JP3507705B2

JP3507705B2 - 絶縁性接着フィルム

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Publication number: JP3507705B2
Application number: JP21214298A
Authority: JP
Inventors: 元秀武市; 雅男斉藤; 恭志阿久津
Original assignee: Sony Chemicals Corp
Current assignee: Dexerials Corp
Priority date: 1998-07-28
Filing date: 1998-07-28
Publication date: 2004-03-15
Anticipated expiration: 2018-07-28
Also published as: JP2000044895A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶表示
装置（ＬＣＤ）の表示パネル上にＬＳＩチップを実装す
る際に用いられる絶縁性接着フィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、例えば小型のＬＣＤパネルにおい
ては、ベアチップＩＣを直接ガラス基板上に接続するＣ
ＯＧ(Chip On Glass)実装の実用化が進展している。この
ＣＯＧ実装の場合、例えば、絶縁性接着フィルムや、絶
縁性接着剤中に導電粒子を分散させた異方導電性接着フ
ィルムを用いてベアチップＩＣをガラス基板上に固定し
て接続電極間を接続するようにしている。

【０００３】ここで、ベアチップＩＣの電極に接続用の
バンプが形成されていない場合には、異方導電性接着フ
ィルムを用いてベアチップＩＣとガラス基板とを接続す
る必要があるが、ベアチップＩＣの電極に接続用のバン
プが形成されている場合には、絶縁性接着フィルムを用
いてベアチップＩＣをガラス基板上に固定することによ
り接続電極間を直接接続することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
絶縁性接着フィルムにあっては、熱圧着時において、絶
縁性接着フィルムと被着体との物性の相違によって熱的
及び機械的負荷が加わり、これによって絶縁性接着フィ
ルムに熱応力及び残留応力が発生するという問題があっ
た。

【０００５】従来、このような絶縁性接着フィルムの内
部応力を低減するためには、バインダーに含まれるエポ
キシ樹脂やフェノキシ樹脂の配合量を変えることにより
行っていたが、この方法では熱圧着時の内部応力を十分
に低減させることができず、導通信頼性を向上させるこ
とが困難であった。

【０００６】加えて、近年、ＩＣチップが大型化する一
方で、ＩＣチップを実装するガラス基板の厚さが薄くな
りつつある。このため、絶縁性接着フィルムを用いてベ
アチップＩＣをガラス基板上に固定した場合には、上述
した内部応力によってガラス基板に反りが発生すること
があり、その結果、従来技術の場合はガラス基板におい
て表示部と実装部との間隔を十分に確保しなければなら
ず、また、ガラス基板に反りが生じない程度の十分な剛
性を確保しうる厚さにしなければならないという問題が
あった。

【０００７】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、熱圧着の際の内部応力
を低減しうる絶縁性接着フィルムを提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、絶縁性接着フ
ィルムの線膨張係数をＩＣチップ等の被着体の線膨張係
数に対して近づけることによって当該絶縁性接着フィル
ムに生ずる内部応力を低減しうることを見い出し、本発
明を完成するに至った。

【０００９】かかる知見に基づいてなされた請求項１記
載の発明は、絶縁性接着剤中に無機粒子が混入されると
ともにゴム系の弾性粒子が分散され、前記無機粒子の平
均粒径が０．２〜２．０μｍで、かつ、前記ゴム系の弾
性粒子が平均粒径が３０〜５００ｎｍであり、当該絶縁
性接着剤によって接着される複数の被着体のうち、その
線膨張係数の小さい方と当該絶縁性接着フィルムとの線
膨張係数の差が、３５×１０^-6・Ｋ^-1以内であることを
特徴とする絶縁性接着フィルムである。

【００１０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、無機粒子の添加量が、２０〜７０重
量％であることを特徴とする。

【００１１】さらに、請求項３記載の発明は、絶縁性接
着剤によって接着され、かつ、電気的に接続される複数
の被着体からなる接続構造体であって、前記複数の被着
体の線膨張係数の小さい方と前記絶縁性接着剤との線膨
張係数の差が、３５×１０^-6・Ｋ^-1以内であり、前記絶
縁性接着剤中に平均粒径が０．２〜２．０μｍの無機粒
子が混入されてなることを特徴とする接続構造体であ
る。

