JPH09157378A - 芳香族ポリカーボネート樹脂 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート樹脂Info
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- JPH09157378A JPH09157378A JP32326895A JP32326895A JPH09157378A JP H09157378 A JPH09157378 A JP H09157378A JP 32326895 A JP32326895 A JP 32326895A JP 32326895 A JP32326895 A JP 32326895A JP H09157378 A JPH09157378 A JP H09157378A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電荷輸送能をもち且つ高い機械的強度を有す
る光導電性高分子材料を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化１】
る光導電性高分子材料を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は芳香族ポリカーボネ
ート樹脂に関し、さらに詳しくは電子写真用感光体とし
て有用な新規な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
ート樹脂に関し、さらに詳しくは電子写真用感光体とし
て有用な新規な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
【０００２】
【従来の技術】芳香族ポリカーボネート樹脂として、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールＡからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールＡからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
【０００３】一方、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔Ｍ．Ｓｔｏｌ
ｋａｅｔ ａｌ Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２１ ９
６９（１９８３）〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公
報）などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔Ｍ．Ｓｔｏｌ
ｋａｅｔ ａｌ Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２１ ９
６９（１９８３）〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公
報）などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送能性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送能性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位から
なる新規芳香族ポリカーボネート樹脂及び下記一般式
（II）ならびに（III）で示される繰り返し単位からな
る新規芳香族ポリカーボネート樹脂により上記課題が解
決されることを見出し、本発明に到った。即ち、本発明
は以下の（１）〜（４）である。 （１）下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位からな
る芳香族ポリカーボネート樹脂。
た結果、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位から
なる新規芳香族ポリカーボネート樹脂及び下記一般式
（II）ならびに（III）で示される繰り返し単位からな
る新規芳香族ポリカーボネート樹脂により上記課題が解
決されることを見出し、本発明に到った。即ち、本発明
は以下の（１）〜（４）である。 （１）下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位からな
る芳香族ポリカーボネート樹脂。
【０００６】
【化１３】
【０００７】〔式中、Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3は同一又
は異なる置換又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していても
よい。ｎは５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の
２価基、環状脂肪族の２価基又は、下記一般式で表わさ
れる２価基
は異なる置換又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していても
よい。ｎは５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の
２価基、環状脂肪族の２価基又は、下記一般式で表わさ
れる２価基
【０００８】
【化１４】
【０００９】（ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【００１０】
【化１５】
【００１１】から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （２）下記一般式（II）および（III）で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が０＜ｋ／
（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート樹脂。
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （２）下記一般式（II）および（III）で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が０＜ｋ／
（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート樹脂。
【００１２】
【化１６】
【００１３】〔式中、Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3は同一又
は異なる置換又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していても
よい。ｋは５〜５０００、ｊは０〜５０００の整数を表
わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基又は、
は異なる置換又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していても
よい。ｋは５〜５０００、ｊは０〜５０００の整数を表
わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基又は、
【００１４】
【化１７】
【００１５】（ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【００１６】
【化１８】
【００１７】から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （３）下記一般式（IV）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂。
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （３）下記一般式（IV）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂。
【００１８】
【化１９】
【００１９】〔式中、Ｒ7は水素原子、ハロゲン原子、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、置換もし
くは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換ア
リール基を表わす。ｎは５〜５０００の整数を表わす。
Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基または、下記
一般式で表わされる２価基
アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、置換もし
くは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換ア
リール基を表わす。ｎは５〜５０００の整数を表わす。
Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基または、下記
一般式で表わされる２価基
【００２０】
【化２０】
【００２１】（ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【００２２】
【化２１】
【００２３】から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （４）下記一般式（Ｖ）および（III）で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が０＜ｋ／
（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート樹脂。
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （４）下記一般式（Ｖ）および（III）で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が０＜ｋ／
（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート樹脂。
【００２４】
【化２２】
【００２５】〔式中、Ｒ7は水素原子、ハロゲン原子、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、置換もし
くは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換ア
リール基を表わす。ｋは５〜５０００の整数を表わす。
ｊは０〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２価
基、環状脂肪族の２価基または、下記一般式で表わされ
る２価基
アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、置換もし
くは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換ア
リール基を表わす。ｋは５〜５０００の整数を表わす。
ｊは０〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２価
基、環状脂肪族の２価基または、下記一般式で表わされ
る２価基
【００２６】
【化２３】
【００２７】（ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【００２８】
【化２４】
【００２９】から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 以下、本発明について詳しく説明する。本発明の芳香族
ポリカーボネート樹脂は従来ポリカーボネート樹脂の製
造法として、公知のビスフェノールと炭酸誘導体との重
合と同様の方法で製造できる。すなわち、下記一般式
（VI）又は一般式（VII）で表わされる第３級アミノ基
を有するジオール化合物と、ビスアリールカーボネート
とのエステル交換法、ホスゲンとの溶液または界面重合
によるホスゲン法、あるいは、ジオールから誘導される
ビスクロロホーメートを用いるビスクロロホーメート法
等により製造される。この際、下記一般式（VIII）で表
わされるジオールを併用することによって上記一般式
（II）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂あるいは上記一般式
（Ｖ）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂を製造することがで
き、こうすることによって所望の特性を備えた芳香族ポ
リカーボネート樹脂が得られる。上記一般式（II）で表
わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単位と上記一
般式（III）で表わされる繰り返し単位との割合及び上
記一般式（Ｖ）で表わされる第３級アミノ基を有する繰
り返し単位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し
単位との割合は所望の特性により広い範囲から選択する
ことができる。
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 以下、本発明について詳しく説明する。本発明の芳香族
ポリカーボネート樹脂は従来ポリカーボネート樹脂の製
造法として、公知のビスフェノールと炭酸誘導体との重
合と同様の方法で製造できる。すなわち、下記一般式
（VI）又は一般式（VII）で表わされる第３級アミノ基
を有するジオール化合物と、ビスアリールカーボネート
とのエステル交換法、ホスゲンとの溶液または界面重合
によるホスゲン法、あるいは、ジオールから誘導される
ビスクロロホーメートを用いるビスクロロホーメート法
等により製造される。この際、下記一般式（VIII）で表
わされるジオールを併用することによって上記一般式
（II）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂あるいは上記一般式
（Ｖ）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂を製造することがで
き、こうすることによって所望の特性を備えた芳香族ポ
リカーボネート樹脂が得られる。上記一般式（II）で表
わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単位と上記一
般式（III）で表わされる繰り返し単位との割合及び上
記一般式（Ｖ）で表わされる第３級アミノ基を有する繰
り返し単位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し
単位との割合は所望の特性により広い範囲から選択する
ことができる。
【００３０】また、前記一般式（Ｉ）又は、前記一般式
