JPH09169565A - 強誘電体薄膜、その形成方法、薄膜形成用塗布液 - Google Patents
強誘電体薄膜、その形成方法、薄膜形成用塗布液Info
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Abstract
加した際の該薄膜におけるリーク電流を従来より低減す
る。 【解決手段】 PbZrX Ti1-X SbY O3 (ただし
0<X<1であり、0.0001≦Y≦0.05)の組
成を有する強誘電体薄膜19。
Description
体薄膜、該薄膜の形成方法、該薄膜形成用塗布液に関す
るものである。
とから、強誘電体薄膜が近年注目されている(例えば文
献I:セラミックスVol.30,No.6,pp.499-507)。そして
特に、PbZrX Ti1-X O3 (0<X<1。以下、P
ZTともいう。)の組成の薄膜の検討が精力的に行なわ
れている。このPZTの薄膜の形成に当たっては、スパ
ッタ法、CVD法、湿式法などの方法が試みられてい
る。これらのうちの湿式法は、真空系を用いないので、
低コスト、高い量産性、大面積への成膜が可能である。
ここで湿式法とは、下地上に強誘電体薄膜形成用の塗布
液を塗布しそれを焼成して目的の薄膜を得る方法であ
る。PZT薄膜形成用の塗布液はいわゆるゾルゲル法に
より製造されることが多い。
T薄膜は、リーク電流が大きいという問題がある。特に
膜厚が薄い領域(0.3μm以下の領域)では、リーク
電流が増大するばかりでなく膜の耐圧も劣化するという
問題もある。これらは薄膜からの鉛の消失が原因で起こ
る。またこれら問題は湿式法で形成されるPZT薄膜で
特に生じ易い。焼成工程などにおいて鉛の消失が生じ易
いと考えられるからである。この問題を解決するべく消
失分(数%)の鉛を当初過剰に入れる方法もとられてい
る。しかしそれでも膜表面付近は鉛が所望の組成に対し
欠乏した状態になる。この欠乏状態を回避するべくさら
に鉛を過剰に加えると、今度は膜の導電性が高くなるの
で、さらにリーク電流が増加してしまう。これら問題は
PZTに限らずPbを含む種々の強誘電体薄膜で生じる
と考えられる。
リーク電流が従来に比べて少ない薄膜とその形成方法と
薄膜形成用塗布液とが望まれる。
発明によれば、鉛(Pb)を含む強誘電体薄膜におい
て、鉛が蒸発し易いことで薄膜中に生じるPb欠陥に起
因し該薄膜がP型になるのを補償し得る量のアンチモン
(Sb)を含んだことを特徴とする。
含む強誘電体薄膜を下地上に湿式法により形成するに当
たり、用いる塗布液中に、鉛が蒸発し易いことで薄膜中
に生じるPb欠陥に起因し該薄膜がP型になるのを補償
し得る量のアンチモン(Sb)を予め含有させ、該Sb
を含有させた塗布液を用いて当該薄膜を形成することを
特徴とする。
を含む強誘電体薄膜を湿式法により形成するための塗布
液において、アンチモンを鉛に対し0.01〜5モル%
の割合で含んだことを特徴とする。
形態について説明する。しかしながら以下の説明で用い
る材料および、用いる材料の使用料、各処理における温
度、時間などの数値的条件は、この発明の範囲内の一例
にすぎない。
明の説明) 先ず、第三発明に係る塗布液をこの実施の形態では以下
に説明するように製造する。
[Pb(CH3 COO)2 ・3H2 O]を303.46
g(0.8モル)秤量し、これを、溶媒としての300
g(約310.5ml)のメチルセロソルブ(CH3 O
CH2 CH2 OH)に溶解する。次にこの溶液を124
℃程度の温度に加熱し脱水処理をする。次に、この溶液
を放置冷却しその温度が90。以下となったら、これ
に、ジルコニウムテトライソプロポキシドZr(OiP
r)4 (77.12%)を176.66gおよびチタン
テトラブトキシドTi(OBu)4 (99%)を13
2.01g加える。そしてこの溶液を120〜122℃
で加熱する。その後、室温まで放置冷却する。これによ
り、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 を0.8モル含む第
1の液体が500.00g得られる。
以下のように調製する。鉛有機物としての例えば酢酸鉛
3水和物を72.83g(0.192モル)秤量し、こ
れを、溶媒としての72.00g(約74.5ml)の
メチルセロソルブに溶解する。次にこの溶液を124℃
程度の温度に加熱し脱水処理をする。次に、この溶液を
放置冷却しその温度が90。以下となったら、これにア
ンチモントリエトキシドSb(OEt)3 を49.33
g(0.192モル)加える。そしてこの溶液を120