【００１２】本発明によれば、熱圧着の際において、被
着体の伸びと絶縁性接着剤の伸びとがほぼ等しくなり、
その結果、絶縁性接着フィルムに生ずる内部応力を従来
技術の場合に比べて容易に小さくすることが可能にな
る。

【００１３】そして、本発明によれば、接続電極間の確
実な電気的な接続を確保することが可能になる。

【００１４】また、本発明によれば、熱圧着時に絶縁性
接着剤に外力が加わった場合に、ゴム系の弾性粒子が大
きく弾性変形することによって絶縁性接着剤の被着体と
の界面部分に生ずる熱応力及び残留応力が吸収されるた
め、絶縁性接着剤樹脂の弾性率の上昇を防ぐことができ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る絶縁性接着フ
ィルムの実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る絶縁性接着フィル
ムの好ましい実施の形態を示すもので、図１（ａ）は、
熱圧着前の状態を示す構成図、図１（ｂ）は、熱圧着後
の状態を示す構成図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）の一点
鎖線Ａで示す部分の作用を示す説明図である。

【００１６】図１に示すように、本発明の絶縁性接着フ
ィルム１は、例えばＬＣＤパネル２のＩＴＯ（Indium T
in Oxide）電極３とＬＳＩチップ（被着体）４のバンプ
５とを接続する際に用いられるもので、絶縁性接着剤樹
脂（絶縁性接着剤）６をフィルム状に形成してなるもの
である。

【００１７】ここで、絶縁性接着剤樹脂６としては、例
えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ナフタレン型エ
ポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等のエポキシ樹
脂を主成分として、カップリング剤、硬化剤等を含むも
のなどを用いることができる。

【００１８】ここで、絶縁性接着剤樹脂６の厚さは、接
続後の導通信頼性の確保及び製造工程における作業性の
観点から、１０〜１００μｍとすることが好ましい。

【００１９】また、絶縁性接着剤樹脂６は、硬化後の弾
性率が、後述するゴム粒子７の弾性率より大きいものを
用いるとよい。好ましい絶縁性接着剤樹脂６の弾性率
は、５×１０⁸〜１×１０¹⁰Ｐａである。

【００２０】絶縁性接着剤樹脂６の弾性率が５×１０⁸
Ｐａより小さいと、信頼性を確保するための耐熱性が劣
るという不都合があり、１×１０¹⁰Ｐａより大きいと、
絶縁性接着剤樹脂６の内部応力を十分に小さくすること
ができないという不都合がある。

【００２１】また、絶縁性接着剤樹脂６のガラス転移温
度（Ｔｇ）は、１００〜２００℃であることが好まし
く、さらに好ましくは１２０〜１９０℃である。

【００２２】絶縁性接着剤樹脂６のガラス転移温度が１
００℃より小さいと、絶縁性接着フィルム１の耐熱性が
低下するという不都合があり、２００℃より大きいと、
絶縁性接着剤樹脂６に生ずる内部応力を十分に小さくす
ることが困難になるという不都合がある。

【００２３】さらに、図示はしないが、この絶縁性接着
フィルム１は、剥離用の例えばポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルム上に形成され、また、絶縁性接
着フィルム１の表面はカバーフィルムによって覆われて
いる。

【００２４】一方、本発明においては、絶縁性接着フィ
ルム１と、被着体のうち線膨張係数が小さい方であるＬ
ＳＩチップ４との間の線膨張係数の差が、３５×１０^-6
・Ｋ^-1以内となるように構成されている。

【００２５】この場合、ＬＳＩチップ４との間の線膨張
係数の差を３５×１０^-6・Ｋ^-1以内とするためには、例
えば絶縁性接着剤樹脂６中に所定量の無機粒子８を混入
するとよい。

【００２６】ここで、好ましい無機粒子８としては、例
えば、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、二酸化ケイ素
（ＳiＯ₂）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ケイ素
（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、水酸化アルミニウム（Ａｌ(ＯＨ)₃）等か
らなるものがあげられる。

