JPH09102496A - 配線形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線と配線のショートの可能性を低減させ、
半導体装置の歩留りを向上させる。 【解決手段】 酸化膜２上に配線形成用導電性膜３を形
成する第１の工程と、配線形成用導電性膜３上に、所望
の配線パターンに応じてパターニングされたレジスト膜
６を形成する第２の工程と、レジスト膜６をマスクとし
て配線形成用導電性膜３をエッチングする第３の工程
と、レジスト膜６を除去する第４の工程と、を経た後
に、前記第２乃至第４の工程を繰り返す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線形成方法及び
これを用いた半導体装置の製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置においてはその集積度
の向上のため、各素子の微細化が要求されるようになっ
てきた。その微細化の要求にともない、半導体装置にお
いて形成される各配線の配線幅に加えて、配線と配線の
間隔も狭くなってきた。種々の半導体装置を製造するた
めには配線を形成することが不可欠である。

【０００３】従来の半導体装置における配線形成方法に
ついて、図９を参照して説明する。

【０００４】図９は、この従来の配線形成方法に従った
各工程を示す概略断面図であり、パーティクルによる影
響を受けない正常な状態を示している。

【０００５】図９（ａ）では、半導体基板１上に絶縁膜
として酸化膜２が形成され、該酸化膜２を下地としてこ
の上に配線形成用導電性膜３が堆積されて形成されてい
る。配線形成用導電性膜３は１層又は複数層からなる。

【０００６】次に、配線形成用導電性膜３上に、所望の
配線パターンに応じてパターニングされたエッチングマ
スク層としてのレジスト膜６を形成する。すなわち、ま
ず、図９（ｂ）に示すように、配線形成用導電性膜３を
エッチングするためのレジスト膜４を塗布する（塗布工
程）。ここでは、一例として、レジスト膜４としてポジ
型レジスト膜を塗布した場合を示してある。次に、図９
（ｃ）に示すように、所望の配線パターンに応じたパタ
ーンを有するマスク５を用いて、紫外線等によりレジス
ト膜４を露光する（露光工程）。次いで、図９（ｄ）の
ように、レジスト膜４の露光部分（レジスト膜４として
ネガ型レジスト膜を用いた場合には非露光部分）を除去
する現像処理を行い（現像工程）、所望の配線に応じて
パターニングされたレジスト膜６（レジスト膜４の一
部）を残存させる。

【０００７】その後、図９（ｅ）に示すようにレジスト
膜６をエッチングマスクとして配線形成用導電性膜３を
ドライエッチング等によりエッチングし、更に、図９
（ｆ）に示すようにレジスト膜６を除去する。これによ
り、所望の配線パターンを有する配線（配線形成用導電
性膜３の一部）が形成される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の配線形成方法を採用した半導体装置の製造方法で
は、配線間隔が微小になった場合には、隣接する配線と
配線がショートしてしまうことが多く、半導体装置の歩
留りの低下が生じていた。

【０００９】そして、その原因は、図９（ｃ）の露光工
程や図９（ｅ）のエッチング工程において、パーティク
ルの影響を受けて配線形成用導電性膜３のエッチング残
りが生ずるためであることが判明した。この点につい
て、図１０及び図１１参照して説明する。なお、パーテ
ィクルは微小粒子であり、配線形成中に完全に除去して
おくことは不可能である。

【００１０】まず、図１０を参照して、前記従来の配線
形成方法において、露光工程でパーティクルの影響を受
けて配線のショートが生じてしまう場合について説明す
る。

【００１１】図１０は、前記従来の配線形成方法に従っ
た各工程を示す概略断面図であり、露光工程でパーティ
クルの影響を受けた状態を示している。

【００１２】図１０（ａ）では、図９（ａ）と同じく、
半導体基板１上に酸化膜２が形成され、該酸化膜２を下
地としてこの上に配線形成用導電性膜３が堆積されて形
成されている。

