JPH09132430A - 光ファイバ用ガラス体及び光ファイバ - Google Patents
光ファイバ用ガラス体及び光ファイバInfo
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- JPH09132430A JPH09132430A JP7316043A JP31604395A JPH09132430A JP H09132430 A JPH09132430 A JP H09132430A JP 7316043 A JP7316043 A JP 7316043A JP 31604395 A JP31604395 A JP 31604395A JP H09132430 A JPH09132430 A JP H09132430A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コアにＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ガラスを用いる光
ファイバでは、純粋石英をコアとする光ファイバに比
べ、０．６３μｍ吸収を十分に抑えることはできなかっ
た。 【解決手段】 ＧｅＯ2−ＳｉＯ2をコアとする光ファイ
バ用ガラス体について、ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスの０．
６３μｍ吸収と５．１６ｅＶ（波長０．２４０μｍ）の
吸光度との相関を見出し、コア部のＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガ
ラスに含まれるＧｅ2+の濃度を、１．１×１０-9〜２．
８×１０-9ｍｏｌ／ｍｍ3 の範囲内とすることで、０．
６３μｍ吸収が十分に低減する。
ファイバでは、純粋石英をコアとする光ファイバに比
べ、０．６３μｍ吸収を十分に抑えることはできなかっ
た。 【解決手段】 ＧｅＯ2−ＳｉＯ2をコアとする光ファイ
バ用ガラス体について、ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスの０．
６３μｍ吸収と５．１６ｅＶ（波長０．２４０μｍ）の
吸光度との相関を見出し、コア部のＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガ
ラスに含まれるＧｅ2+の濃度を、１．１×１０-9〜２．
８×１０-9ｍｏｌ／ｍｍ3 の範囲内とすることで、０．
６３μｍ吸収が十分に低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】光ファイバ用の複合ガラス体
及び光ファイバに関し、特に、コア部にＧｅＯ2−Ｓｉ
Ｏ2ガラスを用いた複合ガラス体（光ファイバ用母材及
びその中間体を含む）、及び、このような光ファイバ用
ガラス体よりなる光ファイバ用母材を線引した光ファイ
バに関する。
及び光ファイバに関し、特に、コア部にＧｅＯ2−Ｓｉ
Ｏ2ガラスを用いた複合ガラス体（光ファイバ用母材及
びその中間体を含む）、及び、このような光ファイバ用
ガラス体よりなる光ファイバ用母材を線引した光ファイ
バに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＧｅＯ
2−ＳｉＯ2ガラスをコアとする石英系光ファイバにおい
て、波長０．６３μｍ（Non bridging oxygen hole cen
ter （以下、NBOHC と記す）; ≡Ｓｉ−Ｏ・）吸収が存
在すると、光ファイバ内に水素が拡散して、１．３８μ
ｍ（Ｓｉ−ＯＨ）、１．５３μｍ（帰属は諸説あり）で
の吸収損失が増大することが、次記文献に示されてい
る。 電子情報通信学会論文誌 C-I, vol.J72-C-I
, No.1 p45-p52 (1989) この文献によれば、０．６３μｍ吸収（Ｓｉ−Ｏ・）の
生成要因は、ガラス中のアルカリ元素が線引工程で拡散
し、欠陥吸収の源となる（≡Ｓｉ−Ｏ−Ｎａ+）なる結
合が形成されること、及び、線引時の高張力、高速線引
によりガラスネットワークに切断が生じるためであるこ
とが示されている。
2−ＳｉＯ2ガラスをコアとする石英系光ファイバにおい
て、波長０．６３μｍ（Non bridging oxygen hole cen
ter （以下、NBOHC と記す）; ≡Ｓｉ−Ｏ・）吸収が存
在すると、光ファイバ内に水素が拡散して、１．３８μ
ｍ（Ｓｉ−ＯＨ）、１．５３μｍ（帰属は諸説あり）で
