JPH0917817A - 半導体製造方法および装置 - Google Patents

半導体製造方法および装置

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JPH0917817A
JPH0917817A JP7160249A JP16024995A JPH0917817A JP H0917817 A JPH0917817 A JP H0917817A JP 7160249 A JP7160249 A JP 7160249A JP 16024995 A JP16024995 A JP 16024995A JP H0917817 A JPH0917817 A JP H0917817A
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JP
Japan
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lead frame
pellet
heat
semiconductor manufacturing
mounting portion
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Shinya Sugimori
真也 杉森
Toru Yagisawa
透 八木沢
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Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 加熱時に発生するガスによるボンディングツ
ールの汚染を防止する半導体製造方法および装置を提供
する。 【構成】 ペレット１が実装されたリードフレーム２を
搭載しかつリードフレーム２のペレット搭載部２ａの外
周部に相当する箇所に通気孔３ａが設けられたヒートコ
マ部３と、ヒートコマ部３を保持しかつヒートコマ部３
を介してリードフレーム２のペレット搭載部２ａに熱を
伝えるヒートブロック部５と、クランパ７ａとキャピラ
リ７ｂと金線ガイド７ｃとを有するボンディングツール
７とから構成され、ヒートコマ部３に、通気孔３ａと連
通しかつ通気孔３ａを介して汚染ガス９を排気する真空
排気部４が設置され、ボンディング時にペレット搭載部
２ａの周辺部で発生する汚染ガス９を通気孔３ａを介し
て真空排気部４によって吸引して外部へ排気する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造技術におけ
るペレットとリードフレームのインナリード部との接続
技術に関し、特にボンディングツールの汚染を防止する
半導体製造方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】リードフレームのペレット搭載部に実装し
たペレットとリードフレームのインナリード部とを金属
線によって接続するワイヤボンディング装置では、前記
ペレット搭載部を加熱するヒートコマ部を備えている。
【０００４】ここで、前記ヒートコマ部には、曲げ加工
されたリードフレーム（ペレット搭載部が一段下がった
形状のリードフレーム）を搭載するため、前記ペレット
搭載部の大きさに適合した凹部が設けられ、前記凹部に
リードフレームのペレット搭載部を載置する。
【０００５】さらに、ヒートコマ部をヒータなどの加熱
手段を有したヒートブロック部によって保持し、リード
フレームのペレット搭載部の裏側から加熱しながらワイ
ヤボンディングを行う。
【０００６】なお、半導体集積回路装置の製造における
ワイヤボンディング技術については、例えば、１９９３
年５月３１日、日経ＢＰ社発行「実践講座ＶＬＳＩパッ
ケージング技術（下）」香山晋、成瀬邦彦（監）、２２
頁〜３０頁に記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術において、リードフレームのペレット搭載部の周辺部
には、ペースト剤や絶縁性テープ部材または接着剤など
の高分子材料によって形成された部材を使用している場
合が多いため、ペレット搭載部の加熱時に、エポキシ系
あるいはポリイミド系などのガスを発生する。
【０００８】さらに、前記ガスは加熱されることによ
り、上方（ボンディングツールが配置されている方向）
