JPH09138983A

JPH09138983A - 光磁気記録基板

Info

Publication number: JPH09138983A
Application number: JP31977795A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Takeya; 竹谷　　豊
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1995-11-15
Filing date: 1995-11-15
Publication date: 1997-05-27

Abstract

(57)【要約】【課題】基板表面の傷付き易さを抑制すると共に、帯
電防止性を向上させることで、ほこりの付着を低減し
て、信号の書き込み／読み取り特性に優れた光磁気記録
ディスクを得る。【解決手段】光磁気記録媒体において、レーザー光の
照射側の表面に、（イ）ペンタエリスリトールのアクリ
レート変性脱水縮合物および／またはトリメチロールプ
ロパントリアクリレート、（ロ）環状炭化水素のアクリ
ル酸誘導体、（ハ）ジアルキルアミノアルキレン（メ
タ）アクリレートと芳香族スルホン酸カルボン酸無水物
との混合液を主成分とする樹脂混合物を架橋してなる高
分子薄膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック材か
らなる基板側より照射されるレーザー光、およびこれと
反対側からの磁界の印加によって、情報の書き込みおよ
び／または読み取りが可能で、帯電防止安定性に優れた
光磁気記録基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、格段の進歩を示してきた磁気のみ
による情報の記録再生方式は、情報の収納量が昨今の高
度情報化社会に比して不充分となってきている。これに
対して、レーザー光を書き込みおよび読み取りの手段と
して用いる、光磁気記録または光記録による記録再生方
式では、光の波長限界までの読み取りが理論的に可能で
あり、より大容量かつ高密度の記録再生方式として期待
されている。このような方式を用いるものとして、光カ
ード、ビデオディスク、大容量コンピュータ記憶ディス
クなど、光ディスクと総称されているものがある。

【０００３】光ディスクでは、その基板として、照射す
るレーザー光に対して透明であるガラスや、ポリカーボ
ネート、ポリメチルメタアクリレート、非結晶性ポリオ
レフィンなどのプラスチックが用いられる。しかし、ガ
ラスは、一般に、堅くて傷がつきにくいという利点はあ
るものの、それが却って、案内溝の形成を困難にしてい
る。このため、これを解決するために、エッチング処理
をしたり、ポリマー薄膜を基板表面に別途形成させるな
どの試みもされているが、量産性に欠けるという問題が
ある。また、ガラスは、耐衝撃性に劣る場合があり、使
用上の取扱いに限定がもたらされることも多い。

【０００４】これに対して、プラスチックは、マスタリ
ングにより、スタンパーをあらかじめ形成しておけば、
このスタンパーから射出成形を行うことで、大量生産で
きるメリットがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、基板材料に用
いるプラスチックは、ある程度の軟らかさや可撓性を有
しているので表面に傷がつき易い。このため、基板表面
の損傷により、情報の読み取り／書き込みが困難になる
ことがある。そこで、プラスチック基板に架橋型重合反
応を行い、比較的硬度の高い保護膜を作成したり、薄い
有機フィルムを貼り合わせて保護膜の役割をさせること
が行われている。しかし、一般的に、プラスチックなど
の有機高分子膜は電気抵抗が高いために、摩擦、摺動な
どにより帯電し、光の読み取り誤差の原因となるゴミ、
ほこりなどを吸着し易い。本発明は、このような技術的
背景の下、基板および光磁気記録媒体の表面の傷つき易
さを抑制すると共に、帯電性を低減し、記録および／ま
たは読み取りの特性に優れた光磁気記録媒体を得ること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、プラスチック
材からなる基板側から照射するレーザー光、およびこれ
と反対側からの磁界の印加によって、情報の書き込みお
よび／または読み取りが可能な光磁気記録基板におい
て、レーザー光の照射側の表面に、下記（イ）〜（ハ）
を主成分とする樹脂混合物を架橋してなる高分子薄膜を
形成させたことを特徴とする光磁気記録基板を提供す
る。（イ）ペンタエリスリトールの１〜６量体の脱水縮合物
であって、そのヒドロキシ基の３ヶ以上がアクリレート
で変性されている多官能誘導体（以下「多官能誘導体」
ということがある）および／またはトリメチロールプロ
パントリアクリレート（ロ）環状炭化水素のアクリル酸誘導体（ハ）ジアルキルアミノアルキレン（メタ）アクリレー
トと芳香族スルホン酸カルボン酸無水物との混合液

