JPH09148249A - 薄膜多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
薄膜多結晶シリコンの製造方法Info
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- JPH09148249A JPH09148249A JP7305616A JP30561695A JPH09148249A JP H09148249 A JPH09148249 A JP H09148249A JP 7305616 A JP7305616 A JP 7305616A JP 30561695 A JP30561695 A JP 30561695A JP H09148249 A JPH09148249 A JP H09148249A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、固層成長後に小さな結晶が膜表
面側に存在することを防止し、良好な膜特性の薄膜ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉを提供することを目的とする。 【解決手段】 この発明の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの製造方
法は、基板上に膜厚３μｍ以下のａ−Ｓｉからなる出発
膜を形成した後、熱処理を施し結晶化させてｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜を形成する工程を繰り返し、所望の膜厚の薄膜ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉを形成する。
面側に存在することを防止し、良好な膜特性の薄膜ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉを提供することを目的とする。 【解決手段】 この発明の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの製造方
法は、基板上に膜厚３μｍ以下のａ−Ｓｉからなる出発
膜を形成した後、熱処理を施し結晶化させてｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜を形成する工程を繰り返し、所望の膜厚の薄膜ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は薄膜多結晶シリコ
ン（以下、ｐｏｌｙ−Ｓｉと略記する。）の製造方法に
関する。
ン（以下、ｐｏｌｙ−Ｓｉと略記する。）の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの製造法として、基
板上に非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記する。）
膜を堆積した後に熱アニールを行い、ａ−Ｓｉ膜を結晶
化させる、いわゆる固相成長法が知られている（例え
ば、特開平５−１０９６３８号公報に詳しい。）。この
方法は、６００℃程度の簡単なプロセスであること、大
面積化が容易なことから低コスト太陽電池の材料形成法
として注目を集めている。
板上に非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記する。）
膜を堆積した後に熱アニールを行い、ａ−Ｓｉ膜を結晶
化させる、いわゆる固相成長法が知られている（例え
ば、特開平５−１０９６３８号公報に詳しい。）。この
方法は、６００℃程度の簡単なプロセスであること、大
面積化が容易なことから低コスト太陽電池の材料形成法
として注目を集めている。
【０００３】特に、大きな結晶粒を持つ薄膜ｐｏｌｙ−
Ｓｉの製造方法は、図６の工程フロー図に示すように、
基板を洗浄した後に、基板上に核発生層である燐（Ｐ）
をドープしたａ−Ｓｉ膜と結晶成長層であるノンドープ
（または微ドープ）のａ−Ｓｉを順次堆積することによ
り、デバイスに必要な膜厚のａ−Ｓｉ膜を基板上に形成
する。その後、熱アニールを行い固相成長を行う。
Ｓｉの製造方法は、図６の工程フロー図に示すように、
基板を洗浄した後に、基板上に核発生層である燐（Ｐ）
をドープしたａ−Ｓｉ膜と結晶成長層であるノンドープ
（または微ドープ）のａ−Ｓｉを順次堆積することによ
り、デバイスに必要な膜厚のａ−Ｓｉ膜を基板上に形成
する。その後、熱アニールを行い固相成長を行う。
【０００４】この固相成長は、まず結晶化しやすいＰド
ープ層で結晶核が形成され、これがノンドープ層へ成長
する。この結果、結晶化が始まるまでの時間が短縮され
結晶成長層中の余分な核発生を抑制でき、大きな結晶粒
を持つ薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを形成することができる。
ープ層で結晶核が形成され、これがノンドープ層へ成長
する。この結果、結晶化が始まるまでの時間が短縮され
結晶成長層中の余分な核発生を抑制でき、大きな結晶粒
を持つ薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方法では、太陽電池に必要な膜厚の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉを得るためにノンドープ層を厚くすると、図７に示す
ように、Ｐドープ層側からの結晶化がノンドープ層全体
に及ぶ前に新たな結晶核が発生して、結晶化が始まるた
め、基板１上に形成される薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ２は、小
さな粒径の結晶が混ざった膜構造となる。このように、
小さな結晶が多数混在した薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉでは、キ
ャリアは多数の粒界を横切らないと移動できないため、
再結合やトラップによりキャリアを失う確率が大きくな
り、太陽電池特性を向上させる障害となっていた。
