JPH09177647A - 内燃機関用点火装置 - Google Patents
内燃機関用点火装置Info
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- JPH09177647A JPH09177647A JP7340316A JP34031695A JPH09177647A JP H09177647 A JPH09177647 A JP H09177647A JP 7340316 A JP7340316 A JP 7340316A JP 34031695 A JP34031695 A JP 34031695A JP H09177647 A JPH09177647 A JP H09177647A
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- Japan
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- current
- igbt
- circuit
- current limiting
- combustion engine
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Abstract
(57)【要約】
【課題】点火装置の機能として、電流制限回路をワンチ
ップに盛り込み温度依存性が少なくすること。 【解決手段】ワンチップの中に電流制限回路を設け、電
流検出回路にダイオードを設けて電流検出負荷素子なら
びに回路素子の温度係数をキャンセルした構成。 【効果】本発明により、電流制限回路の検出レベル温度
依存性を少なくできる。自己分離形Ｎ−ＭＯＳトランジ
スタによる回路構成によりワンチップ化が容易になる。
ップに盛り込み温度依存性が少なくすること。 【解決手段】ワンチップの中に電流制限回路を設け、電
流検出回路にダイオードを設けて電流検出負荷素子なら
びに回路素子の温度係数をキャンセルした構成。 【効果】本発明により、電流制限回路の検出レベル温度
依存性を少なくできる。自己分離形Ｎ−ＭＯＳトランジ
スタによる回路構成によりワンチップ化が容易になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】ワンチップタイプ内燃機関用
点火装置に関する。
点火装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術には、例えば特開平2−13656
3 号公報に記載されたものがある。これは電流制限回路
をバイポーラトランジスタ増幅回路またはバイポーラト
ランジスタ差動回路で構成し、検出部は抵抗素子による
電位差のみでの検出となっていた。
3 号公報に記載されたものがある。これは電流制限回路
をバイポーラトランジスタ増幅回路またはバイポーラト
ランジスタ差動回路で構成し、検出部は抵抗素子による
電位差のみでの検出となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術では、
電流制限回路をバイポーラトランジスタ増幅回路または
バイポーラトランジスタ差動回路で構成しているため、
ＩＧＢＴとワンチップに集積するにはアイソレイション
または接合形構造が必要であり、素子面積及びマスク枚
数増加等により製造工程が複雑になり不利であった。ま
た、検出部は抵抗素子による電位差のみでの検出である
ため、温度による検出レベルへの影響に対して考慮され
ていなかった。
電流制限回路をバイポーラトランジスタ増幅回路または
バイポーラトランジスタ差動回路で構成しているため、
ＩＧＢＴとワンチップに集積するにはアイソレイション
または接合形構造が必要であり、素子面積及びマスク枚
数増加等により製造工程が複雑になり不利であった。ま
た、検出部は抵抗素子による電位差のみでの検出である
ため、温度による検出レベルへの影響に対して考慮され
ていなかった。
【０００４】本発明の目的は、温度依存性の少ない内燃
機関用点火装置を提供することにある。
