JPH09124771A - 異方導電フィルム - Google Patents
異方導電フィルムInfo
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- JPH09124771A JPH09124771A JP7281453A JP28145395A JPH09124771A JP H09124771 A JPH09124771 A JP H09124771A JP 7281453 A JP7281453 A JP 7281453A JP 28145395 A JP28145395 A JP 28145395A JP H09124771 A JPH09124771 A JP H09124771A
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- conductive film
- anisotropic conductive
- resin
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ０．０５ｍｍピッチ以下の微細なマイクロ接
合に使用可能でありかつ接着性、長期信頼性に優れた異
方導電フィルムが得られる。 【解決手段】 重合度が１５００〜２５００、アセチル
化度が３モル％以下、ブチラール化度が６５モル％以
上、フロー軟化点が２００℃以上の特性を有するポリビ
ニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、イミダゾール誘導
体と特定の構造で表わされるシリコーンエポキシ化合物
との反応物及び高分子球状核材の表面に金属被覆を有す
る導電粒子を必須成分とする異方導電フィルム。
合に使用可能でありかつ接着性、長期信頼性に優れた異
方導電フィルムが得られる。 【解決手段】 重合度が１５００〜２５００、アセチル
化度が３モル％以下、ブチラール化度が６５モル％以
上、フロー軟化点が２００℃以上の特性を有するポリビ
ニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、イミダゾール誘導
体と特定の構造で表わされるシリコーンエポキシ化合物
との反応物及び高分子球状核材の表面に金属被覆を有す
る導電粒子を必須成分とする異方導電フィルム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細な回路同士の
電気的接続、更に詳しくはＬＣＤ（液晶ディスプレイ）
とフレキシブル回路基板やＴＡＢフィルムとの接続や、
半導体ＩＣとＩＣ搭載回路基板のマイクロ接合に用いる
異方導電フィルムに関するものである。
電気的接続、更に詳しくはＬＣＤ（液晶ディスプレイ）
とフレキシブル回路基板やＴＡＢフィルムとの接続や、
半導体ＩＣとＩＣ搭載回路基板のマイクロ接合に用いる
異方導電フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器の小型化、薄型化に伴
い、微細な回路同士の接続、微小部品と微細回路の接続
等の必要性が飛躍的に増大してきており、その接続方法
として、異方性の導電性接着剤やフィルムが使用され始
めている。（例えば、特開昭５９−１２０４３６、６０
−１９１２２８、６１−２７４３９４、６１−２８７９
７４、６２−２４４２４２、６３−１５３５３４、６３
−３０５５９１、６４−８１８７８、平１−４６５４
９、１−２５１７８各号公報等）。更なる部品の微細化
が進み、それに伴う異方性導電フィルムによる回路同士
の接続作業において、位置ずれ等の理由によって一度接
続した被接続部材を破損または損傷せずに剥離し再圧着
すること（所謂“リペア”）が可能であることへの要求
や、異方導電フィルムの熱硬化反応時の硬化収縮や種々
の雰囲気中での樹脂自体の歪み応力に基づき、被着体が
損傷（例えば、ＬＣＤに用いられるガラス基板のクラッ
クや基板の反り）するという問題が生じてきている。こ
れらの問題を解決するために、速硬化、長ライフ、耐湿
性、更には低歪みの高信頼性熱硬化タイプの異方導電フ
ィルムが強く要求されている。
い、微細な回路同士の接続、微小部品と微細回路の接続
等の必要性が飛躍的に増大してきており、その接続方法
として、異方性の導電性接着剤やフィルムが使用され始
めている。（例えば、特開昭５９−１２０４３６、６０
−１９１２２８、６１−２７４３９４、６１−２８７９
７４、６２−２４４２４２、６３−１５３５３４、６３
−３０５５９１、６４−８１８７８、平１−４６５４
９、１−２５１７８各号公報等）。更なる部品の微細化
が進み、それに伴う異方性導電フィルムによる回路同士
の接続作業において、位置ずれ等の理由によって一度接
続した被接続部材を破損または損傷せずに剥離し再圧着
すること（所謂“リペア”）が可能であることへの要求
や、異方導電フィルムの熱硬化反応時の硬化収縮や種々
の雰囲気中での樹脂自体の歪み応力に基づき、被着体が
損傷（例えば、ＬＣＤに用いられるガラス基板のクラッ
クや基板の反り）するという問題が生じてきている。こ
れらの問題を解決するために、速硬化、長ライフ、耐湿
性、更には低歪みの高信頼性熱硬化タイプの異方導電フ
ィルムが強く要求されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の熱硬