【００２７】また、絶縁性接着剤中への無機粒子８の添
加量は、２０〜７０重量％であることが好ましく、さら
に好ましくは３０〜６０重量％である。

【００２８】絶縁性接着剤中への無機粒子８の添加量が
２０重量％より小さいと、被着体であるＬＳＩチップ４
との間の線膨張係数の差を３５×１０^-6・Ｋ^-1以内とす
ることが困難になり、７０重量％より大きいと、フィル
ムになりにくくなるという不都合がある。

【００２９】一方、好ましい無機粒子８の平均粒径は、
０．２〜２．０μｍであり、さらに好ましくは０．５〜
１．０μｍである。

【００３０】無機粒子８の平均粒径が０．２μｍより小
さいと、絶縁性接着剤樹脂６への分散性が低下するとい
う不都合があり、２．０μｍより大きいと、ＬＳＩチッ
プ４のバンプ５とＬＣＤパネル２のＩＴＯ電極３と間の
電気的な接続が低下するおそれがある。

【００３１】また、本発明においてさらに絶縁性接着剤
樹脂６の内部応力を低下させるためには、絶縁性接着剤
樹脂６中にゴム系の弾性粒子（以下「ゴム粒子」とい
う。）８を所定量添加するとよい。

【００３２】ここで、絶縁性接着剤樹脂６中へのゴム粒
子７の添加量は、１〜２０重量％であることが好まし
く、さらに好ましくは２〜１５重量％である。

【００３３】絶縁性接着剤中へのゴム粒子７の添加量が
１重量％より小さいと、絶縁性接着剤樹脂６に生ずる内
部応力を十分に小さくすることができず、２０重量％よ
り大きいと、粘度が上昇してフィルムになりにくくなる
という不都合がある。

【００３４】ここで、ゴム粒子７としては、その弾性率
が硬化後の絶縁性接着剤樹脂６の弾性率より小さいもの
を用いるとよい。

【００３５】好ましいゴム粒子７の弾性率は、１×１０
⁷〜５×１０⁸Ｐａであり、さらに好ましくは、５×１０
⁷〜１×１０⁸Ｐａである。

【００３６】ゴム粒子７の弾性率が１×１０⁷より小さ
いと、接続信頼性が低下するという不都合があり、５×
１０⁸Ｐａより大きいと、絶縁性接着剤樹脂６の内部応
力を十分に小さくすることができないという不都合があ
る。

【００３７】また、ゴム粒子７のガラス転移温度は、−
１００〜５０℃であることが好ましく、さらに好ましく
は−８０〜２５℃である。

【００３８】ゴム粒子７のガラス転移温度が−１００℃
より低いと、絶縁性接着フィルム１の耐熱性が低下する
という不都合があり、５０℃より高いと、絶縁性接着剤
樹脂６に生ずる内部応力を十分に小さくすることが困難
になるという不都合がある。

【００３９】このようなゴム粒子７としては、例えば、
架橋ポリブタジエンゴム、カルボン酸変性アクリロニト
リル−ブタジエンゴム、アクリルポリマーゴム、シリコ
ーンゴムからなるものがあげられる。

【００４０】さらに、ゴム粒子７としては、核材に架橋
ポリブタジエンゴムやアクリルゴムを用い、この核材の
表面をアクリレート樹脂によって被覆したものを使用す
ることもできる。

【００４１】また、好ましいゴム粒子７の平均粒径は、
３０〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５０〜３０
０ｎｍである。

【００４２】絶縁性接着剤樹脂６の内部応力を小さくす
るためには添加するゴム粒子７の粒径が小さくその表面
積が大きい方が望ましいが、ゴム粒子７の平均粒径が３
０ｎｍより小さいと、絶縁性接着剤樹脂６中において均
一に分散しにくくなるという不都合がある。

【００４３】他方、ゴム粒子７の平均粒径が５００ｎｍ
より大きいと、ＬＳＩチップ４のバンプ５とＬＣＤパネ
ル２のＩＴＯ電極３と間の電気的な接続が低下するおそ
れがある。