機関用点火装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、電流制限回路を自己分離形Ｎ−ＭＯＳトランジスタ
回路で構成することにより、ＩＧＢＴのチップの中に容
易に作り込むことができ、コンパクトな点火装置を供給
することができる。
に、電流制限回路を自己分離形Ｎ−ＭＯＳトランジスタ
回路で構成することにより、ＩＧＢＴのチップの中に容
易に作り込むことができ、コンパクトな点火装置を供給
することができる。
【０００６】又、電流制限回路部にダイオードを設ける
ことにより、検出回路の温度依存性を少なくできるた
め、信頼性の高い点火装置を達成することができる。
ことにより、検出回路の温度依存性を少なくできるた
め、信頼性の高い点火装置を達成することができる。
【０００７】本発明によれば、高精度で、高信頼性な電
流制限機能を持ったＩＧＢＴ点火装置がワンチップで可
能となる。
流制限機能を持ったＩＧＢＴ点火装置がワンチップで可
能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１に、通常の点火システムの構
成例を示す。１はＥＣＵ、２は点火装置、３は点火コイ
ル、４は点火プラグを示す。ＥＣＵ１の出力段は、ＰＮ
Ｐトランジスタ９，ＮＰＮトランジスタ１０，抵抗１１
より構成され、ＣＰＵ８により算出された適正な点火タ
イミングでトランジスタ９，１０をＯＮ，ＯＦＦし、点
火装置にＨＩＧＨ，ＬＯＷのパルスを出力する。点火装
置２は、パワートランジスタ５、とハイブリッドＩＣ１
３に実装された電流検出用負荷６，電流制御回路７、お
よび入力抵抗１２より構成され、ＥＣＵ１の出力信号が
ＬＯＷ→ＨＩＧＨでパワートランジスタ５は通電を開始
し、ＨＩＧＨ→ＬＯＷで遮断することによりパワートラ
ンジスタ５のコレクタ部に３００〜４００Ｖの高電圧を
発生する。
成例を示す。１はＥＣＵ、２は点火装置、３は点火コイ
ル、４は点火プラグを示す。ＥＣＵ１の出力段は、ＰＮ
Ｐトランジスタ９，ＮＰＮトランジスタ１０，抵抗１１
より構成され、ＣＰＵ８により算出された適正な点火タ
イミングでトランジスタ９，１０をＯＮ，ＯＦＦし、点
火装置にＨＩＧＨ，ＬＯＷのパルスを出力する。点火装
置２は、パワートランジスタ５、とハイブリッドＩＣ１
３に実装された電流検出用負荷６，電流制御回路７、お
よび入力抵抗１２より構成され、ＥＣＵ１の出力信号が
ＬＯＷ→ＨＩＧＨでパワートランジスタ５は通電を開始
し、ＨＩＧＨ→ＬＯＷで遮断することによりパワートラ
ンジスタ５のコレクタ部に３００〜４００Ｖの高電圧を
発生する。
【０００９】図２に、本発明のワンチップ点火装置の構
成を表す内部等価回路を示す。１４は点火コイル、１５
は点火コイル１４の１次コイルに流れる１次電流を通
電，遮断する主回路を構成するメインＩＧＢＴ、１６は
１次電流を検知する電流検出用のサブＩＧＢＴである。
１７は１次電流を検知する電流検知回路、１７は電流検
知回路、１８はゲート電圧を制御して１次電流を設定値
に制限する電流制限回路、１９は入力抵抗である。２０
は、メインIGBT15，サブIGBT16，電流検知回路１７，電
流制限回路１８，入力抵抗１９をワンチップに集約した
ＩＣである。図１の通常のシステムに対しパワートラン
ジスタ、電流検出用負荷、電流制御回路は同一ワンチッ
プ上の集積回路で構成されている。
成を表す内部等価回路を示す。１４は点火コイル、１５
は点火コイル１４の１次コイルに流れる１次電流を通
電，遮断する主回路を構成するメインＩＧＢＴ、１６は
１次電流を検知する電流検出用のサブＩＧＢＴである。
１７は１次電流を検知する電流検知回路、１７は電流検
知回路、１８はゲート電圧を制御して１次電流を設定値
に制限する電流制限回路、１９は入力抵抗である。２０
は、メインIGBT15，サブIGBT16，電流検知回路１７，電
流制限回路１８，入力抵抗１９をワンチップに集約した
ＩＣである。図１の通常のシステムに対しパワートラン
ジスタ、電流検出用負荷、電流制御回路は同一ワンチッ
プ上の集積回路で構成されている。
【００１０】図３に、本発明請求項１の一実施例の点火
システム構成を示す。