化型では得られなかった、常温での貯蔵安定性に優れ、
加熱加圧して硬化後、広範囲の温度領域（−４０℃〜１
００℃）において優れた接着性を有し、しかも接合部に
残る歪み（応力）が極めて小さく、更に温湿度サイクル
試験のような厳しい処理後も接続抵抗の安定性が優れた
熱硬化型異方導電フィルムを提供するものである。
化型では得られなかった、常温での貯蔵安定性に優れ、
加熱加圧して硬化後、広範囲の温度領域（−４０℃〜１
００℃）において優れた接着性を有し、しかも接合部に
残る歪み（応力）が極めて小さく、更に温湿度サイクル
試験のような厳しい処理後も接続抵抗の安定性が優れた
熱硬化型異方導電フィルムを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、重合度が１５
００〜２５００、アセチル化度が３モル％以下、ブチラ
ール化度が６５モル％以上、フロー軟化点が２００℃以
上の特性を有するポリビニルブチラール樹脂（Ａ）、エ
ポキシ樹脂（Ｂ）、イミダゾール誘導体と式（１）で表
わされるシリコーンエポキシ化合物との反応物（Ｃ）、
及び高分子球状核材の表面に金属被覆を有する導電粒子
（Ｄ）を必須成分とする異方導電フィルムである。
００〜２５００、アセチル化度が３モル％以下、ブチラ
ール化度が６５モル％以上、フロー軟化点が２００℃以
上の特性を有するポリビニルブチラール樹脂（Ａ）、エ
ポキシ樹脂（Ｂ）、イミダゾール誘導体と式（１）で表
わされるシリコーンエポキシ化合物との反応物（Ｃ）、
及び高分子球状核材の表面に金属被覆を有する導電粒子
（Ｄ）を必須成分とする異方導電フィルムである。
【０００５】
【化３】 （Ｒ1、Ｒ2は２価の炭素数１〜５の脂肪族基、又は炭素
数６以上の芳香族から２個の水素を除いた残基を示し、
互いに同じであっても異なっていてもよい）
数６以上の芳香族から２個の水素を除いた残基を示し、
互いに同じであっても異なっていてもよい）
【０００６】
【発明の実施の態様】本発明に用いるポリビニルブチラ
ール樹脂の重合度は１５００〜２５００であるが、重合
度が１５００未満だと加熱、加圧時の樹脂流動性が大き
く接着力が不十分となる。また、重合度が２５００を越
えると樹脂の流動性が不足し、導電粒子が端子と接触で
きず導通性が得られない。また、本発明に用いるポリビ
ニルブチラール樹脂のアセチル化度は３モル％以下であ
るが、３モル％を越えると被着体（ＬＣＤガラス基板や
ＴＡＢフィルム）との相性が悪くなり接着力が不足し、
ブチラール化度が６５モル％未満だと分子中のポリビニ
ルアルコール及びポリ酢酸ビニルの含有割合が増加し接
着力が不足する。更に、ポリビニルブチラール樹脂のフ
ロー軟化点は、２００℃以上であるが、２００℃未満だ
と加熱、加圧時の樹脂流動性が大きく気泡の抱き込みが
大きくなり接着力が不足する。
ール樹脂の重合度は１５００〜２５００であるが、重合
度が１５００未満だと加熱、加圧時の樹脂流動性が大き
く接着力が不十分となる。また、重合度が２５００を越
えると樹脂の流動性が不足し、導電粒子が端子と接触で
きず導通性が得られない。また、本発明に用いるポリビ
ニルブチラール樹脂のアセチル化度は３モル％以下であ
るが、３モル％を越えると被着体（ＬＣＤガラス基板や
ＴＡＢフィルム）との相性が悪くなり接着力が不足し、
ブチラール化度が６５モル％未満だと分子中のポリビニ
ルアルコール及びポリ酢酸ビニルの含有割合が増加し接
着力が不足する。更に、ポリビニルブチラール樹脂のフ
ロー軟化点は、２００℃以上であるが、２００℃未満だ
と加熱、加圧時の樹脂流動性が大きく気泡の抱き込みが
大きくなり接着力が不足する。
【０００７】本発明に用いるエポキシ樹脂は、１分子中
に少なくとも２個以上のエポキシ基を有するものであ
る。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂等の他、分子中にナ
フタレン骨格を有するエポキシ樹脂としては、１，６−
ビス−（２，３−エポキシプロポキシ）ナフタレン、ま
たは２，７−ジヒドロキシナフタレンとホルムアルデヒ
ドとの縮合物をエピクドルヒドリンと反応した樹脂、２
−ヒドロキシナフタレンと２，７−ジヒドロキシナフタ
レンとホルムアルデヒドとの縮合物をエピクドルヒドリ
ンと反応した樹脂等が挙げられるが、これらのものに限
定されるものではなく、また単独でも混合して用いても
差し支えない。
に少なくとも２個以上のエポキシ基を有するものであ
る。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂等の他、分子中にナ
フタレン骨格を有するエポキシ樹脂としては、１，６−
ビス−（２，３−エポキシプロポキシ）ナフタレン、ま
たは２，７−ジヒドロキシナフタレンとホルムアルデヒ
ドとの縮合物をエピクドルヒドリンと反応した樹脂、２
−ヒドロキシナフタレンと２，７−ジヒドロキシナフタ
レンとホルムアルデヒドとの縮合物をエピクドルヒドリ
ンと反応した樹脂等が挙げられるが、これらのものに限
定されるものではなく、また単独でも混合して用いても
差し支えない。
【０００８】本発明に用いるイミダゾール誘導体として
は、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミ
ダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタジ
シルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メ
チルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒ
ドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−
ジヒドロキシメチルイミダゾール等の分子内に活性水素
を有するものが挙げられる。本発明に用いるシリコーン
エポキシ化合物は、式（１）で示されるが、Ｒ1、Ｒ2と
してはプロピレン基である、式（２）で示される構造の
ものが工業的入手の容易さから好ましい。本発明に用い
るイミダゾール誘導体とシリコーンエポキシ化合物との
反応物は、イミダゾール誘導体とシリコーンエポキシ化
合物とを仕込モル比１．５〜２．５の割合で混合し、必
要により溶剤を加えて１００℃以上の条件で１〜１００
時間反応させて得られる。仕込モル比が２．５を越える
と、イミダゾール誘導体が未反応成分として残るため、
これを用いた場合樹脂組成物の保存性が低下する。ま
た、１．５未満だとシリコーンエポキシ化合物が未反応
成分として残り、硬化性が低下するため好ましくない。
該反応物は、イミダゾール誘導体の種類や仕込モル比に
よって常温で固形または液状の状態であり、エポキシ樹
脂の硬化剤として用いる。この反応物は単独で用いても
良いが、更に保存性を向上するために、固形の場合には
微粉化し、少量のイソシアネート化合物と反応させて表
面処理を行い、液状の場合にはポリウレタン樹脂等でマ
イクロカプセル化して用いても良い。反応物は、エポキ
シ樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部用いられ
る。５重量部未満だと硬化性、耐湿性、応力性において
効果が少なく、また２００重量部を越えると保存性、接
着強度が低下する。反応物以外の硬化剤としては、従来
から用いられているエポキシ樹脂用硬化剤であれば良
く、例えば、イミダゾール誘導体、アミン類、フェノー
ル類酸無水物などを併用しても良い。
は、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミ
ダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタジ
シルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メ
チルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒ
ドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−
ジヒドロキシメチルイミダゾール等の分子内に活性水素
を有するものが挙げられる。本発明に用いるシリコーン
エポキシ化合物は、式（１）で示されるが、Ｒ1、Ｒ2と
してはプロピレン基である、式（２）で示される構造の
ものが工業的入手の容易さから好ましい。本発明に用い
るイミダゾール誘導体とシリコーンエポキシ化合物との
反応物は、イミダゾール誘導体とシリコーンエポキシ化
合物とを仕込モル比１．５〜２．５の割合で混合し、必
要により溶剤を加えて１００℃以上の条件で１〜１００
時間反応させて得られる。仕込モル比が２．５を越える
と、イミダゾール誘導体が未反応成分として残るため、
これを用いた場合樹脂組成物の保存性が低下する。ま
た、１．５未満だとシリコーンエポキシ化合物が未反応
成分として残り、硬化性が低下するため好ましくない。
該反応物は、イミダゾール誘導体の種類や仕込モル比に
よって常温で固形または液状の状態であり、エポキシ樹
脂の硬化剤として用いる。この反応物は単独で用いても
良いが、更に保存性を向上するために、固形の場合には
微粉化し、少量のイソシアネート化合物と反応させて表
面処理を行い、液状の場合にはポリウレタン樹脂等でマ
イクロカプセル化して用いても良い。反応物は、エポキ
シ樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部用いられ
る。５重量部未満だと硬化性、耐湿性、応力性において
効果が少なく、また２００重量部を越えると保存性、接
着強度が低下する。反応物以外の硬化剤としては、従来
から用いられているエポキシ樹脂用硬化剤であれば良
く、例えば、イミダゾール誘導体、アミン類、フェノー
ル類酸無水物などを併用しても良い。
【０００９】本発明では、式（１）で示される低鎖長シ
ロキサンユニットを含むエポキシ化合物を用いるため、
低温及び高温時における接着力の低下が少なく、吸湿性
も少なく、更に適度の可撓性を有するため応力も少なく
なるため、吸湿処理後及びヒートサイクル処理後の劣化
の少ない異方導電フィルムが得られる。
ロキサンユニットを含むエポキシ化合物を用いるため、
低温及び高温時における接着力の低下が少なく、吸湿性
も少なく、更に適度の可撓性を有するため応力も少なく
なるため、吸湿処理後及びヒートサイクル処理後の劣化
の少ない異方導電フィルムが得られる。
【００１０】本発明で用いる高分子球状核材の表面に金
属被覆を有する導電粒子は、高分子球状核材の表面にニ
ッケル膜を有し、該ニッケル膜の更に外層に金膜を有す
る導電粒子であるが、導電粒子表面の金膜、ニッケル膜
の皮膜の厚さは特に限定しないが、薄すぎると導電性が
不安定になり、厚すぎると粒子変形が困難になったり凝
集などが生じるため、金及びニッケル皮膜の厚さは０．
０１〜１μｍが好ましい。また皮膜の形成方法では、こ
の皮膜と中心核となる高分子球状核材との密着力、導通
性などを考慮し、均一に形成されていることが良く、従
来から用いられている無電解メッキなどが望ましい。
属被覆を有する導電粒子は、高分子球状核材の表面にニ
ッケル膜を有し、該ニッケル膜の更に外層に金膜を有す
る導電粒子であるが、導電粒子表面の金膜、ニッケル膜
の皮膜の厚さは特に限定しないが、薄すぎると導電性が
不安定になり、厚すぎると粒子変形が困難になったり凝
集などが生じるため、金及びニッケル皮膜の厚さは０．
０１〜１μｍが好ましい。また皮膜の形成方法では、こ
の皮膜と中心核となる高分子球状核材との密着力、導通
性などを考慮し、均一に形成されていることが良く、従
来から用いられている無電解メッキなどが望ましい。
【００１１】また、本発明に用いる高分子球状核材の表
面に金属被覆を有する導電粒子の粒径は３〜１５μｍ、
平均粒径は５〜１０μｍであることが好ましい。粒径が
３μｍ未満および平均粒径が５μｍ未満だと、接続する
回路表面の凹凸の大きさに近く、熱圧着時に回路厚みの
バラツキを吸収できず、接続抵抗増やオープン不良の原
因となる。また粒径が１５μｍを越え、かつ平均粒径１
０μｍを越えると回路ピッチ（回路幅＋回路間隔）が
０．１ｍｍ以下に適用した際に隣接回路間で粒子が接触
し、隣接回路間での絶縁性が低下したり、ショートを起
こす危険性がある。これらの範囲内で接続する回路端子
ピッチ、端子厚さバラツキ等により最適値を選択すれば
よい。例えば、異方導電フィルムの主要な用途である液
晶ディスプレイパネルとフレキシブル回路基板（以下Ｆ
ＰＣ）との接続では、金属被覆を有する導電粒子の粒径
は３〜１５μｍ程度で、かつ絶縁性接着剤に対する配合
量は、０．５〜１０体積％が好ましい。又、高分子球状
核材の表面に金属被覆を有する導電粒子の圧縮破壊強度
は１０〜１００ｋｇ／ｍｍ2、圧縮弾性率は１００〜１
０００ｋｇ／ｍｍ2である。圧縮破壊強度が１０ｋｇ／
ｍｍ2未満および圧縮弾性率が１００ｋｇ／ｍｍ2未満で
あると電気的接続を得る前に粒子が破壊されてしまい接
続できない。また圧縮破壊強度が１００ｋｇ／ｍｍ2を
越え、かつ圧縮弾性率が１０００ｋｇ／ｍｍ2を越える
場合には、端子と端子の接続に充分な面積を得るには過
大な圧力をかけなくてはならなく被着体を破損する原因
となる。熱圧着後の金属被覆粒子をつぶれ具合が接続信
頼性等の諸特性に影響を及ぼすため、圧縮破壊強度は１
０〜１００ｋｇ／ｍｍ2、圧縮弾性率は１００〜１００
０ｋｇ／ｍｍ2である必要がある。
面に金属被覆を有する導電粒子の粒径は３〜１５μｍ、
平均粒径は５〜１０μｍであることが好ましい。粒径が
３μｍ未満および平均粒径が５μｍ未満だと、接続する
回路表面の凹凸の大きさに近く、熱圧着時に回路厚みの
バラツキを吸収できず、接続抵抗増やオープン不良の原
因となる。また粒径が１５μｍを越え、かつ平均粒径１
０μｍを越えると回路ピッチ（回路幅＋回路間隔）が
０．１ｍｍ以下に適用した際に隣接回路間で粒子が接触
し、隣接回路間での絶縁性が低下したり、ショートを起
こす危険性がある。これらの範囲内で接続する回路端子
ピッチ、端子厚さバラツキ等により最適値を選択すれば
よい。例えば、異方導電フィルムの主要な用途である液
晶ディスプレイパネルとフレキシブル回路基板（以下Ｆ
ＰＣ）との接続では、金属被覆を有する導電粒子の粒径
は３〜１５μｍ程度で、かつ絶縁性接着剤に対する配合
量は、０．５〜１０体積％が好ましい。又、高分子球状
核材の表面に金属被覆を有する導電粒子の圧縮破壊強度
は１０〜１００ｋｇ／ｍｍ2、圧縮弾性率は１００〜１
０００ｋｇ／ｍｍ2である。圧縮破壊強度が１０ｋｇ／
ｍｍ2未満および圧縮弾性率が１００ｋｇ／ｍｍ2未満で
あると電気的接続を得る前に粒子が破壊されてしまい接
続できない。また圧縮破壊強度が１００ｋｇ／ｍｍ2を
越え、かつ圧縮弾性率が１０００ｋｇ／ｍｍ2を越える
場合には、端子と端子の接続に充分な面積を得るには過
大な圧力をかけなくてはならなく被着体を破損する原因
となる。熱圧着後の金属被覆粒子をつぶれ具合が接続信
頼性等の諸特性に影響を及ぼすため、圧縮破壊強度は１
０〜１００ｋｇ／ｍｍ2、圧縮弾性率は１００〜１００
０ｋｇ／ｍｍ2である必要がある。
【００１２】高分子球状核材の組成は特に限定しない
が、例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹
脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、スチレン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体等の
ポリマーが挙げられ、これらは単独でも混合して用いて
も差し支えない。又金属被覆には、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐｄ等が挙げられ、こ