（IV）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂は、下記一般式
（VI）又は下記一般式（VII）で表わされる第３級アミ
ノ基を有するジオール化合物と、下記一般式（VIII）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの界面重合あるい
は溶液重合によって得られる。又、一般式（VI）あるい
は一般式（VII）で表される第３級アミノ基を有するジ
オール化合物から誘導されるビスクロロホーメートと、
一般式（VIII）で表わされるジオールとの重合によって
も得られる。
（IV）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂は、下記一般式
（VI）又は下記一般式（VII）で表わされる第３級アミ
ノ基を有するジオール化合物と、下記一般式（VIII）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの界面重合あるい
は溶液重合によって得られる。又、一般式（VI）あるい
は一般式（VII）で表される第３級アミノ基を有するジ
オール化合物から誘導されるビスクロロホーメートと、
一般式（VIII）で表わされるジオールとの重合によって
も得られる。
【００３１】
【化２５】
【００３２】 ＨＯ−Ｘ−ＯＨ （VIII） 〔各式中のＡｒ1，Ａｒ2，Ａｒ3，Ｒ1，Ｒ2及びＲ7は前
義と同じ。〕 以下、前記製造法に関してさらに詳細に説明する。エス
テル交換法では不活性ガス存在下にジオール化合物とビ
スアリールカーボネートを混合し、通常減圧下１２０〜
３５０℃で反応させる。減圧度は段階的に変化させ、最
終的には１ｍｍＨｇ以下にして生成するフェノール類を
系外に留去させる。反応時間は通常１〜４時間程度であ
る。又、必要に応じて分子量調節剤や酸化防止剤を加え
てもよい。ビスアリールカーボネートとしてはジフェニ
ルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニ
ル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニル
カーボネート、ジナフチルカーボネートなどが挙げられ
る。
義と同じ。〕 以下、前記製造法に関してさらに詳細に説明する。エス
テル交換法では不活性ガス存在下にジオール化合物とビ
スアリールカーボネートを混合し、通常減圧下１２０〜
３５０℃で反応させる。減圧度は段階的に変化させ、最
終的には１ｍｍＨｇ以下にして生成するフェノール類を
系外に留去させる。反応時間は通常１〜４時間程度であ
る。又、必要に応じて分子量調節剤や酸化防止剤を加え
てもよい。ビスアリールカーボネートとしてはジフェニ
ルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニ
ル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニル
カーボネート、ジナフチルカーボネートなどが挙げられ
る。
【００３３】ホスゲン法では通常脱酸剤および溶媒の存
在下に反応を行う。脱酸剤としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、ピリジン
などが用いられる。溶媒としては例えばジクロロメタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いら
れる。又、反応促進のために例えば第３級アミン、第４
級アンモニウム塩などの触媒を用いることができ、分子
量調節剤として例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望まし
い。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜５時
間であり、反応中のｐＨは通常１０以上に保つことが好
ましい。
在下に反応を行う。脱酸剤としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、ピリジン
などが用いられる。溶媒としては例えばジクロロメタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いら
れる。又、反応促進のために例えば第３級アミン、第４
級アンモニウム塩などの触媒を用いることができ、分子
量調節剤として例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望まし
い。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜５時
間であり、反応中のｐＨは通常１０以上に保つことが好
ましい。
【００３４】ビスクロロホーメートを用いる場合はジオ
ール化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビ
スクロロホーメートを添加することにより得られる。脱
酸剤としてはトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミンのような第３級アミン及びピリジンが
使用される。反応に使用される溶媒としては、例えばジ
クロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどの環状エーテル系の溶媒が好ましい。又、
分子量調節剤として、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望
ましい。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜
５時間である。
ール化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビ
スクロロホーメートを添加することにより得られる。脱
酸剤としてはトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミンのような第３級アミン及びピリジンが
使用される。反応に使用される溶媒としては、例えばジ
クロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどの環状エーテル系の溶媒が好ましい。又、
分子量調節剤として、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望
ましい。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜
５時間である。
【００３５】上記の方法に従って製造される芳香族ポリ
カーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、光安
定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤などの添加剤を加えるこ
とができる。以下、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂について更に詳細に説明する。
カーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、光安
定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤などの添加剤を加えるこ
とができる。以下、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂について更に詳細に説明する。
【００３６】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
前記一般式（II）、又は（Ｖ）で表される繰り返し単位
からなる単独重合体、又は、前記一般式（Ｉ）、又は
（IV）で表される繰り返し単位からなる交互共重合体、
更にまた一般式（II）及び（III）、あるいは前記一般
式（Ｖ）及び（III）で表される繰り返し単位を構成単
位とするランダムまたはブロック共重合体のいずれでも
よい。又、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の分子
量は、ポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１０
０００００、好ましくは５０００〜５０００００であ
る。又、本発明の芳香族ポリカーボネートを構成する、
前記一般式（Ｉ）、（II）、（IV）、（Ｖ）で表わされ
る繰り返し単位を与える原料の、前記一般式（VI）、
（VII）で表わされる第３級アミノ基を有するジオール
化合物の具体例を以下に示す。
前記一般式（II）、又は（Ｖ）で表される繰り返し単位
からなる単独重合体、又は、前記一般式（Ｉ）、又は
（IV）で表される繰り返し単位からなる交互共重合体、
更にまた一般式（II）及び（III）、あるいは前記一般
式（Ｖ）及び（III）で表される繰り返し単位を構成単
位とするランダムまたはブロック共重合体のいずれでも
よい。又、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の分子
量は、ポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１０
０００００、好ましくは５０００〜５０００００であ
る。又、本発明の芳香族ポリカーボネートを構成する、
前記一般式（Ｉ）、（II）、（IV）、（Ｖ）で表わされ
る繰り返し単位を与える原料の、前記一般式（VI）、
（VII）で表わされる第３級アミノ基を有するジオール
化合物の具体例を以下に示す。
【００３７】一般式（VI）における置換基Ｒ1，Ｒ2は水
素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表すがその
具体例としては以下のものを挙げることができる。アリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリ
ル基、ターフェニリル基、ピレニル基、フルオレニル
基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基等、又、複
素環基としてチエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられ
る。又、Ｒ1，Ｒ2が共同して環を形成する場合の例とし
て、９−フルオニリデン、５Ｈ−ジベンゾ〔ａ，ｄ〕シ
クロヘプテニリデンなどが挙げられる。
素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表すがその
具体例としては以下のものを挙げることができる。アリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリ
ル基、ターフェニリル基、ピレニル基、フルオレニル
基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基等、又、複
素環基としてチエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられ
る。又、Ｒ1，Ｒ2が共同して環を形成する場合の例とし
て、９−フルオニリデン、５Ｈ−ジベンゾ〔ａ，ｄ〕シ
クロヘプテニリデンなどが挙げられる。
【００３８】これらのアリール基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基；好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜
Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基も
しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブ
チル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメ
チル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル
基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル
基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基
等が挙げられる。
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基；好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜
Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基も
しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブ
チル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメ
チル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル
基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル
基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基
等が挙げられる。
【００３９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ8）；Ｒ8は上
記（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基；アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的にはフェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
記（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基；アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的にはフェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
【００４０】（５）置換メルカプト基またはアリールメ
ルカプト基；具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げら
れる。 （６）アルキル置換アミノ基；アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
ルカプト基；具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げら
れる。 （６）アルキル置換アミノ基；アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【００４１】一般式（VII）における置換基Ｒ7は水素原
