JPH09134907A - ドライエッチング方法およびその装置 - Google Patents
ドライエッチング方法およびその装置Info
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- JPH09134907A JPH09134907A JP28854295A JP28854295A JPH09134907A JP H09134907 A JPH09134907 A JP H09134907A JP 28854295 A JP28854295 A JP 28854295A JP 28854295 A JP28854295 A JP 28854295A JP H09134907 A JPH09134907 A JP H09134907A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハ面内のエッチングガスの流れを均一と
し、ウェハ面内でのエッチング形状やエッチング速度の
バラツキをなくす。 【解決手段】反応室１内の下部電極６のウェハ載置部以
外の箇所に、上部電極５から噴出したエッチングガスが
下部電極６を通過できる多数のガス通過孔７を設ける。
ウェハ位置に対応する反応室１の底部中央に使用済みの
エッチングガスを排気する排気口９を設ける。上部電極
５から噴出してウェハ表面に到達するエッチングガスの
流れ８は、下部電極６のガス通過孔７をダイレクトに流
れるエッチングガスに制御されて、ウェハと垂直方向で
ウェハ面内で均一となる。
し、ウェハ面内でのエッチング形状やエッチング速度の
バラツキをなくす。 【解決手段】反応室１内の下部電極６のウェハ載置部以
外の箇所に、上部電極５から噴出したエッチングガスが
下部電極６を通過できる多数のガス通過孔７を設ける。
ウェハ位置に対応する反応室１の底部中央に使用済みの
エッチングガスを排気する排気口９を設ける。上部電極
５から噴出してウェハ表面に到達するエッチングガスの
流れ８は、下部電極６のガス通過孔７をダイレクトに流
れるエッチングガスに制御されて、ウェハと垂直方向で
ウェハ面内で均一となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
方法およびその装置に係り、特にエッチングガスの流れ
方向を改善したものに関する。
方法およびその装置に係り、特にエッチングガスの流れ
方向を改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェハ表面に形成された酸化膜や金属膜
を垂直性良くドライエッチングする従来から用いられて
きた方法として、ウェハの温度を０℃以下の低温に制
御、保持し、深さ方向のエッチング速度をイオンアシス
ト効果により維持したまま、側面でのラジカル反応を制
御する、いわゆる低温ドライエッチング技術がある。
を垂直性良くドライエッチングする従来から用いられて
きた方法として、ウェハの温度を０℃以下の低温に制
御、保持し、深さ方向のエッチング速度をイオンアシス
ト効果により維持したまま、側面でのラジカル反応を制
御する、いわゆる低温ドライエッチング技術がある。
【０００３】図４は反応性イオンエッチングによる従来
の低温ドライエッチング装置の概略構成図を示したもの
である。
の低温ドライエッチング装置の概略構成図を示したもの
である。
【０００４】エッチングを行う反応室３０は、反応室側
面に設けられた排気口３７から排気系３１により高真空
に排気される。
面に設けられた排気口３７から排気系３１により高真空
に排気される。
【０００５】反応室３０内には一対の上部電極３４と下
部電極３５とが平行に設けられ、下部電極３５上にウェ
ハ４１が載せられる。ウェハ４１の周囲にはエッチング
するウェハ材料とほぼ同一の材質のものを設置する。下
部電極３５はウェハ４１を冷却するために上部電極３４
よりも大型に形成される。この下部電極３５に矢印４０
−１から矢印４０−２のように冷媒を流すことにより下
部電極３５を冷却して、ウェハ４１を０℃以下の低温に
保つようにしてある。さらに、Ｈｅガス導入系４２から
ウェハ４１の裏面にＨｅガスを吹き付け、ウェハ裏面を
Ｈｅガス雰囲気中に保持することでウェハ４１の冷却効
果を高めている。
部電極３５とが平行に設けられ、下部電極３５上にウェ
ハ４１が載せられる。ウェハ４１の周囲にはエッチング
するウェハ材料とほぼ同一の材質のものを設置する。下
部電極３５はウェハ４１を冷却するために上部電極３４
よりも大型に形成される。この下部電極３５に矢印４０
−１から矢印４０−２のように冷媒を流すことにより下