れらは組み合わせても良い。これらの高分子球状核材と
金属被覆は、両者の密着力などを考慮して適切なものを
選択すればよい。
が、例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹
脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、スチレン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体等の
ポリマーが挙げられ、これらは単独でも混合して用いて
も差し支えない。又金属被覆には、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐｄ等が挙げられ、こ
れらは組み合わせても良い。これらの高分子球状核材と
金属被覆は、両者の密着力などを考慮して適切なものを
選択すればよい。
【００１３】本発明の異方導電フィルムは、（Ａ）〜
（Ｄ）成分を適宜選択して、溶剤を使用して均一に溶解
または分散させた後、離型処理をしたポリエステル系フ
ィルムまたはフッ素系フィルム等に均一な厚みに流延し
て、熱処理で溶剤を揮散させることで得られる。作業性
や各種性能の向上を狙って、各種添加剤、例えば非反応
性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、カップリング
剤、増粘剤、無機充填材等を適宜添加しても差し支えな
い。
（Ｄ）成分を適宜選択して、溶剤を使用して均一に溶解
または分散させた後、離型処理をしたポリエステル系フ
ィルムまたはフッ素系フィルム等に均一な厚みに流延し
て、熱処理で溶剤を揮散させることで得られる。作業性
や各種性能の向上を狙って、各種添加剤、例えば非反応
性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、カップリング
剤、増粘剤、無機充填材等を適宜添加しても差し支えな
い。
【００１３】反応物の製造例１ ２−ウンデシルイミダゾール（分子量２２２）４４．４
ｇ（０．２モル）を１５０℃に加温し撹拌しながら、前
記の式（２）のシリコーンエポキシ化合物（分子量３９
２）３９．２ｇ（０．１モル）を徐々に添加し、１７０
℃に昇温して３時間反応させ、褐色で粘稠な生成物を得
た。この生成物を反応生成物（１）とする。 反応物の製造例２ ２−ヘプタデシルイミダゾール（分子量３０６）６１．
２ｇ（０．２モル）を１５０℃に加温し撹拌しながら、
前記の式（２）のシリコーンエポキシ化合物３９．２ｇ
（０．１モル）を徐々に添加し、１８０℃に昇温し５時
間反応させ、褐色で粘稠な生成物を得た。この生成物を
反応生成物（２）とする。
ｇ（０．２モル）を１５０℃に加温し撹拌しながら、前
記の式（２）のシリコーンエポキシ化合物（分子量３９
２）３９．２ｇ（０．１モル）を徐々に添加し、１７０
℃に昇温して３時間反応させ、褐色で粘稠な生成物を得
た。この生成物を反応生成物（１）とする。 反応物の製造例２ ２−ヘプタデシルイミダゾール（分子量３０６）６１．
２ｇ（０．２モル）を１５０℃に加温し撹拌しながら、
前記の式（２）のシリコーンエポキシ化合物３９．２ｇ
（０．１モル）を徐々に添加し、１８０℃に昇温し５時
間反応させ、褐色で粘稠な生成物を得た。この生成物を
反応生成物（２）とする。
【００１４】反応物の製造例３ ２−ウンデシルイミダゾール４４．４ｇ（０．２モル）
を１５０℃に加温し撹拌しながら、式（３）で表わされ
る長鎖シロキサンユニットを含有するエポキシ化合物
（分子量６６０）６６ｇ（０．１モル）を徐々に添加
し、１８０℃に昇温して１０時間反応させて褐色で粘稠
な生成物を得た。この生成物を反応生成物（３）とす
る。
を１５０℃に加温し撹拌しながら、式（３）で表わされ
る長鎖シロキサンユニットを含有するエポキシ化合物
（分子量６６０）６６ｇ（０．１モル）を徐々に添加
し、１８０℃に昇温して１０時間反応させて褐色で粘稠
な生成物を得た。この生成物を反応生成物（３）とす
る。
【００１５】
【化４】
【００１６】反応物の製造例４ ２−ウンデシルイミダゾール４４．４ｇ（０．２モル）
を１２０℃に加温し撹拌しながら、式（４）で表わされ
るシロキサンユニットを含まないエポキシ化合物（分子
量３４０）３４．０ｇ（０．１モル）を徐々に添加し更
に１２０℃で５時間反応させて赤色で固形の生成物を得
た。この生成物を２０メッシュ程度に微粉砕したものを
反応生成物（４）とする。
を１２０℃に加温し撹拌しながら、式（４）で表わされ
るシロキサンユニットを含まないエポキシ化合物（分子
量３４０）３４．０ｇ（０．１モル）を徐々に添加し更
に１２０℃で５時間反応させて赤色で固形の生成物を得
た。この生成物を２０メッシュ程度に微粉砕したものを
反応生成物（４）とする。
【００１７】
【化５】
【００１８】反応物の製造例５ ２−ウンデシルイミダゾールを６６．６ｇ（０．３モ
ル）を用いる以外は、製造例１と同様に反応して反応生
成物（５）を得た。 反応物の製造例６ ２−ウンデシルイミダゾールを２２．２ｇ（０．１モ
ル）を用いる以外は、製造例１と同様に反応して反応生
成物（６）を得た。
ル）を用いる以外は、製造例１と同様に反応して反応生
