JPH09155308A - 切断後の電子材料表面の洗浄方法及びその装置 - Google Patents
切断後の電子材料表面の洗浄方法及びその装置Info
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- JPH09155308A JPH09155308A JP31872495A JP31872495A JPH09155308A JP H09155308 A JPH09155308 A JP H09155308A JP 31872495 A JP31872495 A JP 31872495A JP 31872495 A JP31872495 A JP 31872495A JP H09155308 A JPH09155308 A JP H09155308A
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- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の脱脂洗浄は工程が煩雑で、しかも人体
すなわち環境に有害な作業環境が生じていた。 【解決手段】 最初に炭化水素系溶剤槽１でナフテン系
もしくはアルキルベンゼン系の各炭化水素系溶剤を用い
て脱脂洗浄を行い、次いでＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリド
ン）もしくは乳酸エチルのような水溶性の洗浄を用いて
水溶性溶剤槽２及び３中で洗浄し、温風乾燥もしくは真
空乾燥４で乾燥させることにより、切断後の電子材料表
面の洗浄を多槽式あるいは単槽式により行う。
すなわち環境に有害な作業環境が生じていた。 【解決手段】 最初に炭化水素系溶剤槽１でナフテン系
もしくはアルキルベンゼン系の各炭化水素系溶剤を用い
て脱脂洗浄を行い、次いでＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリド
ン）もしくは乳酸エチルのような水溶性の洗浄を用いて
水溶性溶剤槽２及び３中で洗浄し、温風乾燥もしくは真
空乾燥４で乾燥させることにより、切断後の電子材料表
面の洗浄を多槽式あるいは単槽式により行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶、フェライ
ト、ガラス、半導体結晶等電子材料の切断後の洗浄方法
及びその装置に関するものである。
ト、ガラス、半導体結晶等電子材料の切断後の洗浄方法
及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】これら電子材料の切断には、内周刃スラ
イサー、ワイヤーソー、ブレードソーが主に使用され
る。これらの加工機で切断を行うときは、例えば財団法
人機械振興協会技術研究所 昭和６０年発行の加工技術
データファイル９巻のＰ．５に示すように、まず材料に
固定ベースを接着する。この接着には主にエポキシ系接
着剤が用いられる。こののち切断を行う。この切断のあ
と、材料から固定ベースであるエポキシ系接着剤を剥
し、切断時に材料表面および側面に付着した切削液およ
び設備可動部に給脂したグリス等の汚れを洗浄した後、
次に電子材料の電子部品への組み立て、取り付け等の工
程に送られる。
イサー、ワイヤーソー、ブレードソーが主に使用され
る。これらの加工機で切断を行うときは、例えば財団法
人機械振興協会技術研究所 昭和６０年発行の加工技術
データファイル９巻のＰ．５に示すように、まず材料に
固定ベースを接着する。この接着には主にエポキシ系接
着剤が用いられる。こののち切断を行う。この切断のあ
と、材料から固定ベースであるエポキシ系接着剤を剥
し、切断時に材料表面および側面に付着した切削液およ
び設備可動部に給脂したグリス等の汚れを洗浄した後、
次に電子材料の電子部品への組み立て、取り付け等の工
程に送られる。
【０００３】この固定ベースの剥し、および洗浄方法と
しては、従来は、（Ａ）通常の脱脂洗浄を行った後酢酸
での煮沸で接着剤を剥離する、あるいは（Ｂ）塩化メチ
レン、トリクロルエチレン等の塩素系溶剤で洗浄を行う
ことで、エポキシ接着剤の膨潤剥離と脱脂洗浄を同時に
行う方法が取られてきた。また、（Ａ）の脱脂洗浄に
は、例えば近代編集社が平成７年発行の雑誌「洗浄設
計」のＰ．４２に示す様な炭化水素系溶剤による洗浄、