に拡散し、キャピラリ、クランパまたは金線（金属線）
ガイドなどのボンディングツールにおける金線経路部に
凝固する。
【０００９】これによって、ボンディング数が増加する
につれ、前記ボンディングツールの金線経路部の汚れが
進行し、金線のルーピング不良、または、テール長さ
（金線から形成されたボールとキャピラリ先端との距
離）のばらつきによる初期ボールサイズのばらつきとい
う問題を引き起こす。
【００１０】そこで、本発明の目的は、加熱時に発生す
るガスによるボンディングツールの汚染を防止する半導
体製造方法および装置を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１３】すなわち、本発明による半導体製造方法
は、リードフレームのペレット搭載部に熱を伝えるヒー
トコマ部もしくはヒートブロック部の所定箇所に、前記
ペレットが実装されたリードフレームを載置し、前記ペ
レット搭載部を加熱して前記リードフレームのインナリ
ード部とペレットとを接続し、前記ヒートコマ部もしく
はヒートブロック部において、前記リードフレームのペ
レット搭載部の周辺部に相当する箇所に設けられた通気
孔を介して、前記ペレット搭載部の加熱時に発生する気
体を排気するものである。
【００１４】また、本発明による半導体製造装置は、ペ
レットが実装されたリードフレームを搭載しかつ前記リ
ードフレームのペレット搭載部の外周部に相当する箇所
に通気孔が設けられたヒートコマ部と、前記ヒートコマ
部を保持しかつ前記ヒートコマ部を介して前記リードフ
レームのペレット搭載部に熱を伝えるヒートブロック部
とを有し、前記ヒートコマ部に、前記通気孔と連通しか
つ前記通気孔を介して気体を排気する真空排気部が設置
されているものである。
【００１５】さらに、本発明による半導体製造装置は、
ペレットが実装されたリードフレームを搭載しかつ前記
リードフレームのペレット搭載部の外周部より外側付近
に相当する箇所に通気孔が設けられたヒートコマ部と、
前記ヒートコマ部を保持しかつ前記ヒートコマ部を介し
て前記リードフレームのペレット搭載部に熱を伝えるヒ
ートブロック部とを有し、前記ヒートコマ部に、前記通
気孔と連通しかつ前記通気孔を介して気体を排気する真
空排気部が設置されているものである。
【００１６】なお、本発明による半導体製造装置は、ペ
レットが実装されたリードフレームを搭載しかつ前記リ
ードフレームのペレット搭載部の裏側付近に相当する箇
所に通気孔が設けられたヒートコマ部と、前記ヒートコ
マ部を保持しかつ前記ヒートコマ部を介して前記リード
フレームのペレット搭載部に熱を伝えるヒートブロック
部とを有し、前記ヒートコマ部に、前記通気孔と連通し
かつ前記通気孔を介して気体を排気する真空排気部が設
置されているものである。
【００１７】さらに、本発明による半導体製造装置は、
ペレットが実装されたリードフレームを搭載しかつ前記
リードフレームのペレット搭載部に熱を伝えるヒートブ
ロック部が、前記ペレット搭載部の外周部もしくは裏側
付近に相当する箇所に通気孔と、前記通気孔に連通した
真空排気部とを有するものである。
【００１８】
【作用】上記した手段によれば、ヒートコマ部またはヒ
ートブロック部において、リードフレームのペレット搭
載部の外周部、ペレット搭載部の外周部の外側付近ある
いはペレット搭載部の裏側付近に相当する箇所に通気孔
が設けられ、さらに、前記通気孔と連通しかつ気体を排
気する真空排気部が設けられたことにより、ペレット搭
載部を加熱してリードフレームのインナリード部とペレ
ットとを接続する際に、ペレット搭載部の周辺部で発生
する汚染ガスを真空排気部によって吸引し、排気するこ
とができる。
【００１９】したがって、キャピラリやクランパなどの
ボンディングツールに前記汚染ガスによる汚れが付着す
ることを防止できる。
【００２０】その結果、金属線によるワイヤループ形状
を長期間に渡って安定化することができる。
【００２１】また、金属線によるワイヤループ形状を長
期間に渡って安定化することができるため、テール長さ
を安定化することができ、その結果、金属線による初期
ボール径を安定化することができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
【００２３】図１は本発明による半導体製造装置の構造
