JPH09162087A - 貼り合わせ基板の製造方法 - Google Patents
貼り合わせ基板の製造方法Info
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- JPH09162087A JPH09162087A JP31830895A JP31830895A JPH09162087A JP H09162087 A JPH09162087 A JP H09162087A JP 31830895 A JP31830895 A JP 31830895A JP 31830895 A JP31830895 A JP 31830895A JP H09162087 A JPH09162087 A JP H09162087A
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- silicon
- substrate
- oxide film
- etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 貼り合わせ基板の端面研削を行いその後エッ
チング処理する場合に、シリコン残りがなく、かつ端面
形状を良好にする。 【解決手段】 第１シリコン基板１と第２シリコン基板
２を酸化シリコン膜３を介して貼り合わされた貼り合わ
せ基板を形成し（図１（ａ）、（ｂ））、この貼り合わ
せ基板の端面を研削加工し（図１（ｃ））、その後、貼
り合わせ面に形成された酸化シリコン膜３が露出するま
で水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いた異方
性エッチング液によりエッチング処理し（図１（ｄ）、
この後、第１シリコン基板１側から表面研削加工を行い
（図１（ｅ））、ポリッシングを行う（図１（ｆ））。
チング処理する場合に、シリコン残りがなく、かつ端面
形状を良好にする。 【解決手段】 第１シリコン基板１と第２シリコン基板
２を酸化シリコン膜３を介して貼り合わされた貼り合わ
せ基板を形成し（図１（ａ）、（ｂ））、この貼り合わ
せ基板の端面を研削加工し（図１（ｃ））、その後、貼
り合わせ面に形成された酸化シリコン膜３が露出するま
で水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いた異方
性エッチング液によりエッチング処理し（図１（ｄ）、
この後、第１シリコン基板１側から表面研削加工を行い
（図１（ｅ））、ポリッシングを行う（図１（ｆ））。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ貼り合わせ
法で貼り合わせ基板を製造する方法に関する。
法で貼り合わせ基板を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ構造をもった半導体基板を形成す
る方法として、ウエハの貼り合わせ技術が知られてい
る。これは、貼り合わせる２枚の単結晶シリコン基板の
一方、あるいは双方の表面に酸化シリコン膜を形成した
後、その表面にシラノール基（―ＯＨ基）あるいは水分
子を吸着させる処理を行い、重ね合わせて密着した後、
熱処理を施す。これにより２枚のシリコン基板は接合さ
れる。この後、接合されたシリコン基板の一方の面から
研削、続いて鏡面研磨（ポリッシング）を行うことによ
り、所望の厚みのＳＯＩ領域、すなわち酸化シリコン膜
上の単結晶シリコン層を得ることができる。
る方法として、ウエハの貼り合わせ技術が知られてい
る。これは、貼り合わせる２枚の単結晶シリコン基板の
一方、あるいは双方の表面に酸化シリコン膜を形成した
後、その表面にシラノール基（―ＯＨ基）あるいは水分
子を吸着させる処理を行い、重ね合わせて密着した後、
熱処理を施す。これにより２枚のシリコン基板は接合さ
れる。この後、接合されたシリコン基板の一方の面から
研削、続いて鏡面研磨（ポリッシング）を行うことによ
り、所望の厚みのＳＯＩ領域、すなわち酸化シリコン膜
上の単結晶シリコン層を得ることができる。
【０００３】この時、貼り合わせる２枚のシリコン基板
の端面が面取り加工されている場合には、ポリッシング
後に、貼り合わせ基板の周縁部において未接合部が剥離
して研磨面へ付着することがある。このような付着が生
じると、素子形成面を汚染し、さらには研磨面の傷発生
の原因となる。そこで、図５（ａ）に示すように、表面
に酸化膜３が形成された第２シリコン基板２と第１シリ
コン基板１を貼り合わせた後、第１シリコン基板１の外
周を研削し、図５（ｂ）に示すように、貼り合わせ面に
形成された酸化膜３をストッパとしてエッチングし、第
１シリコン基板１の未接合となっている領域を除去する
方法が、特開平６ー６１４６１号公報あるいは特開平７
ー４５４８５号公報に開示されている。また、同様な方
法において、上記の未接合領域を除去するためのエッチ
ング液としてＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液を用いた
