JPH09152593A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH09152593A
JPH09152593A JP25072296A JP25072296A JPH09152593A JP H09152593 A JPH09152593 A JP H09152593A JP 25072296 A JP25072296 A JP 25072296A JP 25072296 A JP25072296 A JP 25072296A JP H09152593 A JPH09152593 A JP H09152593A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 近年液晶表示装置の開口率を高くすることが
消費電力の低減および画質の向上のために要求されてい
るが、カラーフィルタ基板上のブラックマスクを十分に
小さくすることができないために、開口率を十分に高く
することができないという課題がある。 【解決手段】 色層１１と色層１２とがアクティブマト
リクス基板１８上の配線１０の中心線上で重なるように
形成し、カラーフィルタ１３上にはＢＭを設けない構成
とする。このことから、カラーフィルタのＢＭによる開
口率の低下がなく、表示品位の高い液晶表示装置が実現
できる。また、色層が異なる画素の境界部に、アクティ
ブマトリクス基板１８上に形成した配線１０（ソースお
よびゲート配線）を、遮光パターンとして兼用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴという）などのスイッチング素子を備え
た液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６に、薄膜トランジスタを用いて形成
した液晶表示装置の構成の一例を示す。図６において、
アクティブマトリクス基板（不図示）には、複数の画素
電極１０１がマトリクス状に形成されており、この画素
電極１０１には、スイツチング素子であるＴＦＴ１０２
が接続されて設けられている。このＴＦＴ１０２のゲー
ト電極にはゲート配線１０３が接続され、ゲート電極に
入カされるゲート信号によってＴＦＴ１０２が駆動制御
される。
【０００３】また、ＴＦＴ１０２のソース電極にはソー
ス配線１０４が接続され、ＴＦＴ１０２の駆動時に、Ｔ
ＦＴ１０２を介してデータ（表示）信号が画素電極１０
１に入力される。各ゲート配線１０３とソース配線１０
４とは、マトリクス状に配列された画素電極１０１の周
囲を通り、互いに直交差するように設けられている。
【０００４】さらに、ＴＦＴ１０２のドレイン電極は画
素電極１０１と付加容量１０５の一方の電極に接続され
ている。付加容量１０５の他方の電極はそれぞれ共通配
線１０６に接続されている。共通配線１０６は共通電極
Ｖcomに接続されている。
【０００５】上述の構成要素を有するアクティブマトリ
クス基板と、対向基板とが液晶層を挟んで貼り合わされ
て、液晶表示装置が形成される。
【０００６】この液晶表示装置において、カラー表示を
実現するためには、対向基板上にカラーフィルタを形成
する構成が最も一般的である。カラー液晶表示装置の色
層の異なる画素の境界部の平面図を図７に示す。図７
は、通常のノートパソコン向けの表示装置の仕様として
最も一般的な縦ストライプ画素配列を想定している。
【０００７】色層は、例えば顔料を分散させた樹脂によ
って形成され、その膜厚は１μｍ程度である。また、光
抜けや混色を防止するために、色層１１１と色層１１２
との間に間隔ｄ１を設けるられる。この間隔ｄ１は製造
工程によって変わるが、通常、５μｍ程度は必要であ
る。さらにこの間隔から光が漏れるのを防ぐためにブラ
ックマスク１０７（以下、ＢＭと略称する）が設けら
れ、ＢＭ１０７と色層１１１、１１２との間にオーバー
ラップ領域（幅ｄ２）を設ける必要がある。このオーバ
ーラップ幅も５μｍ程度設ける必要がある。従来の構成
のように、異なる色層が重ならないようにする場合に
は、カラーフィルタ基板上のＢＭ幅が（ｄ１＋２×ｄ