もしくは同平成３年発行のＰ．１７に示すような水溶性
溶剤を水にうすめて洗浄する水系洗浄が用いられてき
た。
しては、従来は、（Ａ）通常の脱脂洗浄を行った後酢酸
での煮沸で接着剤を剥離する、あるいは（Ｂ）塩化メチ
レン、トリクロルエチレン等の塩素系溶剤で洗浄を行う
ことで、エポキシ接着剤の膨潤剥離と脱脂洗浄を同時に
行う方法が取られてきた。また、（Ａ）の脱脂洗浄に
は、例えば近代編集社が平成７年発行の雑誌「洗浄設
計」のＰ．４２に示す様な炭化水素系溶剤による洗浄、
もしくは同平成３年発行のＰ．１７に示すような水溶性
溶剤を水にうすめて洗浄する水系洗浄が用いられてき
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記（Ａ）の場合は、
脱脂、乾燥、洗浄及び酢酸煮沸して水洗、乾燥と多くの
煩雑な工程を通す必要がある。酢酸という有機酸を使用
するため、作業環境の整備、排水および排気の処理に費
用がかかるといった問題がある。
脱脂、乾燥、洗浄及び酢酸煮沸して水洗、乾燥と多くの
煩雑な工程を通す必要がある。酢酸という有機酸を使用
するため、作業環境の整備、排水および排気の処理に費
用がかかるといった問題がある。
【０００５】上記（Ｂ）の場合は、脱脂洗浄とエポキシ
系接着剤の剥離という２つの工程を同時に行うことはで
きるが塩素系有機溶剤という人体に有害な薬品を使用す
るため、作業環境の整備等に費用がかかる他に、排気等
からの拡散により環境汚染を引き起こす可能性がある。
特にトリクロルエチレンはすでに地下水汚染等の環境汚
染を引き起こしつつあり、将来的には使用が困難になり
つつある。
系接着剤の剥離という２つの工程を同時に行うことはで
きるが塩素系有機溶剤という人体に有害な薬品を使用す
るため、作業環境の整備等に費用がかかる他に、排気等
からの拡散により環境汚染を引き起こす可能性がある。
特にトリクロルエチレンはすでに地下水汚染等の環境汚
染を引き起こしつつあり、将来的には使用が困難になり
つつある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで以上の課題を解決
するために、最初にナフテン系あるいはアルキルベンゼ
ン系の各炭化水素系溶剤で脱脂洗浄を行い、次いでＮＭ
Ｐ（Ｎ−メチルピロリドン）あるいは乳酸エチルのよう
な水溶性の洗浄剤で洗浄し、温風乾燥もしくは真空乾燥
で乾燥させる。
するために、最初にナフテン系あるいはアルキルベンゼ
ン系の各炭化水素系溶剤で脱脂洗浄を行い、次いでＮＭ
Ｐ（Ｎ−メチルピロリドン）あるいは乳酸エチルのよう
な水溶性の洗浄剤で洗浄し、温風乾燥もしくは真空乾燥
で乾燥させる。
【０００７】
【発明の実施の態様】ナフテン系およびアルキルベンゼ
ン系等の炭化水素系溶剤は、切削油あるいはグリス等の
炭化水素系の油脂の溶解能力が極めて高いことがわかっ
た。なお、炭化水素系として芳香族系はグリスが溶けに
くい、又脂肪族系のものは引火点の関係で危険であるの
で、前記ナフテン系あるいはアルキルベンゼン系とし
た。それゆえ、切断後の材料に付着している切削油およ
びグリス等の油脂類はこれにより除去できる。これは表
１のように今回実験により確かめられた。なお表１の中
の油脂溶解時間は、液温５０℃にてガラス板に付着した
油脂を溶解するに要した時間である。
ン系等の炭化水素系溶剤は、切削油あるいはグリス等の
炭化水素系の油脂の溶解能力が極めて高いことがわかっ
た。なお、炭化水素系として芳香族系はグリスが溶けに
くい、又脂肪族系のものは引火点の関係で危険であるの
で、前記ナフテン系あるいはアルキルベンゼン系とし
た。それゆえ、切断後の材料に付着している切削油およ
びグリス等の油脂類はこれにより除去できる。これは表
１のように今回実験により確かめられた。なお表１の中
の油脂溶解時間は、液温５０℃にてガラス板に付着した
油脂を溶解するに要した時間である。
【０００８】
【表１】
【０００９】次いでＮＭＰあるいは乳酸エチル等の水溶
性溶剤で洗浄することでエポキシ接着剤が膨潤し固定ベ
ースが剥がれる。表１中のエポキシ剥離時間は液温８０
℃にて半導体結晶とカーボンが接着していたものを剥離
させるのに要する時間である。水溶性溶剤は表１に示す
ように油脂の除去能力は炭化水素系の溶剤に比べ劣る
が、樹脂の溶解・膨潤効果は非常に優れており、今回実