の一実施例を一部破断して示す構成概念図、図２は本発
明による半導体製造装置のヒートコマ部の構造の一実施
例を示す平面図、図３は本発明の半導体製造装置によっ
て試験したワイヤボンディングの不良率のデータの一実
施例を示す試験結果図である。
【００２４】なお、本実施例において説明する半導体製
造装置は、金線などの金属線によってペレットとリード
フレームのインナリード部とを接続するワイヤボンディ
ング装置である。
【００２５】本実施例の半導体製造装置の一例であるワ
イヤボンディング装置の構成について説明すると、ペレ
ット１が実装されたリードフレーム２を搭載しかつリー
ドフレーム２のペレット搭載部２ａの外周部２ｂに相当
する箇所に通気孔３ａが設けられたヒートコマ部３と、
ヒートコマ部３を保持しかつヒートコマ部３を介してリ
ードフレーム２のペレット搭載部２ａに熱を伝えるヒー
トブロック部５と、金線６などの金属線によってワイヤ
ボンディングを行うボンディングツール７とから構成さ
れている。
【００２６】さらに、ヒートコマ部３には、通気孔３ａ
と連通しかつ通気孔３ａを介して汚染ガス９などの気体
を排気する真空排気部４が設置されている。
【００２７】また、ボンディングツール７は、リードフ
レーム２のペレット搭載部２ａを加熱して金線６によっ
てワイヤボンディングする際に、金線６を挟んで引っ張
りかつ切断するクランパ７ａと、インナリード部２ｃに
金線６を圧着するキャピラリ７ｂと、金線６を案内する
金線ガイド７ｃとを有している。
【００２８】ここで、汚染ガス９は、例えば、エポキシ
系あるいはポリイミド系などの汚染ガス９であり、リー
ドフレーム２のペレット搭載部２ａの周辺部には、ペー
スト剤や絶縁性テープ部材または接着剤などの高分子材
料によって形成された部材を使用している場合が多いた
め、ペレット搭載部２ａの加熱時に、前記高分子材料な
どから発生するものである。
【００２９】また、ヒートコマ部３のリードフレーム２
を搭載するリードフレーム搭載面３ｂには、凹部３ｃが
設けられている。前記凹部３ｃは、リードフレーム２に
おけるペレット搭載部２ａが一段下がっている場合が多
く、そのために設置された段差部である。
【００３０】さらに、ヒートコマ部３の凹部３ｃには、
リードフレーム２の搭載時に、リードフレーム２のペレ
ット搭載部２ａの外周部２ｂに相当する箇所に複数個の
通気孔３ａが設けられており、その開口部は長穴であ
る。
【００３１】また、通気孔３ａはヒートコマ部３に設置
された真空排気部４と連通し、ペレット搭載部２ａの加
熱時に、ペレット搭載部２ａの周辺部に発生する汚染ガ
ス９を吸引するものである。
【００３２】つまり、真空排気部４は、例えば、真空ポ
ンプ装置などに接続され、前記真空ポンプ装置によって
汚染ガス９を吸引して排気する。したがって、真空排気
部４はダクト配管などに接続されていてもよい。
【００３３】なお、リードフレーム２のペレット搭載部
２ａがフラットな形状であり、一段下がっていない場合
には、ヒートコマ部３は凹部３ｃを備えないものであっ
てもよい。
【００３４】また、ヒートブロック部５は、押さえ治具
８などによってヒートコマ部３を押さえて保持し、か
つ、ヒートコマ部３を介してペレット搭載部２ａを加熱
するものである。
【００３５】したがって、ヒートブロック部５はヒータ
などの加熱手段を有するものである。
【００３６】次に、本実施例の半導体製造方法について
説明する。
【００３７】まず、ヒートコマ部３の所定箇所にペレッ
ト１が実装されたリードフレーム２を載置する。すなわ
ち、ヒートコマ部３の凹部３ｃにリードフレーム２のペ
レット搭載部２ａを載置する。
【００３８】その後、ヒートブロック部５によって、ヒ
ートコマ部３を介してペレット搭載部２ａを加熱する。
【００３９】これによって、熱がペレット１に伝わり、
リードフレーム２のインナリード部２ｃとペレット１と
を金線６（金属線）によって接続する（ワイヤボンディ
ングを行う）ことができる。
【００４０】ここで、ワイヤボンディングを行うに当た
り、まず、金線ガイド７ｃにより金線６を案内しながら
キャピラリ７ｂに金線６を通す。
【００４１】続いて、例えば、電気トーチなどによって
金線６の先端を溶融することにより、前記先端に金線６
によるボール６ａを形成し、さらに、ボール６ａをペレ
ット１の電極に圧着する。