【００１３】次に、図１０（ｂ）に示すように、配線形
成用導電性膜３をエッチングするためのレジスト膜４を
塗布する。次に、図１０（ｃ）に示すように、所望の配
線パターンに応じたパターンを有するマスク５を用い
て、紫外線等によりレジスト膜４を露光する。このと
き、例えば図１０（ｃ）に示すように、パーティクル７
により本来露光されるべき一部の領域のレジスト膜４が
露光されない。次いで、図１０（ｄ）に示すように、レ
ジスト膜４の露光部分を除去する現像処理を行う。パー
ティクル７により本来露光されるべき一部の領域のレジ
スト膜４が露光されなかったので、図１０（ｄ）に示す
ように、現像処理により所望の配線に応じてパターニン
グされたレジスト膜６（レジスト膜４の一部）のみを残
存させることができず、不要な領域にレジスト膜８（レ
ジスト膜４の一部）が残存してしまう。図１０（ｄ）に
おいて、本来除去されるべき領域のレジスト膜８を点線
にて示す。

【００１４】その後、図１０（ｅ）に示すように、残存
したレジスト膜６，８をエッチングマスクとして、配線
形成用導電性膜３をエッチングし、更に図１０（ｆ）に
示すようにレジスト膜６，８を除去する。不要な領域の
レジスト膜８もエッチングマスクとして作用してしまう
ので、所望の配線を形成できず、配線と配線のショート
が生じてしまう。

【００１５】次に、図１１を参照して、前記従来の配線
形成方法において、配線形成用導電性膜３のエッチング
工程でパーティクルの影響を受けて配線のショートが生
じてしまう場合について説明する。図１１は、前記従来
の配線形成方法に従った各工程を示す概略断面図であ
り、エッチング工程でパーティクルの影響を受けた状態
を示している。

【００１６】図１１（ａ）では、図９（ａ）と同じく、
半導体基板１上に酸化膜２が形成され、該酸化膜２を下
地としてこの上に配線形成用導電性膜３が堆積されて形
成されている。

【００１７】次に、図１１（ｂ）に示すように、配線形
成用導電性膜３をエッチングするためのレジスト膜４を
塗布する。次に、図１１（ｃ）に示すように、所望の配
線パターンに応じたパターンを有するマスク５を用い
て、紫外線等によりレジスト膜４を露光する。次いで、
図１１（ｄ）のように、レジスト膜４の露光部分を除去
する現像処理を行い、所望の配線に応じてパターニング
されたレジスト膜６（レジスト膜４の一部）を残存させ
る。

【００１８】その後、図１１（ｅ）に示すように、形成
した所望のパターンを有するレジスト膜６をエッチング
マスクとして、配線形成用導電性膜３をエッチングす
る。このとき、レジストパターン形成後からエッチング
工程まで乃至エッチング工程中に付着したパーティクル
９により、除去すべき領域の配線形成用導電性膜３を完
全にはエッチング除去できず、配線と配線のショートが
生じてしまう。なお、エッチング後に、図１１（ｆ）に
示すようにレジスト膜６は剥離される。

【００１９】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、配線と配線のショートの可能性を低減させて半導体
装置の歩留りを向上させることができる、半導体装置に
おける配線形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の態様による配線形成方法は、下地上
に１層又は複数層の配線形成用導電性膜を形成する第１
の工程と、前記配線形成用導電性膜上に、所望の配線パ
ターンに応じてパターニングされたエッチングマスク層
を形成する第２の工程と、前記エッチングマスク層に従
って前記配線形成用導電性膜をエッチングする第３の工
程と、前記エッチングマスク層を除去する第４の工程
と、を備え、前記第１乃至第４の工程を経た後に、前記
第２乃至第４の工程を繰り返すものである。なお、前記
下地は、典型的には絶縁膜であるが、半導体層等でもよ
い。

