JPH09106530A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09106530A JPH09106530A JP26170195A JP26170195A JPH09106530A JP H09106530 A JPH09106530 A JP H09106530A JP 26170195 A JP26170195 A JP 26170195A JP 26170195 A JP26170195 A JP 26170195A JP H09106530 A JPH09106530 A JP H09106530A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術の磁気記録媒体では記録再生特性と
耐食性を両立することが困難であるという問題を解決
し、高密度記録再生特性を損なうことなく耐食性を改善
することができる磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基体１上に形成された２層以上か
らなる磁性層の上層をコバルトと酸素を主成分とする保
磁力が１３００エルステッド以上の磁性層とし、下層を
コバルトとクロムと酸素を主成分とする上層より低保磁
力の磁性層とすることで、高密度記録再生特性を損なう
ことなく耐食性を改善した。
耐食性を両立することが困難であるという問題を解決
し、高密度記録再生特性を損なうことなく耐食性を改善
することができる磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基体１上に形成された２層以上か
らなる磁性層の上層をコバルトと酸素を主成分とする保
磁力が１３００エルステッド以上の磁性層とし、下層を
コバルトとクロムと酸素を主成分とする上層より低保磁
力の磁性層とすることで、高密度記録再生特性を損なう
ことなく耐食性を改善した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に係わ
り、さらに詳しくはその耐食性と記録再生特性の改良技
術に関する。
り、さらに詳しくはその耐食性と記録再生特性の改良技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録の高密度化にともない金属薄膜型の
磁気記録媒体の開発が急速に進められ、既に市販のハー
ドディスクの大部分が金属薄膜型の磁気記録媒体に置き
換えられている。フレキシブル基板を用いた可換型の磁
気記録媒体の分野においても、８ｍｍＶＴＲ用のＭＥテ
ープなどその一部が金属薄膜型磁気記録媒体に置き換え
られている。しかしその普及はハードディスクの場合と
比較して遅れている。この原因の一つに耐食性の問題が
ある。
磁気記録媒体の開発が急速に進められ、既に市販のハー
ドディスクの大部分が金属薄膜型の磁気記録媒体に置き
換えられている。フレキシブル基板を用いた可換型の磁
気記録媒体の分野においても、８ｍｍＶＴＲ用のＭＥテ
ープなどその一部が金属薄膜型磁気記録媒体に置き換え
られている。しかしその普及はハードディスクの場合と
比較して遅れている。この原因の一つに耐食性の問題が
ある。
【０００３】ハードディスクの構成を見ると、ガラスや
アルミなどの硬質基板上に磁性層、硬質保護膜が下から
順に形成されている。硬質保護膜は磁性層表面からの腐
食を防ぎ、硬質基板が磁性層裏面からの腐食を防ぐこと
によって耐食性を向上させている。
アルミなどの硬質基板上に磁性層、硬質保護膜が下から
順に形成されている。硬質保護膜は磁性層表面からの腐
食を防ぎ、硬質基板が磁性層裏面からの腐食を防ぐこと
によって耐食性を向上させている。
【０００４】これに対してフレキシブル基板を用いた可
換型の磁気記録媒体では、硬質保護膜によって磁性層表
面からの腐食は防げるものの、磁性層裏面のフレキシブ
ル基板を通して進入する水や酸素による腐食を防げない
という欠点がある。
換型の磁気記録媒体では、硬質保護膜によって磁性層表
面からの腐食は防げるものの、磁性層裏面のフレキシブ
ル基板を通して進入する水や酸素による腐食を防げない
という欠点がある。
【０００５】そこで、表面の硬質保護膜に加えて、磁性
層裏面に防食下地層を設ける方法などが考えられている
が、一般にフレキシブル基板を用いた可換型の磁気記録
媒体はそのコストの安さに特徴があり、コスト上昇につ
ながる余分な層を設けることは容認しがたい。磁性層自
体に耐食性材料を用いる方法も考えられているが、この
方法では記録再生特性との両立が困難である。
層裏面に防食下地層を設ける方法などが考えられている
が、一般にフレキシブル基板を用いた可換型の磁気記録
媒体はそのコストの安さに特徴があり、コスト上昇につ
ながる余分な層を設けることは容認しがたい。磁性層自
体に耐食性材料を用いる方法も考えられているが、この
方法では記録再生特性との両立が困難である。
【０００６】ここで、特開昭５９−７５４２７号公報に
は、２層の磁性層のうちの上層の保磁力を下層の保磁力
よりも大きくすることで、耐錆性、記録再生特性を向上
させようとする技術が提案されている。
は、２層の磁性層のうちの上層の保磁力を下層の保磁力
よりも大きくすることで、耐錆性、記録再生特性を向上
