JPS6286307A - グレ−テイングカツプラ - Google Patents
グレ−テイングカツプラInfo
- Publication number
- JPS6286307A JPS6286307A JP22492785A JP22492785A JPS6286307A JP S6286307 A JPS6286307 A JP S6286307A JP 22492785 A JP22492785 A JP 22492785A JP 22492785 A JP22492785 A JP 22492785A JP S6286307 A JPS6286307 A JP S6286307A
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- JP
- Japan
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- layer
- grating
- light
- buffer layer
- reflective
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はグレーティングカップラに関し、特に単一ビー
ムグレーティングカッシラに関する。
ムグレーティングカッシラに関する。
従来、薄膜光導波路内に光波を入力させたり薄膜導波路
内を伝搬する光波を出力させたシするための手段として
グレーティング構造を有する力。
内を伝搬する光波を出力させたシするための手段として
グレーティング構造を有する力。
シラが提案されている。
第６図は従来のグレーティングカップラの代表例を示す
模式的断面図である。図において、２は光導波路基板で
あシ、たとえばＬｉＮｂＯ３からなる。
模式的断面図である。図において、２は光導波路基板で
あシ、たとえばＬｉＮｂＯ３からなる。
１は該基板の表面上に形成された薄膜光導波路層であシ
、該層は基板２の材料の表面からＴｉ拡散やゾロトン交
換を行なうことにより形成される。３は光導波路層１に
形成されたグレーティング構造でアシ、該構造はフォト
リソグラフィー技術によシ光導波路層１の表面に所定ピ
ッチにてストライゾ状に溝を作製することによシ形成さ
れる。
、該層は基板２の材料の表面からＴｉ拡散やゾロトン交
換を行なうことにより形成される。３は光導波路層１に
形成されたグレーティング構造でアシ、該構造はフォト
リソグラフィー技術によシ光導波路層１の表面に所定ピ
ッチにてストライゾ状に溝を作製することによシ形成さ
れる。
この種のグレーティングカップラは光導波路層ｌ上にプ
リズムを接合してなるプリズムカッシラに比べて平面構
造であることから光回路の集積化に有用であると考えら
れている。
リズムを接合してなるプリズムカッシラに比べて平面構
造であることから光回路の集積化に有用であると考えら
れている。
しかして、上す己グレーティングカッシラでｔよ、第６
回に示される様に、光導波路層１内を伝搬する導波光４
がグレーティング構造３に到４すると空気側への放射光
５と基板側への放射光６とに分離され【出射される。両
数射光５．６の・母ワーの比はグレーティング構造３の
屈折率分布やグレーティング形状によって変化するが、
たとえば空気側へ６０チ出射され基板側へ４（ｌ出射さ
れる。
回に示される様に、光導波路層１内を伝搬する導波光４
がグレーティング構造３に到４すると空気側への放射光
５と基板側への放射光６とに分離され【出射される。両
数射光５．６の・母ワーの比はグレーティング構造３の
屈折率分布やグレーティング形状によって変化するが、
たとえば空気側へ６０チ出射され基板側へ４（ｌ出射さ
れる。
該グレーティングカッグラ全入力カッグッとして利用す
る場合には空気側からは入力許容量の６０チしか入射さ
せることができず基板側からは入力許容量の４０係しか
入射させることができない。
る場合には空気側からは入力許容量の６０チしか入射さ
せることができず基板側からは入力許容量の４０係しか
入射させることができない。
光回路を構成するにおいては、薄膜光導波路と空気側あ
るいは基板側のうちのいづれか一方との高効率の光結合
を行なうのが好ましく、このため空気側めるいは基板側
のいづれか一方と選択的に結合を行なうグレーティング
カッシラが望ましい。
るいは基板側のうちのいづれか一方との高効率の光結合