【００２１】この第１の態様による配線形成方法によれ
ば、最初に前記第１乃至第４の工程を経た段階では、前
述した従来の配線形成方法と同様に、パーティクル等の
影響を受けて配線間のショートが生ずる場合がある。し
かし、前記第１の態様による配線形成方法では、その後
に、再度、前記第２乃至第４の工程、すなわち、リソグ
ラフィー及びエッチング工程が繰り返されるので、一旦
発生した配線間のショート部はエッチングされ、最終的
には配線間のショートは発生せず、半導体装置の歩留り
が向上する。パーティクルが露光用マスク内やウエハー
内の同一位置に再度付着する確率は極めて低いので、最
終的に配線間のショートが生ずる確率も極めて低く、半
導体装置の歩留り向上効果は極めて大きい。

【００２２】また、本発明の第２の態様による配線形成
方法は、下地上に１層又は複数層の配線形成用導電性膜
を形成する第１の工程と、前記配線形成用導電性膜上
に、所望の配線パターンに応じてパターニングされたエ
ッチングマスク層を形成する第２の工程と、前記エッチ
ングマスク層に従って前記配線形成用導電性膜をエッチ
ングする第３の工程と、前記エッチングマスク層を除去
する第４の工程と、前記下地及び前記配線形成用導電性
膜の上に絶縁膜を形成する第５の工程と、前記絶縁膜を
平坦化する第６の工程と、前記平坦化された絶縁膜を前
記配線形成用導電性膜が露出するようにエッチバックす
る第７の工程と、を備え、前記第１乃至第７の工程を経
た後に、前記第２乃至第４の工程を繰り返すものであ
る。

【００２３】この第２の態様による配線形成方法おいて
も、最初に前記第１乃至第４の工程を経た段階で発生し
た配線間のショート部は、再度繰り返される前記第２乃
至第４の工程、すなわち、エッチングマスク層形成及び
エッチング工程でエッチングされ、最終的には配線間の
ショートは発生せず、半導体装置の歩留りが向上する。

【００２４】そして、前記第２の態様による配線形成方
法によれば、配線間のショートによる不良を解消するた
めに再度エッチングマスク層形成及びエッチングを行う
前に、前記第５乃至第７の工程を行い、残存する配線形
成用導電性膜上部に絶縁膜を形成し、エッチバックにて
該配線形成用導電性膜の表面を露出させることにより、
該配線形成用導電性膜以外の箇所は絶縁膜で覆うように
することができる。したがって、該配線形成用導電性膜
以外の箇所を覆った絶縁膜によって、再度リソグラフィ
ー及びエッチングを行う際に、絶縁膜などの前記下地が
当該エッチングから保護されることになる。前記第５乃
至第７の工程を経ないで、前記第２乃至第４の工程を繰
り返すと、絶縁膜などの前記下地がエッチングされるこ
とによりシリコン基板表面が露出して該シリコン基板に
ダメージを生じさせるようなおそれがあるが、前記第２
の態様による配線形成方法によれば、前述したように前
記下地が再度のエッチングから保護されるので、そのよ
うなおそれがなくなる。したがって、前記第２の態様に
よる配線形成方法は、前記下地がゲート酸化膜等の比較
的薄い膜厚の絶縁膜である場合に特に有効である。

【００２５】本発明の第３の態様による配線形成方法
は、前記第１又は前記第２の態様による配線形成方法に
おいて、前記第２の工程が、前記配線形成用導電性膜上
に前記エッチングマスク層を塗布する塗布工程と、前記
所望の配線パターンに応じたパターンを有するマスクを
用いて、前記エッチングマスク層を露光する露光工程
と、前記エッチングマスク層の露光部分又は非露光部分
を除去する現像処理を行う現像工程と、を含むものであ
る。

【００２６】本発明の第４の態様による半導体装置の製
造方法は、前記第１乃至第３のいずれかの態様による配
線形成方法を、半導体装置の配線を形成する工程として
含むものである。

