JPS60112635A - ガラス光フアイバプリフオーム製造方法 - Google Patents
ガラス光フアイバプリフオーム製造方法Info
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- JPS60112635A JPS60112635A JP22188784A JP22188784A JPS60112635A JP S60112635 A JPS60112635 A JP S60112635A JP 22188784 A JP22188784 A JP 22188784A JP 22188784 A JP22188784 A JP 22188784A JP S60112635 A JPS60112635 A JP S60112635A
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- JP
- Japan
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- optical fiber
- chlorine
- atmosphere
- fiber preform
- manufacturing
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01205—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments
- C03B37/01211—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments by inserting one or more rods or tubes into a tube
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01853—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
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- C03B37/01861—Means for changing or stabilising the diameter or form of tubes or rods
- C03B37/01869—Collapsing
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- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はガラス光ファイバプリフォームの製造に関し、
特にドーピングされた石英コアを有しプリフォームのガ
ラス管状母材のコラプスからなる■程により製造される
プリフォームに関する。ここで用語光フアイバプリフォ
ームは、内部に光導波構成を右づる光ファイバを線引き
によりｌｉＪ造するための充実断面の柱状体を意味する
。
特にドーピングされた石英コアを有しプリフォームのガ
ラス管状母材のコラプスからなる■程により製造される
プリフォームに関する。ここで用語光フアイバプリフォ
ームは、内部に光導波構成を右づる光ファイバを線引き
によりｌｉＪ造するための充実断面の柱状体を意味する
。
従来の技術及びその問題点
かかる管状母材を製造する１つの方法としてはガラス製
基体管の孔に気相堆積を行なうことがある。本発明はそ
れのみに関する訳ではないが波長１．２７５乃至１．３
３５ミクロンの範囲で動作するよう設計された単一モー
ドファイバ用のプリフォームの製造に応用される。この
波長範囲で動作する場合ファイバの性能を決定する重要
なパラメータの１つは、光コア及びコアを直接包囲する
気相堆積材料の光クラッド中の水酸基混入のレベルであ
る。
基体管の孔に気相堆積を行なうことがある。本発明はそ
れのみに関する訳ではないが波長１．２７５乃至１．３
３５ミクロンの範囲で動作するよう設計された単一モー
ドファイバ用のプリフォームの製造に応用される。この
波長範囲で動作する場合ファイバの性能を決定する重要
なパラメータの１つは、光コア及びコアを直接包囲する
気相堆積材料の光クラッド中の水酸基混入のレベルであ
る。
この方法によるプリフォームの製造中において水Ｎ基の
混入の重要な原因は３つある。第１には典型的には約１
５０ｐｐｍ＋の水Ｍ基を含む基体管からの拡散であり、
第２には気相堆積−反応で用いられるガス流中の原料ガ
ス及び蒸気の水素含有混入物のうちの若干が水１％とし
