JPH09151211A - ポリオレフィンの製造方法 - Google Patents

ポリオレフィンの製造方法

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JPH09151211A
JPH09151211A JP27702896A JP27702896A JPH09151211A JP H09151211 A JPH09151211 A JP H09151211A JP 27702896 A JP27702896 A JP 27702896A JP 27702896 A JP27702896 A JP 27702896A JP H09151211 A JPH09151211 A JP H09151211A
Authority
JP
Japan
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group
catalyst
aluminum
zirconium
compound
Prior art date
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Pending
Application number
JP27702896A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Nakazawa
理 中澤
Akira Sano
章 佐野
Kazuo Matsuura
一雄 松浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Oil Corp
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Publication date
Application filed by Nippon Oil Corp filed Critical Nippon Oil Corp
Priority to JP27702896A priority Critical patent/JPH09151211A/ja
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  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 分子量が高いポリオレフィン製造法の提供。 【解決手段】 下記に示す触媒(a)および触媒(b)
の存在下、オレフィンを重合または共重合する。 [触媒(a)]Me11 p(OR2q1 4-p-qで表され
る化合物、Me23 m(OR4n2 z-m-nで表される化
合物、環状で共役二重結合を2個以上持つ有機化合物及
びAl−O−Al結合を含む変性有機アルミニウム化合
物の4成分を相互に接触させて得られる触媒、 [触媒(b)]周期律表第IV〜VIII族の遷移金属、周期
律表第IV〜VIII族の遷移金属化合物、当該遷移金属化合
物とMe'R'm(OR")nX'z-m-nで表される化合物と
を接触させて得られる成分から選ばれる触媒、

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はポリオレフィンの新
規な製造方法に関する。本発明はさらに詳細には、従来
とは全く異なった方法で重合体の分子量を高めることを
可能にしたポリオレフィンの製造方法に関する。
【0002】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】ポリオ
レフィン、特にエチレン重合体又はエチレン・α−オレ
フィン共重合体を製造するに際して、重合体の分子量を
高めることは製品グレード幅を広くする上で重要な課題
である。重合体の分子量を高める方法としては、重合反
応において連鎖移動剤として作用する化合物、例えば水
素の量を減少させるか全く使用しないで重合させる方
法、あるいは重合温度または重合圧力により制御する方
法が一般的に行われている。本発明の目的は重合体の分
子量を高めるために,従来とは全く異なった方法を提供
することにある。
【0003】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、少
なくとも下記に示す触媒(a)および触媒(b)の存在
下、オレフィンを重合または共重合することを特徴とす
るポリオレフィンの製造方法に関する。 [触媒(a)]少なくとも、下記に示す(1)〜(4)
の各成分を相互に接触させて得られる触媒 (1)一般式Me11 p(OR2q1 4-p-qで表される
化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24の炭化
水素基、X1はハロゲン原子または水素原子、Me1はZ
r、TiまたはHfを示し、p及びqはそれぞれ0≦p
≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である)、 (2)一般式Me23 m(OR4n2 z-m-nで表される
化合物(式中、R3、R4は個別に炭素数1〜24の炭化
水素基、X2はハロゲン原子または水素原子、Me2は周
期律表第I〜III族元素、zはMe2の価数を示し、
m及びnはそれぞれ0<m≦z、0≦n≦zで、しかも
0<m+n≦zである) (3)環状で共役二重結合を2個以上持つ有機化合物、
および (4)Al−O−Al結合を含む変性有機アルミニウム
化合物 [触媒(b)]下記(ア)および(イ)から選ばれる触
媒 (ア)下記に示す(1) の成分からなる触媒、または
(1)および(2)の成分を接触させて得られる触媒 (1)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物(た
だし、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロ
ゲン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルア
セトナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホ
スフィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル
錯体の中から選ばれる化合物である) (2)一般式Me'R'm(OR")nX'z-m-nで表される
化合物(式中、R'、R"は個別に炭素数1〜24の炭化
水素基、X'はハロゲン原子または水素原子、Me'は周
期律表第I〜III族元素、zはMe'の価数を示し、
m及びnはそれぞれ0<m≦z、0≦n≦zで、しかも
0<m+n≦zである)または、 (イ)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属 また本発明は、少なくとも下記に示す触媒(a)および
触媒(b)の存在下、オレフィンを重合または共重合す
ることを特徴とするポリオレフィンの製造方法に関す
る。 [触媒(a)]少なくとも下記に示す(1)〜(5)の
各成分を相互に接触させて得られる触媒 (1)一般式Me11 p(OR2q1 4-p-qで表される
化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24の炭化
水素基、X1はハロゲン原子または水素原子、Me1はZ
r、TiまたはHfを示し、p及びqはそれぞれ0≦p
≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である)、 (2)一般式Me23 m(OR4n2 z-m-nで表される
化合物(式中、R3、R4は個別に炭素数1〜24の炭化
水素基、X2はハロゲン原子または水素原子、Me2は周
期律表第I〜III族元素、zはMe2の価数を示し、
m及びnはそれぞれ0<m≦z、0≦n≦zで、しかも
0<m+n≦zである) (3)環状で共役二重結合を2個以上持つ有機化合物、 (4)Al−O−Al結合を含む変性有機アルミニウム
化合物および (5)無機化合物担体および/または粒子状ポリマー担
体 [触媒(b)]下記(ア)および(イ)から選ばれる触
媒 (ア)下記に示す(1)の成分からなる触媒、または
(1)および(2)の成分を接触させて得られる触媒 (1)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物(た
だし、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロ
ゲン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルア
セトナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホ
スフィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル
錯体の中から選ばれる化合物である) (2)一般式Me'R'm(OR")nX'z-m-nで表される
化合物(式中、R'、R"は個別に炭素数1〜24の炭化
水素基、X'はハロゲン原子または水素原子、Me'は周
期律表第I〜III族元素、zはMe'の価数を示し、
m及びnはそれぞれ0<m≦z、0≦n≦zで、しかも
0<m+n≦zである)または、 (イ)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属
【0004】本発明の製造方法は、分子量が高く、分子
量分布が比較的広いポリオレフィンを製造でき、また共
重合体を製造する際には、その組成分布が狭いオレフィ
ン重合体または共重合体を高収率で得ることができる。
本発明はまた粒子性状が良好なポリオレフィンを提供で
きるものである。さらに、本発明の製造方法では、従来
とは全く異なった方法により重合体の分子量を高めるこ
とができ、従来の方法に比較しポリオレフィンの分子量
の制御などにさらに有利である等多くの特長を具備す
る。以下本発明について詳述する。本発明は前記オレフ
ィン類重合用触媒(a)および触媒(b)の存在下、オ
レフィン類を重合または共重合することによりポリオレ
フィンを製造する。まず、前記触媒(a)について説明
する。本発明において用いる触媒(a)は、前述のとお
り、 少なくとも、1)一般式Me11 p(OR2q1
4-p-qで表される化合物(成分(A))、2)一般式M
23 m(OR4n2 z-m-nで表される化合物(成分
(B))、3)環状で共役二重結合を2個以上持つ有機
化合物(成分(C))、および4)成分:Al−O−A
l結合を含む変性有機アルミニウム化合物(成分
(D))を含有する成分を相互に接触させることにより
得られる触媒である。また、さらに本発明において用い
る触媒において、前記成分(A)〜(D)を含有する成
分にさらに所望により5)無機化合物担体および/また
は粒子状ポリマー担体(成分(E))を相互に接触させ
ることにより得られる触媒(a)は本発明の種々の効果
をさらに高めることができる。以下順次これらの各成分
について詳述する。
【0005】まず成分(A)は 一般式 Me11 p(OR2q1 4-p-q で表される化合物である。式中において、R1及びR2
炭素数1〜24、好ましくは1〜12、さらに好ましく
は1〜8の炭化水素基を示すものであり、かかる炭化水
素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル
基、tert−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル
基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル
基、ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基などのアルキル基、ビニル基、
アリル基などのアルケニル基、フェニル基、トリル基、
キシリル基、メシチル基、インデニル基、ナフチル基な
どのアリール基、ベンジル基、トリチル基、フェネチル
基、スチリル基、ベンズヒドリル基、フェニルブチル
基、フェニルプロピル基、ネオフィル基などのアラルキ
ル基などが挙げられる。これらは分岐があってもよい。
1はフッ素、ヨウ素、塩素および臭素のハロゲン原
子、水素原子、Me1はZr、TiまたはHfを示し、
好ましくはZrである。p及びqはそれぞれ0≦p≦
4、0≦q≦4、0≦p+q≦4であり、好ましくは0
<p+q≦4の範囲を満たす整数である。
【0006】上記一般式で表される化合物としては、具
体的には、テトラメチルジルコニウム、テトラエチルジ
ルコニウム、テトラプロピルジルコニウム、テトラn−
ブチルジルコニウム、テトラペンチルジルコニウム、テ
トラフェニルジルコニウム、テトラトリルジルコニウ
ム、テトラベンジルジルコニウム、テトラアリルジルコ
ニウム、テトラネオフィルジルコニウム、テトラメトキ
シジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラ
プロポキシジルコニウム,テトライソプロポキシジルコ
ニウム,テトラブトキシジルコニウム、テトライソブト
キシジルコニウム,テトラtert−ブトキシジルコニ
ウム,テトラsec−ブトキシジルコニウム,テトラヘ
キシルオキシジルコニウム,シジルコニウム、テトラフ
ェノキシジルコニウム、テトラトリルオキシジルコニウ
ム、テトラベンジルオキシジルコニウム、テトラアリル
オキシジルコニウム、テトラネオフィルオキシジルコニ
ウム、トリメチルモノクロロジルコニウム、トリエチル
モノクロロジルコニウム、トリプロピルモノクロロジル
コニウム、トリn−ブチルモノクロロジルコニウム、ト
リペンチルモノクロロジルコニウム、トリフェニルモノ
クロロジルコニウム、トリトリルモノクロロジルコニウ
ム、トリベンジルモノクロロジルコニウム、トリアリル
モノクロロジルコニウム、トリネオフィルモノクロロジ
ルコニウム、ジメチルジクロロジルコニウム、ジエチル
ジクロロジルコニウム、ジプロピルジクロロジルコニウ
ム、ジn−ブチルジクロロジルコニウム、ジペンチルジ
クロロジルコニウム、ジフェニルジクロロジルコニウ
ム、ジトリルジクロロジルコニウム、ジベンジルジクロ
ロジルコニウム、ジアリルジクロロジルコニウム、ジネ
オフィルジクロロジルコニウム、モノメチルトリクロロ
ジルコニウム、モノエチルトリクロロジルコニウム、モ
ノプロピルトリクロロジルコニウム、モノn−ブチルト
リクロロジルコニウム、モノペンチルトリクロロジルコ
ニウム、モノフェニルトリクロロジルコニウム、モノト
リルトリクロロジルコニウム、モノベンジルトリクロロ
ジルコニウム、モノアリルトリクロロジルコニウム、モ
ノネオフィルトリクロロジルコニウム、テトラクロロジ
ルコニウム、トリメトキシモノクロロジルコニウム、ジ
メトキシジクロロジルコニウム、モノメトキシトリクロ
ロジルコニウム、トリエトキシモノクロロジルコニウ
ム、ジエトキシジクロロジルコニウム、モノエトキシト
リクロロジルコニウム、トリプロポキシモノクロロジル
コニウム、ジプロポキシジクロロジルコニウム、モノプ
ロポキシトリクロロジルコニウム、トリn−ブトキシモ
ノクロロジルコニウム、ジn−ブトキシジクロロジルコ
ニウム、モノn−ブトキシトリクロロジルコニウム、ト
リペンチルオキシモノクロロジルコニウム、ジペンチル
オキシジクロロジルコニウム、モノペンチルオキシトリ
クロロジルコニウム、トリフェノキシモノクロロジルコ
ニウム、ジフェノキシジクロロジルコニウム、モノフェ
ノキシトリクロロジルコニウム、トリトリルオキシモノ
クロロジルコニウム、ジトリルオキシジクロロジルコニ
ウム、モノトリルオキシトリクロロジルコニウム、トリ
ベンジルオキシモノクロロジルコニウム、ジベンジルオ
キシジクロロジルコニウム、モノベンジルオキシトリク
ロロジルコニウム、トリアリルオキシモノクロロジルコ