た方法では、太陽電池に必要な膜厚の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉを得るためにノンドープ層を厚くすると、図７に示す
ように、Ｐドープ層側からの結晶化がノンドープ層全体
に及ぶ前に新たな結晶核が発生して、結晶化が始まるた
め、基板１上に形成される薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ２は、小
さな粒径の結晶が混ざった膜構造となる。このように、
小さな結晶が多数混在した薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉでは、キ
ャリアは多数の粒界を横切らないと移動できないため、
再結合やトラップによりキャリアを失う確率が大きくな
り、太陽電池特性を向上させる障害となっていた。
【０００６】この発明は上述した従来の問題点を解消す
るためになされたものにして、固相成長後に小さな結晶
が膜表面側に存在することを防止し、良好な膜特性の薄
膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを提供することを目的とする。
るためになされたものにして、固相成長後に小さな結晶
が膜表面側に存在することを防止し、良好な膜特性の薄
膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の薄膜ｐｏｌｙ
−Ｓｉの製造方法は、基板上にａ−Ｓｉからなる出発膜
を形成した後、熱処理を施し結晶化させてｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜を形成する工程を繰り返し、所望の膜厚の薄膜ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉを形成することを特徴とする。
−Ｓｉの製造方法は、基板上にａ−Ｓｉからなる出発膜
を形成した後、熱処理を施し結晶化させてｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜を形成する工程を繰り返し、所望の膜厚の薄膜ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉを形成することを特徴とする。
【０００８】前記出発膜の膜厚を３μｍ以下にするとよ
い。
い。
【０００９】このように、膜厚の薄いａ−Ｓｉからなる
出発膜を熱処理を施して結晶化させる工程を繰り返し、
所望の膜厚の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉすることで、出発膜を
熱処理を施して結晶化させる際に、新たな結晶核の発生
が防止でき、結晶粒径を大きくすることができる。特
に、出発膜の膜厚を３μｍ以下とすると、良好な膜特性
の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを得ることができる。
出発膜を熱処理を施して結晶化させる工程を繰り返し、
所望の膜厚の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉすることで、出発膜を
熱処理を施して結晶化させる際に、新たな結晶核の発生
が防止でき、結晶粒径を大きくすることができる。特
に、出発膜の膜厚を３μｍ以下とすると、良好な膜特性
の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを得ることができる。
【００１０】上記出発膜への不純物のドーピング量を工
程が変わる毎に変化させるように構成すると良い。
程が変わる毎に変化させるように構成すると良い。
【００１１】さらに、ドーピングする不純物の量に応じ
て出発膜の膜厚を変化させるとよい。
て出発膜の膜厚を変化させるとよい。
【００１２】不純物をドーピングすることにより、結晶
核の発生が起こりやすくなるので、ドーピング量に応じ
て膜厚を変化させることで、新たな結晶核の発生が抑制
できる。
核の発生が起こりやすくなるので、ドーピング量に応じ
て膜厚を変化させることで、新たな結晶核の発生が抑制
できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態に付
き図面を参照して説明する。
き図面を参照して説明する。
【００１４】この発明の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの製造方法
は、図１の工程フロー図に示すように、まず、基板１を
洗浄する（ステップＳ１）。その後に、基板１上に核発
生層である燐（Ｐ）をドープしたａ−Ｓｉ膜をプラズマ
ＣＶＤ法により形成する（ステップＳ２）。続いて結晶
成長層である膜厚３μｍ以下のノンドープ（または微ド
ープ）のａ−Ｓｉ膜をＰドープａ−Ｓｉ膜上にプラズマ
ＣＶＤ法により形成する（ステップＳ３）。そして、熱
アニールを施し固相成長を行う（ステップＳ４）。
は、図１の工程フロー図に示すように、まず、基板１を
洗浄する（ステップＳ１）。その後に、基板１上に核発
生層である燐（Ｐ）をドープしたａ−Ｓｉ膜をプラズマ
ＣＶＤ法により形成する（ステップＳ２）。続いて結晶
成長層である膜厚３μｍ以下のノンドープ（または微ド
ープ）のａ−Ｓｉ膜をＰドープａ−Ｓｉ膜上にプラズマ
ＣＶＤ法により形成する（ステップＳ３）。そして、熱
アニールを施し固相成長を行う（ステップＳ４）。
【００１５】この固相成長は、まず結晶化しやすいＰド
ープ層で結晶核が形成され、これがノンドープ層へ成長
する。そして、ノンドープ層の膜厚が３μｍ以下と薄い
ため新たな核発生が発生せずに、結晶成長層中の余分な
核発生が抑制された状態で結晶化がする。この結果、大
きな結晶粒を持つ薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを形成することが
できる。
ープ層で結晶核が形成され、これがノンドープ層へ成長
する。そして、ノンドープ層の膜厚が３μｍ以下と薄い
ため新たな核発生が発生せずに、結晶成長層中の余分な
核発生が抑制された状態で結晶化がする。この結果、大
きな結晶粒を持つ薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを形成することが