させようとする技術が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、保磁力が高々１２００エルステッド
（Ｏｅ）であり、高密度記録媒体としては不十分なもの
であった。
来技術においては、保磁力が高々１２００エルステッド
（Ｏｅ）であり、高密度記録媒体としては不十分なもの
であった。
【０００８】結局、従来技術の磁気記録媒体では記録再
生特性と耐食性を両立することが困難であるという問題
があった。
生特性と耐食性を両立することが困難であるという問題
があった。
【０００９】本発明の目的は、高密度記録再生特性を損
なうことなく耐食性を改善することができる磁気記録媒
体を提供することにある。
なうことなく耐食性を改善することができる磁気記録媒
体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、非磁性基体上に形成された２層以上から
なる磁性層の上層がコバルトと酸素を主成分とする保磁
力が１３００エルステッド以上の高保磁力層であり、下
層がコバルトとクロムと酸素を主成分とする前記上層よ
り保磁力の低い低保磁力層であることを特徴とする。
に、本発明は、非磁性基体上に形成された２層以上から
なる磁性層の上層がコバルトと酸素を主成分とする保磁
力が１３００エルステッド以上の高保磁力層であり、下
層がコバルトとクロムと酸素を主成分とする前記上層よ
り保磁力の低い低保磁力層であることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明では、磁性層のうち上層が
コバルトと酸素を主成分とする１３００エルステッド以
上の高保磁力の磁性層となっており、また下層がコバル
トとクロムと酸素を主成分とするそれより低保磁力の磁
性層となっており、この上層と下層の磁性層の組み合わ
せにより記録再生特性を向上させる。さらに下層が耐食
性材料からなるために表裏面からの腐食が防止される。
コバルトと酸素を主成分とする１３００エルステッド以
上の高保磁力の磁性層となっており、また下層がコバル
トとクロムと酸素を主成分とするそれより低保磁力の磁
性層となっており、この上層と下層の磁性層の組み合わ
せにより記録再生特性を向上させる。さらに下層が耐食
性材料からなるために表裏面からの腐食が防止される。
【００１２】以下、図面に従って本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００１３】図１に本発明の磁気記録媒体を形成するた
めの蒸着装置の一例の概略図を示す。
めの蒸着装置の一例の概略図を示す。
【００１４】基板フィルム１が供給ロール２からキャン
ロール３，４を経て巻取ロール５に巻き取られる。この
とき、キャンロール３及びキャンロール４の下にあるル
ツボ６，７の中の蒸着材料が電子銃８，９により加熱さ
れ、溶解、蒸発し、基板フィルム１上に磁性膜が形成さ
れる。
ロール３，４を経て巻取ロール５に巻き取られる。この
とき、キャンロール３及びキャンロール４の下にあるル
ツボ６，７の中の蒸着材料が電子銃８，９により加熱さ
れ、溶解、蒸発し、基板フィルム１上に磁性膜が形成さ
れる。
【００１５】ルツボ６，７中の蒸発材料が減少すると、
減少した分、ワイヤー蒸発材料１０，１１が供給され
る。ワイヤー蒸発材料１０，１１は基板フィルム１の走
行方向に対して垂直方向に複数並べて同時に供給され
る。蒸気圧の大きく異なる蒸発材料を用いるときは、組
成の異なるワイヤー蒸発材料を同時に供給することによ
って組成を一定に制御する。蒸発蒸気が基板フィルム１
となす角度θｍｉｎとθｍａｘは蒸着開口部１２，１３
を調節することによって変化させる。必要に応じてガス
導入口１４，１５からガスが導入される。キャンロール
３，４はヒータと冷凍機によって温度調節が行われる。
減少した分、ワイヤー蒸発材料１０，１１が供給され
る。ワイヤー蒸発材料１０，１１は基板フィルム１の走
行方向に対して垂直方向に複数並べて同時に供給され
る。蒸気圧の大きく異なる蒸発材料を用いるときは、組
成の異なるワイヤー蒸発材料を同時に供給することによ
って組成を一定に制御する。蒸発蒸気が基板フィルム１
となす角度θｍｉｎとθｍａｘは蒸着開口部１２，１３
を調節することによって変化させる。必要に応じてガス
導入口１４，１５からガスが導入される。キャンロール
３，４はヒータと冷凍機によって温度調節が行われる。
【００１６】（具体例１）蒸着開口部１２，１３を調節
して上層のθｍｉｎを２５°、θｍａｘを３５°、下層
のθｍｉｎを５５°、θｍａｘを９０°に固定し、基板
フィルム１として厚さ６μｍのＰＥＴフィルム、ワイヤ
ー蒸発材料１０としてＣｒ含有率４原子％及び１６原子
％のＣｏ−Ｃｒ合金、ワイヤー蒸発材料１１として１０
０％のＣｏ金属を用い、ガス導入口１４，１５から酸素
ガスを吹きつけながら、上層の酸素含有率３３原子％、
厚さ０．１μｍのＣｏ−Ｏ膜、下層の酸素含有率２２原
子％、Ｃｒ含有率８原子％、厚さ０．０５μｍのＣｏ−
Ｃｒ−Ｏ膜の２層膜を成膜した。
して上層のθｍｉｎを２５°、θｍａｘを３５°、下層
のθｍｉｎを５５°、θｍａｘを９０°に固定し、基板
フィルム１として厚さ６μｍのＰＥＴフィルム、ワイヤ
ー蒸発材料１０としてＣｒ含有率４原子％及び１６原子
