JPS63254404A - 光合分波器 - Google Patents
光合分波器Info
- Publication number
- JPS63254404A JPS63254404A JP8889787A JP8889787A JPS63254404A JP S63254404 A JPS63254404 A JP S63254404A JP 8889787 A JP8889787 A JP 8889787A JP 8889787 A JP8889787 A JP 8889787A JP S63254404 A JPS63254404 A JP S63254404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- waveguides
- demultiplexer
- wavelength
- coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 33
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、簡易な構造にして、阻止域減衰量の大きな方
向性結合形光合分波器に関するものである。
向性結合形光合分波器に関するものである。
(従来の技術)
従来の方向性結合器形光合分波器の構成を第3図に示す
。
。
第3図において、1は第1の導波路、2は第2の導波路
、3は間隔を設けた平行導波路から成る結合部、4は第
1の導波路1と第2の導波路2との間隔を広げ、結合部
3以外での結合を生じさせないために設けた展開部、5
−1および5−2はそれぞれ第1の導波路lの入射端お
よび出射端、6−1および6−2はそれぞれ第2の導波
路20入射端および出射端である。
、3は間隔を設けた平行導波路から成る結合部、4は第
1の導波路1と第2の導波路2との間隔を広げ、結合部
3以外での結合を生じさせないために設けた展開部、5
−1および5−2はそれぞれ第1の導波路lの入射端お
よび出射端、6−1および6−2はそれぞれ第2の導波
路20入射端および出射端である。
第1の導波路lおよび第2の導波路2の導波路パラメー
タはほぼ等しくしである。
タはほぼ等しくしである。
結合部3の波長λにおける結合係数を元□、結合部3の
長さを!とすれば、第1の導波路1の入射端5−1から
出射端5−2への光電力伝達係数T、および第2の導波
路2の出射端6−2への光電力伝達係数T2は次式で表
わすことができる。
長さを!とすれば、第1の導波路1の入射端5−1から
出射端5−2への光電力伝達係数T、および第2の導波
路2の出射端6−2への光電力伝達係数T2は次式で表
わすことができる。
TI =−101oglcos (ZA ・I!、)
l ” (1)T2 =−101oglsin
(zλ・l) l ” (2)第4図に光電力伝
達係数T、、T、を破線で示す。横軸はχλ・尼である
。
l ” (1)T2 =−101oglsin
(zλ・l) l ” (2)第4図に光電力伝
達係数T、、T、を破線で示す。横軸はχλ・尼である
。
χλ・ff1=nπ(ただしnは正の整数)のとき、T
I = Od B、 Tz =■となり、χ□ ・1=
(n+4)rtのとき、T、=(X)、Tz=OdBと
なることがわかる。結合係数χ□は波長の増大とともに
増大する傾向を有するので、χ2、・f=nπ。
I = Od B、 Tz =■となり、χ□ ・1=
(n+4)rtのとき、T、=(X)、Tz=OdBと
なることがわかる。結合係数χ□は波長の増大とともに
増大する傾向を有するので、χ2、・f=nπ。
χ□2・1= (n+4)π(ただしλ2>λl)とな
るような結合係数λ、結合長!、正の整数nを選べば、
波長λ1でTI =OdBST、−ω、波長λ2 (>
λl)でT、=■、Tz=OdBとなり、波長し、λ2
の光合分波器が得られる。
るような結合係数λ、結合長!、正の整数nを選べば、
波長λ1でTI =OdBST、−ω、波長λ2 (>