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の光磁気記録基板は、プラ
スチック基板のレーザー光照射側に高分子薄膜が積層さ
れ、磁界印加側には磁気記録膜が積層されることにより
構成される。

【０００８】本発明におけるプラスチック基板の材料
は、特に限定はされないが、光の波長４５０〜９００ｎ
ｍの領域において、透明性に優れているプラスチックが
よく、例えばポリカーボネート、ポリメチルメタアクリ
レート、非結晶性ポリオレフィンが好ましい。かかる材
料は、光記録材料基板として汎用されており、容易に入
手可能な工業材料であることからも好適である。

【０００９】本発明において、プラスチック基板のレー
ザー光照射側に積層される薄膜は、（イ）ペンタエリス
リトールの１〜６量体の脱水縮合物であって、そのヒド
ロキシ基の３ヶ以上がアクリレートで変性されている多
官能誘導体および／またはトリメチロールプロパントリ
アクリレート（以下「（イ）成分」ということがあ
る）、（ロ）環状炭化水素のアクリル酸誘導体（以下
「（ロ）成分」ということがある）、および（ハ）ジア
ルキルアミノアルキレン（メタ）アクリレートと芳香族
スルホン酸カルボン酸無水物との混合液（以下「（ハ）
成分」ということがある）を含有する樹脂混合物（以下
「樹脂混合物」ということがある）から得られる。以
下、各成分について説明する。

【００１０】樹脂混合物の（イ）成分は、ペンタエリス
リトールを基本骨格とする１〜６量体の脱水縮合体であ
って、そのヒドロキシ基の３ヶ以上がアクリレートで変
性されている多官能誘導体（以下「多官能誘導体」とい
うことがある）および／またはトリメチロールプロパン
トリアクリレートである。

【００１１】ペンタエリスリトールは、低分子量で、１
分子中の反応サイトが３ヶ以上あることから、重合反応
性に優れる点で好ましい化合物である。しかし、ペンタ
エリスリトールの単体では、他の反応分子との相溶性が
充分でない上、低分子量であるために揮発性を示し作業
性が低下する恐れがある。このため、本発明では、ペン
タエリスリトールを基本骨格とする脱水縮合物を用い
る。ここで、ペンタエリスリトールの脱水縮合物は、縮
合物を構成するペンタエリスリトールの数が多くなるに
従って、１分子中の反応サイトの数は増えるが、分子も
大きくなるために重合反応性は低下する傾向にある。こ
のため、本発明では、ペンタエリスリトールの１〜６量
体、好ましくは１〜４量体の脱水縮合物を用いる。

【００１２】さらに、ペンタエリスリトール脱水縮合物
は、１分子当たりの反応点密度を上げて重合反応性を向
上させるために、ヒドロキシ基のうち３ヶ以上、好まし
くは３〜８ヶがアクリレートで変性されている多官能誘
導体であることが必要である。

【００１３】同様な観点から、（イ）成分として、比較
的低分子量であり、かつヒドロキシ基のうち３ヶ以上が
アクリレートで変性されているトリメチロールプロパン
トリアクリレートを用いることもできる。トリメチロー
ルプロパントリアクリレートを用いることにより、樹脂
の粘度を増大させることなく有効な架橋反応を起こさせ
る。このように、（イ）成分は、重合反応性に優れるた
め、高分子薄膜を安定に形成させる。

【００１４】（イ）成分において、ペンタエリスリトー
ルの多官能誘導体の割合は、２５重量％以上が好まし
く、特に３０〜１００重量％がより好ましい。ペンタエ
リスリトールの多官能誘導体が、（イ）成分中、２５重
量％未満であると、弾性を保ちながらの架橋が効果的に
機能せずに外的な変化で破壊する恐れがある。

