は、Ａｌ、Ａｕ等の高反射率金属又はそれ
らの組み合わせで形成されている。その厚みをｈ、幅
（ｈ／２での値）をｂ、またグリツド断面を台形で近似
したときの底面と側面のなす角度をｓ、グレーテイング
周期をｄ、そして基板２の屈折率をｎ1 、グリツド間の
屈折率をｎ2 、上部の屈折率をｎ3 、使用波長をλとす
ると、これらは次式
リツド偏光ビームスプリツタの断面の概略図を示す。金
属グリツド１は、Ａｌ、Ａｕ等の高反射率金属又はそれ
らの組み合わせで形成されている。その厚みをｈ、幅
（ｈ／２での値）をｂ、またグリツド断面を台形で近似
したときの底面と側面のなす角度をｓ、グレーテイング
周期をｄ、そして基板２の屈折率をｎ1 、グリツド間の
屈折率をｎ2 、上部の屈折率をｎ3 、使用波長をλとす
ると、これらは次式
【数７】 の関係を満たすようになされている。
【００１４】以下に実施例の実験結果に基づいて、これ
を説明する。なお、ワイヤーグリツド偏光子への入射角
は図２に示すように法線方向からグレーテイングの波数
ベクトル方向Ｖ0 に測つた角度をα、グレーテイングの
波数ベクトルと垂直方向Ｖ1に測つた角度をθとする。
を説明する。なお、ワイヤーグリツド偏光子への入射角
は図２に示すように法線方向からグレーテイングの波数
ベクトル方向Ｖ0 に測つた角度をα、グレーテイングの
波数ベクトルと垂直方向Ｖ1に測つた角度をθとする。
【００１５】（２）第１実施例 以上の構成において、第１実施例として、電子線描画装
置を用いて屈折率ｎ＝1.46の基板上に、グレーテイング
周期ｄ＝ 300〔nm〕のレジストパターンを形成した。そ
の上にＡｌを 182〔nm〕蒸着し、リフトオフ法によりＡ
ｌからなるグレーテイングを作製した（ｈ／ｄ〜0.6
1）。このグレーテイング断面をＳＥＭ観察したとこ
ろ、断面形状は略矩形（ｓ〜75〔°〕）で、ｂ／ｄは約
0.40であつた。
置を用いて屈折率ｎ＝1.46の基板上に、グレーテイング
周期ｄ＝ 300〔nm〕のレジストパターンを形成した。そ
の上にＡｌを 182〔nm〕蒸着し、リフトオフ法によりＡ
ｌからなるグレーテイングを作製した（ｈ／ｄ〜0.6
1）。このグレーテイング断面をＳＥＭ観察したとこ
ろ、断面形状は略矩形（ｓ〜75〔°〕）で、ｂ／ｄは約
0.40であつた。
【００１６】ここで図３（Ａ）には波長 720〜840 〔n
m〕で測定したＳ偏光透過率Ｔｓ、Ｓ偏光反射率Ｒｓ、
Ｐ偏光透過率Ｔｐ、Ｐ偏光反射率Ｒｐ及びＴｓ／Ｔｐ、
Ｒｐ／Ｒｓの波長依存性を示す。また図３（Ｂ）には比
較するために屈折率ｎ2 ＝ｎ3＝1.46の場合の結果を示
す。このときの試料への入射角はθ＝５〔°〕である。
m〕で測定したＳ偏光透過率Ｔｓ、Ｓ偏光反射率Ｒｓ、
Ｐ偏光透過率Ｔｐ、Ｐ偏光反射率Ｒｐ及びＴｓ／Ｔｐ、
Ｒｐ／Ｒｓの波長依存性を示す。また図３（Ｂ）には比
較するために屈折率ｎ2 ＝ｎ3＝1.46の場合の結果を示
す。このときの試料への入射角はθ＝５〔°〕である。
【００１７】屈折率ｎ2 ＝ｎ3 ＝１（以下、ｎ＝１配置
と呼ぶ）とすることにより、Ｐ偏光透過率Ｔｐが大幅に
減少し、透過光消光比（Ｔｓ／Ｔｐ）約10が得られた。
この場合、ｄ／λは0.36〜0.42（λ＝ 840〜720 〔n
m〕）である。一方、図３（Ａ）、（Ｂ）共にＳ偏光反
射率Ｒｓは小さく反射光消光比（Ｒｐ／Ｒｓ）は10以上
となつているが、図３（Ｂ）の方がＰ偏光反射率Ｒｐが
大きく低損失である。
と呼ぶ）とすることにより、Ｐ偏光透過率Ｔｐが大幅に