験によりエポキシ系接着剤の剥離能力についてもトリク
ロルエチレンに近い能力を持っていることが判った。ま
た、これら溶剤は表２に示すように人体に対し安全であ
る。なお、表２中のＬＤ５０は被験動物（本表ではラッ
ト又はマウス）の５０％が死亡する薬品投与量のことで
ある。又、最後に乾燥を行うことで水溶性溶剤を蒸発さ
せる。
性溶剤で洗浄することでエポキシ接着剤が膨潤し固定ベ
ースが剥がれる。表１中のエポキシ剥離時間は液温８０
℃にて半導体結晶とカーボンが接着していたものを剥離
させるのに要する時間である。水溶性溶剤は表１に示す
ように油脂の除去能力は炭化水素系の溶剤に比べ劣る
が、樹脂の溶解・膨潤効果は非常に優れており、今回実
験によりエポキシ系接着剤の剥離能力についてもトリク
ロルエチレンに近い能力を持っていることが判った。ま
た、これら溶剤は表２に示すように人体に対し安全であ
る。なお、表２中のＬＤ５０は被験動物（本表ではラッ
ト又はマウス）の５０％が死亡する薬品投与量のことで
ある。又、最後に乾燥を行うことで水溶性溶剤を蒸発さ
せる。
【００１０】表３に示すように炭化水素系溶剤は原油か
ら製造されるため安価ではあるが、その製法上、沸点が
接近しており、かつ分子量の異なる数種類の誘導体が生
成される。通常は精製時、沸点範囲を広く取って蒸留し
なければ精製効率が悪くなり、コストアップにもなる。
逆に云えば沸点の同じ炭化水素系溶剤のみを取り出すこ
とは大変な手間及び技術的困難がある。このため、どう
しても沸点の高い成分が混ざりこれが乾燥性を悪くす
る。また、これを改善しようとして沸点範囲を狭める
と、製品になる部分の収量が落ちかつ製品にできない部
分が増えコストアップを招く、また、沸点を低く取ると
引火点が低くなるので危険性が増す。
ら製造されるため安価ではあるが、その製法上、沸点が
接近しており、かつ分子量の異なる数種類の誘導体が生
成される。通常は精製時、沸点範囲を広く取って蒸留し
なければ精製効率が悪くなり、コストアップにもなる。
逆に云えば沸点の同じ炭化水素系溶剤のみを取り出すこ
とは大変な手間及び技術的困難がある。このため、どう
しても沸点の高い成分が混ざりこれが乾燥性を悪くす
る。また、これを改善しようとして沸点範囲を狭める
と、製品になる部分の収量が落ちかつ製品にできない部
分が増えコストアップを招く、また、沸点を低く取ると
引火点が低くなるので危険性が増す。
【００１１】乾燥性を高めようとすると、沸点が低下し
て引火点が低くなることにより、コストアップの他に引
火の危険性も大となる。以上述べた如く、安価であって
切削油あるいはグリス等の炭化水素系の油脂の溶解能力
の極めて高いナフテン系およびアルキルベンゼン系の炭
化水素系溶剤を水溶性溶剤と組み合わせている。両者の
長所を結びつけたのが本発明であって、前者の乾燥後の
悪さは、水溶性溶剤にて補っており、しかも両者は分離
する性能があることにより、両者の純度も保たれること
になる。
て引火点が低くなることにより、コストアップの他に引
火の危険性も大となる。以上述べた如く、安価であって
切削油あるいはグリス等の炭化水素系の油脂の溶解能力
の極めて高いナフテン系およびアルキルベンゼン系の炭
化水素系溶剤を水溶性溶剤と組み合わせている。両者の
長所を結びつけたのが本発明であって、前者の乾燥後の
悪さは、水溶性溶剤にて補っており、しかも両者は分離
する性能があることにより、両者の純度も保たれること
になる。
【００１２】
【表２】
【００１３】
【表３】
【００１４】すなわち、ＮＭＰおよび乳酸エチル等の化
成品はそもそもコストは高いものの単一成分であるので
沸点範囲が狭く、乾燥性は良い。極性の小さい炭化水素
系溶剤と極性の大きいＮＭＰ、乳酸エチル等の水溶性溶
剤は混合しても混ざらず比重差で分離し、ＮＭＰ、乳酸
エチルは下に沈む。このため、炭化水素系溶剤の残分
（持ち込み）は、ＮＭＰ、乳酸エチルと比重差で分離で
き、もとの槽に戻せるため炭化水素系の溶剤の損失が少
なくでき、かつＮＭＰ、乳酸エチル側の液管理も簡単に
なる。更に、水溶性であることにより水での消火が可能
なため余分な消火設備が不要となる。この水溶性溶剤と
しては他に乳酸メチル、乳酸ブチル、１．３−ジメチル
−２−イミダゾリジノン、乳酸があり同様の作用を認め
た。なお、乳酸は有機酸ではあるが害が少なく、刺激臭
もなく有用である。