子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、
アシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
くは無置換のアリール基を表すがその具体例としては以
下のものを挙げることができる。アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換のアルキル
基は前記と同様な定義で表され、具体例も同様なものが
挙げられる。 アリール基；フェニル基これらは低級アルキル基、低級
アルコキシ基及びハロゲン原子を置換基として有してい
てもよい。
子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、
アシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
くは無置換のアリール基を表すがその具体例としては以
下のものを挙げることができる。アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換のアルキル
基は前記と同様な定義で表され、具体例も同様なものが
挙げられる。 アリール基；フェニル基これらは低級アルキル基、低級
アルコキシ基及びハロゲン原子を置換基として有してい
てもよい。
【００４２】一般式（VI）においてアリレン基を表わす
Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3の具体例としてはフェニレン
基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレ
ン基、ピレニレン基、フルオレニレン基、９，９−ジメ
チル−２−フルオレニレン基等、又、複素環基としてチ
エニレン基、ベンゾチエニレン基、フリレン基、ベンゾ
フラニレン基、カルバゾリレン基等、及び２個のアリー
ル基が酸素、硫黄で結合したジフェニルエーテル基、ジ
フェニルチオエーテル基等の２価基を表わす。これらの
アリレン基はアルキル基、アルコキシ基及びハロゲン原
子を置換基として有していてもよい。置換基のアルキル
基としては、Ｃ1〜Ｃ5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基で
あり、これらのアルキル基は更にフッ素原子を含有して
もよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基等が
挙げられる。又、置換基のアルコキシ基としては、Ｃ1
〜Ｃ5の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基であり、具体的
にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基等が挙げられる。
Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3の具体例としてはフェニレン
基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレ
ン基、ピレニレン基、フルオレニレン基、９，９−ジメ
チル−２−フルオレニレン基等、又、複素環基としてチ
エニレン基、ベンゾチエニレン基、フリレン基、ベンゾ
フラニレン基、カルバゾリレン基等、及び２個のアリー
ル基が酸素、硫黄で結合したジフェニルエーテル基、ジ
フェニルチオエーテル基等の２価基を表わす。これらの
アリレン基はアルキル基、アルコキシ基及びハロゲン原
子を置換基として有していてもよい。置換基のアルキル
基としては、Ｃ1〜Ｃ5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基で
あり、これらのアルキル基は更にフッ素原子を含有して
もよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基等が
挙げられる。又、置換基のアルコキシ基としては、Ｃ1
〜Ｃ5の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基であり、具体的
にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基等が挙げられる。
【００４３】Ｒ3，Ｒ4は各々独立にＣ1〜Ｃ20の、好ま
しくはＣ2〜Ｃ10の直鎖または分岐鎖アルキレン基であ
り、これらのアルキレン基の炭素数は平均した結果整数
でなくてもよい。これらのアルキレン基は、さらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基
もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチレン基、ジメチ
レン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ヘプタメ
チレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。一般式
（VIII）で示されるジオール化合物の具体例を以下に示
す。
しくはＣ2〜Ｃ10の直鎖または分岐鎖アルキレン基であ
り、これらのアルキレン基の炭素数は平均した結果整数
でなくてもよい。これらのアルキレン基は、さらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基
もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチレン基、ジメチ
レン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ヘプタメ
チレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。一般式
（VIII）で示されるジオール化合物の具体例を以下に示
す。
【００４４】１，３−プロパンジオール、１，４−ブタ
ンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−
デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオー
ル、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２
−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪
族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３
−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−
ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙げられる。
ンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−
デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオー
ル、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２
−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪
族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３
−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−
ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙げられる。
【００４５】又、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）−１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）−１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００４６】本発明の新規ポリカーボネート樹脂の原料
モノマーである、前記一般式（VI）、又は（VII）で表
わされるアミノ基含有ジオール化合物は公知の合成法に
より製造できる。例えば、一般式（VI）で表わされるジ
オール化合物は、下記の合成スキームに示すように、一
般式（IX）で表わされるホスホン酸エステルと、一般式
（Ｘ）で表わされるカルボニル化合物とから、一般式
（XI）で表わされるオレフィン化合物を得、ついでエー
テル基又はエステル基の開裂により製造することができ
る。
モノマーである、前記一般式（VI）、又は（VII）で表
わされるアミノ基含有ジオール化合物は公知の合成法に
より製造できる。例えば、一般式（VI）で表わされるジ
オール化合物は、下記の合成スキームに示すように、一
般式（IX）で表わされるホスホン酸エステルと、一般式
（Ｘ）で表わされるカルボニル化合物とから、一般式
（XI）で表わされるオレフィン化合物を得、ついでエー
テル基又はエステル基の開裂により製造することができ
る。
【００４７】
【化２６】
【００４８】〔ここで、Ｒ11及びＲ12は同一又は異なる
置換もしくは無置換のアルキル基、アシル基であり、Ｒ
13は低級アルキル基である。〕 また、前記一般式（VII）で表わされるアミノ基含有ジ
オール化合物も同様な方法により合成することができ
る。
置換もしくは無置換のアルキル基、アシル基であり、Ｒ
13は低級アルキル基である。〕 また、前記一般式（VII）で表わされるアミノ基含有ジ
オール化合物も同様な方法により合成することができ
る。
【００４９】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を説明
する。なお、下記実施例において部はすべて重量部であ
る。 実施例１ 第３級アミノ基を有するジオール化合物として下記構造
の
する。なお、下記実施例において部はすべて重量部であ
る。 実施例１ 第３級アミノ基を有するジオール化合物として下記構造
の
【００５０】
【化２７】
【００５１】４−〔ビス（３−ヒドロキシフェニル）ア
ミノ〕スチルベン７．５９部を脱水処理したテトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）８０部に溶解させ、窒素ガス気流下
で撹拌しながらトリエチルアミンを６．０７部加えた後
にジエチレングリコールのビスクロロホーメート４．８
５部をＴＨＦ約１６部に溶解させた液を水槽で約２０℃
に冷却しながら約１時間かけて滴下した。その後、室温
でさらに１時間撹拌反応させ、４重量％のフェノールの
ＴＨＦ溶液を４．２４部加え反応を終了させた。その
後、析出した塩を濾過によって除き、得られた反応液を
メタノール２５００部の中へ滴下してポリカーボネート
樹脂を得た。この物を濾過乾燥して取り出し、再びＴＨ
Ｆ約１８０部に溶解させてメタノール２２００部中へ滴
下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構造のポリカー
ボネート樹脂９．２０部（収率８６％）を得た。
ミノ〕スチルベン７．５９部を脱水処理したテトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）８０部に溶解させ、窒素ガス気流下
で撹拌しながらトリエチルアミンを６．０７部加えた後
にジエチレングリコールのビスクロロホーメート４．８
５部をＴＨＦ約１６部に溶解させた液を水槽で約２０℃
に冷却しながら約１時間かけて滴下した。その後、室温
でさらに１時間撹拌反応させ、４重量％のフェノールの
ＴＨＦ溶液を４．２４部加え反応を終了させた。その
後、析出した塩を濾過によって除き、得られた反応液を
メタノール２５００部の中へ滴下してポリカーボネート
樹脂を得た。この物を濾過乾燥して取り出し、再びＴＨ
Ｆ約１８０部に溶解させてメタノール２２００部中へ滴
下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構造のポリカー
ボネート樹脂９．２０部（収率８６％）を得た。
【００５２】
【化２８】
【００５３】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １７０００ 重量平均分子量 ６４３００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、９７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図１に、元素
分析結果を表１に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １７０００ 重量平均分子量 ６４３００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、９７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図１に、元素
分析結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
【００５５】実施例２ ビスクロロホーメートに下記構造の物を使用する以外は
実施例１と同様にして下記構造のポリカーボネート樹脂
（収率８９％）を合成した。
実施例１と同様にして下記構造のポリカーボネート樹脂
（収率８９％）を合成した。
【００５６】
【化２９】
【００５７】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １１５００ 重量平均分子量 ２２７００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、７７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図２に、元素
分析結果を表２に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １１５００ 重量平均分子量 ２２７００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、７７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図２に、元素
分析結果を表２に示す。
【００５８】
【表２】
【００５９】実施例３ ビスクロロホーメートに下記構造の物を使用する以外は
実施例１と同様にして下記構造のポリカーボネート樹脂
（収率６３％）を合成した。
実施例１と同様にして下記構造のポリカーボネート樹脂
（収率６３％）を合成した。
【００６０】
【化３０】