ニウム、ジアリルオキシジクロロジルコニウム、モノア
リルオキシトリクロロジルコニウム、トリネオフィルオ
キシモノクロロジルコニウム、ジネオフィルオキシジク
ロロジルコニウム、モノネオフィルオキシトリクロロジ
ルコニウム、テトラブロモジルコニウム、トリメチルモ
ノブロモジルコニウム、トリエチルモノブロモジルコニ
ウム、トリプロピルモノブロモジルコニウム、トリn−
ブチルモノブロモジルコニウム、トリペンチルモノブロ
モジルコニウム、トリフェニルモノブロモジルコニウ
ム、トリトリルモノブロモジルコニウム、トリベンジル
モノブロモジルコニウム、トリアリルモノブロモジルコ
ニウム、トリネオフィルモノブロモジルコニウム、ジメ
チルジブロモジルコニウム、ジエチルジブロモジルコニ
ウム、ジプロピルジブロモジルコニウム、ジn−ブチル
ジブロモジルコニウム、ジペンチルジブロモジルコニウ
ム、ジフェニルジブロモジルコニウム、ジトリルジブロ
モジルコニウム、ジベンジルジブロモジルコニウム、ジ
アリルジブロモジルコニウム、ジネオフィルジブロモジ
ルコニウム、モノメチルトリブロモジルコニウム、モノ
エチルトリブロモジルコニウム、モノプロピルトリブロ
モジルコニウム、モノn−ブチルトリブロモジルコニウ
ム、モノペンチルトリブロモジルコニウム、モノフェニ
ルトリブロモジルコニウム、モノトリルトリブロモジル
コニウム、モノベンジルトリブロモジルコニウム、モノ
アリルトリブロモジルコニウム、モノネオフィルトリブ
ロモジルコニウム、トリメトキシモノブロモジルコニウ
ム、ジメトキシジブロモジルコニウム、モノメトキシト
リブロモジルコニウム、トリエトキシモノブロモジルコ
ニウム、ジエトキシジブロモジルコニウム、モノエトキ
シトリブロモジルコニウム、トリプロポキシモノブロモ
ジルコニウム、ジプロポキシジブロモジルコニウム、モ
ノプロポキシトリブロモジルコニウム、トリn−ブトキ
シモノブロモジルコニウム、ジn−ブトキシジブロモジ
ルコニウム、モノn−ブトキシトリブロモジルコニウ
ム、トリペンチルオキシモノブロモジルコニウム、ジペ
ンチルオキシジブロモジルコニウム、モノペンチルオキ
シトリブロモジルコニウム、トリフェノキシモノブロモ
ジルコニウム、ジフェノキシジブロモジルコニウム、モ
ノフェノキシトリブロモジルコニウム、トリトリルオキ
シモノブロモジルコニウム、ジトリルオキシジブロモジ
ルコニウム、モノトリルオキシトリブロモジルコニウ
ム、トリベンジルオキシモノブロモジルコニウム、ジベ
ンジルオキシジブロモジルコニウム、モノベンジルオキ
シトリブロモジルコニウム、トリアリルオキシモノブロ
モジルコニウム、ジアリルオキシジブロモジルコニウ
ム、モノアリルオキシトリブロモジルコニウム、トリネ
オフィルオキシモノブロモジルコニウム、ジネオフィル
オキシジブロモジルコニウム、モノネオフィルオキシト
リブロモジルコニウム、テトラヨードジルコニウム、ト
リメチルモノヨードジルコニウム、トリエチルモノヨー
ドジルコニウム、トリプロピルモノヨードジルコニウ
ム、トリn−ブチルモノヨードジルコニウム、トリペン
チルモノヨードジルコニウム、トリフェニルモノヨード
ジルコニウム、トリトリルモノヨードジルコニウム、ト
リベンジルモノヨードジルコニウム、トリアリルモノヨ
ードジルコニウム、トリネオフィルモノヨードジルコニ
ウム、ジメチルジヨードジルコニウム、ジエチルジヨー
ドジルコニウム、ジプロピルジヨードジルコニウム、ジ
n−ブチルジヨードジルコニウム、ジペンチルジヨード
ジルコニウム、ジフェニルジヨードジルコニウム、ジト
リルジヨードジルコニウム、ジベンジルジヨードジルコ
ニウム、ジアリルジヨードジルコニウム、ジネオフィル
ジヨードジルコニウム、モノメチルトリヨードジルコニ
ウム、モノエチルトリヨードジルコニウム、モノプロピ
ルトリヨードジルコニウム、モノn−ブチルトリヨード
ジルコニウム、モノペンチルトリヨードジルコニウム、
モノフェニルトリヨードジルコニウム、モノトリルトリ
ヨードジルコニウム、モノベンジルトリヨードジルコニ
ウム、トリメトキシモノヨードジルコニウム、ジメトキ
シジヨードジルコニウム、モノメトキシトリヨードジル
コニウム、トリエトキシモノヨードジルコニウム、ジエ
トキシジヨードジルコニウム、モノエトキシトリヨード
ジルコニウム、トリプロポキシモノヨードジルコニウ
ム、ジプロポキシジヨードジルコニウム、モノプロポキ
シトリヨードジルコニウム、トリn−ブトキシモノヨー
ドジルコニウム、ジn−ブトキシジヨードジルコニウ
ム、モノn−ブトキシトリヨードジルコニウム、トリペ
ンチルオキシモノヨードジルコニウム、ジペンチルオキ
シジヨードジルコニウム、モノペンチルオキシトリヨー
ドジルコニウム、トリフェノキシモノヨードジルコニウ
ム、ジフェノキシジヨードジルコニウム、モノフェノキ
シトリヨードジルコニウム、トリトリルオキシモノヨー
ドジルコニウム、ジトリルオキシジヨードジルコニウ
ム、モノトリルオキシトリヨードジルコニウム、トリベ
ンジルオキシモノヨードジルコニウム、ジベンジルオキ
シジヨードジルコニウム、モノベンジルオキシトリヨー
ドジルコニウム、トリアリルオキシモノヨードジルコニ
ウム、ジアリルオキシジヨードジルコニウム、モノアリ
ルオキシトリヨードジルコニウム、トリネオフィルオキ
シモノヨードジルコニウム、ジネオフィルオキシジヨー
ドジルコニウム、モノネオフィルオキシトリヨードジル
コニウム、トリベンジルモノメトキシジルコニウム、ト
リベンジルモノエトキシジルコニウム、トリベンジルモ
ノプロポキシジルコニウム、トリベンジルモノブトキシ
ジルコニウム、トリベンジルモノペンチルオキシジルコ
ニウム、トリベンジルモノフェノキシジルコニウム、ト
リベンジルモノトリルオキシジルコニウム、トリベンジ
ルモノベンジルオキシジルコニウム、トリベンジルモノ
アリルオキシジルコニウム、トリベンジルモノネオフィ
ルオキシジルコニウム、ジベンジルジメトキシジルコニ
ウム、ジベンジルジエトキシジルコニウム、ジベンジル
ジプロポキシジルコニウム、ジベンジルジブトキシジル
コニウム、ジベンジルジペンチルオキシジルコニウム、
ジベンジルジフェノキシジルコニウム、ジベンジルジト
リルオキシジルコニウム、ジベンジルジベンジルオキシ
ジルコニウム、ジベンジルジアリルオキシジルコニウ
ム、ジベンジルジネオフィルオキシジルコニウム、モノ
ベンジルトリメトキシジルコニウム、モノベンジルトリ
エトキシジルコニウム、モノベンジルトリプロポキシジ
ルコニウム、モノベンジルトリブトキシジルコニウム、
モノベンジルトリペンチルオキシジルコニウム、モノベ
ンジルトリフェノキシジルコニウム、モノベンジルトリ
トリルオキシジルコニウム、モノベンジルトリベンジル
オキシジルコニウム、モノベンジルトリアリルオキシジ
ルコニウム、モノベンジルトリネオフィルオキシジルコ
ニウム、トリネオフィルモノメトキシジルコニウム、ト
リネオフィルモノエトキシジルコニウム、トリネオフィ
ルモノプロポキシジルコニウム、トリネオフィルモノブ
トキシジルコニウム、トリネオフィルモノフェノキシジ
ルコニウム、ジネオフィルジメトキシジルコニウム、ジ
ネオフィルジエトキシジルコニウム、ジネオフィルジプ
ロポキシジルコニウム、ジネオフィルジブトキシジルコ
ニウム、ジネオフィルジフェノキシジルコニウム、モノ
ネオフィルトリメトキシジルコニウム、モノネオフィル
トリエトキシジルコニウム、モノネオフィルトリプロポ
キシジルコニウム、モノネオフィルトリブトキシジルコ
ニウム、モノネオフィルトリフェノキシジルコニウム、
ジルコニウムテトラハイドライド、ジルコニウムモノハ
イドライドトリメトキサイド、ジルコニウムモノハイド
ライドトリエトキサイド、ジルコニウムモノハイドライ
ドトリプロポキサイド、ジルコニウムモノハイドライド
トリブトキサイド、ジルコニウムジハイドライドジメト
キサイド、ジルコニウムジハイドライドジエトキサイ
ド、ジルコニウムジハイドライドジプロポキサイド、ジ
ルコニウムジハイドライドジブトキサイド、ジルコニウ
ムトリハイドライドモノメトキサイド、ジルコニウムト
リハイドライドモノエトキサイド、ジルコニウムトリハ
イドライドモノプロポキサイド、ジルコニウムトリハイ
ドライドモノブトキサイド、ジルコニウムモノハイドラ
イドトリクロライド、ジルコニウムモノハイドライドト
リブロマイド、ジルコニウムモノハイドライドトリアイ
オダイド、ジルコニウムモノハイドライドトリフルオラ
イド、ジルコニウムジハイドライドジクロライド、ジル
コニウムジハイドライドジブロマイド、ジルコニウムジ
ハイドライドジアイオダイド、ジルコニウムジハイドラ
イドジフルオライド、ジルコニウムトリハイドライドモ
ノクロライド、ジルコニウムトリハイドライドモノブロ
マイド、ジルコニウムトリハイドライドモノアイオダイ
ド、ジルコニウムトリハイドライドモノフルオライド、
ジルコニウムモノハイドライドトリメチル、ジルコニウ
ムモノハイドライドトリベンジル、ジルコニウムモノハ
イドライドトリフェニル、ジルコニウムジハイドライド
ジメチル、ジルコニウムジハイドライドジベンジル、ジ
ルコニウムジハイドライドジフェニル、ジルコニウムト
リハイドライドモノメチル、ジルコニウムトリハイドラ
イドモノベンジル、ジルコニウムトリハイドライドモノ
フェニル、ジルコニウムモノハイドライドジメトキサイ
ドモノクロライド、ジルコニウムモノハイドライドジエ
トキサイドモノクロライド、ジルコニウムモノハイドラ
イドジプロポキサイドモノクロライド、ジルコニウムモ
ノハイドライドジブトキサイドモノクロライド、ジルコ
ニウムジハイドライドモノメトキサイドモノクロライ
ド、ジルコニウムジハイドライドモノエトキサイドモノ
クロライド、ジルコニウムジハイドライドモノプロポキ
サイドモノクロライド、ジルコニウムジハイドライドモ
ノブトキサイドモノクロライド、ジルコニウムモノハイ
ドライドジメトキサイドモノメチル、ジルコニウムモノ
ハイドライドジエトキサイドモノベンジル、ジルコニウ
ムモノハイドライドジプロポキサイドモノフェニル、ジ
ルコニウムジハイドライドモノメトキサイドモノメチ
ル、ジルコニウムジハイドライドモノエトキサイドモノ
ベンジル、ジルコニウムジハイドライドモノプロポキサ
イドモノフェニル、ジルコニウムモノハイドライドモノ
メトキサイドモノクロライドモノベンジル、ジルコニウ
ムモノハイドライドモノメトキサイドモノクロライドモ
ノフェニル、ジルコニウムモノハイドライドモノメトキ
サイドモノクロライドモノメチル、テトラメチルチタニ
ウム、テトラエチルチタニウム、テトラプロピルチタニ
ウム、テトラn−ブチルチタニウム、テトラペンチルチ
タニウム、テトラフェニルチタニウム、テトラトリルチ
タニウム、テトラベンジルチタニウム、テトラアリルチ
タニウム、テトラネオフィルチタニウム、テトラメトキ
シチタニウム、テトラエトキシチタニウム、テトラプロ
ポキシチタニウム、テトラブトキシチタニウム、テトラ
ペンチルオキシチタニウム、テトラフェノキシチタニウ
ム、テトラトリルオキシチタニウム、テトラベンジルオ
キシチタニウム、テトラアリルオキシチタニウム、テト
ラネオフィルオキシチタニウム、トリメチルモノクロロ
チタニウム、トリエチルモノクロロチタニウム、トリプ
ロピルモノクロロチタニウム、トリn−ブチルモノクロ
ロチタニウム、トリベンジルモノクロロチタニウム、ジ
メチルジクロロチタニウム、ジエチルジクロロチタニウ
ム、ジn−ブチルジクロロチタニウム、ジベンジルジク
ロロチタニウム、モノメチルトリクロロチタニウム、モ
ノエチルトリクロロチタニウム、モノn−ブチルトリク
ロロチタニウム、モノベンジルトリクロロチタニウム、
テトラクロロチタニウム、トリメトキシモノクロロチタ
ニウム、ジメトキシジクロロチタニウム、モノメトキシ
トリクロロチタニウム、トリエトキシモノクロロチタニ
ウム、ジエトキシジクロロチタニウム、モノエトキシト
リクロロチタニウム、トリプロポキシモノクロロチタニ
ウム、ジプロポキシジクロロチタニウム、モノプロポキ
シトリクロロチタニウム、トリn−ブトキシモノクロロ
チタニウム、ジn−ブトキシジクロロチタニウム、モノ
n−ブトキシトリクロロチタニウム、トリペンチルオキ
シモノクロロチタニウム、ジペンチルオキシジクロロチ
タニウム、モノペンチルオキシトリクロロチタニウム、
トリフェノキシモノクロロチタニウム、ジフェノキシジ
クロロチタニウム、モノフェノキシトリクロロチタニウ
ム、トリトリルオキシモノクロロチタニウム、ジトリル
オキシジクロロチタニウム、モノトリルオキシトリクロ
ロチタニウム、トリベンジルオキシモノクロロチタニウ
ム、ジベンジルオキシジクロロチタニウム、モノベンジ
ルオキシトリクロロチタニウム、テトラブロモチタニウ
ム、トリメチルモノブロモチタニウム、トリエチルモノ
ブロモチタニウム、トリプロピルモノブロモチタニウ
ム、トリn−ブチルモノブロモチタニウム、トリベンジ
ルモノブロモチタニウム、ジメチルジブロモチタニウ
ム、ジエチルジブロモチタニウム、ジn−ブチルジブロ
モチタニウム、ジベンジルジブロモチタニウム、モノメ
チルトリブロモチタニウム、モノエチルトリブロモチタ
ニウム、モノn−ブチルトリブロモチタニウム、モノベ
ンジルトリブロモチタニウム、トリメトキシモノブロモ
チタニウム、ジメトキシジブロモチタニウム、モノメト
キシトリブロモチタニウム、トリエトキシモノブロモチ
タニウム、ジエトキシジブロモチタニウム、モノエトキ
シトリブロモチタニウム、トリプロポキシモノブロモチ
タニウム、ジプロポキシジブロモチタニウム、モノプロ
ポキシトリブロモチタニウム、トリn−ブトキシモノブ
ロモチタニウム、ジn−ブトキシジブロモチタニウム、
モノn−ブトキシトリブロモチタニウム、トリペンチル
オキシモノブロモチタニウム、ジペンチルオキシジブロ
モチタニウム、モノペンチルオキシトリブロモチタニウ
ム、トリフェノキシモノブロモチタニウム、ジフェノキ
シジブロモチタニウム、モノフェノキシトリブロモチタ
ニウム、トリトリルオキシモノブロモチタニウム、ジト
リルオキシジブロモチタニウム、モノトリルオキシトリ
ブロモチタニウム、トリベンジルオキシモノブロモチタ
ニウム、ジベンジルオキシジブロモチタニウム、モノベ
ンジルオキシトリブロモチタニウム、テトラヨードチタ
ニウム、トリメチルモノヨードチタニウム、トリエチル
モノヨードチタニウム、トリプロピルモノヨードチタニ
ウム、トリn−ブチルモノヨードチタニウム、トリベン
ジルモノヨードチタニウム、ジメチルジヨードチタニウ
ム、ジエチルジヨードチタニウム、ジn−ブチルジヨー
ドチタニウム、ジベンジルジヨードチタニウム、モノメ
チルトリヨードチタニウム、モノエチルトリヨードチタ
ニウム、モノn−ブチルトリヨードチタニウム、モノベ
ンジルトリヨードチタニウム、トリメトキシモノヨード
チタニウム、ジメトキシジヨードチタニウム、モノメト
キシトリヨードチタニウム、トリエトキシモノヨードチ
タニウム、ジエトキシジヨードチタニウム、モノエトキ
シトリヨードチタニウム、トリプロポキシモノヨードチ
タニウム、ジプロポキシジヨードチタニウム、モノプロ
ポキシトリヨードチタニウム、トリn−ブトキシモノヨ
ードチタニウム、ジn−ブトキシジヨードチタニウム、
モノn−ブトキシトリヨードチタニウム、トリペンチル
オキシモノヨードチタニウム、ジペンチルオキシジヨー
ドチタニウム、モノペンチルオキシトリヨードチタニウ
ム、トリフェノキシモノヨードチタニウム、ジフェノキ
シジヨードチタニウム、モノフェノキシトリヨードチタ
ニウム、トリトリルオキシモノヨードチタニウム、ジト
リルオキシジヨードチタニウム、モノトリルオキシトリ
ヨードチタニウム、トリベンジルオキシモノヨードチタ
ニウム、ジベンジルオキシジヨードチタニウム、モノベ
ンジルオキシトリヨードチタニウム、トリベンジルモノ
メトキシチタニウム、トリベンジルモノエトキシチタニ
ウム、トリベンジルモノプロポキシチタニウム、トリベ
ンジルモノブトキシチタニウム、トリベンジルモノフェ
ノキシチタニウム、ジベンジルジメトキシチタニウム、