２）だけ必要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】画素電極１０１の間の
部分に対応する液晶層１５０の部分には電圧が印加され
ないので、この部分における液晶分子の配向方向は制御
されない。このため、配線１１０と画素電極１０１との
間の部分を通過する光を遮光するために、対向基板１５
１上にＢＭ１０７を設ける必要がある。
【０００９】また、アクティブマトリクス基板に設けら
れた画素電極１０１の周辺からの光漏れを防止するため
にも、少なくとも上記の線幅は必要である。言い換える
と、カラーフィルタの構造に依存せずとも、ＢＭの幅は
（ｄ１＋２×ｄ２）以上必要である。このような理由か
らＢＭの幅を（ｄ１＋２×ｄ２）より小さくすることが
できず、開口率を十分に高くすることができないという
問題があった。
【００１０】本発明は、上記の問題点を鑑み、開口率が
高いカラー液晶表示装置を提供することを目的としてな
されたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング
素子が設けられ、走査配線および信号配線と画素電極と
が絶縁膜を介して重なるように形成されたアクティブマ
トリクス基板と、カラーフィルタを形成した対向基板と
が液晶層を挟んで対向配置された液晶表示装置であり、
上記対向基板上のとなりあう色層の異なるカラーフィル
タどうしが、上記アクティブマトリクス基板の画素境界
部と対応する位置で重なり合うように形成されており、
そのことにより上記目的が達成される。
【００１２】ある実施形態では、色層の異なる画素の境
界部において、上記アクティブマトリクス基板上に形成
された走査配線および信号配線を遮光パターンとして兼
用する。好ましくは、遮光効果を向上させるため、上記
アクティブマトリクス基板上に形成された走査配線およ
び信号配線の表面が窒化膜あるいは酸化膜により形成さ
れている。
【００１３】他の実施形態では、色層の異なる画素の境
界部に、上記カラーフィルタ上にブラックマスクが形成
されている。
【００１４】本発明の液晶表示装置は、走査配線と信号
配線の交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、画素
電極と走査配線および信号配線とが絶縁層を介して重な
るように形成したアクティブマトリクス基板と、遮光パ
ターンおよびカラーフィルタを形成した対向基板とが液
晶層を挟んで対向配置された液晶表示装置において、色
層の異なる画素の境界部に、上記アクティブマトリクス
基板上に形成した走査配線および信号配線を遮光パター
ンとして兼用し、対向基板側に設けた該遮光パターンの
線幅Ｗ２が、走査配線または信号配線の幅をＷ１ａ、貼
り合わせ精度をｄ３、色の位置精度をｄ４とした場合、 Ｗ２＞２×ｄ４かつ（Ｗ１ａ＋Ｗ２）／２＞ｄ３ と表され、そのことにより上記目的が達成される。
【００１５】ある実施形態では、上記対向基板側に設け
た上記遮光パターンの線幅は、走査配線および信号配線
の幅よりも細い。
【００１６】以下、本発明の作用を説明する。
【００１７】以上のように本発明によれば、カラーフィ
ルタ上にＢＭを設けない、もしくは従来のものと比較し
て、ＢＭの大きさを格段に小さくすることができる。そ
のことにより、開口率が高く表示品位の高い液晶表示装
置を実現することができる。
【００１８】画素電極と走査配線および信号配線が絶縁
膜を介して重なるように形成したアクティブマトリクス
基板と、カラーフィルタを形成した対向基板とか液晶層
を挟んで対向配置された液晶表示装置において、対向基
板で色層の異なる画素の境界部に、カラーフィルタを形
成する色層が重なる構成とすることによって、カラーフ
ィルタ上のＢＭを設けなくてよいので、開口率を向上す
ることができる。
【００１９】また、色層の異なる画素の境界部におい
て、アクティブマトリクス基板上の走査配線および信号
配線を遮光パターンとして兼用することができるため、
カラーフィルタ基板上の遮光パターンに起因する開口率
の低下を防ぐことができる。
【００２０】また、アクティブマトリクス基板上に形成
した走査配線および信号配線の表面を窒化膜、酸化膜に
より形成することにより、表面が低反射化され、表示品