減少し、透過光消光比（Ｔｓ／Ｔｐ）約10が得られた。
この場合、ｄ／λは0.36〜0.42（λ＝ 840〜720 〔n
m〕）である。一方、図３（Ａ）、（Ｂ）共にＳ偏光反
射率Ｒｓは小さく反射光消光比（Ｒｐ／Ｒｓ）は10以上
となつているが、図３（Ｂ）の方がＰ偏光反射率Ｒｐが
大きく低損失である。
【００１８】屈折率ｎ2 ＝ｎ3 ＝１の場合、グレーテイ
ング周期ｄ＝ 300〔nm〕、ｓ〜75〔°〕、ｈ／ｄ〜0.6
1、ｂ／ｄ〜0.40では良好な偏光ビームスプリツタ特性
が得られたが、ｓ〜75〔°〕、ｂ／ｄ〜0.40とし、様々
な厚みｈについて調べた結果、ｈ／ｄ＞ 0.5でありさえ
すれば常に良好な偏光ビームスプリツタ特性が得られ
た。これは作製時の厚み制御が極めて緩和されるという
ことで実用的に大きな利点がある。
ング周期ｄ＝ 300〔nm〕、ｓ〜75〔°〕、ｈ／ｄ〜0.6
1、ｂ／ｄ〜0.40では良好な偏光ビームスプリツタ特性
が得られたが、ｓ〜75〔°〕、ｂ／ｄ〜0.40とし、様々
な厚みｈについて調べた結果、ｈ／ｄ＞ 0.5でありさえ
すれば常に良好な偏光ビームスプリツタ特性が得られ
た。これは作製時の厚み制御が極めて緩和されるという
ことで実用的に大きな利点がある。
【００１９】（３）第２実施例 第２実施例では、前述の第１実施例の試料について、入
射角度保存性を測定した結果、α、θ共に−40〔°〕〜
＋40〔°〕の範囲でλ＝ 720〜840 〔nm〕でのＳ偏光透
過率Ｔｓ、Ｓ偏光反射率Ｒｓ、Ｐ偏光透過率Ｔｐ、Ｐ偏
光反射率Ｒｐの波長特性はほとんど変化せず、非常に広
い入射角度範囲で良好な偏光ビームスプリツタ特性が得
られる。
射角度保存性を測定した結果、α、θ共に−40〔°〕〜
＋40〔°〕の範囲でλ＝ 720〜840 〔nm〕でのＳ偏光透
過率Ｔｓ、Ｓ偏光反射率Ｒｓ、Ｐ偏光透過率Ｔｐ、Ｐ偏
光反射率Ｒｐの波長特性はほとんど変化せず、非常に広
い入射角度範囲で良好な偏光ビームスプリツタ特性が得
られる。
【００２０】（４）第３実施例 また第３実施例では、まず第１実施例と同様な方法でグ
レーテイング周期ｄ＝300〔nm〕のＡｌでなるグレーテ
イングを作製し、偏光特性を測定した。この結果、ｓ＜
70〔°〕又はｓ＞110 〔°〕ではＳ偏光透過率Ｔｓが小
さくなり損失が増大する。また、ｈ／ｄ＞ 0.5では、Ｐ
偏光透過率Ｔｐが大きくて、良好な偏光ビームスプリツ
タは得られない。
レーテイング周期ｄ＝300〔nm〕のＡｌでなるグレーテ
イングを作製し、偏光特性を測定した。この結果、ｓ＜
70〔°〕又はｓ＞110 〔°〕ではＳ偏光透過率Ｔｓが小
さくなり損失が増大する。また、ｈ／ｄ＞ 0.5では、Ｐ
偏光透過率Ｔｐが大きくて、良好な偏光ビームスプリツ
タは得られない。
【００２１】さらに、第１実施例と同様な方法でグレー
テイング周期ｄ＝ 400〔nm〕のＡｌでなるグレーテイン
グを作製し、偏光特性を測定した。この場合、ｂ／ｄ≦
0.4ではＰ偏光透過率Ｔｐが大きくなり透過光消光比が
低下、偏光ビームスプリツタ特性は得られない。また、
ｂ≦ｄを大きくしてＰ偏光透過率Ｔｐを小さくすると、
偏光ビームスプリツタ特性を得るためには厚みを制御
し、Ｓ偏光の共鳴現象を利用することが必要である。共
鳴現象を用いずに良好な偏光ビームスプリツタ特性を得
るには、ｄ＜λ／２が必要である。
テイング周期ｄ＝ 400〔nm〕のＡｌでなるグレーテイン
グを作製し、偏光特性を測定した。この場合、ｂ／ｄ≦
