JPH09162658A - 分布増幅器 - Google Patents
分布増幅器Info
- Publication number
- JPH09162658A JPH09162658A JP7339925A JP33992595A JPH09162658A JP H09162658 A JPH09162658 A JP H09162658A JP 7339925 A JP7339925 A JP 7339925A JP 33992595 A JP33992595 A JP 33992595A JP H09162658 A JPH09162658 A JP H09162658A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- output
- input
- circuits
- filter circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高出力で且つマイクロ波帯域まで動作可能な
分布増幅器を実現すること。 【解決手段】 単位増幅回路１用の出力側バイアス回路
１０を、出力側の定Ｋ型フィルタ回路１２の隣接する相
互接続点１３に個々に分散して接続した。
分布増幅器を実現すること。 【解決手段】 単位増幅回路１用の出力側バイアス回路
１０を、出力側の定Ｋ型フィルタ回路１２の隣接する相
互接続点１３に個々に分散して接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光伝送装置などの
変調器などを駆動するためのマイクロ波帯域まで動作可
能な高出力の分布増幅器に関するものである。
変調器などを駆動するためのマイクロ波帯域まで動作可
能な高出力の分布増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】分布増幅器は、伝送線路あるいはインダ
クタンス素子のインダクタンス成分と増幅用のトランジ
スタの寄生容量とによりカットオフ周波数の高い定Ｋ型
フィルタ回路あるいは誘導Ｍ型フィルタ回路を形成した
もので、そのトランジスタの寄生容量をキャンセルして
非常に高い周波数帯域まで動作することが可能であるた
め、マイクロ波帯域の増幅器として広く利用されてい
る。
クタンス素子のインダクタンス成分と増幅用のトランジ
スタの寄生容量とによりカットオフ周波数の高い定Ｋ型
フィルタ回路あるいは誘導Ｍ型フィルタ回路を形成した
もので、そのトランジスタの寄生容量をキャンセルして
非常に高い周波数帯域まで動作することが可能であるた
め、マイクロ波帯域の増幅器として広く利用されてい
る。
【０００３】図３に定Ｋ型フィルタ回路により構成した
従来の分布増幅器の典型的な構成を示した。図中、１は
単位増幅回路であって、図４の（ａ）に示すようにソー
ス接地の電界効果トランジスタＱ１により、又は（ｂ）
に示すようにソース接地の電界効果トランジスタＱ２に
別の電界効果トランジスタＱ３を直列接続したものより
構成されている。Ｖｇｇ２は定バイアス電圧である。
従来の分布増幅器の典型的な構成を示した。図中、１は
単位増幅回路であって、図４の（ａ）に示すようにソー
ス接地の電界効果トランジスタＱ１により、又は（ｂ）
に示すようにソース接地の電界効果トランジスタＱ２に
別の電界効果トランジスタＱ３を直列接続したものより
構成されている。Ｖｇｇ２は定バイアス電圧である。
【０００４】２は入力側のインダクタンス素子（又は伝
送線路）、３は出力側のインダクタンス素子（又は伝送
線路）、４は入力側終端回路、５は出力側終端回路、６
は入力側バイアス回路、７は出力側バイアス回路、８は
入力端子、９は出力端子である。
送線路）、３は出力側のインダクタンス素子（又は伝送
線路）、４は入力側終端回路、５は出力側終端回路、６
は入力側バイアス回路、７は出力側バイアス回路、８は
入力端子、９は出力端子である。
【０００５】従来の構成では、図３に示したように、出
力側バイアス回路７は高周波特性への影響を避けるため
に、出力端子９とは反対の出力側終端回路５の側のイン
ダクタンス素子（又は伝送線路）３の最も端に接続され
ている。
力側バイアス回路７は高周波特性への影響を避けるため
に、出力端子９とは反対の出力側終端回路５の側のイン