位を向上することができる。
【００２１】また、画素電極と走査配線および信号配線
が絶縁膜を介して重なるように形成したアクティブマト
リクス基板と、カラーフィルタを形成した対向基板とが
液晶層を挟んで対向配置された液晶表示装置において、
色層の異なる画素の境界部に、アクティブマトリクス基
板上に形成した走査配線および信号配線を遮光パターン
として兼用し、対向基板に、遮光パターンを設け、対向
基板側の該遮光パターンの線幅は走査配線および信号配
線の幅よりも細くすることにより、開口率が高くなり、
かつ色抜けや混色のない良好な表示を実現することがで
きる。また、アクティブマトリクス基板において、色層
の異なる画素の境界にある配線に対して、画素電極が重
なる構造であるので、開口率の向上に効果的である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。
【００２３】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１の液晶表示装置における１画素部分の構成を示す平面
図である。
【００２４】図１において、アクティブマトリクス基板
１８（図３）には、複数の画素電極２１がマトリクス状
に設けられており、これらの画素電極２１の周囲を通
り、互いに直交差するように、走査配線としてのゲート
配線２２と、信号配線としてのソース配線２３が設けら
れている。これらのゲート配線２２とソース配線２３と
は画素電極２１の外周部分と重なりあっている。また、
画素電極２１にはスイッチング素子としてのＴＦＴ２４
が接続されている。このＴＦＴ２４のゲート電極にはゲ
ート配線２２が接続され、ゲート電極に入力される信号
によってＴＦＴ２４が駆動制御される。また、ＴＦＴ２
４のソース電極にはソース配線２３が接続され、ＴＦＴ
２４のソース電極にデータ信号が入力される。さらに、
ＴＦＴ２４のドレイン電極は接続電極２５に接続されて
おり、コンタクトホール２６を介して画素電極２１と接
続されている。ドレイン電極は電極２５ａにも接続され
ていて、電極２５ａと電極２７とは、付加容量を形成し
ている。この付加容量の電極２７は共通配線（不図示）
に接続されている。
【００２５】さらに、ＴＦＴ２４、ゲート配線２２およ
びソース配線２３、接続配線２５の上部を覆って層間絶
縁膜３８（図３）が設けられている。
【００２６】この層間絶縁膜３８の上には、画素電極２
１となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜３８を貫く
コンタクトホール２６を介して、接続電極２５である透
明導電膜によりＴＦＴ２４のドレイン電極と接続されて
いる。
【００２７】このようなアクティブマトリクス基板１８
と、カラーフィルターを形成した対向基板との間に液晶
層を介在させて、液晶表示装置が形成される。実施形態
１で、色層の異なる画素の境界部の構成を示す平面図を
図２に示し、その断面図を図３に示す。
【００２８】図３において、参照番号１１および１２は
それぞれ色層を表し、参照番号１３は、表示領域の全域
にわたる色層の配列を示し、複数の個々の色層１１およ
び１２を含む。以下においては、色層の配列１３を単に
カラーフィルタ１３と表記する。
【００２９】実施形態１では、対向基板１９上で、色層
の異なる画素の境界部に、色層１１と色層１２が重なる
ようにカラーフィルタ１３を形成する。色層１１と色層
１２のエッジは平均すると、アクティブマトリクス基板
ｌ８上のゲート絶縁膜１７上に形成された配線１０の中
心線上に来るように設計されているが、製造工程のばら
つきにより、実際には色層が重なって形成される。この
配線１０は、図２および図３ではソース配線２３である
が、ゲート配線２２であってもよい。また、カラーフィ
ルタ１３上にはＢＭを設けない構成となっている。カラ
ーフィルタ１３の液晶側に、対向電極１５を形成する。
【００３０】上記のことから、カラーフィルタ１３のＢ
Ｍによる開口率の低下が発生せず、表示品位の高い液晶
表示装置を実現することかできる。
【００３１】また、カラーフィルタ１３上にはＢＭを設
けないため、色層の異なる画素の境界部に、アクティブ