て堆積中に入る傾向があることであり、第３には管がプ
リフォームとなるようコラプスする際管の孔内の雰囲気
中の同様な混入物である。混入の第１の原因は、初めか
ら比較的低水分の基体管を選択するか、拡散障壁層とな
るにうな材質及び厚さの堆積光クレット層を選択するこ
とで少なくとも部分的には改善される。第２及び第３の
原因の効果は、乾燥した原料を用い空気中の水分を侵入
させるようなシステムの漏れがないようにすることで改
善される。ｌｉ積反応は通常、システムの排気により排
出される塩化水素蒸気を生ずるＪ：う残留水Ｕ基と強く
反応する塩素ガスを発生するから、混入の第２の原因で
ある堆積中の混入は通常第３の原因にり重要性は小さい
。
混入の重要な原因は３つある。第１には典型的には約１
５０ｐｐｍ＋の水Ｍ基を含む基体管からの拡散であり、
第２には気相堆積−反応で用いられるガス流中の原料ガ
ス及び蒸気の水素含有混入物のうちの若干が水１％とし
て堆積中に入る傾向があることであり、第３には管がプ
リフォームとなるようコラプスする際管の孔内の雰囲気
中の同様な混入物である。混入の第１の原因は、初めか
ら比較的低水分の基体管を選択するか、拡散障壁層とな
るにうな材質及び厚さの堆積光クレット層を選択するこ
とで少なくとも部分的には改善される。第２及び第３の
原因の効果は、乾燥した原料を用い空気中の水分を侵入
させるようなシステムの漏れがないようにすることで改
善される。ｌｉ積反応は通常、システムの排気により排
出される塩化水素蒸気を生ずるＪ：う残留水Ｕ基と強く
反応する塩素ガスを発生するから、混入の第２の原因で
ある堆積中の混入は通常第３の原因にり重要性は小さい
。
従って実際上水酸基混入の最も重要な原因はコラプスニ
し程である。塩素ガスをコラプス雰囲気に添加した場合
のことが報告されている。これは例えばエレクトロニク
ス レタース（Ｅ ＩｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬ ｃｔｔｃ
ｒｓ） １９８０年８月２８日号、第１６巻第１８号６
９２〜３頁に掲載されたＢ、ＬＪ、ｉ−ンスリー（Ｂ、
Ｊ、Δ１ｎｓｌｉｅ）他１．：ヨ＜５ ｒ オフ チＶ
−１’ ストストラクチュア フォア プリベアリン
グ ロング ウシ１〜ラローロス シングル モード
ファイバースＪ （ＱｐｔｉｍｉＳｅｄ ５ｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ ｆｏｒｐ ｒｅｐａｒｉｎｇ １．ｏｎｏ Ｌ
Ｊ １ｔｒａ−Ｌ ＯＷ−１−０３Ｓ Ｓ ｉｎｇｌｃ
−Ｍｏ＋Ｉｃ 「１ｂｒｅｓ ）で報告されている。エ
レクトロニクス レタース １９８１年１月８日号、第
１７巻１号３・〜・５頁に掲載されたＪ、アーブンＬｌ
。
し程である。塩素ガスをコラプス雰囲気に添加した場合
のことが報告されている。これは例えばエレクトロニク
ス レタース（Ｅ ＩｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬ ｃｔｔｃ
ｒｓ） １９８０年８月２８日号、第１６巻第１８号６
９２〜３頁に掲載されたＢ、ＬＪ、ｉ−ンスリー（Ｂ、
Ｊ、Δ１ｎｓｌｉｅ）他１．：ヨ＜５ ｒ オフ チＶ
−１’ ストストラクチュア フォア プリベアリン
グ ロング ウシ１〜ラローロス シングル モード
ファイバースＪ （ＱｐｔｉｍｉＳｅｄ ５ｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ ｆｏｒｐ ｒｅｐａｒｉｎｇ １．ｏｎｏ Ｌ
Ｊ １ｔｒａ−Ｌ ＯＷ−１−０３Ｓ Ｓ ｉｎｇｌｃ
−Ｍｏ＋Ｉｃ 「１ｂｒｅｓ ）で報告されている。エ
レクトロニクス レタース １９８１年１月８日号、第
１７巻１号３・〜・５頁に掲載されたＪ、アーブンＬｌ
。
ｌ ｒｖｅｎ）他の「［］ング ウェーブレングス パ
フオーマンス Ａブ オプチカル ファイバース二〕ウ
ドーブ１へ ウィズ フルＡリーンＪ（Ｉｏｎ（ＩＷａ
ｖｅｌｅｎｏ’ｔｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ
０ｐｔｉｃａｌ Ｆ １１１ｒｅＳ Ｃｏ−Ｄｏｇｅｄ
ｗｉｔｂ Ｆ ＋ｕｏｒＴｎｃ ）でも報告されてい
る。ＩＥＦＥ ジ（７−ナル オフ クアンタムニ［レ
クトロニクス（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱ ｕ
ａｎｔ（ｌｌｌｌ Ｅ ＩＣＣｔｒＯｌｌｉｏＳ＞第Ｑ
’Ｅ １８巻４号９１べ俣）≦）負のＪ、エーンスリー