システム構成を示す。
【００１１】点火装置入力段には入力抵抗２６が設けら
れている。パワートランジスタ２１はエンハンスメント
形ｎ−チャンネルＭＯＳゲートトランジスタとＰＮＰバ
イポーラトランジスタを組み合わせたＩＧＢＴであり、
主回路を構成するメインIGBT及び１次電流を検知する電
流検出用のサブＩＧＢＴで構成され、メインＩＧＢＴと
サブＩＧＢＴは１０００：１〜１００００：１の比で分
けられている。電流検出用負荷素子２２はサブＩＧＢＴ
のエミッタとＧＮＤ間に設けられ、拡散抵抗によりワン
チップの中で構成されている。例えば、前記比が１００
０：１の場合、メインＩＧＢＴに８Ａが流れるとサブＩ
ＧＢＴに８ｍＡの電流が流れる。検出電圧を０.８Ｖと
すると、０.８（Ｖ）／０.００８(Ａ）＝１００（Ω）
であるため拡散抵抗を１００Ωに設定する。また同じ条
件で、前記メインとサブの比が１００００：１の場合は
拡散抵抗を１ｋΩに設定すればよい。この比率と抵抗値
は任意に設定出来る。図７にIGBT55内で構成される拡散
抵抗５７の例を示す。
れている。パワートランジスタ２１はエンハンスメント
形ｎ−チャンネルＭＯＳゲートトランジスタとＰＮＰバ
イポーラトランジスタを組み合わせたＩＧＢＴであり、
主回路を構成するメインIGBT及び１次電流を検知する電
流検出用のサブＩＧＢＴで構成され、メインＩＧＢＴと
サブＩＧＢＴは１０００：１〜１００００：１の比で分
けられている。電流検出用負荷素子２２はサブＩＧＢＴ
のエミッタとＧＮＤ間に設けられ、拡散抵抗によりワン
チップの中で構成されている。例えば、前記比が１００
０：１の場合、メインＩＧＢＴに８Ａが流れるとサブＩ
ＧＢＴに８ｍＡの電流が流れる。検出電圧を０.８Ｖと
すると、０.８（Ｖ）／０.００８(Ａ）＝１００（Ω）
であるため拡散抵抗を１００Ωに設定する。また同じ条
件で、前記メインとサブの比が１００００：１の場合は
拡散抵抗を１ｋΩに設定すればよい。この比率と抵抗値
は任意に設定出来る。図７にIGBT55内で構成される拡散
抵抗５７の例を示す。
【００１２】電流制御回路の入力段は抵抗２７でプルア
ップされたダイオード２８，２９の順方向電圧によりバ
イアス電圧がかけられている。Ｎ−ＭＯＳトランジスタ
２３のゲートスレッシュホールド電圧と電流検出用負荷
素子２２の温度係数に対してダイオードの順方向電圧の
温度係数が零になるように設定することにより、電流と
検出電圧の関係はつねに一定となり温度係数をもたない
電流検出を可能としている。
ップされたダイオード２８，２９の順方向電圧によりバ
イアス電圧がかけられている。Ｎ−ＭＯＳトランジスタ
２３のゲートスレッシュホールド電圧と電流検出用負荷
素子２２の温度係数に対してダイオードの順方向電圧の
温度係数が零になるように設定することにより、電流と
検出電圧の関係はつねに一定となり温度係数をもたない
電流検出を可能としている。
【００１３】一例を上げると、一般的に拡散抵抗は２０
００〜３０００ppm の正の温度係数をもっているため、
たとえば抵抗の温度係数を２５００ppm と考え、検出レ
ベルを０.８±０.２Ｖ（０.６〜１.０Ｖ）とすると、電
流検出回路において１００℃温度が上がった場合、抵抗
値は２５％変化するため電流に対応した検出電圧は１.
０Ｖとなり＋０.２Ｖ上がることになる。これと対照的
にダイオードは一般的に−２ｍＶ／℃という負の温度係
数をもっているため、１００℃の温度変化があると−２
ｍＶ×１００＝−０.２Ｖ となり抵抗の温度係数をキャ
ンセルすることができる。本例においてはＮ−ＭＯＳト
ランジスタのスレッシュホールド電圧の温度特性も考慮
してダイオード２８，２９を２直で構成している。前記
ダイオードはポリシリコンで構成され、図８にIGBT58上
に形成したポリシリコンダイオード５９の例を示す。
００〜３０００ppm の正の温度係数をもっているため、
たとえば抵抗の温度係数を２５００ppm と考え、検出レ
ベルを０.８±０.２Ｖ（０.６〜１.０Ｖ）とすると、電
流検出回路において１００℃温度が上がった場合、抵抗
値は２５％変化するため電流に対応した検出電圧は１.