成品はそもそもコストは高いものの単一成分であるので
沸点範囲が狭く、乾燥性は良い。極性の小さい炭化水素
系溶剤と極性の大きいＮＭＰ、乳酸エチル等の水溶性溶
剤は混合しても混ざらず比重差で分離し、ＮＭＰ、乳酸
エチルは下に沈む。このため、炭化水素系溶剤の残分
（持ち込み）は、ＮＭＰ、乳酸エチルと比重差で分離で
き、もとの槽に戻せるため炭化水素系の溶剤の損失が少
なくでき、かつＮＭＰ、乳酸エチル側の液管理も簡単に
なる。更に、水溶性であることにより水での消火が可能
なため余分な消火設備が不要となる。この水溶性溶剤と
しては他に乳酸メチル、乳酸ブチル、１．３−ジメチル
−２−イミダゾリジノン、乳酸があり同様の作用を認め
た。なお、乳酸は有機酸ではあるが害が少なく、刺激臭
もなく有用である。
【００１５】
（実施例１） 図１は、多槽式洗浄装置の例を示す。例
えば、ステンレス製の籠等の移し替え用容器２１に入れ
られた水晶、フェライト、ガラス、半導体等電子材料の
切断後の材料（以下被洗浄物２２と云う。）は第１槽１
のナフテン系溶剤で脱脂され、前記移し替え容器２１に
入れたまま第２槽２に移されＮＭＰにてエポキシ接着剤
が膨潤剥離される。そのとき被洗浄物２２に付着して持
ちきたされたナフテン系溶剤が分離され、ＮＭＰ上に浮
上してくる。この様にナフテン系溶剤が除去された被洗
浄物は、第３槽３のＮＭＰでひき続きエポキシ接着剤が
膨潤剥離された後、第４槽４で温風乾燥される。温風は
ブロア８からの風が温風ヒーター７によって加熱され供
給される。
えば、ステンレス製の籠等の移し替え用容器２１に入れ
られた水晶、フェライト、ガラス、半導体等電子材料の
切断後の材料（以下被洗浄物２２と云う。）は第１槽１
のナフテン系溶剤で脱脂され、前記移し替え容器２１に
入れたまま第２槽２に移されＮＭＰにてエポキシ接着剤
が膨潤剥離される。そのとき被洗浄物２２に付着して持
ちきたされたナフテン系溶剤が分離され、ＮＭＰ上に浮
上してくる。この様にナフテン系溶剤が除去された被洗
浄物は、第３槽３のＮＭＰでひき続きエポキシ接着剤が
膨潤剥離された後、第４槽４で温風乾燥される。温風は
ブロア８からの風が温風ヒーター７によって加熱され供
給される。
【００１６】第２槽２に持ち込まれたナフテン系溶剤
は、油水分離器５で分離され再度第１槽１に戻される。
油水分離器５で分離されたＮＭＰは、減圧蒸留装置６で
蒸留された後、第３槽３に戻される。
は、油水分離器５で分離され再度第１槽１に戻される。
油水分離器５で分離されたＮＭＰは、減圧蒸留装置６で
蒸留された後、第３槽３に戻される。
【００１７】（実施例２） 図２は、単槽式洗浄装置の
例を示す。まず被洗浄物２２は洗浄槽９に入れられる。
洗浄槽の蓋１０が締められ、窒素供給バルブ１２と排気
バルブ１３のバルブが開かれ、洗浄槽９の雰囲気のＮ2
にての置換が開始される。その後、バルブ１１が開か
れ、アルキルベンゼンタンク１８からアルキルベンゼン
系の溶剤が洗浄槽９内に注入される。被洗浄物２２は、
まずアルキルベンゼン系溶剤で、切削油、グリス等の油
脂が除去される。その後排液バルブ１４が開かれると同
時に排気バルブ１３が閉じられて、入っていた液が排液
される。
例を示す。まず被洗浄物２２は洗浄槽９に入れられる。
洗浄槽の蓋１０が締められ、窒素供給バルブ１２と排気
バルブ１３のバルブが開かれ、洗浄槽９の雰囲気のＮ2
にての置換が開始される。その後、バルブ１１が開か
れ、アルキルベンゼンタンク１８からアルキルベンゼン
系の溶剤が洗浄槽９内に注入される。被洗浄物２２は、
まずアルキルベンゼン系溶剤で、切削油、グリス等の油
脂が除去される。その後排液バルブ１４が開かれると同
時に排気バルブ１３が閉じられて、入っていた液が排液
される。
【００１８】さらに、ＮＭＰ供給バルブ１５が開かれＮ
ＭＰタンク２０からＮＭＰが洗浄槽９内に注入されて、
被洗浄物２２と洗浄槽９を洗う。これらの液は、先ほど
のアルキルベンゼン系溶剤の液と共に油水分離装置５に
出て、そこでアルキルベンゼン系溶剤とＮＭＰとが分離
される。その後、排液バルブ１４が閉じられかつ排気バ
ルブ１３が開かれ槽内にＮＭＰが満たされる。そこで、
被洗浄物２２のエポキシ接着剤が剥離される。その後再
度排気バルブ１３が閉じられ排液バルブ１４が開かれＮ
ＭＰが排液される。
ＭＰタンク２０からＮＭＰが洗浄槽９内に注入されて、