他による論文「１ｆデザイン アンド フアプリケーシ
ョン Ａブモノモード オプチカル ファイバーＪ （
ＴｈｅＤｃｓｉｏｎ ａｎｄ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
ｏｆ Ｍｏｎｏｍｏｄｅ ０ｐｔｉｃａｌ Ｆ ｉｔ
＋ｃｒ）では、以前の彼等の論文を引用しつつ塩素は１
０％の塩素／酸索混合物によったことを明らかにしてい
る。また第３回インクナショナル オプチクス アンド
オプチカル ファイバ コミコこケーションズ（Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ０ｐｔｌｉｃｓａ同Ｑｐｔ
ｉｃａｌ ［１ｂａｒ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ
）−ｇ−シフランシス１，１９８１年８６〜８８頁の
「リダクション オフ ヒドロキシル ］ンタミネーシ
ョン イン オプチカル ファイバ プリフォームスＪ
（Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｌ−１ｙｄｒｏｘｙｌ
Ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ ｉｎ Ｑｐｔｉｃａｌ
Ｆｉ、ｂｅｒ Ｐｒｅｆｏｒｍｓ ）におい’ＵＫ、
ｉ、ウォーカー（Ｋ、 ｌ−、Ｗａｌｋｅｒ ＞他は、
如何にして四塩化シリコン及び四塩化ゲルマニウムの酸
化により３〜１０％の塩素が１１積雰囲気内にあるのか
を説明し、ぞれにより水酸Ｍ混入の実際のレベルが４０
００程度の係数で減少Ｊ−ることを）ホベている。次い
で若者（ｊ、］ララブのため８０％の酸素と２０％の塩
素の雰囲気を用いることを説明している。
フオーマンス Ａブ オプチカル ファイバース二〕ウ
ドーブ１へ ウィズ フルＡリーンＪ（Ｉｏｎ（ＩＷａ
ｖｅｌｅｎｏ’ｔｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ
０ｐｔｉｃａｌ Ｆ １１１ｒｅＳ Ｃｏ−Ｄｏｇｅｄ
ｗｉｔｂ Ｆ ＋ｕｏｒＴｎｃ ）でも報告されてい
る。ＩＥＦＥ ジ（７−ナル オフ クアンタムニ［レ
クトロニクス（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱ ｕ
ａｎｔ（ｌｌｌｌ Ｅ ＩＣＣｔｒＯｌｌｉｏＳ＞第Ｑ
’Ｅ １８巻４号９１べ俣）≦）負のＪ、エーンスリー
他による論文「１ｆデザイン アンド フアプリケーシ
ョン Ａブモノモード オプチカル ファイバーＪ （
ＴｈｅＤｃｓｉｏｎ ａｎｄ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
ｏｆ Ｍｏｎｏｍｏｄｅ ０ｐｔｉｃａｌ Ｆ ｉｔ
＋ｃｒ）では、以前の彼等の論文を引用しつつ塩素は１
０％の塩素／酸索混合物によったことを明らかにしてい
る。また第３回インクナショナル オプチクス アンド
オプチカル ファイバ コミコこケーションズ（Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ０ｐｔｌｉｃｓａ同Ｑｐｔ
ｉｃａｌ ［１ｂａｒ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ
）−ｇ−シフランシス１，１９８１年８６〜８８頁の
「リダクション オフ ヒドロキシル ］ンタミネーシ
ョン イン オプチカル ファイバ プリフォームスＪ
（Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｌ−１ｙｄｒｏｘｙｌ
Ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ ｉｎ Ｑｐｔｉｃａｌ
Ｆｉ、ｂｅｒ Ｐｒｅｆｏｒｍｓ ）におい’ＵＫ、
ｉ、ウォーカー（Ｋ、 ｌ−、Ｗａｌｋｅｒ ＞他は、
如何にして四塩化シリコン及び四塩化ゲルマニウムの酸
化により３〜１０％の塩素が１１積雰囲気内にあるのか
を説明し、ぞれにより水酸Ｍ混入の実際のレベルが４０
００程度の係数で減少Ｊ−ることを）ホベている。次い
で若者（ｊ、］ララブのため８０％の酸素と２０％の塩
素の雰囲気を用いることを説明している。
本発明は」ス前報告されているよりもはるかに高い割合
の塩素を］ラプス雰囲気で用いることに関係する。
の塩素を］ラプス雰囲気で用いることに関係する。
問題点を解決するための手段
本発明によれば、コラプス中孔が水素及び水素化合物を
略合まない乾燥した雰囲気にさらされるようにしてプリ