ジベンジルジエトキシチタニウム、ジベンジルジプロポ
キシチタニウム、ジベンジルジブトキシチタニウム、ジ
ベンジルジフェノキシチタニウム、モノベンジルトリメ
トキシチタニウム、モノベンジルトリエトキシチタニウ
ム、モノベンジルトリプロポキシチタニウム、モノベン
ジルトリブトキシチタニウム、モノベンジルトリフェノ
キシチタニウム、トリネオフィルモノメトキシチタニウ
ム、トリネオフィルモノエトキシチタニウム、トリネオ
フィルモノプロポキシチタニウム、トリネオフィルモノ
ブトキシチタニウム、トリネオフィルモノフェノキシチ
タニウム、ジネオフィルジメトキシチタニウム、ジネオ
フィルジエトキシチタニウム、ジネオフィルジプロポキ
シチタニウム、ジネオフィルジブトキシチタニウム、ジ
ネオフィルジフェノキシチタニウム、モノネオフィルト
リメトキシチタニウム、モノネオフィルトリエトキシチ
タニウム、モノネオフィルトリプロポキシチタニウム、
モノネオフィルトリブトキシチタニウム、モノネオフィ
ルトリフェノキシチタニウム、テトラメチルハフニウ
ム、テトラエチルハフニウム、テトラプロピルハフニウ
ム、テトラn−ブチルハフニウム、テトラペンチルハフ
ニウム、テトラフェニルハフニウム、テトラトリルハフ
ニウム、テトラベンジルハフニウム、テトラアリルハフ
ニウム、テトラネオフィルハフニウム、テトラメトキシ
ハフニウム、テトラエトキシハフニウム、テトラプロポ
キシハフニウム、テトラブトキシハフニウム、テトラペ
ンチルオキシハフニウム、テトラフェノキシハフニウ
ム、テトラトリルオキシハフニウム、テトラベンジルオ
キシハフニウム、テトラアリルオキシハフニウム、テト
ラネオフィルオキシハフニウム、トリメチルモノクロロ
ハフニウム、トリエチルモノクロロハフニウム、トリプ
ロピルモノクロロハフニウム、トリn−ブチルモノクロ
ロハフニウム、トリベンジルモノクロロハフニウム、ジ
メチルジクロロハフニウム、ジエチルジクロロハフニウ
ム、ジn−ブチルジクロロハフニウム、ジベンジルジク
ロロハフニウム、モノメチルトリクロロハフニウム、モ
ノエチルトリクロロハフニウム、モノn−ブチルトリク
ロロハフニウム、モノベンジルトリクロロハフニウム、
テトラクロロハフニウム、トリメトキシモノクロロハフ
ニウム、ジメトキシジクロロハフニウム、モノメトキシ
トリクロロハフニウム、トリエトキシモノクロロハフニ
ウム、ジエトキシジクロロハフニウム、モノエトキシト
リクロロハフニウム、トリプロポキシモノクロロハフニ
ウム、ジプロポキシジクロロハフニウム、モノプロポキ
シトリクロロハフニウム、トリn−ブトキシモノクロロ
ハフニウム、ジn−ブトキシジクロロハフニウム、モノ
n−ブトキシトリクロロハフニウム、トリペンチルオキ
シモノクロロハフニウム、ジペンチルオキシジクロロハ
フニウム、モノペンチルオキシトリクロロハフニウム、
トリフェノキシモノクロロハフニウム、ジフェノキシジ
クロロハフニウム、モノフェノキシトリクロロハフニウ
ム、トリトリルオキシモノクロロハフニウム、ジトリル
オキシジクロロハフニウム、モノトリルオキシトリクロ
ロハフニウム、トリベンジルオキシモノクロロハフニウ
ム、ジベンジルオキシジクロロハフニウム、モノベンジ
ルオキシトリクロロハフニウム、テトラブロモハフニウ
ム、トリメチルモノブロモハフニウム、トリエチルモノ
ブロモハフニウム、トリプロピルモノブロモハフニウ
ム、トリn−ブチルモノブロモハフニウム、トリベンジ
ルモノブロモハフニウム、ジメチルジブロモハフニウ
ム、ジエチルジブロモハフニウム、ジn−ブチルジブロ
モハフニウム、ジベンジルジブロモハフニウム、モノメ
チルトリブロモハフニウム、モノエチルトリブロモハフ
ニウム、モノn−ブチルトリブロモハフニウム、モノベ
ンジルトリブロモハフニウム、トリメトキシモノブロモ
ハフニウム、ジメトキシジブロモハフニウム、モノメト
キシトリブロモハフニウム、トリエトキシモノブロモハ
フニウム、ジエトキシジブロモハフニウム、モノエトキ
シトリブロモハフニウム、トリプロポキシモノブロモハ
フニウム、ジプロポキシジブロモハフニウム、モノプロ
ポキシトリブロモハフニウム、トリn−ブトキシモノブ
ロモハフニウム、ジn−ブトキシジブロモハフニウム、
モノn−ブトキシトリブロモハフニウム、トリペンチル
オキシモノブロモハフニウム、ジペンチルオキシジブロ
モハフニウム、モノペンチルオキシトリブロモハフニウ
ム、トリフェノキシモノブロモハフニウム、ジフェノキ
シジブロモハフニウム、モノフェノキシトリブロモハフ
ニウム、トリトリルオキシモノブロモハフニウム、ジト
リルオキシジブロモハフニウム、モノトリルオキシトリ
ブロモハフニウム、トリベンジルオキシモノブロモハフ
ニウム、ジベンジルオキシジブロモハフニウム、モノベ
ンジルオキシトリブロモハフニウム、テトラヨードハフ
ニウム、トリメチルモノヨードハフニウム、トリエチル
モノヨードハフニウム、トリプロピルモノヨードハフニ
ウム、トリn−ブチルモノヨードハフニウム、トリベン
ジルモノヨードハフニウム、ジメチルジヨードハフニウ
ム、ジエチルジヨードハフニウム、ジn−ブチルジヨー
ドハフニウム、ジベンジルジヨードハフニウム、モノメ
チルトリヨードハフニウム、モノエチルトリヨードハフ
ニウム、モノn−ブチルトリヨードハフニウム、モノベ
ンジルトリヨードハフニウム、トリメトキシモノヨード
ハフニウム、ジメトキシジヨードハフニウム、モノメト
キシトリヨードハフニウム、トリエトキシモノヨードハ
フニウム、ジエトキシジヨードハフニウム、モノエトキ
シトリヨードハフニウム、トリプロポキシモノヨードハ
フニウム、ジプロポキシジヨードハフニウム、モノプロ
ポキシトリヨードハフニウム、トリn−ブトキシモノヨ
ードハフニウム、ジn−ブトキシジヨードハフニウム、
モノn−ブトキシトリヨードハフニウム、トリペンチル
オキシモノヨードハフニウム、ジペンチルオキシジヨー
ドハフニウム、モノペンチルオキシトリヨードハフニウ
ム、トリフェノキシモノヨードハフニウム、ジフェノキ
シジヨードハフニウム、モノフェノキシトリヨードハフ
ニウム、トリトリルオキシモノヨードハフニウム、ジト
リルオキシジヨードハフニウム、モノトリルオキシトリ
ヨードハフニウム、トリベンジルオキシモノヨードハフ
ニウム、ジベンジルオキシジヨードハフニウム、モノベ
ンジルオキシトリヨードハフニウム、トリベンジルモノ
メトキシハフニウム、トリベンジルモノエトキシハフニ
ウム、トリベンジルモノプロポキシハフニウム、トリベ
ンジルモノブトキシハフニウム、トリベンジルモノフェ
ノキシハフニウム、ジベンジルジメトキシハフニウム、
ジベンジルジエトキシハフニウム、ジベンジルジプロポ
キシハフニウム、ジベンジルジブトキシハフニウム、ジ
ベンジルジフェノキシハフニウム、モノベンジルトリメ
トキシハフニウム、モノベンジルトリエトキシハフニウ
ム、モノベンジルトリプロポキシハフニウム、モノベン
ジルトリブトキシハフニウム、モノベンジルトリフェノ
キシハフニウム、トリネオフィルモノメトキシハフニウ
ム、トリネオフィルモノエトキシハフニウム、トリネオ
フィルモノプロポキシハフニウム、トリネオフィルモノ
ブトキシハフニウム、トリネオフィルモノフェノキシハ
フニウム、ジネオフィルジメトキシハフニウム、ジネオ
フィルジエトキシハフニウム、ジネオフィルジプロポキ
シハフニウム、ジネオフィルジブトキシハフニウム、ジ
ネオフィルジフェノキシハフニウム、モノネオフィルト
リメトキシハフニウム、モノネオフィルトリエトキシハ
フニウム、モノネオフィルトリプロポキシハフニウム、
モノネオフィルトリブトキシハフニウム、モノネオフィ
ルトリフェノキシハフニウム、などがある。 もちろ
ん、上記成分(1)として具体例として挙げたこれらの
化合物においては、前記R1、R2がn−のみならずis
o−、s−、t−、neo−等の各種構造異性基である
場合も包含しているものである。これら具体的化合物の
なかでもテトラメチルジルコニウム、テトラエチルジル
コニウム、テトラベンジルジルコニウム、テトラエトキ
シジルコニウム、テトラプロポキシジルコニウム、テト
ラブトキシジルコニウム、テトラブトキシチタン、テト
ラブトキシハフニウムが好ましい。特に好ましくはテト
ラエトキシジルコニウム、テトラプロポキシジルコニウ
ム、テトラブトキシジルコニウムなどのZr(OR)4
化合物[R=アルキル基]である。これらの化合物は2
種以上混合して用いることも可能である。
【0007】成分(B)は下記の一般式で表される化合
物である。 一般式 Me23 m(OR4n2 z-m-n 式中、Me2は周期律表第I〜III族元素のいずれか
を示し、これにはリチウム、ナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム、亜鉛、ホウ素、アルミニウム
などが包含され、特にIII族が望ましい。R3、R4
炭素数1〜24、好ましくは1〜12、さらに好ましく
は1〜8の炭化水素基を示し、これにはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル
基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル
基、ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基などの
アルキル基;ビニル基、アリル基などのアルケニル基、
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、イン
デニル基、ナフチル基などのアリール基;ベンジル基、
トリチル基、フェネチル基、スチリル基、ベンズヒドリ
ル基、フェニルブチル基、フェニルプロピル基、ネオフ
ィル基などのアラルキル基などが包含される。これらは
分岐があってもよい。X 2 はフッ素、ヨウ素、塩素又は
臭素のハロゲン原子または水素原子を示す。但し、2
が水素原子の場合、Me2 はホウ素、アルミニウムなど
で例示される周期律表第III族元素である。z はMe
2 の価数を示し、m 及びn は0≦m≦z 、0≦n ≦z 、
0<m +n ≦z の関係にある。
【0008】成分(B)として使用可能な化合物の具体
例を挙げれば、メチルリチウム、エチルリチウム、プロ
ピルリチウム、イソプロピルリチウム、ブチルリチウ
ム、t−ブチルリチウム、ペンチルリチウム、オクチル
リチウム、フェニルリチウム、ベンジルリチウム、ジメ
チルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジn−プロ
ピルマグネシウム、ジイソプロピルマグネシウム、ジブ
チルマグネシウム、ジt−ブチルマグネシウム、ジペン
チルマグネシウム、ジオクチルマグネシウム、ジフェニ
ルマグネシウム、ジベンジルマグネシウム、メチルマグ
ネシウムクロライド、エチルマグネシウムクロライド、
プロピルマグネシウムクロライド、イソプロピルマグネ
シウムクロライド、ブチルマグネシウムクロライド、t
−ブチルマグネシウムクロライド、ペンチルマグネシウ
ムクロライド、オクチルマグネシウムクロライド、フェ
ニルマグネシウムクロライド、ベンジルマグネシウムク
ロライド、メチルマグネシウムブロマイド、メチルマグ
ネシウムアイオダイド、エチルマグネシウムブロマイ
ド、エチルマグネシウムアイオダイド、プロピルマグネ
シウムブロマイド、プロピルマグネシウムアイオダイ
ド、イソプロピルマグネシウムブロマイド、イソプロピ
ルマグネシウムアイオダイド、ブチルマグネシウムブロ
マイド、ブチルマグネシウムアイオダイド、t−ブチル
マグネシウムブロマイド、t−ブチルマグネシウムアイ
オダイド、ペンチルマグネシウムブロマイド、ペンチル
マグネシウムアイオダイド、オクチルマグネシウムブロ
マイド、オクチルマグネシウムアイオダイド、フェニル
マグネシウムブロマイド、フェニルマグネシウムアイオ
ダイド、ベンジルマグネシウムブロマイド、ベンジルマ
グネシウムアイオダイド、ジメチル亜鉛、ジエチル亜
鉛、ジプロピル亜鉛、ジイソプロピル亜鉛、ジn−ブチ
ル亜鉛、ジt−ブチル亜鉛、ジペンチル亜鉛、ジオクチ
ル亜鉛、ジフェニル亜鉛、ジベンジル亜鉛、トリメチル
ボロン、トリエチルボロン、トリプロピルボロン、トリ
イソプロピルボロン、トリブチルボロン、トリt−ブチ
ルボロン、トリペンチルボロン、トリオクチルボロン、
トリフェニルボロン、トリベンジルボロン、トリメチル
アルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジエチルアル
ミニウムクロライド、ジエチルアルミニウムブロマイ
ド、ジエチルアルミニウムフルオライド、ジエチルアル
ミニウムアイオダイド、エチルアルミニウムジクロライ
ド、エチルアルミニウムジブロマイド、エチルアルミニ
ウムジフルオライド、エチルアルミニウムジアイオダイ
ド、トリプロピルアルミニウム、ジプロピルアルミニウ
ムクロライド、ジプロピルアルミニウムブロマイド、ジ
プロピルアルミニウムフルオライド、ジプロピルアルミ
ニウムアイオダイド、プロピルアルミニウムジクロライ
ド、プロピルアルミニウムジブロマイド、プロピルアル
ミニウムジフルオライド、プロピルアルミニウムジアイ
オダイド、トリイソプロピルアルミニウム、ジイソプロ
ピルアルミニウムクロライド、ジイソプロピルアルミニ
ウムブロマイド、ジイソプロピルアルミニウムフルオラ
イド、ジイソプロピルアルミニウムアイオダイド、エチ
ルアルミニウムセスキクロライド、エチルアルミニウム
セスキブロマイド、プロピルアルミニウムセスキクロラ
イド、プロピルアルミニウムセスキブロマイド、ブチル
アルミニウムセスキクロライド、ブチルアルミニウムセ
スキブロマイド、イソプロピルアルミニウムジクロライ
ド、イソプロピルアルミニウムジブロマイド、イソプロ
ピルアルミニウムジフルオライド、イソプロピルアルミ
ニウムジアイオダイド、トリブチルアルミニウム、ジブ
チルアルミニウムクロライド、ジブチルアルミニウムブ
ロマイド、ジブチルアルミニウムフルオライド、ジブチ
ルアルミニウムアイオダイド、ブチルアルミニウムジク
ロライド、ブチルアルミニウムジブロマイド、ブチルア
ルミニウムジフルオライド、ブチルアルミニウムジアイ
オダイド、トリsec−ブチルアルミニウム、ジsec
−ブチルアルミニウムクロライド、ジsec−ブチルア
ルミニウムブロマイド、ジsec−ブチルアルミニウム
フルオライド、ジsec−ブチルアルミニウムアイオダ
イド、sec−ブチルアルミニウムジクロライド、se
c−ブチルアルミニウムジブロマイド、sec−ブチル
アルミニウムジフルオライド、sec−ブチルアルミニ
ウムジアイオダイド、トリtert−ブチルアルミニウ
ム、ジtert−ブチルアルミニウムクロライド、ジt
ert−ブチルアルミニウムブロマイド、ジtert−
ブチルアルミニウムフルオライド、ジtert−ブチル
アルミニウムアイオダイド、tert−ブチルアルミニ
ウムジクロライド、tert−ブチルアルミニウムジブ
ロマイド、tert−ブチルアルミニウムジフルオライ
ド、tert−ブチルアルミニウムジアイオダイド、ト
リイソブチルアルミニウム、ジイソブチルアルミニウム
クロライド、ジイソブチルアルミニウムブロマイド、ジ
イソブチルアルミニウムフルオライド、ジイソブチルア
ルミニウムアイオダイド、イソブチルアルミニウムジク
ロライド、イソブチルアルミニウムジブロマイド、イソ
ブチルアルミニウムジフルオライド、イソブチルアルミ
ニウムジアイオダイド、トリヘキシルアルミニウム、ジ
ヘキシルアルミニウムクロライド、ジヘキシルアルミニ
ウムブロマイド、ジヘキシルアルミニウムフルオライ
ド、ジヘキシルアルミニウムアイオダイド、ヘキシルア
ルミニウムジクロライド、ヘキシルアルミニウムジブロ
マイド、ヘキシルアルミニウムジフルオライド、ヘキシ
ルアルミニウムジアイオダイド、トリペンチルアルミニ
ウム、ジペンチルアルミニウムクロライド、ジペンチル
アルミニウムブロマイド、ジペンチルアルミニウムフル