0.4ではＰ偏光透過率Ｔｐが大きくなり透過光消光比が
低下、偏光ビームスプリツタ特性は得られない。また、
ｂ≦ｄを大きくしてＰ偏光透過率Ｔｐを小さくすると、
偏光ビームスプリツタ特性を得るためには厚みを制御
し、Ｓ偏光の共鳴現象を利用することが必要である。共
鳴現象を用いずに良好な偏光ビームスプリツタ特性を得
るには、ｄ＜λ／２が必要である。
【００２２】以上の構成によれば、（７）式の条件を満
たすワイヤーグリツド偏光子にすることにより、従来の
ワイヤーグリツド偏光子で要求されたグリツド周期より
も大きな周期で実用上十分な特性を有する非共鳴型偏光
ビームスプリツタが作製できる。また、従来では作製困
難であつた可視光から近赤外光用ワイヤーグリツド偏光
子又は偏光ビームスプリツタの作製が容易になる。さら
に、λ／３＜ｄ＜λ／２、ｎ＝１配置とすることで、低
デユーテイ比（ｂ／ｄ≦ 0.4）とすることができ、これ
により厚み許容度が大きく作製し易い、良好なワイヤー
グリツド偏光ビームスプリツタが得られる。
たすワイヤーグリツド偏光子にすることにより、従来の
ワイヤーグリツド偏光子で要求されたグリツド周期より
も大きな周期で実用上十分な特性を有する非共鳴型偏光
ビームスプリツタが作製できる。また、従来では作製困
難であつた可視光から近赤外光用ワイヤーグリツド偏光
子又は偏光ビームスプリツタの作製が容易になる。さら
に、λ／３＜ｄ＜λ／２、ｎ＝１配置とすることで、低
デユーテイ比（ｂ／ｄ≦ 0.4）とすることができ、これ
により厚み許容度が大きく作製し易い、良好なワイヤー
グリツド偏光ビームスプリツタが得られる。
【００２３】（５）他のワイヤーグリツド偏光子 本発明は、屈折率ｎの基板上に形成された金属グレーテ
イングにおいて、可視波長域から近赤外波長域（波長 4
00〔nm〕〜１〔μｍ〕）で、低損失かつ実用上十分な消
光比（例えば10以上）を有する透過型ワイヤーグリツド
偏光子（Ｓ偏光透過率Ｔｓ：大、Ｐ偏光透過率Ｔｐ：
小）、又は、反射型ワイヤーグリツド偏光子（Ｐ偏光反
射率Ｒｐ：大、Ｓ偏光反射率Ｒｓ：小）、さらに、偏光
ビームスプリツタ（Ｓ偏光透過率Ｔｓ、Ｐ偏光反射率Ｒ
ｐ：大、Ｐ偏光透過率Ｔｐ、Ｓ偏光反射率Ｒｓ：小）を
金属グレーテイングの形状パラメータを選ぶことによ
り、そしてまた、屈折率ｎ＝１でのＳ偏光共鳴現象を利
用することにより実現する。
イングにおいて、可視波長域から近赤外波長域（波長 4
00〔nm〕〜１〔μｍ〕）で、低損失かつ実用上十分な消
光比（例えば10以上）を有する透過型ワイヤーグリツド
偏光子（Ｓ偏光透過率Ｔｓ：大、Ｐ偏光透過率Ｔｐ：
小）、又は、反射型ワイヤーグリツド偏光子（Ｐ偏光反
射率Ｒｐ：大、Ｓ偏光反射率Ｒｓ：小）、さらに、偏光
ビームスプリツタ（Ｓ偏光透過率Ｔｓ、Ｐ偏光反射率Ｒ
ｐ：大、Ｐ偏光透過率Ｔｐ、Ｓ偏光反射率Ｒｓ：小）を
金属グレーテイングの形状パラメータを選ぶことによ
り、そしてまた、屈折率ｎ＝１でのＳ偏光共鳴現象を利
用することにより実現する。
【００２４】本発明による共鳴型のワイヤーグリツド偏
光子（偏光ビームスプリツタ）の断面（図示せず）は、
図１に示した断面の概略図と同形状であり、以下に述べ
る条件を満たすものである。金属グリツドは、Ａｌ、Ａ
ｕ等の高反射率金属又はそれらの組み合わせで形成され
ている。金属グリツドの厚みをｈ、幅（ｈ／２での値）
をｂ、またグリツド断面を台形で近似したときの底面と
側面のなす角度をｓ、グレーテイング周期をｄ、基板屈
折率をｎ、グリツド間の屈折率をｎ2 、上部の屈折率を