【００４４】本発明の絶縁性接着フィルム１を作成する
には、まず、所定のエポキシ樹脂等を溶解させた溶液
に、ゴム粒子７、無機粒子８、硬化剤等を所定量加えて
混合し、バインダーペーストを調製する。

【００４５】このバインダーペーストを例えばポリエス
テルフィルム等の剥離フィルム上にコーティングし、乾
燥後、カバーフィルムをラミネートして絶縁性接着フィ
ルム１を得る。

【００４６】本発明の絶縁性接着フィルム１を用いて電
極間の接続を行う場合には、図１（ａ）（ｂ）に示すよ
うに、例えばＬＣＤパネル２側に絶縁性接着フィルム１
を貼付し、ＬＳＩチップ４の位置合わせ（仮接続）を行
った後に、所定の温度及び圧力で熱圧着を行い、ＬＳＩ
チップ４のバンプ５とＬＣＤパネル２のＩＴＯ電極３と
を電気的に接続させた状態で絶縁性接着剤樹脂６を硬化
させる。

【００４７】ところで、一般に、絶縁性接着フィルムの
接着界面に発生する内部応力σは、次の式(１)によって
算出しうることが知られている。

【００４８】

【数１】

【００４９】上述したように、本発明の絶縁性接着フィ
ルム１においては、絶縁性接着剤樹脂６中に無機粒子８
を混入することによって絶縁性接着フィルム１の線膨張
係数を低下させたことから、図１（ｃ）及び式(１)から
明らかなように、熱圧着の際において、ＬＳＩチップ４
のひずみε１と絶縁性接着フィルム１のひずみε２とが
ほぼ等しくなり、その結果、絶縁性接着フィルム１に生
ずる内部応力σを従来技術の場合に比べて小さくするこ
とが可能になる。

【００５０】さらに、絶縁性接着剤樹脂６中に絶縁性接
着剤樹脂６より弾性率の小さいゴム粒子７を分散すれ
ば、熱圧着の際にゴム粒子７が大きく弾性変形すること
によって絶縁性接着剤樹脂６の被着体との界面部分に生
ずる熱応力及び残留応力が吸収されるため、絶縁性接着
フィルム１の弾性率Ｅの上昇を防ぐことができる。

【００５１】このように本発明によれば、熱圧着の際の
内部応力を小さくすることができることから、絶縁性接
着フィルム１の導通信頼性を向上させることができると
ともに、被着体として薄いガラス基板を用いた場合であ
っても、反りの発生を回避することができる。

【００５２】

【実施例】以下、本発明に係る絶縁性接着フィルムの実
施例を参考例及び比較例とともに詳細に説明する。

【００５３】〔実施例１〕まず、フェノキシ樹脂（東都化成社製ＹＰ５０）５０
重量部、エポキシ樹脂（油化シェル社製８２８）６０
重量部、イミダゾール系硬化剤（旭化成社製ＨＸ３９４
１ＨＰ）７０重量部、シランカップリング剤（日本ユニ
カー社製Ａ１８７）３．２重量部、無機粒子として平
均粒径１μｍのＳiＯ₂粒子（龍森社製二酸化ケイ素）１
２３．２重量部（４０重量％）を、溶剤トルエンに溶解
して固形分５０％の絶縁性接着剤樹脂、すなわち、バイ
ンダーペーストを調製する。

【００５４】さらに、このバインダーペーストを剥離用
のＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚みが４０μｍになるよ
うにコーティングし、絶縁性接着フィルムを得る。この
絶縁性接着フィルムを幅７．０ｍｍのスリット状に切断
し、参考例のサンプルとした。

【００５５】〔実施例２〕ＳiＯ₂粒子として平均粒径が０．２μｍのものを用い、
ゴム粒子として平均粒径１８０ｎｍの架橋ポリブタジエ
ン粒子（レジナス化成社製ＲＫＢ１００３）３重量％
を加えた以外は実施例１と同様の方法によって絶縁性接
着フィルムのサンプルを作成した。

【００５６】〔実施例３〕架橋ポリブタジエン粒子として平均粒径が５００ｎｍの
ものを用い、その添加量を３重量％とした以外は実施例
２と同様の方法によって絶縁性接着フィルムのサンプル
を作成した。