ダクタンス素子（又は伝送線路）３の最も端に接続され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の出力側バイアス回路７の接続構成では、インダク
タンス素子（又は伝送線路）３を流れる電流が、その出
力側バイアス回路７に近い側ほど単位増幅回路１のバイ
アス電流Ｉｕが加算されていくので増加し、出力側バイ
アス回路７に接続された部分では、全ての単位増幅回路
１のバイアス電流が流れる。単位増幅回路１の個数がｉ
個のときは、Ｉｕ×ｉの電流が流れる。
従来の出力側バイアス回路７の接続構成では、インダク
タンス素子（又は伝送線路）３を流れる電流が、その出
力側バイアス回路７に近い側ほど単位増幅回路１のバイ
アス電流Ｉｕが加算されていくので増加し、出力側バイ
アス回路７に接続された部分では、全ての単位増幅回路
１のバイアス電流が流れる。単位増幅回路１の個数がｉ
個のときは、Ｉｕ×ｉの電流が流れる。
【０００７】特に、光伝送装置などの変調器を駆動する
ための高出力増幅器では、出力電圧振幅が５０Ωの負荷
で５ＶP-P 程度必要であり、分布増幅器を使用する場
合、単位増幅回路１のバアイス電流の総和が２００ｍＡ
以上となり、前述した出力側バイアス回路７の近傍のイ
ンダクタンス素子（又は伝送線路）３には非常に大きな
電流が流れることになる。
ための高出力増幅器では、出力電圧振幅が５０Ωの負荷
で５ＶP-P 程度必要であり、分布増幅器を使用する場
合、単位増幅回路１のバアイス電流の総和が２００ｍＡ
以上となり、前述した出力側バイアス回路７の近傍のイ
ンダクタンス素子（又は伝送線路）３には非常に大きな
電流が流れることになる。
【０００８】通常、分布増幅器は、線路やインダクタン
ス素子を形成したアルミナ基板とトランジスタを組み合
せたハイブリッドＩＣ、又は線路やインダクタタンス素
子、トランジスタを半導体基板上にすべて形成するモノ
リシックＩＣの製造方法により製作することが一般的で
あり、特に、モノリシックＩＣで製造する方法は高周波
性能、歩留りの点で優れており、最近のマイクロ波帯の
分布増幅器はこの製法により製造されている。
ス素子を形成したアルミナ基板とトランジスタを組み合
せたハイブリッドＩＣ、又は線路やインダクタタンス素
子、トランジスタを半導体基板上にすべて形成するモノ
リシックＩＣの製造方法により製作することが一般的で
あり、特に、モノリシックＩＣで製造する方法は高周波
性能、歩留りの点で優れており、最近のマイクロ波帯の
分布増幅器はこの製法により製造されている。
【０００９】この製造方法では、インダクタンス素子あ
るいは伝送線路は、厚みが１μｍ程度の配線により形成
されるが、この配線に流せる電流はたかだか１０ｍＡ／
配線幅１０μｍである。このため、電流量の大きい出力
側バイアス回路７の近傍のインダクタンス素子（あるい
は伝送線路）３の配線幅を広する必要があり、特に前述
した高出力の増幅器に分布増幅器を使用する場合では、
出力側バイアス回路７に近い側のインダクタス素子（あ
るいは伝送線路）３には１００μｍを超える幅広い配線
を使用する必要がある。
るいは伝送線路は、厚みが１μｍ程度の配線により形成
されるが、この配線に流せる電流はたかだか１０ｍＡ／
配線幅１０μｍである。このため、電流量の大きい出力
側バイアス回路７の近傍のインダクタンス素子（あるい
は伝送線路）３の配線幅を広する必要があり、特に前述
した高出力の増幅器に分布増幅器を使用する場合では、
出力側バイアス回路７に近い側のインダクタス素子（あ
るいは伝送線路）３には１００μｍを超える幅広い配線
を使用する必要がある。
【００１０】一般に、分布増幅器は、使用する伝送線路
の特性インピーダンスが高いほど、またインダクタンス
素子の共振周波数が高いほど、高周波帯域まで動作する
ことが可能である。一方、伝送線路の特性インピーダン
スやインダクタンス素子の共振周波数は、線路幅の増加
にともない低下するので、出力側バイアス回路７に近い
部分に幅広の配線を使用した場合には、分布増幅器の高
周波性能が劣化する。特に、前述した光伝送装置などの
変調器などを駆動するための高出力増幅器に分布増幅器
を使用する場合では、流れる電流が大きくなるため配線
が幅広になり、高周波性能の劣化が顕著となり、マイク
ロ波帯域まで動作可能な高出力な分布増幅を実現するこ
とが困難であった。
の特性インピーダンスが高いほど、またインダクタンス