の吸収損失が増大することが、次記文献に示されてい
る。 電子情報通信学会論文誌 C-I, vol.J72-C-I
, No.1 p45-p52 (1989) この文献によれば、０．６３μｍ吸収（Ｓｉ−Ｏ・）の
生成要因は、ガラス中のアルカリ元素が線引工程で拡散
し、欠陥吸収の源となる（≡Ｓｉ−Ｏ−Ｎａ+）なる結
合が形成されること、及び、線引時の高張力、高速線引
によりガラスネットワークに切断が生じるためであるこ
とが示されている。
【０００３】このような０．６３μｍ吸収帯の大きい光
ファイバでは、水素がガラス中に拡散したとき、１．３
８μｍ，１．５３μｍに大きな吸収増加をもたらし、通
信波長帯である１．３μｍ，１．５５μｍの伝送損失に
悪影響を及ぼすという課題があった。
ファイバでは、水素がガラス中に拡散したとき、１．３
８μｍ，１．５３μｍに大きな吸収増加をもたらし、通
信波長帯である１．３μｍ，１．５５μｍの伝送損失に
悪影響を及ぼすという課題があった。
【０００４】現在の製造条件では、アルカリ、遷移金属
等の不純物を極力低減し、線引条件も０．６３μｍ吸収
をできるだけ抑えられる条件に適正化することで、光フ
ァイバの製造を行っている。しかし、ＧｅＯ2 を添加す
ることによるガラス構造の不安定さから、純粋石英をコ
アとする光ファイバに比べ、ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 をコア
とする光ファイバの０．６３μｍ吸収を十分に抑えるこ
とはできなかった。
等の不純物を極力低減し、線引条件も０．６３μｍ吸収
をできるだけ抑えられる条件に適正化することで、光フ
ァイバの製造を行っている。しかし、ＧｅＯ2 を添加す
ることによるガラス構造の不安定さから、純粋石英をコ
アとする光ファイバに比べ、ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 をコア
とする光ファイバの０．６３μｍ吸収を十分に抑えるこ
とはできなかった。
【０００５】本発明は、このような課題を解決すべくな
されたものであり、その目的は、０．６３μｍ吸収を十
分に抑えることができる複合ガラス体及び光ファイバを
提供することを目的とする。
されたものであり、その目的は、０．６３μｍ吸収を十
分に抑えることができる複合ガラス体及び光ファイバを
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、バルクガ
ス及び光ファイバの分析を詳細に検討した結果、線引条
件だけでなく、光ファイバ用のガラス体の製造条件によ
っても、０．６３μｍ吸収量が左右されると共に、Ｇｅ
Ｏ2−ＳｉＯ2をコアとする光ファイバ用の複合ガラス体
においては、ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスの５．１６ｅＶ
（波長０．２４０μｍ）における吸光度と０．６３μｍ
吸収とに相関があり、この吸光度を適正範囲に抑えるこ
とで、０．６３μｍ吸収を通信波長帯に影響を及ばさな
い量まで低減できることを見出した。
ス及び光ファイバの分析を詳細に検討した結果、線引条
件だけでなく、光ファイバ用のガラス体の製造条件によ
っても、０．６３μｍ吸収量が左右されると共に、Ｇｅ
Ｏ2−ＳｉＯ2をコアとする光ファイバ用の複合ガラス体
においては、ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスの５．１６ｅＶ
（波長０．２４０μｍ）における吸光度と０．６３μｍ
吸収とに相関があり、この吸光度を適正範囲に抑えるこ
とで、０．６３μｍ吸収を通信波長帯に影響を及ばさな
い量まで低減できることを見出した。
【０００７】すなわち、請求項１にかかる光ファイバ用
ガラス体は、コア部にＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスを含む光
ファイバ用ガラス体であって、このＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガ
ラスに含まれるＧｅ2+の濃度が、１．１×１０-9〜２．
８×１０-9ｍｏｌ／ｍｍ3の範囲内であることを特徴と
する。
ガラス体は、コア部にＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスを含む光
ファイバ用ガラス体であって、このＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガ
ラスに含まれるＧｅ2+の濃度が、１．１×１０-9〜２．
８×１０-9ｍｏｌ／ｍｍ3の範囲内であることを特徴と
する。
【０００８】請求項２にかかる光ファイバ用ガラス体で
は、請求項１のＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスは、５．１６ｅ
Ｖにおける吸光度が１／ｍｍ以上２．５／ｍｍ以下であ
ることを特徴とする。
は、請求項１のＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスは、５．１６ｅ
Ｖにおける吸光度が１／ｍｍ以上２．５／ｍｍ以下であ
ることを特徴とする。
【０００９】請求項３にかかる光ファイバは、請求項１
及び２に記載の光ファイバ用ガラス体のうち、いずれか
一方に記載の光ファイバ用ガラス体よりなる光ファイバ
用母材を溶融紡糸したことを特徴とする。
及び２に記載の光ファイバ用ガラス体のうち、いずれか
一方に記載の光ファイバ用ガラス体よりなる光ファイバ
用母材を溶融紡糸したことを特徴とする。
【００１０】請求項４にかかる光ファイバ用ガラス体
は、コア部に、フッ素含有ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスを含
む光ファイバ用ガラス体であって、このフッ素含有Ｇｅ
Ｏ2−ＳｉＯ2ガラスに含まれるＧｅ2+の濃度が、１．１
×１０-9〜２．８×１０-9ｍｏｌ／ｍｍ3 の範囲内であ
ることを特徴とする。
は、コア部に、フッ素含有ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスを含
む光ファイバ用ガラス体であって、このフッ素含有Ｇｅ
Ｏ2−ＳｉＯ2ガラスに含まれるＧｅ2+の濃度が、１．１
×１０-9〜２．８×１０-9ｍｏｌ／ｍｍ3 の範囲内であ
ることを特徴とする。
【００１１】請求項５にかかる光ファイバ用ガラス体で
は、請求項４のフッ素含有ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスは、
５．１６ｅＶにおける吸光度が１／ｍｍ以上２．５／ｍ
ｍ以下であることを特徴とする。
は、請求項４のフッ素含有ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスは、
５．１６ｅＶにおける吸光度が１／ｍｍ以上２．５／ｍ
ｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】請求項６にかかる光ファイバは、請求項４
及び５に記載の光ファイバ用ガラス体のうち、いずれか
一方に記載の光ファイバ用ガラス体よりなる光ファイバ
用母材を溶融紡糸したことを特徴とする。
及び５に記載の光ファイバ用ガラス体のうち、いずれか
一方に記載の光ファイバ用ガラス体よりなる光ファイバ
用母材を溶融紡糸したことを特徴とする。
【００１３】なお、光ファイバ用ガラス体とは、線引工
程で用いられる光ファイバ用母材のみならず、その母材
に至る製造段階での形態となる、いわゆる中間体をも含
む意である。
程で用いられる光ファイバ用母材のみならず、その母材
に至る製造段階での形態となる、いわゆる中間体をも含
む意である。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明で注目する５．１６ｅＶ
（波長０．２４０μｍ）の吸収ピーク（半値幅０．５ｅ
Ｖ）を図１に示す。ここで、吸光度Ａは、Ａ＝−ｌｏｇ
Ｔ（Ｔは透過率）で示され、光路長１ｍｍ当たりに規格
化したものである。また、グラフ上のベースラインとの
差分ΔＡを吸光度と定義し、ΔＡが１／ｍｍ以上２．５
／ｍｍ以下の範囲にあるものとする。
（波長０．２４０μｍ）の吸収ピーク（半値幅０．５ｅ
Ｖ）を図１に示す。ここで、吸光度Ａは、Ａ＝−ｌｏｇ
Ｔ（Ｔは透過率）で示され、光路長１ｍｍ当たりに規格
化したものである。また、グラフ上のベースラインとの
差分ΔＡを吸光度と定義し、ΔＡが１／ｍｍ以上２．５
／ｍｍ以下の範囲にあるものとする。
【００１５】また、５．１６ｅＶの帰属は、PHYSICAL R
EVIEW B, vol.46 , No.18 (1992) p.11445−p.11451 H.
Hosono他 Table II に記載されているＧｅ2+とその中心
波長、半値幅がほぼ一致しており、Ｇｅ2+と考えること
ができる。
EVIEW B, vol.46 , No.18 (1992) p.11445−p.11451 H.