【００２７】

【発明の実施の形態】まず、本発明の第１の実施の形態
による配線形成方法について、図１及び図２を参照して
説明する。

【００２８】図１及び図２は、本実施の形態による配線
形成方法に従った各工程を示す概略断面図であり、露光
工程でパーティクルの影響を受けた状態を示している。

【００２９】図１（ａ）では、半導体基板１上に絶縁膜
として酸化膜２が形成され、該酸化膜２を下地としてこ
の上に配線形成用導電性膜３が堆積されて形成されてい
る。配線形成用導電性膜３は１層又は複数層からなる。

【００３０】次に、配線形成用導電性膜３上に、所望の
配線パターンに応じてパターニングされたエッチングマ
スク層としてのレジスト膜６を形成する。すなわち、ま
ず、図１（ｂ）に示すように、配線形成用導電性膜３を
エッチングするためのレジスト膜４を塗布する（塗布工
程）。ここでは、一例として、レジスト膜４としてポジ
型レジスト膜を塗布した場合を示している。次に、図１
（ｃ）に示すように、所望の配線パターンに応じたパタ
ーンを有するマスク５を用いて、紫外線等によりレジス
ト膜４を露光する（露光工程）。このとき、例えば図１
（ｃ）に示すように、パーティクル７により本来露光さ
れるべき一部の領域のレジスト膜４が露光されない。次
いで、図１（ｄ）に示すように、レジスト膜４の露光部
分（レジスト膜４としてネガ型レジスト膜を用いた場合
には非露光部分）を除去する現像処理を行う（現像工
程）。パーティクル７により本来露光されるべき一部の
領域のレジスト膜４が露光されなかったので、図１
（ｄ）に示すように、現像処理により所望の配線に応じ
てパターニングされたレジスト膜６（レジスト膜４の一
部）のみを残存させることができず、不要な領域にレジ
スト膜８（レジスト膜４の一部）が残存してしまう。図
１（ｄ）において、本来除去されるべき領域のレジスト
膜８を点線にて示す。

【００３１】その後、図１（ｅ）に示すように、残存し
たレジスト膜６，８をエッチングマスクとして、配線形
成用導電性膜３をエッチングし、更に図１（ｆ）に示す
ようにレジスト膜６，８を除去する。不要な領域のレジ
スト膜８もエッチングマスクとして作用してしまうの
で、この段階では、前記従来の配線形成方法と同様に、
所望の配線を形成できず、配線と配線がショートしてい
る状態となる。

【００３２】次に、配線形成用導電性膜３上に、再び、
所望の配線パターンに応じてパターニングされたエッチ
ングマスク層としてのレジスト膜１１を形成する。すな
わち、まず、図２（ａ）に示すように、配線形成用導電
性膜３をエッチングするためのレジスト膜１０を塗布す
る（塗布工程）。ここでは、一例として、レジスト膜１
０としてポジ型レジスト膜を塗布した場合を示してい
る。次に、図２（ｂ）に示すように、前述の所望の配線
パターンに応じたパターンを有するマスク５を用いて、
紫外線等によりレジスト膜１０を露光する（露光工
程）。次いで、図２（ｃ）に示すように、レジスト膜１
０の露光部分（レジスト膜１０としてネガ型レジスト膜
を用いた場合には非露光部分）を除去する現像処理を行
い（現像工程）、所望の配線に応じてパターニングされ
たレジスト膜１１（レジスト膜１０の一部）を残存させ
る。図２（ｂ）に示す露光工程において、図１（ｃ）に
示した位置と全く同一位置にパーティクルが存在しない
限り（再度同一位置にパーティクルが存在する確率は極
めて低い）、図１（ｅ）にて残存した不要な部分の配線
形成用導電性膜３をエッチングできるように、レジスト
膜１１は所望の配線パターンに形成される。

【００３３】その後、図２（ｄ）に示すように、このレ
ジスト膜１１をエッチングマスクとして不要な部位の残
存した配線形成用導電性膜３をエッチング除去し、引き
続いて、図２（ｅ）に示すように、レジスト膜１１を剥
離除去する。これにより、最終的にショートのない所望
の配線パターンを有する配線が形成される。よって、半
導体装置の歩留りが向上する。