０Ｖとなり＋０.２Ｖ上がることになる。これと対照的
にダイオードは一般的に−２ｍＶ／℃という負の温度係
数をもっているため、１００℃の温度変化があると−２
ｍＶ×１００＝−０.２Ｖ となり抵抗の温度係数をキャ
ンセルすることができる。本例においてはＮ−ＭＯＳト
ランジスタのスレッシュホールド電圧の温度特性も考慮
してダイオード２８，２９を２直で構成している。前記
ダイオードはポリシリコンで構成され、図８にIGBT58上
に形成したポリシリコンダイオード５９の例を示す。
【００１４】従来のバイポーラトランジスタでは、電流
検出後ミラー積分回路等を設けて一巡伝達ゲインを下げ
ることにより非飽和時の発振現象をおさえる構成をとっ
ていた。ＩＧＢＴイグナイタにミラー積分回路を設けた
例を図５に示す。ＭＯＳ差動増幅器で構成した電流制限
回路及び抵抗４３とコンデンサ４４によりミラー積分回
路を構成している。しかしＩＧＢＴ内に構成したＭＯＳ
トランジスタ増幅回路ならびにＭＯＳ差動増幅回路で
は、ゲインの低い増幅回路を構成することにより一巡伝
達ループゲインの位相余有を持たせることに重点をおき
非飽和時の発振現象を低減することを実現できる。図９
にＩＧＢＴ動作を表す波形の一例を示す。ＩＧＢＴに点
火信号が入力され、ＩＧＢＴがＯＮし、コレクタ電流が
流れるとＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間電圧は上昇す
る。コレクタ電流が電流制限値になった時点でＩＧＢＴ
が不飽和状態になり、電流が一定に制御される。この電
流制御は点火コイルの一次インダクタンスによる二次遅
れとＩＧＢＴの増幅率の関係で、不飽和制御された時点
で電流が発振する事があり、フィードバックループの一
巡周波数応答解析を行い、十分なゲイン余裕があること
を確認することが重要である。図１０にフィードバック
ループの一端を解放した状態での一巡伝達の位相・ゲイ
ン周波数応答の一例を示す。
検出後ミラー積分回路等を設けて一巡伝達ゲインを下げ
ることにより非飽和時の発振現象をおさえる構成をとっ
ていた。ＩＧＢＴイグナイタにミラー積分回路を設けた
例を図５に示す。ＭＯＳ差動増幅器で構成した電流制限
回路及び抵抗４３とコンデンサ４４によりミラー積分回
路を構成している。しかしＩＧＢＴ内に構成したＭＯＳ
トランジスタ増幅回路ならびにＭＯＳ差動増幅回路で
は、ゲインの低い増幅回路を構成することにより一巡伝
達ループゲインの位相余有を持たせることに重点をおき
非飽和時の発振現象を低減することを実現できる。図９
にＩＧＢＴ動作を表す波形の一例を示す。ＩＧＢＴに点
火信号が入力され、ＩＧＢＴがＯＮし、コレクタ電流が
流れるとＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間電圧は上昇す
る。コレクタ電流が電流制限値になった時点でＩＧＢＴ
が不飽和状態になり、電流が一定に制御される。この電
流制御は点火コイルの一次インダクタンスによる二次遅
れとＩＧＢＴの増幅率の関係で、不飽和制御された時点
で電流が発振する事があり、フィードバックループの一
巡周波数応答解析を行い、十分なゲイン余裕があること
を確認することが重要である。図１０にフィードバック
ループの一端を解放した状態での一巡伝達の位相・ゲイ
ン周波数応答の一例を示す。
【００１５】発振が起こる条件としては、ゲインが０ｄ
Ｂ以上で位相が１８０°遅れた場合であるが、前記Ｎ−
ＭＯＳ電流制限回路をミラー積分回路構成にすると遅れ
が大きくなり発振に対しての余有が少なくなってしまう
為、ワンチップ化には図４の構成の方が有利である。
Ｂ以上で位相が１８０°遅れた場合であるが、前記Ｎ−
ＭＯＳ電流制限回路をミラー積分回路構成にすると遅れ
が大きくなり発振に対しての余有が少なくなってしまう
為、ワンチップ化には図４の構成の方が有利である。
【００１６】電流制御回路部は自己分離形Ｎ−ＭＯＳト
ランジスタ２３で構成されているためＩＧＢＴを構成す
るＰＮＰＮ半導体構造の中で容易に作り込むことが可能
となっている。図６にその構造を示す。IGBT50は半導体
のＰＮＰＮの４層構成からなる。コレクタ５１に電源の
正電圧、エミッタ５２に電源の負電圧を接続し、酸化膜
により絶縁されたゲート５３に十分な正の電圧を印加す
ることにより空乏層にＮチャンネルが形成され、コレク
タからエミッタに電流が流れる。自己分離形Ｎ−ＭＯＳ
トランジスタ４９はＩＧＢＴのＰベース層の中にＮ層形