フォームとなるようプリフォームのガラス管状母材の孔
をコラプスする段階からなり、雰囲気は塩素及び酸素か
らなる雰囲気であり他の成分は１０容積％以下であり３
０乃至７５容積％の範囲の塩素を含み、ドーピングされ
た石英コアを有し充実した断面のガラス光ファイバプリ
フォームの製造方法が提供される。
略合まない乾燥した雰囲気にさらされるようにしてプリ
フォームとなるようプリフォームのガラス管状母材の孔
をコラプスする段階からなり、雰囲気は塩素及び酸素か
らなる雰囲気であり他の成分は１０容積％以下であり３
０乃至７５容積％の範囲の塩素を含み、ドーピングされ
た石英コアを有し充実した断面のガラス光ファイバプリ
フォームの製造方法が提供される。
実施例
以下の説明で一連の光フアイバプリフォームの製造は略
同−のコラプス雰囲気の状態で行なわれた。これらのプ
リフォームから線引きされたファイバの減衰はコラプス
雰囲気中の塩素Ｒに関連して比較される。
同−のコラプス雰囲気の状態で行なわれた。これらのプ
リフォームから線引きされたファイバの減衰はコラプス
雰囲気中の塩素Ｒに関連して比較される。
この一連の光フアイバプリフォームの部材は、石英基体
管の孔にガラスを堆積させる無水素熱誘導直接酸化反応
を用いる自動装置によりＩｙＪ造され、次いでプリフォ
ームとなるようコラプスされる。
管の孔にガラスを堆積させる無水素熱誘導直接酸化反応
を用いる自動装置によりＩｙＪ造され、次いでプリフォ
ームとなるようコラプスされる。
これらのプリフォームは、石英基体管の屈折率と適合す
る屈折率を有Ｊる気相ｊｆｆ積光クラッド材料が設【プ
られ、５．２５ミクロンのモードフィールド半径、１．
３１ミクロンのゼロ分散波長、１．２ミクロンの高次モ
ードカッ１〜７１フ波長の単一モードファイバの製造に
用いられる。
る屈折率を有Ｊる気相ｊｆｆ積光クラッド材料が設【プ
られ、５．２５ミクロンのモードフィールド半径、１．
３１ミクロンのゼロ分散波長、１．２ミクロンの高次モ
ードカッ１〜７１フ波長の単一モードファイバの製造に
用いられる。
使用される基体管は、２１＋１１１１の壁厚で２０ｍｌ
１１の外径を有するヘラルックス（＠ ｅｒａｌｕｘ）
Ｗ Ｇ天然水晶管である。光クラッド用の初期の堆積
材料は、ゲルマニア、五酸化リン及びフッ素をドーピン
グされたち英であるが、コア用の堆積材料はゲルマニア
をドーピングされた石英である。堆積温度１７５０℃の
設定温度の±３℃以内に制御される。
１１の外径を有するヘラルックス（＠ ｅｒａｌｕｘ）
Ｗ Ｇ天然水晶管である。光クラッド用の初期の堆積
材料は、ゲルマニア、五酸化リン及びフッ素をドーピン
グされたち英であるが、コア用の堆積材料はゲルマニア
をドーピングされた石英である。堆積温度１７５０℃の
設定温度の±３℃以内に制御される。
被覆された管はそれぞれ、炎フィードバック制御装百に
Ｊ：り炎温庶が一定に維持される酸水素バーナの両長手
方向縦断によって１３ｍｍの公称径のプリフォームとな
るＪ：う２０５０℃でコラプスされる。
Ｊ：り炎温庶が一定に維持される酸水素バーナの両長手
方向縦断によって１３ｍｍの公称径のプリフォームとな
るＪ：う２０５０℃でコラプスされる。
次いで長さ約５１ｖ、径約１２５ミクロンのファイバが
コーラブスから、思鉛質耐火炉を備える垂直ブリングタ
ワーを用いて引出される。これらのファイバは熱硬化性
シリコン弾性材によりオンラインで被覆される。
コーラブスから、思鉛質耐火炉を備える垂直ブリングタ
ワーを用いて引出される。これらのファイバは熱硬化性
シリコン弾性材によりオンラインで被覆される。
次の表は、これらのプリフォームの！ｌ！ｊ造に使用さ
れるコラプス雰囲気をプリフォームから線引きされたフ
ァイバの減衰に関係付けて表わしたものである。
れるコラプス雰囲気をプリフォームから線引きされたフ
ァイバの減衰に関係付けて表わしたものである。
表 １
塩素′ａ度 １，３８５ミクロンでのＯＨ無限切片容積
％ 吸収ピーク ｄＢ／ｋｍ 、Ｅ／ｋｍ３０ １．
６３ 、 ０．０３ ’３０ ２．０３ ０，１１ １０ ３．１１ ０．０４ ２０ １．７９ ０．０６ ３４ １．１９ ０．０７ １００ ０．４７ ０，２５ １００ ０．３５ ０．２３ ３８ １．０６ １．０Ｇ ８０ ０．６２ ０．０４ ９０ ０．５８ ｏ、３９ ９°５ ０．３９ ０．３６ ８０ ０．５６ ０，２６ ８０ ０．６２ ０．０９ ８０ ０．６３ − ０．３１ ７／１ ０，８６ ０．１５ ６０ １．１５ ０．０４ 表 ２ プリフォーム 塩素温度 ｊ、２７５・〜１．３３５ミ
ク １，３８５ミクロンで 無限切片容積 ％ ロンの