％のＣｏ−Ｃｒ合金、ワイヤー蒸発材料１１として１０
０％のＣｏ金属を用い、ガス導入口１４，１５から酸素
ガスを吹きつけながら、上層の酸素含有率３３原子％、
厚さ０．１μｍのＣｏ−Ｏ膜、下層の酸素含有率２２原
子％、Ｃｒ含有率８原子％、厚さ０．０５μｍのＣｏ−
Ｃｒ−Ｏ膜の２層膜を成膜した。
【００１７】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００１８】（具体例２）ワイヤー蒸発材料１０として
Ｃｒ含有率６原子％及び２０原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を
用い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整
して、下層の酸素含有率を１４原子％、Ｃｒ含有率を１
３原子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜
した。
Ｃｒ含有率６原子％及び２０原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を
用い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整
して、下層の酸素含有率を１４原子％、Ｃｒ含有率を１
３原子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜
した。
【００１９】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのＳｉＯ2 保護膜を形成した。
て厚さ１０ｎｍのＳｉＯ2 保護膜を形成した。
【００２０】（具体例３）ワイヤー蒸発材料１０として
Ｃｒ含有率０原子％及び８原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を用
い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整し
て、下層の酸素含有率を２５原子％、Ｃｒ含有率を４原
子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜し
た。
Ｃｒ含有率０原子％及び８原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を用
い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整し
て、下層の酸素含有率を２５原子％、Ｃｒ含有率を４原
子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜し
た。
【００２１】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００２２】（具体例４）ガス導入口１５からの酸素ガ
ス吹き付け量を調整し、上層の酸素含有率を２５原子％
にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜した。
ス吹き付け量を調整し、上層の酸素含有率を２５原子％
にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜した。
【００２３】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００２４】（具体例５）ガス導入口１５からの酸素ガ
ス吹き付け量を調整し、上層の酸素含有率を３８原子％
にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜した。
ス吹き付け量を調整し、上層の酸素含有率を３８原子％
にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜した。
【００２５】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００２６】（比較例１）ワイヤー蒸発材料１０として
Ｃｒ含有率０原子％及び４原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を用
い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整し
て、下層の酸素含有率を２７原子％、Ｃｒ含有率を２原
子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜し
た。
Ｃｒ含有率０原子％及び４原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を用
い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整し
て、下層の酸素含有率を２７原子％、Ｃｒ含有率を２原
子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜し
た。
【００２７】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００２８】（比較例２）ワイヤー蒸発材料１０として
