JPH09173816A - 真空槽の冷却方法および該方法に用いる真空処理装置 - Google Patents
真空槽の冷却方法および該方法に用いる真空処理装置Info
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- JPH09173816A JPH09173816A JP34322095A JP34322095A JPH09173816A JP H09173816 A JPH09173816 A JP H09173816A JP 34322095 A JP34322095 A JP 34322095A JP 34322095 A JP34322095 A JP 34322095A JP H09173816 A JPH09173816 A JP H09173816A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空処理装置の加熱真空槽をヒートダウンさ
せる際、真空槽内の冷却速度を向上させることによって
停止時間を短縮し、装置の稼働率を向上させることがで
きる真空槽の冷却方法を提供する。 【解決手段】 加熱源を有する真空槽１を加熱状態から
室温近傍へ冷却するための真空槽１の冷却方法であっ
て、該真空槽１に大気圧よりも低いガス圧力の不活性ガ
スを封入した後、該真空槽１に接続され、該真空槽１の
圧力よりも減圧された予備真空槽３内に前記真空槽１内
の不活性ガスを拡散させる。
せる際、真空槽内の冷却速度を向上させることによって
停止時間を短縮し、装置の稼働率を向上させることがで
きる真空槽の冷却方法を提供する。 【解決手段】 加熱源を有する真空槽１を加熱状態から
室温近傍へ冷却するための真空槽１の冷却方法であっ
て、該真空槽１に大気圧よりも低いガス圧力の不活性ガ
スを封入した後、該真空槽１に接続され、該真空槽１の
圧力よりも減圧された予備真空槽３内に前記真空槽１内
の不活性ガスを拡散させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空槽の冷却方法お
よび該方法に用いる真空処理装置に関する。さらに詳し
くは、液晶表示装置または半導体などの製造装置に用い
られる、室温以上に加熱される真空槽の冷却方法および
該方法に用いる真空処理装置に関する。
よび該方法に用いる真空処理装置に関する。さらに詳し
くは、液晶表示装置または半導体などの製造装置に用い
られる、室温以上に加熱される真空槽の冷却方法および
該方法に用いる真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置または半導体などの製造装
置の中でも特にスパッタ装置やＣＶＤ装置などは、真空
槽内に内蔵するヒーターにより概ね１００〜５００℃程
度の高温に加熱され、１０-4〜１０-5Ｐａ程度の高真空
状態まで排気された清浄な真空槽を有する。真空槽は、
定期的なメンテナンスや不定期のトラブルなどのため、
内部を大気圧まで戻した上で開放し、所定の作業を行な
う必要がある。しかし、加熱真空槽を大気開放する場
合、加熱された状態のまま大気圧に戻すと、高温による
周辺環境・人体への悪影響、真空槽内部品の急激な温度
変化による変形・損傷、または大気中の酸素との酸化反
応の進行による槽内部品の劣化などの不具合が発生す
る。これらを避けるため、加熱真空槽を大気開放する場
合は、事前に槽内温度を室温近傍まで低下させる必要が
ある。この槽内冷却には、通常は数時間以上を要するた
め、装置停止時間が長くなり装置の生産性を低下させる
原因になっている。とりわけ、液晶表示装置の製造に用
いられるインライン式スパッタ装置やＣＶＤ装置など
は、最大１０００リットル前後の大容量真空槽を有する
ため、冷却に１０時間程度の長時間を要していた。
置の中でも特にスパッタ装置やＣＶＤ装置などは、真空
槽内に内蔵するヒーターにより概ね１００〜５００℃程
度の高温に加熱され、１０-4〜１０-5Ｐａ程度の高真空
状態まで排気された清浄な真空槽を有する。真空槽は、
定期的なメンテナンスや不定期のトラブルなどのため、
内部を大気圧まで戻した上で開放し、所定の作業を行な
う必要がある。しかし、加熱真空槽を大気開放する場
合、加熱された状態のまま大気圧に戻すと、高温による
周辺環境・人体への悪影響、真空槽内部品の急激な温度
