JPH0915183A - 結露または湿度検知装置 - Google Patents

結露または湿度検知装置

Info

Publication number
JPH0915183A
JPH0915183A JP8094805A JP9480596A JPH0915183A JP H0915183 A JPH0915183 A JP H0915183A JP 8094805 A JP8094805 A JP 8094805A JP 9480596 A JP9480596 A JP 9480596A JP H0915183 A JPH0915183 A JP H0915183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
module
dew condensation
temperature
current
cooling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8094805A
Other languages
English (en)
Inventor
Michel Gschwind
グシュウンド ミッシエル
Pascal Ancey
アンセー パスカル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IMURA EUROP SA
IMRA Europe SAS
Original Assignee
IMURA EUROP SA
IMRA Europe SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IMURA EUROP SA, IMRA Europe SAS filed Critical IMURA EUROP SA
Publication of JPH0915183A publication Critical patent/JPH0915183A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N25/00Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
    • G01N25/56Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content
    • G01N25/66Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content by investigating dew-point
    • G01N25/68Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content by investigating dew-point by varying the temperature of a condensing surface

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結露または湿度検知装置のサイクル時間を短
くし、結露の予知をより確実にすることを目的とする。 【解決手段】 P/N型半導体素子からなるペルチェ効
果モジュールに、電流源によって正または負の電流を交
互に供給する。モジュールの一端面には結露または湿度
検知対象面が熱的に結合され、その他端面には検知部材
が熱的に結合される。モジュールに正または負の電流が
供給されることでこの検知部材が加熱または冷却され
る。電流源がモジュールに正または負の電流を供給する
加熱または冷却行程のそれぞれにおいて、各々の行程開
始から行程終了までを少なくとも2つのステップに分割
し、ステップが進むに連れてモジュールに供給する電流
値の絶対値を徐々に小さくしていくようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、結露または湿度検知装
置に関するもので、例えば自動車のフロントウインドウ
など結露(曇り)が発生する可能性のある面について、
その結露を事前に検知するものである。この装置は、ま
た、露点から湿度を算出できるので、湿度検知装置とし
ても用いられる。
【0002】
【従来の技術】本発明に係わる従来技術としては、例え
ば欧州特許出願公開公報613000号明細書に開示さ
れたものがある。この従来技術を図6、図7に基づいて
説明する。図6は結露検知装置を示す。ペルチェ効果モ
ジュール35は2つの半導体素子37、38からなり、
それぞれN型半導体、P型半導体である。両半導体3
7、38は電気的に直列接続され、電源36から電力を
供給される。モジュール35は、例えばガラスなどの結
露(曇り)が発生する可能性のある面1上に配置され
る。プレート40は高い熱伝導性を持つ材料からなり、
両半導体37、38の上面に熱的に結合して配置され
る。そして、プレート40はモジュール35への供給電
流Iの変動に伴う熱変動を受ける。モジュール35に電
流が供給されていなければ、プレート40の温度は面1
の温度となり、両半導体37、38の上下面の温度は同
一である。このとき、ペルチェ効果モジュール35のゼ
ーベック電圧Upは0である。
【0003】サイクルの熱振幅はこのゼーベック電圧U
pを計ることで決められる。ゼーベック電圧は、プレー
ト40と面1との間の温度差±ΔTを表わす。従って、
面1の温度Tに対して、プレート40の温度をT+ΔT
まで上げたいときには、モジュール35に電流+Iを供
給し、同時にその電圧Uが計られる。この電圧Uから系
の持つ抵抗による電圧Urを差し引けば、ゼーベック電
圧Up(=U−Ur)が求められる。モジュール35へ
の電流(+I)供給時間の経過に連れてプレート40は
暖められていき、それに連れてゼーベック電圧も上昇し
ていく。ゼーベック電圧が、両半導体37、38の上下
面の間の温度差ΔTに相当する値に達したとき、プレー
ト40の温度はT+ΔTと考えられる。同様に、面1の
温度Tに対して、プレート40の温度をT−ΔTまで下
げたいときには、モジュール35に電流−Iを供給すれ
ばよく、ゼーベック電圧Urを監視することでプレート
40の温度がT−ΔTに達したことが分かる。
【0004】図7は、横軸に経過時間をとって、ペルチ