Ｃｒ含有率７原子％及び２３原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を
用い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整
して、下層の酸素含有率を１２原子％、Ｃｒ含有率を１
５原子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜
した。
Ｃｒ含有率７原子％及び２３原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を
用い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整
して、下層の酸素含有率を１２原子％、Ｃｒ含有率を１
５原子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜
した。
【００２９】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００３０】（比較例３）ガス導入口１５からの酸素ガ
ス吹き付け量を調整し、上層の酸素含有率を２１原子％
にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜した。
ス吹き付け量を調整し、上層の酸素含有率を２１原子％
にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜した。
【００３１】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００３２】（比較例４）ガス導入口１５からの酸素ガ
ス吹き付け量を調整し、上層の酸素含有率を４２原子％
にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜した。
ス吹き付け量を調整し、上層の酸素含有率を４２原子％
にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜した。
【００３３】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００３４】（比較例５）ワイヤー蒸発材料１１として
Ｃｒ含有率４原子％及び１６原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を
用い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整
し、上層の酸素含有率を２２原子％、Ｃｒ含有率を８原
子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜し
た。
Ｃｒ含有率４原子％及び１６原子％のＣｏ−Ｃｒ合金を
用い、ガス導入口１５からの酸素ガス吹き付け量を調整
し、上層の酸素含有率を２２原子％、Ｃｒ含有率を８原
子％にした他は具体例１と同様にして２層膜を成膜し
た。
【００３５】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００３６】（比較例６）ワイヤー蒸発材料１０として
Ｃｏ１００％金属を用い、ガス導入口１４からの酸素ガ
ス吹き付け量を調整し、下層の酸素含有率を３３原子
％、Ｃｒ含有率を０原子％にした他は具体例１と同様に
して２層膜を成膜した。
Ｃｏ１００％金属を用い、ガス導入口１４からの酸素ガ
ス吹き付け量を調整し、下層の酸素含有率を３３原子
％、Ｃｒ含有率を０原子％にした他は具体例１と同様に
して２層膜を成膜した。
【００３７】次に、該磁性膜上にプラズマＣＶＤによっ
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
て厚さ１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン保護膜を
形成した。
【００３８】具体例、比較例で形成した硬質保護膜上に
フルオロカーボン系潤滑剤を塗布し、バックコートを行
い、８ｍｍにスリットした後、ドラム試験機で記録再生
特性を評価した。その結果を図２に示す。上下層の磁気
特性は表裏面からカー効果を利用して測定した。測定し
た保磁力も図２に示す。また、同じ試料で６０℃、９０
％の耐食試験を行った結果も同時に図２に示す。
フルオロカーボン系潤滑剤を塗布し、バックコートを行
い、８ｍｍにスリットした後、ドラム試験機で記録再生
特性を評価した。その結果を図２に示す。上下層の磁気
特性は表裏面からカー効果を利用して測定した。測定し
た保磁力も図２に示す。また、同じ試料で６０℃、９０
％の耐食試験を行った結果も同時に図２に示す。
【００３９】本発明の磁気記録媒体によって、高密度記
録再生特性を損なうことなく耐食性を改善できることが
わかる。
録再生特性を損なうことなく耐食性を改善できることが
わかる。
【００４０】なお、最上層中の酸素含有率が３０原子％
より少なくなると磁性層の保磁力（Ｈｃ）が低くなり、
酸素含有率が４３原子％より多くなると非磁性が強くな
り出力が低下する。
より少なくなると磁性層の保磁力（Ｈｃ）が低くなり、
酸素含有率が４３原子％より多くなると非磁性が強くな
り出力が低下する。
【００４１】最下層中のクロム含有率が４原子％より少