λl)でT、=■、Tz=OdBとなり、波長し、λ2
の光合分波器が得られる。
またχλ□・l= (n+))π、χλ、・1=(n+
1)π(ただしλ2>λI)となるようなλ、l、nを
選べば、波長λ、でT、=ω、T2=OdB、波長λ2
(>λl)でT、=OdB、Tz=ωとなり、前述の
光合分波器と対をなす光合分波器が得られる。
1)π(ただしλ2>λI)となるようなλ、l、nを
選べば、波長λ、でT、=ω、T2=OdB、波長λ2
(>λl)でT、=OdB、Tz=ωとなり、前述の
光合分波器と対をなす光合分波器が得られる。
第3図に示すように従来の光合分波器の欠点は、高い減
衰量が得られる阻止域が狭帯域な点にある。
衰量が得られる阻止域が狭帯域な点にある。
第4図は直接、波長選択特性を示すものではないが、χ
ルが波長の増加に対して単調に増加することを考慮すれ
ば、ほぼ波長選択特性に対応する変化を示していること
がわかる。
ルが波長の増加に対して単調に増加することを考慮すれ
ば、ほぼ波長選択特性に対応する変化を示していること
がわかる。
そこでT + 、 T z≦0.5 d Bとなるχ
lの幅Δ。、、およびTI 、Tz≧25dBとなるχ
lの幅425を、TI、Tt =Od BからT1.T
2 =■に変化するχ!の間隔Δ。−■で規格化して示
すと次式となる。
lの幅Δ。、、およびTI 、Tz≧25dBとなるχ
lの幅425を、TI、Tt =Od BからT1.T
2 =■に変化するχ!の間隔Δ。−■で規格化して示
すと次式となる。
Δ。、、/Δ。−。= 0.428
(3)J 2%/Δ、−−=0.072
(4)Δ。、、゛は光合分波器の通過域幅に対応
するものであり、7□、は光合分波器の阻止域幅に対応
するものであって、両者はほぼ等しいことが望ましい。
(3)J 2%/Δ、−−=0.072
(4)Δ。、、゛は光合分波器の通過域幅に対応
するものであり、7□、は光合分波器の阻止域幅に対応
するものであって、両者はほぼ等しいことが望ましい。
しかしく3)式、(4)式に見られるように、阻止域幅
が通過域幅に比べて極端に狭くなっており、従来の光合
分波器を光伝送システムに適用するためには、干渉フィ
ルタを付加して阻止域特性を向上するなどの補助手段が
必要であった。
が通過域幅に比べて極端に狭くなっており、従来の光合
分波器を光伝送システムに適用するためには、干渉フィ
ルタを付加して阻止域特性を向上するなどの補助手段が
必要であった。
また第3図の展開部4で導波路損失を小さくするために
は、曲率半径が大きなことが望ましい。
は、曲率半径が大きなことが望ましい。
このため展開部4の寸法が大きくり、また結合部3から
展開部4に連続的に移行するので、結合長が実効的に増
大する欠点があった。
展開部4に連続的に移行するので、結合長が実効的に増
大する欠点があった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、従来の方向性結合器形光合分波器に比べて阻
止域幅が広く、かつ小形な方向性結合器形光合分波器を
提供することになる。
止域幅が広く、かつ小形な方向性結合器形光合分波器を
提供することになる。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、ほぼ等しい導波路パラメータを有する第1の
導波路と第2の導波路の少なくとも1区間を接近して平
行に配置し、前記の区間の第1の導波路と第2の導波路
の間に第1、第2の導波路にほぼ等しい導波路パラメー
タを有する所定の長さで無反射の端面を備えた第3の導
波路を設け、第1の導波路と第3の導波路間の結合係数
は第2の導波路と第3の導波路間の結合係数にほぼ等し
い値とし、その結合係数の波長λ1における値をχλ0
、波長λ2 (λ2>λ1)における値をχ□2とした
とき(Jχ□、・2ζ(2n−1) π。
導波路と第2の導波路の少なくとも1区間を接近して平
行に配置し、前記の区間の第1の導波路と第2の導波路
の間に第1、第2の導波路にほぼ等しい導波路パラメー
タを有する所定の長さで無反射の端面を備えた第3の導
波路を設け、第1の導波路と第3の導波路間の結合係数
は第2の導波路と第3の導波路間の結合係数にほぼ等し
い値とし、その結合係数の波長λ1における値をχλ0
、波長λ2 (λ2>λ1)における値をχ□2とした
とき(Jχ□、・2ζ(2n−1) π。
Jz 12 ・f ’ 2 n π) 、または(N
z λI H1−#2 n π。
z λI H1−#2 n π。
Jχ□2・lζ(2n+1) π)となるように、結
合部の長さlと正の整数nを定める。
合部の長さlと正の整数nを定める。
本発明の光合分波器の光電力伝達係数は前記(1)式、
(2)式で表わされる従来の方向性結合器形光合分波器
の2倍となる。このため阻止域幅を増大し、通過域幅を
減少して、両者をほぼ等しい値にすることが可能となる
。
(2)式で表わされる従来の方向性結合器形光合分波器
の2倍となる。このため阻止域幅を増大し、通過域幅を
減少して、両者をほぼ等しい値にすることが可能となる
。
また第1の導波路と第2の導波路の間に第3の導波路を
設けるため、第1の導波路と第2の導波路の結合部の間
隔は、従来の方向性結合器形光合分波器の場合に比べて
約2倍となり、第3の導波路がない領域ではほとんど結
合を生じないので、展開部が不要となる。
設けるため、第1の導波路と第2の導波路の結合部の間
隔は、従来の方向性結合器形光合分波器の場合に比べて
約2倍となり、第3の導波路がない領域ではほとんど結
合を生じないので、展開部が不要となる。
このため直線部分のみで方向性結合器形光合分波器を構
成することが可能となる。さらに結合部から展開部への
連続的な移行が不要となるので、第3の導波路の長さで
結合長を精密に制御できる利点がある。
成することが可能となる。さらに結合部から展開部への
連続的な移行が不要となるので、第3の導波路の長さで
結合長を精密に制御できる利点がある。
(実施例)
第1図は本発明の光合分波器の一実施例を説明する図で
あって、7は基板、8は第1の導波路、9は第2の導波
路、10は第3の導波路、11は結合部、12−1は第
1の導波路8の入力端、12−2は第1の導波路8の出
力端、13−1は第2の導波路9の入力端、13−2は
第2の導波路9の出力端、14−1は第3の導波路10
の入力端、14−2は第3の導波路10窃出力端である
。
あって、7は基板、8は第1の導波路、9は第2の導波
路、10は第3の導波路、11は結合部、12−1は第
1の導波路8の入力端、12−2は第1の導波路8の出
力端、13−1は第2の導波路9の入力端、13−2は
第2の導波路9の出力端、14−1は第3の導波路10
の入力端、14−2は第3の導波路10窃出力端である
。
この実施例においては基板7にシリコンウェハを用いた
。シリコンウェハ上に熱酸化法により4μm厚のSi0
g膜を形成し、この上に高周波スパッタ法を用いて70
59ガラス(商品名)膜を111m形成し、ホトリソグ
ラフィー技術と反応性イオンエツチング技術を用いて、
ストライブ状に加工した後に、高周波スパッタ法により
Sin。
。シリコンウェハ上に熱酸化法により4μm厚のSi0
g膜を形成し、この上に高周波スパッタ法を用いて70
59ガラス(商品名)膜を111m形成し、ホトリソグ
ラフィー技術と反応性イオンエツチング技術を用いて、
ストライブ状に加工した後に、高周波スパッタ法により
Sin。
膜を約4μm形成して、導波路8,9.10とした。
導波路8,9.10の幅は1.5μm1深さは1μmで
あり、導波路8.10の間隙および導波路9、IOの間
隙はともに0.7μmである。導波路10の長さは13
3.7μmである。導波路コアの7059膜の屈折率は
1.53、導波路クラッドのSiO□膜の屈折率は1.
46である。
あり、導波路8.10の間隙および導波路9、IOの間
隙はともに0.7μmである。導波路10の長さは13
3.7μmである。導波路コアの7059膜の屈折率は
1.53、導波路クラッドのSiO□膜の屈折率は1.
