JPH09116040A - 半導体装置用リードレス外囲器 - Google Patents
半導体装置用リードレス外囲器Info
- Publication number
- JPH09116040A JPH09116040A JP27255095A JP27255095A JPH09116040A JP H09116040 A JPH09116040 A JP H09116040A JP 27255095 A JP27255095 A JP 27255095A JP 27255095 A JP27255095 A JP 27255095A JP H09116040 A JPH09116040 A JP H09116040A
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- Japan
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- insulating material
- cap
- cut
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板とキヤップの位置ずれがなく、かつ位置
合わせ部の強度を向上させた、新規な半導体装置用リー
ドレス外囲器を提供する。 【解決手段】 絶縁物から成る基板１の角部に切り欠き
部３を形成することにより、半導体素子６をマウントす
る際の位置合わせ精度を向上すると共に、両者の接着面
積を増すことにより機械的強度を大きくして、半導体装
置としての信頼性を長期にわたって維持可能とした。
合わせ部の強度を向上させた、新規な半導体装置用リー
ドレス外囲器を提供する。 【解決手段】 絶縁物から成る基板１の角部に切り欠き
部３を形成することにより、半導体素子６をマウントす
る際の位置合わせ精度を向上すると共に、両者の接着面
積を増すことにより機械的強度を大きくして、半導体装
置としての信頼性を長期にわたって維持可能とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置特に高
周波用ＩＣに適用するリードレス外囲器の改良に係る。
周波用ＩＣに適用するリードレス外囲器の改良に係る。
【０００２】
【従来の技術】放熱量並びにリードピンが多い半導体素
子例えば高周波用ＩＣ等を必要とする電子回路をアセン
ブリ（Ａｓｓｅｍｂｌｙ）するには、いわゆるリードレ
ス外囲器が最近使用されており、これにより形成された
半導体装置を図５、６及び図７、８により説明する。
子例えば高周波用ＩＣ等を必要とする電子回路をアセン
ブリ（Ａｓｓｅｍｂｌｙ）するには、いわゆるリードレ
ス外囲器が最近使用されており、これにより形成された
半導体装置を図５、６及び図７、８により説明する。
【０００３】この半導体装置は、図６及び図８の断面図
に示すように、半導体素子１０を例えば半田（図示せ
ず）により、ガラエポ又はセラミック等の絶縁物製の基
板１１に半田等により固着し、これに、合成樹脂から成
るキヤップ１２を固定する方法が採られている。
に示すように、半導体素子１０を例えば半田（図示せ
ず）により、ガラエポ又はセラミック等の絶縁物製の基
板１１に半田等により固着し、これに、合成樹脂から成
るキヤップ１２を固定する方法が採られている。
【０００４】図では、簡単に単一の半導体素子だけを記
載したが、他の電子部品も搭載して所定の電子回路を構
成する場合もあり、いずれも基板１１の表面部分にいわ
ゆるスクリーン印刷等により形成された配線層（図示せ
ず）を利用・接続する。
載したが、他の電子部品も搭載して所定の電子回路を構
成する場合もあり、いずれも基板１１の表面部分にいわ
ゆるスクリーン印刷等により形成された配線層（図示せ
ず）を利用・接続する。
【０００５】基板１１には、いわゆるスルーホールを形
成し、これを介して裏面に導電性金属からなる電極１３
を設けて、配線層と接続して外部との接続を可能にして
いる。
成し、これを介して裏面に導電性金属からなる電極１３
を設けて、配線層と接続して外部との接続を可能にして
いる。
【０００６】合成樹脂製のキヤップ１２は、図５や図８
に明らかなように内部が中空であり、その端部と基板１
１の外周間を接着剤により固着してリードレス外囲器か
ら成る半導体装置を完成していた（図６参照）。
に明らかなように内部が中空であり、その端部と基板１
１の外周間を接着剤により固着してリードレス外囲器か
ら成る半導体装置を完成していた（図６参照）。
【０００７】基板１１の外周とは、その厚さ方向である
側面又は配線層が形成される基板１１の周縁を包含す
る。
側面又は配線層が形成される基板１１の周縁を包含す
る。
【０００８】この接着工程に先立って、半導体素子１０
を絶縁物製の基板１１に半田等により固着するには、基
準点が２カ所以上あるマウンター（図示せず）を利用す
る。しかし、その精度が十分でないと、絶縁物製の基板
１１と合成樹脂製のキヤップ１２の接着される位置が合