ものが、特開平７ー７８８６８号公報に開示されてい
る。
の端面が面取り加工されている場合には、ポリッシング
後に、貼り合わせ基板の周縁部において未接合部が剥離
して研磨面へ付着することがある。このような付着が生
じると、素子形成面を汚染し、さらには研磨面の傷発生
の原因となる。そこで、図５（ａ）に示すように、表面
に酸化膜３が形成された第２シリコン基板２と第１シリ
コン基板１を貼り合わせた後、第１シリコン基板１の外
周を研削し、図５（ｂ）に示すように、貼り合わせ面に
形成された酸化膜３をストッパとしてエッチングし、第
１シリコン基板１の未接合となっている領域を除去する
方法が、特開平６ー６１４６１号公報あるいは特開平７
ー４５４８５号公報に開示されている。また、同様な方
法において、上記の未接合領域を除去するためのエッチ
ング液としてＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液を用いた
ものが、特開平７ー７８８６８号公報に開示されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法において、異方性の大きなエッチング液として
ＫＯＨ水溶液を使用した場合、エッチング処理後の基板
端部の形状に問題が生ずることが判明した。本発明者ら
が行った実験に基づいて具体的に説明する。基板端部を
幅５ｍｍで厚み５０μｍを残すように端面研削して図５
（ａ）に示すものを得、その後、エッチング液としてＫ
ＯＨ水溶液を使用し、研削で残した第１シリコン基板１
端部のシリコンを除去した。なお、ＫＯＨ水溶液として
は、濃度３１ｗｔ％、液温８５℃、Ｓｉ（１１１）に対
するＳｉ（１００）のエッチング速度比を４００、Ｓｉ
Ｏ2 に対するＳｉ（１００）のエッチング速度比を１０
００となるものを用いた。また、エッチング速度が１．
４μｍ／ｍｉｎになるため、２０％オーバーエッチング
として４７分間行った。
うな方法において、異方性の大きなエッチング液として
ＫＯＨ水溶液を使用した場合、エッチング処理後の基板
端部の形状に問題が生ずることが判明した。本発明者ら
が行った実験に基づいて具体的に説明する。基板端部を
幅５ｍｍで厚み５０μｍを残すように端面研削して図５
（ａ）に示すものを得、その後、エッチング液としてＫ
ＯＨ水溶液を使用し、研削で残した第１シリコン基板１
端部のシリコンを除去した。なお、ＫＯＨ水溶液として
は、濃度３１ｗｔ％、液温８５℃、Ｓｉ（１１１）に対
するＳｉ（１００）のエッチング速度比を４００、Ｓｉ
Ｏ2 に対するＳｉ（１００）のエッチング速度比を１０
００となるものを用いた。また、エッチング速度が１．
４μｍ／ｍｉｎになるため、２０％オーバーエッチング
として４７分間行った。
【０００５】このようなエッチングを行った結果、図６
（ａ）に示すように、４つの（１１１）面で囲まれたピ
ラミッド状のシリコン残り（大きさ：５〜２５０μｍ）
が基板外周の露出させた酸化膜上全面に観察された。ま
た、露出させた酸化膜についてもエッチングされて薄く
なり、膜厚にむらが生じた。さらに、第１シリコン基板
１の外周については基板の径方向に大きな凹凸（約２５
０μｍの大きさ）が生じ、特に＜１００＞方位にあたる
領域（図６（ｂ）参照）の凹凸が大きかった。
（ａ）に示すように、４つの（１１１）面で囲まれたピ
ラミッド状のシリコン残り（大きさ：５〜２５０μｍ）
が基板外周の露出させた酸化膜上全面に観察された。ま
た、露出させた酸化膜についてもエッチングされて薄く
なり、膜厚にむらが生じた。さらに、第１シリコン基板
１の外周については基板の径方向に大きな凹凸（約２５
０μｍの大きさ）が生じ、特に＜１００＞方位にあたる
領域（図６（ｂ）参照）の凹凸が大きかった。
【０００６】このようなピラミッド状のシリコン残り、
また第１シリコン基板の外周の凹凸の部分には異物等が
残りやすく、洗浄しても除去されにくいために後工程に
おいてパーティクルの発生源となる。本発明は上記問題
に鑑みたもので、上記したピラミッド状のシリコン残り
がなく、かつシリコン基板外周の凹凸を異物が残留しな
いレベルにまで小さくすることを目的とする。
また第１シリコン基板の外周の凹凸の部分には異物等が
残りやすく、洗浄しても除去されにくいために後工程に
おいてパーティクルの発生源となる。本発明は上記問題
に鑑みたもので、上記したピラミッド状のシリコン残り
がなく、かつシリコン基板外周の凹凸を異物が残留しな
いレベルにまで小さくすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、貼り合わせ基板の外周
領域を研削加工し、その後、貼り合わせ面に形成された
酸化シリコン膜が露出するまで水酸化テトラメチルアン
モニウム水溶液を用いた異方性エッチング液によりエッ
チング処理することを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明では、貼り合わせ基板の外周
領域を研削加工し、その後、貼り合わせ面に形成された