成物（５）を得た。 反応物の製造例６ ２−ウンデシルイミダゾールを２２．２ｇ（０．１モ
ル）を用いる以外は、製造例１と同様に反応して反応生
成物（６）を得た。
【００１９】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３モル％以下、ブチラール化度６５モル％以上、フ
ロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹脂２５
重量部をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合
溶液に１０重量％となるように溶解した溶液、高分子量
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４００
０）２５重量部をトルエン／酢酸ブチル＝３：１混合溶
液に５０重量％となるように溶解した溶液、低分子量ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００）
４０重量部、反応生成物（１）４０重量部を速やかに撹
拌混合し、これにポリスチレン球状核材にＮｉ／Ａｕメ
ッキした導電粒子（平均粒径５μｍ）を４重量部添加し
均一に分散し、更にトルエンを添加し、４−フッ化エチ
レン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体フ
ィルム上に流延・乾燥し厚みが２５μｍの異方導電フィ
ルムを得た。この異方導電フィルムについて保存性、接
着力及び接続抵抗値の各種処理後の評価を実施した結果
を表１に示す。保存性は、フィルムを室温（２３℃）で
３０日間、又は４０℃で７日間放置後、ＴＡＢとＩＴＯ
ガラスを接続した場合の接続抵抗値が、初期の接続抵抗
値に対して２０％以上上昇しておれば×＜２０％未満の
上昇であれば○とした。接着力は、被着体として銅箔／
ポリイミド＝３５／７５μｍに０．４μｍの錫メッキを
施したＴＡＢ（ピッチ０．１０ｍｍ、端子数２００本）
とシート抵抗値３０Ωのインジウム／錫酸化物導電皮膜
を全面に形成した厚さ１．１ｍｍのＩＴＯガラスを用い
て、両者を２ｍｍ幅の異方導電フィルムを３０ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力で、１８０℃で３０秒間圧着したサンプルを
９０°剥離試験によって評価した。接続抵抗値は上記の
サンプルを用いて、２００端子の端子間の接続抵抗値を
測定して平均値を算出した。
化度３モル％以下、ブチラール化度６５モル％以上、フ
ロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹脂２５
重量部をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合
溶液に１０重量％となるように溶解した溶液、高分子量
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４００
０）２５重量部をトルエン／酢酸ブチル＝３：１混合溶
液に５０重量％となるように溶解した溶液、低分子量ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００）
４０重量部、反応生成物（１）４０重量部を速やかに撹
拌混合し、これにポリスチレン球状核材にＮｉ／Ａｕメ
ッキした導電粒子（平均粒径５μｍ）を４重量部添加し
均一に分散し、更にトルエンを添加し、４−フッ化エチ
レン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体フ
ィルム上に流延・乾燥し厚みが２５μｍの異方導電フィ
ルムを得た。この異方導電フィルムについて保存性、接
着力及び接続抵抗値の各種処理後の評価を実施した結果
を表１に示す。保存性は、フィルムを室温（２３℃）で
３０日間、又は４０℃で７日間放置後、ＴＡＢとＩＴＯ
ガラスを接続した場合の接続抵抗値が、初期の接続抵抗
値に対して２０％以上上昇しておれば×＜２０％未満の
上昇であれば○とした。接着力は、被着体として銅箔／
ポリイミド＝３５／７５μｍに０．４μｍの錫メッキを
施したＴＡＢ（ピッチ０．１０ｍｍ、端子数２００本）
とシート抵抗値３０Ωのインジウム／錫酸化物導電皮膜
を全面に形成した厚さ１．１ｍｍのＩＴＯガラスを用い
て、両者を２ｍｍ幅の異方導電フィルムを３０ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力で、１８０℃で３０秒間圧着したサンプルを
９０°剥離試験によって評価した。接続抵抗値は上記の
サンプルを用いて、２００端子の端子間の接続抵抗値を
測定して平均値を算出した。
【００２０】実施例２〜６ 表１の配合に従い、実施例１と同一の方法で異方導電フ
ィルムを調整し、実施例１と同一の試験を行った。評価
結果を表１に示す。 比較例１、２ 反応性エラストマーとして、比較例１では、重合度３０
０、アセチル化度が３モル％を越え、ブチラール化度６
３±３モル％、フロー軟化点１１５℃のポリビニルブチ
ラール樹脂を、比較例２では重合度１０００、アセチル
化度３モル％以下、ブチラール化度７０モル％、フロー
軟化点１６０℃のポリビニルブチラール樹脂を用いた以