ェ効果モジュール35への電流供給の変化によるプレー
ト40の温度変化を表わしている。このプレート40の
温度変化は、言い換えればセーベック電圧の変化でもあ
る。加熱行程Phはプレート40の温度がT+ΔTにな
ったとき終了し、続いて冷却行程Pcはプレート40の
温度がT−ΔTになったとき終了する。そして、両工程
Ph、Pcを繰り返していく。なお、加熱行程Phと冷
却行程Pcではモジュール35に供給される電流の向き
が逆となる。図7の3サイクル目の第3冷却行程Pc3
では、その温度変化のカーブからプレート40に結露が
生じたことを示している。即ち、第3冷却行程Pc3の
開始と共にプレート40の温度を示す線は降下してお
り、プレート40に結露が生じなければ、この線は点P
xを過ぎた後、点線で示すようにやがてT- ΔTに到達
する。しかし、モジュール35の置かれた雰囲気の湿度
が、温度Tと温度T- ΔTとの間のある温度において、
雰囲気の水分が凝縮を始めるような湿度であれば、プレ
ート40に結露が生じる。この結果、モジュール2はプ
レート40だけでなく結露の持つ熱容量も含めて温度T
- ΔTまで冷却させなければならないため、モジュール
2が必要とする電力は多くなり、結露を含めたプレート
40を冷却するのに必要な時間は、結露が生じない場合
に比べてΔt1だけ余分に必要となる。そして、第3加
熱行程Ph3においても、プレート40の温度がT+Δ
Tに到達するにはプレート40上の結露を乾燥させなけ
ればならないので、モジュール2が必要とする電力は多
くなり、結露を含めたプレート40を加熱するのに必要
な時間は、結露が生じない場合に比べてΔt2だけ余分
に必要となる。
【0005】従って、従来技術の結露検知装置では次の
原理により結露を予知できる。基準加熱行程Ph0の所
要時間t0が測定され、この所要時間t0が次の第1冷
却行程Pc1と第1加熱行程Ph1の所要時間tの1/
4と比較される。そして、冷却・加熱行程からなる1サ
イクルの所要時間tの1/4が所要時間t0よりも長く
なるまで冷却・加熱サイクルを繰り返す。図7では、第
3サイクルで結露が生じているので、先にも述べたとお
りその所要時間はt’=t0+Δt1+Δt2となって
t0よりも長くなり、結露検知装置は結露が起きたこと
を検知できる。サイクル時間はできるだけ短い方が望ま
しい。1サイクルに例えば5〜10分といった長い時間
を要していては、次のサイクルの加熱行程Phにおいて
既に結露の可能性があっても、冷却行程が完了するまで
長時間を要し、なかなか結露を検知できない。しかし、
そのために、ペルチェ素子モジュール35に供給する電
流を大きくして、より早くプレート40の温度がT±Δ
Tに到達するようにした場合には次の問題が起きる。即
ち、電流が大き過ぎれば、冷却行程の途中で結露を開始
しても大きな電流エネルギによって、プレート40上の
結露の熱容量は相対的に小さくなる。結露も含めてプレ
ート40の温度をT−ΔTにまで冷却させる時間も、結
露がない場合とあまり変わらない。これでは、冷却行程
の所要時間がほとんど変わらず、装置は結露を判断でき
ない。このことは、この装置の結露感度が低いことを示
す。従って、ペルチェ素子モジュールに供給する電流を
大きくして、装置のサイクル時間を短くすることはでき
ない。
【0006】更には次のような問題点がある。即ち、従
来の結露検知装置はT±ΔTの温度管理をしており、実
際にはゼーベック電圧の変化を管理している。例えば、
冷却行程の終了基準はプレート40の温度がT−ΔTに
なることであり、この温度に相応するゼーベック電圧
(終了電圧V0)を制御装置が監視している。しかし、
様々な要因によって制御装置が感知する電圧値には誤差
が含まれ、この電圧誤差によって、ゼーベック電圧が終
了電圧V0よりも小さな電圧V1に到達しただけである
にもかかわらず、制御装置が電圧V1+電圧誤差=終了
電圧V0とみなしてしまう可能性がある。実際には、よ
り小さなゼーベック電圧V1はプレート40の温度がT
−ΔTにまで降温していないことを意味し、冷却行程P
cの所要時間が正常な場合よりも短くなってしまう。逆
に、先の電圧誤差によって、ゼーベック電圧が終了電圧
V0を超えて大きな電圧V2に到達した時点で、ようや
く制御装置が電圧V2+電圧誤差=終了電圧V0に達し
たとみなしてしまう可能性もある。この場合は、より大
きなゼーベック電圧V2はプレート40の温度がT−Δ
T以上に降温していることを意味し、冷却行程Pcの時
間が正常な場合よりも長くなってしまう。そして、同じ
問題が加熱行程Phの終了基準をプレート40の温度が
T+ΔTになることで判断する場合にも起こりうる。従
って、従来技術の装置ではサイクル時間の変化が、本当
に結露のために起こったのか、あるいは制御装置の電圧
誤差によって起こったのかが分かりにくく、正確な結露
判断が難しかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第1の課題
は、結露または湿度検知装置のサイクル時間の短縮であ
る。本発明の第2の課題は、結露または湿度検知装置に
おいて、制御装置の電圧誤差の影響をより少なくするこ
とである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために本発明において講じた第1の手段は、少なくとも
1対のP/N型半導体素子からなるペルチェ効果モジュ
ールと、該モジュールに正負の電流を交互に供給する電
流源と、前記モジュールの一端面に熱的に結合される結
露または湿度検知対象面と、前記モジュールの他端面に
熱的に結合され、前記モジュールに正負の電流が供給さ
れることで加熱・冷却される検知部材とから結露または
湿度検知装置を構成し、前記電流源が前記モジュールに
正および負の電流を供給する加熱行程および冷却行程の
それぞれにおいて、行程終了時の前記検知部材の到達温
度を前記結露または湿度検知対象面の温度から所定温度
だけ低いおよび高い温度とし、前記加熱行程および冷却
行程のそれぞれにおいて、各々の行程開始から行程終了
までを少なくとも2つのステップに分割し、ステップが
進むに連れてモジュールに供給する電流値の絶対値を徐
々に小さくしていき、加熱行程の温度変化勾配と冷却行
程の温度変化勾配との比が所定値を超えた際に結露が起