【００３４】次に、図３及び図４を参照して、本発明の
前記第１の実施の形態による配線形成方法において、配
線形成用導電性膜３のエッチング工程でパーティクルの
影響を受けた場合について説明する。

【００３５】図３及び図４は、前記第１の実施の形態に
よる配線形成方法に従った各工程を示す概略断面図であ
り、配線形成用導電性膜３のエッチング工程でパーティ
クルの影響を受けた状態を示している。

【００３６】図３（ａ）では、図１（ａ）と同じく、半
導体基板１上に酸化膜２が形成され、該酸化膜２を下地
としてこの上に配線形成用導電性膜３が堆積されて形成
されている。

【００３７】次に、配線形成用導電性膜３上に、所望の
配線パターンに応じてパターニングされたエッチングマ
スク層としてのレジスト膜６を形成する。すなわち、ま
ず、図３（ｂ）に示すように、配線形成用導電性膜３を
エッチングするためのレジスト膜４を塗布する。次に、
図３（ｃ）に示すように、所望の配線パターンに応じた
パターンを有するマスク５を用いて、紫外線等によりレ
ジスト膜４を露光する。次いで、図３（ｄ）に示すよう
に、レジスト膜４の露光部分を除去する現像処理を行
い、所望の配線に応じてパターニングされたレジスト膜
６（レジスト膜４の一部）を残存させる。

【００３８】その後、図３（ｅ）に示すように、形成し
た所望のパターンを有するレジスト膜６をエッチングマ
スクとして、配線形成用導電性膜３をエッチングする。
このとき、レジストパターン形成後からエッチング工程
まで乃至エッチング工程中に付着したパーティクル９に
より、除去すべき領域の配線形成用導電性膜３を完全に
はエッチング除去できず、この段階では、前記従来の配
線形成方法と同様に、配線と配線のショートが生じてし
まう。なお、エッチング後に、図３（ｆ）に示すように
レジスト膜６は剥離される。

【００３９】次に、配線形成用導電性膜３上に、再び、
所望の配線パターンに応じてパターニングされたエッチ
ングマスク層としてのレジスト膜１１を形成する。すな
わち、まず、図４（ａ）に示すように、配線形成用導電
性膜３をエッチングするためのレジスト膜１０を塗布す
る。次に、図４（ｂ）に示すように、前述の所望の配線
パターンに応じたパターンを有するマスク５を用いて、
紫外線等によりレジスト膜１０を露光する。次いで、図
４（ｃ）に示すように、レジスト膜１０の露光部分を除
去する現像処理を行い、所望の配線に応じてパターニン
グされたレジスト膜１１（レジスト膜１０の一部）を残
存させる。

【００４０】その後、図４（ｄ）に示すように、形成し
た所望のパターンを有するレジスト膜１１をエッチング
マスクとして、配線形成用導電性膜３をエッチングす
る。図４（ｄ）に示すエッチング工程の際に、図３
（ｅ）に示した位置と全く同一位置にパーティクルが存
在しない限り（再度同一位置にパーティクルが存在する
確率は極めて低い）、図３（ｅ）にて残存した不要な部
分の配線形成用導電性膜３がエッチング除去される。次
いで、図４（ｅ）に示すように、レジスト膜１１を剥離
除去する。これにより、最終的にショートのない所望の
配線パターンを有する配線が形成される。よって、半導
体装置の歩留りが向上する。

【００４１】ところで、前記第１の実施の形態による配
線形成方法では、図２（ｄ）及び図４（ｄ）に示すよう
に、２回目の配線形成用導電性膜３のエッチング工程に
おいて、配線の下地である酸化膜２もエッチングされる
ことになる。図２（ｄ）及び図４（ｄ）に示す例では、
このように酸化膜２がエッチングされても、酸化膜２が
比較的厚いので何ら支障は生じない。しかし、配線の下
地である酸化膜２がゲート酸化膜等の比較的薄い膜であ
る場合には、２回目の配線形成用導電性膜３のエッチン
グ工程において酸化膜２が完全にエッチングされてしま
い、半導体基板１の表面が露出し、半導体基板１にダメ
ージが生じてしまう。