外は、実施例１と同様にして異方導電フィルムを得た。
評価結果を表２に示す。 比較例３〜６ 反応生成物（３）〜（６）を用いる以外は、実施例１と
同じ方法で異方導電フィルムを調製した。評価結果を表
２に示す。
ィルムを調整し、実施例１と同一の試験を行った。評価
結果を表１に示す。 比較例１、２ 反応性エラストマーとして、比較例１では、重合度３０
０、アセチル化度が３モル％を越え、ブチラール化度６
３±３モル％、フロー軟化点１１５℃のポリビニルブチ
ラール樹脂を、比較例２では重合度１０００、アセチル
化度３モル％以下、ブチラール化度７０モル％、フロー
軟化点１６０℃のポリビニルブチラール樹脂を用いた以
外は、実施例１と同様にして異方導電フィルムを得た。
評価結果を表２に示す。 比較例３〜６ 反応生成物（３）〜（６）を用いる以外は、実施例１と
同じ方法で異方導電フィルムを調製した。評価結果を表
２に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、０．０５ｍｍピッチ以
下の微細なマイクロ接合に使用可能であり、かつ接着力
に優れ、信頼性の高い異方導電フィルムを得ることがで
きる。
下の微細なマイクロ接合に使用可能であり、かつ接着力
に優れ、信頼性の高い異方導電フィルムを得ることがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 5/16 Ｈ０１Ｂ 5/16 // Ｃ０８Ｇ 59/14 ＮＨＢ Ｃ０８Ｇ 59/14 ＮＨＢ
Claims (4)
- 【請求項１】 重合度が１５００〜２５００、アセチル
化度が３モル％以下、ブチラール化度が６５モル％以
上、フロー軟化点が２００℃以上の特性を有するポリビ
ニルブチラール樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、イミ
ダゾール誘導体と式（１）で表わされるシリコーンエポ
キシ化合物との反応物（Ｃ）、及び高分子球状核材の表
面に金属被覆を有する導電粒子を必須成分とすることを
特徴とする異方導電フィルム。 【化１】 （Ｒ1、Ｒ2は２価の炭素数１〜５の脂肪族基、又は炭素
数６以上の芳香族から２個の水素を除いた残基を示し、
互いに同じであっても異なっていてもよい） - 【請求項２】 イミダゾール誘導体と式（１）で表わさ
れるシリコーンエポキシ化合物の反応モル比が、１．５
〜２．５である請求項１記載の異方導電フィルム。 - 【請求項３】 式（１）で表わされるシリコーンエポキ
シ化合物が、下記式（２）である請求項１又は請求項２
記載の異方導電フィルム。 【化２】 - 【請求項４】 高分子球状核材の表面に金属被覆を有す
る導電粒子の粒径が３〜１５μｍ、平均粒径が５〜１０
μｍである請求項１、請求項２又は請求項３記載の異方
導電フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28145395A JP3620751B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 異方導電フィルム |
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09124771A true JPH09124771A (ja) | 1997-05-13 |
| JP3620751B2 JP3620751B2 (ja) | 2005-02-16 |
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|---|---|---|---|
| JP28145395A Expired - Fee Related JP3620751B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 異方導電フィルム |
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356414B1 (en) | 1998-10-22 | 2002-03-12 | World Properties, Inc. | Liquid crystal polymer disk drive suspension assembly |
| JP2002237216A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Bridgestone Corp | 異方性導電フィルム |
| US6574075B2 (en) | 1998-10-22 | 2003-06-03 | World Properties, Inc. | Liquid crystal polymer disk drive suspension assembly and method of manufacture thereof |
| KR100733975B1 (ko) * | 2001-05-25 | 2007-06-29 | 에스케이케미칼주식회사 | 실리콘 중간체를 포함하는 이방성 도전성 필름 |
| KR100827535B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2008-05-06 | 제일모직주식회사 | 실란 변성 에폭시 수지를 사용하는 이방 도전성 접착제조성물 및 이를 이용한 접착필름 |