こることを予知するようにしたことである。
【0009】上述した課題を解決するために本発明にお
いて講じた第2の手段は、少なくとも1対のP/N型半
導体素子からなるペルチェ効果モジュールと、該モジュ
ールに正負の電流を交互に供給する電流源と、前記モジ
ュールの一端面に熱的に結合される結露または湿度検知
対象面と、前記モジュールの他端面に熱的に結合され、
前記モジュールに正負の電流が供給されることで加熱・
冷却される検知部材とから結露または湿度検知装置を構
成し、前記電流源が前記モジュールに負の電流を供給す
る冷却行程において、前記検知部材が所定温度にまで冷
却されるのに要した時間を、次に続く前記電流源が前記
モジュールに正の電流を供給する加熱行程の所要時間に
適用し、連続する冷却・加熱行程の所要時間の和が、両
行程の所要時間の和の基準値に比べて長くなることで結
露が起こることを予知するようにしたことである。
【0010】上述した課題を解決するために本発明にお
いて講じた第3の手段は、少なくとも1対のP/N型半
導体素子からなるペルチェ効果モジュールと、該モジュ
ールに正負の電流を交互に供給する電流源と、前記モジ
ュールの一端面に熱的に結合される結露または湿度検知
対象面と、前記モジュールの他端面に熱的に結合され、
前記モジュールに正負の電流が供給されることで加熱・
冷却される検知部材とから結露または湿度検知装置を構
成し、前記電流源が前記モジュールに正の電流を供給す
る加熱行程において、その所要時間を一定時間とすると
共に、前記電流源が前記モジュールに負の電流を供給す
る冷却行程において、行程終了時の前記検知部材の到達
温度を前記結露または湿度検知対象面の温度から所定温
度だけ低い温度とし、冷却行程の所要時間が基準所要時
間に比べて長くなることで結露が起こることを予知する
ようにしたことである。
【0011】上述した課題を解決するために本発明にお
いて講じた第4の手段は、少なくとも1対のP/N型半
導体素子からなるペルチェ効果モジュールと、該モジュ
ールに正負の電流を交互に供給する電流源と、前記モジ
ュールの一端面に熱的に結合される結露または湿度検知
対象面と、前記モジュールの他端面に熱的に結合され、
前記モジュールに正負の電流が供給されることで加熱・
冷却される検知部材とから結露または湿度検知装置を構
成し、前記電流源が前記モジュールに正および負の電流
を供給する加熱行程および冷却行程のそれぞれにおい
て、前記モジュールに一定値の電流エネルギを供給し、
連続する冷却・加熱行程の所要時間の和が、両行程の所
要時間の和の基準値に比べて長くなることで結露が起こ
ることを予知するようにしたことである。
【0012】上述した課題を解決するために本発明にお
いて講じた第5の手段は、上記第2乃至第4の手段のい
ずれかに加えて、前記電流源が前記モジュールに正およ
び負の電流を供給する加熱行程および冷却行程のそれぞ
れにおいて、各々の行程開始から行程終了までを少なく
とも2つのステップに分割し、ステップが進むに連れて
モジュールに供給する電流値の絶対値を徐々に小さくし
ていったことである。
【0013】
【作用】上述した第1の手段によれば、ペルチェ効果モ
ジュールに電流源が正負の電流を交互に供給すると、モ
ジュールの他端面に熱的に結合された検知部材が交互に
加熱・冷却される。検知部材の加熱行程および冷却行程
のそれぞれの行程開始から行程終了までにおいて、少な
くとも2つに分割されたステップ毎に、ステップが進む
に連れてモジュールに供給する電流値の絶対値が徐々に
小さくされていく。そして、加熱行程の温度変化勾配と
冷却行程の温度変化勾配との比は、検知部材に結露がな
い場合、つまり結露または湿度検知対象面に結露の可能
性がない場合はほぼ1の所定値であり、先の比が所定値
を超えた際に検知対象面に結露が起こることが予知され
る。
【0014】上述した第2の手段によれば、ペルチェ効
果モジュールに電流源が正負の電流を交互に供給する
と、モジュールの他端面に熱的に結合された検知部材が
交互に加熱・冷却される。電流源がモジュールに負の電
流を供給する冷却行程において、検知部材が所定温度に
まで冷却されるのに要した時間を、次に続く電流源がモ
ジュールに正の電流を供給する加熱行程の所要時間に適
用し、連続する冷却・加熱行程の所要時間の和を監視す
る。検知部材に結露がない場合、つまり結露または湿度
検知対象面に結露の可能性がない場合はこの両行程の所
要時間の和がある一定値(基準値)に落ち着いており、
現在の両工程の所要時間の和が両行程の所要時間の和の
基準値に比べて長くなることで湿度検知対象面に結露が
起こることが予知される。
【0015】上述した第3の手段によれば、ペルチェ効
果モジュールに電流源が正負の電流を交互に供給する
と、モジュールの他端面に熱的に結合された検知部材が
交互に加熱・冷却される。前記電流源が前記モジュール
に正の電流を供給する加熱行程において、その所要時間
を一定時間とすると共に、前記電流源が前記モジュール
に負の電流を供給する冷却行程において、行程終了時の
前記検知部材の到達温度を前記結露または湿度検知対象
面の温度から所定温度だけ低い温度とし、冷却行程の所
要時間が基準所要時間に比べて長くなることで結露が起
こることを予知される。
【0016】上述した第4の手段によれば、ペルチェ効
果モジュールに電流源が正負の電流を交互に供給する
と、モジュールの他端面に熱的に結合された検知部材が
交互に加熱・冷却される。電流源が前記モジュールに正
および負の電流を供給する加熱行程および冷却行程のそ
れぞれにおいて、モジュールに一定値の電流エネルギを
供給し、連続する冷却・加熱行程の所要時間の和を監視
する。検知部材に結露がない場合、つまり結露または湿
度検知対象面に結露の可能性がない場合はこの両行程の
所要時間の和がある一定値(基準値)に落ち着いてお
り、現在の両工程の所要時間の和が両行程の所要時間の
和の基準値に比べて長くなることで検知対象面に結露が
起こることが予知される。
【0017】上述した第5の手段によれば、上記第2乃
至第4の作用のいずれかに加えて、検知部材の加熱行程
および冷却行程のそれぞれの行程開始から行程終了まで
において、少なくとも2つに分割されたステップ毎に、
ステップが進むに連れてモジュールに供給する電流値の