オライド、ジペンチルアルミニウムアイオダイド、ペン
チルアルミニウムジクロライド、ペンチルアルミニウム
ジブロマイド、ペンチルアルミニウムジフルオライド、
トリデシルアルミニウムペンチルアルミニウムジアイオ
ダイド、メチルアルミニウムジメトキシド、メチルアル
ミニウムジエトキシド、メチルアルミニウムジプロポキ
シド、メチルアルミニウムジブトキシド、ジメチルアル
ミニウムメトキシド、ジメチルアルミニウムエトキシ
ド、ジメチルアルミニウムプロポキシド、ジメチルアル
ミニウムブトキシド、エチルアルミニウムジメトキシ
ド、エチルアルミニウムジエトキシド、エチルアルミニ
ウムジプロポキシド、エチルアルミニウムジブトキシ
ド、ジエチルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミ
ニウムエトキシド、ジエチルアルミニウムプロポキシ
ド、ジエチルアルミニウムブトキシド、プロピルアルミ
ニウムジメトキシド、プロピルアルミニウムジエトキシ
ド、プロピルアルミニウムジプロポキシド、プロピルア
ルミニウムジブトキシド、ジプロピルアルミニウムメト
キシド、ジプロピルアルミニウムエトキシド、ジプロピ
ルアルミニウムプロポキシド、ジプロピルアルミニウム
ブトキシド、ブチルアルミニウムジメトキシド、ブチル
アルミニウムジエトキシド、ブチルアルミニウムジプロ
ポキシド、ブチルアルミニウムジブトキシド、ジブチル
アルミニウムメトキシド、ジブチルアルミニウムエトキ
シド、ジブチルアルミニウムプロポキシド、ジブチルア
ルミニウムブトキシド、ジメチルアルミニウムハイドラ
イド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプロピル
アルミニウムハイドライド、ジイソプロピルアルミニウ
ムハイドライド、ジブチルアルミニウムハイドライド、
ジイソブチルアルミニウムハイドライド、ジヘキシルア
ルミニウムハイドライド、ジシクロヘキシルアルミニウ
ムハイドライド、メチルアルミニウムジハイドライド、
エチルアルミニウムジハイドライド、プロピルアルミニ
ウムジハイドライド、イソプロピルアルミニウムジハイ
ドライド、ブチルアルミニウムジハイドライド、イソブ
チルアルミニウムジハイドライド、ヘキシルアルミニウ
ムジハイドライド、シクロヘキシルアルミニウムジハイ
ドライドなどが挙げられる。上記した各化合物は2種以
上を混合して使用することができる。上記の化合物のな
かにあって、成分(B)として好ましい化合物は、トリ
メチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジエチ
ルアルミニウムクロライド、トリプロピルアルミニウ
ム、トリイソプロピルアルミニウム、トリブチルアルミ
ニウム、トリ-sec- ブチルアルミニウム、トリ-tert-ブ
チルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ
ヘキシルアルミニウム、トリペンチルアルミニウム、ジ
イソブチルアルミニウムハイドライド、トリデシルアル
ミニウム、ジエチル亜鉛、n−ブチルリチウム、ブチル
マグネシウムクロリドなどである。
【0009】(C)環状で共役二重結合を2個以上持つ
化合物 成分(C)として使用可能な化合物を例示すると、 共役二重結合を2個以上、好ましくは2〜4個、さら
に好ましくは2〜3個有する炭素環を1個または2個以
上有し、全炭素数が4〜24、好ましくは4〜12であ
る環状炭化水素化合物、 上記の環状炭化水素化合物が1〜6個の炭化水素基
(典型的には、炭素数1〜12のアルキル基またはアラ
ルキル基)で部分的に置換された環状炭化水素化合物、 共役二重結合を2個以上、好ましくは2〜4個、さら
に好ましくは2〜3個有する炭素環を1個または2個以
上有し、全炭素数が4〜24、好ましくは4〜12であ
る環状炭化水素基を有する有機ケイ素化合物、 上記の環状炭化水素基の水素が、1〜6個の炭化水
素基で部分的に置換された環状炭化水素基を有機ケイ素
化合物、 上記〜で示す化合物のアルカリ金属塩(ナトリウ
ム塩またはリチウム塩)、 を挙げることができる。これらの各化合物のなかでは、
分子中にシクロペンタジエン構造を持つものが好まし
い。成分(C)として好適な環状炭化水素化合物の一つ
は、次の化1で示す一般式で表される。
【化1】 [式中、R5、R6、R7、R8、R9は個別に水素または
炭素数1〜10の炭化水素基を示し、その炭化水素基の
任意の2つは共同して環状炭化水素基を形成することが
できる。] 化1の炭化水素基には、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、t−ブチル、ヘキシル、オクチルなどのアルキル
基、フェニルなどのアリール基、メトキシ、エトキシ、
プロポキシなどのアルコキシ基、フェノキシなどのアリ
ールオキシ基、ベンジルなどのアラルキル基が包含され
る。また、化1の炭化水素基の任意の2つが共同して環
状炭化水素基を形成した場合、その骨格としてはシクロ
ヘプタトリエン、アリールおよびそれらの縮合環があ
る。化1で示される環状炭化水素化合物のなかで、好適
なものとしては、シクロペンタジエン、インデン、アズ
レンなどの外、これらに炭素数1〜10のアルキル、ア
リール、アラルキル、アルコキシまたはアリールオキシ
が置換した各誘導体などがある。また、環状炭化水素基
を有する有機ケイ素化合物は、下記の一般式で表示する
ことができる。 (Cp)r SiR10 s3 4-r-s ここで、Cpはシクロペンタジエニル基、置換シクロペ
ンタジエニル基、インデニル基、置換インデニル基で例
示される前記環状炭化水素基を示し、R10メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t−
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基などの
アルキル基;ビニル基、アリル基などのアルケニル基;
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基な
どのアルコキシ基;フェニル基、トリル基、キシリル基
などのアリール基;フェノキシ基などのアリールオキシ
基;ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、ネオフィ
ル基などのアラルキル基で例示されるような、炭素数1
〜24、好ましくは1〜12の炭化水素残基または水素
を示し、R10はn−のみならずiso−,s−,t−,
neo−等の各種構造異性基である場合も包含している
ものである。X3 はフッ素、ヨウ素、塩素または臭素の
ハロゲン原子を示し、r およびs は0<r ≦4、0≦s
≦3の範囲であり、好ましくは1≦r +s ≦4である。
【0010】従って、成分(C)として使用可能な有機
環状炭化水素化合物には、次のような化合物が包含され
る。シクロペンタジエン、メチルシクロペンタジエン、
エチルシクロペンタジエン、プロピルシクロペンタジエ
ン,イソプロピルシクロペンタジエン,ブチルシクロペ
ンタジエン,イソブチルシクロペンタジエン,sec−
ブチルシクロペンタジエン,t−ブチルシクロペンタジ
エン、ヘキシルシクロペンタジエン、オクチルシクロペ
ンタジエン、1,2−ジメチルシクロペンタジエン、
1,3−ジメチルシクロペンタジエン、1−メチル−3
−エチルシクロペンタジエン,1−エチル−3−メチル
シクロペンタジエン,1−メチル−3−プロピルシクロ
ペンタジエン,1−プロピル−3−メチルシクロペンタ
ジエン,2−エチル−5−イソプロピルシクロペンタジ
エン,2−メチル−5−フェニルシクロペンタジエン,
2−エチル−3,5−ジメチルシクロペンタジエン,
1,2,4−トリメチルシクロペンタジエン、1,2,
3,4−テトラメチルシクロペンタジエン、ペンタメチ
ルシクロペンタジエンなどの置換シクロペンタジエン、
インデン、4−メチルインデン、4,7−ジメチルイン
デン、4,5,6,7−テトラハイドロインデンなどの
置換インデン、シクロヘプタトリエン、メチルシクロヘ
プタトリエンなどの置換シクロヘプタトリエン、シクロ
オクタテトラエン、メチルシクロオクタテトラエンなど
の置換シクロオクタテトラエン、アズレン、メチルアズ
レン、エチルアズレン、フルオレン、メチルフルオレン
などの置換フルオレンのような炭素数7〜24のシクロ
ポリエン又は置換シクロポリエン、モノシクロペンタジ
エニルシラン、ジシクロペンタジエニルシラン、トリシ
クロペンタジエニルシラン、テトラシクロペンタジエニ
ルシラン、モノシクロペンタジエニルモノメチルシラ
ン、モノシクロペンタジエニルモノエチルシラン、モノ
シクロペンタジエニルジメチルシラン、モノシクロペン
タジエニルジエチルシラン、モノシクロペンタジエニル
トリメチルシラン、モノシクロペンタジエニルトリエチ
ルシラン、モノシクロペンタジエニルモノメトキシシラ
ン、モノシクロペンタジエニルモノエトキシシラン、モ
ノシクロペンタジエニルモノフェノキシシラン、モノシ
クロペンタジエニルモノメチルモノクロロシラン、モノ
シクロペンタジエニルモノエチルモノクロロシラン、モ
ノシクロペンタジエニルモノメチルジクロロシラン、モ
ノシクロペンタジエニルモノエチルジクロロシラン、モ
ノシクロペンタジエニルトリクロロシラン、ジシクロペ
ンタジエニルモノメチルシラン、ジシクロペンタジエニ
ルモノエチルシラン、ジシクロペンタジエニルジメチル
シラン、ジシクロペンタジエニルジエチルシラン、ジシ
クロペンタジエニルメチルエチルシラン、ジシクロペン
タジエニルジプロピルシラン、ジシクロペンタジエニル
エチルプロピルシラン、ジシクロペンタジエニルジフェ
ニルシラン、ジシクロペンタジエニルフェニルメチルシ
ラン、ジシクロペンタジエニルメチルクロロシラン、ジ
シクロペンタジエニルエチルクロロシラン、ジシクロペ
ンタジエニルジクロロシラン、ジシクロペンタジエニル
モノメトキシシラン、ジシクロペンタジエニルモノエト
キシシラン、ジシクロペンタジエニルモノメトキシモノ
クロロシラン、ジシクロペンタジエニルモノエトキシモ
ノクロロシラン、トリシクロペンタジエニルモノメチル
シラン、トリシクロペンタジエニルモノエチルシラン、
トリシクロペンタジエニルモノメトキシシラン、トリシ
クロペンタジエニルモノエトキシシラン、トリシクロペ
ンタジエニルモノクロロシラン、3−メチルシクロペン
タジエニルシラン、ビス3−メチルシクロペンタジエニ
ルシラン、3−メチルシクロペンタジエニルメチルシラ
ン、1,2−ジメチルシクロペンタジエニルシラン、
1,3−ジメチルシクロペンタジエニルシラン、1,
2,4−トリメチルシクロペンタジエニルシラン、1,
2,3,4−テトラメチルシクロペンタジエニルシラ
ン、ペンタメチルシクロペンタジエニルシラン、モノイ
ンデニルシラン、ジインデニルシラン、トリインデニル
シラン、テトラインデニルシラン、モノインデニルモノ
メチルシラン、モノインデニルモノエチルシラン、モノ
インデニルジメチルシラン、モノインデニルジエチルシ
ラン、モノインデニルトリメチルシラン、モノインデニ
ルトリエチルシラン、モノインデニルモノメトキシシラ
ン、モノインデニルモノエトキシシラン、モノインデニ
ルモノフェノキシシラン、モノインデニルモノメチルモ
ノクロロシラン、モノインデニルモノエチルモノクロロ
シラン、モノインデニルモノメチルジクロロシラン、モ
ノインデニルモノエチルジクロロシラン、モノインデニ
ルトリクロロシラン、ジインデニルモノメチルシラン、
ジインデニルモノエチルシラン、ジインデニルジメチル
シラン、ジインデニルジエチルシラン、ジインデニルメ
チルエチルシラン、ジインデニルジプロピルシラン、ジ
インデニルエチルプロピルシラン、ジインデニルジフェ
ニルシラン、ジインデニルフェニルメチルシラン、ジイ
ンデニルメチルクロロシラン、ジインデニルエチルクロ
ロシラン、ジインデニルジクロロシラン、ジインデニル
モノメトキシシラン、ジインデニルモノエトキシシラ
ン、ジインデニルモノメトキシモノクロロシラン、ジイ
ンデニルモノエトキシモノクロロシラン、トリインデニ
ルモノメチルシラン、トリインデニルモノエチルシラ
ン、トリインデニルモノメトキシシラン、トリインデニ
ルモノエトキシシラン、トリインデニルモノクロロシラ
ン、3−メチルインデニルシラン、ビス3−メチルイン
デニルシラン、3−メチルインデニルメチルシラン、
1,2−ジメチルインデニルシラン、1,3−ジメチル
インデニルシラン、1,2,4−トリメチルインデニル
シラン、1,2,3,4−テトラメチルインデニルシラ
ン、1,2,3,4,5−ペンタメチルインデニルシラ
ン等がある。好ましくはシクロペンタジエン、置換シク
ロペンタジエン、インデン、置換インデンなどが挙げら
れる。また、上記した各化合物のいずれかが、アルキレ
ン基(その炭素数は通常2〜8、好ましくは2〜3)ま
たはアルキリデン基(その炭素数は通常2〜8,好まし
くは2〜3)またはシリレン基またはアルキルシリレン
基(アルキル基の炭素数は通常2〜8,好ましくは2〜
3) を介して結合した化合物も、本発明の成分(C)
として使用することができ、そのような化合物には、例
えば、ビスインデニルエタン、エチレンビスシクロペン
タジエン,エチレンビスプロピルシクロペンタジエン,
エチレンビスブチルシクロペンタジエン,イソプロピリ
デンビスシクロペンタジエン,イソプロピリデンビスイ
ンデン,イソプロピリデンビスプロピルシクロペンタジ
エン,イソプロピリデンビスブチルシクロペンタジエ
ン,ビス(4,5,6,7−テトラハイドロ−1−イン
デニル)エタン、1,3−プロパンジエニルビスインデ
ン、1,3−プロパンジエニルビス(4,5,6,7−
テトラハイドロ)インデン、プロピレンビス(1−イン
デン)、イソプロピレン(1−インデニル)シクロペン
タジエン、ジフェニルメチレン(9−フルオレニル)シ
クロペンタジエン、イソプロピレンシクロペンタジエニ
ル−1−フルオレン,ジメチルシリレンビスシクロペン
タジエン,ジメチルシリレンビスインデン,ジメチルシ
リレンビスプロピルシクロペンタジエン,ジメチルシリ
レンビスブチルシクロペンタジエン,ジフェニルシリレ
ンビスシクロペンタジエン,ジフェニルシリレンビスイ
ンデン,ジフェニルシリレンビスプロピルシクロペンタ
ジエン,ジフェニルシリレンビスブチルシクロペンタジ
エンなどがある。上記の各化合物は、もちろん、2種以
上を任意に混合して本発明の成分(C)として使用可能
である。
【0011】成分(D)の変性有機アルミニウム化合物
は、分子中に1〜100個、好ましくは1〜50個のA
l−O−Al結合を有している。このような変性有機ア
ルミニウム化合物は通常、有機アルミニウム化合物と水
とを不活性炭化水素溶媒中で反応させた反応生成物であ
る。この場合の不活性炭化水素溶媒としては、脂肪族炭
化水素(例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等)、
脂環族炭化水素(例えば、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン等)および芳香族炭化水素(例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等)が使用できるが、脂肪族炭
化水素又は芳香族炭化水素を使用することが好ましい。
変性有機アルミニウム化合物の調製に用いる有機アルミ
ニウム化合物は、 一般式 RnAlX3-n (式中、Rは炭素数1〜18、好ましくは1〜12のア
ルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等
の炭化水素基、Xは水素原子又はハロゲン原子を示し、
n は1≦n ≦3の整数を示す)で表される化合物がいず
れも使用可能であるが、好ましくはトリアルキルアルミ
ニウムが使用される。トリアルキルアルミニウムのアル