部電極３５を冷却して、ウェハ４１を０℃以下の低温に
保つようにしてある。さらに、Ｈｅガス導入系４２から
ウェハ４１の裏面にＨｅガスを吹き付け、ウェハ裏面を
Ｈｅガス雰囲気中に保持することでウェハ４１の冷却効
果を高めている。
【０００６】反応室３０の上部に設けられたエッチング
ガス導入系３２は上部電極３４と連通され、エッチング
ガス導入系３２から導入されたエッチングガスを多数の
ガス噴出孔（図示せず）を設けた上部電極３４からシャ
ワー状に噴出する。このとき、上部電極３４と下部電極
３５との間に高周波電源３９から高周波電力を印加して
プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンをウェハ
４１の表面に垂直に入射させることにより、ウェハ表面
のドライエッチングを行う。
ガス導入系３２は上部電極３４と連通され、エッチング
ガス導入系３２から導入されたエッチングガスを多数の
ガス噴出孔（図示せず）を設けた上部電極３４からシャ
ワー状に噴出する。このとき、上部電極３４と下部電極
３５との間に高周波電源３９から高周波電力を印加して
プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンをウェハ
４１の表面に垂直に入射させることにより、ウェハ表面
のドライエッチングを行う。
【０００７】使用済みのエッチングガス３８は反応室３
０の側面に設けた排気口３７から反応室３０の外に排気
される。
０の側面に設けた排気口３７から反応室３０の外に排気
される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
技術では、使用済みのエッチングガスを反応室３０の外
に排気する排気口３７が反応室３０の側面に設けられて
いるため、反応室３０内のエッチングガスの流れ３６
が、ウェハ４１と垂直方向にはならず、図４に示すよう
に排気口３７側に流されて、下部電極３５を迂回するよ
うな形となる。このため反応室３０内のエッチングガス
の流れが不均一になり、ウェハ面内でのエッチング形状
やエッチング速度にバラツキが生じるという問題があっ
た。
技術では、使用済みのエッチングガスを反応室３０の外
に排気する排気口３７が反応室３０の側面に設けられて
いるため、反応室３０内のエッチングガスの流れ３６
が、ウェハ４１と垂直方向にはならず、図４に示すよう
に排気口３７側に流されて、下部電極３５を迂回するよ
うな形となる。このため反応室３０内のエッチングガス
の流れが不均一になり、ウェハ面内でのエッチング形状
やエッチング速度にバラツキが生じるという問題があっ
た。
【０００９】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解決し、ウェハ面内のエッチングガスの流れが均一
になり、ウェハ面内でのエッチング形状やエッチング速
度のバラツキをなくすことが可能なドライエッチング方
法およびその装置を提供することにある。
点を解決し、ウェハ面内のエッチングガスの流れが均一
になり、ウェハ面内でのエッチング形状やエッチング速
度のバラツキをなくすことが可能なドライエッチング方
法およびその装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、ウェハと垂直方向に反応室内にエッチングガ
スを導入してウェハ表面をエッチングするドライエッチ
ング方法において、反応室内に導入されてウェハの外周
を流れるエッチングガスの流れ方向を、エッチングガス
導入方向と同方向に制御したものである。ウェハの外周
を流れるエッチングガスの流れ方向を、エッチングガス
導入方向と同方向に制御すると、流れ方向が制御された
ウェハの外周を流れるエッチングガスで、ウェハ表面に
到達するエッチングガスの流れを誘導できるので、その
流れをウェハ表面に垂直な方向に制御することができ
る。このためウェハ面内でのエッチングガスの流れが均
一になり、ウェハ面内でのエッチング形状やエッチング
速度にバラツキが生じない。本発明のドライエッチング
装置は、反応室内に設けた上部電極と下部電極との間に
高周波電力を印加し、上部電極より下部電極上に載せた
ウェハと垂直方向に反応室内にエッチングガスを導入し
て、ウェハ表面をエッチングするエッチング装置におい
て、上記下部電極にエッチングガスが流れる複数のガス
通過孔をウェハと垂直方向に設けて多孔型電極としたも
のである。下部電極にエッチングガスが流れる複数のガ
ス通過孔をウェハと垂直方向に設けて多孔型電極とする
と、エッチングガスが下部電極に当たっても、下部電極
によって方向を変えられず、複数のガス通過孔を流れる