絶対値が徐々に小さくされていく。
【0018】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図1は結露または湿度検知装置を示す。ペルチェ効果モ
ジュール2は2つの半導体素子3、4からなり、それぞ
れN型半導体、P型半導体である。両半導体3、4は電
気的に直列接続され、電流源5から電力を供給される。
モジュール2は、ある部材の結露(曇り)が発生する可
能性のある面(結露または湿度検知対象面)1上に配置
される。ある部材とは、例えば自動車のフロントウイン
ドウ、サイドウインドウ、リヤウインドウなどであり、
面1は各ウインドウの車室内側面となって、モジュール
2は各ウインドウの車室内側面に配置される。もちろ
ん、部材は自動車の各ウインドウに限定されず、結露す
る可能性のあるものならば何でも良い。
【0019】プレート(検知部材)6は高い熱伝導性を
持つ材料からなり、両半導体3、4の上面に熱的に結合
して配置される。そして、プレート6はモジュール2へ
の供給電流Iの変動に伴う熱変動を受ける。モジュール
2に電流が供給されていなければ、プレート6の温度は
面1の温度となり、両半導体3、4の上下面の温度は同
一である。このとき、ペルチェ効果モジュール2のゼー
ベック電圧Upは0である。ゼーベック電圧とはペルチ
ェ効果モジュールの上下面間に温度差があるとき、その
温度差に比例して生じる電位差のことである。
【0020】第1実施例では、サイクルの熱振幅はこの
ゼーベック電圧Upを計ることで決められる。ゼーベッ
ク電圧は、プレート6と面1との間(=両半導体3、4
の上下面の間)の温度差±ΔTを表わす。従って、面1
の温度Tに対して、プレート6の温度をT+ΔTまで上
げたいときには、モジュール2に電流+Iを供給し、同
時にその電圧Uが計られる。この電圧Uから系の持つ抵
抗による電圧Urを差し引けば、ゼーベック電圧Up
(=U−Ur)が求められる。モジュール2への電流
(+I)供給時間の経過に連れてプレート6は暖められ
ていき、それに連れてゼーベック電圧も上昇していく。
ゼーベック電圧が、両半導体3、4の上下面の間の温度
差ΔTに相当する値に達したとき、プレート6の温度は
T+ΔTと考えられる。なお、ペルチェ効果によって作
られる熱障害のために起きる面1が受ける温度変化は無
視できる。同様に、面1の温度Tに対して、プレート6
の温度をT−ΔTまで下げたいときには、モジュール2
に電流−Iを供給すればよく、ゼーベック電圧Urを監
視することでプレート6の温度がT−ΔTに達したこと
が分かる。
【0021】図2は、横軸に経過時間をとって、ペルチ
ェ効果モジュール2への電流供給の変化を表わすと共
に、プレート6の温度変化を表わしている。このプレー
ト6の温度変化は、言い換えればセーベック電圧の変化
でもある。加熱行程Phと冷却行程Pcは、それぞれ2
つのステップを有している。即ち、加熱及び冷却行程P
h、Pcのいずれにおいても第1ステップではその供給
電流の絶対値がI2であって、第2ステップではその供
給電流の絶対値がI1である。この2つの電流値の絶対
値の間にはI2>I1の関係がある。そして、加熱及び
冷却行程Ph、Pcのいずれにおいても第1ステップで
はプレート6の温度が急激に上昇または下降し、第2ス
テップではプレート6の温度が緩やかに上昇または下降
する。加熱行程Phはプレート6の温度がT+ΔTにな
ったとき終了し、続いて冷却行程Pcはプレート6の温
度がT−ΔTになったとき終了する。なお、プレート6
の温度がT±ΔTになったかどうかは、前述のとおりゼ
ーベック電圧を監視することで判断される。そして、両
工程Ph、Pcを繰り返していく。なお、加熱行程Ph
と冷却行程Pcではモジュール2に供給される電流の向
きが逆となる。
【0022】図2の冷却行程Pcでは、その温度変化の
カーブからプレート6に結露(曇り)が生じたことを示
している。即ち、冷却行程Pcの開始と共に急激にプレ
ート6の温度を示す曲線は降下しており、プレート6に
結露(曇り)が生じなければ、この曲線は点Pxを過ぎ
た後、点線で示すようにやがてT- ΔTに到達する。し
かし、モジュール2の置かれた雰囲気の湿度が、温度T
と温度T- ΔTとの間のある温度Txにおいて、雰囲気
の水分が凝縮を始めるような湿度であれば、プレート6
に結露(曇り)が生じる。この結果、結露の持つ熱容量
も含めて、言い換えれば結露の凝縮熱も考慮してモジュ
ール2はプレート6を温度T- ΔTまで冷却させなけれ
ばならないため、モジュール2が必要とする電力は多く
なり、結露を含めたプレート6を冷却するのに必要な時
間は、結露が生じない場合に比べてΔtだけ余分に必要
となる。
【0023】図2に示す実施例では次の原理により面1
の結露を予知できる。加熱行程Phにおいて図2から傾
き(温度変化勾配)r1が求められ、冷却行程Pcにお
いても図2から傾きr2が求められる。結露がない場
合、両者の比r1/r2はほぼ1である。しかしなが
ら、プレート6に結露が生じた場合、図2からも明らか
なようにr2が小さくなって、比r1/r2は1よりも
大きくなっていく。従って、r1/r2の値が1(所定
値)から外れたかどうかを監視することで結露の可能性
を検知できる。即ち、結露が検知されたということは、
面1の雰囲気湿度が高まってきて面1の温度により面1
上に結露が生じることが近いことが分かり、あるいは面
1の温度が下がってきてその雰囲気湿度が下がってきた
面1の温度により面1上に結露が生じることが近いこと
が分かる。冷却行程Pcでは、その第1ステップで大電
流I1を供給してすばやく結露する可能性のある温度領
域まで冷却でき、あとは第2ステップで小電流I2を供
給して結露による時間Δtを長くとることができる。即
ち、結露する際には小電流であるほどT−ΔTまで降温
する時間が長くとれるので、結果としてΔtを拡大する
ことができ、確実に比r1/r2の変化をつかむことが
できる。
【0024】図3の第2実施例では、プレート6の温度
は冷却行程Pcにおいてのみ計測・管理される。即ち、
第1実施例と同様にペルチェ効果モジュール2のゼーベ
ック電圧が計測され、面1とプレート6の温度差が−Δ
Tとなったとき、冷却行程Pcが終了される。加熱行程