マトリクス基板１８上に形成した配線１０（ソース配線
およびゲート配線）を、遮光パターンとして兼用する。
【００３２】アクティブマトリクス基板上に形成したソ
ース配線およびゲート配線の表面を、窒化タンタル、酸
化クロム、アルミナなどの窒化膜、酸化膜により形成す
ることにより、周囲光の反射を少なくし、表示品位をよ
り一層向上させることができる。
【００３３】実施形態１では、アクティブマトリクス基
板とカラーフィルタ基板との貼合せ精度ｄ３を、ｄ３＝
７μｍ、色の位置精度ｄ４（対向基板１９に対するカラ
ーフィルタの位置精度）を、ｄ４＝３μｍとした。アク
ティブマトリクス基板１８および対向基板上のパターン
の線幅精度は片側１μｍとして、アクティブマトリクス
基板上の配線のパターンとカラーフィルタ上の色のパタ
ーンとの合わせ精度Ｍを見積もると、数式１のような関
係になる。
【００３４】（数式１） Ｍ＝√（ｄ３2＋ｄ４2＋１2＋１2） ＝７．７μｍ したがって、実施形態１において、各色がアクティブマ
トリクス基板上の配線から離れて光抜けを起こしたり隣
の画素にはみ出して混色したりしないようにするために
は、この製造精度Ｍから見積もると、ソース配線の線幅
Ｗ１は１５．４μｍ以上に設定する必要があることがわ
かる。
【００３５】（実施形態２）液晶表示装置における１画
素部分の構成を示す平面図は、実施形態１と同じである
ため、図１を用いて説明する。実施形態２で、色層の異
なる画素の境界部の構成を示す平面図を図４に示し、そ
の色層の異なる画素の境界部における断面図を図５に示
す。
【００３６】実施形態２では、対向基板１９上で、色層
１１と色層１２とがアクティブマトリクス基板１８上の
ゲート絶縁膜１７上に形成された配線１０の中心線上で
重なるように形成されている。さらにカラーフィルタ１
３上に従来の形状と比較して細いＢＭ１６を形成する。
カラーフィルタ１３の液晶側に、対向電極１５を形成す
る。配線１０は図４および図６ではソース配線である
が、ゲート配線であってもよい。
【００３７】また、色層の異なる画素の境界部に、アク
ティブマトリクス基板１８上に形成された配線１０（ソ
ースおよびゲート配線）を、遮光パターンとして兼用す
る。
【００３８】アクティブマトリクス基板上に形成したソ
ースおよびゲート配線の表面を窒化タンタル、酸化クロ
ム、アルミナなどの窒化膜、酸化膜により形成すること
により、表面が低反射化され、表示品位をより一層向上
させることができる。
【００３９】実施形態２では、ソース配線の線幅をＷ１
ａ、カラーフィルタ１３上のＢＭ１６の線幅をＷ２と
し、色層１１および１２がカラーフィルタ上のＢＭ１６
からはみ出さない構造とする。このような構造を作製す
るためには、ＢＭ１６の線幅Ｗ２は、色の位置精度ｄ４
により、数式２で表される範囲である。
【００４０】（数式２） Ｗ２＞２×ｄ４ また、実施形態１と同様に、光抜けおよび混色を許さな
いためには、アクティブマトリクス基板上の配線とカラ
ーフィルタ基板上のＢＭ１６とが、アクティブマトリク
ス基板とカラーフィルタ基板との貼合せが最もずれた場
合でも、少なくともオーバーラップしている必要があ
る。この条件を満たすためには、数式３で示される関係
が満たされる必要がある。なお、Ｗ１ａは、配線１０の
幅を表す。
【００４１】（数式３） （Ｗ１ａ＋Ｗ２）／２＞ｄ３ この関係から、実施形態１と同じ精度で見積もれば、Ｗ
２は６μｍ、Ｗ１ａは８μｍが、必要な線幅となる。
【００４２】したがって、実施形態２において、カラー
フィルタ１３上に設けるＢＭ１６は、アクティブマトリ
クス基板１８上の配線１０より細くすることができる。
このことから、より開口率の高い液晶表示装置を実現す
ることができる。
【００４３】実際に作製するＢＭ１６の線幅は、製造プ
ロセスでの精度に依存するが、少なくともこの構造によ
って、アクティブマトリクス基板１８上の遮光パターン
（配線１０）、および対向基板上の両方のＢＭ１６の線
幅を、アクティブマトリクス基板と対向基板との貼合せ
精度の２倍以下に抑えることができ、より開口率の高い
液晶表示装置を作製することができる。
【００４４】（実施形態３）上記実施形態１および２で