| JP2008179682A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Sony Chemical & Information Device Corp | 異方導電性接着剤及び電気装置 |
| US7560050B2 (en) | 2004-02-27 | 2009-07-14 | Tdk Corporation | Conductive paste for a multi-layered ceramic electronic component and a method for manufacturing a multi-layered unit for a multi-layered ceramic electronic component |
| US7569247B2 (en) * | 2003-11-27 | 2009-08-04 | Tdk Corporation | Conductive paste for an electrode layer of a multi-layered ceramic electronic component and a method for manufacturing a multi-layered unit for a multi-layered ceramic electronic component |
| US7572477B2 (en) * | 2003-12-15 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Dielectric paste for spacer layer of a multi-layered ceramic electronic component |
| CN107142046A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-08 | 句容耀皮节能玻璃科技发展有限公司 | 一种防吸潮夹层玻璃及其制备方法 |
| JP2021161282A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 京セラ株式会社 | 異方導電性樹脂組成物、異方導電性接着フィルム、及びマイクロｌｅｄディスプレイ装置 |
| JP2021161281A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 京セラ株式会社 | 異方導電性樹脂組成物、及びマイクロｌｅｄディスプレイ装置 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP28145395A patent/JP3620751B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US6356414B1 (en) | 1998-10-22 | 2002-03-12 | World Properties, Inc. | Liquid crystal polymer disk drive suspension assembly |
| US6574075B2 (en) | 1998-10-22 | 2003-06-03 | World Properties, Inc. | Liquid crystal polymer disk drive suspension assembly and method of manufacture thereof |
| JP2002237216A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Bridgestone Corp | 異方性導電フィルム |
| KR100733975B1 (ko) * | 2001-05-25 | 2007-06-29 | 에스케이케미칼주식회사 | 실리콘 중간체를 포함하는 이방성 도전성 필름 |
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| KR100827535B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2008-05-06 | 제일모직주식회사 | 실란 변성 에폭시 수지를 사용하는 이방 도전성 접착제조성물 및 이를 이용한 접착필름 |
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| JP2021161282A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 京セラ株式会社 | 異方導電性樹脂組成物、異方導電性接着フィルム、及びマイクロｌｅｄディスプレイ装置 |
| JP2021161281A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 京セラ株式会社 | 異方導電性樹脂組成物、及びマイクロｌｅｄディスプレイ装置 |
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