できる。
【００１６】この後、結晶成長層である膜厚３μｍ以下
のノンドープ（または微ドープ）のａ−Ｓｉ膜の形成と
熱アニールを施して固相成長を行う工程を繰り返し、基
板１上にデバイスに必要な膜厚の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ２
ａを形成する。
のノンドープ（または微ドープ）のａ−Ｓｉ膜の形成と
熱アニールを施して固相成長を行う工程を繰り返し、基
板１上にデバイスに必要な膜厚の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ２
ａを形成する。
【００１７】上記薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの形成条件を表１
に示す。
に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】上記方法により形成された薄膜ｐｏｌｙ−
Ｓｉは、図２に示すように、基板１からｐｏｌｙ−Ｓｉ
２ａ表面まで縦方向につながった結晶構造となり、この
薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を太陽電池に用いると、光吸収に
より発生したキャリアは粒界を横切ることなく外部に取
り出すことができる。
Ｓｉは、図２に示すように、基板１からｐｏｌｙ−Ｓｉ
２ａ表面まで縦方向につながった結晶構造となり、この
薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を太陽電池に用いると、光吸収に
より発生したキャリアは粒界を横切ることなく外部に取
り出すことができる。
【００２０】一方、前述した図６に示す従来の方法で
は、図７に示すように、固相成長段階で余分な各発生に
より、これらが成長してしまうため、膜表面側に小さな
結晶粒を持つ構造となる。従って、キャリアは粒界の影
響を受けることになり、損失は免れない。
は、図７に示すように、固相成長段階で余分な各発生に
より、これらが成長してしまうため、膜表面側に小さな
結晶粒を持つ構造となる。従って、キャリアは粒界の影
響を受けることになり、損失は免れない。
【００２１】図３に上記した表２に示す条件で１度に成
膜及び固相成長を行う結晶成長層の膜厚と形成された薄
膜ｐｏｌｙ−Ｓｉのホール移動度を測定した結果を示
す。この図において、●印はこの発明により形成した薄
膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの特性を、■印は従来法により形成し
た薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの特性を示す。尚、基板は石英基
板を用い、繰り返し形成後の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの膜厚
は１０μｍとした。
膜及び固相成長を行う結晶成長層の膜厚と形成された薄
膜ｐｏｌｙ−Ｓｉのホール移動度を測定した結果を示
す。この図において、●印はこの発明により形成した薄
膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの特性を、■印は従来法により形成し
た薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの特性を示す。尚、基板は石英基
板を用い、繰り返し形成後の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの膜厚
は１０μｍとした。
【００２２】図３より、ホール移動度は１度に成膜及び
固相成長する膜厚を薄くすることで、特性が向上し，特
に膜厚を３μｍ以下とすることで特性が向上しているこ
とが分かる。
固相成長する膜厚を薄くすることで、特性が向上し，特
に膜厚を３μｍ以下とすることで特性が向上しているこ
とが分かる。
【００２３】尚、１度に成膜及び固相成長する膜厚を１
μｍ以下としたときに、ホールの移動度が減少傾向とな
る。この原因は明らかではないが、成膜する膜が非常に
薄いことで、膜を作る際の初期放電のばらつきや成膜の
繰り返し回数の増加などの影響で、ａ−Ｓｉ膜の膜質、
界面に悪影響を及ぼし、そのためにホールの移動度が減
少したものと考えられる。
μｍ以下としたときに、ホールの移動度が減少傾向とな
る。この原因は明らかではないが、成膜する膜が非常に
薄いことで、膜を作る際の初期放電のばらつきや成膜の
繰り返し回数の増加などの影響で、ａ−Ｓｉ膜の膜質、
界面に悪影響を及ぼし、そのためにホールの移動度が減
少したものと考えられる。
【００２４】上記薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを用いた太陽電池
の実施の形態を図４に示す。図４に示すように、この太
陽電池は、金属基板１０上に、この発明の方法により、
薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１１を形成する。この薄膜ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ層１１は基板１０側がｎ+型層に形成され、表
面側はｉ型または微量のＰがドープされた層に形成され
ている。この薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１１上にｉ型ａ−Ｓ
ｉ層１２、ｐ型ａ−Ｓｉ層１３が順次積層され半導体接
合が形成される。そして、ｐ型ａ−Ｓｉ層１３上に透明
電極１４が設けられ、この透明電極１４上に金属の集電
極１５が設けられる。
の実施の形態を図４に示す。図４に示すように、この太
陽電池は、金属基板１０上に、この発明の方法により、
薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１１を形成する。この薄膜ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ層１１は基板１０側がｎ+型層に形成され、表
面側はｉ型または微量のＰがドープされた層に形成され