ｎ3 、使用波長をλ、また、屈折率１でのＳ偏光共鳴波
長をλres とすると、これらは次式
光子（偏光ビームスプリツタ）の断面（図示せず）は、
図１に示した断面の概略図と同形状であり、以下に述べ
る条件を満たすものである。金属グリツドは、Ａｌ、Ａ
ｕ等の高反射率金属又はそれらの組み合わせで形成され
ている。金属グリツドの厚みをｈ、幅（ｈ／２での値）
をｂ、またグリツド断面を台形で近似したときの底面と
側面のなす角度をｓ、グレーテイング周期をｄ、基板屈
折率をｎ、グリツド間の屈折率をｎ2 、上部の屈折率を
ｎ3 、使用波長をλ、また、屈折率１でのＳ偏光共鳴波
長をλres とすると、これらは次式
【数８】 の関係を満足するようになされている。
【００２５】以下にいくつかの実施例に基づいて、これ
を説明する。なお、ワイヤーグリツド偏光子への入射角
は、法線方向からグレーテイングの波数ベクトル方向Ｖ
0 に測つた角度をα、グレーテイングの波数ベクトルと
垂直方向Ｖ1 に測つた角度をθとする（図２）。
を説明する。なお、ワイヤーグリツド偏光子への入射角
は、法線方向からグレーテイングの波数ベクトル方向Ｖ
0 に測つた角度をα、グレーテイングの波数ベクトルと
垂直方向Ｖ1 に測つた角度をθとする（図２）。
【００２６】（６）第４実施例 以上の構成において、まず第４実施例として、電子線描
画装置を用いてｎ＝1.46の基板上にｄ＝ 400〔nm〕のレ
ジストパターンを形成し、その上にＡｌを 150〔nm〕蒸
着し、リフトオフ法によりＡｌからなるグレーテイング
を作製した（ｈ／ｄ〜0.38）。このグレーテイング断面
をＳＥＭ観察したところ、断面形状はほぼ矩形（ｓ〜75
〔°〕）で、ｂ／ｄは約0.46であつた。波長 720〜840
〔nm〕で測定したＳ偏光透過率Ｔｓ、Ｓ偏光反射率Ｒ
ｓ、Ｐ偏光透過率Ｔｐ、Ｐ偏光反射率Ｒｐ及びＴｓ／Ｔ
ｐ、Ｒｐ／Ｒｓの波長依存性を図４（Ａ）に示す。図４
（Ｂ）には比較のため屈折率ｎ2 ＝ｎ3 ＝1.46の場合の
結果を示した。試料への入射角はθ＝５〔°〕である。
画装置を用いてｎ＝1.46の基板上にｄ＝ 400〔nm〕のレ
ジストパターンを形成し、その上にＡｌを 150〔nm〕蒸
着し、リフトオフ法によりＡｌからなるグレーテイング
を作製した（ｈ／ｄ〜0.38）。このグレーテイング断面
をＳＥＭ観察したところ、断面形状はほぼ矩形（ｓ〜75
〔°〕）で、ｂ／ｄは約0.46であつた。波長 720〜840
〔nm〕で測定したＳ偏光透過率Ｔｓ、Ｓ偏光反射率Ｒ
ｓ、Ｐ偏光透過率Ｔｐ、Ｐ偏光反射率Ｒｐ及びＴｓ／Ｔ
ｐ、Ｒｐ／Ｒｓの波長依存性を図４（Ａ）に示す。図４
（Ｂ）には比較のため屈折率ｎ2 ＝ｎ3 ＝1.46の場合の
結果を示した。試料への入射角はθ＝５〔°〕である。
【００２７】ここでワイヤーグリツド偏光子をｎ＝１配
置（ｎ2 ＝ｎ3 ＝１）とすることにより、Ｐ偏光透過率
Ｔｐが大幅に減少し、透過光消光比（Ｔｓ／Ｔｐ）が約
10となり、良好な透過型偏光子が得られた。この場合、
ｄ／λは0.48〜0.56（λ＝ 837〜720 〔nm〕）であり、
特に、ｄ／λ＞0.5 という従来のワイヤーグリツド偏光
子と比較して大きな周期ｄで良好な透過光消光比が得ら
れている点が特徴である。本試料の形状パラメータは、
ｓ〜75〔°〕、ｈ／ｄ〜0.38、ｂ／ｄ〜0.46であるが、
ｓ＜70〔°〕又はｓ＞ 110〔°〕では、Ｓ偏光透過率Ｔ
ｓが低下し損失が大きくなる。また、ｈ／ｄ＜0.25又は