【００１５】また、樹脂混合物中、（イ）成分は、１５
〜５０重量％が好ましく、特に３０〜５０重量％がより
好ましい。（イ）成分が１５重量％未満であると、架橋
状態が不充分で溶媒などで物理的変化を生じる恐れがあ
り、一方、５０重量％を超えると、収縮が大きくなると
いう欠点を生じる恐れがある。

【００１６】樹脂混合物の（ロ）成分として、環状炭化
水素のアクリル酸誘導体が必須である。環状炭化水素の
アクリル酸誘導体は、光磁気記録基板の物理的な安定性
を向上させる。環状炭化水素のアクリル酸誘導体として
は、例えば水素化ジシクロペンタジエニルモノアクリレ
ート、水素化ジシクロペンタジエニルジアクリレート、
水素化フルフリールアクリレートなどが挙げられる。水
素化ジシクロペンタジエニル骨格は、橋かけ環状炭化水
素化合物の典型であり、この構造は、周辺の重合反応基
が変化しても構造としての歪みが小さく、重合前後で構
造的な変化が少ないという特徴を示すものである。この
ため、（ロ）成分は、例えば光磁気記録基板のそりの低
減、変質の低下などに大きく寄与する。

【００１７】樹脂混合物中、（ロ）成分の割合は、１０
〜３５重量％が好ましく、１５〜３０重量％がより好ま
しい。（ロ）成分が１０重量％未満であると、架橋後の
収縮が大きくなり、光磁気記録基板のそりの低減、変質
の低下という効果が発現しにくくなり、一方、３５重量
％を超えると、機械的強度が低下する恐れがある。

【００１８】さらに、樹脂混合物を構成する（ハ）成分
として、ジアルキルアミノアルキレン（メタ）アクリレ
ートおよび芳香族スルホン酸カルボン酸無水物の混合液
が必須である。ジアルキルアミノアルキレン（メタ）ア
クリレートと芳香族スルホン酸カルボン酸無水物との混
合液の存在は、本発明の目的である、帯電防止性の向上
に寄与するものである。ここで用いられるジアルキルア
ミノアルキレン（メタ）アクリレートは、そのアルキレ
ン基の炭素数が２〜６、アミノ基を修飾するアルキル基
の炭素数は０〜６である（ただし、炭素数が０のとき
は、水素基を表す）。かかる化合物としては、ジメチル
アミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルアク
リレート、ジメチルアミノプロピルアクリレート、また
はメタアクリレート誘導体を挙げることができる。

【００１９】芳香族スルホン酸カルボン酸無水物の芳香
族基は、炭素数６〜１５である。かかる化合物として
は、ベンゼンスルホン酸カルボン酸無水物、ナフタリン
スルホン酸カルボン酸無水物などを好適に挙げることが
できる。

【００２０】（ハ）成分は、あらかじめジアルキルアミ
ノアルキレン（メタ）アクリレートと芳香族スルホン酸
カルボン酸無水物とを混合したのち、（イ）〜（ロ）成
分と混合する。芳香族スルホン酸カルボン酸無水物は、
（イ）〜（ロ）成分との相溶性が良好であるが、別途、
ジアルキルアミノアルキレン（メタ）アクリレートと反
応してスルホン酸を形成したのちに、（イ）〜（ロ）成
分と造塩させると、溶解性が低下してハードコートの透
明性が低下する恐れがあり、光磁気記録基板のレーザー
光照射側に設ける薄膜としては好ましくない。従って、
かかる観点から、（ハ）成分のジアルキルアミノアルキ
レン（メタ）アクリレートと芳香族スルホン酸カルボン
酸無水物との混合は、反応直前に行うことが望ましい。

【００２１】（ハ）成分のジアルキルアミノアルキレン
（メタ）アクリレートと芳香族スルホン酸カルボン酸無
水物との混合液は、樹脂混合物の中で、１〜１０重量％
であることが必要であり、特に２〜８重量％であること
が好ましい。１重量％未満であると、帯電防止性向上の
効果を発揮することができず、一方、１０重量％を超え
ると、安定なハードコート膜を形成することができず、
膜強度が低下したり、濁りが発生することがある。