Phにおいてプレート6の温度がT+ΔTになったかど
うかは計測・管理されない。冷却行程Pcと加熱行程P
hをセットとした1サイクルにおいて、冷却行程Pcの
所要時間tiが計測され、同一サイクルにおいて、加熱
行程Phの加熱時間もtiと同一に設定される。いま、
プレート6に結露が生じない場合の冷却行程Pcの所要
時間をt1とし、これに続く加熱行程Phの所要時間も
t1に設定される。この結果、1サイクルの所要時間は
t1の2倍の2t1となる。図3の温度曲線において曲
線のくぼみの部分の長さや傾きから分かるように、点P
aでプレート6に結露が生じると、冷却行程Pcの所要
時間tiがt2と先のt1に比べて長くなり、これに続
く加熱行程Phの所要時間もt2に設定される。この結
果、1サイクルの所要時間はt2の2倍の2t2とな
る。従って、2t1をサイクルの基準時間としておき、
サイクルの所要時間2tiが2t1よりも大きくなった
かどうかを監視することで面1の結露の可能性を検知で
きる。
【0025】尚、加熱行程Phの所要時間を冷却行程P
cの所要時間と同一にすることで、冷却行程Pcにおい
て結露が生じた場合でも、基準時間における加熱行程P
hの所要時間よりも長く(=t2>t1)プレート6が
加熱されるので、プレート6上の結露が確実に乾燥され
る。
【0026】図4の第3実施例では、加熱行程Phと冷
却行程Pcは、それぞれ3つのステップを有している。
即ち、加熱及び冷却行程Ph、Pcのいずれにおいても
第1ステップではその供給電流の絶対値がI3であっ
て、第2ステップではその供給電流の絶対値がI2であ
って、第3ステップではその供給電流の絶対値がI1で
ある。この3つの電流値の絶対値の間にはI3>I2>
I1の関係がある。そして、電流値I1を特に小さくす
ることで、冷却行程Pcにおいて結露後にプレート6が
温度T−ΔTまで到達するのに時間を要し、冷却行程P
cの所要時間の変化をより明確に検知することが可能と
なる。なお、冷却行程Pc後半の結露の可能性のある温
度領域(T−ΔTにより近い領域)でのみモジュール2
への供給電流値をI1としているので、結露があった場
合にのみ冷却行程Pcの所要時間が長くなり、結露がな
い場合の冷却行程Pc(加熱行程Phも同様である)の
所要時間まで長くするものではない。また、図示しない
が供給電流値の変化は3段階以上に多段階にすること
も、あるいは連続的に変化するようにしても良い。ま
た、この実施例でもプレート6の温度は冷却行程Pcに
おいてのみ計測・管理され、加熱行程Phでは計測・管
理されない。そして、加熱行程Phの所要時間tが次の
ように決められる。即ち、N回(Nは例えば1〜10の
任意の数)のサイクルからなる1ピリオドにおいて、冷
却行程Pcの所要時間の平均tkを算出し、加熱行程P
hの所要時間t=tkとする。図4に示すように、2回
目のサイクルにおいてプレート6に結露があり、冷却行
程Pcの所要時間t2が長くなる。しかしながら、加熱
行程Phの加熱時間はtで一定のままであり、t2>t
のために、加熱行程Phの終了時においてもプレート6
の温度はT+ΔTに到達できない。そして、次のサイク
ルでは冷却行程Pcの開始温度がT+ΔTよりも低く、
より早くプレート6の温度が露点に達し結露を開始す
る。従って前サイクルの冷却行程Pcの所要時間t2に
比べて、今回サイクルの冷却行程Pcの所要時間t3は
僅かに短くなるが、結露のために依然としてその所要時
間は平均tkよりも長い。従って、冷却行程Pcの所要
時間tiを前ピリオドの冷却行程Pcの所要時間の平均
tkと比べると、ti>tkの関係から面1の結露の可
能性を判断できる。
【0027】図5に示す第4実施例では、プレート6の
温度は冷却行程Pcにおいても加熱行程Phにおいても
計測・管理されない。但し、基準エネルギ値を決定する
際にだけ、結露がない状態で冷却行程Pcの行程終了基
準をT−ΔTとする。この1行程の間にペルチェ効果モ
ジュール2で消費されるエネルギEを計測し、図示しな
いメモリなどに基準値Ebとして記憶される。また、結
露がない状態で加熱行程Phと冷却行程Pcからなる基
準サイクルCbの所要時間tbもメモリなどに記憶す
る。いま、プレート6に結露がなければ、プレート6の
温度はT−ΔTに到達するはずである。そして、サイク
ル所要時間t0=tbである。この時、モジュール2で
消費されるエネルギE0(=Eb)は、図5では、面積
S1と面積S2の和で表わされる。そして、以降の加熱
行程Ph、冷却行程Pcにおいても常にモジュール2で
消費されるエネルギが基準値Ebとなるように制御す
る。次に続くサイクルC1の加熱行程Phでは次のよう
になる。モジュール2で消費されるエネルギE2は基準
値Ebと同一であり、面積S3と面積S4はそれぞれ面
積S1と面積S2と同一である。結露がなければプレー
ト6の温度はT+ΔTに到達するはずである。プレート
6に結露が生じた場合、冷却行程Pcの所要時間がのび
る。即ち、結露が生じていようとも、その冷却行程Pc
においてモジュール2で消費されるエネルギは基準値E
bで一定のままだからである。この結果、プレート6の
温度はT−ΔTに到達できない。図5から分かるよう
に、面積S5は面積S1と同一であり、面積S6と面積
S8の和が面積S2と同一である。従って、面積S8は
面積S7と同一である。この結果、サイクルC1の所要
時間t1はt0よりも長くなる。
【0028】つぎの加熱行程Phでもまた、プレート6
上の結露を乾燥させるためその所要時間がのびる。しか
し、モジュール2で消費されるエネルギの一部はこの乾
燥のために使われるので、プレート6の温度はT+ΔT
に到達できない。例えばサイクルC3において、その加
熱行程Phでモジュール2で消費されるエネルギはやは
り基準値Ebなので、図5から明らかなように面積S1
0、面積S11および面積S12の和が面積1と面積2
の和と等しく、従って、面積S11は面積S9と面積S
13の和に等しい。従って、サイクルが進むに連れて熱
振幅量は小さくなっていき、各サイクルの所要時間もt
0<t1<t2<t3と長くなっていく。従って、この
サイクル時間の変化を監視していれば結露の可能性が検
知できる。あるいは、ゼーベック電圧を監視していれ
ば、プレート6に結露が起こる場合には熱振幅量(温度
振幅量)が小さくなっていくことが分かるので、このこ
とからも結露の可能性を予知できる。以上に示したいず
れの実施例においても、結露が起こる露点から湿度が計
算できるので、本発明実施例の装置は湿度検知装置とし
て用いることもできる。
【0029】
【発明の効果】上述した請求項1記載の発明によれば、
検知部材の加熱行程および冷却行程のそれぞれの行程開
始から行程終了までにおいて、少なくとも2つに分割さ
れたステップ毎に、ステップが進むに連れてモジュール
に供給する電流値の絶対値が徐々に小さくされていくの
で、初期ステップの段階ではより早く冷却・加熱がで
き、結露がない場合の各行程の所要時間を短くできる。
冷却行程において、結露または湿度検知対象面に結露の
可能性がある場合には、結露が起きる露点温度にまでよ
り早くプレートを冷却できる。続いて、中間ステップ以
降のプレートが露点温度に達した後では、より小さな電
流エネルギのもとで結露の凝縮熱を奪う必要が出てくる
ため、プレートを所定の温度にまで冷却するのに、結露
が起こらない場合よりも長い時間を必要とし、所定温度
の値とその所定温度だけ冷却するのに必要な時間の比か
ら求められる温度変化勾配を明確に変化させることがで
きる。引き続いて加熱行程に移ってからも、結露を乾燥
させることのできる温度領域までより早く加熱できる。
そして、乾燥温度に達した後では、より小さな電流エネ
ルギのもとで結露の乾燥をすることになり、プレートを
所定の温度にまで加熱するのに、結露が起こらない場合
よりも長い時間を必要とし、所定温度の値とその所定温
度だけ加熱するのに必要な時間の比から求められる温度
変化勾配をより明確に変化させることができる。そし
て、加熱行程の温度変化勾配と冷却行程の温度変化勾配
との比は、検知部材に結露がない場合、つまり結露また
は湿度検知対象面に結露の可能性がない場合はほぼ1の
所定値であり、先の比が所定値を超えた際に検知対象面
に結露が起こることが予知される。
【0030】上述した請求項2記載の発明によれば、電
流源がモジュールに負の電流を供給する冷却行程におい
てのみ、検知部材が所定温度にまで冷却されるかどうか
を検知しており、この検知部材が所定温度に到達したか
どうかを判断する際に起こる電圧誤差に基づく、検知部
材が所定温度に到達するのに要した時間の計測・管理誤
差が装置の誤差となり、従来の装置に比べ手より少ない
誤差で結露対象面の結露の可能性を予知できる。また、
冷却行程に要した時間を、それに続く加熱行程の所要時
間に適用することで、冷却行程において結露があった場
合でも加熱行程において確実に結露を乾燥させることが
できる。
【0031】上述した請求項3記載の発明によれば、電
流源がモジュールに負の電流を供給する冷却行程におい
てのみ、検知部材が所定温度にまで冷却されるかどうか
を検知しており、この検知部材が所定温度に到達したか
どうかを判断する際に起こる電圧誤差に基づく、検知部
材が所定温度に到達するのに要した時間の計測・管理誤
差が装置の誤差となり、従来の装置に比べ手より少ない
誤差で結露対象面の結露の可能性を予知できる。
【0032】上述した請求項4記載の発明によれば、電
流源が前記モジュールに正および負の電流を供給する加
熱行程および冷却行程のそれぞれにおいて、モジュール
に一定値の電流エネルギを供給し、連続する冷却・加熱
行程の所要時間の和を監視するだけなので、この検知部
材が所定温度に到達したかどうかを判断する必要がな
く、その際に起こる電圧誤差の影響も受けない。従っ
て、高精度に結露対象面の結露の可能性を予知できる。
【0033】上述した請求項5記載の発明によれば、上
記請求項2乃至4記載の効果のいずれかに加えて、検知
部材の加熱行程および冷却行程のそれぞれの行程開始か
ら行程終了までにおいて、少なくとも2つに分割された
ステップ毎に、ステップが進むに連れてモジュールに供
給する電流値の絶対値が徐々に小さくされていくので、
初期ステップの段階ではより早く冷却・加熱ができ、結
露がない場合の各行程の所要時間を短くできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る結露または湿度検知装置
の構成図である。
【図2】第1実施例の時間−モジュールへの供給電流
値、時間−プレート温度の関係図である。
【図3】第2実施例の時間−プレート温度、時間−モジ
ュールへの供給電流値の関係図である。
【図4】第3実施例の時間−プレート温度、時間−モジ
ュールへの供給電流値の関係図である。
【図5】第4実施例の時間−プレート温度、時間−モジ
ュールへの供給電流値の関係図である。
【図6】従来技術の結露検知装置の構成図である。
【図7】図6に係わる時間−プレート温度の関係図であ
る。
【符号の説明】
1 面(結露または湿度検知対象面) 2 ペルチェ効果モジュール 5 電流源 6 プレート(検知部材) Ph 加熱行程 Pc 冷却行程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パスカル アンセー フランス国 06130 グラース ブルバー ルキエ 38 マ デ シエヌ ビラ 6

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1対のP/N型半導体素子か
    らなるペルチェ効果モジュールと、 該モジュールに正負の電流を交互に供給する電流源と、 前記モジュールの一端面に熱的に結合される結露または
    湿度検知対象面と、 前記モジュールの他端面に熱的に結合され、前記モジュ
    ールに正負の電流が供給されることで加熱・冷却される
    検知部材とを有し、 前記電流源が前記モジュールに正および負の電流を供給
    する加熱行程および冷却行程のそれぞれにおいて、行程
    終了時の前記検知部材の到達温度を前記結露または湿度
    検知対象面の温度から所定温度だけ低いおよび高い温度
    とし、 前記加熱行程および冷却行程のそれぞれにおいて、各々
    の行程開始から行程終了までを少なくとも2つのステッ
    プに分割し、ステップが進むに連れてモジュールに供給
    する電流値の絶対値を徐々に小さくしていき、 加熱行程の温度変化勾配と冷却行程の温度変化勾配との
    比が所定値を超えた際に結露が起こることを予知する結