範囲での平均 の平均ＯＨ吸収番 号 最大減衰 ｃ［
３／ｋｍ ピーク ｄＢ／ｋｍ （Ｂ／ｋｍ５ ６０
、 ０．４４ ０．７２ ０．０６１０ ４０ ０．４
６ １．２８ ＜０．０５１２ 、 ４０ ０．５１
１．４２ ＜０．０５１１ ２９ ０．６０ ４．２８
＜０．０５１０ ３６ ０．４８ ２．５４ ＜０．
０５９ ３５０．４７ ２．１１ ＜０．０５６ ３５
０．５４ ．２．１１ ＜０．０５第１図は、これら
の単一モードファイバの光減衰の波長の函数としての変
化の（１方の一般的な形状を示すグラフである。かかる
スペクトル特性の長波長端では約１．６ミクロンより長
い波長においてはフォノン効果により減衰は定常的に増
大し、短波長端ではレイリー散乱の効果で増大Ｊる。こ
れに重畳して １．３８〜１．４ミクロンの範囲で水酸
基減衰のビーク１０があり、また１、２ミクロン付近で
は波長が減少するにつれ減衰の増大１１が起こるが、こ
れは高次モードのカッティングオンにともなうものであ
る。（水酸基ビーク１０にともない約、１．２４〜１．
２６ミクロンにある２次的な低いピークは、水′Ｍ基ビ
ーク１０の値が５ｄＢ／ｋｌｌ１以上の場合にははっき
りしているが２Ｊ／ｋｍ以下の値の場合には、見分けら
れない。） 第２図では第１図のスペクトル吸収特性をレイリー散乱
の効果がより明確になるよう波長の４乗の逆数に対して
プロットし直している。第２図から分るように水酸基ピ
ーク２０と高次モード波長カットオフ２１との間の波長
、例えば１．３１ミクロンの波長での減衰は３つの成分
子ａＪ、ｒｂＪ及びｒｃＪの和である。成分ａは大きさ
が、レイリーの逆４乗低減衰を特徴付ける直線２２の接
片で与えられる波長から独立した部分である。成分すは
選択された波長でのレイリー散乱弁であり、レイリー線
２２の傾ぎと選択された波長の４乗の逆数との積に等し
い。３番目の成分Ｃは水酸基ピーク２０の短波長側の末
端による付加的な損失である。
％ 吸収ピーク ｄＢ／ｋｍ 、Ｅ／ｋｍ３０ １．
６３ 、 ０．０３ ’３０ ２．０３ ０，１１ １０ ３．１１ ０．０４ ２０ １．７９ ０．０６ ３４ １．１９ ０．０７ １００ ０．４７ ０，２５ １００ ０．３５ ０．２３ ３８ １．０６ １．０Ｇ ８０ ０．６２ ０．０４ ９０ ０．５８ ｏ、３９ ９°５ ０．３９ ０．３６ ８０ ０．５６ ０，２６ ８０ ０．６２ ０．０９ ８０ ０．６３ − ０．３１ ７／１ ０，８６ ０．１５ ６０ １．１５ ０．０４ 表 ２ プリフォーム 塩素温度 ｊ、２７５・〜１．３３５ミ
ク １，３８５ミクロンで 無限切片容積 ％ ロンの
範囲での平均 の平均ＯＨ吸収番 号 最大減衰 ｃ［
３／ｋｍ ピーク ｄＢ／ｋｍ （Ｂ／ｋｍ５ ６０
、 ０．４４ ０．７２ ０．０６１０ ４０ ０．４
６ １．２８ ＜０．０５１２ 、 ４０ ０．５１
１．４２ ＜０．０５１１ ２９ ０．６０ ４．２８
＜０．０５１０ ３６ ０．４８ ２．５４ ＜０．
０５９ ３５０．４７ ２．１１ ＜０．０５６ ３５
０．５４ ．２．１１ ＜０．０５第１図は、これら
の単一モードファイバの光減衰の波長の函数としての変
化の（１方の一般的な形状を示すグラフである。かかる
スペクトル特性の長波長端では約１．６ミクロンより長
い波長においてはフォノン効果により減衰は定常的に増
大し、短波長端ではレイリー散乱の効果で増大Ｊる。こ
れに重畳して １．３８〜１．４ミクロンの範囲で水酸
基減衰のビーク１０があり、また１、２ミクロン付近で
は波長が減少するにつれ減衰の増大１１が起こるが、こ
れは高次モードのカッティングオンにともなうものであ
る。（水酸基ビーク１０にともない約、１．２４〜１．
２６ミクロンにある２次的な低いピークは、水′Ｍ基ビ
ーク１０の値が５ｄＢ／ｋｌｌ１以上の場合にははっき
りしているが２Ｊ／ｋｍ以下の値の場合には、見分けら
れない。） 第２図では第１図のスペクトル吸収特性をレイリー散乱
の効果がより明確になるよう波長の４乗の逆数に対して
プロットし直している。第２図から分るように水酸基ピ
ーク２０と高次モード波長カットオフ２１との間の波長
、例えば１．３１ミクロンの波長での減衰は３つの成分
子ａＪ、ｒｂＪ及びｒｃＪの和である。成分ａは大きさ
が、レイリーの逆４乗低減衰を特徴付ける直線２２の接
片で与えられる波長から独立した部分である。成分すは
選択された波長でのレイリー散乱弁であり、レイリー線
２２の傾ぎと選択された波長の４乗の逆数との積に等し
い。３番目の成分Ｃは水酸基ピーク２０の短波長側の末
端による付加的な損失である。
個々のファイバにおいては、個々のスペクトル特性の正