【００６１】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ２５１００ 重量平均分子量 ６６６００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、２７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図３に、元素
分析結果を表３に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ２５１００ 重量平均分子量 ６６６００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、２７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図３に、元素
分析結果を表３に示す。
【００６２】
【表３】
【００６３】応用例 電荷発生物質として下記式で表わされるビスアゾ化合物
【００６４】
【化３１】
【００６５】の１％シクロヘキサンと２−ブタノン混合
溶液をボールミル中で分散混合し、得られた分散液をポ
リアミド樹脂（ＣＭ−８０００：東レ社製）を０．３μ
ｍの厚みで塗布したアルミ板上にドクターブレードで塗
布し、自然乾燥して約１μｍ厚の電荷発生層を形成し
た。次にジクロロメタン５．１部に、電荷輸送物質とし
て実施例３で得られたポリカーボネート樹脂０．９部を
溶解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレー
ドで塗布し、８０℃で５分間、次いで１２０℃で２０分
間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成して感光
体を作製した。
溶液をボールミル中で分散混合し、得られた分散液をポ
リアミド樹脂（ＣＭ−８０００：東レ社製）を０．３μ
ｍの厚みで塗布したアルミ板上にドクターブレードで塗
布し、自然乾燥して約１μｍ厚の電荷発生層を形成し
た。次にジクロロメタン５．１部に、電荷輸送物質とし
て実施例３で得られたポリカーボネート樹脂０．９部を
溶解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレー
ドで塗布し、８０℃で５分間、次いで１２０℃で２０分
間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成して感光
体を作製した。
【００６６】次にこうして得られた積層型電子写真感光
体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静電複
写紙試験装置〔（株）川口電機製作所製ＳＰ４２８型〕
を用いて暗所で−６ｋＶのコロナ放電を２０秒間行って
帯電せしめた後、感光体の表面電位Ｖm（Ｖ）を測定
し、更に２０秒間暗所に放置した後、表面電位Ｖ
0（ｖ）を測定した。次いでタングステンランプ光を感
光体表面での照度が４．５ ｌｕｘになるように照射し
て、Ｖ0が１／２になるまでの露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓ
ｅｃ）を算出した。その結果、Ｖm＝−１４６３Ｖ、Ｖo
＝−１０５４Ｖ、Ｅ1/2＝１．３７（ｌｕｘ・ｓｅｃ）
であった。
体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静電複
写紙試験装置〔（株）川口電機製作所製ＳＰ４２８型〕
を用いて暗所で−６ｋＶのコロナ放電を２０秒間行って
帯電せしめた後、感光体の表面電位Ｖm（Ｖ）を測定
し、更に２０秒間暗所に放置した後、表面電位Ｖ
0（ｖ）を測定した。次いでタングステンランプ光を感
光体表面での照度が４．５ ｌｕｘになるように照射し
て、Ｖ0が１／２になるまでの露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓ
ｅｃ）を算出した。その結果、Ｖm＝−１４６３Ｖ、Ｖo
＝−１０５４Ｖ、Ｅ1/2＝１．３７（ｌｕｘ・ｓｅｃ）
であった。
【００６７】
【発明の効果】本発明に係わるポリカーボネート樹脂
は、前記したように光導電性素材として有効に機能し、
電子写真感光体の感光層の電荷輸送物質等として好適に
使用され、特に電荷発生層と電荷輸送層を２層に区分し
た、いわゆる機能分離型感光層における電荷輸送物質と
して有用なものである。
は、前記したように光導電性素材として有効に機能し、
電子写真感光体の感光層の電荷輸送物質等として好適に
使用され、特に電荷発生層と電荷輸送層を２層に区分し
た、いわゆる機能分離型感光層における電荷輸送物質と
して有用なものである。
【図１】本発明の実施例１の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図２】本発明の実施例２の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図３】本発明の実施例３の化合物の赤外吸収スペクト
ル図。
ル図。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年９月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 芳香族ポリカーボネート樹脂
【特許請求の範囲】
【化１】 〔式中、Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3は同一又は異なる置換
もしくは無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同一又は異
なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していてもよい。ｎ
は５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２価基、
環状脂肪族の２価基又は、下記一般式で表わされる２価
基
もしくは無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同一又は異
なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していてもよい。ｎ
は５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２価基、
環状脂肪族の２価基又は、下記一般式で表わされる２価
基
【化２】 （ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ない
しはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜
４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ない
しはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜
４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【化３】 から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基を表わし、ａ
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕
【化４】 〔式中、Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3は同一又は異なる置換
又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同一又は異なる
水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、
Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していてもよい。ｋは５
〜５０００、ｊは０〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂
肪族の２価基、環状脂肪族の２価基又は、
又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同一又は異なる
水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、
Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していてもよい。ｋは５
〜５０００、ｊは０〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂
肪族の２価基、環状脂肪族の２価基又は、
【化５】 （ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ない
しはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜
４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ない
しはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜
４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【化６】 から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基を表わし、ａ
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕
【化７】 〔式中、Ｒ7は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換
のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基
を表わす。ｎは５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪
族の２価基、環状脂肪族の２価基または、下記一般式で
表わされる２価基
基、アリールオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換
のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基
を表わす。ｎは５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪
族の２価基、環状脂肪族の２価基または、下記一般式で
表わされる２価基
【化８】 （ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ない
しはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜
４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ない
しはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜
４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【化９】 から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基を表わし、ａ
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕
【化１０】 〔式中、Ｒ7は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換
のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基
を表わす。ｋは５〜５０００の整数を表わす。ｊは０〜
５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂
肪族の２価基又は、下記一般式で表わされる２価基
基、アリールオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換
のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基
を表わす。ｋは５〜５０００の整数を表わす。ｊは０〜
５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂
肪族の２価基又は、下記一般式で表わされる２価基
【化１１】 （ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基また
はハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜４
の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ
−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基また
はハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜４
の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ
−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【化１２】 から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基を表わし、ａ
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は芳香族ポリカーボネ
ート樹脂に関し、さらに詳しくは電子写真用感光体とし
て有用な新規な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
ート樹脂に関し、さらに詳しくは電子写真用感光体とし
て有用な新規な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
【０００２】
【従来の技術】芳香族ポリカーボネート樹脂として、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールＡからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下ビスフェノールＡと略称する）にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールＡからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
【０００３】一方、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔Ｍ．Ｓｔｏｌ
ｋａｅｔ ａｌ Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２１ ９