【００４２】その後、キャピラリ７ｂのエッジによって
リードフレーム２のインナリード部２ａに金線６を圧着
し、さらに、クランパ７ａによって金線６を引っ張り、
かつ切断する。
【００４３】これにより、リードフレーム２のインナリ
ード部２ｃとペレット１とを金線６によって接続するワ
イヤボンディングを行うことができる。
【００４４】また、この時、リードフレーム２のペレッ
ト搭載部２ａの周辺部に発生する汚染ガス９を、ヒート
コマ部３におけるペレット搭載部２ａの周辺部に相当す
る箇所に設けられた複数個の通気孔３ａを介して排気す
る。
【００４５】したがって、真空ポンプ装置などによって
通気孔３ａから吸引した汚染ガス９を真空排気部４を通
って外部へ排気することができる。
【００４６】次に、本実施例の半導体製造方法および装
置によれば、以下のような効果が得られる。
【００４７】すなわち、ヒートコマ部３におけるリード
フレーム２のペレット搭載部２ａの外周部２ｂに相当す
る箇所に通気孔３ａが設けられ、さらに、ヒートコマ部
３に通気孔３ａと連通しかつ汚染ガス９を排気する真空
排気部４が設けられたことにより、ペレット搭載部２ａ
を加熱してワイヤボンディングを行う際に、ペレット搭
載部２ａの周辺部で発生する汚染ガス９を真空排気部４
によって吸引し、排気することができる。
【００４８】これによって、キャピラリ７ｂ、クランパ
７ａまたは金線ガイド７ｃなどのボンディングツール７
に汚染ガス９による汚れが付着することを防止できる。
【００４９】その結果、金線６によるワイヤループ形状
を長期間に渡って安定化することができ、ルーピング不
良を低減することができる。
【００５０】なお、ルーピング不良を低減できることに
より、ボンディングによる歩留りを向上することができ
る。
【００５１】ここで、図３の試験結果図に示すように、
２か月当たりのルーピング不良の発生率の調査におい
て、汚染ガス９の排気を行わなかった時には、センター
ずれおよびアーチ高低に関する不良が発生し、両者を合
わせて0.004%の発生率であったのに対し、本実施例によ
る半導体製造装置の汚染ガス９の排気を行った場合、全
ての不良の発生率を0%にすることができる。
【００５２】また、金線６によるワイヤループ形状を長
期間に渡って安定化することができるため、テール長さ
を安定化することができ、その結果、金線６による初期
のボール６ａの直径を安定化することができる。
【００５３】これにより、クランパ７ａなどのボンディ
ングツール７の清掃頻度を減少することができる（図３
の試験結果図に示すように、１か月当たり１回の清掃頻
度を２か月以上で１回に延ばすことができる）。
【００５４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５５】例えば、前記実施例においては、通気孔が
ヒートコマ部におけるペレット搭載部の外周部に相当す
る箇所に設けられていたが、前記通気孔は、リードフレ
ームのペレット搭載部の外周部より外側付近に相当する
箇所に設けられていてもよい。
【００５６】また、図４および図５の他の実施例のヒー
トコマ部３に示すように、複数個の通気孔３ａがヒート
コマ部３において、図１に示すリードフレーム２のペレ
ット搭載部２ａの裏側付近に相当する箇所に設けられて
いてもよい。
【００５７】これは、ＣＯＬ（Chip On Lead）構造の半
導体集積回路装置の場合、前記ペレット搭載部２ａの面
積が非常に小さく、ペレット１（図１参照）をリードフ
レーム２に貼付した絶縁性テープ部材に実装するため、
ペレット１の裏側付近は、ほぼ中空状態である。その結
果、ペレット搭載部２ａの裏側付近に通気孔３ａを設け
ることができる。
【００５８】また、図６の他の実施例のヒートコマ部３
に示すように、通気孔３ａは、ヒートコマ部３における
リードフレーム２のペレット搭載部２ａの横方向付近に
相当する箇所に設けられていてもよい。
【００５９】なお、前記実施例および他の実施例による
半導体製造装置は、ヒートコマ部を用いずに、ヒートブ
ロック部だけを用いたものであってもよい。
【００６０】すなわち、リードフレームのペレット搭載
部がフラットな形状であり、ペレット搭載部が下がって
いない場合には、ヒートコマ部を使用せずにヒートブロ
ック部だけを使用し、前記ヒートブロック部に通気孔が
設けられている半導体製造装置である。