ｂ／ｄ＜0.3 ではＰ偏光透過率Ｔｐが増大し、透過光消
光比が低下する。ワイヤーグリツド偏光子の作製上、ｈ
／ｄ＞１、ｂ／ｄ＞0.7 は困難であるので、従つて、70
〔°〕＜ｓ＜ 110〔°〕、0.25＜ｈ／ｄ＜１、 0.3＜ｂ
／ｄ＜ 0.7であることが必要である。しかし、図４
（Ａ）ではＳ偏光反射率Ｒｓが大きく反射光消光比（Ｒ
ｐ／Ｒｓ）が低い。これは厚みｈ（〜 150〔nm〕）とデ
ユーテイｂ／ｄ（〜0.46）によつて決まるＳ偏光共鳴波
長λres が 720〔nm〕よりもはるかに短波長にずれてし
まつているからである。
置（ｎ2 ＝ｎ3 ＝１）とすることにより、Ｐ偏光透過率
Ｔｐが大幅に減少し、透過光消光比（Ｔｓ／Ｔｐ）が約
10となり、良好な透過型偏光子が得られた。この場合、
ｄ／λは0.48〜0.56（λ＝ 837〜720 〔nm〕）であり、
特に、ｄ／λ＞0.5 という従来のワイヤーグリツド偏光
子と比較して大きな周期ｄで良好な透過光消光比が得ら
れている点が特徴である。本試料の形状パラメータは、
ｓ〜75〔°〕、ｈ／ｄ〜0.38、ｂ／ｄ〜0.46であるが、
ｓ＜70〔°〕又はｓ＞ 110〔°〕では、Ｓ偏光透過率Ｔ
ｓが低下し損失が大きくなる。また、ｈ／ｄ＜0.25又は
ｂ／ｄ＜0.3 ではＰ偏光透過率Ｔｐが増大し、透過光消
光比が低下する。ワイヤーグリツド偏光子の作製上、ｈ
／ｄ＞１、ｂ／ｄ＞0.7 は困難であるので、従つて、70
〔°〕＜ｓ＜ 110〔°〕、0.25＜ｈ／ｄ＜１、 0.3＜ｂ
／ｄ＜ 0.7であることが必要である。しかし、図４
（Ａ）ではＳ偏光反射率Ｒｓが大きく反射光消光比（Ｒ
ｐ／Ｒｓ）が低い。これは厚みｈ（〜 150〔nm〕）とデ
ユーテイｂ／ｄ（〜0.46）によつて決まるＳ偏光共鳴波
長λres が 720〔nm〕よりもはるかに短波長にずれてし
まつているからである。
【００２８】（７）第５実施例 第５実施例では、第４実施例と同様な方法でグリツド周
期ｄ＝ 400〔nm〕、厚みｈ〜 220〔nm〕、ｂ／ｄ〜0.46
のＡｌからなるグレーテイングを作製した。これをＳＥ
Ｍ観察すると、ほぼ矩形（ｓ〜75°）の断面形状であつ
た。この試料における偏光特性測定結果を図５に示す。
透過光消光比が約15と良好であるのは、第４実施例と同
じであるが、第５実施例では反射光消光比（Ｒｐ／Ｒ
ｓ）も10以上と良好な偏光ビームスプリツタ特性が得ら
れている。これは、厚みｈを 220〔nm〕と厚くすること
により共鳴波長λres を 700〔nm〕近傍まで長波長化し
たためである。共鳴波長λres は、実験的にはｈとｂ／
ｄが大きくなるにつれて単調に大きくなる。λ＞ 837
〔nm〕ではＲｐ／Ｒｓ＜10と小さくなるので、Ｒｐ／Ｒ
ｓ＞10とするためには、使用波長λは共鳴波長λ
res （〜 700〔nm〕）に対してλ＜λres ／ 0.8でなけ
ればならない。また、短波長側でも同様にＲｐ／Ｒｓが
低下するので、λres ／ 1.2＜λと制限される。つま
り、共鳴波長λres は、 0.8λ＜λres ＜1.2 λを満た
さなければならない。
期ｄ＝ 400〔nm〕、厚みｈ〜 220〔nm〕、ｂ／ｄ〜0.46
のＡｌからなるグレーテイングを作製した。これをＳＥ
Ｍ観察すると、ほぼ矩形（ｓ〜75°）の断面形状であつ
た。この試料における偏光特性測定結果を図５に示す。
透過光消光比が約15と良好であるのは、第４実施例と同
じであるが、第５実施例では反射光消光比（Ｒｐ／Ｒ
ｓ）も10以上と良好な偏光ビームスプリツタ特性が得ら
れている。これは、厚みｈを 220〔nm〕と厚くすること
により共鳴波長λres を 700〔nm〕近傍まで長波長化し
たためである。共鳴波長λres は、実験的にはｈとｂ／
ｄが大きくなるにつれて単調に大きくなる。λ＞ 837
〔nm〕ではＲｐ／Ｒｓ＜10と小さくなるので、Ｒｐ／Ｒ
ｓ＞10とするためには、使用波長λは共鳴波長λ
res （〜 700〔nm〕）に対してλ＜λres ／ 0.8でなけ
ればならない。また、短波長側でも同様にＲｐ／Ｒｓが
低下するので、λres ／ 1.2＜λと制限される。つま
り、共鳴波長λres は、 0.8λ＜λres ＜1.2 λを満た
さなければならない。
【００２９】屈折率ｎ2 ＝ｎ3 ＝1.46の場合に得られた
偏光ビームスプリツタ特性を比較のために図６に示す。
厚みｈ＝ 188〔nm〕、ｂ／ｄ＝0.57である。屈折率ｎ2
＝ｎ3 ＝1.46ではＰ偏光透過率Ｔｐを小さくするために
デユーテイｂ／ｄを大きくしなければならない。このた
め、Ｓ偏光反射率Ｒｓの波長変化が大きくなり、反射消
光比の波長特性が悪化し、使用できる波長範囲が狭くな
る。また、Ｓ偏光透過率Ｔｓも低くなり損失が大きい。
一方、屈折率ｎ2 ＝ｎ3 ＝１では、ｂ／ｄ〜0.46と低デ
ユーテイでもＰ偏光透過率Ｔｐが十分小さくなるため、
図５のように反射消光比の波長特性は平坦化し使用波長
範囲も広がり、また、Ｓ偏光透過率Ｔｓも高くなり、明
らかに偏光ビームスプリツタ特性が改善した。従つて、
ｂ／ｄはｂ／ｄ＜ 0.5であることが望ましい。
偏光ビームスプリツタ特性を比較のために図６に示す。
厚みｈ＝ 188〔nm〕、ｂ／ｄ＝0.57である。屈折率ｎ2
＝ｎ3 ＝1.46ではＰ偏光透過率Ｔｐを小さくするために
デユーテイｂ／ｄを大きくしなければならない。このた
め、Ｓ偏光反射率Ｒｓの波長変化が大きくなり、反射消
光比の波長特性が悪化し、使用できる波長範囲が狭くな
る。また、Ｓ偏光透過率Ｔｓも低くなり損失が大きい。
一方、屈折率ｎ2 ＝ｎ3 ＝１では、ｂ／ｄ〜0.46と低デ
ユーテイでもＰ偏光透過率Ｔｐが十分小さくなるため、
図５のように反射消光比の波長特性は平坦化し使用波長
範囲も広がり、また、Ｓ偏光透過率Ｔｓも高くなり、明
らかに偏光ビームスプリツタ特性が改善した。従つて、
ｂ／ｄはｂ／ｄ＜ 0.5であることが望ましい。
【００３０】（８）第６実施例 さらに第６実施例では、第４実施例と同様な方法でグリ
ツド周期ｄ＝ 400〔nm〕、ｈ〜 312〔nm〕、ｂ／ｄ〜0.
46のＡｌでなるグレーテイングを作製した。ＳＥＭ観察
ではほぼ矩形（ｓ〜75°）の断面形状であつた。図７に
入射角α＝5,10,20,30,40 〔°〕に対してＳ偏光透過率
Ｔｓ、Ｓ偏光反射率Ｒｓの波長依存性を測定した結果を
示す。Ｔｓ、Ｒｓはα＝30〔°〕ではλ〜 770予めの、
α＝40〔°〕ではλ〜 830〔nm〕でそれぞれ極小、極大
を示している。この現象はレーリーアノマリーと呼ば
れ、これにより入射角度の範囲が限定される。レーリー
アノマリー波長λR.A.はλR.A.＝nd（１＋ sinα／ｎ）
で与えられ、垂直入射（α＝０〔°〕）ではλR.A.＝nd
となる。使用波長λはλR.A.よりも長いことが必要で、
少なくともλ＞ndでなければならない。従つて、第４実
施例とからグリツド周期ｄとしてはλ／２＞ｄ＜λ／ｎ
となる。
ツド周期ｄ＝ 400〔nm〕、ｈ〜 312〔nm〕、ｂ／ｄ〜0.
