JP2000040418A - 異方導電性接着フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】熱圧着時における内部応力を低減しうる異方導
電性接着フィルムを提供する。 【解決手段】本発明の異方導電性接着フィルム１は、絶
縁性接着剤樹脂６中に導電粒子７を分散してなる異方導
電性接着フィルムであって、上記絶縁性接着剤樹脂６の
線膨張係数と被着体のうちの小さい方の線膨張係数との
差が、３５×１０^-6・Ｋ^-1以内であることを特徴とす
る。絶縁性接着剤樹脂６中には、無機粒子９が２０〜７
０重量％混入されている。また、絶縁性接着剤樹脂６中
には、ゴム系の弾性粒子８が１〜２０ 重量％分散され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶表示
装置（ＬＣＤ）と回路基板との間の電気的な接続に用い
られる異方導電性接着フィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば、液晶表示装置と集積
回路基板等を接続する手段として、異方導電性接着フィ
ルムが用いられている。この異方導電性接着フィルム
は、例えば、ＴＣＰ（Tape Carrieer Package）やＩＣチ
ップの接続電極と、ＬＣＤパネルのガラス基板上に形成
されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）電極とを接続する場
合を始めとして、種々の端子間を接着するとともに電気
的に接続する場合に用いられている。

【０００３】従来、異方導電性接着フィルムの絶縁性接
着剤（バインダー）としては、例えば、エポキシ樹脂、
フェノキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を所定の割合で配合し
たものが広く用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
異方導電性接着フィルムにあっては、熱圧着時におい
て、異方導電性接着フィルムと被着体との物性の相違に
よって熱的及び機械的負荷が加わり、これによって異方
導電性接着フィルムに熱応力及び残留応力が発生すると
いう問題があった。

【０００５】従来、このような異方導電性接着フィルム
の内部応力を低減するためには、エポキシ樹脂やフェノ
キシ樹脂の配合量を変えることにより行っていたが、こ
の方法では熱圧着時の内部応力を十分に低減させること
ができず、導通信頼性を向上させることが困難であっ
た。

【０００６】他方、近年、ＩＣチップを直接ガラス基板
上に実装するＣＯＧ(Chip On Glass)が進展している
が、このＣＯＧ方式においては、ＩＣチップが大型化す
る一方で、ＩＣチップを実装するガラス基板の厚さが薄
くなりつつある。

【０００７】その結果、従来の異方導電性接着フィルム
にあっては、ＩＣチップをガラス基板上に実装する際に
上述した内部応力によってガラス基板に反りが発生する
ことがあり、このためガラス基板において表示部と実装
部との間隔を十分に確保しなければならず、また、ガラ
ス基板に反りが生じない程度の十分な剛性を確保しうる
厚さにしなければならないという問題があった。

【０００８】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、熱圧着の際の内部応力
を低減しうる異方導電性接着フィルムを提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、異方導電性接
着フィルムのバインダーの線膨張係数をＩＣチップ等の
被着体の線膨張係数に対して近づけることによって当該
バインダーに生ずる内部応力を低減しうることを見い出
し、本発明を完成するに至った。

【００１０】かかる知見に基づいてなされた請求項１記
載の発明は、絶縁性接着剤中に導電粒子を分散してなる
異方導電性接着フィルムであって、上記絶縁性接着剤に
よって接着される複数の被着体のうち、その線膨張係数
の小さい方と当該異方導電性接着フィルムとの線膨張係
数の差が、３５×１０^-6・Ｋ^-1以内であることを特徴と
する。

【００１１】請求項１記載の発明によれば、熱圧着の際
において、被着体の伸びと絶縁性接着剤の伸びとがほぼ
等しくなり、その結果、絶縁性接着剤に生ずる内部応力
を従来技術の場合に比べて小さくすることが可能にな
る。

【００１２】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、絶縁性接着剤中に無機粒子を混入し
てなることを特徴とする。