わなくなって接着強度が不十分になり、半導体素子の信
頼性に支障をきたす。
を絶縁物製の基板１１に半田等により固着するには、基
準点が２カ所以上あるマウンター（図示せず）を利用す
る。しかし、その精度が十分でないと、絶縁物製の基板
１１と合成樹脂製のキヤップ１２の接着される位置が合
わなくなって接着強度が不十分になり、半導体素子の信
頼性に支障をきたす。
【０００９】そのマウント精度を確保するのは、基準点
に絶縁物製の基板１１の角を合わせると共に、半導体素
子１０を把持するコレクタの内部形状も絶えず一定に維
持する必要がある。
に絶縁物製の基板１１の角を合わせると共に、半導体素
子１０を把持するコレクタの内部形状も絶えず一定に維
持する必要がある。
【００１０】しかし、これらの要件を満足できないこと
もあるために、図５，図７並びに図８に示すように、絶
縁物製の基板１１とキヤップ１２に、凸部１４及びこれ
に嵌合する凹部１５を相対的に形成する方法が採られて
いる。
もあるために、図５，図７並びに図８に示すように、絶
縁物製の基板１１とキヤップ１２に、凸部１４及びこれ
に嵌合する凹部１５を相対的に形成する方法が採られて
いる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】マウンターを利用して
半導体素子１０を絶縁物製の基板１１の所定の位置すな
わち配線層にマウントするには、前記のようにマウンタ
ーの基準点に絶縁物製の基板１１の例えば角部を合わせ
てから、コレット（図示せず）により把持された半導体
素子１０を半田を介して固着する。
半導体素子１０を絶縁物製の基板１１の所定の位置すな
わち配線層にマウントするには、前記のようにマウンタ
ーの基準点に絶縁物製の基板１１の例えば角部を合わせ
てから、コレット（図示せず）により把持された半導体
素子１０を半田を介して固着する。
【００１２】しかし、角部のように狭い場所に合わせて
一定状態を確保するのは難しく必ずしも良い精度が確保
できない。
一定状態を確保するのは難しく必ずしも良い精度が確保
できない。
【００１３】更に絶縁物製の基板１１に半導体素子１０
を固着するのに利用する半田層は、包含される空気等を
抜くためにいわゆるスクラブ運動をコレットにより行っ
てボイド（Ｖｏｉｄ）の発生を抑制するのが一般的であ
る。このため、コレットの内部形状並びにその把持状態
等によっては、半導体素子１０の位置が変化する場合が
発生した。
を固着するのに利用する半田層は、包含される空気等を
抜くためにいわゆるスクラブ運動をコレットにより行っ
てボイド（Ｖｏｉｄ）の発生を抑制するのが一般的であ
る。このため、コレットの内部形状並びにその把持状態
等によっては、半導体素子１０の位置が変化する場合が
発生した。
【００１４】このように、コレットにより把持された半
導体素子１０の一定の位置にないと、前記のように絶縁
物製の基板１１に対する半導体素子１０の接着工程に不
良が生ずる。
導体素子１０の一定の位置にないと、前記のように絶縁
物製の基板１１に対する半導体素子１０の接着工程に不
良が生ずる。
【００１５】又図７並びに図８に示した凸部１４及びこ
れに嵌合する凹部１５を形成する方式では、機械的強度
が損なわれる欠点がある。
れに嵌合する凹部１５を形成する方式では、機械的強度
が損なわれる欠点がある。
【００１６】このような事情により成された本発明で
は、基板とキヤップの位置ずれがなく、かつ位置合わせ
部の強度を向上させた、新規な半導体装置用リードレス
外囲器を提供する。
は、基板とキヤップの位置ずれがなく、かつ位置合わせ
部の強度を向上させた、新規な半導体装置用リードレス
外囲器を提供する。
【００１７】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、絶縁物製
の基板と，この基板表面部分に形成されかつこの表面以
外の面に導出された配線層と，前記基板の角部に設置さ
れた切り欠き部と，前記絶縁物性の基板を覆う中空のキ
ヤップと，前記切り欠き部に対応する位置に合わせて配
置されかつ外挿するこの中空のキヤップの足部と，前記
キヤップの足部と前記切り欠き部間に配置する固着層と
に特徴がある。
の基板と，この基板表面部分に形成されかつこの表面以
外の面に導出された配線層と，前記基板の角部に設置さ
れた切り欠き部と，前記絶縁物性の基板を覆う中空のキ
ヤップと，前記切り欠き部に対応する位置に合わせて配
置されかつ外挿するこの中空のキヤップの足部と，前記
キヤップの足部と前記切り欠き部間に配置する固着層と
に特徴がある。
【００１８】第２の発明は、前記基板をセラミックによ
り構成する点に特徴がある。
り構成する点に特徴がある。
【００１９】
【作用】本発明に係る半導体装置用リードレス外囲器
は、絶縁物から成る基板の角部に切り欠き部を形成する
ことにより、半導体素子をマウントする際の位置合わせ
精度を向上すると共に、両者の接着面積を増すことによ