成し、そこからソース，ドレイン端子を引き出し、その
間に酸化膜で絶縁したゲート端子を設けた構造となって
いる。ここで説明しているＮ−ＭＯＳトランジスタはエ
ンハンスメント形とディプリッション形の両方を想定す
る。
ランジスタ２３で構成されているためＩＧＢＴを構成す
るＰＮＰＮ半導体構造の中で容易に作り込むことが可能
となっている。図６にその構造を示す。IGBT50は半導体
のＰＮＰＮの４層構成からなる。コレクタ５１に電源の
正電圧、エミッタ５２に電源の負電圧を接続し、酸化膜
により絶縁されたゲート５３に十分な正の電圧を印加す
ることにより空乏層にＮチャンネルが形成され、コレク
タからエミッタに電流が流れる。自己分離形Ｎ−ＭＯＳ
トランジスタ４９はＩＧＢＴのＰベース層の中にＮ層形
成し、そこからソース，ドレイン端子を引き出し、その
間に酸化膜で絶縁したゲート端子を設けた構造となって
いる。ここで説明しているＮ−ＭＯＳトランジスタはエ
ンハンスメント形とディプリッション形の両方を想定す
る。
【００１７】接合分離形でトランジスタを構成した場合
を図７に示す。トランジスタを形成するためにＰ−サブ
ストレート５６を設け、その中にＰＮＰ、あるいはＮＰ
Ｎトランジスタを形成する構造であるが、この構造はＩ
ＧＢＴの基本構造からかけ離れてしまい、マスク枚数が
増加するだけではなくＰ・Ｎ構造が４層以上となるため
製造上ならびに機能上問題が多い。
を図７に示す。トランジスタを形成するためにＰ−サブ
ストレート５６を設け、その中にＰＮＰ、あるいはＮＰ
Ｎトランジスタを形成する構造であるが、この構造はＩ
ＧＢＴの基本構造からかけ離れてしまい、マスク枚数が
増加するだけではなくＰ・Ｎ構造が４層以上となるため
製造上ならびに機能上問題が多い。
【００１８】図４に他の実施例を示す。上述した実施例
と同様に、パワートランジスタ３０はＩＧＢＴで、主回
路を構成するメインＩＧＢＴ及び１次電流を検知する電
流検出用のサブＩＧＢＴからなり、電流検出用負荷素子
３１はサブＩＧＢＴのエミッタとＧＮＤ間に設けられ
る。負荷素子はワンチップのなかで拡散抵抗により構成
される。
と同様に、パワートランジスタ３０はＩＧＢＴで、主回
路を構成するメインＩＧＢＴ及び１次電流を検知する電
流検出用のサブＩＧＢＴからなり、電流検出用負荷素子
３１はサブＩＧＢＴのエミッタとＧＮＤ間に設けられ
る。負荷素子はワンチップのなかで拡散抵抗により構成
される。
【００１９】電流制御回路部はＮ−ＭＯＳトランジスタ
３２と３３，抵抗３４，３５，３６で差動回路構成とな
っている。本実施例のＮ−ＭＯＳトランジスタも請求項
１の実施例と同様に自己分離形であるため、ＩＧＢＴを
構成するＰＮＰＮ半導体構造の中でつくりこまれる。差
動基準電圧を抵抗３７，３８で設定し、電流制御回路入
力段は抵抗３９でプルアップされたダイオード４０の順
方向電圧によりバイアス電圧がかけられている。差動回
路基準電圧と電流検出用負荷素子２２の温度係数に対し
てダイオードの順方向電圧の温度係数が零になるように
設定することにより、負荷素子２２による電圧降下はつ
ねに一定となり温度係数をもたない電流検出を可能とし
ている。動作原理は請求項１の例で説明したとおりであ
るが電流制限回路を差動回路で構成しているためＮ−Ｍ
ＯＳトランジスタのスレッシュホールド電圧の温度特性
の影響がないためダイオード４０一個で温度係数をキャ
ンセル出来る。
３２と３３，抵抗３４，３５，３６で差動回路構成とな
っている。本実施例のＮ−ＭＯＳトランジスタも請求項
１の実施例と同様に自己分離形であるため、ＩＧＢＴを
構成するＰＮＰＮ半導体構造の中でつくりこまれる。差
動基準電圧を抵抗３７，３８で設定し、電流制御回路入
力段は抵抗３９でプルアップされたダイオード４０の順
方向電圧によりバイアス電圧がかけられている。差動回
路基準電圧と電流検出用負荷素子２２の温度係数に対し
てダイオードの順方向電圧の温度係数が零になるように
設定することにより、負荷素子２２による電圧降下はつ
ねに一定となり温度係数をもたない電流検出を可能とし
ている。動作原理は請求項１の例で説明したとおりであ
るが電流制限回路を差動回路で構成しているためＮ−Ｍ
ＯＳトランジスタのスレッシュホールド電圧の温度特性
の影響がないためダイオード４０一個で温度係数をキャ
ンセル出来る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＧＢＴチップの中に
温度補償を踏まえた電流制限回路が簡単に形成できるた