６９（１９８３）〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公
報）などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
ルピレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔Ｍ．Ｓｔｏｌ
ｋａｅｔ ａｌ Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２１ ９
６９（１９８３）〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂（特開昭６４−９９６４号公
報）などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送能性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送能性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、下記一般式（Ｉ）、又は（IV）で示される繰り
返し単位からなる新規芳香族ポリカーボネート樹脂及び
下記一般式（II）及び（III）、下記一般式（Ｖ）及び
（III）で示される繰り返し単位からなる新規芳香族ポ
リカーボネート樹脂により上記課題が解決されることを
見出し、本発明に到った。即ち、本発明は以下の（１）
〜（４）である。 （１）下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位からな
る芳香族ポリカーボネート樹脂。
た結果、下記一般式（Ｉ）、又は（IV）で示される繰り
返し単位からなる新規芳香族ポリカーボネート樹脂及び
下記一般式（II）及び（III）、下記一般式（Ｖ）及び
（III）で示される繰り返し単位からなる新規芳香族ポ
リカーボネート樹脂により上記課題が解決されることを
見出し、本発明に到った。即ち、本発明は以下の（１）
〜（４）である。 （１）下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位からな
る芳香族ポリカーボネート樹脂。
【０００６】
【化１３】
【０００７】〔式中、Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3は同一又
は異なる置換又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していても
よい。ｎは５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の
２価基、環状脂肪族の２価基又は、下記一般式で表わさ
れる２価基
は異なる置換又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していても
よい。ｎは５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の
２価基、環状脂肪族の２価基又は、下記一般式で表わさ
れる２価基
【０００８】
【化１４】
【０００９】（ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【００１０】
【化１５】
【００１１】から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （２）下記一般式（II）および（III）で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が０＜ｋ／
（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート樹脂。
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （２）下記一般式（II）および（III）で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が０＜ｋ／
（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート樹脂。
【００１２】
【化１６】
【００１３】〔式中、Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3は同一又
は異なる置換又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していても
よい。ｋは５〜５０００、ｊは０〜５０００の整数を表
わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基又は、
は異なる置換又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していても
よい。ｋは５〜５０００、ｊは０〜５０００の整数を表
わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基又は、
【００１４】
【化１７】
【００１５】（ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【００１６】
【化１８】
【００１７】から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （３）下記一般式（IV）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂。
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （３）下記一般式（IV）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂。
【００１８】
【化１９】
【００１９】〔式中、Ｒ7は水素原子、ハロゲン原子、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、置換もし
くは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換の
アリール基を表わす。ｎは５〜５０００の整数を表わ
す。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基または、
下記一般式で表わされる２価基
アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、置換もし
くは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換の
アリール基を表わす。ｎは５〜５０００の整数を表わ
す。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基または、
下記一般式で表わされる２価基
【００２０】
【化２０】
【００２１】（ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【００２２】
【化２１】
【００２３】から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （４）下記一般式（Ｖ）および（III）で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が０＜ｋ／
（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート樹脂。
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 （４）下記一般式（Ｖ）および（III）で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が０＜ｋ／
（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート樹脂。
【００２４】
【化２２】
【００２５】〔式中、Ｒ7は水素原子、ハロゲン原子、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、置換もし
くは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換の
アリール基を表わす。ｋは５〜５０００の整数を表わ
す。ｊは０〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２
価基、環状脂肪族の２価基または、下記一般式で表わさ
れる２価基
アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、置換もし
くは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換の
アリール基を表わす。ｋは５〜５０００の整数を表わ
す。ｊは０〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２
価基、環状脂肪族の２価基または、下記一般式で表わさ
れる２価基
【００２６】
【化２３】
【００２７】（ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基ないしはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々
独立して０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数
１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、
【００２８】
【化２４】
【００２９】から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 以下、本発明について詳しく説明する。本発明の芳香族
ポリカーボネート樹脂は従来ポリカーボネート樹脂の製
造法として、公知のビスフェノールと炭酸誘導体との重
合と同様の方法で製造できる。すなわち、下記一般式
（VI）又は一般式（VII）で表わされる第３級アミノ基
を有するジオール化合物と、ビスアリールカーボネート
とのエステル交換法、ホスゲンとの溶液または界面重合
によるホスゲン法、あるいは、ジオールから誘導される
ビスクロロホーメートを用いるビスクロロホーメート法
等により製造される。この際、下記一般式（VIII）で表
わされるジオールを併用することによって上記一般式
（II）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂あるいは上記一般式
（Ｖ）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂を製造することがで
き、こうすることによって所望の特性を備えた芳香族ポ
リカーボネート樹脂が得られる。上記一般式（II）で表
わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単位と上記一
般式（III）で表わされる繰り返し単位との割合及び上
記一般式（Ｖ）で表わされる第３級アミノ基を有する繰
り返し単位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し
単位との割合は所望の特性により広い範囲から選択する
ことができる。
を表わし、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ5，Ｒ6は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換のアリール基を表わす。）を
表わす。〕 以下、本発明について詳しく説明する。本発明の芳香族
ポリカーボネート樹脂は従来ポリカーボネート樹脂の製
造法として、公知のビスフェノールと炭酸誘導体との重
合と同様の方法で製造できる。すなわち、下記一般式
（VI）又は一般式（VII）で表わされる第３級アミノ基
を有するジオール化合物と、ビスアリールカーボネート
とのエステル交換法、ホスゲンとの溶液または界面重合
によるホスゲン法、あるいは、ジオールから誘導される
ビスクロロホーメートを用いるビスクロロホーメート法
等により製造される。この際、下記一般式（VIII）で表
わされるジオールを併用することによって上記一般式
（II）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂あるいは上記一般式
（Ｖ）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂を製造することがで
き、こうすることによって所望の特性を備えた芳香族ポ
リカーボネート樹脂が得られる。上記一般式（II）で表
わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単位と上記一
般式（III）で表わされる繰り返し単位との割合及び上
記一般式（Ｖ）で表わされる第３級アミノ基を有する繰
り返し単位と上記一般式（III）で表わされる繰り返し
単位との割合は所望の特性により広い範囲から選択する
ことができる。
【００３０】また、前記一般式（Ｉ）又は、前記一般式
（IV）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂は、下記一般式
（VI）又は下記一般式（VII）で表わされる第３級アミ
ノ基を有するジオール化合物と、下記一般式（VIII）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの界面重合あるい
は溶液重合によって得られる。又、一般式（VI）あるい
は一般式（VII）で表される第３級アミノ基を有するジ
オール化合物から誘導されるビスクロロホーメートと、
一般式（VIII）で表わされるジオールとの重合によって
も得られる。
（IV）で表わされる第３級アミノ基を有する繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂は、下記一般式
（VI）又は下記一般式（VII）で表わされる第３級アミ
ノ基を有するジオール化合物と、下記一般式（VIII）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの界面重合あるい
は溶液重合によって得られる。又、一般式（VI）あるい
は一般式（VII）で表される第３級アミノ基を有するジ
オール化合物から誘導されるビスクロロホーメートと、
一般式（VIII）で表わされるジオールとの重合によって
も得られる。
【００３１】
【化２５】
【００３２】 ＨＯ−Ｘ−ＯＨ （VIII） 〔各式中のＡｒ1，Ａｒ2，Ａｒ3，Ｒ1，Ｒ2及びＲ7は前
義と同じ。〕 以下、前記製造法に関してさらに詳細に説明する。エス
テル交換法では不活性ガス存在下にジオール化合物とビ
スアリールカーボネートを混合し、通常減圧下１２０〜
３５０℃で反応させる。減圧度は段階的に変化させ、最
終的には１ｍｍＨｇ以下にして生成するフェノール類を