Hosono他 Table II に記載されているＧｅ2+とその中心
波長、半値幅がほぼ一致しており、Ｇｅ2+と考えること
ができる。
【００１６】図２は、ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ガラス体での
５．１６ｅＶ吸収を測定し、また、このガラス体をコア
として光ファイバを作製してΔ０．６３μｍ吸収を測定
すると共に、この両吸収の相関を調査した結果を示して
いる。Δ０．６３μｍ吸収も５．１６ｅＶ同様、ベース
ラインとの差分として解析している。図３、図４は、水
素処理前のΔ０．６３μｍ吸収と水素処理後の１．３８
μｍ、１．５３μｍ吸収ロスの増分との関係を示してい
る。なお、光ファイバの水素処理は、室温、Ｈ2 １％雰
囲気で１週間処理を行った。
５．１６ｅＶ吸収を測定し、また、このガラス体をコア
として光ファイバを作製してΔ０．６３μｍ吸収を測定
すると共に、この両吸収の相関を調査した結果を示して
いる。Δ０．６３μｍ吸収も５．１６ｅＶ同様、ベース
ラインとの差分として解析している。図３、図４は、水
素処理前のΔ０．６３μｍ吸収と水素処理後の１．３８
μｍ、１．５３μｍ吸収ロスの増分との関係を示してい
る。なお、光ファイバの水素処理は、室温、Ｈ2 １％雰
囲気で１週間処理を行った。
【００１７】図３、図４の結果より、Δ０．６３μｍ吸
収が７ｄＢ／ｋｍ付近にしきい値があり、その値以上で
は、１．３８μｍ吸収の増大と共に、１．５３μｍ吸収
ロスが生成することが明かとなった。Δ０．６３μｍ吸
収を７ｄＢ／ｋｍ以下に抑えるには、図２より、５．１
６ｅＶ吸収の吸光度を１〜２．５／ｍｍにすることが適
当である。従って、この範囲にあるＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガ
ラスを用いて光ファイバ用の母材を作製し、線引して光
ファイバを作製すれば、１．３８μｍ、１．５３μｍ吸
収ロスを抑制することが可能となり、耐水素特性に優れ
た光ファイバを得ることができる。
収が７ｄＢ／ｋｍ付近にしきい値があり、その値以上で
は、１．３８μｍ吸収の増大と共に、１．５３μｍ吸収
ロスが生成することが明かとなった。Δ０．６３μｍ吸
収を７ｄＢ／ｋｍ以下に抑えるには、図２より、５．１
６ｅＶ吸収の吸光度を１〜２．５／ｍｍにすることが適
当である。従って、この範囲にあるＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガ
ラスを用いて光ファイバ用の母材を作製し、線引して光
ファイバを作製すれば、１．３８μｍ、１．５３μｍ吸
収ロスを抑制することが可能となり、耐水素特性に優れ
た光ファイバを得ることができる。
【００１８】フッ素を含有したＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ガラ
スについても、５．１６ｅＶ吸収の吸光度を１〜２．５
／ｍｍとなるガラス（Ｆ−ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ）を用い
て光ファイバ母材を作製し、線引して光ファイバとすれ
ば、１．３８μｍ，１．５５μｍ吸収ロスを抑制するこ
とは可能であり、耐水素特性に優れた光ファイバを得る
ことができる。
スについても、５．１６ｅＶ吸収の吸光度を１〜２．５
／ｍｍとなるガラス（Ｆ−ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ）を用い
て光ファイバ母材を作製し、線引して光ファイバとすれ
ば、１．３８μｍ，１．５５μｍ吸収ロスを抑制するこ
とは可能であり、耐水素特性に優れた光ファイバを得る
ことができる。
【００１９】また、０．６３μｍ吸収の生成機構及び生
成した０．６３μｍ吸収（≡Ｓｉ−Ｏ・）が、水素処理
を行うことによって、１．３８μｍ、１．５３μｍ吸収
となるメカニズムについては、以下のように考えること
ができる。
成した０．６３μｍ吸収（≡Ｓｉ−Ｏ・）が、水素処理
を行うことによって、１．３８μｍ、１．５３μｍ吸収
となるメカニズムについては、以下のように考えること
ができる。
【００２０】下記（１）〜（３）に示す３つの分解反応
における平衡定数の温度依存性を、図５に示す。
における平衡定数の温度依存性を、図５に示す。
【００２１】 （１） ＧｅＯ2 →ＧｅＯ＋ 1/2Ｏ2 （２） 1/2 ＧｅＯ2 ＋ 1/2ＳｉＯ2 → 1/2ＧｅＯ＋ 1
/2ＳｉＯ＋ 1/2Ｏ2 （３） ＳｉＯ2 →ＳｉＯ＋ 1/2Ｏ2 図５より、（１）のＧｅＯ2 分解反応が最も生じ易く、
かつ、ガラス欠陥のような低濃度の反応であれば、１０
００℃程度で反応が生ずると推定される。
/2ＳｉＯ＋ 1/2Ｏ2 （３） ＳｉＯ2 →ＳｉＯ＋ 1/2Ｏ2 図５より、（１）のＧｅＯ2 分解反応が最も生じ易く、