を行なうのが好ましく、このため空気側めるいは基板側
のいづれか一方と選択的に結合を行なうグレーティング
カッシラが望ましい。
この様なグレーティングカッシラｔま単一ビームカップ
ラと呼ばれる。
ラと呼ばれる。
以上の様なグレーティングカップラの選択的結合の効率
に関する考察については、ＲｏＵｌｒｌｃｈ。
に関する考察については、ＲｏＵｌｒｌｃｈ。
”Ｅｆｆｌｃｌｅｎｏｙ ｏｆ ｏｐｔｉｃａｌ−ｇｒ
ａｔｉｎｇ ａｏｕｐｌ＠ｒｓ ”Ｊ、Ｏｐｔ。
ａｔｉｎｇ ａｏｕｐｌ＠ｒｓ ”Ｊ、Ｏｐｔ。
Ｓｏｃ、Ａｎ、６３，１１．ｐｐ、１４１９〜１４３１
（Ｎｏｖ、１９７３ ）に詳しい記述がある。
（Ｎｏｖ、１９７３ ）に詳しい記述がある。
上記の単一ビーム力ッゾラとしては従来いくつかのグレ
ーティングカッシラが提案されており、第７〜８図にそ
の模式的断面図金示す。尚、これらの図面においては上
記第６図におけると同様の部材には同一の符号が付され
ている。
ーティングカッシラが提案されており、第７〜８図にそ
の模式的断面図金示す。尚、これらの図面においては上
記第６図におけると同様の部材には同一の符号が付され
ている。
第７図はグレーティング構造としてブレーズ化されたも
のを用いた例であり、これにより空気側への放射光５の
割合を高め基板側への放射光６の割合を低下させること
ができる。
のを用いた例であり、これにより空気側への放射光５の
割合を高め基板側への放射光６の割合を低下させること
ができる。
しかしながら、この種のグレーティング構造の形成は一
般に光導波路層表面全科め入射のイオンビームで加工す
ることによシ行なわれるが、ブレーズ角を設計値通りに
作製するためには極めて高度の加工技術金要し、再現性
が低いなどの問題があった。また、グレーティング力、
シラは通常サラミクロンの周期を有しているため広い面
積にわたって精度の良いブレーズ形状を得るのは困難で
あるという問題もあった。
般に光導波路層表面全科め入射のイオンビームで加工す
ることによシ行なわれるが、ブレーズ角を設計値通りに
作製するためには極めて高度の加工技術金要し、再現性
が低いなどの問題があった。また、グレーティング力、
シラは通常サラミクロンの周期を有しているため広い面
積にわたって精度の良いブレーズ形状を得るのは困難で
あるという問題もあった。
第８図はグレーディング構ｉｈとして通常のグレーティ
ングカッシラに比べてかな多周期の小さいもの金用い、
空気側へは全反射とし基板側への放射光のみ全取出そう
とする側を示すものである。
ングカッシラに比べてかな多周期の小さいもの金用い、
空気側へは全反射とし基板側への放射光のみ全取出そう
とする側を示すものである。
この様なグレーティングカッシラはリバース力。
シラと呼ばれる。
しかしながら、このグレーティングカッシラはグレーテ
ィング周期を小さくする必要があるので作製が困難でめ
シ、また基板側放射光６を該基板外へと取出すためにプ
リズム７を必要とし、平面構造且つ小型であるというグ
レーティングカッシラの特長が損なわれるという問題点
があった。
ィング周期を小さくする必要があるので作製が困難でめ
シ、また基板側放射光６を該基板外へと取出すためにプ
リズム７を必要とし、平面構造且つ小型であるというグ
レーティングカッシラの特長が損なわれるという問題点
があった。
本発明によれば、以上の如き従来技術の問題点を解決す
るものとして、光導波路層の一部にグレーティング構造
が形成されており、該グレーティング構造の片面側に反
射構造層が付設されていることを特徴とする、グレーテ
ィングカッシラが提供される。
るものとして、光導波路層の一部にグレーティング構造
が形成されており、該グレーティング構造の片面側に反
射構造層が付設されていることを特徴とする、グレーテ
ィングカッシラが提供される。
〔実施例〕
以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。
する。
第１図は本発明グレーティングカッシラの第１の実施例
全話す模式的断面図である。本図においては上記第６図
におけると同様の部材には同一の符号が付されており、
これらについてはここでは説明を省略する。
全話す模式的断面図である。本図においては上記第６図
におけると同様の部材には同一の符号が付されており、
これらについてはここでは説明を省略する。