確なレイリー線２０を決定するのが困難なため水ＭＷ酸
成分の適切な値を決定するのは困難である。しかし、多
数の資料により２つの特定波長におＧづろ水酸基ピーク
２０の大きさと水酸基成分Ｃとの関係がわかっている。
確なレイリー線２０を決定するのが困難なため水ＭＷ酸
成分の適切な値を決定するのは困難である。しかし、多
数の資料により２つの特定波長におＧづろ水酸基ピーク
２０の大きさと水酸基成分Ｃとの関係がわかっている。
この関係は第３図及び第４図にグラフどして表わされて
いる。従って、コラプス雰囲気中の塩素の効果を評価す
るにあたり、水酸基成分Ｃとして引用した数値は水Ｂｙ
＞吸収ピーク２０の測定から導かれた数値である。一般
的に言って、結果は塩素′ｍ度が増大すると水Ｍ基Ｃの
大きさは略指数的に減少することを示している。これは
第５図に示しである。
いる。従って、コラプス雰囲気中の塩素の効果を評価す
るにあたり、水酸基成分Ｃとして引用した数値は水Ｂｙ
＞吸収ピーク２０の測定から導かれた数値である。一般
的に言って、結果は塩素′ｍ度が増大すると水Ｍ基Ｃの
大きさは略指数的に減少することを示している。これは
第５図に示しである。
レイリー散乱成分すは、特に屈折率に依存し資料毎に変
化する。この成分の大ぎさとコラプス雰囲気中の塩素濃
度との関係はわかっていない。一方、無限切片として知
られている波長から独立した成分ａは、第６図に示す如
（約５０％以下を含むコラプス雰囲気の場合には０，０
５ Ｊ３ ／ ｋｍ以下にとどまるが、それを越えると
略指数的に増大する。
化する。この成分の大ぎさとコラプス雰囲気中の塩素濃
度との関係はわかっていない。一方、無限切片として知
られている波長から独立した成分ａは、第６図に示す如
（約５０％以下を含むコラプス雰囲気の場合には０，０
５ Ｊ３ ／ ｋｍ以下にとどまるが、それを越えると
略指数的に増大する。
これらの結果に基づき、コラプス雰囲気中の塩素ｍ度の
変化の効果を、水Ｉ！Ｉ基成分成分無限切片ａの０．０
５ Ｊ３／ｌｖを超過する値とを加えることにより第７
図に示す。第６図から最良の塩素濃度の［窓］は、水酸
基吸収ピークに近い長波長動作の場合低塩素濃度では狭
くなることがわかる。従って本発明では３０乃至７５％
の塩素濃度の範囲が用いられるが、この広い範囲中４０
乃至６０％の範囲が特に有利である。
変化の効果を、水Ｉ！Ｉ基成分成分無限切片ａの０．０
５ Ｊ３／ｌｖを超過する値とを加えることにより第７
図に示す。第６図から最良の塩素濃度の［窓］は、水酸
基吸収ピークに近い長波長動作の場合低塩素濃度では狭
くなることがわかる。従って本発明では３０乃至７５％
の塩素濃度の範囲が用いられるが、この広い範囲中４０
乃至６０％の範囲が特に有利である。
コラプス雰囲気中の酸素をヘリウムで置き換えた一連の
試験が別に行なわれたが、塩素の割合が増大するとやは
り無限切片の大きさは略指数的に増大した。しかしこの
例では効果がはかるに低い塩素濃度においてはるかに顕
著であった。従ってコラプス雰囲気は酸素及び塩素以外
の成分を１０％以上含んではならず、好ましくは酸素及
び塩素のみを含むべぎである。
試験が別に行なわれたが、塩素の割合が増大するとやは
り無限切片の大きさは略指数的に増大した。しかしこの
例では効果がはかるに低い塩素濃度においてはるかに顕
著であった。従ってコラプス雰囲気は酸素及び塩素以外
の成分を１０％以上含んではならず、好ましくは酸素及
び塩素のみを含むべぎである。
【図面の簡単な説明】
第１図は光減衰が波長の函数としてプロットされた単一
モードファイバの典型的なスペクトル吸収特性の一般的
な形を示す図、第２図は波長の４乗の逆数の函数として
プロットしなおした光減衰のスペクトル吸収特性を示す
図、第３図及び第４図はそれぞれ１．３１ミクロン及び
１．３２５ミクロンにおける水酸基減衰の超過分と１．
３８５ミクロンにおける水Ｍ基減衰のピーク値との関係
を示す図、第５図は１．３８５ミクロンにお番プる水酸
基減衰のピーク値と酸素塩素コラプス雰囲気中の塩素ｆ
！度との関係を示す図、第６図は波長と無関係な（無限
切片）吸収と酸素塩素コラプス雰囲気中の塩素濃度との
関係を示１図、第７図は超過減衰と酸素水 。 索コラプス雰囲気中の塩素濃度どの関係を示寸図である
。 １０．２０・・・水酸基ピーク、１１・・・減衰の増大
、２１・・・高次モード波長カットオフ、２２・・・レ
イリー線、ａ・・・無限切片、ｂ・・・レイリー散乱成
分、Ｃ・・・水酸基成分。 特許出願人 スタンダード テレフォンズアンド ケー
ブルス パブリック