素子の共振周波数が高いほど、高周波帯域まで動作する
ことが可能である。一方、伝送線路の特性インピーダン
スやインダクタンス素子の共振周波数は、線路幅の増加
にともない低下するので、出力側バイアス回路７に近い
部分に幅広の配線を使用した場合には、分布増幅器の高
周波性能が劣化する。特に、前述した光伝送装置などの
変調器などを駆動するための高出力増幅器に分布増幅器
を使用する場合では、流れる電流が大きくなるため配線
が幅広になり、高周波性能の劣化が顕著となり、マイク
ロ波帯域まで動作可能な高出力な分布増幅を実現するこ
とが困難であった。
【００１１】本発明の目的は、以上の問題点を解決し、
光伝送装置などの変調器などを駆動するためのマイクロ
波帯域まで動作可能な高出力の分布増幅器を提供せんと
するものである。
光伝送装置などの変調器などを駆動するためのマイクロ
波帯域まで動作可能な高出力の分布増幅器を提供せんと
するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、定Ｋ型
フィルタ回路あるいは誘導Ｍ型フィルタ回路等からなり
入力端子に対して複数段縦続接続された入力側フィルタ
回路と、定Ｋ型フィルタ回路あるいは誘導Ｍ型フィルタ
回路等からなり出力端子に対して複数段縦続接続された
出力側フィルタ回路と、上記入力側フィルタ回路および
上記出力側フィルタ回路の一部を含み上記入力側フィル
タ回路と上記出力側フィルタ回路との間に分布接続され
た複数の単位増幅回路と、該単位増幅回路用の入力側バ
イアス回路と、上記単位増幅回路用の出力側バイアス回
路と、を備える分布増幅器において、上記出力側バイア
ス回路を上記出力側フィルタ回路の隣接する相互接続点
の１又は２以上に個々に分散して接続し、および／又は
上記入力側バイアス回路を上記入力側フィルタ回路の隣
接する相互接続点の１又は２以上に個々に分散して接続
したことを特徴とする分布増幅器によって達成される。
フィルタ回路あるいは誘導Ｍ型フィルタ回路等からなり
入力端子に対して複数段縦続接続された入力側フィルタ
回路と、定Ｋ型フィルタ回路あるいは誘導Ｍ型フィルタ
回路等からなり出力端子に対して複数段縦続接続された
出力側フィルタ回路と、上記入力側フィルタ回路および
上記出力側フィルタ回路の一部を含み上記入力側フィル
タ回路と上記出力側フィルタ回路との間に分布接続され
た複数の単位増幅回路と、該単位増幅回路用の入力側バ
イアス回路と、上記単位増幅回路用の出力側バイアス回
路と、を備える分布増幅器において、上記出力側バイア
ス回路を上記出力側フィルタ回路の隣接する相互接続点
の１又は２以上に個々に分散して接続し、および／又は
上記入力側バイアス回路を上記入力側フィルタ回路の隣
接する相互接続点の１又は２以上に個々に分散して接続
したことを特徴とする分布増幅器によって達成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】図５は入力側にインダクタンス素
子Ｌin、出力側にインダクタンス素子Ｌoutを使用し、
単位増幅回路１として電界効果トランジスタＱ１を使用
した一般的な分布増幅器の構成を示す図、図６は図５の
等価回路を示す図である。この図５、図６ではバイアス
回路を省略した。
子Ｌin、出力側にインダクタンス素子Ｌoutを使用し、
単位増幅回路１として電界効果トランジスタＱ１を使用
した一般的な分布増幅器の構成を示す図、図６は図５の
等価回路を示す図である。この図５、図６ではバイアス
回路を省略した。
【００１４】単位増幅回路１を構成するトランジスタＱ
１は、図６に示すように、出力電流源Ｉｏ、２個の入力
容量Ｃin、２個の出力容量Ｃout で表すことができる。
そして、分布増幅器では、入力側インダクタンス素子Ｌ
inと入力容量Ｃinにより入力側の定Ｋ型フィルタ回路１
１が構成され、これが入力端子８に対して複数段縦続接
続される。また、出力側インダクタンス素子Ｌout と出
力容量Ｃout により出力側の定Ｋ型フィルタ回路１２が
構成され、これが出力端子９に対して複数段縦続接続さ
れる。
１は、図６に示すように、出力電流源Ｉｏ、２個の入力
容量Ｃin、２個の出力容量Ｃout で表すことができる。
そして、分布増幅器では、入力側インダクタンス素子Ｌ
inと入力容量Ｃinにより入力側の定Ｋ型フィルタ回路１
１が構成され、これが入力端子８に対して複数段縦続接
続される。また、出力側インダクタンス素子Ｌout と出
力容量Ｃout により出力側の定Ｋ型フィルタ回路１２が
構成され、これが出力端子９に対して複数段縦続接続さ
れる。
【００１５】このように、入力側、出力側ともに、単位
となる定Ｋ型フィルタ回路１１、１２を接続したＬＣ線
路となっている。増幅器では、通常入出力インピーダン
スは５０Ωに整合することが必要であるため、各々の定
Ｋ型フィルタ回路１１、１２の影像インピーダンスは５
０Ωになるよう設計されている。
となる定Ｋ型フィルタ回路１１、１２を接続したＬＣ線
路となっている。増幅器では、通常入出力インピーダン
スは５０Ωに整合することが必要であるため、各々の定
Ｋ型フィルタ回路１１、１２の影像インピーダンスは５
０Ωになるよう設計されている。
【００１６】本発明では、このような出力側の定Ｋ型フ
ィルタ回路１２の相互接続点１３、又は相互接続点１４
に個々に出力側バイアス回路１０を接続することによ
り、出力側インダクタンス素子Ｌout に流れる電流を減
少させるようにする。あるいは単位増幅回路１の入力側
にバイアス電流が流れる場合は、入力側の定Ｋ型フィル
タ回路１１の相互接続点１５、又は相互接続点１６にも
個々に入力側バイアス回路を接続することにより、入力
側インダクタンス素子Ｌinに流れる電流を減少させるよ
うにする。
ィルタ回路１２の相互接続点１３、又は相互接続点１４
に個々に出力側バイアス回路１０を接続することによ
り、出力側インダクタンス素子Ｌout に流れる電流を減
少させるようにする。あるいは単位増幅回路１の入力側
にバイアス電流が流れる場合は、入力側の定Ｋ型フィル
タ回路１１の相互接続点１５、又は相互接続点１６にも
個々に入力側バイアス回路を接続することにより、入力
側インダクタンス素子Ｌinに流れる電流を減少させるよ
うにする。
【００１７】［第１の実施の形態］図１は本発明の第１
の実施の形態を示す分布増幅器の回路図である。ここで
は、図５、図６に示した出力側の定Ｋ型フィルタ回路１
２の隣接相互間および単位増幅器回路１を接続する相互
接続点１３に個々に出力側バイアス回路１０を接続し、
その個々の出力側バイアス回路１０によって個々の単位
増幅回路１に電源電圧Ｖｄｄを印加するようにしたもの
である。図１では単位増幅回路１が８個の場合について
示したが、これに限られるものではない。
の実施の形態を示す分布増幅器の回路図である。ここで
は、図５、図６に示した出力側の定Ｋ型フィルタ回路１
２の隣接相互間および単位増幅器回路１を接続する相互
接続点１３に個々に出力側バイアス回路１０を接続し、
その個々の出力側バイアス回路１０によって個々の単位
増幅回路１に電源電圧Ｖｄｄを印加するようにしたもの
である。図１では単位増幅回路１が８個の場合について
示したが、これに限られるものではない。
【００１８】本例では、出力側のインダクタンス素子Ｌ
out と単位増幅回路１との接続点１３の全てに出力側バ
イアス回路１０が接続されているので、出力端子９に容
量負荷が接続される場合には、単位増幅回路１を流れる
バイアス電流Ｉｕは各々のバイアス回路１０を流れるた
め、出力側のインダクタンス素子Ｌout にはバイアス電
流が流れないことになる。
out と単位増幅回路１との接続点１３の全てに出力側バ
イアス回路１０が接続されているので、出力端子９に容
量負荷が接続される場合には、単位増幅回路１を流れる
バイアス電流Ｉｕは各々のバイアス回路１０を流れるた
め、出力側のインダクタンス素子Ｌout にはバイアス電
流が流れないことになる。
【００１９】このため、インダクタンス素子Ｌout の配
線幅を製造の限界まで狭くすることができ、そのインダ
クタンス素子Ｌout の共振周波数を高くすること（伝送
線路の場合、特性インピーダンスを高くすること）が可
能となる。例えば、信号線幅１０μｍで、０．１ｎＨの
インダクタンス素子を使用した場合、共振周波数は４０
ＧＨｚ以上と非常に高くすることが可能である。
線幅を製造の限界まで狭くすることができ、そのインダ
クタンス素子Ｌout の共振周波数を高くすること（伝送
線路の場合、特性インピーダンスを高くすること）が可
能となる。例えば、信号線幅１０μｍで、０．１ｎＨの
インダクタンス素子を使用した場合、共振周波数は４０
ＧＨｚ以上と非常に高くすることが可能である。
【００２０】次に、本発明による分布増幅器の高周波性
能の変化について検討する。単純化のため出力側バイア
ス回路１０を抵抗のみからなる回路とし、出力端子９に
は容量負荷が接続され直流電流が流れないものとする。
従来の分布増幅器の図３に示した出力側バイアス回路７
の抵抗値をＲｂ′とし、単位増幅回路１の個数をｉとす
ると、図１に示した本発明の分布増幅器のバイアス回路
１０の抵抗Ｒｂは、そこでの電圧降下を図３に示した従
来の場合と同一とすると、流れる電流が１／ｉであるた
め、Ｒｂ＝Ｒｂ′×ｉとなる。通常、ｉは１０程度、Ｒ
ｂ′はバイアス電圧の関係から１００Ω程度に設計され
るため、本実施の出力側バイアス回路１０の抵抗値Ｒｂ
は、１０００Ωとなる。
能の変化について検討する。単純化のため出力側バイア
ス回路１０を抵抗のみからなる回路とし、出力端子９に
は容量負荷が接続され直流電流が流れないものとする。
従来の分布増幅器の図３に示した出力側バイアス回路７
の抵抗値をＲｂ′とし、単位増幅回路１の個数をｉとす
ると、図１に示した本発明の分布増幅器のバイアス回路
１０の抵抗Ｒｂは、そこでの電圧降下を図３に示した従
来の場合と同一とすると、流れる電流が１／ｉであるた
め、Ｒｂ＝Ｒｂ′×ｉとなる。通常、ｉは１０程度、Ｒ
ｂ′はバイアス電圧の関係から１００Ω程度に設計され
るため、本実施の出力側バイアス回路１０の抵抗値Ｒｂ
は、１０００Ωとなる。
【００２１】一方、相互接続点１３では出力側バイアス
回路１０の抵抗Ｒｂと定Ｋ型フィルタ回路１２（図６）
の影像インピーダンスが並列接続されるが、その定Ｋ型
フィルタ回路１２の影像インピーダンスは５０Ωに通常
設計されているので、出力側バイアス回路１０の抵抗Ｒ
ｂ（＝１０００Ω）はその影像インピーダンスに比べて
充分大きく、高周波性能への影響は無視できる。また、
この例では、出力端子９に容量負荷を接続する場合、各
バイアス回路１０のインピーダンスを同一に設計でき
る。
回路１０の抵抗Ｒｂと定Ｋ型フィルタ回路１２（図６）
の影像インピーダンスが並列接続されるが、その定Ｋ型
フィルタ回路１２の影像インピーダンスは５０Ωに通常
設計されているので、出力側バイアス回路１０の抵抗Ｒ
ｂ（＝１０００Ω）はその影像インピーダンスに比べて
充分大きく、高周波性能への影響は無視できる。また、
この例では、出力端子９に容量負荷を接続する場合、各
バイアス回路１０のインピーダンスを同一に設計でき
る。
【００２２】［第２の実施の形態］図２は第２の実施の
形態を示す分布増幅器の回路図である。ここでは、図６
の接続点１４、つまり隣接する定Ｋ型フィルタ回路１２
が共通接続されるが単位増幅回路１は接続されない接続
点に、出力側バイアス回路１０を接続したものである。
この例でも、出力端子９に容量負荷を接続する場合、単
位増幅回路１を流れるバイアス電流Ｉｕは、各々の出力
側バイアス回路１０に分割して流れるため、出力側のイ
ンダクタンス素子Ｌout に流れる電流は両端部の側では
Ｉｕ、その他の部分ではＩｕ／２となり、図３で示した
従来の分布増幅器に比べて大幅に減少する。なお、この
例では、両端部のバイアス回路１０の抵抗値は中央部分
のバイアス回路１０のそれに対して２／３になる。
形態を示す分布増幅器の回路図である。ここでは、図６
の接続点１４、つまり隣接する定Ｋ型フィルタ回路１２
が共通接続されるが単位増幅回路１は接続されない接続
点に、出力側バイアス回路１０を接続したものである。
この例でも、出力端子９に容量負荷を接続する場合、単
位増幅回路１を流れるバイアス電流Ｉｕは、各々の出力
側バイアス回路１０に分割して流れるため、出力側のイ
ンダクタンス素子Ｌout に流れる電流は両端部の側では
Ｉｕ、その他の部分ではＩｕ／２となり、図３で示した
従来の分布増幅器に比べて大幅に減少する。なお、この
例では、両端部のバイアス回路１０の抵抗値は中央部分
のバイアス回路１０のそれに対して２／３になる。
【００２３】［その他の実施の形態］なお、以上の説明
では出力側バイアス回路１０を、出力側の定Ｋ型フィル
タ回路１２の全ての相互接続点１３に、または全ての相
互接続点１４に接続する場合について説明したが、その
相互接続点１３、１４の全てあるいは一部に接続しても
良い。また１又は２以上の相互接続点１３に、あるいは
１又は２以上の相互接続点１４に接続する場合であって
も、従来の構成に比べて伝送線路あるいはインダクタン
ス素子に流れるバイアス電流を減少させることができ、
その配線の線幅を狭くすることができる。
では出力側バイアス回路１０を、出力側の定Ｋ型フィル
タ回路１２の全ての相互接続点１３に、または全ての相
互接続点１４に接続する場合について説明したが、その
相互接続点１３、１４の全てあるいは一部に接続しても
良い。また１又は２以上の相互接続点１３に、あるいは
１又は２以上の相互接続点１４に接続する場合であって
も、従来の構成に比べて伝送線路あるいはインダクタン
ス素子に流れるバイアス電流を減少させることができ、
その配線の線幅を狭くすることができる。
【００２４】また、上記ではインピーダンス素子を使用
し定Ｋ型フィルタ回路１１、１２が構成される場合につ
いて説明したが、誘導Ｍ型フィルタ回路が構成される場
合であっても同様に構成し、同様の作用効果を得ること
ができる。
し定Ｋ型フィルタ回路１１、１２が構成される場合につ
いて説明したが、誘導Ｍ型フィルタ回路が構成される場
合であっても同様に構成し、同様の作用効果を得ること
ができる。
【００２５】また、上記では単位増幅回路１にソース接
地の電界効果トランジスタを使用したので、入力側のバ
イアス回路については分散しなかったが、その単位増幅
回路１が入力側に電流の流れる回路構成（例えばゲート
接地の電界効果トランジスタを使用する場合等）の場合
には、上記図１、図２に示した構成と同様に、入力側の
フィルタ回路１１の相互接続点１５、１６に個々にバイ
アス回路を接続すれば、上記と同様の作用効果が得られ
る。
地の電界効果トランジスタを使用したので、入力側のバ
イアス回路については分散しなかったが、その単位増幅
回路１が入力側に電流の流れる回路構成（例えばゲート
接地の電界効果トランジスタを使用する場合等）の場合
には、上記図１、図２に示した構成と同様に、入力側の
フィルタ回路１１の相互接続点１５、１６に個々にバイ
アス回路を接続すれば、上記と同様の作用効果が得られ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上から本発明によれば、バイアス回路
がフィルタ回路の相互接続点に接続されるため、そのバ
イアス回路に接続されている伝送線路あるいはインダク
タンス素子を流れる電流が従来に比べて減少する。この
結果、フィルタ回路を構成する伝送線路あるいはインダ
クタンス素子の配線幅を従来に比べて狭くできるので、
従来、特に高出力の分布増幅器の性能劣化の要因となっ
ていたバイアス回路近傍の伝送線路の特性インピーダン
スやインダクタンス素子の共振周波数の低下を防ぐこと
が可能となる。さらに、バイアス回路のインピーダンス
はそのバイアス回路が接続されたフィルタ回路の影像イ
ンピーダンスに比べ充分大きくなるので、高周波性能へ
の影響も少なくなる。
がフィルタ回路の相互接続点に接続されるため、そのバ
イアス回路に接続されている伝送線路あるいはインダク
タンス素子を流れる電流が従来に比べて減少する。この
結果、フィルタ回路を構成する伝送線路あるいはインダ
クタンス素子の配線幅を従来に比べて狭くできるので、
従来、特に高出力の分布増幅器の性能劣化の要因となっ
ていたバイアス回路近傍の伝送線路の特性インピーダン
スやインダクタンス素子の共振周波数の低下を防ぐこと
が可能となる。さらに、バイアス回路のインピーダンス
はそのバイアス回路が接続されたフィルタ回路の影像イ
ンピーダンスに比べ充分大きくなるので、高周波性能へ
の影響も少なくなる。
【００２７】したがって、本発明では、光伝送装置など
の変調器などを駆動するためのマイクロ波帯域まて動作
可能な高出力の分布増幅器を実現できるため、通信用伝
送装置の高速化が可能となるという効果がある。
の変調器などを駆動するためのマイクロ波帯域まて動作
可能な高出力の分布増幅器を実現できるため、通信用伝
送装置の高速化が可能となるという効果がある。
【図１】 本発明の第１の実施の形態を示す分布増幅器
のブロック図である。
のブロック図である。
【図２】 本発明の第２の実施の形態を示す分布増幅器
のブロック図である。
のブロック図である。
【図３】 従来の分布増幅器のブロック図である。
【図４】 （ａ）、（ｂ）は単位増幅回路の回路図であ
る。
る。
【図５】 インダクタンス素子と電界効果トランジスタ
を使用した分布増幅器を示す回路図である。
を使用した分布増幅器を示す回路図である。
【図６】 図５に示した分布増幅器の等価回路図であ
る。
る。
１：単位増幅回路、２：入力側のインダクタンス素子
（又は伝送線路）３：出力側のインダクタンス素子（又
は伝送線路）、４：入力側終端回路、５：出力側終端回
路、６：入力側バイアス回路、７：出力側バイアス回
路、８：入力端子、９：出力端子、１０：出力側バイア
ス回路、１１：入力側の定Ｋ型フィルタ回路、１２：出
力側の定Ｋ型フィルタ回路、１３〜１６：相互接続点。
（又は伝送線路）３：出力側のインダクタンス素子（又
は伝送線路）、４：入力側終端回路、５：出力側終端回
路、６：入力側バイアス回路、７：出力側バイアス回
路、８：入力端子、９：出力端子、１０：出力側バイア
ス回路、１１：入力側の定Ｋ型フィルタ回路、１２：出
力側の定Ｋ型フィルタ回路、１３〜１６：相互接続点。
Claims (1)
- 【請求項１】定Ｋ型フィルタ回路あるいは誘導Ｍ型フィ
ルタ回路等からなり入力端子に対して複数段縦続接続さ
れた入力側フィルタ回路と、定Ｋ型フィルタ回路あるい
は誘導Ｍ型フィルタ回路等からなり出力端子に対して複
数段縦続接続された出力側フィルタ回路と、上記入力側
フィルタ回路および上記出力側フィルタ回路の一部を含
み上記入力側フィルタ回路と上記出力側フィルタ回路と
の間に分布接続された複数の単位増幅回路と、該単位増
幅回路用の入力側バイアス回路と、上記単位増幅回路用
の出力側バイアス回路と、を備える分布増幅器におい
て、 上記出力側バイアス回路を上記出力側フィルタ回路の隣
接する相互接続点の１又は２以上に個々に分散して接続
し、および／又は上記入力側バイアス回路を上記入力側
フィルタ回路の隣接する相互接続点の１又は２以上に個
々に分散して接続したことを特徴とする分布増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7339925A JPH09162658A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 分布増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7339925A JPH09162658A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 分布増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162658A true JPH09162658A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18332064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7339925A Pending JPH09162658A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 分布増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162658A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010245944A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
| US9182617B2 (en) | 2012-03-05 | 2015-11-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit configured with travelling wave amplifier |
| CN105978499A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-28 | 南京邮电大学 | 一种级联的分布式功率放大器 |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP7339925A patent/JPH09162658A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010245944A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
| US9182617B2 (en) | 2012-03-05 | 2015-11-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit configured with travelling wave amplifier |
| CN105978499A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-28 | 南京邮电大学 | 一种级联的分布式功率放大器 |
| CN105978499B (zh) * | 2016-04-28 | 2018-08-17 | 南京邮电大学 | 一种级联的分布式功率放大器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6614308B2 (en) | Multi-stage, high frequency, high power signal amplifier | |
| US6943631B2 (en) | DC-coupled multi-stage amplifier using all-pass resistive/capacitive network for level shifting | |
| US8576009B2 (en) | Broadband high power amplifier | |
| US6456125B1 (en) | Distributed high frequency circuit equipped with bias bypass line to reduce chip area | |
| JP2007049309A (ja) | スイッチ回路 | |
| JP2002033627A (ja) | 分布増幅器 | |
| JP2002368553A (ja) | 高周波増幅器およびそれを用いた無線送信装置 | |
| KR20000005569A (ko) | 반도체장치 | |
| US6768381B2 (en) | Semiconductor power amplifier and multistage monolithic integrated circuit | |
| US6778036B2 (en) | High-frequency circuit device having isolator ports each having two terminals | |
| JP2001267503A (ja) | キャパシタ及び集積回路 | |
| JPH09162658A (ja) | 分布増幅器 | |
| JPS6038911A (ja) | 作動周波数と独立してリアクタンスを整合する４端子網 | |
| US7142052B2 (en) | Travelling wave amplifiers | |
| EP0355670A2 (en) | Low noise microwave amplifier having optimal stability, gain, and noise control | |
| US6737921B2 (en) | Distributed amplifier and differential distributed amplifier | |
| JPH11112249A (ja) | 高周波電力増幅器モジュール | |
| JP2008236354A (ja) | 増幅器 | |
| JP3438953B2 (ja) | バイアス回路 | |
| JP4410129B2 (ja) | 周波数可変インピーダンス整合回路 | |
| KR101073612B1 (ko) | 다단 증폭 회로 | |
| JPH07240645A (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JP6516928B2 (ja) | 分布型増幅器及び多段増幅器 | |
| TWI839873B (zh) | 射頻功率放大器和用於製作多赫帝功率放大器的方法 | |
| JPH11204728A (ja) | 高周波半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021008 |