キル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等のいずれで
も差し支えないが、メチル基であることが特に好まし
い。水と有機アルミニウム化合物との反応比(水/Al
モル比)は、0.25/1〜1.2/1、 特に、0.5/1 〜1/1 であ
ることが好ましく、反応温度は通常-70 〜100 ℃、好ま
しくは-20 〜20℃の範囲にある。反応時間は通常5分〜
24時間、好ましくは10分〜5時間の範囲で選ばれ
る。反応に要する水としては所謂水が使用できる外、硫
酸銅水和物、硫酸アルミニウム水和物等に含まれる結晶
水を利用することもできる。なお、上記した変性有機ア
ルミニウム化合物のうち、アルキルアルミニウムと水と
を反応させて得られるものは、通常アルミノキサンと呼
ばれ、特にメチルアルミノキサン(もしくはメチルアル
ミノキサンから実質的になるもの)は、本発明の成分
(D)として好適である。もちろん、本発明の成分
(D)として、上記した各変性有機アルミニウム化合物
の2種以上を組み合わせて使用することもでき、また前
記変性有機アルミニウム化合物を前述の不活性炭化水素
溶媒に溶液または分散させた溶液としたものを用いても
良い。
【0012】本発明の成分(E)としては、無機物担体
および/または粒子状ポリマー担体が使用される。無機
物担体は、本発明の触媒を調製する段階において、本来
の形状を保持している限り、粉末状、粒状、フレーク
状、箔状、繊維状などいずれの形状であっても差し支え
ないが、いずれの形状であっても、最大直径は通常5〜
200μm、好ましくは10〜150μmの範囲のもの
が適している。また、無機物担体は多孔性であることが
好ましく、通常、その表面積は30〜1000m2
g、細孔容積は0.1〜3cm3/gの範囲にある。本
発明の無機物担体としては、金属、金属酸化物、金属塩
化物、金属炭酸塩,炭素物質、またはこれらの混合物が
使用可能であり、これらは通常200〜900℃で空気
中または窒素、アルゴン等の不活性ガス中で焼成して用
いられる。無機物担体に用いることができる好適な金属
としては、例えば鉄、アルミニウム、ニッケルなどが挙
げられる。また、金属酸化物としては周期律表I〜VIII
族の単独酸化物または複酸化物が挙げられ、例えばSi
2、Al23、MgO、CaO、B23、TiO2、Z
rO2、Fe23、Al23・MgO、Al23・Ca
O、Al23・SiO2、Al23・MgO・CaO、Al
23・MgO・SiO2、Al23・CuO、Al23
Fe23、Al23・NiO、SiO2・MgOなどの天
然または合成の各種複酸化物を例示する事ができる。こ
こで上記の式は分子式ではなく、組成のみを表すもので
あって、本発明において用いられる複酸化物の構造およ
び成分比率は特に限定されるものではない。また、本発
明において用いる金属酸化物は、少量の水分を吸収して
いても差し支えなく、少量の不純物を含有していても差
し支えない。金属塩化物としては、例えばアルカリ金
属、アルカリ土類金属の塩化物が好ましく、具体的には
MgCl2、CaCl2などが特に好適である。金属炭酸
塩としてはアルカリ金属、アルカリ土類金属の炭酸塩が
好ましく、具体的には、炭酸マグネシウム、炭酸カルシ
ウム、炭酸バリウムなどが挙げられる。炭素物質として
は例えばカーボンブラック、活性炭などが挙げられる。
以上の無機物担体はいずれも本発明に好適用いること
ができるが、特に金属酸化物、シリカ、アルミナなどの
使用が好ましい。一方、粒子ポリマー担体としては、触
媒調製時および重合反応時において、溶融などせずに固
体状を保つものである限り、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹
脂のいずれもが使用でき、その粒径は通常5〜2000
μm、好ましくは10〜100μmの範囲のものが望ま
しい。これらポリマー担体の分子量は、当該ポリマーが
触媒調製時および重合反応時において固体状物質として
存在できる程度であれば、特に限定されることはなく、
低分子量のものから超高分子量のものまで任意に使用可
能である。具体的には粒子状のエチレン重合体、エチレ
ン・α−オレフィン共重合体、プロピレン重合体または
共重合体、ポリ1−ブテンなどで代表される各種のポリ
オレフィン(好ましくは炭素数2〜12)、ポリエステ
ル、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリメタクリル酸メ
チル、ポリアクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリノル
ボルネンのほか、各種の天然高分子およびこれらの混合
物が、ポリマー担体として使用できる。上記した無機物
担体および粒子状ポリマー担体は、もちろん本発明の成
分(E)としてそのまま用いることもできるが、予備処
理としてこれらの担体を、トリメチルアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、
トリn−ヘキシルアルミニウム、ジメチルアルミニウム
クロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジエチ
ルモノエトキシアルミニウムなどの有機アルミニウム化
合物とか、Al−O−Al結合を含む変性有機アルミニ
ウム化合物(この化合物については前述の成分(D)に
おいて例示された化合物と同様な化合物があげられ
る。)とか、あるいはシラン化合物などに接触処理させ
た後、成分(E)として用いることもできる。さらに無
機物担体について言えば、これをアルコール、アルデヒ
ドのような活性水素含有化合物、エステル、エーテルな
どの電子供与性化合物、テトラアルコキシシリケート、
トリアルコキシアルミニウム、遷移金属テトラアルコキ
シドなどのアルコキサイド基含有化合物などに、予め接
触させてから成分(E)として使用する方法も好ましく
用いられる。接触処理方法としては、通常窒素またはア
ルゴンなどの不活性雰囲気中、一般にベンゼン、トルエ
ン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素
(通常炭素数は6〜12)、ペンタン,ヘキサン,ヘプ
タン、オクタン,デカン、ドデカン、シクロヘキサンな
どの脂肪族あるいは脂環族炭化水素(通常炭素数5〜1
2)等の液状不活性炭化水素の存在下、攪拌下または非
攪拌下に、担体を予備処理用化合物と接触させる方法が
挙げられる。この接触は,通常−100℃〜200℃、
好ましくは−50℃〜100℃の温度にて、30分〜5
0時間、好ましくは1時間〜24時間行うことが望まし
い。なお、この接触反応は、前記した予備処理用化合物
が可溶な溶媒、すなわちベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素(通常炭素数
は6〜12)中で行うことが好ましく、この場合は、接
触反応後、溶媒を除去することなく、これをそのまま本
発明の接触成分の調製に供することができる。また、当
該の接触反応生成物に、予備処理用化合物が不溶もしく
は難溶の液状不活性炭化水素(例えば、予備処理用化合
物が変性有機アルミニウム化合物の場合は、ペンタン、
ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロヘキサンなどの脂
肪族あるいは脂環族炭化水素)を添加し、固体成分とし
て成分(E)を析出させて乾燥させるか、あるいは予備
処理時の溶媒溶液である芳香族炭化水素の一部または全
部を、乾燥等の手段により除去した後、成分(E)を固
体成分として取り出すこともできる。予備処理に供する
無機物担体および/または粒子状ポリマー担体と、予備
処理用化合物との割合は、本発明の目的を損なわない限
り特に制限はないが、通常は担体100gに対して1〜
10000ミリモル、好ましくは5〜1500ミリモル
(ただし、変性アルミニウム化合物においてはAl原子
濃度)の範囲内で選ばれる。
【0013】本発明の方法において用いる触媒(a)
は、前述の通り、成分(A)、成分(B)、成分
(C)、成分(D)、さらに所望により成分(E)を含
有する成分を相互に接触することにより調製される。成
分(A)〜(D)、さらに所望により成分(E)を含め
た成分(A)〜(E)の接触順序は特に限定されない。
例えば成分(A)〜(D)を接触させて本発明の触媒
(a)を得る場合については、 〈1〉成分(A)、(B)、(C)、(D)を同時に加
える方法。 〈2〉成分(A)、(B)、(C)を同時に接触させ、
次ぎに成分(D)を接触させる方法。(以下同時に接触
させる場合を{}で、順次接触させる場合を→で表す。
〈2〉の場合は{(A)(B)(C)}→(D)と記
す) 〈3〉 {(A)(B)(D)}→(C) 〈4〉 {(A)(C)(D)}→(B) 〈5〉 {(B)(C)(D)}→(A) 〈6〉 {(A)(B)}→{(C)(D)} 〈7〉 {(A)(C)}→{(B)(D)} 〈8〉 {(A)(D)}→{(B)(C)} 〈9〉 {(A)(B)}→(C)→(D) 〈10〉{(A)(B)}→(D)→(C) 〈11〉{(A)(C)}→(B)→(D) 〈12〉{(A)(C)}→(D)→(B) 〈13〉{(A)(D)}→(B)→(C) 〈14〉{(A)(D)}→(C)→(B) 〈15〉{(B)(C)}→(A)→(D) 〈16〉{(B)(C)}→(D)→(A) 〈17〉{(B)(D)}→(A)→(C) 〈18〉{(B)(D)}→(C)→(A) 〈19〉{(C)(D)}→(A)→(B) 〈20〉{(C)(D)}→(B)→(A) 〈21〉(C)→((A)(B)}→(D) 〈22〉(D)→((A)(B)}→(C) 〈23〉(B)→((A)(C)}→(D) 〈24〉(D)→((A)(C)}→(B) 〈25〉(B)→{(A)(D)}→(C) 〈26〉(C)→{(A)(D)}→(B) 〈27〉(A)→{(B)(C)}→(D) 〈28〉(D)→{(B)(C)}→(A) 〈29〉(A)→{(B)(D)}→(C) 〈30〉(C)→{(B)(D)}→(A) 〈31〉(A)→{(C)(D)}→(B) 〈32〉(B)→{(C)(D)}→(A) などの接触順序が挙げられる。これらの接触順序の中
で、〈1〉〈2〉〈5〉〈7〉〈11〉〈15〉〈23〉〈27〉が
好ましく用いられる。4成分の接触方法も任意である
が、通常は窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、
成分(A)、成分(B)、成分(C)、及び成分(D)
をヘプタン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン
などの不活性炭化水素溶媒の存在下、通常−100℃〜
200℃、好ましくは−50℃〜150℃の温度にて、
5分〜250時間、好ましくは30分〜24時間接触さ
せる方法が採用できる。不活性炭化水素溶媒中にて各成
分を接触させる場合、生成触媒は、全接触反応終了後、
溶液状態にてそのまま重合に供してもよいし、また、も
し可能であれば、析出、乾燥などの手段により、固体触
媒成分として一旦取り出した後、重合に用いてもよい。
もちろん、各成分の接触反応は複数回行ってもよい。ま
た、例えば成分(A)〜(E)を接触させて本発明の触
媒(a)を得る場合については、 〈33〉上記〈1〉〜〈32〉の接触順序で成分(A)〜
(D)の反応生成物を作り、それを成分(5)と接触反
応させる方法。(以下これを{(A)(B)(C)
(D)}→(E)と記す) 〈34〉(E)→(D)→{(A)(B)(C)} 〈35〉(E)→(D)→{(A)(B)}→(C) 〈36〉(E)→(D)→{(A)(C)}→(B) 〈37〉(E)→(D)→{(B)(C)}→(A) 〈38〉(E)→(D)→(C)→{(A)(B)} 〈39〉(E)→(D)→(B)→{(A)(C)} 〈40〉(E)→(D)→(A)→{(B)(C)} 〈41〉(E)→(D)→(A)→(B)→(C) 〈42〉(E)→(D)→(A)→(C)→(B) 〈43〉(E)→(D)→(B)→(C)→(A) 〈44〉(E)→(D)→(B)→(A)→(C) 〈45〉(E)→(D)→(C)→(A)→(B) 〈46〉(E)→(D)→(C)→(B)→(A) 〈47〉(E)→(A)→{(B)(C)(D)} 〈48〉(E)→(A)→{(B)(C)}→(D) 〈49〉(E)→(A)→{(B)(D)}→(C) 〈50〉(E)→(A)→{(C)(D)}→(B) 〈51〉(E)→(A)→(D)→{(B)(C)} 〈52〉(E)→(A)→(C)→{(B)(D)} 〈53〉(E)→(A)→(B)→{(C)(D)} 〈54〉(E)→(A)→(B)→(C)→(D) 〈55〉(E)→(A)→(B)→(D)→(C) 〈56〉(E)→(A)→(C)→(B)→(D) 〈57〉(E)→(A)→(C)→(D)→(B) 〈58〉(E)→(A)→(D)→(B)→(C) 〈59〉(E)→(A)→(D)→(C)→(B) 〈60〉(E)→(B)→{(A)(C)(D)} 〈61〉(E)→(C)→{(A)(B)(D)} などがあり、これらの接触順序の中で、〈33〉〈34〉
〈47〉が好ましく用いられる。成分(A)〜成分(E)
を接触させる方法としては、通常窒素またはアルゴンな
どの不活性雰囲気中、一般にベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素、ヘプタ
ン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロヘキサンなど
の脂肪族あるいは脂環族炭化水素等の液状不活性炭化水
素の存在下、攪拌下または非攪拌下に、成分(A)〜成
分(E)を接触させる。特に前記した成分(A)〜
(D)が可溶な溶媒すなわちベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素中で行うこ
とが好ましい。この接触は通常−100〜200℃、好
ましくは−50〜150℃の温度にて、5分〜250時
間、好ましくは30分〜24時間行うことが望ましい。
成分(A)〜(E)の接触に際しては、上記した通り、
ある種の成分が可溶な芳香族炭化水素溶媒と、ある種の
成分が不溶ないしは難溶な脂肪族または脂環族炭化水素
溶媒とがいずれも使用可能であるが、特に成分(A)〜
(D)が可溶な芳香族炭化水素を溶媒として使用するこ
とが望ましい。そして、各成分同士の接触反応を段階的
に行う場合にあっては、前段で用いた可溶性の芳香族炭
化水素溶媒を何等除去することなく、これをそのまま後
段の接触反応の溶媒に用いてもよい。また、可溶性溶媒
を使用した前段の接触反応後、ある種の成分が不溶もし
くは難溶な液状不活性炭化水素(例えば、ペンタン、ヘ
キサン、デカン、ドデカン、シクロヘキサンなどの脂肪
族あるいは脂環族炭化水素)を添加して、所望生成物を
固形物として取り出した後に、この所望生成物の後段の
接触反応を、上記した不活性炭化水素溶媒のいずれかを
使用して実施することもできる。本発明では各成分の接
触反応を複数回行うことを妨げない。本発明の触媒
(a)における成分(A)〜(D)、または成分(A)
〜(E)の使用割合は、成分(A)1モルにたいして成
分(B)を通常0.01〜1000モル、好ましくは
0.1〜100モル、さらに好ましくは0.5〜50モ
ルの割合で、成分(C)を通常0.01〜1000モ
ル、好ましくは0.1〜100モル、さらに好ましくは
0.5〜50モルの割合で、成分(D)を通常1〜1
0,000モル、好ましくは5〜1000モル、さらに
好ましくは10〜500モルの割合で調製することが望
ましい。また、成分(E)を併用する場合の使用割合
は、成分(E)1gに対し、成分(A)が通常5ミリモ
ル以下、望ましくは0.0001〜5ミリモル、好まし
くは0.001〜0.5ミリモルさらに好ましくは0.