被洗浄物２２と洗浄槽９を洗う。これらの液は、先ほど
のアルキルベンゼン系溶剤の液と共に油水分離装置５に
出て、そこでアルキルベンゼン系溶剤とＮＭＰとが分離
される。その後、排液バルブ１４が閉じられかつ排気バ
ルブ１３が開かれ槽内にＮＭＰが満たされる。そこで、
被洗浄物２２のエポキシ接着剤が剥離される。その後再
度排気バルブ１３が閉じられ排液バルブ１４が開かれＮ
ＭＰが排液される。
【００１９】排液が終了後、再び排液バルブ１４と排気
バルブ１３が閉じられ真空用バルブ１６が開かれると同
時に真空ポンプ１７が作動し、槽内を真空にすることで
ＮＭＰの蒸発を促進し、乾燥が加速される。最後に真空
用バルブ１６が閉じられ、真空ポンプ１０が停止され、
窒素供給バルブ１２が開かれ真空状態が破壊されて、洗
浄槽の蓋１０が開かれて、洗浄が終了する。排液のアル
キルベンゼン系溶剤は油水分離装置５で分離されたもの
を再利用され、又ＮＭＰは油水分離装置５で分離された
後、蒸留装置１９で蒸留される。
バルブ１３が閉じられ真空用バルブ１６が開かれると同
時に真空ポンプ１７が作動し、槽内を真空にすることで
ＮＭＰの蒸発を促進し、乾燥が加速される。最後に真空
用バルブ１６が閉じられ、真空ポンプ１０が停止され、
窒素供給バルブ１２が開かれ真空状態が破壊されて、洗
浄槽の蓋１０が開かれて、洗浄が終了する。排液のアル
キルベンゼン系溶剤は油水分離装置５で分離されたもの
を再利用され、又ＮＭＰは油水分離装置５で分離された
後、蒸留装置１９で蒸留される。
【００２０】
【発明の効果】 環境に有害な塩素系溶剤の使用をせずに脱脂、樹脂剥
離及び乾燥を効率良く行うことが可能になった。すなわ
ち、有害な塩素系溶剤を使用しないことにより環境への
悪影響が少なくなり、又塩素系溶剤蒸気の吸入による人
体の健康への害も少なくなった。溶剤のみで終了する
ため、すすぎ水が全く発生せずこれによる水質汚濁ある
いは水質汚濁防止のための水処理装置への多大な投資が
不要である。常に清浄な水溶性溶剤を供給出来る。水
溶性溶剤は蒸発熱も少なく、リンス（水洗）工程を必要
としない為、乾燥シミの発生が少ない。単一成分の溶
剤でかつ溶剤同士が混じり合わないため溶剤の再生が容
易でこれにより溶剤コスト削減と産業廃棄物削減が図れ
る。
離及び乾燥を効率良く行うことが可能になった。すなわ
ち、有害な塩素系溶剤を使用しないことにより環境への
悪影響が少なくなり、又塩素系溶剤蒸気の吸入による人
体の健康への害も少なくなった。溶剤のみで終了する
ため、すすぎ水が全く発生せずこれによる水質汚濁ある
いは水質汚濁防止のための水処理装置への多大な投資が
不要である。常に清浄な水溶性溶剤を供給出来る。水
溶性溶剤は蒸発熱も少なく、リンス（水洗）工程を必要
としない為、乾燥シミの発生が少ない。単一成分の溶
剤でかつ溶剤同士が混じり合わないため溶剤の再生が容
易でこれにより溶剤コスト削減と産業廃棄物削減が図れ
る。
【図１】本発明の多槽式洗浄装置図。
【図２】本発明の単槽式洗浄装置図。
１：第１槽ナフテン系洗浄 ２：第２槽ＮＭＰ ３：第３槽ＮＭＰ ４：温風乾燥槽 ５：油水分離装置 ６：ＮＭＰ蒸留装置 ７：温風ヒーター ８：ブロア ９：洗浄槽 １０：洗浄槽蓋 １１：アルキルベンゼン供給バルブ １２：窒素供給バルブ １３：排気バルブ １４：排水バルブ １５：ＮＭＰ供給バルブ １６：真空用バルブ １７：真空ポンプ １８：アルキルベンゼンタンク １９：蒸留装置 ２０：ＮＭＰタンク ２１：移し替え用容器 ２２：被洗浄物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｇ 5/04 Ｃ２３Ｇ 5/04
Claims (3)
- 【請求項１】 エポキシ系接着剤でベースに固定された
電子材料を切断した後に洗浄を行う場合に、ナフテン系
又はアルキルベンゼン系の炭化水素系溶剤で脱脂洗浄を
行った後、Ｎ−メチルピロリドン又は乳酸エチル等の水
溶性溶剤でエポキシ系接着剤の剥離を行うことを特徴と
する切断後の電子材料表面の洗浄方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の切断後の電子材料表面
の洗浄方法を実施するに際して、順次洗浄するための炭
化水素系溶剤の槽と水溶性溶剤の槽、洗浄後の電子材料
表面の前記水溶性溶剤を乾燥するための乾燥槽及び前記
水溶性溶剤に混入した前記炭化水素系溶剤を回収循環す
るための比重分離装置を備えたことを特徴とする切断後
の電子材料表面の洗浄装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の切断後の電子材料表面
の洗浄方法を実施するに際して、単槽で炭化水素系溶剤
と水溶性溶剤とを順次供給し洗浄し、更に洗浄後の電子
材料表面の前記水溶性溶剤を乾燥することを特徴とする
切断後の電子材料表面の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31872495A JP3496376B2 (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 切断後の電子材料表面の洗浄方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31872495A JP3496376B2 (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 切断後の電子材料表面の洗浄方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09155308A true JPH09155308A (ja) | 1997-06-17 |
| JP3496376B2 JP3496376B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=18102255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31872495A Expired - Fee Related JP3496376B2 (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 切断後の電子材料表面の洗浄方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3496376B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105593971A (zh) * | 2013-09-25 | 2016-05-18 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置、贴合基板的剥离方法以及粘接剂的除去方法 |
| JP6124482B1 (ja) * | 2016-03-09 | 2017-05-10 | ジャパン・フィールド株式会社 | 被洗浄物の洗浄方法及びその装置 |
| CN113182258A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-07-30 | 中国电子科技集团公司第九研究所 | 一种铁氧体球形谐振子清洗方法 |
-
1995
- 1995-12-07 JP JP31872495A patent/JP3496376B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
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| CN105593971A (zh) * | 2013-09-25 | 2016-05-18 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置、贴合基板的剥离方法以及粘接剂的除去方法 |
| JP6124482B1 (ja) * | 2016-03-09 | 2017-05-10 | ジャパン・フィールド株式会社 | 被洗浄物の洗浄方法及びその装置 |
| JP2017159236A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | ジャパン・フィールド株式会社 | 被洗浄物の洗浄方法及びその装置 |
| CN113182258A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-07-30 | 中国电子科技集团公司第九研究所 | 一种铁氧体球形谐振子清洗方法 |
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