ことによりエッチングガスの流れ方向はウェハと垂直方
向を保持する。このため反応室内でのエッチングガスの
流れが均一になり、ウェハ面内でのエッチング形状やエ
ッチング速度が均一になる。
グ方法は、ウェハと垂直方向に反応室内にエッチングガ
スを導入してウェハ表面をエッチングするドライエッチ
ング方法において、反応室内に導入されてウェハの外周
を流れるエッチングガスの流れ方向を、エッチングガス
導入方向と同方向に制御したものである。ウェハの外周
を流れるエッチングガスの流れ方向を、エッチングガス
導入方向と同方向に制御すると、流れ方向が制御された
ウェハの外周を流れるエッチングガスで、ウェハ表面に
到達するエッチングガスの流れを誘導できるので、その
流れをウェハ表面に垂直な方向に制御することができ
る。このためウェハ面内でのエッチングガスの流れが均
一になり、ウェハ面内でのエッチング形状やエッチング
速度にバラツキが生じない。本発明のドライエッチング
装置は、反応室内に設けた上部電極と下部電極との間に
高周波電力を印加し、上部電極より下部電極上に載せた
ウェハと垂直方向に反応室内にエッチングガスを導入し
て、ウェハ表面をエッチングするエッチング装置におい
て、上記下部電極にエッチングガスが流れる複数のガス
通過孔をウェハと垂直方向に設けて多孔型電極としたも
のである。下部電極にエッチングガスが流れる複数のガ
ス通過孔をウェハと垂直方向に設けて多孔型電極とする
と、エッチングガスが下部電極に当たっても、下部電極
によって方向を変えられず、複数のガス通過孔を流れる
ことによりエッチングガスの流れ方向はウェハと垂直方
向を保持する。このため反応室内でのエッチングガスの
流れが均一になり、ウェハ面内でのエッチング形状やエ
ッチング速度が均一になる。
【００１１】この場合、反応室内に導入されたエッチン
グガスを反応室外へ排気する排気口を反応室の底部に設
けると、複数のガス通過孔に流すエッチングガス量を均
一にすることができるので、さらにウェハ面内でのエッ
チング形状やエッチング速度が均一になる。また、下部
電極を冷媒により冷却する手段と、下部電極上に載せた
ウェハの裏面をＨｅガス雰囲気中に保持する手段とを設
けると、深さ方向のエッチング速度をイオンアシスト効
果により維持したまま、側面でのラジカル反応が抑制さ
れるため、垂直性、側面の平滑性などの特性を満足した
エッチングができる。
グガスを反応室外へ排気する排気口を反応室の底部に設
けると、複数のガス通過孔に流すエッチングガス量を均
一にすることができるので、さらにウェハ面内でのエッ
チング形状やエッチング速度が均一になる。また、下部
電極を冷媒により冷却する手段と、下部電極上に載せた
ウェハの裏面をＨｅガス雰囲気中に保持する手段とを設
けると、深さ方向のエッチング速度をイオンアシスト効
果により維持したまま、側面でのラジカル反応が抑制さ
れるため、垂直性、側面の平滑性などの特性を満足した
エッチングができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて詳述する。図１は本発明のドライエッチング方
法を実施するためのドライエッチング装置の概略断面図
である。ここでは、石英系ガラス光導波路を製作する際
に行うドライエッチング工程に適用した。
を用いて詳述する。図１は本発明のドライエッチング方
法を実施するためのドライエッチング装置の概略断面図
である。ここでは、石英系ガラス光導波路を製作する際
に行うドライエッチング工程に適用した。
【００１３】このドライエッチング装置は、ドライエッ
チングを行う反応室１と、ターボ分子ポンプまたはロー
タリーポンプにより反応室１内を真空排気する排気系２
と、反応室１内へエッチングガスを供給するエッチング
ガス導入系３とを主に備える。
チングを行う反応室１と、ターボ分子ポンプまたはロー
タリーポンプにより反応室１内を真空排気する排気系２
と、反応室１内へエッチングガスを供給するエッチング
ガス導入系３とを主に備える。
【００１４】ここでエッチングガス導入系３に使用する
エッチングガスは石英系ガラス膜をエッチングする、例
えばＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 などである。これらの
エッチングガスは単独あるいは混合して使用する。
エッチングガスは石英系ガラス膜をエッチングする、例
えばＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 などである。これらの
エッチングガスは単独あるいは混合して使用する。
【００１５】さらにエッチングガスを希釈するための不