ている。この薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１１上にｉ型ａ−Ｓ
ｉ層１２、ｐ型ａ−Ｓｉ層１３が順次積層され半導体接
合が形成される。そして、ｐ型ａ−Ｓｉ層１３上に透明
電極１４が設けられ、この透明電極１４上に金属の集電
極１５が設けられる。
【００２５】表２に上記太陽電池を形成するためのｉ型
ａ−Ｓｉ層１２、ｐ型ａ−Ｓｉ層１３及び透明電極１４
の形成条件を示す。
ａ−Ｓｉ層１２、ｐ型ａ−Ｓｉ層１３及び透明電極１４
の形成条件を示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】上記した実施の形態においては、ドーピン
グ量は一定にしているが、これを意図的に変化させるこ
とで、デバイス特性の向上を図ることができる。表３に
ドーピング量を変化させて薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを形成す
る条件を示す。
グ量は一定にしているが、これを意図的に変化させるこ
とで、デバイス特性の向上を図ることができる。表３に
ドーピング量を変化させて薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを形成す
る条件を示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】上記薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉは１回の成膜及び
固相成長を１〜３μｍとし、５回の繰り返しとした。ま
たドーピング量は徐々に少なくなるように、更に、１度
の成膜する膜厚を徐々に厚くしている。これにより、形
成された薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中には電界が作り込まれ、
薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中でのキャリア移動を促進させて、
効率よくキャリアを取り出すことが可能となる。
固相成長を１〜３μｍとし、５回の繰り返しとした。ま
たドーピング量は徐々に少なくなるように、更に、１度
の成膜する膜厚を徐々に厚くしている。これにより、形
成された薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中には電界が作り込まれ、
薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中でのキャリア移動を促進させて、
効率よくキャリアを取り出すことが可能となる。
【００３０】また、膜厚を高ドープ時に薄くなるように
変化させているのは、核発生が高ドープほど行われやす
いため、結晶成長時間を短くし余分な核発生量を少なく
するためである。
変化させているのは、核発生が高ドープほど行われやす
いため、結晶成長時間を短くし余分な核発生量を少なく
するためである。
【００３１】図５に上記の太陽電池のバンド構造図を示
す。同図において、（ａ）が薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中に電
界を作り込んだ場合を、（ｂ）が薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中
に電界が形成されていない場合を示す。図５に示すよう
に、薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中に電界を作り込んだ場合に
は、薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中に電界が形成されていない場
合に比べてバンドギャップに勾配が形成され、薄膜ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ中でのキャリア移動が促進され、効率よくキ
ャリアを取り出すことができる。
す。同図において、（ａ）が薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中に電
界を作り込んだ場合を、（ｂ）が薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中
に電界が形成されていない場合を示す。図５に示すよう
に、薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中に電界を作り込んだ場合に
は、薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中に電界が形成されていない場
合に比べてバンドギャップに勾配が形成され、薄膜ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ中でのキャリア移動が促進され、効率よくキ
ャリアを取り出すことができる。
【００３２】そして、薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ中に電界を作
り込んだ太陽電池は、変換効率が９．５％、Ｖｏｃが
０．６０Ｖ、Ｉｓｃが２２．６ｍＡ／ｃｍ2、ＦＦが
０．７を達成している。これに対して、薄膜ｐｏｌｙ−
Ｓｉ中に電界を作り込んでいない太陽電池は、変換効率
が８．２％、Ｖｏｃが０．５４Ｖ、Ｉｓｃが２１．６ｍ
Ａ／ｃｍ2、ＦＦが０．７であり、薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ
中に電界を作り込んだ太陽電池の特性が向上しているこ
とが分かる。
り込んだ太陽電池は、変換効率が９．５％、Ｖｏｃが
０．６０Ｖ、Ｉｓｃが２２．６ｍＡ／ｃｍ2、ＦＦが
０．７を達成している。これに対して、薄膜ｐｏｌｙ−
Ｓｉ中に電界を作り込んでいない太陽電池は、変換効率
が８．２％、Ｖｏｃが０．５４Ｖ、Ｉｓｃが２１．６ｍ
Ａ／ｃｍ2、ＦＦが０．７であり、薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ
中に電界を作り込んだ太陽電池の特性が向上しているこ