〜122℃で加熱した後、室温まで放置冷却する。これ
により、Sb分を0.192モル含む(Pb−O−Sb
のメタロキシ結合の形で含む)第2の液体が123.9
7g得られる。
比を調整すると、Pbに対し所定量のSbを含む第三発
明に係る薄膜形成用塗布液を調製することができる。こ
の実施の形態ではPbに対し0.5モル%でSbを含む
塗布液と、Pbに対し1モル%でSbを含む塗布液をそ
れぞれ用意する。そこで前者の塗布液を得るために、第
1の液体102.5gと、第2の液体0.53gとを、
328.00g(約339.4ml)のメチルセロソル
ブ中に入れる。すなわち102.5gの第1の液体には
102.5×0.8/500=0.0164モルのPb
分が含まれ、また、0.53gの第2の液体には0.5
3×0.192/123.97=0.00082モルの
Sb分が含まれるので、Sb/Pb=0.00082/
0.0164=0.5モル%の塗布液となる。また、後
者の塗布液を得るために、第1の液体102.5gと、
第2の液体1.06gとを、328.00g(約33
9.4ml)のメチルセロソルブ中に入れる。混合した
ものそれぞれは、120〜124℃の温度で加熱した状
態で5時間還流する。次に、それぞれの液に、メチルセ
ロソルブを41.00g(約42.4ml)およびH2
Oを5.90g(0.328モル)攪拌しながら滴下投
入する。加水分解を生じさせるためである。そして、攪
拌を4時間行なう。これによりPbに対し0.5モル%
でSbを含む塗布液(以下、0.5用塗布液という。)
と、Pbに対し1モル%でSbを含む塗布液(以下、
1.0用塗布液という)がそれぞれ得られる。0.5用
塗布液の固形分は11.09重量%であり、1.0用塗
布液の固形分は11.10重量%である。
bTiO3 )の薄膜形成用塗布液を別途に調製する。詳
細は後述するが、この発明に係るPbZrX Ti1-X S
bYO3 の薄膜は、チタン酸鉛(PbTiO3 )の薄膜上
に形成した方が、そうしない場合に比べ良好な薄膜が得
られるからである。
水和物42.49g(0.112モル)を、溶媒として
の70.00g(約72.4ml)のメチルセロソルブ
に溶解する。次にこの溶液を124℃程度の温度に加熱
し脱水処理をする。次にこの溶液を放置冷却しその温度
が90。以下となったら、これに、チタンテトラブトキ
シドTi(OBu)4 (99%)を38.54g(0.
112モル)加える。そしてこの溶液を120〜122
℃で加熱した後、室温まで放置冷却する。これにより、
PbTiO3 を0.112モル含む液体が127.34
g得られる。
g(約289.8ml)加え、攪拌する。次に、この液
にメチルセロソルブを28.00g(約29.0ml)
およびH2 Oを4.03g(0.224モル)攪拌しな
がら滴下投入する。加水分解を生じさせるためである。
そして、攪拌を4時間行なう。これによりPbTiO3
を0.112モル含むチタン酸鉛用塗布液が439.3
8g得られる。この液中の固形分(酸化物換算)は7.
725重量%である。
明) 次に、上述のように製造した各塗布液を用い湿式法によ
り、PbZrX Ti1-X SbY O3 の薄膜(以下、Sb
含有PZT薄膜)を、下地上に以下に説明するように形
成する。この説明を図1に示した要部断面図を参照して
行なう。先ず、この実施の形態では、基板としてシリコ
ン(Si)基板11を用いる。そしてこの基板11に熱
酸化処理を施して表面に絶縁膜として例えば厚さが10
00Åの酸化シリコン(SiO2 )膜13を形成する。
次に、この酸化シリコン膜上に白金膜を例えばスパッタ
法により例えば600Åの膜厚に形成し、これを下部電
極15とする。
用の塗布液を回転塗布法により塗布する。そしてこれを
150℃の温度のオーブンにて大気雰囲気で15分間乾
燥する。次に大気雰囲気で460℃の温度で25分間仮
焼成を行ない、膜中の有機物分を消失させる。この仮焼
成の終えた膜は後に行なう本焼成によりチタン酸鉛の薄
膜(PTO薄膜)17になる。なお、チタン酸鉛の薄膜
の膜厚は、Sb含有PZT薄膜の下層としての役割を果
たせるなら静電容量の低下を防ぐ意味で薄い方が良いの
で、30〜1000Åが良い。ここでは500Åとす
る。
薄膜上に、上述の0.5用塗布液および1.0用塗布液
を用い、今度はSb含有PZT薄膜を次のように形成す
る。そのため(1)基板の回転速度が500回転/分と
いう条件で5秒間、次いで2000回転/分という条件
で20秒間という回転塗布条件で、上記塗布液を下部電
極上に塗布する。(2)次に、この試料を大気中で15
0℃の温度で15分間乾燥する。(3)次に、この試料