活性ガス（例えばＨｅ、Ｎ2 、Ａｒなど）を供給する不
活性ガス導入系４が、エッチングガス導入系３に並設さ
れている。これらの不活性ガスは必要に応じて単独ある
いは混合して使用する。２つのガス導入系３、４は反応
室１の上部に設けられる。
活性ガス（例えばＨｅ、Ｎ2 、Ａｒなど）を供給する不
活性ガス導入系４が、エッチングガス導入系３に並設さ
れている。これらの不活性ガスは必要に応じて単独ある
いは混合して使用する。２つのガス導入系３、４は反応
室１の上部に設けられる。
【００１６】反応室１内には、一対の上部電極５と下部
電極６とから構成された平行平板電極が設けられる。こ
の平行辺板電極を構成する上部電極５は、多数のガス噴
出孔（図示せず）が設けられ、エッチングガス導入系３
および不活性ガス導入系４と連通されて、上部電極５内
に導入されたガスを電極５、６間にシャワー状に噴出す
る。下部電極６には、ウェハ載置部以外の箇所にウェハ
１３の表面と垂直方向の多数のガス通過孔７が設けら
れ、ウェハ１３の外周を流れるエッチングガスをこれら
のガス通過孔７に流すことにより、ウェハ１３の表面に
到達するエッチングガスの流れ８を垂直方向に制御する
ようになっている。
電極６とから構成された平行平板電極が設けられる。こ
の平行辺板電極を構成する上部電極５は、多数のガス噴
出孔（図示せず）が設けられ、エッチングガス導入系３
および不活性ガス導入系４と連通されて、上部電極５内
に導入されたガスを電極５、６間にシャワー状に噴出す
る。下部電極６には、ウェハ載置部以外の箇所にウェハ
１３の表面と垂直方向の多数のガス通過孔７が設けら
れ、ウェハ１３の外周を流れるエッチングガスをこれら
のガス通過孔７に流すことにより、ウェハ１３の表面に
到達するエッチングガスの流れ８を垂直方向に制御する
ようになっている。
【００１７】さらに反応室１の底部中央のウェハ１３の
対応位置に、排気系２に連通する排気口９を設けて、こ
こに排気されるエッチングガスの流れ１０を形成して、
下部電極６に設けた多数のガス通過孔７に流れるガス量
の均等化を図っている。
対応位置に、排気系２に連通する排気口９を設けて、こ
こに排気されるエッチングガスの流れ１０を形成して、
下部電極６に設けた多数のガス通過孔７に流れるガス量
の均等化を図っている。
【００１８】これら上部電極５、下部電極６間に高周波
電源１１の高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を印加し
て、プラズマを発生させるようになっている。
電源１１の高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を印加し
て、プラズマを発生させるようになっている。
【００１９】下部電極６上に載せたウェハ１３を低温に
冷却するために、下部電極６を含む冷媒循環系１２を設
け、矢印１２−１から１２−２のように冷媒を流す。こ
れに加えて、下部電極６上に載せたウェハ１３の裏面に
Ｈｅガス導入系１４からＨｅガスを流して、ウェハ１３
をＨｅガス雰囲気中に保ってウェハ１３の温度を、効率
よく低温（０℃以下）に保つ。
冷却するために、下部電極６を含む冷媒循環系１２を設
け、矢印１２−１から１２−２のように冷媒を流す。こ
れに加えて、下部電極６上に載せたウェハ１３の裏面に
Ｈｅガス導入系１４からＨｅガスを流して、ウェハ１３
をＨｅガス雰囲気中に保ってウェハ１３の温度を、効率
よく低温（０℃以下）に保つ。
【００２０】次に、この低温ドライエッチング装置を用
いてウェハをエッチングするドライエッチング方法を説
明する。ウェハ１３を構成する基板には裏面が平坦に加
工されているＳｉＯ2 基板（この場合、３インチ石英基
板）を用いた。ＳｉＯ2 基板の代わりにＳｉ、ＧａＡｓ
などの半導体、石英系および多成分系のガラス、ＬｉＮ
ｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 などの誘電体、磁性体などを用い
てもよい。
いてウェハをエッチングするドライエッチング方法を説
明する。ウェハ１３を構成する基板には裏面が平坦に加
工されているＳｉＯ2 基板（この場合、３インチ石英基
板）を用いた。ＳｉＯ2 基板の代わりにＳｉ、ＧａＡｓ
などの半導体、石英系および多成分系のガラス、ＬｉＮ
ｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 などの誘電体、磁性体などを用い
てもよい。
【００２１】このウェハは、図２に示すような光導波路
の作成プロセスで形成される。基板上に低屈折率ガラス