46である。
第3の導波路lOの入力端14−1および出力端14−
2は反射性イオンエツチング技術を用いて導波路8,9
.10のストライプ状加工を施す時に基本の法線に対し
て約25度傾斜した端面とし、第3の導波路10内の導
波光に対して無反射、の端面とした。
2は反射性イオンエツチング技術を用いて導波路8,9
.10のストライプ状加工を施す時に基本の法線に対し
て約25度傾斜した端面とし、第3の導波路10内の導
波光に対して無反射、の端面とした。
第1図に示したように、導波路パラメータがほぼ等しい
3本の導波路が、長さlの結合部11を共有するとき、
第1の導波路8の入力端12−1から出力端12−2へ
の光電力伝達係数T1および第2の導波路9の出力端1
3−2べの光電力伝達係数T2は、次の(5)式、(6
)式で表わすことかできる。
3本の導波路が、長さlの結合部11を共有するとき、
第1の導波路8の入力端12−1から出力端12−2へ
の光電力伝達係数T1および第2の導波路9の出力端1
3−2べの光電力伝達係数T2は、次の(5)式、(6
)式で表わすことかできる。
T、 = −10log r 音(cos(Jr z
・7り+1) ”) (5)Tz = −10log
(+ (cos(J Z ・f)−1) ”) (6)
ここでχは第1の導波路8と第3の導波路1゜の間の結
合係数および第2の導波路9と第3の導波路10の間の
結合係数である。
・7り+1) ”) (5)Tz = −10log
(+ (cos(J Z ・f)−1) ”) (6)
ここでχは第1の導波路8と第3の導波路1゜の間の結
合係数および第2の導波路9と第3の導波路10の間の
結合係数である。
了z−ert:肘6T・・1・″8化4(5)式・(6
)式から求めると、第4図に実線で示した特性となる。
)式から求めると、第4図に実線で示した特性となる。
第4図の実線から明らかなように、−z ・l = n
πで(T、 =O,T、 =(X))とσ なり、□χ・l= (n+4)πで(Tt=ω。
πで(T、 =O,T、 =(X))とσ なり、□χ・l= (n+4)πで(Tt=ω。
σ
T z =0 )となる。ここでnは正の整数である。
丁2 z・j!+7)範囲をΔ23、T t 、 T
z = 0がらT、、T、=ωに変化する 76.5/Δ。−■= 0.304 (
7)Δ2./Δ。−■= 0.304
(8)第4図は直接、波長選択特性を示すものではな
いが、χ、が波長の増加に対して単調に増加することを
考慮すれば、ほぼ波長選択特性に対応する変化を示して
いることがわかる。すなわちΔ。、。
z = 0がらT、、T、=ωに変化する 76.5/Δ。−■= 0.304 (
7)Δ2./Δ。−■= 0.304
(8)第4図は直接、波長選択特性を示すものではな
いが、χ、が波長の増加に対して単調に増加することを
考慮すれば、ほぼ波長選択特性に対応する変化を示して
いることがわかる。すなわちΔ。、。
は通過域幅に対応するものであり、l isは阻止域幅
に対応するものである。そこで(3)式、(4)式と(
力式、(8)弐を比較すれば、本発明の光合分波器の阻
止域幅(TI 、Tz≧25dB)は従来の光合分波器
の約4倍となることがわかる。また阻止域幅(Tl、T
2≧25dB)が通過域幅(T1゜T2≦0.5dB)
とほぼ等しいことも本願発明の光合分波器の特徴である
。
に対応するものである。そこで(3)式、(4)式と(
力式、(8)弐を比較すれば、本発明の光合分波器の阻
止域幅(TI 、Tz≧25dB)は従来の光合分波器
の約4倍となることがわかる。また阻止域幅(Tl、T
2≧25dB)が通過域幅(T1゜T2≦0.5dB)
とほぼ等しいことも本願発明の光合分波器の特徴である
。
第2図に第1図に示す実施例の波長選択特性を示す。縦
軸は光電力伝達係数T、、T、 、横軸は波長である。
軸は光電力伝達係数T、、T、 、横軸は波長である。
導波路の励振モードはTE、。であり、使用波長は1.