【００５７】〔実施例４〕架橋ポリブタジエン粒子として平均粒径が１８０ｎｍの
ものを用い、その添加量を１０重量％とした以外は実施
例２と同様の方法によって絶縁性接着フィルムのサンプ
ルを作成した。

【００５８】〔比較例１〕ＳiＯ₂粒子及びゴム粒子を添加せずにバインダー溶液を
調製した以外は参考例と同様の方法によって絶縁性接着
フィルムのサンプルを作成した。

【００５９】〔比較例２〕粒径５μｍのＳiＯ₂粒子の添加量を５０重量％とし、ゴ
ム粒子を添加せずにバインダー溶液を調製した以外は参
考例と同様の方法によって絶縁性接着フィルムのサンプ
ルを作成した。

【００６０】〔参考例〕ＳiＯ₂粒子として平均粒径が０．２μｍのものを１０重
量％添加し、ゴム粒子を添加せずにバインダー溶液を調
製した以外は実施例２と同様の方法によって絶縁性接着
フィルムのサンプルを作成した。

【００６１】〔比較例３〕ＳiＯ₂粒子を添加せず、平均粒径が１８０ｎｍのゴム粒
子を２重量％添加した以外は実施例１と同様の方法によ
って絶縁性接着フィルムのサンプルを作成した。

【００６２】〔比較例４〕ＳiＯ₂粒子を添加せず、平均粒径が１８０ｎｍのゴム粒
子を１２重量％添加した以外は実施例１と同様の方法に
よって絶縁性接着フィルムのサンプルを作成した。

【００６３】＜線膨張係数の測定＞ＪＩＳＫ７１９７に規定された方法により、上記実
施例及び比較例の絶縁性接着フィルム並びに後述するシ
リコンチップの線膨張係数を測定した。これにより得ら
れた実施例及び比較例の絶縁性接着フィルムとシリコン
チップとの線膨張係数の差を表１に示す。

【００６４】＜評価結果＞次に、上記実施例及び比較例を用い、以下の条件でピー
ル強度の測定及び温度サイクル試験並びに導通抵抗の評
価を行った。

【００６５】〔ピール強度〕ＩＴＯ膜を蒸着によって形成したガラス基板（厚さ１ｍ
ｍ）と、幅１２μｍ、ピッチ１００μｍの銅（Ｃｕ）パ
ターンを形成しパターン表面にニッケル−金（Ｎｉ−Ａ
ｕ）めっきを施したポリイミド基板（厚さ２５μｍ）と
を、温度１８０℃、時間２０秒、圧力３０kgf／ｃｍ²の
条件で熱圧着によって接続した。

【００６６】そして、上記熱圧着したサンプルに対し、
引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで上記パターンと水平方向に
引っ張り、その時の強度を引張試験機（オリエンテック
社製）で測定した。その結果を表１に示す。

【００６７】〔温度サイクル試験〕幅１８μｍ、ピッチ１５０μｍの銅（Ｃｕ）パターンを
形成しパターン表面にニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっ
きを施したガラス−エポキシ基板（厚さ０．６ｍｍ）
と、サイズ１１０μｍ□、高さ２０μｍのめっきバンプ
を形成したサイズ６．３ｍｍ□のシリコンチップ（線膨
張係数＝３×１０^-6・Ｋ^-1）とを、温度１８０℃、時間
２０秒、圧力２５０kgf／ｃｍ²の条件で熱圧着し、得ら
れたサンプルについて温度サイクル試験を行った。

【００６８】この場合、温度サイクルは、−２５℃／３
０分、１２５℃／３０分を１サイクルとして、デイジー
テェーンでつないだ評価パターンの抵抗をリアルタイム
で記録し、５０％の抵抗上昇が確認された回数を測定し
た。その結果を表１に示す。