層からなるバッファ層を形成し（Ｓ１）、この上にバッ
ファ層よりも屈折率が高いコアガラス膜（ＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 ）を形成し（Ｓ２）、この上にマスクとなるメタ
ル膜（例えばＷＳｉ膜）を蒸着した後（Ｓ３）、フォト
リソグラフィによりメタル膜をフォトレジストパターン
で所定形状にパターニングしたものである（Ｓ４）。
の作成プロセスで形成される。基板上に低屈折率ガラス
層からなるバッファ層を形成し（Ｓ１）、この上にバッ
ファ層よりも屈折率が高いコアガラス膜（ＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 ）を形成し（Ｓ２）、この上にマスクとなるメタ
ル膜（例えばＷＳｉ膜）を蒸着した後（Ｓ３）、フォト
リソグラフィによりメタル膜をフォトレジストパターン
で所定形状にパターニングしたものである（Ｓ４）。
【００２２】なお、ウェハをドライエッチングしてコア
パターンを形成した後は（Ｓ５）、コアパターンを含む
ウェハ全面にコアの屈折率よりも低く、バッファ層とほ
ぼ等しい屈折率のクラッド層を形成して、埋め込み型あ
るいはリッジ型の光導波路を製造することができる（Ｓ
６）。
パターンを形成した後は（Ｓ５）、コアパターンを含む
ウェハ全面にコアの屈折率よりも低く、バッファ層とほ
ぼ等しい屈折率のクラッド層を形成して、埋め込み型あ
るいはリッジ型の光導波路を製造することができる（Ｓ
６）。
【００２３】さて、Ｓ５のドライエッチングは上述した
ドライエッチング装置を用いて次のように行う。反応室
１内の平行平板型電極を構成する下部電極６上にウェハ
１３を載せる。排気系２により反応室１内を高真空（１
０-3〜１０-4Torr）に排気する。ついで、Ｈｅガス導入
系１４よりウェハ裏面にＨｅを充填し、かつ冷媒循環系
１２に冷媒を循環させることにより、０℃から−６０℃
の間の任意の温度にウェハ１３を冷却する。
ドライエッチング装置を用いて次のように行う。反応室
１内の平行平板型電極を構成する下部電極６上にウェハ
１３を載せる。排気系２により反応室１内を高真空（１
０-3〜１０-4Torr）に排気する。ついで、Ｈｅガス導入
系１４よりウェハ裏面にＨｅを充填し、かつ冷媒循環系
１２に冷媒を循環させることにより、０℃から−６０℃
の間の任意の温度にウェハ１３を冷却する。
【００２４】エッチングガス導入系３からエッチングガ
スを、不活性ガス導入系４から不活性ガスをそれぞれ反
応室１内に導入して、これらのガスを上部電極５から下
部電極６にウェハ１３の表面と垂直方向となるようにシ
ャワー状に噴出させる。この状態で上部電極５と下部電
極６との間に高周波電力を供給してプラズマを発生さ
せ、これによりウェハ１３の表面に形成したコアガラス
膜をエッチングする。
スを、不活性ガス導入系４から不活性ガスをそれぞれ反
応室１内に導入して、これらのガスを上部電極５から下
部電極６にウェハ１３の表面と垂直方向となるようにシ
ャワー状に噴出させる。この状態で上部電極５と下部電
極６との間に高周波電力を供給してプラズマを発生さ
せ、これによりウェハ１３の表面に形成したコアガラス
膜をエッチングする。
【００２５】この際、下部電極６が、多数のガス通過孔
７を設けた多孔型の電極になっているため、下部電極６
の位置よりも下方に排気口９が設けられていれば、エッ
チングガスの流れ８はエッチングガス導入方向と同方向
に制御される。すなわち、上部電極５からウェハ１３に
ぶつからずウェハ１３の外周をシャワー状に噴出された
エッチングガスは、下部電極６の径方向外方には流れ
ず、そのまま下部電極６の多数のガス通過孔７をダイレ
クトに通って強制的に排気口９の存在する下方に引き抜
かれる。このため、ウェハ１３表面に到達するエッチン
グガスは、これらの下部電極６を通過するエッチングガ
スに完全に包囲されて、ウェハ表面に対して垂直な方向
をもつ均一な流れとなる。特に、本発明の実施の形態の
ように、排気口９がウェハ１３の位置に対応する反応室
１の底部中央に設けられている場合には、多数のガス通
過孔７を流れるガス量に偏位が生じないため、ウェハ面
内でのエッチングガスの流れの均一化が一層促進され
る。
７を設けた多孔型の電極になっているため、下部電極６
の位置よりも下方に排気口９が設けられていれば、エッ
チングガスの流れ８はエッチングガス導入方向と同方向
に制御される。すなわち、上部電極５からウェハ１３に
ぶつからずウェハ１３の外周をシャワー状に噴出された
エッチングガスは、下部電極６の径方向外方には流れ
ず、そのまま下部電極６の多数のガス通過孔７をダイレ
クトに通って強制的に排気口９の存在する下方に引き抜
かれる。このため、ウェハ１３表面に到達するエッチン
グガスは、これらの下部電極６を通過するエッチングガ
スに完全に包囲されて、ウェハ表面に対して垂直な方向
をもつ均一な流れとなる。特に、本発明の実施の形態の
ように、排気口９がウェハ１３の位置に対応する反応室
１の底部中央に設けられている場合には、多数のガス通
過孔７を流れるガス量に偏位が生じないため、ウェハ面
内でのエッチングガスの流れの均一化が一層促進され
る。
【００２６】以上述べたように、反応室１内でのエッチ
ングガスの流れ８がウェハ面内全体で均一になるため、
ウェハ面内での反応のバラツキがなくなり、エッチング
形状やエッチング速度が面内で一様になる。また、０℃
以下の低温ドライエッチングであるので、深さ方向のエ
ッチング速度をイオンアシスト効果により維持したま
ま、側面でのラジカル反応が抑制される。よって、垂直
性、側面の平滑性の良好なコアパターンが得られる。
ングガスの流れ８がウェハ面内全体で均一になるため、
ウェハ面内での反応のバラツキがなくなり、エッチング
形状やエッチング速度が面内で一様になる。また、０℃
以下の低温ドライエッチングであるので、深さ方向のエ
ッチング速度をイオンアシスト効果により維持したま
ま、側面でのラジカル反応が抑制される。よって、垂直
性、側面の平滑性の良好なコアパターンが得られる。
【００２７】図３に、上述したドライエッチングにより
形成されたコアパターンの断面形状を示す。２０はＳｉ
Ｏ2 基板、２１はバッファ層、２２はエッチングしたコ
アパターンである。図４に示した従来の装置を用いた場
合では、エッチングガスの流れがウェハの表面に対して
均一でないために、エッチングしたコアパターン２２の
断面形状がコアの左右で異なる（エッジ角度φ≠θ）。
これに対して図１に示した本実施の形態の装置を用いた
場合には、図２（ｂ）のようにエッチングしたコアパタ
ーン２２の断面形状がコアの左右で等しいものが得られ
る。また、当然のことながら側面の平滑性も良好であっ
た。従って、この方法で光導波路を作成することにより
導波路型光部品の超小型化、低損失化を図ることが可能
となる。なお、上述した実施の形態では被エッチング部
材を光導波路用のウェハとしたが、本発明はこれに限定
されない。金属膜や酸化膜を表面に形成した基板等にも
適用できる。
形成されたコアパターンの断面形状を示す。２０はＳｉ
Ｏ2 基板、２１はバッファ層、２２はエッチングしたコ
アパターンである。図４に示した従来の装置を用いた場
合では、エッチングガスの流れがウェハの表面に対して
均一でないために、エッチングしたコアパターン２２の
断面形状がコアの左右で異なる（エッジ角度φ≠θ）。
これに対して図１に示した本実施の形態の装置を用いた
場合には、図２（ｂ）のようにエッチングしたコアパタ
ーン２２の断面形状がコアの左右で等しいものが得られ
る。また、当然のことながら側面の平滑性も良好であっ
た。従って、この方法で光導波路を作成することにより
導波路型光部品の超小型化、低損失化を図ることが可能
となる。なお、上述した実施の形態では被エッチング部
材を光導波路用のウェハとしたが、本発明はこれに限定
されない。金属膜や酸化膜を表面に形成した基板等にも
適用できる。
【００２８】
【発明の効果】本発明方法によれば、反応室内に導入さ
れてウェハの外周を流れるエッチングガスの流れ方向
を、エッチングガス導入方向と同方向に制御したことに
より、ウェハ面内のエッチングガスの流れを均一にした
ので、ドライエッチングの再現性を高め、生産性を向上
させることができる。
れてウェハの外周を流れるエッチングガスの流れ方向
を、エッチングガス導入方向と同方向に制御したことに
より、ウェハ面内のエッチングガスの流れを均一にした
ので、ドライエッチングの再現性を高め、生産性を向上
させることができる。
【００２９】本発明装置によれば、下部電極にガス通過
孔を設けて多孔型電極とするだけの簡単な構造で、ウェ
ハ表面に到達するエッチングガスの流れがウェハ表面に
対して垂直方向になるため、ウェハ面内でのエッチング
形状およびエッチング速度の面内分布が良好となる。
孔を設けて多孔型電極とするだけの簡単な構造で、ウェ
ハ表面に到達するエッチングガスの流れがウェハ表面に
対して垂直方向になるため、ウェハ面内でのエッチング
形状およびエッチング速度の面内分布が良好となる。
【図１】本発明の実施の形態による低温ドライエッチン
グ装置の概略構成図である。
グ装置の概略構成図である。
【図２】ドライエッチング工程を含む光導波路を製造す
る全プロセスを示す説明図である。