かつ、ガラス欠陥のような低濃度の反応であれば、１０
００℃程度で反応が生ずると推定される。
【００２２】ＧｅＯ2 がＧｅＯに変化するということ
は、Ｇｅ4+→Ｇｅ2+に還元されることと同等であり、
５．１６ｅＶ吸収は、この還元されたＧｅ2+（ＧｅＯ）
を捕らえていると考えられる。
は、Ｇｅ4+→Ｇｅ2+に還元されることと同等であり、
５．１６ｅＶ吸収は、この還元されたＧｅ2+（ＧｅＯ）
を捕らえていると考えられる。
【００２３】この現象をガラス構造の観点から考察する
と、図６に示すモデルとなる。図６で示した反応によっ
て、Ｇｅ2+とともに、≡Ｓｉ−Ｏ・が生成する。また、
酸素も遊離し、遊離した酸素は、ガラス中に存在する他
の欠陥種（≡Ｓｉ・；Ｅ’センタ、または、≡Ｇｅ−Ｓ
ｉ≡、≡Ｓｉ−Ｓｉ≡；酸素欠損型欠陥（oxygen-vacan
cy）が遊離してＥ’センタを生成）と化学結合し、新た
に≡Ｓｉ−Ｏ・を生成すると考えられる。
と、図６に示すモデルとなる。図６で示した反応によっ
て、Ｇｅ2+とともに、≡Ｓｉ−Ｏ・が生成する。また、
酸素も遊離し、遊離した酸素は、ガラス中に存在する他
の欠陥種（≡Ｓｉ・；Ｅ’センタ、または、≡Ｇｅ−Ｓ
ｉ≡、≡Ｓｉ−Ｓｉ≡；酸素欠損型欠陥（oxygen-vacan
cy）が遊離してＥ’センタを生成）と化学結合し、新た
に≡Ｓｉ−Ｏ・を生成すると考えられる。
【００２４】これより同一のＧｅ濃度でも、Ｇｅ2+欠陥
が多い場合には、ガラスネットワーク内の過剰酸素が多
くなると推定される。
が多い場合には、ガラスネットワーク内の過剰酸素が多
くなると推定される。
【００２５】ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ガラスにＦ（フッ素）
を添加すれば、ガラス中に存在する≡Ｓｉ・（Ｅ’セン
タ）または、≡Ｇｅ−Ｓｉ≡，≡Ｓｉ−Ｓｉ≡等の酸素
欠乏型欠陥とＦが反応し、Ｓｉ−Ｆとなって、遊離酸素
による≡Ｓｉ−Ｏ・の生成を抑制するので効果的とな
る。
を添加すれば、ガラス中に存在する≡Ｓｉ・（Ｅ’セン
タ）または、≡Ｇｅ−Ｓｉ≡，≡Ｓｉ−Ｓｉ≡等の酸素
欠乏型欠陥とＦが反応し、Ｓｉ−Ｆとなって、遊離酸素
による≡Ｓｉ−Ｏ・の生成を抑制するので効果的とな
る。
【００２６】さらに、水素がガラス中に拡散すると、生
成したＮＢＯＨＣは水素と反応し、Ｓｉ−ＯＨを形成す
る（次式参照）。 ≡Ｓｉ−Ｏ・＋ 1/2Ｈ2 →≡Ｓｉ−ＯＨ（１．３８μｍ
吸収） また、「Ｓｉ−Ｏ」と「Ｇｅ−Ｏ」の結合エネルギーを
比較すると、Ｇｅ−Ｏの結合エネルギーが３３０ＫＪ／
ｍｏｌに対し、Ｓｉ−Ｏの結合エネルギーが４００ＫＪ
／ｍｏｌであり、Ｓｉ−Ｏの方が安定に存在する。
成したＮＢＯＨＣは水素と反応し、Ｓｉ−ＯＨを形成す
る（次式参照）。 ≡Ｓｉ−Ｏ・＋ 1/2Ｈ2 →≡Ｓｉ−ＯＨ（１．３８μｍ
吸収） また、「Ｓｉ−Ｏ」と「Ｇｅ−Ｏ」の結合エネルギーを
比較すると、Ｇｅ−Ｏの結合エネルギーが３３０ＫＪ／
ｍｏｌに対し、Ｓｉ−Ｏの結合エネルギーが４００ＫＪ
／ｍｏｌであり、Ｓｉ−Ｏの方が安定に存在する。
【００２７】ガラス微粒子の熱処理工程よりも高温とな
る線引工程では、ガラス母材は２０００〜２２００℃の
高温にさらされるので、高張力、高速となる線引条件で
は、≡Ｇｅ−Ｏ−Ｓｉ≡結合は、Ｇｅ−Ｏ結合が切断さ
れることになる。
る線引工程では、ガラス母材は２０００〜２２００℃の
高温にさらされるので、高張力、高速となる線引条件で
は、≡Ｇｅ−Ｏ−Ｓｉ≡結合は、Ｇｅ−Ｏ結合が切断さ
れることになる。
【００２８】
【外１】
【００２９】ここで、論文（Hosor 他、“ Nature and
Origin of the 5eV band in SiO 2:GeO 2 glasses
”) の記載を参考にして、吸光度ＡとＧｅ2+濃度との
関係を求めと、吸光度ＡとＧｅ2+濃度は次式の関係にあ
る。 Ａ＝ε5.16eV・Ｃ(Ge2+)・ｌ ここでε5.16eVは吸収係数（ｌ／ｍｏｌ／ｃｍ）、Ｃ
(Ge2+)はＧｅ2+濃度、ｌは光路長とし、ε5.16eV＝９×
１０3 （前出の論文 p.11449左欄 6〜7 行目を使用）、
ｌ＝１ｍｍ（測定条件）とすると、Ｇｅ2+は、Ｇｅ2+＝
Ａ／ε5.16eV／ｌとして求まる。
Origin of the 5eV band in SiO 2:GeO 2 glasses
”) の記載を参考にして、吸光度ＡとＧｅ2+濃度との
関係を求めと、吸光度ＡとＧｅ2+濃度は次式の関係にあ
る。 Ａ＝ε5.16eV・Ｃ(Ge2+)・ｌ ここでε5.16eVは吸収係数（ｌ／ｍｏｌ／ｃｍ）、Ｃ
(Ge2+)はＧｅ2+濃度、ｌは光路長とし、ε5.16eV＝９×
１０3 （前出の論文 p.11449左欄 6〜7 行目を使用）、
ｌ＝１ｍｍ（測定条件）とすると、Ｇｅ2+は、Ｇｅ2+＝
Ａ／ε5.16eV／ｌとして求まる。
【００３０】上記各値を用いて計算した結果、吸光度Ａ