【００６１】この場合の半導体製造装置は、ペレットが
実装されたリードフレームを搭載しかつ前記リードフレ
ームのペレット搭載部に熱を伝えるヒートブロック部
が、前記ペレット搭載部の外周部もしくは裏側付近に相
当する箇所に通気孔と、前記通気孔に連通した真空排気
部とを有するものである。
【００６２】また、前記実施例および他の実施例による
半導体製造装置のヒートコマ部に設置された真空排気部
は、真空導入部であってもよい。この場合、負圧を導入
することにより、真空排気部の排気と同様に、ペレット
搭載部の周辺部の汚染ガスを外部へ排気することができ
る。
【００６３】さらに、前記実施例および他の実施例によ
る半導体製造装置におけるヒートコマ部もしくはヒート
ブロック部は、ワイヤボンディング装置だけでなく、ペ
レットボンディング装置や、ワイヤ（金属線）以外のは
んだボールなどを用いた他のボンディング装置に使用す
ることも可能である。
【００６４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００６５】（１）．ヒートコマ部またはヒートブロッ
ク部において、リードフレームのペレット搭載部の外周
部、ペレット搭載部の外周部の外側付近あるいはペレッ
ト搭載部の裏側付近に相当する箇所に通気孔が設けら
れ、さらに、前記通気孔と連通しかつ汚染ガスなどの気
体を排気する真空排気部が設けられたことにより、ペレ
ット搭載部を加熱してリードフレームのインナリード部
とペレットとを接続する際に、ペレット搭載部の周辺部
で発生するガスを真空排気部によって吸引し、排気する
ことができる。これによって、キャピラリやクランパな
どのボンディングツールに前記汚染ガスによる汚れが付
着することを防止できる。
【００６６】（２）．ボンディングツールに汚染ガスに
よる汚れが付着することを防止できるため、金属線によ
るワイヤループ形状を長期間に渡って安定化することが
でき、その結果、前記金属線のルーピング不良を低減す
ることができる。
【００６７】（３）．金属線のルーピング不良を低減で
きることにより、ボンディングによる歩留りを向上する
ことができる（２か月当たりのルーピング不良率を0.00
4%から0%にすることができる）。
【００６８】（４）．金属線によるワイヤループ形状を
長期間に渡って安定化することができるため、テール長
さを安定化することができ、その結果、金属線による初
期ボール径を安定化することができる。
【００６９】これにより、クランパなどのボンディング
ツールの清掃頻度を減少することができる（１か月当た
り１回の清掃頻度を２か月以上で１回に延ばすことがで
きる）。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体製造装置の構造の一実施例
を一部破断して示す構成概念図である。
【図２】本発明による半導体製造装置のヒートコマ部の
構造の一実施例を示す平面図である。
【図３】本発明の半導体製造装置によって試験したワイ
ヤボンディングの不良率のデータの一実施例を示す試験
結果図である。
【図４】本発明の他の実施例である半導体製造装置のヒ
ートコマ部の構造の一例を示す平面図である。
【図５】図４に示す本発明の他の実施例であるヒートコ
マ部における凹部の構造の一例を示す部分拡大図であ
る。
【図６】本発明の他の実施例である半導体製造装置のヒ
ートコマ部の構造の一例を一部破断して示す構成概念図
である。
【符号の説明】
１ ペレット ２ リードフレーム ２ａ ペレット搭載部 ２ｂ 外周部 ２ｃ インナリード部 ３ ヒートコマ部 ３ａ 通気孔 ３ｂ リードフレーム搭載面 ３ｃ 凹部 ４ 真空排気部 ５ ヒートブロック部 ６ 金線（金属線） ６ａ ボール ７ ボンディングツール ７ａ クランパ ７ｂ キャピラリ ７ｃ 金線ガイド ８ 押さえ治具 ９ 汚染ガス（気体）

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームのインナリード部とペレ
    ットとを接続する半導体製造方法であって、 前記リードフレームのペレット搭載部に熱を伝えるヒー
    トコマ部もしくはヒートブロック部の所定箇所に、前記
    ペレットが実装されたリードフレームを載置し、 前記ペレット搭載部を加熱して前記リードフレームのイ