第１図において、グレーティング構造３の上面には誘導
体からなるバッファ層１０が形成されており、その膜厚
はｄである。該バッファ層１０の上面には金属からなる
反射層１１が形成されている。該パ、ファ層１０と反射
層１１とで反射構造層が構成される。
体からなるバッファ層１０が形成されており、その膜厚
はｄである。該バッファ層１０の上面には金属からなる
反射層１１が形成されている。該パ、ファ層１０と反射
層１１とで反射構造層が構成される。
光導波路層１内を伝搬する導波光４がグレーティング構
造３に到達すると、バッファ層１０側−＼の放射光と基
板２側への放射光とに分岐されて出射せしめられる。パ
、ファ層側への放射光１２は上部の金属反射層１１によ
り反射されて先導波路層１に入射し、その一部は該導波
路層１内の導波光に結合され他の一部は該光導波路１′
ｆｒ：通過して基板側へと入射する。かくして基板側へ
と入射した光６′は上記基板側への放射光６と重ねあわ
される。
造３に到達すると、バッファ層１０側−＼の放射光と基
板２側への放射光とに分岐されて出射せしめられる。パ
、ファ層側への放射光１２は上部の金属反射層１１によ
り反射されて先導波路層１に入射し、その一部は該導波
路層１内の導波光に結合され他の一部は該光導波路１′
ｆｒ：通過して基板側へと入射する。かくして基板側へ
と入射した光６′は上記基板側への放射光６と重ねあわ
される。
第２図（＆）〜（ｅ）は本実施例グレーティング力、デ
ラの作製工程を示す模式的断面図でおる。
ラの作製工程を示す模式的断面図でおる。
先ず、Ｙカッ） ＬＩＮｂＯ，結晶基板２０両面全光学
研磨した後にその片面にＴｉ拡散またはゾロトン交換等
により全面に光導波路層１を形成する〔第２図（ａ）〕
。次に、光導波路層１上にフォトレジスト（ＡＺ １
３５０など）を塗布し、アルゴンレーザ光（波長０．４
８８μＰｎ）を用いた２光束干渉法を行ない、現像・定
着にニジフォトレゾスト１３をグレーティング・母ター
ン形状となす〔第２図（ｂ）〕。次に、７オトレジスト
１３をマスクとしてアルプンイオンビーム加工を行ない
光導波路層１の表面の所望の領域を凹凸形状とした後に
フォトレジストを除去し、グレーティング構造３全形成
する〔第２図（Ｃ）〕。次に、５１０２’ｅアルコール
で希釈した液またＦｉＰＭＭＡなどの液全上記グレーテ
ィング構造３上にスピナー塗布し、該塗布層の表面を平
坦として硬化させてパ、ファ層１０全形成する〔第２図
（ｄ） ） ９該バツフアＩ閃１０の厚さｄはスピナー
の回転敷金制御することにより所望の値に設定すること
ができる。
研磨した後にその片面にＴｉ拡散またはゾロトン交換等
により全面に光導波路層１を形成する〔第２図（ａ）〕
。次に、光導波路層１上にフォトレジスト（ＡＺ １
３５０など）を塗布し、アルゴンレーザ光（波長０．４
８８μＰｎ）を用いた２光束干渉法を行ない、現像・定
着にニジフォトレゾスト１３をグレーティング・母ター
ン形状となす〔第２図（ｂ）〕。次に、７オトレジスト
１３をマスクとしてアルプンイオンビーム加工を行ない
光導波路層１の表面の所望の領域を凹凸形状とした後に
フォトレジストを除去し、グレーティング構造３全形成
する〔第２図（Ｃ）〕。次に、５１０２’ｅアルコール
で希釈した液またＦｉＰＭＭＡなどの液全上記グレーテ
ィング構造３上にスピナー塗布し、該塗布層の表面を平
坦として硬化させてパ、ファ層１０全形成する〔第２図
（ｄ） ） ９該バツフアＩ閃１０の厚さｄはスピナー
の回転敷金制御することにより所望の値に設定すること
ができる。
次に、該バッファ層１０上にＡｊを蒸着して反射層１１
を形成する〔第２図（ｅ）〕。
を形成する〔第２図（ｅ）〕。
尚、バッファ層１０及び反射層１１はグレーティング構
造３以外の領域上にも形成されるが、続いてフォｌ−Ｉ
Ｊソゲラフイー技術により該領域上のバッファ層及び反
射ｔｔａを除去することもできる。
造３以外の領域上にも形成されるが、続いてフォｌ−Ｉ
Ｊソゲラフイー技術により該領域上のバッファ層及び反
射ｔｔａを除去することもできる。
本実施例においては、／？ッファ層１０の層厚ｄは、光
反射層１１により反射された光１２の一部が光導波路層
１全通過して基板２への入射光６′となる際に基板側へ
の放射光６と位相が揃う（位相整合）様にすることがで
き、これによシ基板側へ効率良く光を出射せしめること
ができる。
反射層１１により反射された光１２の一部が光導波路層