酸化シリコン膜が露出するまで水酸化テトラメチルアン
モニウム水溶液を用いた異方性エッチング液によりエッ
チング処理することを特徴としている。
【０００８】このことにより、露出させた酸化膜上にシ
リコン残りがなく、第１シリコン基板外周の凹凸を異物
が残留しないレベルにまで小さくすることができる。ま
た、酸化膜を介さない貼り合わせ基板については、エッ
チングのストッパーとして機能させるべき酸化膜が貼り
合わせ面に存在しない。そこで、請求項２に記載の発明
では、（１００）面の鏡面研磨された表面を有する第１
シリコン基板と（１１１）面の鏡面研磨された表面を有
する第２シリコン基板を貼り合わせ、第１シリコン基板
の外周領域を研削した後、水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液を用いた異方性エッチング液を使用すること
で、第２シリコン基板をストッパーとして機能させたエ
ッチングを行うことを特徴としている。
リコン残りがなく、第１シリコン基板外周の凹凸を異物
が残留しないレベルにまで小さくすることができる。ま
た、酸化膜を介さない貼り合わせ基板については、エッ
チングのストッパーとして機能させるべき酸化膜が貼り
合わせ面に存在しない。そこで、請求項２に記載の発明
では、（１００）面の鏡面研磨された表面を有する第１
シリコン基板と（１１１）面の鏡面研磨された表面を有
する第２シリコン基板を貼り合わせ、第１シリコン基板
の外周領域を研削した後、水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液を用いた異方性エッチング液を使用すること
で、第２シリコン基板をストッパーとして機能させたエ
ッチングを行うことを特徴としている。
【０００９】このことにより、酸化膜を介さない貼り合
わせにおいても、貼り合わせ基板の外周の未接合部を第
１シリコン基板のシリコン残りがなく、第１シリコン基
板外周の凹凸を異物が残留しないレベルにまで小さくす
ることができる。
わせにおいても、貼り合わせ基板の外周の未接合部を第
１シリコン基板のシリコン残りがなく、第１シリコン基
板外周の凹凸を異物が残留しないレベルにまで小さくす
ることができる。
【００１０】
（第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態に係る
貼り合わせ基板の製造工程を示す。まず、図１（ａ）に
示すように、（１００）面の鏡面研磨された表面を有す
る第１、第２シリコン基板１、２のうち、第２シリコン
基板２に熱酸化により酸化膜３を１μｍ形成する。その
際、酸化膜３が第２シリコン基板２の全面に形成され
る。
貼り合わせ基板の製造工程を示す。まず、図１（ａ）に
示すように、（１００）面の鏡面研磨された表面を有す
る第１、第２シリコン基板１、２のうち、第２シリコン
基板２に熱酸化により酸化膜３を１μｍ形成する。その
際、酸化膜３が第２シリコン基板２の全面に形成され
る。
【００１１】次に、接合を行うための前洗浄として、キ
ャロス溶液（Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ2＝４：１）等の酸性
溶液中への浸漬処理をし、超純水にて洗浄する。この
後、スピン等の乾燥を行い、基板表面に吸着する水分量
を制御する。次に、図１（ｂ）に示すように、第１シリ
コン基板１と第２シリコン基板２を密着させる。これに
より、２枚のシリコン基板１、２は、表面に形成された
シラノール基および表面に吸着した水分子の水素結合に
より密着される。
ャロス溶液（Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ2＝４：１）等の酸性
溶液中への浸漬処理をし、超純水にて洗浄する。この
後、スピン等の乾燥を行い、基板表面に吸着する水分量
を制御する。次に、図１（ｂ）に示すように、第１シリ
コン基板１と第２シリコン基板２を密着させる。これに
より、２枚のシリコン基板１、２は、表面に形成された
シラノール基および表面に吸着した水分子の水素結合に
より密着される。
【００１２】次に、ウエットＯ2 、Ｈ2 ／Ｏ2 混合燃焼
気体中で１１００℃以上、１時間以上の熱処理を施すこ
とにより、接着面において脱水縮合反応が起き、２枚の
シリコン基板１、２は直接接合され一体化し接合基板が
形成される。また、酸化雰囲気で熱処理することで、第
１シリコン基板１の裏面に酸化膜４が形成される。この
酸化膜４は後工程のエッチング工程でマスクとして機能
する。
気体中で１１００℃以上、１時間以上の熱処理を施すこ
とにより、接着面において脱水縮合反応が起き、２枚の
シリコン基板１、２は直接接合され一体化し接合基板が
形成される。また、酸化雰囲気で熱処理することで、第
１シリコン基板１の裏面に酸化膜４が形成される。この
酸化膜４は後工程のエッチング工程でマスクとして機能
する。
【００１３】次に、図１（ｃ）に示すように、端面研削
を行う。この場合、第２シリコン基板２に研削砥石が当