モードファイバの典型的なスペクトル吸収特性の一般的
な形を示す図、第２図は波長の４乗の逆数の函数として
プロットしなおした光減衰のスペクトル吸収特性を示す
図、第３図及び第４図はそれぞれ１．３１ミクロン及び
１．３２５ミクロンにおける水酸基減衰の超過分と１．
３８５ミクロンにおける水Ｍ基減衰のピーク値との関係
を示す図、第５図は１．３８５ミクロンにお番プる水酸
基減衰のピーク値と酸素塩素コラプス雰囲気中の塩素ｆ
！度との関係を示す図、第６図は波長と無関係な（無限
切片）吸収と酸素塩素コラプス雰囲気中の塩素濃度との
関係を示１図、第７図は超過減衰と酸素水 。 索コラプス雰囲気中の塩素濃度どの関係を示寸図である
。 １０．２０・・・水酸基ピーク、１１・・・減衰の増大
、２１・・・高次モード波長カットオフ、２２・・・レ
イリー線、ａ・・・無限切片、ｂ・・・レイリー散乱成
分、Ｃ・・・水酸基成分。 特許出願人 スタンダード テレフォンズアンド ケー
ブルス パブリック
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） Ｔラプス中孔が水素及び水素化合物を略合まな
い乾燥した雰囲気にざらされるＪ：うにしてプリフォー
ムとなるＪ：うプリフォームのガラス管状母材の孔をコ
ラプスする段階がらなり、雰囲気は塩素及び酸素からな
る雰囲気であり伯の成分は１０容積％以下であり３ｏ乃
至７５容積％の範囲の塩素を含み、ドーピングされた石
英コアを有し充実した断面のガラス光ファイバブリフＡ
−ムの製造方法。 （２）該雰囲気は４０乃至６ｏ容積％の範囲の塩、索を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のガラ
ス光ファイバプリフォーム製造方法。 Ｇ） 該雰囲気は塩”索及び酸素のみからなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のガラス光ファイバ
プリフォーム製造方法。 （４）雰囲気は４０乃至６０容積％の割合で塩素を含む
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のガラス光
ファイバプリフォーム製造方法。 ６）管状母料は、ガラス基体管の孔にガラス層を堆積さ
ぼるのに水素及び水素化合物が排除された気相反応を用
いて形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のガラス光ファイバプリフォーム製造方法。 （６）雰囲気は４０乃￥６０容積％の割合で塩素を含む
ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のガラス光
ファイバプリフォーム製造方法。 ■ 特許請求の範囲第１項記載の方法で製造された光フ
アイバプリフォーム。 （８）特許請求の範囲第７項記載の光フアイバプリフォ
ームから線引ぎされた光ファイバ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8328374 | 1983-10-24 | ||
| GB08328374A GB2148875B (en) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | Optical fibre preform manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112635A true JPS60112635A (ja) | 1985-06-19 |
Family
ID=10550651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22188784A Pending JPS60112635A (ja) | 1983-10-24 | 1984-10-22 | ガラス光フアイバプリフオーム製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0141549A1 (ja) |
| JP (1) | JPS60112635A (ja) |
| DK (1) | DK507484A (ja) |
| ES (1) | ES8606673A1 (ja) |
| GB (1) | GB2148875B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60215538A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-28 | Fujikura Ltd | 光フアイバの製造方法 |