【００２２】また、樹脂混合物に占める（イ）成分、
（ロ）成分および（ハ）成分の総量は、６０重量％以上
であることが必要であり、特に６０〜９８重量％である
ことが好ましい。かかる成分の総量が、６０重量％未満
であると、機械的強度が発現しない恐れがある。

【００２３】樹脂混合物には、他の成分として、２官能
性のビニル誘導体を用いることもできる。２官能性のビ
ニル誘導体は、架橋高分子において可塑化剤的な作用を
する。２官能性のビニル誘導体としては、例えばエチレ
ングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコール
ジアクリレートなどのエチレングリコール誘導体、プロ
ピレングリコールを基本骨格とするオリゴマーのジアク
リレート誘導体、または炭素数４〜８程度のジオールの
両末端のアクリル酸誘導体などを好ましく挙げることが
できる。２官能性のビニル誘導体の使用量は、樹脂混合
物中、４０重量％未満であり、好ましくは、２〜４０重
量％である。

【００２４】（イ）〜（ハ）成分を主成分とする樹脂混
合物は、紫外線などの光線を照射すると架橋して高分子
化する。このため、高分子薄膜の形成は、樹脂混合物
を、プラスチック基板のレーザー光照射側の表面に塗布
したのち、光照射することにより行う。樹脂混合物の塗
布の手法としては、通常の手段を用いればよく、例えば
スピンコーティング方法、ディップコーティング方法、
バーコーダー方法など、各種の方法を適宜選択すること
が可能であるが、均一な薄膜の形成という観点から、ス
ピンコーティング方法が好適である。

【００２５】高分子薄膜の膜厚は、３〜５０μｍが好ま
しく、特に、３〜２０μｍがより好ましい。膜厚が３μ
ｍ未満であると、プラスチック基板を補強することが困
難で、基板の強度を不安定にする原因となり、一方、５
０μｍを超えると、光の反射や偏光の変化を読み取るこ
とが困難となり、光磁気記録基板としての機能を阻害す
る恐れがある。ここで、樹脂混合物は架橋により８〜１
１容量％程度の体積変化が生ずる。このため、樹脂混合
物塗布の厚さは、かかる体積変化を考慮して決定するこ
とが必要である。照射する光線は、紫外線のほか、電子
線、γ線などでもよい。

【００２６】（イ）〜（ハ）成分を主成分とする樹脂混
合物の架橋反応のしくみは、以下のとおりである。まず
（ハ）成分を構成するジアルキルアミノアルキレン（メ
タ）アクリレートが、（イ）〜（ロ）成分と共重合する
ことで、この共有結合により架橋体内に取り込まれる。
この共有結合が形成されたのち、側鎖アミンの塩基性の
影響で、酸無水物の開環が行われ、スルホン酸アミン塩
が形成される。これは、一度形成された酸のうち、スル
ホン酸の酸性度がカルボン酸に比べて高いためである。

【００２７】残余のアミノ基は、そのイオン性の寄与の
ためにペンダントとして構成されるカルボン酸と造塩
し、イオン型の架橋が形成される。

【００２８】このような反応が効率よく行われるために
は、（ハ）成分において、芳香族スルホン酸カルボン酸
無水物とジアルキルアミノアルキレン（メタ）アクリレ
ートのモル比が、０．２５／１〜１．１／１であること
が好ましく、特に０．５／１〜１／１であることがより
好ましい。芳香族スルホン酸カルボン酸無水物が、ジア
ルキルアミノアルキレン（メタ）アクリレート１モルに
対して、０．２５モル未満であると、造塩率が小さく、
イオン架橋密度が、帯電防止機能が発現しない恐れがあ
り、１．１モルを超えると、主としてスルホン酸アミン
塩単独となりイオン架橋が形成されず安定性に問題を残
すこともあり好ましくない。