【００６９】〔導通抵抗〕ピール強度測定の際に、隣接する２つの端子間の抵抗を
４端子法で測定し、抵抗測定が問題なく行えるか否かで
端子間の接続が良好に行われているか否かを判断した。
また、温度サイクル試験の際に、デイジーテェーンでつ
ないだ評価パターンにおいて抵抗測定を問題なく行える
か否かで端部間の接続が良好に行われているか否かを判
断した。これらの結果を表１に示す。

【００７０】

【表１】

【００７１】表１に示すように、ＳiＯ₂粒子を４０重量
％添加した実施例１は、シリコンチップとの線膨張係数
の差が３５×１０^-6・Ｋ^-1より小さく、ピール強度、耐
温度サイクル性ともに良好であり、また導通抵抗も問題
なかった。また、絶縁性接着剤樹脂にＳiＯ₂粒子及びゴ
ム粒子を添加した実施例２、実施例３及び実施例４は、
シリコンチップとの線膨張係数の差が３５×１０^-6・Ｋ
^-1より小さく、ピール強度、耐温度サイクル性ともに良
好であり、また導通抵抗も問題なかった。

【００７２】一方、ＳiＯ₂粒子及びゴム粒子を添加しな
い比較例１は、シリコンチップとの線膨張係数の差が３
５×１０^-6・Ｋ^-1より大きくなり、耐温度サイクル性が
良くなかった。

【００７３】また、粒径の大きな（５μｍ）ＳiＯ₂粒子
を添加した比較例２は、シリコンチップとの線膨張係数
の差が３５×１０^-6・Ｋ^-1より小さかったが、ピール強
度測定の際に電極間の導通不良が発生した。

【００７４】さらに、ＳiＯ₂粒子を添加したがその添加
量が少ない（１０重量％）参考例は、シリコンチップと
の線膨張係数の差が３５×１０^-6・Ｋ^-1より大きくな
り、耐温度サイクル性が良くなかった。

【００７５】一方、ＳiＯ₂粒子を添加せずゴム粒子のみ
を添加した比較例３及び比較例４についても、シリコン
チップとの線膨張係数の差が３５×１０^-6・Ｋ^-1以内に
ならなかった。

【００７６】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、熱圧
着の際の絶縁性接着剤の内部応力を小さくすることがで
き、これにより絶縁性接着フィルムの導通信頼性を向上
させることができる。また、本発明によれば、薄いガラ
ス基板等の被着体に対して反りの生じない絶縁性接着フ
ィルムを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る絶縁性接
着フィルムの好ましい実施の形態を示すもので、図１
（ａ）は、熱圧着前の状態を示す構成図、図１（ｂ）
は、熱圧着後の状態を示す構成図、図１（ｃ）は、図１
（ｂ）の一点鎖線Ａで示す部分の作用を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１絶縁性接着フィルム２ＬＣＤパネル（被着体）３ＩＴＯ電極４ＬＳＩチップ（被着体）５バンプ６絶縁性接着剤樹脂（絶縁性接着剤）７ゴム系の弾性粒子８無機粒子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者阿久津恭志栃木県鹿沼市さつき町12−３ソニーケミカル株式会社第２工場内 (56)参考文献特開平10−50775（ＪＰ，Ａ) 特開平10−46114（ＪＰ，Ａ) 特開平８−127707（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C09J 7/00 H01L 23/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性接着剤中に平均粒径が０．２〜２．
０μｍの無機粒子が混入され、当該絶縁性接着剤によって接着され、かつ、電気的に接
続される複数の被着体のうち、その線膨張係数の小さい
方と当該絶縁性接着との線膨張係数の差が、３５×１０
^-6・Ｋ^-1以内であることを特徴とする絶縁性接着フィル
ム。
【請求項２】無機粒子の添加量が、２０〜７０重量％で
あることを特徴とする請求項１記載の絶縁性接着フィル
ム。
【請求項３】絶縁性接着剤によって接着され、かつ、電
気的に接続される複数の被着体からなる接続構造体であ
って、前記複数の被着体の線膨張係数の小さい方と前記絶縁性
接着剤との線膨張係数の差が、３５×１０^-6・Ｋ^-1以内
であり、前記絶縁性接着剤中に平均粒径が０．２〜２．０μｍの
無機粒子が混入されてなることを特徴とする接続構造
体。