たると、第２シリコン基板２の酸化膜３が無くなり、後
工程で酸化膜をストッパとしたエッチングができなくな
る。また、端面研削で未接合領域が欠けると、飛散して
第２シリコン基板２の未接合領域の酸化膜に当たってキ
ズをつける。酸化膜にキズがある部分は、酸化膜が薄
く、あるいはなくなっているためにシリコンがエッチン
グされ穴（凹み）が生じ、そこに異物等が入り込み汚染
やパーティクルの発生源となる。そのため、第２シリコ
ン基板２にキズが入らない加工、すなわち第１シリコン
基板１の未接合領域が研削加工で欠けない端面研削をす
る必要がある。
を行う。この場合、第２シリコン基板２に研削砥石が当
たると、第２シリコン基板２の酸化膜３が無くなり、後
工程で酸化膜をストッパとしたエッチングができなくな
る。また、端面研削で未接合領域が欠けると、飛散して
第２シリコン基板２の未接合領域の酸化膜に当たってキ
ズをつける。酸化膜にキズがある部分は、酸化膜が薄
く、あるいはなくなっているためにシリコンがエッチン
グされ穴（凹み）が生じ、そこに異物等が入り込み汚染
やパーティクルの発生源となる。そのため、第２シリコ
ン基板２にキズが入らない加工、すなわち第１シリコン
基板１の未接合領域が研削加工で欠けない端面研削をす
る必要がある。
【００１４】そこで、本実施形態においては、図２に示
すように、研削砥石５として２段式カップホイル（＃８
００、＃１５００）を使用し、第１、第２シリコン基板
１、２をチャックテーブル６上に設置して端面研削を行
った。具体的には、最初に＃８００で削り代２００μｍ
の研削を２回行い、さらに１３５μｍを削り込む（計５
３５μｍ）。そのまま、連続加工で＃１５００で削り代
２０μｍの研削を２回行う（＃１５００で４０μｍ除
去）。この端面研削加工により研削除去量は合計５７５
μｍとなり、６２５μｍ厚の第１シリコン基板１の端部
の残り代は５０μｍとなるが、この条件の加工を行うこ
とで、未接合領域が欠けること無く残り代が５０μｍの
薄さまで端面を研削加工することができた。図３に、端
面研削を行ったウェハの状態を示す。
すように、研削砥石５として２段式カップホイル（＃８
００、＃１５００）を使用し、第１、第２シリコン基板
１、２をチャックテーブル６上に設置して端面研削を行
った。具体的には、最初に＃８００で削り代２００μｍ
の研削を２回行い、さらに１３５μｍを削り込む（計５
３５μｍ）。そのまま、連続加工で＃１５００で削り代
２０μｍの研削を２回行う（＃１５００で４０μｍ除
去）。この端面研削加工により研削除去量は合計５７５
μｍとなり、６２５μｍ厚の第１シリコン基板１の端部
の残り代は５０μｍとなるが、この条件の加工を行うこ
とで、未接合領域が欠けること無く残り代が５０μｍの
薄さまで端面を研削加工することができた。図３に、端
面研削を行ったウェハの状態を示す。
【００１５】次に、図１（ｄ）に示すように、アルカリ
エッチングにて、研削で残した５０μｍのシリコンを貼
り合わせ面の酸化膜３をストッパとして除去する。エッ
チング液として水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液
（ＴＭＡＨ：（ＣＨ3 ）4 ＯＨ）を使用し、濃度２２ｗ
ｔ％、液温９０℃で行った。エッチング速度は１μｍ／
ｍｉｎになるため、５０μｍのエッチングの場合、エッ
チング時間は５０分となるがエッチングのばらつきを考
慮して２０％オーバーエッチングとし６０分間行った。
エッチングにて、研削で残した５０μｍのシリコンを貼
り合わせ面の酸化膜３をストッパとして除去する。エッ
チング液として水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液
（ＴＭＡＨ：（ＣＨ3 ）4 ＯＨ）を使用し、濃度２２ｗ
ｔ％、液温９０℃で行った。エッチング速度は１μｍ／
ｍｉｎになるため、５０μｍのエッチングの場合、エッ
チング時間は５０分となるがエッチングのばらつきを考
慮して２０％オーバーエッチングとし６０分間行った。
【００１６】なお、Ｓｉ（１１１）に対するＳｉ（１０
０）のエッチング速度比は３３で、ＳｉＯ2 に対するＳ
ｉ（１００）のエッチング速度比については４０００の
ものを用いた。その結果、エッチング液としてＫＯＨ水
溶液を使用した場合のような、ピラミッド状のシリコン
残りがなく、また第１シリコン基板１の外周の凹凸が小
さく端面形状を良好なものとすることができた。
０）のエッチング速度比は３３で、ＳｉＯ2 に対するＳ
ｉ（１００）のエッチング速度比については４０００の
ものを用いた。その結果、エッチング液としてＫＯＨ水
溶液を使用した場合のような、ピラミッド状のシリコン
残りがなく、また第１シリコン基板１の外周の凹凸が小
さく端面形状を良好なものとすることができた。
【００１７】この後、図１（ｅ）に示すように、第１シ
リコン基板１側から表面研削加工を行い、次いで、図１
（ｆ）に示すようにポリッシングを行う。これにより端
面形状の良好な貼り合わせＳＯＩ基板を形成できた。な