＝１〜２．５／ｍｍ-1に対応するＧｅ2+濃度は、１．１
×１０-9〜２．８×１０-9ｍｏｌ／ｍｍ3 となる。
＝１〜２．５／ｍｍ-1に対応するＧｅ2+濃度は、１．１
×１０-9〜２．８×１０-9ｍｏｌ／ｍｍ3 となる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、光ファイバの水素
特性に悪影響を及ぼす０．６３μｍ吸収（≡Ｓｉ−
Ｏ・）欠陥は、５．１６ｅＶの吸収体と密接な関係にあ
ることが明かとなり、各請求項にかかる光ファイバ用ガ
ラス体及び光ファイバで規定したように、ガラスの製造
条件（ガラス微粒子堆積条件、焼結条件）を最適化し、
５．１６ｅＶ吸光度を管理することで、ガラス欠陥の生
成を低減し、０．６３μｍ吸収を十分に抑えることが可
能となる。これにより、耐水素特性に優れたガラス欠陥
の少ない光ファイバ用ガラス体及び光ファイバを提供で
きる。また、光ファイバとして短波長側の吸収損失を評
価しなくとも、ガラスの状態で水素特性を予測すること
が可能となり、吸収損失の評価を簡易にしかも効率的に
実施することが可能となる。
特性に悪影響を及ぼす０．６３μｍ吸収（≡Ｓｉ−
Ｏ・）欠陥は、５．１６ｅＶの吸収体と密接な関係にあ
ることが明かとなり、各請求項にかかる光ファイバ用ガ
ラス体及び光ファイバで規定したように、ガラスの製造
条件（ガラス微粒子堆積条件、焼結条件）を最適化し、
５．１６ｅＶ吸光度を管理することで、ガラス欠陥の生
成を低減し、０．６３μｍ吸収を十分に抑えることが可
能となる。これにより、耐水素特性に優れたガラス欠陥
の少ない光ファイバ用ガラス体及び光ファイバを提供で
きる。また、光ファイバとして短波長側の吸収損失を評
価しなくとも、ガラスの状態で水素特性を予測すること
が可能となり、吸収損失の評価を簡易にしかも効率的に
実施することが可能となる。
【図１】５．１６ｅＶ（波長０．２４０μｍ）の吸収ピ
ークを示す図表である。
ークを示す図表である。
【図２】５．１６ｅＶ吸収とΔ０．６３μｍ吸収との関
係を示す図表である。
係を示す図表である。
【図３】Δ０．６３μｍ吸収と水素処理後の１．３８μ
ｍロス増分との関係を示す図表である。
ｍロス増分との関係を示す図表である。
【図４】Δ０．６３μｍ吸収と水素処理後の１．５３μ
ｍロス増分との関係を示す図表である。
ｍロス増分との関係を示す図表である。
【図５】各化学反応の平衡定数の温度依存性を示す図表
である。
である。
【図６】５．１６ｅＶ吸収の発生原因を説明するモデル
図である。
図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 コア部にＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスを含む
光ファイバ用ガラス体であって、 このＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスに含まれるＧｅ2+の濃度
が、１．１×１０-9〜２．８×１０-9ｍｏｌ／ｍｍ3 の
範囲内であることを特徴とする光ファイバ用ガラス体。 - 【請求項２】 前記ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスは、５．１
６ｅＶにおける吸光度が、１／ｍｍ以上２．５／ｍｍ以
下であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ用
ガラス体。 - 【請求項３】 請求項１及び２に記載の光ファイバ用ガ
ラス体のうち、いずれか一方に記載の光ファイバ用ガラ
ス体よりなる光ファイバ用母材を溶融紡糸してなる光フ
ァイバ。 - 【請求項４】 コア部に、フッ素含有ＧｅＯ2−ＳｉＯ2
ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、 このフッ素含有ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラスに含まれるＧｅ
2+の濃度が、１．１×１０-9〜２．８×１０-9ｍｏｌ／
ｍｍ3 の範囲内であることを特徴とする光ファイバ用ガ
ラス体。 - 【請求項５】 前記フッ素含有ＧｅＯ2−ＳｉＯ2ガラス
は、５．１６ｅＶにおける吸光度が、１／ｍｍ以上２．
５／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４記載の光
ファイバ用ガラス体。 - 【請求項６】 請求項４及び５に記載の光ファイバ用ガ
ラス体のうち、いずれか一方に記載の光ファイバ用ガラ
ス体よりなる光ファイバ用母材を溶融紡糸してなる光フ
ァイバ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31604395A JP3424711B2 (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 光ファイバ用ガラス体及び光ファイバ |