| JPS62246834A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光フアイバ母材の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04270132A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
| US5522003A (en) | 1993-03-02 | 1996-05-28 | Ward; Robert M. | Glass preform with deep radial gradient layer and method of manufacturing same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688836A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation of glass stock for optical fiber |
| JPS5858292B2 (ja) * | 1980-01-21 | 1983-12-24 | 株式会社日立製作所 | シリカガラスの製造方法 |
| DE3003231C2 (de) * | 1980-01-30 | 1984-01-05 | Dornier Gmbh, 7990 Friedrichshafen | Steuereinrichtung für durch Strahlreaktion angetriebene Flugkörper, Raketen o.dgl. |
| US4304583A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-08 | Corning Glass Works | Process for drying optical waveguide preforms |
| GB2113200B (en) * | 1982-01-08 | 1985-06-19 | Hitachi Ltd | Process for producing optical glass |
-
1983
- 1983-10-24 GB GB08328374A patent/GB2148875B/en not_active Expired
-
1984
- 1984-10-10 EP EP84306896A patent/EP0141549A1/en not_active Ceased
- 1984-10-22 JP JP22188784A patent/JPS60112635A/ja active Pending
- 1984-10-24 ES ES537044A patent/ES8606673A1/es not_active Expired
- 1984-10-24 DK DK507484A patent/DK507484A/da not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60215538A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-28 | Fujikura Ltd | 光フアイバの製造方法 |
| JPH0225846B2 (ja) * | 1984-04-12 | 1990-06-06 | Fujikura Densen Kk | |
| JPS62246834A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光フアイバ母材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES537044A0 (es) | 1986-04-01 |
| EP0141549A1 (en) | 1985-05-15 |
| GB2148875B (en) | 1987-01-28 |
| DK507484A (da) | 1985-04-25 |
| DK507484D0 (da) | 1984-10-24 |
| ES8606673A1 (es) | 1986-04-01 |
| GB8328374D0 (en) | 1983-11-23 |
| GB2148875A (en) | 1985-06-05 |
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