り機械的強度を大きくして、半導体装置としての信頼性
を長期にわたって維持可能とした。
は、絶縁物から成る基板の角部に切り欠き部を形成する
ことにより、半導体素子をマウントする際の位置合わせ
精度を向上すると共に、両者の接着面積を増すことによ
り機械的強度を大きくして、半導体装置としての信頼性
を長期にわたって維持可能とした。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施例を図１乃至図
４により説明する。
４により説明する。
【００２１】半導体装置特に高周波用ＩＣに適用するリ
ードレス外囲器には、従来と同じくガラエポやセラミッ
クより構成される絶縁物性の基板１と、合成樹脂性のキ
ヤップ２により構成され、絶縁物性の基板１の表面部分
には図示しない配線層を例えばスクリーン印刷により設
け、この配線層は基板１の厚さ方向である側面に形成し
た導電性金属層から構成する接地電極３（図４参照）に
接続する。
ードレス外囲器には、従来と同じくガラエポやセラミッ
クより構成される絶縁物性の基板１と、合成樹脂性のキ
ヤップ２により構成され、絶縁物性の基板１の表面部分
には図示しない配線層を例えばスクリーン印刷により設
け、この配線層は基板１の厚さ方向である側面に形成し
た導電性金属層から構成する接地電極３（図４参照）に
接続する。
【００２２】又絶縁物性の基板１には、裏面に達するい
わゆるスルーホール（図示せず）を設けて前記配線層等
と接続する電極３′（図２参照）を設け外部の電子機器
に接続可能とする。
わゆるスルーホール（図示せず）を設けて前記配線層等
と接続する電極３′（図２参照）を設け外部の電子機器
に接続可能とする。
【００２３】本実施例に係る半導体装置用リードレス外
囲器は図１に明らかなように、絶縁物性の基板１の角部
に切り欠き部４を設置するのが特徴である。この切り欠
き部４は図２及び図３に示すように、厚さ方向の一部を
残す例（図２参照）と、全部を切断する場合（図３参
照）のいずれでも良い。
囲器は図１に明らかなように、絶縁物性の基板１の角部
に切り欠き部４を設置するのが特徴である。この切り欠
き部４は図２及び図３に示すように、厚さ方向の一部を
残す例（図２参照）と、全部を切断する場合（図３参
照）のいずれでも良い。
【００２４】又、合成樹脂例えばナイロン製の中空のキ
ヤップ２は、内部の空間を囲った形状であり、絶縁物性
の基板１の切り欠き部４を覆う足部５（図３と図４参
照）を設置して、接着面積の増大につなげる。なお、中
空のキヤップ２の足部５に連続する部分の長さは２ｍｍ
程度、幅は０．３ｍｍである。
ヤップ２は、内部の空間を囲った形状であり、絶縁物性
の基板１の切り欠き部４を覆う足部５（図３と図４参
照）を設置して、接着面積の増大につなげる。なお、中
空のキヤップ２の足部５に連続する部分の長さは２ｍｍ
程度、幅は０．３ｍｍである。
【００２５】切り欠き部３を設置した絶縁物性の基板１
に、例えば高周波用ＩＣをマウンターによりマウントす
るには、高周波用ＩＣを把持したコレット（図示せず）
を所定の位置に移動させてから、図示しない半田層を介
して両者を固着する。この際半田層内に包含される空気
等を外部に放散させるために、コレットによりスクラブ
運動を行う。
に、例えば高周波用ＩＣをマウンターによりマウントす
るには、高周波用ＩＣを把持したコレット（図示せず）
を所定の位置に移動させてから、図示しない半田層を介
して両者を固着する。この際半田層内に包含される空気
等を外部に放散させるために、コレットによりスクラブ
運動を行う。
【００２６】このマウント工程に先立って、絶縁物製の
基板１は、マウンターの基準点に多少の余裕を持って切
り欠き部４を位置合わせされており、ここにコレットに
把持された高周波用ＩＣを運ぶ。しかもスクラブ運動を
行っても位置合わせがズレても切り欠き部４により吸収
できる。
基板１は、マウンターの基準点に多少の余裕を持って切
り欠き部４を位置合わせされており、ここにコレットに
把持された高周波用ＩＣを運ぶ。しかもスクラブ運動を
行っても位置合わせがズレても切り欠き部４により吸収
できる。
【００２７】このようなマウント工程を終えてから切り
欠き部３を備えた絶縁物製の基板１にキヤップ２を接着
する工程に移行する。
欠き部３を備えた絶縁物製の基板１にキヤップ２を接着
する工程に移行する。
【００２８】キヤップ２には、切り欠き部４に対応する
部分に足部５が形成されており、図１及び図２間の点線
で示されるように両者を一体とする（図２参照）が、接
触部分には予め接着材を塗布しておいて、両者間に固着
層７（図４参照）を形成して、半導体装置が完成され
る。なお、図面には、簡略化して一個の半導体素子しか
記載しなかったが、場合によっては複数の半導体素子や
電子部品により所定の電子回路を構成する場合もあるこ
とを付記する。
部分に足部５が形成されており、図１及び図２間の点線
で示されるように両者を一体とする（図２参照）が、接