01〜0.1ミリモルの割合とするのが望ましい。
【0014】次に本発明において用いる触媒(b)につ
いて述べる。本発明の触媒(b)は前述のとおり下記
(ア)および(イ)から選ばれるものである。 (ア)下記に示す(1)の成分からなる触媒,または
(1)および(2)の成分を接触させて得られる触媒 (1)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物(た
だし、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロ
ゲン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルア
セトナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホ
スフィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル
錯体の中から選ばれる化合物である)(成分(F)) (2)一般式Me'R'm(OR")nX'z-m-nで表される
化合物(成分(B’))(式中、R'、R"は個別に炭素
数1〜24の炭化水素基、X'はハロゲン原子または水
素原子、Me'は周期律表第I〜III族元素、zはM
e'の価数を示し、m及びnはそれぞれ0<m≦z、0
≦n≦zで、しかも0<m+n≦zである)または、 (イ)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属(成分(G))
【0015】成分(F)は周期律表第IV〜VIII族の遷移
金属の、酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、酢酸塩、アル
コキシド(好ましくは炭素数1〜24、更に好ましくは
1〜12のアルコキシ基を有するもの)、アセチルアセ
トナート、メタロセン(シクロペンタジエニル基(配位
子)または置換シクロペンタジエニル基(配位子))、水
素錯体、アルキル錯体(好ましくは炭素数1〜24、更
に好ましくは1〜12のアルキル基(配位子)を有するも
の)、ホスフィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カ
ルボニル錯体の中から選ばれる化合物である。もちろ
ん、当該遷移金属化合物において、1種の単独化合物で
も2種以上の遷移金属からなる複合化合物でもよく、ま
た、いわゆるアルコキシ・カルボニル錯体やホスフィン
・水素錯体、カルボニル・シクロペンタジエニル錯体な
どのような2種以上の基(配位子)を有する化合物でもよ
い。成分(F)として好適に用いられるものとしては、
具体的には、酸化ルテニウム、ビスシクロペンタジエニ
ルチタニウムジクロリド、ビスシクロペンタジエニルチ
タニウムジメチル、ビスシクロペンタジエニルチタニウ
ムジベンジル、ビスシクロペンタジエニルジルコニウム
ジクロリド、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
メチル、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジベン
ジルなどに代表される一般式RpMX4-pおよび/または
2MX'で表されるメタロセン化合物(式中,Mは周期
律表IVa族の遷移金属を示し,Rはシクロペンタジエ
ニル基,置換シクロペンタジエニル基,インデニル基,
置換インデニル基,フルオレニル基,置換フルオレニル
基を示し,R1同士は炭素数2〜18の炭化水素基及び
/又はシリレン基を介し結合していてもよく,また、該
置換シクロペンタジエニル基,置換インデニル基および
置換フルオレニル基はその5員環部分に少なくとも一つ
の水素原子が直接結合しており、Xはハロゲン原子,水
素原子または炭素数1〜24の炭化水素残基を示し,p
は1≦p≦4を満たす数を示し,X'は炭素数1〜20
のアルキリデン基を示す)や、Ti(Oi−C
374、Ti(Oi−C494、Zr(Ot−C
494、Zr(On−C494、Zr(On−C
494、Co(Oi−C373、Co(On−C
373、Co(Oi−C493、Co(Ot−C
493、Co(On−C493、Co(On−C8
173などに代表されるM’(OR)z(式中、M’は周期
律表IV〜VIII族の遷移金属元素、Rは炭素数1〜24、
好ましくは1〜12のアルキル基、zはM’の価数を示
す)、Cr(acac*3*acac=アセチルアセ
トネート(以下同様)]、MoO2(acac)2、Mn
(acac)3、Mn(acac)2、Fe(acac)
3、Co(acac)3、Co(acac)3、Ru(a
cac)3、VO(OC253、VO(On-C
493、Co{(C653P}2Cl2、Ni(aca
c)2、Ni{(n−C493P}2Cl2、Pd{(n
−C493P}2Cl2、クロロトリス(トリフェニル
ホスフィン)ロジウム、ヒドリドカルボニルトリス(ト
リフェニルホスフィン)ロジウム、酢酸ロジウム、酢酸
ルテニウム、クロロヒドリドトリス(トリフェニルホス
フィン)ルテニウム、カルボキシラトヒドリドトリス
(トリフェニルホスフィン)ルテニウム、ヒドリドカル
ボニルトリス(トリフェニルホスフィン)イリジウム、
トリヒドリドトリス(トリフェニルホスフィン)コバル
ト、クロロカルボニルビス(トリフェニルホスフィン)
イリジウム、ペンタシアノコバルト(II)錯体、トリシ
アノビピリジンコバルト(II)錯体、ビス(ジメチルグ
リオキシマト)コバルト(II)錯体、第三有機ホスフィ
ン−コバルトカルボニル錯体、アレン−トリカルボニル
クロム錯体、ビス(トリカルボニルシクロペンタジエニ
ルクロム)、ペンタカルボニル鉄錯体などを挙げること
ができる。もちろん、これらの化合物は2種以上を混合
して使用することができる。また、成分(F)はシリ
カ、シリカゲル、アルミナ、ケイソウ土、活性炭、硫酸
バリウム、石綿、軽石、炭酸カルシウム、硫酸バリウ
ム、カーボン(炭酸ストロンチウムカーボン等)などの
無機物担体に担持して使用してもよいし、また飽和炭化
水素、不飽和炭化水素、芳香族炭化水素、エーテル、エ
ステル、アルコール、アミド、スルホキシド、酸、ケト
ンなど該金属化合物を溶解する溶媒に溶かして均一系溶
液として使用しても良い。なお、担持して使用する場合
は、特に限定されないが、通常担体1gに対し遷移金属
化合物が5ミリモル以下、好ましくは0.0001〜5
ミリモル、さらに好ましくは0.001〜0.5ミリモ
ル、特に好ましくは0.01〜0.1ミリモルの割合と
するのが望ましい。
【0016】成分(B’)は下記の一般式で表される化
合物である。 一般式 一般式Me'R'm(OR")nX'z-m-n 式中、Me'は周期律表第I〜III族元素のいずれか
を示し、これにはリチウム、ナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム、亜鉛、ホウ素、アルミニウム
などが包含され、特にIII族が望ましい。R'、R"は炭
素数1〜24、好ましくは1〜12、さらに好ましくは
1〜8の炭化水素基を示し、これにはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、
ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、
イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、
ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基などのアル
キル基;ビニル基、アリル基などのアルケニル基、フェ
ニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、インデニ
ル基、ナフチル基などのアリール基;ベンジル基、トリ
チル基、フェネチル基、スチリル基、ベンズヒドリル
基、フェニルブチル基、フェニルプロピル基、ネオフィ
ル基などのアラルキル基などが包含される。これらは分
岐があってもよい。X2 はフッ素、ヨウ素、塩素又は臭
素のハロゲン原子または水素原子を示す。但し、X2
水素原子の場合、Me’ はホウ素、アルミニウムなど
で例示される周期律表第III族元素である。z はM
e’ の価数を示し、m 及びn は0≦m≦z 、0≦n ≦z
、0<m +n ≦z の関係にある。また成分(B’)は
具体的には前記した成分(B)と例示された化合物と同
様の化合物が使用できるが、特にトリエチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウムなどのトリアルキルア
ルミニウム、ジエチル亜鉛などのジアルキル亜鉛、n−
ブチルリチウムなどのアルキルリチウム、ブチルマグネ
シウムクロリド等のアルキルマグネシウムハライドなど
が好ましく使用できる。成分(G)としてはチタン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタ
ル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テ
クネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、
コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウ
ム、白金などが挙げられる。また、成分(G)は金属単
独で用いてもよく、その形態は特に限定されなく、粉末
状、板状、ハニカム状、ロッド状のいずれでもよい。ま
た、これらの金属をシリカ、シリカゲル、アルミナ、ケ
イソウ土、活性炭、硫酸バリウム、石綿、軽石、炭酸カ
ルシウム、カーボン(炭酸ストロンチウムカーボン等)
セラミックス、ステンレスなどの無機物担体に担持して
用いてもよい。なお、これらの担体の形状は粉末状、板
状、ハニカム状等を有するものが使用できる。形状は特
に限定されないが、特にハニカム状が好ましい。
【0017】成分(G)として好適に用いられるものと
しては、具体的には、前記金属に加え、コロイド白金、
白金ブラック、白金石綿、白金・シリカゲル(担体)、
コロイドパラジウム、パラジウムブラック、パラジウム
・シリカゲル(担体)、還元ニッケル、ニッケル−ケイ
ソウ土(担体)、ニッケル・軽石(担体)、ラネーニッ
ケル、還元コバルト、ラネーコバルト、ロジウム・カー
ボン(担体)、ロジウム・アルミナ(担体)、ルテニウ
ム・カーボン(担体)、ラネーニッケル・アルミナ(担
体)などが挙げられる。
【0018】成分(b)として使用可能な触媒の好適な
具体例を挙げれば、コロイド白金、白金ブラック、白金
石綿、白金・シリカゲル(担体)、コロイドパラジウ
ム、パラジウムブラック、パラジウム・シリカゲル(担
体)、還元ニッケル、ニッケル−ケイソウ土(担体)、
ニッケル・軽石(担体)、ラネーニッケル、還元コバル
ト、ラネーコバルト、ロジウム・カーボン(担体)、ロ
ジウム・アルミナ(担体)、ルテニウム・カーボン(担
体)、ラネーニッケル・アルミナ(担体)酸化ルテニウ
ム、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロリド−
n-ブチルリチウム、ビスシクロペンタジエニルチタニ
ウムジクロリド−n-ブチルリチウム、ビスシクロペン
タジエニルチタニウムジクロリド−ジエチル亜鉛、ビス
シクロペンタジエニルチタニウムジクロリド−ジエチル
マグネシウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジ
クロリド−エチルマグネシウムクロリド、ビスシクロペ
ンタジエニルチタニウムジクロリド−トリエチルアルミ
ニウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロリ
ド−トリイソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタジ
エニルチタニウムジメチル−n-ブチルリチウム、ビス
シクロペンタジエニルチタニウムジメチル−ジエチル亜
鉛、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル−ジ
エチルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルチタニ
ウムジメチル−エチルマグネシウムクロリド、ビスシク
ロペンタジエニルチタニウムジメチル−トリエチルアル
ミニウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチ
ル−トリイソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタジ
エニルチタニウムジベンジル−n-ブチルリチウム、ビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジベンジル−ジエチ
ル亜鉛、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジベンジ
ル−ジエチルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニル
チタニウムジベンジル−エチルマゲネシウムクロリド、
ビスシクロペンタジエニルチタニウムジベンジル−トリ
エチルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニルチタニ
ウムジベンジル−トリイソブチルアルミニウム、ビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジクロリド−n-ブチ
ルリチウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
クロリド−ジエチル亜鉛、ビスシクロペンタジエニルジ
ルコニウムジクロリド−ジエチルマグネシウム、ビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジクロリド−エチルマ
グネシウムクロリド、ビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジクロリド−トリイソブチルアルミニウム、ビス
シクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド−トリイ
ソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニルジル
コニウムジメチル−n-ブチルリチウム、ビスシクロペ
ンタジエニルジルコニウムジメチル−ジエチル亜鉛、ビ
スシクロペンタジエニルジルコニウムジメチル−ジエチ
ルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジメチル−エチルマグネシウムクロリド、ビスシクロ
ペンタジエニルジルコニウムジメチル−トリイソブチル
アルミニウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニウム
ジメチル−トリイソブチルアルミニウム、ビスシクロペ
ンタジエニルジルコニウムジベンジル−n-ブチルリチ
ウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジベンジ
ル−ジエチル亜鉛、ビスシクロペンタジエニルジルコニ
ウムジベンジル−ジエチルマグネシウム、ビスシクロペ
ンタジエニルジルコニウムジベンジル−エチルマゲネシ
ウムクロリド、ビスシクロペンタジエニルジルコニウム
ジベンジル−トリエチルアルミニウム、ビスシクロペン
タジエニルジルコニウムジベンジル−トリイソブチルア
ルミニウム、Ti(Oi−C374−トリエチルアル
ミニウム、Ti(Oi−C374−トリイソブチルア
ルミニウム、Ti(Oi−C374−n-ブチルリチウ
ム、Ti(On−C374−トリエチルアルミニウ
ム、Ti(On−C374−トリイソブチルアルミニ
ウム、Ti(On−C374−n-ブチルリチウム、T
i(Oi−C494−トリエチルアルミニウム、Ti
(Oi−C494−トリイソブチルアルミニウム、T
i(Oi−C494−n-ブチルリチウム、Ti(Ot
−C494−トリエチルアルミニウム、Ti(Ot−
494−トリイソブチルアルミニウム、Ti(Ot
−C494−n-ブチルリチウム、Ti(On−C