| AU67955/96A AU703303B2 (en) | 1995-11-09 | 1996-10-01 | Glass body for optical fiber, method of selecting the same, optical fiber, and method of making thereof |
| DE69603441T DE69603441T2 (de) | 1995-11-09 | 1996-10-22 | Glaskörper für optische Faser, Verwendung davon, optische Faser und Verfahren zu deren Herstellung |
| EP96116944A EP0773195B1 (en) | 1995-11-09 | 1996-10-22 | Glass body for optical fiber, use thereof, optical fiber, and method of making it |
| US08/738,841 US5763081A (en) | 1995-11-09 | 1996-10-28 | Glass body for optical fiber method of selecting the same optical fiber and method of making thereof |
| CN96112032A CN1102132C (zh) | 1995-11-09 | 1996-11-05 | 光纤用玻璃体,选择该玻璃体的方法,光纤及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31604395A JP3424711B2 (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 光ファイバ用ガラス体及び光ファイバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09132430A true JPH09132430A (ja) | 1997-05-20 |
| JP3424711B2 JP3424711B2 (ja) | 2003-07-07 |
Family
ID=18072634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31604395A Expired - Lifetime JP3424711B2 (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 光ファイバ用ガラス体及び光ファイバ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5763081A (ja) |
| EP (1) | EP0773195B1 (ja) |
| JP (1) | JP3424711B2 (ja) |
| CN (1) | CN1102132C (ja) |
| AU (1) | AU703303B2 (ja) |
| DE (1) | DE69603441T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004317750A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 耐水素特性に優れた光ファイバ及びその製造方法 |
| JP2007114335A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Fujikura Ltd | 光増幅用光ファイバの出力低下抑制方法、光増幅用光ファイバ、光ファイバ増幅器及び光ファイバレーザ |
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|---|---|---|---|---|
| US6705123B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-03-16 | Corning Incorporated | Making a photosensitive fiber with collapse of a MCVD tube that is in a small positive pressure atmosphere |
| US7160746B2 (en) * | 2001-07-27 | 2007-01-09 | Lightwave Microsystems Corporation | GeBPSG top clad for a planar lightwave circuit |
| CN100357770C (zh) * | 2001-07-30 | 2007-12-26 | 古河电气工业株式会社 | 单模光纤、单模光纤的制造方法和用于制造单模光纤的设备 |
| JP2003114347A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-04-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | シングルモード光ファイバ、その製造方法および製造装置 |
| JP4723569B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2011-07-13 | エリクソン テレコムニカソンイス ソシエダット アノニマ | 光増幅器ファイバ用ガラス |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260436A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
| JPS6148437A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧｅＯ↓２−ＳｉＯ↓２系ガラス母材の製造方法 |
| US5059229A (en) * | 1990-09-24 | 1991-10-22 | Corning Incorporated | Method for producing optical fiber in a hydrogen atmosphere to prevent attenuation |
| US5157747A (en) * | 1991-01-18 | 1992-10-20 | At&T Bell Laboratories | Photorefractive optical fiber |
-
1995
- 1995-11-09 JP JP31604395A patent/JP3424711B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-10-01 AU AU67955/96A patent/AU703303B2/en not_active Ceased
- 1996-10-22 DE DE69603441T patent/DE69603441T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-22 EP EP96116944A patent/EP0773195B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-28 US US08/738,841 patent/US5763081A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-05 CN CN96112032A patent/CN1102132C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004317750A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 耐水素特性に優れた光ファイバ及びその製造方法 |
| JP2007114335A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Fujikura Ltd | 光増幅用光ファイバの出力低下抑制方法、光増幅用光ファイバ、光ファイバ増幅器及び光ファイバレーザ |
| JP4732120B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2011-07-27 | 株式会社フジクラ | 光増幅用光ファイバの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1152556A (zh) | 1997-06-25 |
| EP0773195A1 (en) | 1997-05-14 |
| DE69603441T2 (de) | 1999-12-16 |
| AU703303B2 (en) | 1999-03-25 |
| CN1102132C (zh) | 2003-02-26 |
| EP0773195B1 (en) | 1999-07-28 |
| JP3424711B2 (ja) | 2003-07-07 |
| AU6795596A (en) | 1997-05-15 |
| DE69603441D1 (de) | 1999-09-02 |
| US5763081A (en) | 1998-06-09 |
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