触部分には予め接着材を塗布しておいて、両者間に固着
層７（図４参照）を形成して、半導体装置が完成され
る。なお、図面には、簡略化して一個の半導体素子しか
記載しなかったが、場合によっては複数の半導体素子や
電子部品により所定の電子回路を構成する場合もあるこ
とを付記する。
【００２９】
【発明の効果】このように本発明に係る半導体装置用リ
ードレス外囲器は、絶縁物製基板の角部に切り欠き部を
形成したので、半導体素子をマウントする際の位置合わ
せ精度が向上され、このためにキヤップを正確に接着で
き、ひいては半導体装置の信頼性を長期にわたって保証
できる。
ードレス外囲器は、絶縁物製基板の角部に切り欠き部を
形成したので、半導体素子をマウントする際の位置合わ
せ精度が向上され、このためにキヤップを正確に接着で
き、ひいては半導体装置の信頼性を長期にわたって保証
できる。
【図１】本発明の実施例を示す上面図である。
【図２】図１の絶縁物製の基板にキヤップを接着した半
導体装置を示す断面図である。
導体装置を示す断面図である。
【図３】図２の半導体装置に形成される電極を示す斜視
図である。
図である。
【図４】キヤップの足部を示す斜視図である。
【図５】従来のリードレス外囲器の絶縁物製の基板の上
面図である。
面図である。
【図６】図５の基板にキヤップを取り付けた状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】図６の欠点を矯正用絶縁物製の基板の上面図で
ある。
ある。
【図８】図６の矯正用絶縁物製の基板にキヤップを取り
付けた状態を示す断面図である。
付けた状態を示す断面図である。
１、１１：半導体基板、 ２、１２：キヤップ、 ３′：電極、 ３：切り欠き部、 ４：キヤップ、 ５：足部、 １０：半導体素子、 ７：固着層、 １３、３′：電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南 裕二 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁物製の基板と，この基板表面部分に
形成されかつこの表面以外の面に導出された配線層と，
前記基板の角部に設置された切り欠き部と，前記絶縁物
性の基板を覆う中空のキヤップと，前記切り欠き部に対
応する位置に合わせて配置されかつ外挿するこの中空の
キヤップの足部と，前記キヤップの足部と前記切り欠き
部間に配置する固着層とを具備することを特徴とする半
導体装置用リードレス外囲器 - 【請求項２】前記基板をセラミックにより構成すること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置用リードレス外
囲器
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27255095A JPH09116040A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体装置用リードレス外囲器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27255095A JPH09116040A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体装置用リードレス外囲器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116040A true JPH09116040A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17515472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27255095A Pending JPH09116040A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体装置用リードレス外囲器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116040A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674206B1 (ko) * | 2005-01-25 | 2007-01-25 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP27255095A patent/JPH09116040A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674206B1 (ko) * | 2005-01-25 | 2007-01-25 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020205 |