46のＡｌでなるグレーテイングを作製した。ＳＥＭ観察
ではほぼ矩形（ｓ〜75°）の断面形状であつた。図７に
入射角α＝5,10,20,30,40 〔°〕に対してＳ偏光透過率
Ｔｓ、Ｓ偏光反射率Ｒｓの波長依存性を測定した結果を
示す。Ｔｓ、Ｒｓはα＝30〔°〕ではλ〜 770予めの、
α＝40〔°〕ではλ〜 830〔nm〕でそれぞれ極小、極大
を示している。この現象はレーリーアノマリーと呼ば
れ、これにより入射角度の範囲が限定される。レーリー
アノマリー波長λR.A.はλR.A.＝nd（１＋ sinα／ｎ）
で与えられ、垂直入射（α＝０〔°〕）ではλR.A.＝nd
となる。使用波長λはλR.A.よりも長いことが必要で、
少なくともλ＞ndでなければならない。従つて、第４実
施例とからグリツド周期ｄとしてはλ／２＞ｄ＜λ／ｎ
となる。
【００３１】以上の構成によれば、（８）式の条件を満
たすワイヤーグリツド偏光子とすることにより、従来の
ワイヤーグリツド偏光子で要求されたグリツド周期より
も大きな周期で実用上十分な特性を有する偏光子又は偏
光ビームスプリツタが作製できる。また、従来は作製困
難であつた可視光から近赤外光用ワイヤーグリツド偏光
子又は偏光ビームスプリツタの作製が容易になる。さら
に、ｎ＝１配置することで、低デユーテイでもＰ偏光透
過率Ｔｐを小さくでき、これにより波長特性の良好なワ
イヤーグリツド偏光子又は偏光ビームスプリツタが得ら
れる。
たすワイヤーグリツド偏光子とすることにより、従来の
ワイヤーグリツド偏光子で要求されたグリツド周期より
も大きな周期で実用上十分な特性を有する偏光子又は偏
光ビームスプリツタが作製できる。また、従来は作製困
難であつた可視光から近赤外光用ワイヤーグリツド偏光
子又は偏光ビームスプリツタの作製が容易になる。さら
に、ｎ＝１配置することで、低デユーテイでもＰ偏光透
過率Ｔｐを小さくでき、これにより波長特性の良好なワ
イヤーグリツド偏光子又は偏光ビームスプリツタが得ら
れる。
【００３２】なお上述の実施例においては、屈折率ｎの
透明基板上に形成したワイヤーグリツド偏光子について
述べたが、本発明はこれに限らず、この基板表面に無反
射コートを施しても良い。この場合、特性を改善するこ
とができる。さらに、光検出器の形成された基板上に屈
折率ｎのコーテイングを行い、その上に本発明によるワ
イヤーグリツド偏光子を作製することも可能である。
透明基板上に形成したワイヤーグリツド偏光子について
述べたが、本発明はこれに限らず、この基板表面に無反
射コートを施しても良い。この場合、特性を改善するこ
とができる。さらに、光検出器の形成された基板上に屈
折率ｎのコーテイングを行い、その上に本発明によるワ
イヤーグリツド偏光子を作製することも可能である。
【００３３】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、屈折率ｎ
1 の透明基板上に形成されている金属グリツドで、各グ
リツドの断面形状を略矩形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおけ
る幅ｂ、グリツド周期ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属
グリツドのグリツド間の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上
部の屈折率ｎ3 として、（１）式又は（３）式の条件を
満たすようにしたことにより、波長 400〔nm〕から１
〔μｍ〕でなる可視波長域から近赤外波長域の光に対し
て、比較的大きなグリツド周期ｄで偏光作用し得る偏光
光学素子を実現できる。
1 の透明基板上に形成されている金属グリツドで、各グ
リツドの断面形状を略矩形、厚みｈ、厚み 0.5ｈにおけ
る幅ｂ、グリツド周期ｄ、底面と側面のなす角ｓ、金属
グリツドのグリツド間の屈折率ｎ2 及び金属グリツド上
部の屈折率ｎ3 として、（１）式又は（３）式の条件を
満たすようにしたことにより、波長 400〔nm〕から１
〔μｍ〕でなる可視波長域から近赤外波長域の光に対し
て、比較的大きなグリツド周期ｄで偏光作用し得る偏光
光学素子を実現できる。
【図１】本発明によるワイヤーグリツド偏光子を示す略
線的断面図である。
線的断面図である。
【図２】図１のワイヤーグリツド偏光子に対する入射角
の説明に供する略線図である。
の説明に供する略線図である。
【図３】ワイヤーグリツド偏光子の波長依存性の説明に
供する特性曲線図である。
供する特性曲線図である。
【図４】ワイヤーグリツド偏光子の波長依存性の説明に
供する特性曲線図である。
供する特性曲線図である。
【図５】屈折率ｎ2 ＝ｎ3 ＝１のときの偏光ビームスプ
リツタ特性を示す特性曲線図である。
リツタ特性を示す特性曲線図である。
【図６】屈折率ｎ2 ＝ｎ3 ＝1.46のときの偏光ビームス
プリツタ特性を示す特性曲線図である。
プリツタ特性を示す特性曲線図である。
【図７】ワイヤーグリツド偏光子の波長依存性の説明に
供する特性曲線図である。
供する特性曲線図である。
１……グリツド、２……基板。
フロントページの続き (72)発明者 堂向 徹 東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー 株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】波長 400〔nm〕から１〔μｍ〕でなる可視
波長域から近赤外波長域の光に対して、偏光作用する偏
光光学素子において、 屈折率ｎ1 の透明基板上に形成されている金属グリツド
で、各グリツドの断面形状を略矩形、厚みｈ、厚み 0.5
ｈにおける幅ｂ、グリツド周期ｄ、底面と側面のなす角
ｓ、上記金属グリツドのグリツド間の屈折率ｎ2 及び上
記金属グリツド上部の屈折率ｎ3 として 【数１】 の条件を満たすことを特徴とする偏光光学素子。 - 【請求項２】上記グリツド周期ｄは、 使用する光の波長λに対して 【数２】 の条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の偏光
光学素子。 - 【請求項３】上記金属グリツドは、 高反射率金属でなることを特徴とする請求項１に記載の
偏光光学素子。 - 【請求項４】波長 400〔nm〕から１〔μｍ〕でなる可視
波長域から近赤外波長域の光に対して、偏光作用する偏
光光学素子において、 屈折率ｎ1 の透明基板上に形成されている金属グリツド
で、各グリツドの断面形状を略矩形、厚みｈ、厚み 0.5
ｈにおける幅ｂ、グリツド周期ｄ、底面と側面のなす角
ｓ、上記金属グリツドのグリツド間の屈折率ｎ2 及び上
記金属グリツド上部の屈折率ｎ3 として 【数３】 の条件を満たすことを特徴とする偏光光学素子。 - 【請求項５】上記グリツド周期ｄは、 使用する光の波長λに対して 【数４】 の条件を満たすことを特徴とする請求項５に記載の偏光
光学素子。 - 【請求項６】上記金属グリツドは、 高反射率金属でなることを特徴とする請求項５に記載の
偏光光学素子。 - 【請求項７】上記金属グリツドは、 Ｓ偏光共鳴波長λres が使用する光の波長λに対して 【数５】 の条件を満たすことを特徴とする請求項５に記載の偏光