494−トリエチルアルミニウム、Ti(On−C4
94−トリイソブチルアルミニウム、Ti(On−C4
94−n-ブチルリチウム、Zr(Oi−C374
トリエチルアルミニウム、Zr(Oi−C374−ト
リイソブチルアルミニウム、Zr(Oi−C374
n-ブチルリチウム、Zr(On−C374−トリエチ
ルアルミニウム、Zr(On−C374−トリイソブ
チルアルミニウム、Zr(On−C374−n-ブチル
リチウム、Zr(Oi−C494−トリエチルアルミ
ニウム、Zr(Oi−C494−トリイソブチルアル
ミニウム、Zr(Oi−C494−n-ブチルリチウ
ム、Zr(Ot−C494−トリエチルアルミニウ
ム、Zr(Ot−C494−トリイソブチルアルミニ
ウム、Zr(Ot−C494−n-ブチルリチウム、Z
r(On−C494−トリエチルアルミニウム、Zr
(On−C494−トリイソブチルアルミニウム、Z
r(On−C494−n-ブチルリチウム、VO(OC
253−トリエチルアルミニウム、VO(OC253
−トリイソブチルアルミニウム、VO(OC253
ジイソブチルアルミニウムハイドライド、VO(On-
493−トリエチルアルミニウム、VO(On-C4
93−トリイソブチルアルミニウム、VO(On-C4
93−ジイソブチルアルミニウムハイドライド、Co
(Oi−C373−トリエチルアルミニウム、Co
(Oi−C373−トリイソブチルアルミニウム、C
o(Oi−C373−n-ブチルリチウム、Co(On
−C373−トリエチルアルミニウム、Co(On−
373−トリイソブチルアルミニウム、Co(On
−C373−n-ブチルリチウム、Co(Oi−C
493−トリエチルアルミニウム、Co(Oi−C4
93−トリイソブチルアルミニウム、Co(Oi−C4
93−n-ブチルリチウム、Co(Ot−C493
トリエチルアルミニウム、Co(Ot−C493−ト
リイソブチルアルミニウム、Co(Ot−C493
n-ブチルリチウム、Co(On−C493−トリエチ
ルアルミニウム、Co(On−C493−トリイソブ
チルアルミニウム、Co(On−C493−n-ブチル
リチウム、Co(On−C8173−トリエチルアルミ
ニウム、Co(On−C8173−トリイソブチルアル
ミニウム、Co(On−C8173−n-ブチルリチウ
ム、Cr(acac*3−トリエチルアルミニウム、C
r(acac)3−トリイソブチルアルミニウム、* acac=アセチルアセトネート MoO2(acac)2−トリエチルアルミニウム、Mo
2(acac)2−トリイソブチルアルミニウム、Mn
(acac)3−トリエチルアルミニウム、Mn(ac
ac)3−トリイソブチルアルミニウム、Mn(aca
c)2−トリエチルアルミニウム、Mn(acac)2
トリイソブチルアルミニウム、Fe(acac)3−ト
リエチルアルミニウム、Fe(acac)3−トリイソ
ブチルアルミニウム、Co(acac)3−トリエチル
アルミニウム、Co(acac)3−トリイソブチルア
ルミニウム、Co(acac)3−n-ブチルリチウム、
Ru(acac)3−トリエチルアルミニウム、Ru
(acac)3−トリイソブチルアルミニウム、Co
{(C653P}2Cl2−トリエチルアルミニウム、
Co{(C653P}2Cl2−トリイソブチルアルミ
ニウム、Ni(acac)2−トリエチルアルミニウ
ム、Ni(acac)2−トリイソブチルアルミニウ
ム、Ni{(n−C493P}2Cl2−トリエチルア
ルミニウム、Ni{(n−C493P}2Cl2−トリ
イソブチルアルミニウム、Pd{(n−C493P}2
Cl2−トリエチルアルミニウム、Pd{(n−C
493P}2Cl2−トリイソブチルアルミニウム、ク
ロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム、ヒド
リドカルボニルトリス(トリフェニルホスフィン)ロジ
ウム、酢酸ロジウム、酢酸ルテニウム、クロロヒドリド
トリス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム、カルビ
キシラトヒドリドトリス(トリフェニルホスフィン)ル
テニウム、ヒドリドカルボニルトリス(トリフェニルホ
スフィン)イリジウム、トリヒドリドトリス(トリフェ
ニルホスフィン)コバルト、クロロカルボニルビス(ト
リフェニルホスフィン)イリジウム、ペンタシアノコバ
ルト(II)錯体、トリシアノビピリジンコバルト(II)
錯体、ビス(ジメチルグリオキシマト)コバルト(II)
錯体、コバルトカルボニル錯体、アレントリカルボニル
クロム錯体、ビス(トリカルボニルシクロペンタジエニ
ルクロム)、ペンタカルボニル鉄錯体などを挙げること
ができる。これら各触媒は2種以上を混合して使用する
ことができる。上記の化合物のなかにあって、成分
(2)として好ましい化合物は、パラジウムブラック、
ニッケル−ケイソウ土、ラネーニッケル、ビスシクロペ
ンタジエニルチタニウムジクロリド−トリイソブチルア
ルミニウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジメ
チル−トリイソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタ
ジエニルジルコニウムジクロリド−トリイソブチルアル
ミニウム、Ti(Oi−C374−トリエチルアルミ
ニウム、Ti(Oi−C374−トリイソブチルアル
ミニウム、Ti(On−C494−トリエチルアルミ
ニウム、Ti(On−C494−トリイソブチルアル
ミニウム、Co(On−C8173−トリエチルアルミ
ニウム、Co(On−C8173−トリイソブチルアル
ミニウム、Co(acac)3−トリエチルアルミニウ
ム、Co(acac)3−トリイソブチルアルミニウ
ム、Ni(acac)2−トリエチルアルミニウム、N
i(acac)2−トリイソブチルアルミニウム、クロ
ロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム、などで
ある。
【0019】本発明の製造方法において用いる触媒
(b)の(ア)の構成成分である成分(F)と成分
(B’)の接触順序も特に限定されない。また、成分
(F)、(B’)を接触させる方法としては、通常窒素
またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、一般にベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族
炭化水素、ヘプタン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シ
クロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水素等の
液状不活性炭化水素の存在下、攪拌下または非攪拌下
に、成分(F)、(B’)を接触させる。特に前記した
成分(F)、(B’)が可溶な溶媒すなわちベンゼン、
トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化
水素中で行うか、窒素雰囲気下で行うのが好ましい。こ
の接触は通常−100〜200℃、好ましくは−50〜
150℃の温度にて、5分〜250時間、好ましくは3
0分〜24時間行うことが望ましい。また、(ア)にお
ける成分(F)と成分(B’)の使用割合は、成分
(F)1モルにたいして成分(B’)を通常0.01〜
1000モル、好ましくは0.05〜200モル、さら
に好ましくは0.5〜20モルの割合で調製することが
望ましい。本発明のポリオレフィンの製造は、前述の通
り、触媒(a)および触媒(b)の存在下に実施される
が、オレフィン類を重合または共重合させる際に、成分
(a)と成分(b)を供給する方法は、特に限定されな
い。たとえば成分(a)と成分(b)をあらかじめ接触
させたのちに供給しても良いし、また別々に供給しても
良い。成分(a)と成分(b)をあらかじめ接触させる
場合、成分(a)と成分(b)がともに固体の場合、成
分(a)が固体で成分(b)が液体の場合、成分(a)
が液体で成分(b)が固体の場合、成分(a)と成分
(b)がともに液体の場合のいずれの場合においても、
通常−100〜200℃、好ましくは−50〜150℃
の温度にて、1分〜250時間、好ましくは5分〜24
時間行うことが望ましい。本発明として用いる触媒
(a)および(b)は、前記のように各成分を相互に接
触することにより得られるが、さらに所望により別の成
分を用いることもできる。かかる成分としては、C−X
結合(X:フッ素等のハロゲン)を有するハロゲン化炭
化水素化合物、ハロゲン化含酸素炭化水素化合物、ハロ
ゲン・炭素化合物やスルフィド類、ならびに前記以外の
ボラン類、ボレート類を併用しても良い。本発明の成分
(a)と成分(b)の使用割合は、成分(a)における
成分(A)1モルに対し成分(b)の遷移金属化合物量
が0.01〜100モル、好ましくは0.1〜10モル
の割合にするのが望ましい。
【0020】本発明によれば、上述のように触媒(a)
と触媒(b)の存在下、オレフィン類が単独重合または
共重合せしめられる。重合方法は特に限定されず、気相
重合、スラリー重合、溶液重合いずれでもよい。特に気
相重合が好ましい。スラリー重合、溶液重合における溶
媒はヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン等の脂環族炭化水素等か
ら選ばれる。本発明でいうオレフィン類には、α−オレ
フィン類、環状オレフィン類、ジエン類、トリエン類が
包含される。α−オレフィン類には、炭素数2〜12、
好ましくは2〜8のものが包含され、具体的には、エチ
レン、プロピレン、ブテン−1、ヘキセン−1、4−メ
チルペンテン−1等が例示される。α−オレフィン類
は、本発明の触媒成分を使用して単独重合させることが
できる他、2種類以上のα−オレフィンを共重合させる
ことも可能であり、その共重合は交互共重合、ランダム
共重合、ブロック共重合のいずれであっても差し支えな
い。α−オレフィン類の共重合には、エチレンとプロピ
レン、エチレンとブテン−1、エチレンとヘキセン−
1、エチレンと4−メチルペンテン−1のように、エチ
レンと炭素数3〜12、好ましくは3〜8のα−オレフ
ィンとを共重合する場合、プロピレンとブテン−1、プ
ロピレンと4−メチルペンテン−1、プロピレンと4−
メチルブテン−1、プロビレンとヘキセン−1、プロピ
レンとオクテン−1のように、プロピレンと炭素数3〜
12、好ましくは3〜8のα−オレフィンとを共重合す
る場合が含まれる。エチレン又はプロピレンと他のα−
オレフィンとを共重合させる場合、当該他のα−オレフ
ィンの量は全モノマ−の90モル%以下の範囲で任意に選
ぶことができるが、一般的には、エチレン共重合体にあ
っては、40モル%以下、好ましくは30モル%以下、さら
に好ましく20モル%以下であり、プロピレン共重合体に
あっては、1〜90モル%、好ましくは5〜90モル%、
さらに好ましくは10〜70モル%の範囲で選ばれる。環状
オレフィンとしては、炭素数3〜24、好ましくは3〜
18のものが本発明で使用可能であり、これには例え
ば、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、
3−メチルシクロヘキセン、シクロオクテン、シクロデ
セン、シクロドデセン、テトラシクロデセン、オクタシ
クロデセン、ジシクロペンタジエン、ノルボルネン、5
−メチル−2−ノルボルネン、5−エチル−2−ノルボ
ルネン、5−イソブチル−2−ノルボルネン、5,6−
ジメチル−2−ノルボルネン、5,5,6−トリメチル
−2−ノルボルネン、エチリデンノルボルネンなどが包
含される。環状オレフィンは前記のα−オレフィンと共
重合せしめるのが通例であるが、その場合、環状オレフ
ィンの量は共重合体の50モル%以下、通常は1〜50モル
%、好ましくは2〜50モル%の範囲にある。本発明で使
用可能なジエン類及びトリエン類は、炭素数4〜26、好
ましくは6〜26のポリエンである。具体的には、ブタジ
エン、1,3−ペンタジエン、1,4−ペンタジエン、
1,3−ヘキサジエン、1,4−ヘキサジエン、1,5
−ヘキサジエン、1,3−シクロヘキサジエン、1,4
−シクロヘキサジエン、1,9−デカジエン、1,13
−テトラデカジエン、2,6−ジメチル−1,5−ヘプ
タジエン、2−メチル−2,7−オクタジエン、2,7
−ジメチル−2,6−オクタジエン、2,3ジメチルブ
タジエン、エチリデンノルボルネン、ジシクロペンタジ
エン、イソプレン、1,3,7−オクタトリエン、1,
5,9−デカトリエンなどが例示される。本発明で鎖式
ジエン又はトリエンを使用する場合、通常は上記したα
−オレフィンと共重合させるのが通例であるが、その共
重合体中の鎖式ジエン及び/又はトリエンの含有量は、
一般に、0.1〜50モル%、好ましくは0.2〜10
モル%の範囲にある。本発明の重合反応は前記した触媒
の存在下、すべて実質的に酸素、水などを絶った状態で
行われる。この時の重合条件は温度20〜200℃、好
ましくは50〜120℃、圧力常圧〜 70kg/cm2 G 、
好ましくは常圧〜20kg/cm2 G の範囲にあり、重合時
間としては5分〜20時間、好ましくは30分〜10時
間が採用されるのが普通である。また、重合反応系中
に、水分等の不純物除去を目的とした成分、いわゆるス
カベンジャーを加えることができ、そのスカベンジャー
としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミ
ニウム、トリイソブチルアルミニウムなどの有機アルミ
ニウム、前記変性有機アルミニウム化合物、分岐アルキ
ルを含有する変性有機アルミニウムなどが使用可能であ
る。また、本発明の特徴の一つは従来とは全く異なった
方法により生成重合体の分子量を調節可能ならしめる点
にあるが、このことは、重合条件(温度、圧力、触媒使
用量、水素分圧など)の調節によって生成重合体の分子
量を制御する手段の採用を、本発明が排除していること
を意味しない。さらにまた、本発明は個々の重合条件が
互いに異なる2段階以上の反応段を使用する多段重合方
法にも支障なく適用することができる。
【0021】
【実施例】以下に本発明を実施例及び比較例によって具
体的に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら
限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で得
られた重合体の物性測定は次の方法で行った。 メルトフローレート(MFR) ASTM D 1238−57T 190℃、2.16
kg荷重に基づき測定した。なお、MFRの増減により分
子量の指標のひとつとした。 数平均分子量(Mn) ゲルパーミエイションクロマトグラフィ(ウォーターズ
製、モデル形式150−C型)にて、溶媒にオルソジク
ロロベンゼンを使用し、測定温度を135℃として算出
した。 実施例1 (A)触媒(a)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた100ml三口フラスコに精製トルエン10mlを
加え、ついでテトラプロポキシジルコニウム0.11g
と1,2−ビスインデニルエタン0.1gおよびトリイ
ソブチルアルミニウム0.7gを加え、加熱環流条件下
で2時間攪拌反応させた。次ぎに、メチルアルミノキサ
ンのトルエン溶液(シェリング社製、濃度3.1mmo
lAl/ml)11mlを加え、室温で1時間攪拌反応
させた。 (B)触媒(b)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機を取り付けた100m
l三口フラスコにコバルトオクトエート6mmolとト
リエチルアルミニウムのヘキサン溶液(1.0mmol
Al/ml)18ml(18mmol)を常温、常圧で
混合し2時間攪拌した。 (C)重合 攪拌機を付した容量3Lのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換し、そこに酸洗浄および300℃で
熱処理された海砂200gを導入し、80℃で減圧で十
分に乾燥した。次ぎに上記触媒溶液(a)を2mlを加
え、その後、上記触媒(b)を0.03mlを張り込
み、エチレンと1−ブテン(ブテン/エチレン=0.