系外に留去させる。反応時間は通常１〜４時間程度であ
る。又、必要に応じて分子量調節剤や酸化防止剤を加え
てもよい。ビスアリールカーボネートとしてはジフェニ
ルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニ
ル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニル
カーボネート、ジナフチルカーボネートなどが挙げられ
る。
義と同じ。〕 以下、前記製造法に関してさらに詳細に説明する。エス
テル交換法では不活性ガス存在下にジオール化合物とビ
スアリールカーボネートを混合し、通常減圧下１２０〜
３５０℃で反応させる。減圧度は段階的に変化させ、最
終的には１ｍｍＨｇ以下にして生成するフェノール類を
系外に留去させる。反応時間は通常１〜４時間程度であ
る。又、必要に応じて分子量調節剤や酸化防止剤を加え
てもよい。ビスアリールカーボネートとしてはジフェニ
ルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニ
ル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニル
カーボネート、ジナフチルカーボネートなどが挙げられ
る。
【００３３】ホスゲン法では通常脱酸剤および溶媒の存
在下に反応を行う。脱酸剤としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、ピリジン
などが用いられる。溶媒としては例えばジクロロメタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いら
れる。又、反応促進のために例えば第３級アミン、第４
級アンモニウム塩などの触媒を用いることができ、分子
量調節剤として例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望まし
い。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜５時
間であり、反応中のｐＨは通常１０以上に保つことが好
ましい。
在下に反応を行う。脱酸剤としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、ピリジン
などが用いられる。溶媒としては例えばジクロロメタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いら
れる。又、反応促進のために例えば第３級アミン、第４
級アンモニウム塩などの触媒を用いることができ、分子
量調節剤として例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望まし
い。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜５時
間であり、反応中のｐＨは通常１０以上に保つことが好
ましい。
【００３４】ビスクロロホーメートを用いる場合はジオ
ール化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビ
スクロロホーメートを添加することにより得られる。脱
酸剤としてはトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミンのような第３級アミン及びピリジンが
使用される。反応に使用される溶媒としては、例えばジ
クロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどの環状エーテル系の溶媒が好ましい。又、
分子量調節剤として、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望
ましい。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜
５時間である。
ール化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビ
スクロロホーメートを添加することにより得られる。脱
酸剤としてはトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミンのような第３級アミン及びピリジンが
使用される。反応に使用される溶媒としては、例えばジ
クロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどの環状エーテル系の溶媒が好ましい。又、
分子量調節剤として、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望
ましい。反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数分〜
５時間である。
【００３５】上記の方法に従って製造される芳香族ポリ
カーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、光安
定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤などの添加剤を加えるこ
とができる。以下、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂について更に詳細に説明する。
カーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、光安
定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤などの添加剤を加えるこ
とができる。以下、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂について更に詳細に説明する。
【００３６】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
前記一般式（II）、又は（Ｖ）で表される繰り返し単位
からなる単独重合体、又は、前記一般式（Ｉ）、又は
（IV）で表される繰り返し単位からなる交互共重合体、
更にまた一般式（II）及び（III）、あるいは前記一般
式（Ｖ）及び（III）で表される繰り返し単位を構成単
位とするランダムまたはブロック共重合体のいずれでも
よい。又、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の分子
量は、ポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１０
０００００、好ましくは５０００〜５０００００であ
る。又、本発明の芳香族ポリカーボネートを構成する、
前記一般式（Ｉ）、（II）、（IV）、（Ｖ）で表わされ
る繰り返し単位を与える原料の、前記一般式（VI）、
（VII）で表わされる第３級アミノ基を有するジオール
化合物の具体例を以下に示す。
前記一般式（II）、又は（Ｖ）で表される繰り返し単位
からなる単独重合体、又は、前記一般式（Ｉ）、又は
（IV）で表される繰り返し単位からなる交互共重合体、
更にまた一般式（II）及び（III）、あるいは前記一般
式（Ｖ）及び（III）で表される繰り返し単位を構成単
位とするランダムまたはブロック共重合体のいずれでも
よい。又、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の分子
量は、ポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１０
０００００、好ましくは５０００〜５０００００であ
る。又、本発明の芳香族ポリカーボネートを構成する、
前記一般式（Ｉ）、（II）、（IV）、（Ｖ）で表わされ
る繰り返し単位を与える原料の、前記一般式（VI）、
（VII）で表わされる第３級アミノ基を有するジオール
化合物の具体例を以下に示す。
【００３７】一般式（VI）における置換基Ｒ1，Ｒ2は水
素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表すがその
具体例としては以下のものを挙げることができる。アリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリ
ル基、ターフェニリル基、ピレニル基、フルオレニル
基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基等、又、複
素環基としてチエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられ
る。又、Ｒ1，Ｒ2が共同して環を形成する場合の例とし
て、９−フルオニリデン、５Ｈ−ジベンゾ〔ａ，ｄ〕シ
クロヘプテニリデンなどが挙げられる。
素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表すがその
具体例としては以下のものを挙げることができる。アリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリ
ル基、ターフェニリル基、ピレニル基、フルオレニル
基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基等、又、複
素環基としてチエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられ
る。又、Ｒ1，Ｒ2が共同して環を形成する場合の例とし
て、９−フルオニリデン、５Ｈ−ジベンゾ〔ａ，ｄ〕シ
クロヘプテニリデンなどが挙げられる。
【００３８】これらのアリール基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基；好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜
Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基も
しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブ
チル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメ
チル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル
基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル
基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基
等が挙げられる。
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基；好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜
Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基も
しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブ
チル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメ
チル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル
基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル
基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基
等が挙げられる。
【００３９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ8）；Ｒ8は上
記（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基；アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的にはフェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
記（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基；アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的にはフェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
【００４０】（５）置換メルカプト基またはアリールメ
ルカプト基；具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げら
れる。 （６）アルキル置換アミノ基；アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
ルカプト基；具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げら
れる。 （６）アルキル置換アミノ基；アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【００４１】一般式（VII）における置換基Ｒ7は水素原
子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、
アシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
くは無置換のアリール基を表すがその具体例としては以
下のものを挙げることができる。アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換のアルキル
基は前記と同様な定義で表され、具体例も同様なものが
挙げられる。アリール基；フェニル基これらは低級アル
キル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子を置換基と
して有していてもよい。
子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、
アシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
くは無置換のアリール基を表すがその具体例としては以
下のものを挙げることができる。アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換のアルキル
基は前記と同様な定義で表され、具体例も同様なものが
挙げられる。アリール基；フェニル基これらは低級アル
キル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子を置換基と
して有していてもよい。
【００４２】一般式（VI）においてアリレン基を表わす
Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3の具体例としてはフェニレン