    露または湿度検知装置。
  2. 【請求項2】 少なくとも1対のP/N型半導体素子か
    らなるペルチェ効果モジュールと、 該モジュールに正負の電流を交互に供給する電流源と、 前記モジュールの一端面に熱的に結合される結露または
    湿度検知対象面と、 前記モジュールの他端面に熱的に結合され、前記モジュ
    ールに正負の電流が供給されることで加熱・冷却される
    検知部材とを有し、 前記電流源が前記モジュールに負の電流を供給する冷却
    行程において、前記検知部材が所定温度にまで冷却され
    るのに要した時間を、次に続く前記電流源が前記モジュ
    ールに正の電流を供給する加熱行程の所要時間に適用
    し、 連続する冷却・加熱行程の所要時間の和が、両行程の所
    要時間の和の基準値に比べて長くなることで結露が起こ
    ることを予知する結露または湿度検知装置。
  3. 【請求項3】 少なくとも1対のP/N型半導体素子か
    らなるペルチェ効果モジュールと、 該モジュールに正負の電流を交互に供給する電流源と、 前記モジュールの一端面に熱的に結合される結露または
    湿度検知対象面と、 前記モジュールの他端面に熱的に結合され、前記モジュ
    ールに正負の電流が供給されることで加熱・冷却される
    検知部材とを有し、 前記電流源が前記モジュールに正の電流を供給する加熱
    行程において、その所要時間を一定時間とすると共に、 前記電流源が前記モジュールに負の電流を供給する冷却
    行程において、行程終了時の前記検知部材の到達温度を
    前記結露または湿度検知対象面の温度から所定温度だけ
    低い温度とし、 冷却行程の所要時間が基準所要時間に比べて長くなるこ
    とで結露が起こることを予知するようにしたことであ
    る。
  4. 【請求項4】 少なくとも1対のP/N型半導体素子か
    らなるペルチェ効果モジュールと、 該モジュールに正負の電流を交互に供給する電流源と、 前記モジュールの一端面に熱的に結合される結露または
    湿度検知対象面と、 前記モジュールの他端面に熱的に結合され、前記モジュ
    ールに正負の電流が供給されることで加熱・冷却される
    検知部材とを有し、 前記電流源が前記モジュールに正および負の電流を供給
    する加熱行程および冷却行程のそれぞれにおいて、前記
    モジュールに一定値の電流エネルギを供給し、 連続する冷却・加熱行程の所要時間の和が、両行程の所
    要時間の和の基準値に比べて長くなることで結露が起こ
    ることを予知する結露または湿度検知装置。
  5. 【請求項5】 請求項2〜4記載の装置において、前記
    電流源が前記モジュールに正および負の電流を供給する
    加熱行程および冷却行程のそれぞれにおいて、各々の行
    程開始から行程終了までを少なくとも2つのステップに
    分割し、ステップが進むに連れてモジュールに供給する
    電流値の絶対値を徐々に小さくしていくことを特徴とす
    る結露または湿度検知装置。
JP8094805A 1995-03-23 1996-03-25 結露または湿度検知装置 Pending JPH0915183A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9503413 1995-03-23
FR9503413A FR2732113B1 (fr) 1995-03-23 1995-03-23 Procede pour detecter de facon precoce un risque de condensation d'eau sur une surface se trouvant au contact d'un volume d'air humide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0915183A true JPH0915183A (ja) 1997-01-17

Family

ID=9477343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8094805A Pending JPH0915183A (ja) 1995-03-23 1996-03-25 結露または湿度検知装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5741067A (ja)
EP (1) EP0733898B1 (ja)
JP (1) JPH0915183A (ja)
DE (1) DE69615073D1 (ja)
FR (1) FR2732113B1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI101905B (fi) * 1995-10-16 1998-09-15 Vaisala Oy Menetelmä ja anturi kastepisteen mittaamiseksi
EP0907075A1 (en) * 1997-10-03 1999-04-07 Imra Europe S.A. A method of evaluating the risk of humid air condensing on a surface
US6926439B2 (en) * 1998-10-30 2005-08-09 Optiguide Ltd. Dew point hygrometers and dew sensors
JP2000310607A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Sony Precision Technology Inc 結露予知装置
AU6577101A (en) 2000-05-12 2001-11-20 Cis Institut Fur Mikrosensorik Gmbh Method for climate regulation in motor vehicles