１全通過して基板２への入射光６′となる際に基板側へ
の放射光６と位相が揃う（位相整合）様にすることがで
き、これによシ基板側へ効率良く光を出射せしめること
ができる。
この様な位相整合を行なうためには、上記バッファ層１
０がグレーティング構造の凹凸形状を埋め且つ上面が平
坦であることが必戟であり、四に該バッファ層１０は光
学的損失が少ないことが望ましく、また核パ、ファＷ１
１０の形成に際してはその層厚の制御が容易であること
が望ましい。
０がグレーティング構造の凹凸形状を埋め且つ上面が平
坦であることが必戟であり、四に該バッファ層１０は光
学的損失が少ないことが望ましく、また核パ、ファＷ１
１０の形成に際してはその層厚の制御が容易であること
が望ましい。
以下、該位相整合条件について説明する。パ。
ファ層１０により位相聚合をとるためには、第３図に示
される様な構造における反射率が極大となる条件を求め
ればよい０反射率極大の条件は、パ、ファ層１０と金属
反射層１１との界面における位相シフトがπであること
を考慮すると、であり、この条件下で位相整合が得られ
る。ここで）ｎｌはバッファ層１０の屈折率でろり、θ
、はバッファ層１０内での入射角であり、ｍ ＦｉＯま
たは正の整数であり、λはＡ仝中での光波長である。
される様な構造における反射率が極大となる条件を求め
ればよい０反射率極大の条件は、パ、ファ層１０と金属
反射層１１との界面における位相シフトがπであること
を考慮すると、であり、この条件下で位相整合が得られ
る。ここで）ｎｌはバッファ層１０の屈折率でろり、θ
、はバッファ層１０内での入射角であり、ｍ ＦｉＯま
たは正の整数であり、λはＡ仝中での光波長である。
第４図は、光導波路層ｌとして目Ｎｂ０５（ｎ−／ｑ
） ２、１７８８ ）を用い、バッファ１＃ １０として８
１０□（ｎ 、−１，５）を用い、金属反射層１１とし
てＭ（ＩＩ ＝ １．９１４ ＋１７．０７８ ）を用
１１人射角θ。
） ２、１７８８ ）を用い、バッファ１＃ １０として８
１０□（ｎ 、−１，５）を用い、金属反射層１１とし
てＭ（ＩＩ ＝ １．９１４ ＋１７．０７８ ）を用
１１人射角θ。
ヲ２θ°とした場合の反射率Ｒとパ、ファ層１０の厚さ
との関係を示すグラフ（実線）で必る。尚、本図におい
ては参考のため反射層なしの場合の上記関係全点線で示
す。
との関係を示すグラフ（実線）で必る。尚、本図におい
ては参考のため反射層なしの場合の上記関係全点線で示
す。
尚、バッファ層１０が薄い場合には導波光自体がリーキ
ーとなって反射層１１内にしみ出して吸収される。従っ
て、導波光の伝搬損失を低くするためにはバッファＪ−
１０をめる程度厚くしておく必要がある。摂動法によっ
て損失を評価した結果、波長λ−０，７８μｍにおいて
ＳｉＯ□バッファ層１０の厚さｄが０．５μｍ以上であ
れば０．１ ｄＢ ／ ｃｍ以下の損失に押えられるこ
とが明らかとなった。
ーとなって反射層１１内にしみ出して吸収される。従っ
て、導波光の伝搬損失を低くするためにはバッファＪ−
１０をめる程度厚くしておく必要がある。摂動法によっ
て損失を評価した結果、波長λ−０，７８μｍにおいて
ＳｉＯ□バッファ層１０の厚さｄが０．５μｍ以上であ
れば０．１ ｄＢ ／ ｃｍ以下の損失に押えられるこ
とが明らかとなった。
以上から、位相整合条件としてはｍが２以上の条件が好
ましいことが分った。ｍ ＝ ２の場合にはｄ／λ−０
，９４となる。第４図にこの条件を矢印にて示す。λ−
０，７８μｍの場合に反射率の低減を２％以内とするた
めには、バッファ層１０の厚さｄを０、７３３−：ｌ：
０．０５１４ｍとすればよい。この精度の層厚制御は通
常のスピナー塗布において回転数ｖＭ節によシ容易に達
成し得る。
ましいことが分った。ｍ ＝ ２の場合にはｄ／λ−０
，９４となる。第４図にこの条件を矢印にて示す。λ−
０，７８μｍの場合に反射率の低減を２％以内とするた
めには、バッファ層１０の厚さｄを０、７３３−：ｌ：
０．０５１４ｍとすればよい。この精度の層厚制御は通
常のスピナー塗布において回転数ｖＭ節によシ容易に達
成し得る。
かくして、位相整合条件音溝たす様に作製した本実施例
のグレーティング力、デラにおいては入力結合効率が反
射構造層のない従来のグレーティングカップラに比べて
約２倍に増加していることが確かめられた。