2)の混合ガスを連続的に供給しつつ、全圧を9Kgf
/cm2Gに維持して80℃で2時間の重合を行った。
触媒効率は136kg/gZrで、MFRは2.5g/
10min、Mnは55200であった。 実施例2 実施例1において重合の際に供給する触媒(b)の量を
0.06mlに変えたこと以外は実施例1と同様に重合
を行った。触媒効率は135kg/gZrでMFRは
1.5g/10min、Mnは63200であった。 比較例1 実施例1において重合の際に触媒(b)を供給せずに重
合したこと以外は実施例1と同様に行った。触媒効率は
132kg/gZrでMFRは3.0g/10min、
Mnは52300であった。 実施例3 (A)固体触媒(a)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた500ml三口フラスコに精製トルエン100ml
を加え、ついでテトラプロポキシジルコニウム2.0g
とメチルシクロペンタジエン1.9gおよびトリエチル
アルミニウム2.1gを加え加熱環流条件下で2時間攪
拌反応させた。次ぎに、メチルアルミノキサンのトルエ
ン溶液(シェリング社製、濃度3.1mmolAl/m
l)195mlを加え、室温で1時間攪拌反応させた。
窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた1L三口フラスコに、予め500℃で7時間焼成処
理したシリカ(富士デビソン製 #952)150gを
入れ、フラスコを150℃まで加熱して1時間減圧乾燥
を行った。乾燥終了後、フラスコを室温まで冷却し、こ
こに上記で得られた触媒成分溶液を添加し、常温で1時
間反応させた。次いで、フラスコを40℃まで昇温し、
得られたスラリー溶液を60分間減圧乾燥して溶媒を除
去することにより、流動性の良い固体触媒201gを得
た。 (B)触媒(b)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機を取り付けた100m
l三口フラスコにビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロリド6mmolとトリイソブチルアルミニウムの
ヘキサン溶液(1.0mmolAl/ml)12ml
(12mmol)を常温、常圧で混合し2時間攪拌し
た。 (C)重合 攪拌機を付した容量3Lのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を75℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液(1mm
ol/ml)を0.3ml添加した後、上記触媒(b)
0.03mlを添加し,エチレンとブテン−1の混合ガ
ス(ブテン−1/エチレンモル比0.15)を8Kgf
/cm2Gとなるように張り込み、上記で得られた固体
触媒(a)を100mg(Zr=0.27mg)供給し
て重合を開始し、エチレンとブテン−1の混合ガス(ブ
テン−1/エチレンモル比0.05)を連続的に供給し
つつ、全圧を9Kgf/cm2Gに維持して2時間の重
合を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、白色ポリマ−41gを得た。この
ときの触媒効率は152Kg/gZrであった。この白
色ポリマーのMFRは0.58g/10min、Mnは
80800であった。 比較例2 実施例3において使用する固体触媒(a)の量を111
mg(Zr=0.30mg)とし触媒(b)を添加しな
かったこと以外は実施例3と同様に実験を行った。重合
終了後、余剰のガスを排出し、冷却して内容物を取り出
し、白色ポリマ−50gを得た。触媒効率は167Kg
/gZrであった。この白色ポリマーのMFRは0.8
5g/10min、Mnは75300であった。 実施例4 (A)固体触媒(a)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた500ml三口フラスコに精製トルエン100ml
を加え、ついでテトラプロポキシジルコニウム2.0g
とインデン5.6gおよびトリイソブチルアルミニウム
9.2gを加え加熱環流条件下で2時間攪拌反応させ、
遷移金属触媒成分を調製した。次ぎに、メチルアルミノ
キサンのトルエン溶液(シェリング社製、濃度3.1m
molAl/ml)195mlを加え、室温で1時間攪
拌反応させた。窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および
冷却管を取り付けた1L三口フラスコに、予め500℃
で7時間焼成処理したシリカ(富士デビソン製 #95
2)150gを入れ、フラスコを150℃まで加熱して
1時間減圧乾燥を行った。乾燥終了後、フラスコを室温
まで冷却し、上記で得られた触媒成分溶液を添加し、常
温で1時間反応させた。次いで、フラスコを40℃まで
昇温し、得られたスラリー溶液を60分間減圧乾燥して
溶媒を除去することにより、流動性の良い固体触媒19
9gを得た。 (B)触媒(b)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機を取り付けた100m
l三口フラスコにオルトチタン酸テトライソプロピル6
mmolとトリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液
(1.0mmolAl/ml)20ml(20mmo
l)を常温、常圧で混合し2時間攪拌した。 (C)重合 攪拌機を付した容量3Lのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を75℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液(1mm
ol/ml)を0.3ml添加した後、固体触媒(a)
を106mg(Zr=0.29mg)供給した。次いで
上記触媒(b)0.03mlを、エチレンとブテン−1
の混合ガス(ブテン−1/エチレンモル比0.15)9
Kgf/cm2Gとともに張り込み重合を開始した。重
合開始後、エチレンとブテン−1の混合ガス(ブテン−
1/エチレンモル比0.05)を連続的に供給しつつ、
全圧を9Kgf/cm2Gに維持して2時間の重合を行
った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却して内容
物を取り出し、白色ポリマ−44gを得た。このときの
触媒効率は152Kg/gZrであった。この白色ポリ
マーのMFRは1.6g/10min、Mnは6210
0であった。 比較例3 実施例4において使用する固体触媒(a)量を111m
g(Zr=0.30mg)とし、触媒(b)を添加しな
かったこと以外は実施例4と同様に実験を行った。重合
終了後、余剰のガスを排出し、冷却して内容物を取り出
し、白色ポリマ−47gを得た。触媒効率は156Kg
/gZrであった。この白色ポリマーのMFRは6.5
g/10min、Mnは38300であった。 実施例5 (A)固体触媒(a)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた500ml三口フラスコに精製トルエン100ml
を加え、ついでテトラブトシジルコニウム2.3gとシ
クロペンタジエン3.2gおよびトリエチルアルミニウ
ム13.1gを加え加熱環流条件下で2時間攪拌反応さ
せた。次ぎに、メチルアルミノキサンのトルエン溶液
(シェリング社製、濃度3.1mmolAl/ml)1
95mlを加え、室温で1時間攪拌反応させた。窒素雰
囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付けた1
L三口フラスコに、予め500℃で7時間焼成処理した
アルミナ150gを入れ、フラスコを150℃まで加熱
して1時間減圧乾燥を行った。乾燥終了後、フラスコを
室温まで冷却し、上記触媒成分溶液を添加し、常温で1
時間反応させた。次いで、フラスコを40℃まで昇温
し、得られたスラリー溶液を60分間減圧乾燥して溶媒
を除去することにより、流動性の良い固体触媒190g
を得た。 (B)触媒(b)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機を取り付けた100m
l三口フラスコにオルトチタン酸テトライソプロピル6
mmolとトリエチルアルミニウムのヘキサン溶液
(1.0mmolAl/ml)20ml(20mmo
l)を常温、常圧で混合し2時間攪拌した。 (C)重合 攪拌機を付した容量3Lのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を75℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液(1mm
ol/ml)を0.3ml添加した後、固体触媒(a)
を106mg(Zr=0.29mg)供給した。次いで
上記触媒(b)0.03mlを、エチレンとブテン−1
の混合ガス(ブテン−1/エチレンモル比0.15)9
Kgf/cm2Gとともに張り込み重合を開始した。重
合開始後、エチレンとブテン−1の混合ガス(ブテン−
1/エチレンモル比0.05)を連続的に供給しつつ、
全圧を9Kgf/cm2Gに維持して2時間の重合を行
った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却して内容
物を取り出し、白色ポリマ−41gを得た。このときの
触媒効率は143Kg/gZrであった。この白色ポリ
マーのMFRは2.7g/10min、Mnは5380
0であった。 比較例4 実施例5において使用する固体触媒(a)の量を111
mg(Zr=0.30mg)とし、上記触媒(b)を添
加しなかったこと以外は実施例5と同様に実験を行っ
た。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却して内容物
を取り出し、白色ポリマ−41gを得た。触媒効率は1
38Kg/gZrであった。この白色ポリマーのMFR
は3.1g/10min、Mnは51200であった。 実施例6 (A)固体触媒(a)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた500ml三口フラスコに精製トルエン100ml
を加え、ついでテトラプロポキシジルコニウム2.0g
とメチルシクロペンタジエン1.9gおよびトリエチル
アルミニウム2.1gを加え加熱環流条件下で2時間攪
拌反応させた。次ぎに、メチルアルミノキサンのトルエ
ン溶液(シェリング社製、濃度3.1mmolAl/m
l)195mlを加え、室温で1時間攪拌反応させた。
窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた1L三口フラスコに、予め十分乾燥させたスチレン
−ジビニルベンゼン共重合体ビーズ(オルガノ社製)1
50gを入れ、フラスコを90℃まで加熱して1時間減
圧乾燥を行った。乾燥終了後、フラスコを室温まで冷却
し、ここに上記で得られた触媒成分溶液を添加し、常温
で1時間反応させた。次いで、フラスコを40℃まで昇
温し、得られたスラリー溶液を60分間減圧乾燥して溶
媒を除去することにより、流動性の良い固体触媒201
gを得た。 (B)触媒(b)の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機を取り付けた100m
l三口フラスコにビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロリド6mmolとトリエチルアルミニウムのヘキ
サン溶液(1.0mmolAl/ml)12ml(12
mmol)を常温、常圧で混合し2時間攪拌した。 (C)重合 攪拌機を付した容量3Lのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を75℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液(1mm
ol/ml)を0.3ml添加した後、固体触媒(a)
を106mg(Zr=0.29mg)供給した。次いで
上記触媒(b)0.03mlを、エチレンとブテン−1
の混合ガス(ブテン−1/エチレンモル比0.15)9
Kgf/cm2Gとともに張り込み重合を開始した。重
合開始後、エチレンとブテン−1の混合ガス(ブテン−
1/エチレンモル比0.05)を連続的に供給しつつ、
全圧を9Kgf/cm2Gに維持して2時間の重合を行
った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却して内容
物を取り出し、白色ポリマ−34gを得た。このときの
触媒効率は116Kg/gZrであった。この白色ポリ
マーのMFRは0.72g/10min、Mnは776
00であった。 比較例5 実施例6において使用する固体触媒量を98mg(Zr
=0.27mg)とし、触媒(b)を添加しなかったこ
と以外は実施例6と同様に実験を行った。重合終了後、
余剰のガスを排出し、冷却して内容物を取り出し、白色
ポリマ−36gを得た。触媒効率は132Kg/gZr
であった。この白色ポリマーのMFRは0.90g/1
0min、Mnは72300であった。 実施例7 (A)固体触媒(a)の調製 実施例4と同様に調製した。 (B)触媒(b)の調製 実施例4と同様に調製した。 (C)重合 気相重合装置に攪拌機のついたステンレス製オートクレ
ーブを使用し、ブロワー、流量調節器および乾式サイク
ロンでループをつくり、オートクレーブはジャケットに
温水を流すことによって温度を調節した。60℃に調節
したオートクレーブに固体触媒(a)を100mg/h
および上記触媒(b)を0.03ml/hの速度で供給
し、またオートクレーブ気相中のブテン−1/エチレン
モル比を0.25になるように調節しながら各々のガス
を供給し、全圧を8Kgf/cm2Gに保ちながらブロ
ワーにより系内のガスを循環させ、生成ポリマーを間欠
的に抜き出しながら10時間の連続重合を行った。触媒
効率は65kg/gZrで、MFRは1.8g/10m
in、Mnは61500であった。 比較例6 実施例7において、重合中に触媒(b)を供給しなかっ
たこと以外は実施例7と同様な重合を行った。触媒効率
は71kg/gZrで、MFRは3.3g/10mi
n、Mnは50100であった。 実施例8 (A)触媒(a)の調製 実施例1と同様に調製した。 (B)触媒(b)の調製 実施例1と同様に調製した。 (C)重合 攪拌機を付した容量3Lのステンレススチール製のオー
トクレーブを窒素置換し、これに精製したトルエン1L
を加え、更に重合系内のスカベンジを行うためトリエチ
ルアルミニウムのトルエン希釈溶液(1mmol/m
l)を0.3ml添加した後、上記触媒溶液(a)を2
mlを加え、触媒(b)を0.03ml張り込み、80
℃に昇温し続いてエチレンと1−ブテン(ブテン/エチ
レン=0.2)の混合ガスを連続的に供給しつつ、全圧
を9Kgf/cm2Gに維持して2時間の重合を行っ
た。触媒効率は278kg/gZrで、MFRは0.0
4g/10min、Mnは106800であった。 実施例9 実施例8において重合の際に供給する触媒(b)の量を
0.06mlに変えたこと以外は実施例8と同様に重合
を行った。触媒効率は272kg/gZrでMFRは
0.02g/10min、Mnは110500であっ
た。 比較例7 実施例8において、重合中に触媒(b)を供給しなかっ
たこと以外は実施例8と同様な重合を行った。触媒効率
は288kg/gZrで、MFRは0.06g/10m
in、Mnは103800であった。 実施例10 (A)固体触媒(a)の調製 実施例4と同様に調製した。 (B)重合 攪拌機を付した容量3Lのステンレススチール製オート
クレーブの内筒の底にラニーニッケルを0.02mmo
l担持したハニカム状アルミナを固定し、系内を窒素置
換した後、オートクレーブ内を75℃まで昇温した。続
いて、重合系内のスカベンジを行うためトリエチルアル
ミニウムのトルエン希釈溶液(1mmol/ml)を
0.3ml添加した後、固体触媒(a)を105mg
(Zr=0.29mg)供給した。続いて、エチレンと
ブテン−1の混合ガス(ブテン−1/エチレンモル比
0.15)9Kgf/cm2Gを張り込み重合を開始し
た。重合開始後、エチレンとブテン−1の混合ガス(ブ
テン−1/エチレンモル比0.05)を連続的に供給し
つつ、全圧を9Kgf/cm2Gに維持して2時間の重
合を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、ポリマ−35gを得た。このとき
の触媒効率は121Kg/gZrであった。このポリマ
ーのMFRは3.1g/10min、Mnは51100
であった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の重合用触媒の調製工程を示すフローシ
ートである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも下記に示す触媒(a)および触
    媒(b)の存在下、オレフィンを重合または共重合する
    ことを特徴とするポリオレフィンの製造方法。 [触媒(a)]少なくとも、下記に示す(1)〜(4)
    の各成分を相互に接触させて得られる触媒、 (1)一般式Me11 p(OR2q1 4-p-qで表される
    化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24の炭化
    水素基、X1はハロゲン原子または水素原子、Me1はZ
    r、TiまたはHfを示し、p及びqはそれぞれ0≦p
    ≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である)、 (2)一般式Me23 m(OR4n2 z-m-nで表される
    化合物(式中、R3、R4は個別に炭素数1〜24の炭化
    水素基、X2はハロゲン原子または水素原子、Me2は周
    期律表第I〜III族元素、zはMe2の価数を示し、
    m及びnはそれぞれ0<m≦z、0≦n≦zで、しかも
    0<m+n≦zである) (3)環状で共役二重結合を2個以上持つ有機化合物、
    および (4)Al−O−Al結合を含む変性有機アルミニウム
    化合物 [触媒(b)]下記(ア)および(イ)から選ばれる触
    媒 (ア)下記に示す(1)の成分からなる触媒、または
    (1)および(2)の成分を接触させて得られる触媒 (1)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物(た
    だし、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロ
    ゲン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルア
    セトナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホ
    スフィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル
    錯体の中から選ばれる化合物である) (2)一般式Me'R'm(OR")nX'z-m-nで表される
    化合物(式中、R'、R"は個別に炭素数1〜24の炭化
    水素基、X'はハロゲン原子または水素原子、Me'は周
    期律表第I〜III族元素、zはMe'の価数を示し、
    m及びnはそれぞれ0<m≦z、0≦n≦zで、しかも
    0<m+n≦zである)または、 (イ)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属
  2. 【請求項2】少なくとも下記に示す触媒(a)および触
    媒(b)の存在下、オレフィンを重合または共重合する
    ことを特徴とするポリオレフィンの製造方法。 [触媒(a)]少なくとも下記に示す(1)〜(5)の
    各成分を相互に接触させて得られる触媒 (1)一般式Me11 p(OR2q1 4-p-qで表される
    化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24の炭化
    水素基、X1はハロゲン原子または水素原子、Me1はZ
    r、TiまたはHfを示し、p及びqはそれぞれ0≦p
    ≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である)、 (2)一般式Me23 m(OR4n2 z-m-nで表される
    化合物(式中、R3、R4は個別に炭素数1〜24の炭化
    水素基、X2はハロゲン原子または水素原子、Me2は周
    期律表第I〜III族元素、zはMe2の価数を示し、m及
    びnはそれぞれ0<m≦z、0≦n≦zで、しかも0<
    m+n≦zである) (3)環状で共役二重結合を2個以上持つ有機化合物、 (4)Al−O−Al結合を含む変性有機アルミニウム
    化合物および (5)無機化合物担体および/または粒子状ポリマー担
    体 [触媒(b)]下記(ア)および(イ)から選ばれる触
    媒 (ア)下記に示す(1)の成分からなる触媒、または
    (1)および(2)の成分を接触させて得られる触媒 (1)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物(た
    だし、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロ
    ゲン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルア
    セトナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホ
    スフィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル
    錯体の中から選ばれる化合物である) (2)一般式Me'R'm(OR")nX'z-m-nで表される
    化合物(式中、R'、R"は個別に炭素数1〜24の炭化
    水素基、X'はハロゲン原子または水素原子、Me'は周
    期律表第I〜III族元素、zはMe'の価数を示し、
    m及びnはそれぞれ0<m≦z、0≦n≦zで、しかも
    0<m+n≦zである)または、 (イ)周期律表第IV〜VIII族の遷移金属
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