【００２９】一方、光磁気記録媒体のプラスチック基板
の磁気印加側には、光磁気記録膜、光反射膜、誘電体膜
などが積層される。

【００３０】磁気記録膜は、光磁気記録基板に垂直な方
向に磁化容易方向を有し、任意の反転磁区を作ることで
光磁気効果に基づいて情報の書き込み／読み出しが可能
な磁性金属薄膜である。具体的には、ＴｂＦｅ、ＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ、ＮｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅ、ＰｒＦｅ、Ｃｅ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＣｏＣｒなどの希土類元素と遷移金属元
素との非晶質合金膜、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄなどの人
工格子多層膜などが挙げられ、中でも、ＴｂＦｅＣｏＣ
ｒが好適である。

【００３１】光反射膜は、カー効果を最大限得るため
に、反射率をできるだけ低下させずに金属自身の耐久性
を改善するという観点から、Ａｌ、Ａｕ、Ｔｉ、Ａｇで
構成されることが好ましい。これらは単体であっても合
金であってもよいが、特に、Ｃ／Ｎの面からは、ＡｌＡ
ｕまたはＡｇＡｕ合金、特にＡｌＡｕＴｉ合金またはＡ
ｇＡｕＴｉ合金が好ましい。ＡｌＡｕＴｉ合金またはＡ
ｇＡｕＴｉ合金は、熱伝導率が比較的低く、これを光反
射膜として用いることにより、ディスク回転数が高い場
合、例えばＩＳＯ規格案の倍速、具体的には３，６００
ｒｐｍの場合においても熱の拡散を防止でき、全体の記
録感度が高くなり、内周部から外周部まで１０ｍｗ以下
の小さい同一の記録パワーで再生のＣ／Ｎレベルも充分
な記録ができ、高速転送に好適な媒体が実現される。Ａ
ｌＡｕＴｉ合金またはＡｇＡｕＴｉ合金においてＡｕの
添加量は、０．５〜２０．０原子％が好ましく、０．５
〜１５．０原子％がさらに好ましく、０．５〜１０．０
原子％が特に好ましい。また、Ｔｉの添加量は、０．３
〜５．０原子％が好ましい。光反射膜の膜厚は、１００
〜５，０００Å、さらには４００〜２，０００Åが好ま
しい。

【００３２】誘電体膜は、光磁気記録膜の上に適当な厚
みにして設けることにより、多重反射の効果でカー回転
を実質的に増強しようというものである。このため、誘
電体膜は、使用するレーザー光に対する透過性に優れる
ことが必要であり、さらには光干渉効果、カー効果エン
ハンスメントなどの効果を奏するためにはある程度の高
屈折率、すなわち屈折率が１．８以上、特に好ましくは
２．０以上であることが好ましい。このような観点か
ら、ＡｌＮ、ＭｇＦ₂、ＺｎＳ、ＣｅＦ₃、ＡｌＦ₃・
３ＮａＦ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＳｉＮ、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｚｒ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｔａ
₂Ｏ₅、ＡｌＯＮ、ＳｉＯＮ、ＺｒＯＮ、ＩｎＯＮ、Ｓ
ｎＯＮ、ＴａＯＮまたはこれらの混合体などが挙げられ
るが、中でも、屈折率が２．０以上という点では、Ａｌ
ＳｉＮ、ＺｎＳ、Ｚｒ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯＮ、
ＴａＯＮが好適である。

【００３３】前記光磁気記録膜、誘電体膜、光反射膜の
基板への形成方法としては、公知の真空蒸着法、スパッ
タリング法などのＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法など種々
の薄膜形成法が適用できるが、特に高分子基板との密着
性よく積層できるスパッタリング法が好ましく、中でも
アルゴンガスもしくはチッ素ガスの混合ガスでの反応性
スパッタリング法が、異常放電などが少なく安全運転
面、生産性面で好ましい。