を大気中で460℃の温度で25分間仮焼成をして膜中
の有機物分を燃焼除去する。この(1)から(3)まで
の処理を4回繰り返した後にこの試料を大気中で650
℃の温度で1時間本焼成をする。これによりPTOの薄
膜17上に、膜厚が3000ÅのSb含有PZT薄膜1
9を形成出来る。なお、Sb含有PZT薄膜の膜厚は絶
縁性の点から1500Å以上であることが好ましいが、
ここでその膜厚を3000Åとしたのは一例にすぎな
い。また、上記の回転塗布法による工程(1)において
先ず低速回転をし、後に高速回転としたのは、下地にS
b含有PZT薄膜形成用の塗布液をなじませ、次いで、
高速回転で余分の形成液を飛ばして成膜を行うためであ
る。また、(1)〜(3)の処理を繰り返して最終的な
所望の膜厚を得ているのは、1回で必要な膜厚の仮焼成
を行うと膜に割れが生じ易いので、これを避けるためで
ある。
膜厚3000Åの白金薄膜から成り直径が0.2mmで
ある円形の上部電極21をスパッタ法および公知のパタ
ーニング技術により形成して、実施の形態における評価
用の試料(Sb0.5モル%含有の試料および1.0モ
ル%含有の試料)をそれぞれを得る。
いPZT薄膜を具えた試料を作製する。このため上述の
第1の液体、すなわちPbZr0.52Ti0.48O3 (以
下、PZT)薄膜形成用の塗布液を用いて、上記の実施
の形態における評価試料の作製手順と同様な手順で比較
例の試料を作製する。
おける評価試料と比較例の試料とについて、以下に説明
するような手順でそれぞれ評価を行なう。
例の試料の下部電極が上部電極に対し負になる場合を正
方向、その逆の場合を負方向と考える。そして、上部お
よび下部電極間に加える電圧を0→正方向の最大印加電
圧+VMAX →0ボルト→負方向の最大印加電圧−VMAX
→0ボルトという経路で徐々に変えて、印加電圧と分極
との関係いわゆるP−Vヒステリスカーブを測定する。
しかも、正方向および負方向の最大印加電圧+VMAX お
よび−VMAX を、+2ボルトおよび−2ボルト、+3ボ
ルトおよび−3ボルト、+4ボルトおよび−4ボルト、
+5ボルトおよび−5ボルト、+6ボルトおよび−6ボ
ルト、+7ボルトおよび+8ボルト、+9ボルトおよび
−9ボルト、+10ボルトおよび−10ボルトとそれぞ
れした場合のP−Vヒステリシスカーブを、それぞれ測
定する。また、それぞれのヒステリシスカーブを測定す
る際にその正方向および負方向の最大印加電圧における
上部電極および下部電極間のリーク電流を測定する。
形態の試料および比較例の試料共に強誘電性を示すこと
が分かった。また、実施の形態の試料は、比較例の試料
に比べ、低リーク電流性を示すことが分かった。また、
Sb含有PZT薄膜は、Sbを含有しないPZT薄膜に
比べ、高い皮膜抵抗を示すことも分かった。実施の形態
の試料の方が、比較例の試料に比べ、低リーク電流性お
よび高い皮膜抵抗を示したという結果を図1および図2
に示した。なお、図1(A)は、正方向の最大印加電圧
+VMAX ごとで測定したリーク電流を+Iと表すことと
して、各最大印加電圧に対するリーク電流+Iの関係を
プロットした図である。また図1(B)は、負方向の最
大印加電圧−VMAX ごとで測定したリーク電流を−Iと
表すこととして、各最大印加電圧に対するリーク電流−
Iの関係をプロットした図である。また、図2(A)は
図1(A)の関係から皮膜の抵抗値(+Rと表す。)を
オームの法則により算出し、この抵抗値+Rを最大印加
電圧に対しプロットした図である。また、図2(B)は
図1(A)の関係から皮膜の抵抗値(−Rと表す。)を
オームの法則により算出し、この抵抗値−Rを最大印加
電圧に対しプロットした図である。これらの図それぞれ
において、黒丸印はSbを0.5モル%含む実施の形態
の試料、黒三角印はSbを1.0モル%含む実施の形態
の試料、白丸印は比較例の試料の特性である。
ーク電流性および高い皮膜抵抗を示す理由は次の様なこ
とではないかと考える。Pbは蒸発し易い元素であるの
でプロセス中の熱処理中に、特に膜表面付近のPbが蒸
発し易い。Pbが蒸発するとその膜は鉛欠陥の状態にな
りP型になるので半導体的性質を示す。この半導体的性
質は試料におけるリーク電流の増加の原因になる。これ
に対しこの発明のようにSbを添加すると、2価のPb
に対しSbは3価であるのでPZT膜のn型化が生じる
から、Pb欠陥に起因したP型が打ち消される。このた
め絶縁性が高まる。
し0.01モル%含有させるとPZT薄膜の抵抗値はS
bを含有させない場合の2倍になるので、Sbを添加す
る効果が認められる。また、Pbに対し5モル%までは