用いられる層間絶縁膜３８について説明する。層間絶縁
膜３８を構成する材料はアクリル系樹脂である。このア
クリル樹脂の比誘電率は３．４から３．８と無機膜（窒
化シリコンの比誘電率８）に比べて低く、また、その透
明度も高くスピン塗布法により容易に３μｍという厚い
膜厚にすることができるので、ゲート配線２２と画素電
極２１との間の容量および、ソース配線２３と画素電極
２１との間の容量を低くすることができて時定数が低く
なり、各配線２２，２３と画素電極２１との間の容量成
分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減す
ることができて良好で明るい表示を得ることができる。
また、露光およびアルカリ現像によってパターニングを
行うことにより、コンタクトホール２７のテーパ形状を
良好にすることができ、画素電極２１と接続電極２５と
の接続を良好にすることができる。さらに、感光性のア
クリル樹脂を用いることにより、スピン塗布法を用いて
薄膜が形成できるので、数μｍという膜厚の薄膜を容易
に形成でき、しかも、パターニングにフォトレジスト工
程も不要であるので、生産性の点で有利である。ここ
で、層間絶縁膜３８として用いたアクリル系樹脂は、塗
布前に着色しているものであるが、パターニング後に全
面露光処理を施してより透明化することができる。この
ように、樹脂の透明化処理は、光学的に行うことができ
るだけではなくて、化学的にも行うことが可能である。
【００４５】本実施形態で層間絶縁膜３８として用いた
感光性樹脂の露光には、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線
（波長４０５ｎｍ）及びｇ線（波長４３６ｎｍ）の輝線
を含む水銀灯の光を用いるのが一般的である。感光性樹
脂としては、これらの輝線のなかで最もエネルギーの高
い（波長の最も短い）ｉ線に感光性（吸収ピーク）を有
する感光性樹脂を用いることが好ましい。コンタクトホ
ールの加工精度を高くするとともに、感光剤に起因する
着色を最小限に抑制することができる。また、エキシマ
ーレーザからの短波長の光を用いてもよい。
【００４６】感光部分が現像液に溶解する透明度の高い
感光性透明アクリル樹脂（ポジ型感光性アクリル系樹
脂）を用いることが好ましい。ポジ型感光性アクリル系
樹脂としては、例えば、メタクリル酸とグリシジルメタ
クリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナ
フトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料が好
ましい。この樹脂はグリシジル基を含むので、加熱によ
って架橋（硬化）することができる。硬化後の物性とし
て、誘電率：約３．４程度、４００ｎｍ〜８００ｎｍの
波長範囲の光に対する透過率：９０％以上が得られる。
また、ｉ線（３６５ｎｍ）の光を照射することより、短
時間で脱色することができる。また、パターニングに
は、ｉ線以外の光を用いることができる。本実施形態で
使用した、感光性アクリル系樹脂の耐熱温度は概ね２８
０℃なので、約２５０℃〜２８０℃以下の温度条件で、
層間絶縁膜形成後の画素電極の形成等のプロセスを行う
ことによって、層間絶縁膜の劣化は抑制できる。
【００４７】このようにして、着色のない層間絶縁膜を
用いることによって、透過型液晶表示装置の透過率を高
めることができる。従って、液晶表示装置の高輝度化や
バックライトからの光量を押さえることによって低消費
電力化を図ることができる。
【００４８】また、層間絶縁膜３８を、従来の層間絶縁
膜と比べて厚く、数μｍの厚さに形成するので、層間絶
縁膜の透過率はできるだけ高い方が好ましい。但し、人
間の目の視感度は、緑や赤に比べて青に対しては若干低
いので、層間絶縁膜の分光透過率は青色光に対する透過
率が若干低くても、表示品位の低下は少ない。なお、本
実施例では、層間絶縁膜３８の膜厚を３μｍとしたが、
これに限られる訳でなく、光透過率や誘電率を考慮し適
宜設定することができる。なお、容量を十分に小さくす
るためには、層間絶縁膜の膜厚は約１．５μｍ以上が好