変化による変形・損傷、または大気中の酸素との酸化反
応の進行による槽内部品の劣化などの不具合が発生す
る。これらを避けるため、加熱真空槽を大気開放する場
合は、事前に槽内温度を室温近傍まで低下させる必要が
ある。この槽内冷却には、通常は数時間以上を要するた
め、装置停止時間が長くなり装置の生産性を低下させる
原因になっている。とりわけ、液晶表示装置の製造に用
いられるインライン式スパッタ装置やＣＶＤ装置など
は、最大１０００リットル前後の大容量真空槽を有する
ため、冷却に１０時間程度の長時間を要していた。
【０００３】従来は、前述の加熱真空槽内の冷却時間を
短縮させるために、加熱真空槽内に１気圧以上の窒素、
またはアルゴンなどの不活性ガスを導入し、真空槽内に
導入されたガスの対流による熱移動効果を利用し冷却速
度を向上させる方法がある（特開平６−１８４６２８号
公報）。
短縮させるために、加熱真空槽内に１気圧以上の窒素、
またはアルゴンなどの不活性ガスを導入し、真空槽内に
導入されたガスの対流による熱移動効果を利用し冷却速
度を向上させる方法がある（特開平６−１８４６２８号
公報）。
【０００４】また、図４に示すように、真空槽５０に不
活性ガスの導入口５１、排出口５２をそれぞれ設け、該
排出口５２から導入口５１へガスを循環させるガス冷却
管５３を設け、ガス冷却管５３には熱交換器５４を介設
し、真空槽５０に導入されるガスを冷却することにより
真空槽の冷却効率を向上させる方法がある（特開昭６０
−２３８１３号公報）。
活性ガスの導入口５１、排出口５２をそれぞれ設け、該
排出口５２から導入口５１へガスを循環させるガス冷却
管５３を設け、ガス冷却管５３には熱交換器５４を介設
し、真空槽５０に導入されるガスを冷却することにより
真空槽の冷却効率を向上させる方法がある（特開昭６０
−２３８１３号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平６−１８４６２８号公報の冷却方法では、ガス対流
による熱移動効果は真空槽内に流入させたガス密度が低
く、１気圧未満の場合はあまり効果がない。従って、ガ
ス対流による冷却効果を大きくするために１気圧以上に
加圧するものであった。しかし、通常の液晶や半導体製
造装置の真空槽は、構造上、内圧を１気圧以上にできな
いという制約があるため、この方法による冷却効果はあ
まり期待できない。
開平６−１８４６２８号公報の冷却方法では、ガス対流
による熱移動効果は真空槽内に流入させたガス密度が低
く、１気圧未満の場合はあまり効果がない。従って、ガ
ス対流による冷却効果を大きくするために１気圧以上に
加圧するものであった。しかし、通常の液晶や半導体製
造装置の真空槽は、構造上、内圧を１気圧以上にできな
いという制約があるため、この方法による冷却効果はあ
まり期待できない。
【０００６】また前記特開昭６０−２３８１３号公報の
冷却方法では、真空槽から排気された不活性ガスが真空
ポンプ内を経て、再度真空槽内に導入されるため、特に
真空ポンプとして油回転ポンプを使用した場合はオイル
ミストが、その他のポンプの場合はポンプ内摺動部から
発生したダストが真空槽内を汚染する危険性があり、ガ
スの清浄性の点で問題がある。
冷却方法では、真空槽から排気された不活性ガスが真空
ポンプ内を経て、再度真空槽内に導入されるため、特に
真空ポンプとして油回転ポンプを使用した場合はオイル
ミストが、その他のポンプの場合はポンプ内摺動部から
発生したダストが真空槽内を汚染する危険性があり、ガ
スの清浄性の点で問題がある。
【０００７】本発明は、叙上の事情に鑑み、真空処理装
置の加熱真空槽をヒートダウンさせる際、真空槽内の冷
却速度を向上させることによって停止時間を短縮し、装
置の稼働率を向上させることができる真空槽の冷却方法
および該方法に用いる真空処理装置を提供することを目
的とする。
置の加熱真空槽をヒートダウンさせる際、真空槽内の冷
却速度を向上させることによって停止時間を短縮し、装
置の稼働率を向上させることができる真空槽の冷却方法
および該方法に用いる真空処理装置を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の真空槽の冷却方
法は、加熱源を有する真空槽を加熱状態から室温近傍へ
冷却するための真空槽の冷却方法であって、該真空槽に
大気圧よりも低いガス圧力の不活性ガスを封入した後、
該真空槽に接続され、該真空槽の圧力よりも減圧された
予備真空槽内に前記真空槽内の不活性ガスを拡散させる
ことを特徴としている。
法は、加熱源を有する真空槽を加熱状態から室温近傍へ
冷却するための真空槽の冷却方法であって、該真空槽に
大気圧よりも低いガス圧力の不活性ガスを封入した後、
該真空槽に接続され、該真空槽の圧力よりも減圧された
予備真空槽内に前記真空槽内の不活性ガスを拡散させる
ことを特徴としている。
【０００９】また本発明の真空槽の冷却方法は、加熱源
を有する真空槽を加熱状態から室温近傍へ冷却するため
の真空槽の冷却方法であって、該真空槽に接続される予
備真空槽内に大気圧よりも低いガス圧力の不活性ガスを
封入した後、前記真空槽内に予備真空槽内の不活性ガス
を拡散させることを特徴としている。
を有する真空槽を加熱状態から室温近傍へ冷却するため
の真空槽の冷却方法であって、該真空槽に接続される予
備真空槽内に大気圧よりも低いガス圧力の不活性ガスを
封入した後、前記真空槽内に予備真空槽内の不活性ガス
を拡散させることを特徴としている。
【００１０】さらに本発明の真空槽の冷却方法は、加熱
源を有する真空槽を加熱状態から室温近傍へ冷却するた
めの真空槽の冷却方法であって、該真空槽に不活性ガス
の供給手段と真空排気手段を接続し、該真空槽内にガス
圧力が高い不活性ガスを拡散させると同時に、真空排気
を行なうことを特徴としている。
源を有する真空槽を加熱状態から室温近傍へ冷却するた
めの真空槽の冷却方法であって、該真空槽に不活性ガス
の供給手段と真空排気手段を接続し、該真空槽内にガス
圧力が高い不活性ガスを拡散させると同時に、真空排気
を行なうことを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の真空槽の冷却方法および該方法に用いる真空処理装置
を説明する。
の真空槽の冷却方法および該方法に用いる真空処理装置
を説明する。
【００１２】図１は本発明の真空槽の冷却方法の一実施
例を説明する模式図、図２は本発明の真空槽の冷却方法
の他の実施例を説明する模式図、図３は本発明の真空槽
の冷却方法の更に他の実施例を説明する模式図である。
例を説明する模式図、図２は本発明の真空槽の冷却方法
の他の実施例を説明する模式図、図３は本発明の真空槽
の冷却方法の更に他の実施例を説明する模式図である。
【００１３】図１（ａ）に示すように、真空処理装置Ａ
における冷却の対象となる真空槽１には、不活性ガスを
供給するための供給手段Ｓ１と、仕切弁（流量制御弁）
２を介して予備真空槽３とが接続されている。また前記
真空槽１は、抵抗体などの加熱源を有しており、予備真
空槽３には、真空排気手段Ｓ２が接続されている。前記
供給手段Ｓ１は、真空槽１のガス供給口４に仕切弁５を
介して接続されるポンプユニット６からなり、また前記
真空排気手段Ｓ２は、予備真空槽３に仕切弁７を介して
接続されるポンプユニット８からなる。ポンプユニット
６、８としては、例えばメカニカルブースターポンプま
たはロータリーポンプなどを用いることができる。
における冷却の対象となる真空槽１には、不活性ガスを
供給するための供給手段Ｓ１と、仕切弁（流量制御弁）
２を介して予備真空槽３とが接続されている。また前記
真空槽１は、抵抗体などの加熱源を有しており、予備真
空槽３には、真空排気手段Ｓ２が接続されている。前記
供給手段Ｓ１は、真空槽１のガス供給口４に仕切弁５を
介して接続されるポンプユニット６からなり、また前記
真空排気手段Ｓ２は、予備真空槽３に仕切弁７を介して
接続されるポンプユニット８からなる。ポンプユニット
６、８としては、例えばメカニカルブースターポンプま
たはロータリーポンプなどを用いることができる。
【００１４】次に本発明の冷却方法を適用した真空処理
装置Ａの動作を説明する。まず図１（ａ）に示すよう
に、仕切弁５を開けるとともに、仕切弁２を閉じたの
ち、供給手段Ｓ１のポンプユニット６を運転して、真空
槽１内に大気圧より低いガス圧力、例えば１０4Ｐａの
不活性ガスを封入する。ついで予備真空槽３を真空排気
手段Ｓ２のポンプユニット８により減圧し、真空槽１の
圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ２の状態にする。これらの圧
力Ｐ１および圧力Ｐ２としては、例えば圧力Ｐ１が１０
4Ｐａであり、圧力Ｐ２が１０Ｐａである。次に図１
（ｂ）に示すように、仕切弁５、７を閉じるとともに、
仕切弁２を開ける。これにより真空槽１内のガスが予備
真空槽３内へ急激に拡散するため、断熱膨張により拡散
ガスの温度が低下し、真空槽１内と予備真空槽３内の圧
力が等しくなりつつ、真空槽１が冷却される。引き続き
図１（ａ）に示すように、前記仕切弁２を閉じるととも
に、仕切弁７を開けて、予備真空槽３を減圧する。そし
て仕切弁７を閉じてから、図２（ｂ）に示すように仕切
弁２を開けて、真空槽１内のガスを予備真空槽３内へ拡
散させる。この拡散の操作を繰り返すことにより断続的
に真空槽１を冷却する。なお前記拡散の操作を繰り返し
ているあいだに、真空槽１内のガス圧力が１０3ＰＡよ
りも下がりすぎた場合、断熱膨張による冷却速度向上の
媒体となる不活性ガスを補充するために真空槽１のガス
供給口４からガス圧力が元の圧力Ｐ１になるまで不活性
ガスが補充される。
装置Ａの動作を説明する。まず図１（ａ）に示すよう
に、仕切弁５を開けるとともに、仕切弁２を閉じたの
ち、供給手段Ｓ１のポンプユニット６を運転して、真空
槽１内に大気圧より低いガス圧力、例えば１０4Ｐａの
不活性ガスを封入する。ついで予備真空槽３を真空排気
手段Ｓ２のポンプユニット８により減圧し、真空槽１の
圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ２の状態にする。これらの圧
力Ｐ１および圧力Ｐ２としては、例えば圧力Ｐ１が１０
4Ｐａであり、圧力Ｐ２が１０Ｐａである。次に図１
（ｂ）に示すように、仕切弁５、７を閉じるとともに、
仕切弁２を開ける。これにより真空槽１内のガスが予備
真空槽３内へ急激に拡散するため、断熱膨張により拡散
ガスの温度が低下し、真空槽１内と予備真空槽３内の圧
力が等しくなりつつ、真空槽１が冷却される。引き続き
図１（ａ）に示すように、前記仕切弁２を閉じるととも
に、仕切弁７を開けて、予備真空槽３を減圧する。そし
て仕切弁７を閉じてから、図２（ｂ）に示すように仕切
弁２を開けて、真空槽１内のガスを予備真空槽３内へ拡
散させる。この拡散の操作を繰り返すことにより断続的
に真空槽１を冷却する。なお前記拡散の操作を繰り返し
ているあいだに、真空槽１内のガス圧力が１０3ＰＡよ
りも下がりすぎた場合、断熱膨張による冷却速度向上の
媒体となる不活性ガスを補充するために真空槽１のガス
供給口４からガス圧力が元の圧力Ｐ１になるまで不活性
ガスが補充される。
【００１５】次に本発明の他の実施例を説明する。図２
（ａ）に示すように、真空処理装置Ｂにおける冷却の対
象となる真空槽２１には、仕切弁２２を介して予備真空
槽２３が接続されている。また真空槽２１には、真空排
気手段Ｓ３が、予備真空槽２３には、供給手段Ｓ４がそ
れぞれ接続されている。これらの真空排気手段Ｓ３と供
給手段Ｓ４は、前記実施例における真空排気手段Ｓ２と
供給手段Ｓ１を用いることができる。
（ａ）に示すように、真空処理装置Ｂにおける冷却の対
象となる真空槽２１には、仕切弁２２を介して予備真空
槽２３が接続されている。また真空槽２１には、真空排
気手段Ｓ３が、予備真空槽２３には、供給手段Ｓ４がそ
れぞれ接続されている。これらの真空排気手段Ｓ３と供
給手段Ｓ４は、前記実施例における真空排気手段Ｓ２と
供給手段Ｓ１を用いることができる。
【００１６】この真空処理装置Ｂの動作は、まず図２
（ａ）に示すように、仕切弁２２を閉めるとともに、真
空排気手段Ｓ３における仕切弁２４および供給手段Ｓ４
における仕切弁２５を開ける。ついで予備真空槽２３に
は、ポンプユニット２６を運転して、不活性ガスを封入
する。また真空槽２１をポンプユニット２７により減圧
し、予備真空槽２３のガス圧力Ｐ３よりも十分に低い圧
力Ｐ４の状態にする。これらの圧力Ｐ３および圧力Ｐ４
としては、例えば圧力Ｐ３が１０4Ｐａであり、圧力Ｐ
４が１０Ｐａである。次に図２（ｂ）に示すように、仕
切弁２４、２５を閉じた後、仕切弁２２を開ける。これ
により予備真空槽２３内のガスが真空槽２１内へ急激に
拡散し、断熱膨張によりガスの温度が低下するため、真
空槽２１が冷却される。引き続き図２（ａ）に示すよう
に、前記仕切弁２２を閉じるとともに、仕切弁２４、２
５を開けて、真空槽２１を減圧するとともに、予備真空
槽２３内へガスを封入する。そして仕切弁２５を閉じて
から仕切弁２２を開けて、予備真空槽２３内のガスを真
空槽２１内へ拡散させる。この拡散の操作を繰り返すこ
とにより断続的に真空槽２１を冷却する。なお前記拡散
の操作を繰り返している間に、真空槽２１内のガス圧力
が１０3Ｐａよりも下がりすぎた場合、断熱膨張による
冷却速度向上の媒体となる不活性ガスを補充するために
真空槽２１のガス供給口２８からガス圧力が１０4Ｐａ
になるまで不活性ガスが補充される。
（ａ）に示すように、仕切弁２２を閉めるとともに、真
空排気手段Ｓ３における仕切弁２４および供給手段Ｓ４
における仕切弁２５を開ける。ついで予備真空槽２３に
は、ポンプユニット２６を運転して、不活性ガスを封入
する。また真空槽２１をポンプユニット２７により減圧
し、予備真空槽２３のガス圧力Ｐ３よりも十分に低い圧
力Ｐ４の状態にする。これらの圧力Ｐ３および圧力Ｐ４
としては、例えば圧力Ｐ３が１０4Ｐａであり、圧力Ｐ
４が１０Ｐａである。次に図２（ｂ）に示すように、仕
切弁２４、２５を閉じた後、仕切弁２２を開ける。これ
により予備真空槽２３内のガスが真空槽２１内へ急激に
拡散し、断熱膨張によりガスの温度が低下するため、真
空槽２１が冷却される。引き続き図２（ａ）に示すよう
に、前記仕切弁２２を閉じるとともに、仕切弁２４、２
５を開けて、真空槽２１を減圧するとともに、予備真空
槽２３内へガスを封入する。そして仕切弁２５を閉じて
から仕切弁２２を開けて、予備真空槽２３内のガスを真
空槽２１内へ拡散させる。この拡散の操作を繰り返すこ
とにより断続的に真空槽２１を冷却する。なお前記拡散
の操作を繰り返している間に、真空槽２１内のガス圧力
が１０3Ｐａよりも下がりすぎた場合、断熱膨張による
冷却速度向上の媒体となる不活性ガスを補充するために
真空槽２１のガス供給口２８からガス圧力が１０4Ｐａ
になるまで不活性ガスが補充される。
【００１７】次に本発明の更に他の実施例を説明する。
図３に示すように、真空処理装置Ｃにおける冷却の対象
となる真空槽３１には、供給手段Ｓ５及び真空排気手段
Ｓ６が接続されている。これらの供給手段Ｓ５及び真空
排気手段Ｓ６は、前記実施例における供給手段Ｓ１およ
び真空排気手段Ｓ２を用いることができる。この真空処
理装置Ｃの動作は、仕切弁３２、３３を開け、ポンプユ
ニット３４によりガス供給口３５から真空槽３１内へ不
活性ガスが導入すると同時に、仕切弁３３を通じてポン
プユニット３６により真空排気が行なわれる。このと
き、真空槽３１内の圧力は、導入されるガス圧力に比べ
十分に低いため、ガスが真空槽３１内で拡散する際に、
断熱膨張により真空槽３１が冷却される。そして引き続
き前記拡散の操作を繰り返すことにより断続的に真空槽
３１を冷却する。
図３に示すように、真空処理装置Ｃにおける冷却の対象
となる真空槽３１には、供給手段Ｓ５及び真空排気手段
Ｓ６が接続されている。これらの供給手段Ｓ５及び真空
排気手段Ｓ６は、前記実施例における供給手段Ｓ１およ
び真空排気手段Ｓ２を用いることができる。この真空処
理装置Ｃの動作は、仕切弁３２、３３を開け、ポンプユ
ニット３４によりガス供給口３５から真空槽３１内へ不
活性ガスが導入すると同時に、仕切弁３３を通じてポン
プユニット３６により真空排気が行なわれる。このと
き、真空槽３１内の圧力は、導入されるガス圧力に比べ
十分に低いため、ガスが真空槽３１内で拡散する際に、
断熱膨張により真空槽３１が冷却される。そして引き続
き前記拡散の操作を繰り返すことにより断続的に真空槽
３１を冷却する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の冷却方法
および真空処理装置では、不活性ガスを拡散させ、断熱
膨張させることにより、真空槽を断続的に冷却するた
め、通常の真空槽へのガス封入、または自然冷却による
冷却方法に比較して、より大きな冷却速度が得られ、冷
却時間を短縮することが可能となる。その結果、装置の
稼働率を向上させることができる。
および真空処理装置では、不活性ガスを拡散させ、断熱
膨張させることにより、真空槽を断続的に冷却するた
め、通常の真空槽へのガス封入、または自然冷却による
冷却方法に比較して、より大きな冷却速度が得られ、冷
却時間を短縮することが可能となる。その結果、装置の
稼働率を向上させることができる。
【図１】本発明の真空槽の冷却方法の一実施例を説明す