【００３４】

【実施例】

実施例１ベンゼンスルホン酸カルボン酸無水物１０．０重量部を
ジメチルアミノエチルアクリレート１４．３重量部の液
中に攪拌し、モル比０．６／１．０の混合液を得た。次
いで、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート１５
重量％、トリメチロールプロパントリアクリレート３０
重量％、水素化ジシクロペンタジエニルジアクリレート
２０重量％、ネオペンチルグリコールジアクリレート３
０重量％からなる樹脂混合液に、上記混合液５重量％を
加えて、室温でよく撹拌し製膜原液とし、これに光増感
剤（メルク社製、ＤＡＲＯＣＵＲＥ１１７３）を少量添
加して、外径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚み１．２ｍｍ
の円盤形状のポリカーボネートに、回転数３０００ｒｐ
ｍで、３０秒運転することで８μｍの厚さに塗布し、紫
外線で照射し透明薄膜を形成した。

【００３５】この薄膜が形成されたポリカーボネートの
グルーブ上に、誘電体膜として窒化硅素、光磁気記録膜
としてＴｂＦｅＣｏＣｒ合金をスパッタし、光反射膜と
してＡｌＴｉ合金を形成し、光磁気記録基板を作成し
た。この光磁気記録基板について透明薄膜の表面抵抗を
測定したところ、１０¹²Ω／□オーダーであった。タバ
コの煙によるよごれ試験では、表面へのごみの付着はほ
とんど認められず、良好な防塵傾向を示した。なお、タ
バコの煙によるよごれ試験は、タバコの５０ｃｍ上位
に、光磁気記録基板を４５°傾斜させて静置し、タバコ
の煙で約２分程度の暴露させたのち、微小すすの付着を
顕微鏡で観察する方法により行った。

【００３６】実施例２アクリレートの種類をジエチルアミノエチルアクリレー
トにしたこと以外は、実施例１と同様の方法で、モル比
１／１の混合液を作成し、この混合液が７重量％、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート４０重量％、水
素化ジシクロペンタジエニルジアクリレート２０重量
％、ペンタエリスリトールジアクリレート１３重量％、
テトラペンタエリスリトールのアクリル酸エステルを１
５重量％、重合度が４から１０のポリエチレングリコー
ルの混合物のジアクリレート５重量％を混合して、均一
溶液にしたものを製膜原液とした。この製膜原液をポリ
カーボネート基板のレーザー光照射側に、６μｍの厚さ
に塗布したこと以外は、実施例１と同様に、透明薄膜を
形成した光磁気記録基板を作成した。得られた光磁気記
録媒体の半径方向のそり角度は０．５ｍｒａｄと小さ
く、そりの経時変化も小さく、保存安定性に優れている
ことが認められた。また、薄膜の表面抵抗も初期値が１
０¹²Ω／□オーダーとなり、帯電防止性能に優れている
ことが認められた。

【００３７】実施例３実施例１で示したベンゼンスルホン酸カルボン酸無水物
とジメチルアミノエチルアクリレート混合液において、
そのモル比を１／１とした。この混合液５重量％を、ヘ
キサペンタエリスリトールノナアクリレート１０重量
％、トリメチロールプロパントリアクリレート３０重量
％、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート１０重
量％、水素化ジシクロペンタジエニルジアクリレート１
０重量％、水素化フルフリールアクリレート５重量％、
およびネオペンチルグリコールジアクリレート３０重量
％の樹脂混合液に加えて、室温でよく撹拌して製膜原液
としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、透明薄膜
を形成した光磁気記録基板を作成した。得られた光磁気
記録基板の薄膜の表面抵抗は１×１０¹²Ω／□オーダー
であり、この値は、１，０００時間室温で放置しても変
化が認められなかった。

【００３８】比較例１ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート１５重量
％、トリメチロールプロパントリアクリレート３０重量
％、水素化ジシクロペンタジエニルジアクリレート２０
重量％、ネオペンチルグリコールジアクリレート３５重
量％を用いて、ベンゼンスルホン酸カルボン酸無水物と
ジメチルアミノエチルアクリレートとの混合液を添加し
ないこと以外は、実施例１と同様に、薄膜を形成した光
磁気記録基板を作成した。得られた光磁気記録基板の薄
膜の表面抵抗を測定したところ、１×１０¹⁵Ω／□オー
ダーであり、帯電防止性には劣ることが分かった。ま
た、タバコの煙による汚れ試験では、表面へのゴミ、煙
のすすの付着が顕著に観測された。