光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7351448A JPH09178943A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 偏光光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7351448A JPH09178943A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 偏光光学素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005121476A Division JP3874301B2 (ja) | 2005-04-19 | 2005-04-19 | 偏光光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09178943A true JPH09178943A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18417363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7351448A Abandoned JPH09178943A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 偏光光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09178943A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1200874A1 (en) * | 1999-07-28 | 2002-05-02 | Moxtek | Image projection system with a polarizing beam splitter |
| WO2002091044A1 (fr) * | 2001-04-26 | 2002-11-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dispositif de polarisation et son procede de fabrication |
| JP2003508813A (ja) * | 1999-09-07 | 2003-03-04 | モックステック | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
| KR100642003B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2006-11-02 | 엘지전자 주식회사 | 와이어 그리드 편광판, 그의 제조 방법 및 그를 갖는백라이트 유닛 |
| KR100777747B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2007-11-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 편광자 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| JP2009015303A (ja) * | 2007-06-04 | 2009-01-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 導光板ユニット、面光源装置及び液晶表示装置 |
| US8947772B2 (en) | 2006-08-31 | 2015-02-03 | Moxtek, Inc. | Durable, inorganic, absorptive, ultra-violet, grid polarizer |
| CN107783213A (zh) * | 2016-08-30 | 2018-03-09 | 环视先进数字显示无锡有限公司 | 微米led显示模组的多阶光栅膜的制造方法和显示模组 |
-
1995
- 1995-12-26 JP JP7351448A patent/JPH09178943A/ja not_active Abandoned
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1200874A1 (en) * | 1999-07-28 | 2002-05-02 | Moxtek | Image projection system with a polarizing beam splitter |
| EP1200874B1 (en) * | 1999-07-28 | 2014-03-12 | Moxtek | Image projection system with a polarizing beam splitter |
| JP2003508813A (ja) * | 1999-09-07 | 2003-03-04 | モックステック | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
| JP4672944B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2011-04-20 | モックステック・インコーポレーテッド | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
| WO2002091044A1 (fr) * | 2001-04-26 | 2002-11-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dispositif de polarisation et son procede de fabrication |
| US7289173B2 (en) | 2001-04-26 | 2007-10-30 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Polarizing device, and method for manufacturing the same |
| KR100642003B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2006-11-02 | 엘지전자 주식회사 | 와이어 그리드 편광판, 그의 제조 방법 및 그를 갖는백라이트 유닛 |
| US8947772B2 (en) | 2006-08-31 | 2015-02-03 | Moxtek, Inc. | Durable, inorganic, absorptive, ultra-violet, grid polarizer |
| KR100777747B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2007-11-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 편광자 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| JP2009015303A (ja) * | 2007-06-04 | 2009-01-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 導光板ユニット、面光源装置及び液晶表示装置 |
| CN107783213A (zh) * | 2016-08-30 | 2018-03-09 | 环视先进数字显示无锡有限公司 | 微米led显示模组的多阶光栅膜的制造方法和显示模组 |
| CN107783213B (zh) * | 2016-08-30 | 2019-12-10 | 环视先进数字显示无锡有限公司 | 微米led显示模组的多阶光栅膜的制造方法和显示模组 |
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