基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレ
ン基、ピレニレン基、フルオレニレン基、９，９−ジメ
チル−２−フルオレニレン基等、又、複素環基としてチ
エニレン基、ベンゾチエニレン基、フリレン基、ベンゾ
フラニレン基、カルバゾリレン基等、及び２個のアリー
ル基が酸素、硫黄で結合したジフェニルエーテル基、ジ
フェニルチオエーテル基等の２価基を表わす。これらの
アリレン基はアルキル基、アルコキシ基及びハロゲン原
子を置換基として有していてもよい。置換基のアルキル
基としては、Ｃ1〜Ｃ5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基で
あり、これらのアルキル基は更にフッ素原子を含有して
もよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基等が
挙げられる。又、置換基のアルコキシ基としては、Ｃ1
〜Ｃ5の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基であり、具体的
にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基等が挙げられる。
Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3の具体例としてはフェニレン
基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレ
ン基、ピレニレン基、フルオレニレン基、９，９−ジメ
チル−２−フルオレニレン基等、又、複素環基としてチ
エニレン基、ベンゾチエニレン基、フリレン基、ベンゾ
フラニレン基、カルバゾリレン基等、及び２個のアリー
ル基が酸素、硫黄で結合したジフェニルエーテル基、ジ
フェニルチオエーテル基等の２価基を表わす。これらの
アリレン基はアルキル基、アルコキシ基及びハロゲン原
子を置換基として有していてもよい。置換基のアルキル
基としては、Ｃ1〜Ｃ5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基で
あり、これらのアルキル基は更にフッ素原子を含有して
もよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基等が
挙げられる。又、置換基のアルコキシ基としては、Ｃ1
〜Ｃ5の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基であり、具体的
にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基等が挙げられる。
【００４３】一般式（VIII）で示されるジオール化合物
の具体例を以下に示す。
の具体例を以下に示す。
【００４４】１，３−プロパンジオール、１，４−ブタ
ンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−
デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオー
ル、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２
−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪
族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３
−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−
ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙げられる。
ンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−
デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオー
ル、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２
−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪
族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３
−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−
ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙げられる。
【００４５】又、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）−１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）−１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００４６】本発明の新規ポリカーボネート樹脂の原料
モノマーである、前記一般式（VI）、又は（VII）で表
わされるアミノ基含有ジオール化合物は公知の合成法に
より製造できる。例えば、一般式（VI）で表わされるジ
オール化合物は、下記の合成スキームに示すように、一
般式（IX）で表わされるホスホン酸エステルと、一般式
（Ｘ）で表わされるカルボニル化合物とから、一般式
（XI）で表わされるオレフィン化合物を得、ついでエー
テル基又はエステル基の開裂により製造することができ
る。
モノマーである、前記一般式（VI）、又は（VII）で表
わされるアミノ基含有ジオール化合物は公知の合成法に
より製造できる。例えば、一般式（VI）で表わされるジ
オール化合物は、下記の合成スキームに示すように、一
般式（IX）で表わされるホスホン酸エステルと、一般式
（Ｘ）で表わされるカルボニル化合物とから、一般式
（XI）で表わされるオレフィン化合物を得、ついでエー
テル基又はエステル基の開裂により製造することができ
る。
【００４７】
【化２６】
【００４８】〔ここで、Ｒ11及びＲ12は同一又は異なる
置換もしくは無置換のアルキル基、アシル基であり、Ｒ
13は低級アルキル基である。〕 また、前記一般式（VII）で表わされるアミノ基含有ジ
オール化合物も同様な方法により合成することができ
る。
置換もしくは無置換のアルキル基、アシル基であり、Ｒ
13は低級アルキル基である。〕 また、前記一般式（VII）で表わされるアミノ基含有ジ
オール化合物も同様な方法により合成することができ
る。
【００４９】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を説明
する。なお、下記実施例において部はすべて重量部であ
る。 実施例１ 第３級アミノ基を有するジオール化合物として下記構造
の
する。なお、下記実施例において部はすべて重量部であ
る。 実施例１ 第３級アミノ基を有するジオール化合物として下記構造
の
【００５０】
【化２７】
【００５１】４−〔ビス（３−ヒドロキシフェニル）ア
ミノ〕スチルベン７．５９部を脱水処理したテトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）８０部に溶解させ、窒素ガス気流下
で撹拌しながらトリエチルアミンを６．０７部加えた後
にジエチレングリコールのビスクロロホーメート４．８
５部をＴＨＦ約１６部に溶解させた溶液を水浴で約２０
℃に冷却しながら約１時間かけて滴下した。その後、室
温でさらに１時間撹拌反応させ、４重量％のフェノール
のＴＨＦ溶液を４．２４部加え反応を終了させた。その
後、析出した塩を濾過によって除き、得られた反応液を
メタノール２５００部の中へ滴下してポリカーボネート
樹脂を得た。この物を濾過乾燥して取り出し、再びＴＨ
Ｆ約１８０部に溶解させてメタノール２２００部中へ滴
下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構造のポリカー
ボネート樹脂９．２０部（収率８６％）を得た。
ミノ〕スチルベン７．５９部を脱水処理したテトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）８０部に溶解させ、窒素ガス気流下
で撹拌しながらトリエチルアミンを６．０７部加えた後
にジエチレングリコールのビスクロロホーメート４．８
５部をＴＨＦ約１６部に溶解させた溶液を水浴で約２０
℃に冷却しながら約１時間かけて滴下した。その後、室
温でさらに１時間撹拌反応させ、４重量％のフェノール
のＴＨＦ溶液を４．２４部加え反応を終了させた。その
後、析出した塩を濾過によって除き、得られた反応液を
メタノール２５００部の中へ滴下してポリカーボネート
樹脂を得た。この物を濾過乾燥して取り出し、再びＴＨ
Ｆ約１８０部に溶解させてメタノール２２００部中へ滴
下する再沈殿操作を２回繰り返して下記構造のポリカー
ボネート樹脂９．２０部（収率８６％）を得た。
【００５２】
【化２８】
【００５３】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １７０００ 重量平均分子量 ６４３００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、９７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図１に、元素
分析結果を表１に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １７０００ 重量平均分子量 ６４３００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、９７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図１に、元素
分析結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
【００５５】実施例２ ビスクロロホーメートに下記構造の物を使用する以外は
実施例１と同様にして下記構造のポリカーボネート樹脂
（収率８９％）を合成した。
実施例１と同様にして下記構造のポリカーボネート樹脂
（収率８９％）を合成した。
【００５６】
【化２９】
【００５７】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １１５００ 重量平均分子量 ２２７００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、７７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図２に、元素
分析結果を表２に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 １１５００ 重量平均分子量 ２２７００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、７７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図２に、元素
分析結果を表２に示す。
【００５８】
【表２】
【００５９】実施例３ ビスクロロホーメートに下記構造の物を使用する以外は
実施例１と同様にして下記構造のポリカーボネート樹脂
（収率６３％）を合成した。
実施例１と同様にして下記構造のポリカーボネート樹脂
（収率６３％）を合成した。
【００６０】
【化３０】
【００６１】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ２５１００ 重量平均分子量 ６６６００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、２７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図３に、元素
分析結果を表３に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 ２５１００ 重量平均分子量 ６６６００ 又、この物のガラス転移点を示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により測定したところ、２７℃であった。又、この
物の赤外吸収スペクトル図（Ｆｉｌｍ）を図３に、元素
分析結果を表３に示す。
【００６２】
【表３】
【００６３】応用例 電荷発生物質として下記式で表わされるビスアゾ化合物
の１％シクロヘキサンと２−
の１％シクロヘキサンと２−
【００６４】
【化３１】
【００６５】ブタノン混合溶液をボールミル中で分散混
合し、得られた分散液をポリアミド樹脂（ＣＭ−８００
０：東レ社製）を０．３μｍの厚みで塗布したアルミ板
上にドクターブレードで塗布し、自然乾燥して約１μｍ
厚の電荷発生層を形成した。次にジクロロメタン５．１
部に、電荷輸送物質として実施例３で得られたポリカー
ボネート樹脂０．９部を溶解し、この溶液を前記電荷発
生層上にドクターブレードで塗布し、８０℃で５分間、
次いで１２０℃で２０分間乾燥して厚さ約２０μｍの電
荷輸送層を形成して感光体を作製した。
合し、得られた分散液をポリアミド樹脂（ＣＭ−８００
０：東レ社製）を０．３μｍの厚みで塗布したアルミ板
上にドクターブレードで塗布し、自然乾燥して約１μｍ
厚の電荷発生層を形成した。次にジクロロメタン５．１
部に、電荷輸送物質として実施例３で得られたポリカー
ボネート樹脂０．９部を溶解し、この溶液を前記電荷発
生層上にドクターブレードで塗布し、８０℃で５分間、
次いで１２０℃で２０分間乾燥して厚さ約２０μｍの電
荷輸送層を形成して感光体を作製した。
【００６６】次にこうして得られた積層型電子写真感光
体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静電複
写紙試験装置〔（株）川口電機製作所製ＳＰ４２８型〕
を用いて暗所で−６ｋＶのコロナ放電を２０秒間行って
帯電せしめた後、感光体の表面電位Ｖm（Ｖ）を測定
し、更に２０秒間暗所に放置した後、表面電位Ｖ
0（Ｖ）を測定した。次いでタングステンランプ光を感
光体表面での照度が４．５ ｌｕｘになるように照射し
て、Ｖ0が１／２になるまでの露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓ
ｅｃ）を算出した。その結果、Ｖm＝−１４６３Ｖ、Ｖo
＝−１０５４Ｖ、Ｅ1/2＝１．３７（ｌｕｘ・ｓｅｃ）
であった。
体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静電複
写紙試験装置〔（株）川口電機製作所製ＳＰ４２８型〕
を用いて暗所で−６ｋＶのコロナ放電を２０秒間行って
帯電せしめた後、感光体の表面電位Ｖm（Ｖ）を測定