【００１３】さらに、請求項３記載の発明は、請求項２
記載の発明において、無機粒子の添加量が、２０〜７０
重量％であることを特徴とする。

【００１４】請求項２又は３記載の発明によれば、絶縁
性接着剤の線膨張係数を容易に低下させることができ、
これにより絶縁性接着剤の線膨張係数と被着体の線膨張
係数との差を容易に３５×１０^-6・Ｋ^-1以内とすること
が可能になる。

【００１５】さらにまた、請求項４記載の発明は、請求
項２又は３のいずれか１項記載の発明において、無機粒
子の平均粒径が、導電粒子の平均粒径の１／２以下であ
ることを特徴とする。

【００１６】請求項４記載の発明によれば、導電粒子と
接続電極間の確実な電気的な接続を確保することが可能
になる。

【００１７】一方、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至４のいずれか１項記載の発明において、絶縁性接着剤
中に、ゴム系の弾性粒子が分散されていることを特徴と
する。

【００１８】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の発明において、絶縁性接着剤中へのゴム系の弾性粒
子の添加量が、１〜２０重量％であることを特徴とす
る。

【００１９】請求項５又は６記載の発明によれば、熱圧
着時に絶縁性接着剤に外力が加わった場合に、この応力
吸収粒子が大きく弾性変形することによって絶縁性接着
剤の被着体との界面部分に生ずる熱応力及び残留応力が
吸収されるため、絶縁性接着剤樹脂の弾性率の上昇を防
ぐことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る異方導電性接
着フィルムの実施の形態を図面を参照して詳細に説明す
る。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る異方導電性接
着フィルムの好ましい実施の形態を示すもので、図１
（ａ）は、熱圧着前の状態を示す構成図、図１（ｂ）
は、熱圧着後の状態を示す構成図、図１（ｃ）は、図１
（ｂ）の一点鎖線Ａで示す部分の作用を示す説明図であ
る。

【００２１】図１に示すように、本発明の異方導電性接
着フィルム１は、例えばＬＣＤパネル２のＩＴＯ電極３
とＬＳＩチップ（被着体）４のバンプ５とを接続する際
に用いられるもので、フィルム状の絶縁性接着剤樹脂
（絶縁性接着剤）６中に導電粒子７が分散されて構成さ
れる。

【００２２】この場合、絶縁性接着剤樹脂６としては、
例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ナフタレン型
エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等のエポキシ
樹脂を主成分として、カップリング剤、硬化剤等を含む
ものなどを用いることができる。

【００２３】ここで、絶縁性接着剤樹脂６の厚さは、接
続後の導通信頼性の確保及び製造工程における作業性の
観点から、１０〜１００μｍとすることが好ましい。

【００２４】また、絶縁性接着剤樹脂６は、硬化後の弾
性率が、後述するゴム粒子８の弾性率より大きいものを
用いるとよい。好ましい絶縁性接着剤樹脂６の弾性率
は、５×１０⁸〜１×１０⁹Ｐａである。

【００２５】絶縁性接着剤樹脂６の弾性率が５×１０⁸
Ｐａより小さいと、信頼性を確保するための耐熱性が劣
るという不都合があり、１×１０⁹Ｐａより大きいと、絶
縁性接着剤樹脂６の内部応力を十分に小さくすることが
できないという不都合がある。

【００２６】また、絶縁性接着剤樹脂６のガラス転移温
度（Ｔｇ）は、１００〜２００℃であることが好まし
く、さらに好ましくは１２０〜１９０℃である。

【００２７】絶縁性接着剤樹脂６のガラス転移温度が１
００℃より小さいと、異方導電性接着フィルム１の耐熱
性が低下するという不都合があり、２００℃より大きい
と、絶縁性接着剤樹脂６に生ずる内部応力を十分に小さ
くすることが困難になるという不都合がある。

【００２８】一方、導電粒子７としては、例えば、ニッ
ケル、金、銅等の金属粒子や、樹脂粒子に金めっき等を
施したものを用いることができる。

【００２９】ここで、導電粒子７の平均粒径は、導通信
頼性の確保の観点から、１〜１０μｍとすることが好ま
しい。

【００３０】また、絶縁性接着剤樹脂６中への導電粒子
７の分散量は、導通信頼性の確保の観点から、３〜２５
重量％とすることが好ましい。

【００３１】さらに、図示はしないが、この異方導電性
接着フィルム１は、剥離用の例えばポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）フィルム上に形成され、また、異方
導電性接着フィルム１の表面はカバーフィルムによって
覆われている。

【００３２】一方、本発明においては、絶縁性接着剤樹
脂６と、被着体のうち線膨張係数が小さい方であるＬＳ
Ｉチップ４との間の線膨張係数の差が、３５×１０^-6・
Ｋ^-1以内となるように構成されている。

【００３３】この場合、ＬＳＩチップ４との間の線膨張
係数の差を３５×１０^-6・Ｋ^-1以内とするためには、例
えば絶縁性接着剤樹脂６中に所定量の無機粒子９を混入
するとよい。

【００３４】ここで、好ましい無機粒子９としては、例
えば、酸化アルミニウム(Ａｌ₂Ｏ₃）、二酸化ケイ素
（ＳiＯ₂）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ケイ素
(Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、水酸化アルミニウム（Ａｌ(ＯＨ)₃）等か
らなるものがあげられる。

【００３５】また、絶縁性接着剤中への無機粒子９の添
加量は、２０〜７０重量％であることが好ましく、さら
に好ましくは３０〜６０重量％である。

【００３６】絶縁性接着剤中への無機粒子９の添加量が
２０重量％より小さいと、被着体であるＬＳＩチップ４
との間の線膨張係数の差を３５×１０^-6・Ｋ^-1以内とす
ることが困難になり、７０重量％より大きいと、フィル
ムになりにくくなるという不都合がある。

【００３７】さらに、導電粒子７と接続電極間の電気的
な接続の確保の観点からは、無機粒子９の平均粒径は、
導電粒子７の平均粒径の１／２以下であることが好まし
い。

【００３８】好ましい無機粒子９の平均粒径は、０．２
〜２．０μｍであり、さらに好ましくは０．５〜１．０
μｍである。

【００３９】無機粒子９の平均粒径が０．２μｍより小
さいと、絶縁性接着剤樹脂６への分散性が低下するとい
う不都合があり、２．０μｍより大きいと、導電粒子７
と接続電極間の電気的な接続が低下するおそれがあると
いう不都合がある。

【００４０】また、本発明においてさらに絶縁性接着剤
樹脂６の内部応力を低下させるためには、絶縁性接着剤
樹脂６中にゴム系の弾性粒子（以下「ゴム粒子」とい
う。）８を所定量添加するとよい。

【００４１】ここで、絶縁性接着剤樹脂６中へのゴム粒
子８の添加量は、１〜２０重量％であることが好まし
く、さらに好ましくは２〜１５重量％である。

【００４２】絶縁性接着剤中へのゴム粒子８の添加量が
１重量％より小さいと、絶縁性接着剤樹脂６に生ずる内
部応力を十分に小さくすることができず、２０重量％よ
り大きいと、粘度が上昇してフィルムになりにくくなる
という不都合がある。

【００４３】ここで、ゴム粒子８としては、その弾性率
が硬化後の絶縁性接着剤樹脂６の弾性率より小さいもの
を用いるとよい。

【００４４】好ましいゴム粒子８の弾性率は、１×１０
⁷〜５×１０⁸Ｐａであり、さらに好ましくは、５×１０
⁷〜１×１０⁸Ｐａである。

【００４５】ゴム粒子８の弾性率が１×１０⁷より小さ
いと、接続信頼性が低下するという不都合があり、５×
１０⁸Ｐａより大きいと、絶縁性接着剤樹脂６の内部応力
を十分に小さくすることができないという不都合があ
る。

【００４６】また、ゴム粒子８のガラス転移温度は、−
１００〜５０℃であることが好ましく、さらに好ましく
は−８０〜２５℃である。

【００４７】ゴム粒子８のガラス転移温度が−１００℃
より低いと、異方導電性接着フィルム１の耐熱性が低下
するという不都合があり、５０℃より高いと、絶縁性接
着剤樹脂６に生ずる内部応力を十分に小さくすることが
困難になるという不都合がある。

【００４８】このようなゴム粒子８としては、例えば、
架橋ポリブタジエンゴム、カルボン酸変性アクリロニト
リル−ブタジエンゴム、アクリルポリマーゴム、シリコ
ーンゴムからなるものがあげられる。

【００４９】さらに、ゴム粒子８としては、核材に架橋
ポリブタジエンゴムやアクリルゴムを用い、この核材の
表面をアクリレート樹脂によって被覆したものを使用す
ることもできる。

【００５０】また、導電粒子７と接続電極間の電気的な
接続を十分に確保するためには、ゴム粒子８の平均粒径
は、導電粒子７の平均粒径より小さいことが好ましい。

【００５１】好ましいゴム粒子８の平均粒径は、３０〜
５００ｎｍであり、さらに好ましくは５０〜３００ｎｍ
である。

【００５２】絶縁性接着剤樹脂６の内部応力を小さくす
るためには添加するゴム粒子８の粒径が小さくその表面
積が大きい方が望ましいが、ゴム粒子８の平均粒径が３
０ｎｍより小さいと、絶縁性接着剤樹脂６中において均
一に分散しにくくなるという不都合がある。

【００５３】他方、ゴム粒子８の平均粒径が５００ｎｍ
より大きいと、導電粒子７と接続電極間の電気的な接続
が低下するおそれがある。

【００５４】本発明の異方導電性接着フィルム１を作成
するには、まず、所定のエポキシ樹脂等を溶解させた溶
液に、無機粒子９、ゴム粒子８、硬化剤等を所定量加え
て混合し、溶剤に分散させた導電粒子７をこの溶液に加
えて混合してバインダーペーストを調製する。

【００５５】このバインダーペーストを例えばポリエス
テルフィルム等の剥離フィルム上にコーティングし、乾
燥後、カバーフィルムをラミネートして異方導電性接着
フィルム１を得る。

【００５６】本発明の異方導電性接着フィルム１を用い
て電極間の接続を行う場合には、図１（ａ）（ｂ）に示
すように、例えばＬＣＤパネル２側に異方導電性接着フ
ィルム１を貼付し、ＬＳＩチップ４の位置合わせ（仮接
続）を行った後に、所定の温度及び圧力で熱圧着を行
い、ＬＳＩチップ４のバンプ５とＬＣＤパネル２の電極
３とを電気的に接続させた状態で絶縁性接着剤樹脂６を
硬化させる。

【００５７】ところで、一般に、異方導電性接着フィル
ムの接着界面に発生する内部応力σは、次の式(１)によ
って算出しうることが知られている。

【００５８】

【数１】

【００５９】上述したように、本発明の異方導電性接着
フィルム１においては、例えば絶縁性接着剤樹脂６中に
無機粒子９を混入することによって絶縁性接着剤樹脂６
全体の線膨張係数を低下させたことから、図１（ｃ）及
び式(１)から明らかなように、熱圧着の際において、Ｌ
ＳＩチップ４のひずみε１と絶縁性接着剤樹脂６のひず
みε２とがほぼ等しくなり、その結果、絶縁性接着剤樹
脂６に生ずる内部応力σを従来技術の場合に比べて小さ
くすることが可能になる。

【００６０】さらに、絶縁性接着剤樹脂６中に絶縁性接
着剤樹脂６より弾性率の小さいゴム粒子８を分散すれ
ば、熱圧着の際にゴム粒子８が大きく弾性変形すること
によって絶縁性接着剤樹脂６の被着体との界面部分に生
ずる熱応力及び残留応力が吸収されるため、絶縁性接着
剤樹脂６の弾性率Ｅの上昇を防ぐことができる。

【００６１】このように本発明によれば、熱圧着の際の
内部応力を小さくすることができることから、異方導電
性接着フィルム１の導通信頼性を向上させることができ
るとともに、被着体として薄いガラス基板を用いた場合
であっても、反りの発生を回避することができる。

【００６２】なお、上述の実施の形態においては、接続
用のバンプを有する被着体を接続する場合を例にとって
説明したが、本発明はこれに限られず、接続用のバンプ
を有しない被着体を接続する場合にも適用しうるもので
ある。

【００６３】

【実施例】以下、本発明に係る異方導電性接着フィルム
の実施例を比較例とともに詳細に説明する。 〔実施例１〕まず、フェノキシ樹脂（東都化成社製 Ｙ
Ｐ５０）５０重量部、エポキシ樹脂（油化シェル社製
８２８）６０重量部、イミダゾール系硬化剤（旭化成社
製ＨＸ３９４１ＨＰ）７０重量部、シランカップリング
剤（日本ユニカー社製 Ａ１８７）３．２重量部、無機
粒子として平均粒径１μｍのＳiＯ₂粒子（龍森社製二酸
化ケイ素）１２３．２重量部（４０重量％）を、溶剤ト
ルエンに溶解して固形分５０％の絶縁性接着剤樹脂、す
なわち、バインダー溶液を調製する。

【００６４】そして、このバインダー溶液１００重量部
に、導電粒子として、平均粒径５．０μｍのジビニルベ
ンゼン粒子にニッケル−金めっきを施したものを７重量
部（１２．３重量％）加えてバインダーペーストとす
る。

【００６５】さらに、このバインダーペーストを剥離用
のＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚みが４０μｍになるよ
うにコーティングし、異方導電性接着フィルムを得る。
この異方導電性接着フィルムを幅７．０ｍｍのスリット
状に切断し、実施例１のサンプルとした。

【００６６】〔実施例２〕ＳiＯ₂粒子として平均粒径が
０．２μｍのものを用い、ゴム粒子として平均粒径１８
０ｎｍの架橋ポリブタジエン粒子（レジプス化成社製
ＲＫＢ１００３）３重量％を加えた以外は実施例１と同
様の方法によって異方導電性接着フィルムのサンプルを
作成した。

【００６７】〔実施例３〕架橋ポリブタジエン粒子とし
て平均粒径が５００ｎｍのものを用い、その添加量を３
重量％とした以外は実施例２と同様の方法によって異方
導電性接着フィルムのサンプルを作成した。

【００６８】〔実施例４〕架橋ポリブタジエン粒子とし
て平均粒径が１８０ｎｍのものを用い、その添加量を１
０重量％とした以外は実施例２と同様の方法によって異
方導電性接着フィルムのサンプルを作成した。

【００６９】〔比較例１〕ＳiＯ₂粒子及びゴム粒子を添
加せずにバインダー溶液を調製した以外は実施例１と同
様の方法によって異方導電性接着フィルムのサンプルを
作成した。

【００７０】〔比較例２〕粒径５μｍのＳiＯ₂粒子の添
加量を５０重量％とし、ゴム粒子を添加せずにバインダ
ー溶液を調製した以外は実施例１と同様の方法によって
異方導電性接着フィルムのサンプルを作成した。

【００７１】〔比較例３〕ＳiＯ₂粒子として平均粒径が
０．２μｍのものを１０重量％添加し、ゴム粒子を添加
せずにバインダー溶液を調製した以外は実施例２と同様
の方法によって異方導電性接着フィルムのサンプルを作
成した。

【００７２】〔比較例４〕ＳiＯ₂粒子を添加せず、平均
粒径が１８０ｎｍのゴム粒子を２重量％添加した以外は
実施例１と同様の方法によって異方導電性接着フィルム
のサンプルを作成した。

【００７３】〔比較例５〕ＳiＯ₂粒子を添加せず、平均
粒径が１８０ｎｍのゴム粒子を１２重量％添加した以外
は実施例１と同様の方法によって異方導電性接着フィル
ムのサンプルを作成した。

【００７４】＜線膨張係数の測定＞ＪＩＳ Ｋ ７１９
７に規定された方法により、上記実施例及び比較例の異
方導電性接着フィルム並びに後述するシリコンチップの
線膨張係数を測定した。これにより得られた実施例及び
比較例の異方導電性接着フィルムとシリコンチップとの
線膨張係数の差を表１に示す。

【００７５】＜評価結果＞次に、上記実施例及び比較例
を用い、以下の条件でピール強度の測定及び温度サイク
ル試験並びに導通抵抗の評価を行った。

【００７６】〔ピール強度〕ＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜を蒸着によって形成したガラス基板（厚さ１ｍ
ｍ）と、幅１２μｍ、ピッチ１００μｍの銅（Ｃｕ）パ
ターンを形成しパターン表面にニッケル−金（Ｎｉ−Ａ
ｕ）めっきを施したポリイミド基板（厚さ２５μｍ）と
を、温度１８０℃、時間２０秒、圧力３０kgf／ｃｍ²の
条件で熱圧着によって接続した。

【００７７】そして、上記熱圧着したサンプルに対し、
引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで上記パターンと水平方向に
引っ張り、その時の強度を引張試験機（オリエンテック
社製）で測定した。その結果を表１に示す。

【００７８】〔温度サイクル試験〕幅１８μｍ、ピッチ
１５０μｍの銅（Ｃｕ）パターンを形成しパターン表面
にニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきを施したガラス−
エポキシ基板（厚さ０．６ｍｍ）と、縦横の長さ１１０
μｍ□、高さ２０のめっきバンプを形成したサイズ６．
３ｍｍ□のシリコンチップ（線膨張係数＝３×１０^-6・
Ｋ^-1）とを、温度１８０℃、時間２０秒、圧力２５０kg
f／ｃｍ²の条件で熱圧着し、得られたサンプルについて
温度サイクル試験を行った。

【００７９】この場合、温度サイクルは、−２５℃／３
０分、１２５℃／３０分を１サイクルとして、デイジー
テェーンでつないだ評価パターンの抵抗をリアルタイム
で記録し、５０％の抵抗上昇が確認された回数を測定し
た。その結果を表１に示す。

【００８０】〔導通抵抗〕ピール強度測定の際に、隣接
する２つの端子間の抵抗を４端子法で測定し、抵抗測定
が問題なく行えるか否かで端子間の接続が良好に行われ
ているか否かを判断した。また、温度サイクル試験の際
に、デイジーテェーンでつないだ評価パターンにおいて
抵抗測定を問題なく行えるか否かで端部間の接続が良好
に行われているか否かを判断した。これらの結果を表１
に示す。

【００８１】

【表１】

【００８２】表１に示すように、ＳiＯ₂粒子を４０重量
％添加した実施例１は、シリコンチップとの線膨張係数
の差が３５より小さく、ピール強度、耐温度サイクル性
ともに良好であり、また導通抵抗も問題なかった。

【００８３】さらに、ＳiＯ₂粒子に加えてゴム粒子を添
加した実施例２、実施例３及び実施例４についても、シ
リコンチップとの線膨張係数の差が３５より小さく、ピ
ール強度、耐温度サイクル性ともに良好であり、また導
通抵抗も問題なかった。

【００８４】一方、ＳiＯ₂粒子及びゴム粒子を添加しな
い比較例１は、シリコンチップとの線膨張係数の差が３
５より大きくなり、耐温度サイクル性が良くなかった。

【００８５】また、粒径の大きな（５μｍ）ＳiＯ₂粒子
を添加した比較例２は、シリコンチップとの線膨張係数
の差が３５より小さかったが、ピール強度測定の際に電
極間の導通不良が発生した。

【００８６】さらに、ＳiＯ₂粒子を添加したがその添加
量が少ない（１０重量％）比較例３は、シリコンチップ
との線膨張係数の差が３５より大きくなり、耐温度サイ
クル性が良くなかった。

【００８７】一方、ＳiＯ₂粒子を添加せずゴム粒子のみ
を添加した比較例４及び比較例５についても、シリコン
チップとの線膨張係数の差が３５以内にならなかった。

【００８８】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、熱圧
着の際の絶縁性接着剤の内部応力を小さくすることがで
き、これにより異方導電性接着フィルムの導通信頼性を
向上させることができる。また、本発明によれば、薄い
ガラス基板等の被着体に対して反りの生じない異方導電
性接着フィルムを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る異方導電
性接着フィルムの好ましい実施の形態を示すもので、図
１（ａ）は、熱圧着前の状態を示す構成図、図１（ｂ）
は、熱圧着後の状態を示す構成図、図１（ｃ）は、図１
（ｂ）の一点鎖線Ａで示す部分の作用を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１ 異方導電性接着フィルム ２ ＬＣＤパネル ３ ＩＴＯ電極 ４ ＬＳＩチップ（被着体） ５ バンプ ６ 絶縁性接着剤樹脂（絶縁性接着剤） ７ 導電粒子 ８ ゴム系の弾性粒子 ９ 無機粒子

【手続補正書】

【提出日】平成１０年７月２８日（１９９８．７．２
８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２４】また、絶縁性接着剤樹脂６は、硬化後の弾
性率が、後述するゴム粒子８の弾性率より大きいものを
用いるとよい。好ましい絶縁性接着剤樹脂６の弾性率
は、５×１０⁸〜１×１０ ¹⁰ Ｐａである。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２５】絶縁性接着剤樹脂６の弾性率が５×１０⁸
Ｐａより小さいと、信頼性を確保するための耐熱性が劣
るという不都合があり、１×１０ ¹⁰ Ｐａより大きいと、
絶縁性接着剤樹脂６の内部応力を十分に小さくすること
ができないという不都合がある。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６６】〔実施例２〕ＳiＯ₂粒子として平均粒径が
０．２μｍのものを用い、ゴム粒子として平均粒径１８
０ｎｍの架橋ポリブタジエン粒子（レジナス化成社製
ＲＫＢ１００３）３重量％を加えた以外は実施例１と同
様の方法によって異方導電性接着フィルムのサンプルを
作成した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿久津 恭志 栃木県鹿沼市さつき町12−３ ソニーケミ カル株式会社第２工場内 Ｆターム(参考） 4J004 AA05 AA07 AA10 AA11 AA13 AA19 AB05 CA06 CC02 FA05 5G301 DA05 DA10 DA29 DA32 DA42 DA57 DD03 DD08

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁性接着剤中に導電粒子を分散してなる
   異方導電性接着フィルムであって、 上記絶縁性接着剤によって接着される複数の被着体のう
   ち、その線膨張係数の小さい方と当該異方導電性接着フ
   ィルムとの線膨張係数の差が、３５×１０^-6・Ｋ^-1以内
   であることを特徴とする異方導電性接着フィルム。
2. 【請求項２】絶縁性接着剤中に無機粒子を混入してなる
   ことを特徴とする請求項１記載の異方導電性接着フィル
   ム。
3. 【請求項３】無機粒子の添加量が、２０〜７０重量％で
   あることを特徴とする請求項２記載の異方導電性接着フ
   ィルム。
4. 【請求項４】無機粒子の平均粒径が、導電粒子の平均粒
   径の１／２以下であることを特徴とする請求項２又は３
   のいずれか１項記載の異方導電性接着フィルム。
5. 【請求項５】絶縁性接着剤中に、ゴム系の弾性粒子が分
   散されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
   か１項記載の異方導電性接着フィルム。
6. 【請求項６】絶縁性接着剤中へのゴム系の弾性粒子の添
   加量が、１〜２０重量％であることを特徴とする請求項
   ５記載の異方導電性接着フィルム。