お、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液としては、
ピラミッド状のシリコン残りを無くすという観点から、
Ｓｉ（１１１）に対するＳｉ（１００）のエッチング速
度比が１０〜５０のものが好ましく、濃度が２０ｗｔ％
以上のものが好ましい。また、第２シリコン基板２上の
酸化膜３のエッチングを少なくするためには、ＳｉＯ2
に対するＳｉ（１００）のエッチング速度比を１０００
以上にするのが好ましい。 （第２実施形態）この第２実施形態は、酸化膜を介さな
い貼り合わせ基板の場合についての製造方法を示すもの
である。
リコン基板１側から表面研削加工を行い、次いで、図１
（ｆ）に示すようにポリッシングを行う。これにより端
面形状の良好な貼り合わせＳＯＩ基板を形成できた。な
お、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液としては、
ピラミッド状のシリコン残りを無くすという観点から、
Ｓｉ（１１１）に対するＳｉ（１００）のエッチング速
度比が１０〜５０のものが好ましく、濃度が２０ｗｔ％
以上のものが好ましい。また、第２シリコン基板２上の
酸化膜３のエッチングを少なくするためには、ＳｉＯ2
に対するＳｉ（１００）のエッチング速度比を１０００
以上にするのが好ましい。 （第２実施形態）この第２実施形態は、酸化膜を介さな
い貼り合わせ基板の場合についての製造方法を示すもの
である。
【００１８】まず、図４（ａ）に示すように、（１０
０）面の鏡面研磨された表面を有する第１シリコン基板
１１と（１１１）面の鏡面研磨された表面を有する第２
シリコン基板１２を、例えば４９％の濃度のフッ酸水溶
液に３分間浸漬した後、超純水で洗浄する。次に、スピ
ン等で乾燥することで基板表面の水分を除去し、表面に
吸着したシラノール基の水素結合で第１シリコン基板１
１と第２シリコン基板１２を密着させる。
０）面の鏡面研磨された表面を有する第１シリコン基板
１１と（１１１）面の鏡面研磨された表面を有する第２
シリコン基板１２を、例えば４９％の濃度のフッ酸水溶
液に３分間浸漬した後、超純水で洗浄する。次に、スピ
ン等で乾燥することで基板表面の水分を除去し、表面に
吸着したシラノール基の水素結合で第１シリコン基板１
１と第２シリコン基板１２を密着させる。
【００１９】次に、熱処理をウェットＯ2 の燃焼気体中
で行う。これにより図４（ｂ）に示すように、第１、２
シリコン基板１１、１２の裏面に酸化膜１３が形成され
る。この酸化膜１３は、後工程のエッチングでマスクと
して機能する。次に、図４（ｃ）と図４（ｄ）に示すよ
うに、第１シリコン基板１１の外周を研削し、第１実施
形態と同じ水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を使
用してエッチング処理を施す。この場合、そのエッチン
グ液における面方位の速度比〔Ｓｉ（１００）／Ｓｉ
（１１１）〕は３３であるため、第２シリコン基板１２
をストッパーとして機能させるエッチングをすることが
できる。
で行う。これにより図４（ｂ）に示すように、第１、２
シリコン基板１１、１２の裏面に酸化膜１３が形成され
る。この酸化膜１３は、後工程のエッチングでマスクと
して機能する。次に、図４（ｃ）と図４（ｄ）に示すよ
うに、第１シリコン基板１１の外周を研削し、第１実施
形態と同じ水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を使
用してエッチング処理を施す。この場合、そのエッチン
グ液における面方位の速度比〔Ｓｉ（１００）／Ｓｉ
（１１１）〕は３３であるため、第２シリコン基板１２
をストッパーとして機能させるエッチングをすることが
できる。
【００２０】次に、図４（ｅ）と図４（ｆ）に示すよう
に第１シリコン基板１１を所定の厚さまで表面研削及び
鏡面研磨を行う。これにより端部形状の良質な貼り合わ
せ基板を形成することができる。
に第１シリコン基板１１を所定の厚さまで表面研削及び
鏡面研磨を行う。これにより端部形状の良質な貼り合わ
せ基板を形成することができる。
【図１】本発明の第１実施形態を示す工程図である。
【図２】端面研削する状態を示す図である。
【図３】端面研削したウェハの状態を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態を示す工程図である。
【図５】従来の端面研削およびエッチング処理する状態
を示す図である。
を示す図である。
【図６】エッチング液としてＫＯＨ水溶液を用いた場合
に生じる問題点を説明するための図である。
に生じる問題点を説明するための図である。
１、１１…第１シリコン基板、２、１２…第２シリコン
基板、３、４、１３…酸化シリコン膜。
基板、３、４、１３…酸化シリコン膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 第１シリコン基板と第２シリコン基板を