Sbの析出は認められない(Sbの局在は認められな
い)。これらのことから、SbをPbに対し0.01〜
5モル%の範囲で添加するのが良いと考える。
膜上にSb含有PZTの薄膜を形成していた。こうした
方が、こうしない場合に比べ、形成されるSb含有PZ
T薄膜の均一性が向上するからである。よって、この発
明の実施に当たっては、PTOの薄膜を下層として用い
るのが好ましい。
形態について説明したが、この発明は上述の実施の形態
に限られない。例えば上述の各実施の形態では、Pbを
含む強誘電体薄膜としてPZTの例を考えたが、Pbの
消失が問題となる種々の強誘電体薄膜に対し本発明は適
用出来ると考える。例えば、PbMgX Nb1-X O3や
Pb5 Ge3 O11などの強誘電体薄膜に対しても本発明
は適用できると考える。
出願の第一発明によれば、鉛(Pb)を含む強誘電体薄
膜において、鉛が蒸発し易いことで薄膜中に生じるPb
欠陥に起因し該薄膜がP型になるのを補償し得る量のア
ンチモン(Sb)を含んだので、従来に比べ低リーク電
流性を示す鉛含有強誘電体薄膜例えばPZTの薄膜等が
実現できる。このため、例えば、リーク電流が従来より
低減された、反転電流型やMFS−FET型の不揮発性
メモリの構築が可能になる。
および第三発明の塗布液によれば、第一発明の実施を容
易にすることが出来る。
る。
ク電流特性の説明図であり、上部および下部電極への電
圧の印加方向を違えた際のリーク電流特性図(A)、
(B)である。
抵抗の説明図であり、上部および下部電極への電圧の印
加方向を違えた際の皮膜抵抗特性図(A)、(B)であ
る。
Claims (11)
- 【請求項1】 鉛(Pb)を含む強誘電体薄膜におい
て、 鉛が蒸発し易いことで薄膜中に生じるPb欠陥に起因し
該薄膜がP型になるのを補償し得る量のアンチモン(S
b)を含んだことを特徴とする鉛を含む強誘電体薄膜。 - 【請求項2】 請求項1に記載の強誘電体薄膜におい
て、 前記アンチモンを鉛に対し0.01〜5モル%含んでい
ることを特徴とする強誘電体薄膜。 - 【請求項3】 PbZrX Ti1-X SbY O3 (ただし
0<X<1であり、0.0001≦Y≦0.05)の組
成を有したことを特徴とする強誘電体薄膜。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれか1項に記載の強
誘電体薄膜において、 前記薄膜が、湿式法により形成される薄膜であることを
特徴とする強誘電体薄膜。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれか1項に記載の強
誘電体薄膜において、 下層としてチタン酸鉛(PbTiO3 )の薄膜を具え、
該下層上に前記強誘電体薄膜を形成してあることを特徴
とする強誘電体薄膜。 - 【請求項6】 鉛(Pb)を含む強誘電体薄膜を下地上
に湿式法により形成するに当たり、 用いる塗布液中に、鉛が蒸発し易いことで薄膜中に生じ
るPb欠陥に起因し該薄膜がP型になるのを補償し得る
量のアンチモン(Sb)を予め含有させ、 該Sbを含有させた塗布液を用いて当該薄膜を形成する
ことを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。 - 【請求項7】 請求項6に記載の強誘電体薄膜の形成方
法において、 予め含有させる前記アンチモンの量を鉛に対し0.01
〜5モル%の範囲とすることを特徴とする強誘電体薄膜
の形成方法。 - 【請求項8】 請求項6または7に記載の強誘電体薄膜
の形成方法において、 形成する強誘電体薄膜をPbZrTiSbO系の薄膜と
することを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。 - 【請求項9】 請求項6〜8のいずれか1項に記載の強
誘電体薄膜の形成方法において、 下地上にチタン酸鉛(PbTiO3 )の薄膜を先ず形成
し、 該チタン酸鉛の薄膜上に請求項6〜8のいずれか1項に
記載の方法で強誘電体薄膜を形成することを特徴とする
強誘電体薄膜の形成方法。 - 【請求項10】 鉛(Pb)を含む強誘電体薄膜を湿式
法により形成するための塗布液において、 鉛に対し0.01〜5モル%の割合でSbを含んだこと
を特徴とする薄膜形成用塗布液。 - 【請求項11】 請求項10に記載の塗布液において、 前記Pbを含む強誘電体薄膜をPbZrTiSbO系の
薄膜とすることを特徴とする薄膜形成用塗布液。
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