めワンチップ化が容易となり信頼性の高いワンチップイ
グナイタが可能となる。
温度補償を踏まえた電流制限回路が簡単に形成できるた
めワンチップ化が容易となり信頼性の高いワンチップイ
グナイタが可能となる。
【図１】通常の点火装置の構成。
【図２】本発明の要点を示す内部等価回路。
【図３】本発明の請求項１を説明する回路の一実施例。
【図４】請求項２を説明する回路の一実施例。
【図５】電流制限回路にミラー積分回路を設けた例。
【図６】ＩＧＢＴに集積した自己分離形Ｎ−ＭＯＳトラ
ンジスタの一実施例。
ンジスタの一実施例。
【図７】ＩＧＢＴに集積した接合分離形トランジスタの
一実施例。
一実施例。
【図８】ＩＧＢＴに集積した拡散抵抗とポリシリコンダ
イオードの一実施例。
イオードの一実施例。
【図９】電流制限の動作を説明する波形例。
【図１０】一巡周波数応答特性の例。
【符号の説明】 １…ＥＣＵ、２…点火装置、３，１４…点火コイル、４
…点火プラグ、５…パワートランジスタ、６，２２，３
１…電流検出用負荷、７，１８…電流制限回路、８…Ｃ
ＰＵ、９…ＰＮＰトランジスタ、１０…ＮＰＮトランジ
スタ、１１，１２，１９，２６，２７，３４，３５，３
６，３７，３８，３９，４３，４７…抵抗、１３…ハイ
ブリッドＩＣ基板、１５…メインＩＧＢＴ、１６…サブ
IGBT、１７…電流検知回路、２０…ワンチップイグナイ
タ、２１，３０，４８，５０，５５，５９…ＩＧＢＴ、
２３，３２，３３，４２，４９…自己分離形Ｎ−ＭＯＳ
トランジスタ、２８，２９，４０…ダイオード、４４…
コンデンサ、５１…コレクタ端子、５２…ゲート端子、
５３…エミッタ端子、５４…接合分離形トランジスタ、
５６…Ｐ−サブストレート、５７…拡散抵抗、５９…ポ
リシリコンダイオード。
…点火プラグ、５…パワートランジスタ、６，２２，３
１…電流検出用負荷、７，１８…電流制限回路、８…Ｃ
ＰＵ、９…ＰＮＰトランジスタ、１０…ＮＰＮトランジ
スタ、１１，１２，１９，２６，２７，３４，３５，３
６，３７，３８，３９，４３，４７…抵抗、１３…ハイ
ブリッドＩＣ基板、１５…メインＩＧＢＴ、１６…サブ
IGBT、１７…電流検知回路、２０…ワンチップイグナイ
タ、２１，３０，４８，５０，５５，５９…ＩＧＢＴ、
２３，３２，３３，４２，４９…自己分離形Ｎ−ＭＯＳ
トランジスタ、２８，２９，４０…ダイオード、４４…
コンデンサ、５１…コレクタ端子、５２…ゲート端子、
５３…エミッタ端子、５４…接合分離形トランジスタ、
５６…Ｐ−サブストレート、５７…拡散抵抗、５９…ポ
リシリコンダイオード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉浦 登 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内
Claims (2)
- 【請求項１】内燃機関用電子制御装置（以下「ＥＣＵ」
という。）から出力される点火制御信号に応じて点火コ
イルに流れる一次電流を通電，遮断制御しその二次側に
高電圧を発生させるスイッチング素子を絶縁ゲート形バ
イポーラトランジスタ（以下「ＩＧＢＴ」という。）で
構成した内燃機関用点火装置において、その素子の保護
を目的とした保護回路をワンチップに集約したワンチッ
プイグナイタの保護機能の一つである電流制限回路を自
己分離形のＮ−ＭＯＳトランジスタで構成し、電流制限
回路部にダイオードを設けて検出回路の温度による影響
を少なくさせたことを特徴とする内燃機関用点火装置。 - 【請求項２】請求項１において、電流制限回路を自己分
離形Ｎ−ＭＯＳ差動増幅回路（ＯＰ−ＡＭＰ）で構成
し、電流制限回路部にダイオードを設けて検出回路の温
度による影響を少なくさせたことを特徴とする内燃機関
用点火装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34031695A JP3192074B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 内燃機関用点火装置 |
| KR1019960072355A KR100436868B1 (ko) | 1995-12-27 | 1996-12-26 | 내연기관용점화장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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