のグレーティング力、デラにおいては入力結合効率が反
射構造層のない従来のグレーティングカップラに比べて
約２倍に増加していることが確かめられた。
また、位相整合条件から著しく外れたグレーティングカ
ップラでは入力結合効率が低下するとともに出力時の結
合長（導波光・ｆワーが１／２に減・ 少する長さ）も増大していることが明らかとなり、上記
位相整合条件をほげ満足することが高効率化のために重
要であることが分った。
ップラでは入力結合効率が低下するとともに出力時の結
合長（導波光・ｆワーが１／２に減・ 少する長さ）も増大していることが明らかとなり、上記
位相整合条件をほげ満足することが高効率化のために重
要であることが分った。
以上の実施例においては、・童、ファ層の作製の１１１
にスピンコーティングによる手法が用りられているが、
以下に示す様な手法を用いることもできる。
にスピンコーティングによる手法が用りられているが、
以下に示す様な手法を用いることもできる。
（１）高分子の重合膜の堆積、
（２） 電子ビーム法、ス・譬、夕法による堆積、（
３） 液相エピタキシー（ＬＰＥ ） 、分子線エピ
タキシー（ＭＢＥ）、熱分解気相成長（ＭＯＣＶＤ ）
等の手法による堆積、 これらの手法によればバッファ層材料を堆積した時にグ
レーティング構造の表面形状が表面に現われて凹凸形状
となる場合があるが、その場合には加熱や表面エツチン
グ等によって表面を平坦化することができる。
３） 液相エピタキシー（ＬＰＥ ） 、分子線エピ
タキシー（ＭＢＥ）、熱分解気相成長（ＭＯＣＶＤ ）
等の手法による堆積、 これらの手法によればバッファ層材料を堆積した時にグ
レーティング構造の表面形状が表面に現われて凹凸形状
となる場合があるが、その場合には加熱や表面エツチン
グ等によって表面を平坦化することができる。
更に、本発明グレーティングカップラにおいてはグレー
ティング構造は屈折率分布型のものであってもよく、こ
の場合には上記の様なパ、ファ層材料の堆積後には表面
が平坦となるので更に平坦化のゾロセスを行なう必要は
なくなる〇また、上記実施例においては反射構造層を構
成する反射層として金属からなるものが用いられている
が、本発明においては反射層として多層膜からなるもの
を用いることもできる。この実施例の模式的断面図を第
５図に示す、この場合には多層膜１４の構成とパ、ファ
層の厚さとの設計については上記実施例と同様に反射率
の極大化をはかれば同様にして直効率化が実現できる。
ティング構造は屈折率分布型のものであってもよく、こ
の場合には上記の様なパ、ファ層材料の堆積後には表面
が平坦となるので更に平坦化のゾロセスを行なう必要は
なくなる〇また、上記実施例においては反射構造層を構
成する反射層として金属からなるものが用いられている
が、本発明においては反射層として多層膜からなるもの
を用いることもできる。この実施例の模式的断面図を第
５図に示す、この場合には多層膜１４の構成とパ、ファ
層の厚さとの設計については上記実施例と同様に反射率
の極大化をはかれば同様にして直効率化が実現できる。
以上の様な本発明によれｔ、ｒ、従来のグレーティング
カップラにバッファ層と反射層とからなる反射構造層を
付するという比較的簡単な構成によシ、はぼ平板状の単
一ビームグレーティングカッゾラを得ることができる。
カップラにバッファ層と反射層とからなる反射構造層を
付するという比較的簡単な構成によシ、はぼ平板状の単
一ビームグレーティングカッゾラを得ることができる。
また、反射構造層の位相整合条件をほぼ満足せしめるこ
とによシ従来のグレーティングカップラに比べ【入力結
合効率及び出力結合効率ともに著しく向上させることが
できる。
とによシ従来のグレーティングカップラに比べ【入力結
合効率及び出力結合効率ともに著しく向上させることが
できる。
第１図及び第５図は本発明グレーティングカップラを示
す模式的断面図である。 第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明グレーティングカッシラ
の作製工程を示す模式的断面図である。 第３図は位相整合条件を説明するための模式的断面図で
ある。 第４図はパ、ファ層厚と反射率との関係を示すグラフで
ある。 第６図〜第８図は従来のグレーティングカップｒ１３） うを示す模式的断面図でおる。 に光導波路層、２；基板、３ニゲレーテイング構造、１