る模式図である。
る模式図である。
【図２】本発明の真空槽の冷却方法の他の実施例を説明
する模式図である。
する模式図である。
【図３】本発明の真空槽の冷却方法のさらに他の実施例
を説明する模式図である。
を説明する模式図である。
【図４】従来の冷却方法の一例を示す模式図である。
１、２１、３１ 真空槽 ２、５、７、２２、２４、 ２５、３２、３３ 仕切弁 ３、２３ 予備真空槽 ４、２８、３５ ガス供給口 ６、８、２６、２７、 ３４、３６ ポンプユニット Ａ、Ｂ、Ｃ 真空処理装置 Ｓ１、Ｓ４、Ｓ５ 供給手段 Ｓ２、Ｓ３、Ｓ６ 真空排気手段
Claims (7)
- 【請求項１】 加熱源を有する真空槽を加熱状態から室
温近傍へ冷却するための真空槽の冷却方法であって、該
真空槽に大気圧よりも低いガス圧力の不活性ガスを封入
した後、該真空槽に接続され、該真空槽の圧力よりも減
圧された予備真空槽内に前記真空槽内の不活性ガスを拡
散させることを特徴とする真空槽の冷却方法。 - 【請求項２】 加熱源を有する真空槽を加熱状態から室
温近傍へ冷却するための真空槽の冷却方法であって、該
真空槽に接続される予備真空槽内に大気圧よりも低いガ
ス圧力の不活性ガスを封入した後、前記真空槽内に予備
真空槽内の不活性ガスを拡散させることを特徴とする真
空槽の冷却方法。 - 【請求項３】 前記拡散の操作を繰り返している間に、
真空槽内の不活性ガス圧力が断熱膨張によるガス温度冷
却の効果が十分に得られる臨界点よりも下がりすぎた場
合、該真空槽にガスを補充する請求項１または２記載の
冷却方法。 - 【請求項４】 加熱源を有する真空槽を加熱状態から室
温近傍へ冷却するための真空槽の冷却方法であって、該
真空槽に不活性ガスの供給手段と真空排気手段を接続
し、該真空槽内にガス圧力が高い不活性ガスを拡散させ
ると同時に、真空排気を行なうことを特徴とする真空槽
の冷却方法。 - 【請求項５】 前記真空槽と予備真空槽とを接続する仕
切弁と、真空槽に接続される不活性ガスの供給手段と、
前記予備真空槽に接続される真空排気手段からなる請求
項１または３記載の冷却方法に用いる真空処理装置。 - 【請求項６】 前記真空槽と予備真空槽とを接続する仕
切弁と、真空槽に接続される真空排気手段と、前記予備
真空槽に接続される不活性ガスの供給手段からなる請求
項２または３記載の冷却方法に用いる真空処理装置。 - 【請求項７】 真空槽に不活性ガスの供給手段と真空排
気手段を接続してなる請求項４記載の冷却方法に用いる
真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34322095A JPH09173816A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 真空槽の冷却方法および該方法に用いる真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34322095A JPH09173816A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 真空槽の冷却方法および該方法に用いる真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09173816A true JPH09173816A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=18359849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34322095A Pending JPH09173816A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 真空槽の冷却方法および該方法に用いる真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09173816A (ja) |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34322095A patent/JPH09173816A/ja active Pending
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