【００３９】比較例２ベンゼンスルホン酸カルボン酸無水物１０重量％にジメ
チルアミノエチルアクリレート１４．３重量％の混合液
中を入れて攪拌して得たモル比０．６／１．０の溶液５
重量％を、ペンタエリスリトールヘキサアクリレート５
重量％、トリメチロールプロパントリアクリレート２０
重量％、水素化ジシクロペンタジエニルジアクリレート
２５重量％、ネオペンチルグリコールジアクリレート４
５重量％の樹脂混合液に加えて製膜原液とし、実施例１
と同様に薄膜を形成した光磁気記録基板を作成した。得
られた光磁気記録基板の薄膜について、鉛筆硬度を測定
したところ（ＪＩＳ−５４００）、表面の硬さが不足し
ており傷が付き易いことが認められた。

【００４０】比較例３ベンゼンスルホン酸カルボン酸無水物とジメチルアミノ
エチルアクリレートのモル比が１．５／１である混合液
を用いたこと以外は、実施例２と同様に、製膜原液を作
成し、薄膜を形成した光磁気記録基板を作成した。得ら
れた光磁気記録基板の薄膜には、部分的に白濁が認めら
れ、透明性が欠落していることが確認された。

【００４１】

【発明の効果】光磁気記録基板の表面層として、１分子
中に、共有結合を形成できる官能基と、強酸強塩基の塩
の両方を含む誘導体を含有する薄膜を形成したため、多
官能の架橋反応以外にイオン対応の架橋が形成され、帯
電防止性が向上する。さらに、帯電防止性に寄与する親
水性材料が、高分子薄膜内から簡単に溶出することがな
いため、長期にわたって安定に性能を保持することが可
能となり、帯電防止性を生じて、ゴミ、ほこりの吸着を
抑制することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラスチック材からなる基板側から照射
するレーザー光、およびこれと反対側からの磁界の印加
によって、情報の書き込みおよび／または読み取りが可
能な光磁気記録基板において、レーザー光の照射側の表
面に、下記（イ）〜（ハ）成分を主成分とする樹脂混合
物を架橋してなる高分子薄膜を形成させたことを特徴と
する光磁気記録基板。（イ）ペンタエリスリトールの１〜６量体の脱水縮合物
であって、そのヒドロキシ基の３ヶ以上がアクリレート
で変性されている多官能誘導体および／またはトリメチ
ロールプロパントリアクリレート（ロ）環状炭化水素のアクリル酸誘導体（ハ）ジアルキルアミノアルキレン（メタ）アクリレー
トと芳香族スルホン酸カルボン酸無水物との混合液
【請求項２】（イ）〜（ハ）成分の総量が、樹脂混合
物の６０重量％以上である請求項１記載の光磁気記録基
板。
【請求項３】（ハ）成分の、ジアルキルアミノアルキ
レン（メタ）アクリレートは、アルキレン基の炭素数が
２〜６、アルキル基の炭素数が０〜６（ただし、炭素数
が０のときは水素を表す）であり、芳香族スルホン酸カ
ルボン酸無水物は、芳香族基の炭素数が６〜１５であ
り、かつ芳香族スルホン酸カルボン酸無水物とジアルキ
ルアミノアルキレン（メタ）アクリレートのモル比が、
０．２５／１〜１．１／１である請求項１〜２いずれか
１項記載の光磁気記録基板。
【請求項４】（ハ）成分が、樹脂混合物の１〜１０重
量％である請求項１〜３いずれか１項記載の光磁気記録
基板。
【請求項５】高分子薄膜の膜厚が、３〜５０μｍであ
る請求項１〜４いずれか１項記載の光磁気記録基板。