3μmと1.55μmである。阻止域幅(TI、T2≧
25dB)と通過域幅(T1゜T2≦0.5 d B
)は、ともに78nmとなる。
3μmと1.55μmである。阻止域幅(TI、T2≧
25dB)と通過域幅(T1゜T2≦0.5 d B
)は、ともに78nmとなる。
(発明の効果)
以上に説明したように、本発明の光合分波器は、阻止域
幅を従来の方向性結合器形光合分波器に比べて約4倍に
広帯域化できる利点がある。また第1の導波路と第2の
導波路の間に第3の導波路を設けるため、第1の導波路
と第2の導波路の結合部の間隔は、従来の方向性結合器
形光合分波器の場合に比べて約2倍となり、第3の導波
路がない領域ではほとんど結合を生じないので、展開部
が不要となる。このため小形化できる利点および展開部
の曲り導波路で生じる損失を削減できる利点、直線導波
路のみで光合分波器が構成できるため導波路作製が容易
となる利点がある。結合部から展開部に連続的に移行す
るときに生じる結合部の長さの不明確となる欠点がなく
、第3の導波路の長さで結合部の良さを高精度に制御で
きることも本発明の利点である。
幅を従来の方向性結合器形光合分波器に比べて約4倍に
広帯域化できる利点がある。また第1の導波路と第2の
導波路の間に第3の導波路を設けるため、第1の導波路
と第2の導波路の結合部の間隔は、従来の方向性結合器
形光合分波器の場合に比べて約2倍となり、第3の導波
路がない領域ではほとんど結合を生じないので、展開部
が不要となる。このため小形化できる利点および展開部
の曲り導波路で生じる損失を削減できる利点、直線導波
路のみで光合分波器が構成できるため導波路作製が容易
となる利点がある。結合部から展開部に連続的に移行す
るときに生じる結合部の長さの不明確となる欠点がなく
、第3の導波路の長さで結合部の良さを高精度に制御で
きることも本発明の利点である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構成図、
第2図は第1図に示す実施例の光合分波2二の波長選択
特性図、 第3図は従来の方向性結合器形光合分波器の構成図、 第4図は従来および本発明の方向性結合器形光合分波器
の特性図である。 1−第1の導波路 2・−第2の導波路3−結合部
4・−展開部 5−1−・−第1の導波路1の入力端 5−2−・第1の導波路Iの出力端 6−1−第2の導波路2の入力端 6−2−第2の導波路2の出力端 7−基板 8−第1の導波路9−第2の導
波路 10−第3の導波路11−結合部 12−1 第1の導波路8の入力端 12−2−一第1の導波路8の出力端 13−1 第2の導波路9の入力端 13−2−第2の導波路9の出力端 14−1−第3の導波路10の入力端 14−2−−第3の導波路10の出力端第2図 は憂(メ傾) 第3図
特性図、 第3図は従来の方向性結合器形光合分波器の構成図、 第4図は従来および本発明の方向性結合器形光合分波器
の特性図である。 1−第1の導波路 2・−第2の導波路3−結合部
4・−展開部 5−1−・−第1の導波路1の入力端 5−2−・第1の導波路Iの出力端 6−1−第2の導波路2の入力端 6−2−第2の導波路2の出力端 7−基板 8−第1の導波路9−第2の導
波路 10−第3の導波路11−結合部 12−1 第1の導波路8の入力端 12−2−一第1の導波路8の出力端 13−1 第2の導波路9の入力端 13−2−第2の導波路9の出力端 14−1−第3の導波路10の入力端 14−2−−第3の導波路10の出力端第2図 は憂(メ傾) 第3図
Claims (1)
- 1、ほぼ等しい導波路パラメータを有する第1の導波路
と第2導波路の少なくとも一区間を接近して平行に配置
し、前記の区間の第1の導波路と第2の導波路の間に第
1、第2の導波路にほぼ等しい導波路パラメータを有し
、かつ無反射端面を備えた所定の長さの第3の導波路を
設け、第1の導波路と第3の導波路間の結合係数は第2
の導波路と第3の導波路間の結合係数にほぼ等しい値と
し、その結合係数の波長λ_1における値をχ_λ_1
波長λ_2(λ_2>λ_1)における値をχ_λ_2
とし、√2χ_λ_1・l≒(2n−1)π,√2χ_
λ_2・l≒2nπ、または√2χ_λ_1・l≒2n
π,√2χ_λ_2・≒(2n+1)πとなるように、
結合部の長さlおよび正の整数nを定めたことを特徴と
する光合分波器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8889787A JPS63254404A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 光合分波器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8889787A JPS63254404A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 光合分波器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63254404A true JPS63254404A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13955754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8889787A Pending JPS63254404A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 光合分波器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63254404A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268976A (en) * | 1991-12-27 | 1993-12-07 | Corning Incorporated | Integrated optical proximity coupler |