ましく、約２．０μｍ以上が更に好ましい。
【００４９】層間絶縁膜の膜厚を１．５μｍ以上にする
と、画素電極と各配線とを１μｍ以上オーバーラップさ
せても、各配線と画素電極との間の容量は十分小さくな
って時定数も小さくなり、容量成分が表示に与えるクロ
ストークなどの影響をより低減してより良好な表示が得
られる。
【００５０】画素電極と各配線との重なりの幅は、実際
の製造プロセスにも依存して決定される。例えば、画素
電極と各配線との間のアライメントマージンが大きくな
るので重なりの幅は、１μｍ以上が好ましい。
【００５１】なお、感光性でない有機薄膜を積層し、そ
の上にフォトレジストを形成してパターニングした後、
エッチング処理を施して層間絶縁膜３８のパターニング
を行ってもよい。
【００５２】感光性を有さない有機薄膜の材料として
は、例えば、熱硬化性アクリル系樹脂を用いることがで
きる。具体的には、日本合成ゴム社製のJSS-924（２液
タイプ）やJSS-925（１液タイプ）を用いることができ
る。これらの樹脂も概ね２８０℃以上の耐熱性を有して
いる。また、感光性を有さない樹脂を用いて層間絶縁膜
を形成することによって、樹脂の設計の自由度が上が
り、例えば、ポリイミド樹脂を用いることもできる。無
色透明なポリイミド樹脂としては、２，２−ビス（ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロピレン酸二無水
物、オキシジフタル酸無水物、及びビフェニルテトラカ
ルボン酸無水物などの酸二無水物と、スルホン基及び／
またはエーテル基を有するメタ位置換芳香族ジアミン、
ヘキサフルオロプロピレン基を有するジアミンとも組み
合わせから得られるポリイミドを挙げることができる。
これらのポリイミド樹脂については、例えば、藤田ら、
日東技報、第２９巻、第１号、第２０〜２８頁（１９９
１）に開示されている。また、これらの無色透明ポリイ
ミド樹脂のなかでも、酸二無水物及びジアミンの両方が
ヘキサフルオロプロピレン基を有する樹脂の透明性が高
い。これらフッ素系のポリイミド以外のフッ素系の樹脂
を用いることもできる。フッ素系の材料は無色透明性に
優れるとともに、低誘電率および高耐熱性という特徴を
有している。
【００５３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、カラーフ
ィルタ上にＢＭを設けない、もしくは従来のものと比較
してカラーフィルタ上のＢＭの大きさを格段に小さくす
ることができ、それだけ開口率が高く、表示品位の高い
液晶表示装置を実現することができる。
【００５４】走査配線および信号配線と、画素電極とが
絶縁膜を介して重なるように形成にしたアクティブマト
リクス基板と、カラーフィルタを形成した対向基板とが
液晶層を挟んで対向配置された液晶表示装置において、
カラーフィルタを形成する色が異なる色層が重なる構成
とすることによって、カラーフィルタ上のＢＭを設けな
くてよいので、開口率を向上することができる。
【００５５】また、色層の異なる画素の境界部におい
て、アクティブマトリクス基板上の走査配線および信号
配線を遮光パターンとして兼用することができるため、
カラーフィルタ基板上の遮光パターンに起因する開口率
の低下を防ぐことかできる。
【００５６】また、アクティブマトリクス基板上に形成
した走査配線および信号配線の表面を窒化膜、酸化膜に
より形成することにより、表面が低反射化され、表示品
位を向上することができる。
【００５７】また、走査配線および信号配線と、画素電
極とが絶縁膜を介して重なるように形成したアクティブ
マトリクス基板と、カラーフィルタを形成した対向基板
とが液晶層を挟んで対向配置された液晶表示装置におい
て、色層の異なる画素の境界部に、アクティブマトリク
ス基板上に形成した走査配線および信号配線を遮光パタ
ーンして兼用し、対向基板にＢＭを設け、対向基板側の
ＢＭの線幅は走査配線および信号配線の幅よりも細くす
ることにより、より一層開口率が高くなり、かつ色抜け
や混色のない良好な表示を実現することができる。
【００５８】また、アクティブマトリクス基板におい
て、色層の異なる画素の境界にある配線に対して、画素