酸化シリコン膜を介して貼り合わされた貼り合わせ基板
を形成する工程と、 この貼り合わせ基板の外周領域において前記第１シリコ
ン基板の表面から前記酸化シリコン膜に向けて前記第１
シリコン基板を所定厚さだけ残すように研削加工する工
程と、 前記貼り合わせ基板の外周領域において貼り合わせ面に
形成された酸化シリコン膜が露出するまで水酸化テトラ
メチルアンモニウム水溶液を用いた異方性エッチング液
によりエッチング処理する工程とを有することを特徴と
する貼り合わせ基板の製造方法。 - 【請求項２】 （１００）面の鏡面研磨された表面を有
する第１シリコン基板と（１１１）面の鏡面研磨された
表面を有する第２シリコン基板とを貼り合わせて貼り合
わせ基板を形成する工程と、 この貼り合わせ基板の外周領域を前記第１シリコン基板
の表面から貼り合わせ面に向けて前記第１シリコン基板
を所定厚さだけ残すように研削加工する工程と、 前記貼り合わせ基板の外周領域において前記第２シリコ
ン基板が露出するまで水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液を用いた異方性エッチング液によりエッチング処
理する工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31830895A JPH09162087A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 貼り合わせ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31830895A JPH09162087A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 貼り合わせ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162087A true JPH09162087A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18097756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31830895A Pending JPH09162087A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 貼り合わせ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162087A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645045B2 (en) | 2001-03-12 | 2003-11-11 | Denso Corporation | Method of measuring thickness of a semiconductor layer and method of manufacturing a semiconductor substrate |
| US6656755B1 (en) | 1999-11-17 | 2003-12-02 | Denso Corporation | Method for manufacturing semiconductor device by polishing |
| JP2011071487A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Soi Tec Silicon On Insulator Technologies | 層の貼り合わせおよび転写プロセス |
-
1995
- 1995-12-06 JP JP31830895A patent/JPH09162087A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6656755B1 (en) | 1999-11-17 | 2003-12-02 | Denso Corporation | Method for manufacturing semiconductor device by polishing |
| US6645045B2 (en) | 2001-03-12 | 2003-11-11 | Denso Corporation | Method of measuring thickness of a semiconductor layer and method of manufacturing a semiconductor substrate |
| JP2011071487A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Soi Tec Silicon On Insulator Technologies | 層の貼り合わせおよび転写プロセス |
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