    ンナリード部とペレットとを接続し、 前記ヒートコマ部もしくはヒートブロック部において、
    前記リードフレームのペレット搭載部の周辺部に相当す
    る箇所に設けられた通気孔を介して、前記ペレット搭載
    部の加熱時に発生する気体を排気することを特徴とする
    半導体製造方法。
  2. 【請求項２】 リードフレームのインナリード部とペレ
    ットとの接続を行う半導体製造装置であって、 前記ペレットが実装されたリードフレームを搭載し、か
    つ前記リードフレームのペレット搭載部の外周部に相当
    する箇所に通気孔が設けられたヒートコマ部と、 前記ヒートコマ部を保持し、かつ前記ヒートコマ部を介
    して前記リードフレームのペレット搭載部に熱を伝える
    ヒートブロック部とを有し、 前記ヒートコマ部に、前記通気孔と連通しかつ前記通気
    孔を介して気体を排気する真空排気部が設置されている
    ことを特徴とする半導体製造装置。
  3. 【請求項３】 リードフレームのインナリード部とペレ
    ットとの接続を行う半導体製造装置であって、 前記ペレットが実装されたリードフレームを搭載し、か
    つ前記リードフレームのペレット搭載部の外周部より外
    側付近に相当する箇所に通気孔が設けられたヒートコマ
    部と、 前記ヒートコマ部を保持し、かつ前記ヒートコマ部を介
    して前記リードフレームのペレット搭載部に熱を伝える
    ヒートブロック部とを有し、 前記ヒートコマ部に、前記通気孔と連通しかつ前記通気
    孔を介して気体を排気する真空排気部が設置されている
    ことを特徴とする半導体製造装置。
  4. 【請求項４】 リードフレームのインナリード部とペレ
    ットとの接続を行う半導体製造装置であって、 前記ペレットが実装されたリードフレームを搭載し、か
    つ前記リードフレームのペレット搭載部の裏側付近に相
    当する箇所に通気孔が設けられたヒートコマ部と、 前記ヒートコマ部を保持し、かつ前記ヒートコマ部を介
    して前記リードフレームのペレット搭載部に熱を伝える
    ヒートブロック部とを有し、 前記ヒートコマ部に、前記通気孔と連通しかつ前記通気
    孔を介して気体を排気する真空排気部が設置されている
    ことを特徴とする半導体製造装置。
  5. 【請求項５】 リードフレームのインナリード部とペレ
    ットとの接続を行う半導体製造装置であって、前記ペレ
    ットが実装されたリードフレームを搭載しかつ前記リー
    ドフレームのペレット搭載部に熱を伝えるヒートブロッ
    ク部が、前記ペレット搭載部の外周部もしくは裏側付近
    に相当する箇所に通気孔と、前記通気孔に連通した真空
    排気部とを有することを特徴とする半導体製造装置。
  6. 【請求項６】 請求項２，３，４または５記載の半導体
    製造装置であって、前記リードフレームのペレット搭載
    部を加熱して前記リードフレームのインナリード部と前
    記ペレットとを金属線によって接続する際に、前記金属
    線を挟んで引っ張りかつ切断するクランパと、前記イン
    ナリード部に前記金属線を圧着するキャピラリとを有す
    ることを特徴とする半導体製造装置。
JP7160249A 1995-06-27 1995-06-27 半導体製造方法および装置 Pending JPH0917817A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2070620A4 (en) * 2006-09-29 2015-05-27 Kyocera Corp CUTTING INSERT, CUTTING TOOL USING THE SAME, AND CUTTING METHOD

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2070620A4 (en) * 2006-09-29 2015-05-27 Kyocera Corp CUTTING INSERT, CUTTING TOOL USING THE SAME, AND CUTTING METHOD

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