とが分かる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、薄い膜厚のａ−Ｓｉからなる出発膜を熱処理を施し
て結晶化させることにより、新たな結晶核の発生が防止
でき、結晶粒径を大きくすることができる。従って、こ
の発明で製造した薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを太陽電池に用い
れば、粒界の減少に伴うホール移動度の向上により、太
陽電池性能を向上させることができる。
ば、薄い膜厚のａ−Ｓｉからなる出発膜を熱処理を施し
て結晶化させることにより、新たな結晶核の発生が防止
でき、結晶粒径を大きくすることができる。従って、こ
の発明で製造した薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを太陽電池に用い
れば、粒界の減少に伴うホール移動度の向上により、太
陽電池性能を向上させることができる。
【図１】この発明の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの製造方法の工
程フロー図である。
程フロー図である。
【図２】この発明により製造した薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】１度に成膜及び固相成長を行う結晶成長層の膜
厚と形成された薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉのホール移動度を測
定した結果を示す特性図である。
厚と形成された薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉのホール移動度を測
定した結果を示す特性図である。
【図４】薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを用いた太陽電池の実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図５】薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉを用いた太陽電池のバンド
図である。
図である。
【図６】従来の薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉの製造方法の工程フ
ロー図である。
ロー図である。
【図７】従来の方法により製造した薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ 基板 ２、２ａ 薄膜ｐｏｌｙ−Ｓｉ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に非晶質シリコンからなる出発膜
を形成した後、熱処理を施し結晶化させて多結晶シリコ
ン膜を形成する工程を繰り返し、所望の膜厚の薄膜多結
晶シリコンを形成することを特徴とする薄膜多結晶シリ
コンの製造方法。 - 【請求項２】 前記出発膜の膜厚が３μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜多結晶シリコンの
製造方法。 - 【請求項３】 上記出発膜へ不純物をドーブするととも
に、このドーピング量を工程が変わる毎に変化させるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜多結晶シ
リコンの製造方法。 - 【請求項４】 ドーピングする不純物の量に応じて出発
膜の膜厚を変化させることを特徴とする請求項３に記載
の薄膜多結晶シリコンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30561695A JP3164199B2 (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 太陽電池装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30561695A JP3164199B2 (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 太陽電池装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148249A true JPH09148249A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3164199B2 JP3164199B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=17947288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30561695A Expired - Lifetime JP3164199B2 (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 太陽電池装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3164199B2 (ja) |
-
1995
- 1995-11-24 JP JP30561695A patent/JP3164199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3164199B2 (ja) | 2001-05-08 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080302 Year of fee payment: 7 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090302 Year of fee payment: 8 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 9 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 12 |