し、更に２０秒間暗所に放置した後、表面電位Ｖ
0（Ｖ）を測定した。次いでタングステンランプ光を感
光体表面での照度が４．５ ｌｕｘになるように照射し
て、Ｖ0が１／２になるまでの露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓ
ｅｃ）を算出した。その結果、Ｖm＝−１４６３Ｖ、Ｖo
＝−１０５４Ｖ、Ｅ1/2＝１．３７（ｌｕｘ・ｓｅｃ）
であった。
【００６７】
【発明の効果】本発明に係わるポリカーボネート樹脂
は、前記したように光導電性素材として有効に機能し、
電子写真感光体の感光層の電荷輸送物質等として好適に
使用され、特に電荷発生層と電荷輸送層を２層に区分し
た、いわゆる機能分離型感光層における電荷輸送物質と
して有用なものである。
は、前記したように光導電性素材として有効に機能し、
電子写真感光体の感光層の電荷輸送物質等として好適に
使用され、特に電荷発生層と電荷輸送層を２層に区分し
た、いわゆる機能分離型感光層における電荷輸送物質と
して有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図２】本発明の実施例２の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図３】本発明の実施例３の化合物の赤外吸収スペクト
ル図。
ル図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永井 一清 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田村 宏 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 島田 知幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 安達 千波矢 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田中 千秋 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田元 望 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岸田 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 片山 映 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 安西 光利 神奈川県川崎市幸区堀川町66番地２ 保土 谷化学工業株式会社内 (72)発明者 今井 章博 神奈川県川崎市幸区堀川町66番地２ 保土 谷化学工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化１】 〔式中、Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3は同一又は異なる置換
もしくは無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同一又は異
なる水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していてもよい。ｎ
は５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２価基、
環状脂肪族の２価基又は、下記一般式で表わされる２価
基 【化２】 （ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ない
しはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜
４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、 【化３】 から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基を表わし、ａ
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕 - 【請求項２】 下記一般式（II）および（III）で表わ
される繰り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が
０＜ｋ／（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート
樹脂。 【化４】 〔式中、Ａｒ1，Ａｒ2及びＡｒ3は同一又は異なる置換
又は無置換のアリレン基、Ｒ1及びＲ2は同一又は異なる
水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、
Ｒ1及びＲ2は共同して環を形成していてもよい。ｋは５
〜５０００、ｊは０〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂
肪族の２価基、環状脂肪族の２価基又は、 【化５】 （ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ない
しはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜
４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、 【化６】 から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基を表わし、ａ
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕 - 【請求項３】 下記一般式（IV）で表わされる繰り返し
単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化７】 〔式中、Ｒ7は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換
のアルキル基、または置換もしくは無置換アリール基を
表わす。ｎは５〜５０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族
の２価基、環状脂肪族の２価基または、下記一般式で表
わされる２価基 【化８】 （ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ない
しはハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜
４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−
Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、 【化９】 から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基を表わし、ａ
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕 - 【請求項４】 下記一般式（Ｖ）および（III）で表わ
される繰り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が
０＜ｋ／（ｋ＋ｊ）≦１である芳香族ポリカーボネート
樹脂。 【化１０】 〔式中、Ｒ7は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アシル基、置換もしくは無置換
のアルキル基、または置換もしくは無置換アリール基を
表わす。ｋは５〜５０００の整数を表わす。ｊは０〜５
０００の整数を表わす。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪
族の２価基又は、下記一般式で表わされる２価基 【化１１】 （ここで、Ｒ3及びＲ4は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基また
はハロゲン原子であり、ｌ及びｍは各々独立して０〜４
の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ
−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、 【化１２】 から選ばれ、Ｚは脂肪族炭化水素の２価基を表わし、ａ
は１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ5，Ｒ6
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換のアリール基を表わす。）を表わす。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32326895A JP3351944B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32326895A JP3351944B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09157378A true JPH09157378A (ja) | 1997-06-17 |
| JP3351944B2 JP3351944B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=18152897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32326895A Expired - Fee Related JP3351944B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3351944B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1121551A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| EP1205808A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method and apparatus using the photoreceptor |
| EP1600822A2 (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
| EP2017676A1 (en) | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
| EP2078988A2 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| US7865114B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-04 | Ricoh Company Limited | Image forming apparatus, image forming method and process cartridge |
| US7914959B2 (en) | 2005-11-28 | 2011-03-29 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming method, and image forming apparatus |
| US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
| WO2012099182A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image forming method, image forming apparatus, and process cartridge using the electrophotographic photoconductor |
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|---|---|---|---|---|
| JP4579151B2 (ja) | 2005-12-27 | 2010-11-10 | 株式会社リコー | 感光体及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-12 JP JP32326895A patent/JP3351944B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH1121551A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| EP1205808A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method and apparatus using the photoreceptor |
| US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
| EP1600822A2 (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| US7914959B2 (en) | 2005-11-28 | 2011-03-29 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming method, and image forming apparatus |
| EP2017676A1 (en) | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
| US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
| US7865114B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-04 | Ricoh Company Limited | Image forming apparatus, image forming method and process cartridge |
| EP2078988A2 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| WO2012099182A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image forming method, image forming apparatus, and process cartridge using the electrophotographic photoconductor |
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