０：１２７７層、１１，１４：反射層。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第 １ 閃 第３図 第５Ｎ
す模式的断面図である。 第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明グレーティングカッシラ
の作製工程を示す模式的断面図である。 第３図は位相整合条件を説明するための模式的断面図で
ある。 第４図はパ、ファ層厚と反射率との関係を示すグラフで
ある。 第６図〜第８図は従来のグレーティングカップｒ１３） うを示す模式的断面図でおる。 に光導波路層、２；基板、３ニゲレーテイング構造、１
０：１２７７層、１１，１４：反射層。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第 １ 閃 第３図 第５Ｎ
Claims (5)
- （１）光導波路層の一部にグレーティング構造が形成さ
れており、該グレーティング構造の片面側に反射構造層
が付設されていることを特徴とする、グレーティングカ
ップラ。 - （２）反射構造層がグレーティング構造上に形成された
誘電体層と該誘電体層上に形成された反射層とを有する
、特許請求の範囲第１項のグレーティングカップラ。 - （３）反射層が金属からなる、特許請求の範囲第２項の
グレーティングカップラ。 - （４）反射層が多層膜からなる、特許請求の範囲第２項
のグレーティングカップラ。 - （５）反射構造層が、入力光または出力光の位相整合条
件をほぼ満足し且つ光導波路層を伝搬する導波光の伝搬
損失がそれ程高くならない様に設定されている、特許請
求の範囲第１項のグレーティングカップラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22492785A JPS6286307A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | グレ−テイングカツプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22492785A JPS6286307A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | グレ−テイングカツプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286307A true JPS6286307A (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=16821350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22492785A Pending JPS6286307A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | グレ−テイングカツプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286307A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5410622A (en) * | 1992-08-21 | 1995-04-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical integrated circuit having light detector |
| US5436991A (en) * | 1992-01-11 | 1995-07-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical waveguide device |
| US5631994A (en) * | 1995-08-23 | 1997-05-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Structured surface light extraction overlay and illumination system |
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