DE102007034686B4 (de) * 2007-07-25 2009-11-05 Hahn-Schickard-Gesellschaft für angewandte Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen eines Niederschlags an einer Körperoberfläche
US20140052426A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 General Electric Company System and method to manage condensate formation
US10182937B2 (en) 2013-10-11 2019-01-22 Embr Labs Inc. Methods and apparatuses for manipulating temperature
WO2015054615A1 (en) * 2013-10-11 2015-04-16 Embr Labs Inc. Methods and apparatuses for manipulating temperature

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1234411B (de) * 1964-07-17 1967-02-16 Siemens Ag Verfahren zum Bestimmen der Kondensationstemperatur von Daempfen in Gasen
US4240284A (en) * 1979-08-03 1980-12-23 Sereg Method and apparatus for determining the temperature of the condensation point of a substance
JPS61124859A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Yamatake Honeywell Co Ltd 湿度検出用素子
DE3740719A1 (de) * 1987-12-01 1989-06-15 Endress Hauser Gmbh Co Verfahren und anordnung zur messung des wasserdampf-taupunkts in gasen
US4981369A (en) * 1988-10-20 1991-01-01 Murata Mfg. Co., Ltd. Frost and dew sensor
FR2702049B1 (fr) * 1993-02-24 1995-03-31 Imra Europe Sa Procédé et dispositif pour déterminer un risque de condensation d'eau sur une surface se trouvant au contact d'un volume d'air humide.
US5364185A (en) * 1993-04-16 1994-11-15 California Institute Of Technology High performance miniature hygrometer and method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP0733898B1 (en) 2001-09-12
EP0733898A1 (en) 1996-09-25
FR2732113A1 (fr) 1996-09-27
US5741067A (en) 1998-04-21
DE69615073D1 (de) 2001-10-18
FR2732113B1 (fr) 1997-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2962129B2 (ja) 半導体試験装置
KR20110033845A (ko) 결로량이 제어 가능한 환경 시험 장치 및 그 제어 방법
JP3355770B2 (ja) 結露を予知するための方法及び装置
JPH0915183A (ja) 結露または湿度検知装置
US6593761B1 (en) Test handler for semiconductor device
US7193187B2 (en) Feedback control system and method for maintaining constant resistance operation of electrically heated elements
EP3153849B1 (en) Gas sensor and method for operating said gas sensor
JPH0468412A (ja) 温度制御装置
JP3769220B2 (ja) パワーモジュールの繰返し耐久試験方法および試験装置
JPH09178328A (ja) 着霜検知装置
JP3116003B2 (ja) 液位検知装置
KR101480439B1 (ko) 반도체 접합부 온도의 측정이 가능한 시험방법 및 이를 응용한 파워사이클링 시 접합부 온도 제어 방법
CN108351243A (zh) 热流量计及操作流量计的方法
JP3670757B2 (ja) 試料温度制御方法及び装置
JP2003121227A (ja) 熱式流量計
JP7456404B2 (ja) 熱式センサ、及び熱式センサを用いた計測方法
JP3384209B2 (ja) 固体撮像素子の測定方法
RU2287208C2 (ru) Устройство для нагрева или охлаждения
US20210378058A1 (en) Heat trace characterization and control method and system
JP3100890B2 (ja) 赤外線検出装置
JP5167008B2 (ja) 結露量の制御可能な環境試験装置およびその結露量制御方法
JP2020193934A (ja) 熱伝導率測定装置及び熱伝導率測定システム
JP3243271B2 (ja) 温度制御装置
JP2004061215A (ja) 間欠駆動型可燃性ガス検出装置
JPH09152252A (ja) 結霜結露検知装置