JPH09162327A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH09162327A JPH09162327A JP32193895A JP32193895A JPH09162327A JP H09162327 A JPH09162327 A JP H09162327A JP 32193895 A JP32193895 A JP 32193895A JP 32193895 A JP32193895 A JP 32193895A JP H09162327 A JPH09162327 A JP H09162327A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- outer lead
- dam bar
- lead frame
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リード成形性の向上及び工程削減を図る。
【構成】 ダムバー７がアウタリード５の不要部と同列
に形成されたリードフレームを準備し、当該リードフレ
ームのベット３上にデバイスチップ２を搭載させる。次
にインナリード４とデバイスチップ２とを電気的に接続
するためのボンディングを施す。そしてアウタリード５
の不要部より内側に位置する必要部分を樹脂封止する。
この際、ダムバー７は封止樹脂止めの役割を果たす。そ
の後アウタリード５の封止樹脂体１より突出する部分を
切断する。この時、同列に形成されているダムバー７も
一緒に切断される。 【効果】 リード成形性の向上が達成される。また、従
来のダムバー切断工程を削除できる。
に形成されたリードフレームを準備し、当該リードフレ
ームのベット３上にデバイスチップ２を搭載させる。次
にインナリード４とデバイスチップ２とを電気的に接続
するためのボンディングを施す。そしてアウタリード５
の不要部より内側に位置する必要部分を樹脂封止する。
この際、ダムバー７は封止樹脂止めの役割を果たす。そ
の後アウタリード５の封止樹脂体１より突出する部分を
切断する。この時、同列に形成されているダムバー７も
一緒に切断される。 【効果】 リード成形性の向上が達成される。また、従
来のダムバー切断工程を削除できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置の集積度の
高まりは半導体装置の各構成要素の微細化への要求とな
っており、これは半導体装置のリードフレームにとって
も例外ではなく、その薄膜化、リードの細型化へと影響
している。そのため、樹脂封止型半導体装置のＴ／Ｆ
（Trim and Form ）工程でのリード成形性（コプラナリ
ティ、リードスキュー）が難しくなってきている。
高まりは半導体装置の各構成要素の微細化への要求とな
っており、これは半導体装置のリードフレームにとって
も例外ではなく、その薄膜化、リードの細型化へと影響
している。そのため、樹脂封止型半導体装置のＴ／Ｆ
（Trim and Form ）工程でのリード成形性（コプラナリ
ティ、リードスキュー）が難しくなってきている。
【０００３】本発明は上記従来技術の有する問題点に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは、リード
成形性の向上を図ることにある。
みてなされたもので、その目的とするところは、リード
成形性の向上を図ることにある。
【０００４】また、同時に本発明は樹脂封止型半導体装
置の製造プロセスにおける工程削減を図るものである。
置の製造プロセスにおける工程削減を図るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
デバイスチップが搭載されるベットと、ボンディングに
より該デバイスチップと電気的に接続されるインナリー
ドと、外部との信号送受信を担うアウタリードとを含む
リードフレームと、前記アウタリードの一面のみが露出
するように前記リードフレームを封止する封止樹脂体と
を備えていることを特徴とする。
デバイスチップが搭載されるベットと、ボンディングに
より該デバイスチップと電気的に接続されるインナリー
ドと、外部との信号送受信を担うアウタリードとを含む
リードフレームと、前記アウタリードの一面のみが露出
するように前記リードフレームを封止する封止樹脂体と
を備えていることを特徴とする。
【０００６】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
ダムバーがアウタリードの不要部と同列に形成されてい
るリードフレームを使用し、該リードフレームのベット
上にデバイスチップを搭載させる工程と、前記リードフ
レームのインナリードと前記デバイスとを電気的に接続
するボンディングを施す工程と、前記リードフレームの
アウタリードの不要部より内側に位置する必要部分を樹
脂封止する工程と、前記アウタリードの該封止樹脂体よ
り突出する部分を切断する工程とを備えていることを特
徴とする。
ダムバーがアウタリードの不要部と同列に形成されてい
るリードフレームを使用し、該リードフレームのベット
上にデバイスチップを搭載させる工程と、前記リードフ
レームのインナリードと前記デバイスとを電気的に接続
するボンディングを施す工程と、前記リードフレームの
アウタリードの不要部より内側に位置する必要部分を樹
脂封止する工程と、前記アウタリードの該封止樹脂体よ
り突出する部分を切断する工程とを備えていることを特
徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例について図
面を参照しつつ説明する。図１は本発明の一実施例に係
る半導体装置の構造を示すものである。この図に示す半
導体装置は、アウタリード５の外部と電気的コンタクト
を取る部分のみ露出し、他の部分は封止樹脂体１内に埋
め込まれている。符号２〜６で示すものは当該封止樹脂
体１内に埋め込まれているもので、２はデバイスチッ
プ、３はベット、４はインナリード、６はボンディング
ワイヤである。
面を参照しつつ説明する。図１は本発明の一実施例に係
る半導体装置の構造を示すものである。この図に示す半
導体装置は、アウタリード５の外部と電気的コンタクト
を取る部分のみ露出し、他の部分は封止樹脂体１内に埋
め込まれている。符号２〜６で示すものは当該封止樹脂
体１内に埋め込まれているもので、２はデバイスチッ
プ、３はベット、４はインナリード、６はボンディング
ワイヤである。
【０００８】このような半導体装置は次のようなプロセ
スにより製造される。
スにより製造される。
【０００９】まず、図１（ｃ）−１に示すように、ダム
バー７がアウタリード５の不要部と同列に形成されてい
るリードフレームを準備し、図１（ｃ）−２に示すよう
に当該リードフレームのベット３上にデバイスチップ２
を搭載させる。次いで、図（ｃ）−３に示すように、イ
ンナリード４とデバイスチップ２とを電気的に接続する
ためのボンディングを施す。そして、図１（ｃ）−４に
示すように、アウタリード５の不要部より内側に位置す
る必要部分を樹脂封止する。この際、ダムバー７は封止
樹脂止めの役割を果たす。その後、図１（ｃ）−５に示
すように、アウタリード５の封止樹脂体１より突出する
部分を切断する。このとき、同列に形成されているダム
バー７も一緒に切断される。したがって、ダムバー７を
切断するだけの工程は省かれることになる。
バー７がアウタリード５の不要部と同列に形成されてい
るリードフレームを準備し、図１（ｃ）−２に示すよう
に当該リードフレームのベット３上にデバイスチップ２
を搭載させる。次いで、図（ｃ）−３に示すように、イ
ンナリード４とデバイスチップ２とを電気的に接続する
ためのボンディングを施す。そして、図１（ｃ）−４に
示すように、アウタリード５の不要部より内側に位置す
る必要部分を樹脂封止する。この際、ダムバー７は封止
樹脂止めの役割を果たす。その後、図１（ｃ）−５に示
すように、アウタリード５の封止樹脂体１より突出する
部分を切断する。このとき、同列に形成されているダム
バー７も一緒に切断される。したがって、ダムバー７を
切断するだけの工程は省かれることになる。
【００１０】以上のように封止樹脂体１によってアウタ
リード５の一面のみが露出するようになっているため、
そのアウタリード５の不要部分の切断を行っても、樹脂
によって守られることでアウタリード５の必要部分の形
を劣化させることがない。従来の半導体装置にあって
は、図２に示すようにアウタリード１２は封止樹脂体１
１の外側に出ているために不要部切断時等においてコプ
ラナリティ及びリードスキューが生じていたが、本実施
例によればアウタリード５は片面が封止樹脂体１により
保持されているためにそのような問題は生ずることがな
いのである。
リード５の一面のみが露出するようになっているため、
そのアウタリード５の不要部分の切断を行っても、樹脂
によって守られることでアウタリード５の必要部分の形
を劣化させることがない。従来の半導体装置にあって
は、図２に示すようにアウタリード１２は封止樹脂体１
１の外側に出ているために不要部切断時等においてコプ
ラナリティ及びリードスキューが生じていたが、本実施
例によればアウタリード５は片面が封止樹脂体１により
保持されているためにそのような問題は生ずることがな
いのである。
【００１１】また、リードフレームとしてダムバー７が
アウタリード５の不要部と同列に形成されているものを
使用することにより、アウタリード５の不要部分の切断
時にそのダムバー７も一緒に切断されるようになるた
め、従来のダムバー切断工程を削除することができるこ
ととなる。
アウタリード５の不要部と同列に形成されているものを
使用することにより、アウタリード５の不要部分の切断
時にそのダムバー７も一緒に切断されるようになるた
め、従来のダムバー切断工程を削除することができるこ
ととなる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、封
止樹脂体によってアウタリードの一面のみが露出するよ
うになっているため、そのアウタリードの不要部分の切
断を行っても、樹脂によって守られることでアウタリー
ド必要部の形を劣化させることがなく、そのリードの成
形性の向上により品質向上が達成される。
止樹脂体によってアウタリードの一面のみが露出するよ
うになっているため、そのアウタリードの不要部分の切
断を行っても、樹脂によって守られることでアウタリー
ド必要部の形を劣化させることがなく、そのリードの成
形性の向上により品質向上が達成される。
【００１３】また、リードフレームとしてダムバーがア
ウタリードの不要部と同列に形成されているものを使用
することにより、アウタリード不要部分の切断時にその
ダムバーも一緒に切断されるようになるため、従来のダ
ムバー切断工程を削除することができることとなる。
ウタリードの不要部と同列に形成されているものを使用
することにより、アウタリード不要部分の切断時にその
ダムバーも一緒に切断されるようになるため、従来のダ
ムバー切断工程を削除することができることとなる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の構造を示
す平面図（ａ）、そのＡ−Ａ´線に沿う断面図（ｂ）、
同半導体装置の製造プロセスを示す工程別素子断面図
（ｃ）。
す平面図（ａ）、そのＡ−Ａ´線に沿う断面図（ｂ）、
同半導体装置の製造プロセスを示す工程別素子断面図
（ｃ）。
【図２】従来の一実施例に係る半導体装置の構造を示す
平面図（ａ）、同側面図（ｂ）。
平面図（ａ）、同側面図（ｂ）。
１ 封止樹脂体 ２ デバイスチップ ３ ベット ４ インナリード ５ アウタリード ６ ボンディングワイヤ ７ ダムバー
Claims (2)
- 【請求項１】デバイスチップが搭載されるベットと、ボ
ンディングにより該デバイスチップと電気的に接続され
るインナリードと、外部との信号送受信を担うアウタリ
ードとを含むリードフレームと、 前記アウタリードの一面のみが露出するように前記リー
ドフレームを封止する封止樹脂体とを備えている半導体
装置。 - 【請求項２】ダムバーがアウタリードの不要部と同列に
形成されているリードフレームを使用し、 該リードフレームのベット上にデバイスチップを搭載さ
せる工程と、 前記リードフレームのインナリードと前記デバイスとを
電気的に接続するボンディングを施す工程と、 前記リードフレームのアウタリードの不要部より内側に
位置する必要部分を樹脂封止する工程と、 前記アウタリードの該封止樹脂体より突出する部分を切
断する工程とを備えている半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32193895A JPH09162327A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32193895A JPH09162327A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162327A true JPH09162327A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18138102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32193895A Pending JPH09162327A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162327A (ja) |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP32193895A patent/JPH09162327A/ja active Pending
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