る全プロセスを示す説明図である。
【図３】従来例と本実施例による低温ドライエッチング
方法におけるコアパターンの形状比較特性図であり、
（ａ）は従来例、（ｂ）は本実施例である。
方法におけるコアパターンの形状比較特性図であり、
（ａ）は従来例、（ｂ）は本実施例である。
【図４】従来例による低温ドライエッチング装置の概略
構成図である。
構成図である。
１ 反応室 ２ 排気系 ３ エッチングガス導入系 ５ 上部電極 ６ 下部電極 ７ ガス通過孔 ８ エッチングガスの流れ ９ 排気口 １１ 高周波電源 １２ 冷媒循環系 １３ ウェハ １４ Ｈｅガス導入系
Claims (4)
- 【請求項１】ウェハと垂直方向に反応室内にエッチング
ガスを導入してウェハ表面をエッチングするドライエッ
チング方法において、反応室内に導入されてウェハの外
周を流れるエッチングガスの流れ方向を、エッチングガ
ス導入方向と同方向に制御したドライエッチング方法。 - 【請求項２】反応室内に設けた上部電極と下部電極との
間に高周波電力を印加し、上部電極より下部電極上に載
せたウェハと垂直方向に反応室内にエッチングガスを導
入して、ウェハ表面をエッチングするエッチング装置に
おいて、上記下部電極にエッチングガスが流れる複数の
ガス通過孔をウェハと垂直方向に設けたことを特徴とす
るドライエッチング装置。 - 【請求項３】請求項２に記載のドライエッチング装置に
おいて、反応室内に導入されたエッチングガスを反応室
外へ排気する排気口を反応室の底部に設けたドライエッ
チング装置。 - 【請求項４】請求項２または３に記載のドライエッチン
グ装置において、下部電極を冷媒により冷却する手段
と、下部電極上に載せたウェハの裏面をＨｅガス雰囲気
中に保持する手段とを設けたドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28854295A JPH09134907A (ja) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | ドライエッチング方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28854295A JPH09134907A (ja) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | ドライエッチング方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134907A true JPH09134907A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17731594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28854295A Pending JPH09134907A (ja) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | ドライエッチング方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09134907A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003504891A (ja) * | 1999-07-13 | 2003-02-04 | ノードソン コーポレーション | 高速対称プラズマ処理システム |
| JP2017117883A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
-
1995
- 1995-11-07 JP JP28854295A patent/JPH09134907A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003504891A (ja) * | 1999-07-13 | 2003-02-04 | ノードソン コーポレーション | 高速対称プラズマ処理システム |
| JP4937474B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2012-05-23 | ノードソン コーポレーション | 高速対称プラズマ処理システム |
| JP2017117883A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
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