JPH0618732A (ja) * | 1992-04-03 | 1994-01-28 | Koninkl Ptt Nederland Nv | 光学複合体 |
US5491763A (en) * | 1992-04-03 | 1996-02-13 | Koninklijke Ptt Nederland N.V. | Optical hybrid with 3×3 coupling device |
JPH09105827A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Nec Corp | 方向性結合器型wdmフィルタ |
JP2013246218A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光合分波器 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP8889787A patent/JPS63254404A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268976A (en) * | 1991-12-27 | 1993-12-07 | Corning Incorporated | Integrated optical proximity coupler |
JPH0618732A (ja) * | 1992-04-03 | 1994-01-28 | Koninkl Ptt Nederland Nv | 光学複合体 |
US5491763A (en) * | 1992-04-03 | 1996-02-13 | Koninklijke Ptt Nederland N.V. | Optical hybrid with 3×3 coupling device |
JPH09105827A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Nec Corp | 方向性結合器型wdmフィルタ |
JP2013246218A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光合分波器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4781424A (en) | Single mode channel optical waveguide with a stress-induced birefringence control region | |
EP0304709B1 (en) | Waveguide type optical device | |
US6546161B2 (en) | No polarization dependent waveguide type optical circuit | |
JP2614365B2 (ja) | 偏波無依存導波型光デバイス | |
JPH112731A (ja) | 光学装置 | |
JP3112193B2 (ja) | 光リング共振器 | |
US7068864B2 (en) | Waveguide-embedded optical circuit and optical functional element used therein | |
JPH04212108A (ja) | 導波型光分岐素子 | |
JPS63254404A (ja) | 光合分波器 | |
JPS63147145A (ja) | 導波形マツハ・ツエンダ光干渉計 | |
JPH04131806A (ja) | 光方向性結合器 | |
JP2625289B2 (ja) | 導波型光分岐素子 | |
JP2659293B2 (ja) | 導波路型光スイッチ | |
JPH0749511A (ja) | 導波型光スイッチ | |
JP2557455B2 (ja) | 光合分波器 | |
JPS6022120A (ja) | 光スイッチ | |
JPH0274909A (ja) | 光導波路 | |
JPH0588123A (ja) | 可変波長フイルタ | |
JPH06308338A (ja) | 導波路型光部品 | |
JPS63182608A (ja) | 導波形偏光分離素子 | |
JP3070881B2 (ja) | 導波路型光合分波器 | |
JP2641238B2 (ja) | 偏光子 | |
JPH0743484B2 (ja) | 導波路型光スイッチ | |
JP2004325900A (ja) | フォトニック結晶を用いた光回路およびその製造方法 | |
JPH02257110A (ja) | 光ファイバ・光導波路接続構造 |