なくなると磁性層の保磁力（Ｈｃ）が低くなり、１３原
子％より多くなると出力低下をきたす。また、同層の酸
素含有率が１４原子％より少なくなると磁性層の保磁力
（Ｈｃ）が低くなり、２５原子％より多くなると非磁性
が強くなり出力の低下をきたす。
なくなると磁性層の保磁力（Ｈｃ）が低くなり、１３原
子％より多くなると出力低下をきたす。また、同層の酸
素含有率が１４原子％より少なくなると磁性層の保磁力
（Ｈｃ）が低くなり、２５原子％より多くなると非磁性
が強くなり出力の低下をきたす。
【００４２】また、コバルトと酸素を主成分とする上層
の磁性層を複数層設けたり、あるいはコバルトとクロム
と酸素を主成分とする下層の磁性層を複数層設けること
で、全体として３層以上の磁性層を構成することも可能
である。このように、３層以上にすると２層の場合より
もノイズが下がり、ＳＮ比が上がる。
の磁性層を複数層設けたり、あるいはコバルトとクロム
と酸素を主成分とする下層の磁性層を複数層設けること
で、全体として３層以上の磁性層を構成することも可能
である。このように、３層以上にすると２層の場合より
もノイズが下がり、ＳＮ比が上がる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非磁性基体上に形成された２層以上からなる磁性層の上
層をコバルトと酸素を主成分とする保磁力が１３００エ
ルステッド以上の磁性層とし、下層をコバルトとクロム
と酸素を主成分とする上層より保磁力の低い磁性層とし
たので、高密度記録再生特性を損なうことなく耐食性を
改善することができる。
非磁性基体上に形成された２層以上からなる磁性層の上
層をコバルトと酸素を主成分とする保磁力が１３００エ
ルステッド以上の磁性層とし、下層をコバルトとクロム
と酸素を主成分とする上層より保磁力の低い磁性層とし
たので、高密度記録再生特性を損なうことなく耐食性を
改善することができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体を形成するための蒸着装
置の一例を示す概略構成図である。
置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の具体例と比較例の記録再生特性の評価
結果、耐食試験結果を示す図表である。
結果、耐食試験結果を示す図表である。
１ 基板フィルム（非磁性基体） ２ 供給ロール ３，４ キャンロール ５ 巻取ロール ６，７ ルツボ ８，９ 電子銃 １０，１１ ワイヤー蒸発材料 １２，１３ 蒸着開口部 １４，１５ ガス導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 29/04 Ｃ３０Ｂ 29/04 Ｂ
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基体上に形成された２層以上から
なる磁性層の上層がコバルトと酸素を主成分とする保磁
力が１３００エルステッド以上の高保磁力層であり、下
層がコバルトとクロムと酸素を主成分とする前記上層よ
り保磁力の低い低保磁力層であることを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記上層中の酸
素の含有率が２５〜３８原子％の範囲に規制され、下層
中のクロムの含有率が４〜１３原子％の範囲に規制さ
れ、酸素の含有率が１４〜２５原子％の範囲に規制され
ていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１または２記載において、磁性層
の表面に硬質保護膜が形成されていることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項３記載において、硬質保護膜がダ
イヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１ないし３記載のいずれかにおい
て、前記非磁性基体が合成樹脂フィルムであることを特
徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26170195A JPH09106530A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26170195A JPH09106530A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106530A true JPH09106530A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17365518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26170195A Withdrawn JPH09106530A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09106530A (ja) |
-
1995
- 1995-10-09 JP JP26170195A patent/JPH09106530A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |