JPS5854364B2 - イソウコウゾウブツタイノカンサツホウホウ - Google Patents
イソウコウゾウブツタイノカンサツホウホウInfo
- Publication number
- JPS5854364B2 JPS5854364B2 JP8476775A JP8476775A JPS5854364B2 JP S5854364 B2 JPS5854364 B2 JP S5854364B2 JP 8476775 A JP8476775 A JP 8476775A JP 8476775 A JP8476775 A JP 8476775A JP S5854364 B2 JPS5854364 B2 JP S5854364B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- light
- substrate
- component
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、成る屈折率を有する物質の基板上に形成され
た、これと異る屈折率を有する透明な物質の薄膜からな
る位相構造体の観察方法に関する。
た、これと異る屈折率を有する透明な物質の薄膜からな
る位相構造体の観察方法に関する。
たとえば、透明ガラス基板上に透明な導電性物質の電極
パターンが薄膜状に蒸着された物体などにおいて、この
パターン形状の測定、ハ%jl−ン上の疵の検査などの
目的で、透明物質パターンの観察が必要になるか、二般
にこのような物質における透明物質パターンの観察は、
透過方式および反射方式のいずれによっても非常に困難
である。
パターンが薄膜状に蒸着された物体などにおいて、この
パターン形状の測定、ハ%jl−ン上の疵の検査などの
目的で、透明物質パターンの観察が必要になるか、二般
にこのような物質における透明物質パターンの観察は、
透過方式および反射方式のいずれによっても非常に困難
である。
本発明は、このような薄膜からなる位相構造体のパター
ンを観察するための簡便かつ確実な方法を提供するもの
である。
ンを観察するための簡便かつ確実な方法を提供するもの
である。
すなわち、本発明の方法は、基板表面からの反射光また
は薄膜表面からの反射光の一編光成分がほとんどゼロと
なる入射角度で平行光束を入射させ、上記偏光成分と直
角方向の偏光成分を除いて観察を行なうもので、前記基
板または薄膜の一方からの反射のみが観察されるため、
きわめて容易に薄膜パターンの確認を行なうことができ
る。
は薄膜表面からの反射光の一編光成分がほとんどゼロと
なる入射角度で平行光束を入射させ、上記偏光成分と直
角方向の偏光成分を除いて観察を行なうもので、前記基
板または薄膜の一方からの反射のみが観察されるため、
きわめて容易に薄膜パターンの確認を行なうことができ
る。
反射面に平行光束を成る入射角で入射させたばあい、そ
の反射光は、入射面に直角方向のS偏光成分と、入射面
内のP偏光成分とからなり、両偏光成分の割合は入射角
によって変化する。
の反射光は、入射面に直角方向のS偏光成分と、入射面
内のP偏光成分とからなり、両偏光成分の割合は入射角
によって変化する。
そして、入射角がブリュスター角と呼ばれる角度になっ
たとき、P偏光成分はほとんどゼロとなる。
たとき、P偏光成分はほとんどゼロとなる。
このブリュスター角は、基板のように比較的厚肉の物体
のばあい基板物質の屈折率により定まり、薄膜のばあい
には該薄膜の厚さにも影響される。
のばあい基板物質の屈折率により定まり、薄膜のばあい
には該薄膜の厚さにも影響される。
本発明は、この現象を利用して位相構造物体の観察を行
なうものである。
なうものである。
すなわち、基板とこれに形成された透明薄膜からなる位
相構造体とが異った屈折率を有するため、たとえば基板
からの反射光のP偏光成分がゼロとなる入射角において
は、透明薄膜からの反射光のP偏光成分は成るレベルだ
け存在する。
相構造体とが異った屈折率を有するため、たとえば基板
からの反射光のP偏光成分がゼロとなる入射角において
は、透明薄膜からの反射光のP偏光成分は成るレベルだ
け存在する。
したがって、この入射角で平行光束を入射させ、反射光
をたとえば偏光フィルターに通してS偏光成分を除けば
、透明薄膜からの反射光のP偏光成分のみが十分なコン
トラストで観察されるようになる。
をたとえば偏光フィルターに通してS偏光成分を除けば
、透明薄膜からの反射光のP偏光成分のみが十分なコン
トラストで観察されるようになる。
もち論、透明薄膜からの反射光のP偏光成分がほぼゼロ
となる入射角を採用してもよく、またS偏光成分の除去
のためには入射光を偏光フィルターに通してもよい。
となる入射角を採用してもよく、またS偏光成分の除去
のためには入射光を偏光フィルターに通してもよい。
以下、本発明を図について更に詳細に説明すると、第1
図において、透明ガラスのような物質の基板1上に透明
電極2の薄膜からなる位相構造物体が蒸着形成されてお
り、その表面に、入射角φで平行光束を入射させると、
この光束はそれぞれ基板10表面および薄膜20表面で
反射される。
図において、透明ガラスのような物質の基板1上に透明
電極2の薄膜からなる位相構造物体が蒸着形成されてお
り、その表面に、入射角φで平行光束を入射させると、
この光束はそれぞれ基板10表面および薄膜20表面で
反射される。
此処で基板1の屈折率を1.5、薄膜2の屈折率をλ
2.0、膜厚を−とすると、基板10表面からの反射光
のS偏光成分およびP偏光成分はそれぞれ第2図に曲線
3Sおよび3Pで示すように入射角φに応じて変化する
。
のS偏光成分およびP偏光成分はそれぞれ第2図に曲線
3Sおよび3Pで示すように入射角φに応じて変化する
。
また、薄膜2からの反射光のS偏光成分およびP偏光成
分の変化は第2図に48および4Pで示す通りである。
分の変化は第2図に48および4Pで示す通りである。
すなわち、入射角φ−1,において基板1かもの反射光
のP偏光外はゼロとなり、ψ−if において薄膜2
からの反射光のP偏光成分はゼロとなる。
のP偏光外はゼロとなり、ψ−if において薄膜2
からの反射光のP偏光成分はゼロとなる。
したがって、入射角をi−たはifに設定し、入射光ま
たは反射光を偏光フィルターに通してS偏光成分を除去
することにより、薄膜2のパターンを十分なコントラス
トで観察することができる。
たは反射光を偏光フィルターに通してS偏光成分を除去
することにより、薄膜2のパターンを十分なコントラス
トで観察することができる。
第1図は透明薄膜を有する基板に当てられた平行光束の
反射を示す概略図、第2図は反射光の偏光成分を反射率
で示す図表である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・薄膜、φ・・・・
・・入射角。
反射を示す概略図、第2図は反射光の偏光成分を反射率
で示す図表である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・薄膜、φ・・・・
・・入射角。
Claims (1)
- 1 成る屈折率を有する物質の基板上に形成された、こ
れと異る屈折率を有する透明な物質の薄膜からなる位相
構造物体の観察方法において、前記基板表面からの反射
光または前記薄膜表面からの反射光の一編光成分がほと
んどゼロとなる入射角度で平行光束を入射させ、上記偏
光成分と直角方向の偏光成分を除いて観察を行なうこと
を特徴とする位相構造物体の観察方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8476775A JPS5854364B2 (ja) | 1975-07-10 | 1975-07-10 | イソウコウゾウブツタイノカンサツホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8476775A JPS5854364B2 (ja) | 1975-07-10 | 1975-07-10 | イソウコウゾウブツタイノカンサツホウホウ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS528839A JPS528839A (en) | 1977-01-24 |
JPS5854364B2 true JPS5854364B2 (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=13839819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8476775A Expired JPS5854364B2 (ja) | 1975-07-10 | 1975-07-10 | イソウコウゾウブツタイノカンサツホウホウ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5854364B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5530872A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-04 | Fujitsu Ltd | Method of inspecting printed board pattern |
JPS5552283A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Fujitsu Ltd | Method of detecting printed board pattern |
JPS55104743A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-11 | Fujitsu Ltd | Method for inspecting substrate |
JPS56101112A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-13 | Fujitsu Ltd | Exposure method |
JPS58100705A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Sharp Corp | 透明体の観測装置 |
JPS59116515A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Hitachi Ltd | 偏光透過赤外吸収スペクトルの測定法 |
JPS6131909A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-14 | Hitachi Ltd | 金属物体の立体形状検出装置およびその方法 |
-
1975
- 1975-07-10 JP JP8476775A patent/JPS5854364B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS528839A (en) | 1977-01-24 |
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