電極が重なる構造であるので、開口率の向上に効果的で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置における１
画素部分の構成を示す平面図である。
【図２】実施形態１における色層の異なる画素の境界部
の構成を示す平面図である。
【図３】実施形態１における色層の異なる画素の境界部
の断面の構成を示す図。
【図４】実施形態２における色層の異なる画素の境界部
の構成を示す平面図。
【図５】実施形態２における色層の異なる画素の境界部
の断面の構成を示す図。
【図６】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図７】従来の液晶表示装置における色層の異なる画素
の境界部の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１０ 配線 １１、１２ 色層 １３ カラーフィルタ １５ 対向電極 １６ ＢＭ １８ アクティブマトリクス基板 １９ 対向基板 ２１ 画素電極 ２２ ゲート配線 ２３ ソース配線 ２４ ＴＦＴ ２５ 接続電極 ２６ コンタクトホール ２５ａ、２７ 電極 ３８ 層間絶縁膜

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 走査配線と信号配線との交差部近傍にス
    イッチング素子が設けられ、走査配線および信号配線と
    画素電極とが絶縁膜を介して重なるように形成されたア
    クティブマトリクス基板と、カラーフィルタを形成した
    対向基板とが液晶層を挟んで対向配置された液晶表示装
    置であって、 上記対向基板上のとなりあう色層の異なるカラーフィル
    タどうしが、上記アクティブマトリクス基板の画素境界
    部と対応する位置で重なり合うように形成されているこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 色層の異なる画素の境界部において、上
    記アクティブマトリクス基板上に形成された走査配線お
    よび信号配線を遮光パターンとして兼用することを特徴
    とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 遮光効果を向上させるため、上記アクテ
    ィブマトリクス基板上に形成された走査配線および信号
    配線の表面が窒化膜あるいは酸化膜により形成されてい
    ることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 色層の異なる画素の境界部に、上記カラ
    ーフィルタ上にブラックマスクが形成されていることを
    特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 走査配線と信号配線の交差部近傍にスイ
    ッチング素子が設けられ、画素電極と走査配線および信
    号配線が絶縁層を介して重なるように形成したアクティ
    ブマトリクス基板と、遮光パターンおよびカラーフィル
    タを形成した対向基板とが液晶層を挟んで対向配置され
    た液晶表示装置において、 色層の異なる画素の境界部に、上記アクティブマトリク
    ス基板上に形成した走査配線および信号配線を遮光パタ
    ーンとして兼用し、 対向基板側に設けた該遮光パターンの線幅Ｗ２が、走査
    配線または信号配線の幅をＷ１ａ、貼り合わせ精度をｄ
    ３、色の位置精度をｄ４とした場合、 Ｗ２＞２×ｄ４かつ（Ｗ１ａ＋Ｗ２）／２＞ｄ３ と表される範囲であることを特徴とする液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 上記対向基板側に設けた上記遮光パター
    ンの線幅は、走査配線および信号配線の幅よりも細いこ
    とを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
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