【００４２】次に、配線の下地である酸化膜２が薄くて
も、このようなダメージを生じさせるおそれのない、本
発明の第２の実施の形態による配線形成方法について、
図５及び図６を参照して説明する。

【００４３】図５及び図６は、本実施の形態による配線
形成方法に従った各工程を示す概略断面図であり、露光
工程でパーティクルの影響を受けた状態を示している。

【００４４】図５（ａ）では、半導体基板１上に絶縁膜
として酸化膜２が形成され、該酸化膜２を下地としてこ
の上に配線形成用導電性膜３が堆積されて形成されてい
る。配線形成用導電性膜３は１層又は複数層からなる。
本例では、酸化膜２は図１乃至図４に示す場合に比べて
薄くなっている。

【００４５】次に、配線形成用導電性膜３上に、所望の
配線パターンに応じてパターニングされたエッチングマ
スク層としてのレジスト膜６を形成する。すなわち、ま
ず、図５（ｂ）に示すように、配線形成用導電性膜３を
エッチングするためのレジスト膜４を塗布する（塗布工
程）。ここでは、一例として、レジスト膜４としてポジ
型レジスト膜を塗布した場合を示している。次に、図５
（ｃ）に示すように、所望の配線パターンに応じたパタ
ーンを有するマスク５を用いて、紫外線等によりレジス
ト膜４を露光する（露光工程）。このとき、例えば図５
（ｃ）に示すように、パーティクル７により本来露光さ
れるべき一部の領域のレジスト膜４が露光されない。次
いで、図５（ｄ）に示すように、レジスト膜４の露光部
分（レジスト膜４としてネガ型レジスト膜を用いた場合
には非露光部分）を除去する現像処理を行う（現像工
程）。パーティクル７により本来露光されるべき一部の
領域のレジスト膜４が露光されなかったので、図５
（ｄ）に示すように、現像処理により所望の配線に応じ
てパターニングされたレジスト膜６（レジスト膜４の一
部）のみを残存させることができず、不要な領域にレジ
スト膜８（レジスト膜４の一部）が残存してしまう。図
５（ｄ）において、本来除去されるべき領域のレジスト
膜８を点線にて示す。

【００４６】次に、図５（ｅ）に示すように、残存した
レジスト膜６，８をエッチングマスクとして、配線形成
用導電性膜３をエッチングし、更に図５（ｆ）に示すよ
うにレジスト膜６，８を除去する。不要な領域のレジス
ト膜８もエッチングマスクとして作用してしまうので、
この段階では、前記従来の配線形成方法と同様に、所望
の配線を形成できず、配線と配線がショートしている状
態となる。

【００４７】その後、図６（ａ）に示すように、層間絶
縁膜として例えばＰＳＧ膜１２を、配線の下地である酸
化膜２及び配線形成用導電性膜３の上に形成する。次い
で、例えばＳＯＧ膜１３をＰＳＧ膜１２上に塗布焼成
し、ＰＳＧ膜１２による表面形状を平坦化する。次に、
図６（ｂ）に示すように、リアクティブイオンエッチン
グ装置等を用いた酸化膜ドライエッチングにて、エッチ
バックを行い、配線形成用導電性膜３の表面を露出させ
る。

【００４８】次に、配線形成用導電性膜３上に、再び、
所望の配線パターンに応じてパターニングされたエッチ
ングマスク層としてのレジスト膜１１を形成する。すな
わち、まず、図６（ｃ）に示すように、配線形成用導電
性膜３をエッチングするためのレジスト膜１０を塗布す
る（塗布工程）。ここでは、一例として、レジスト膜１
０としてポジ型レジスト膜を塗布した場合を示してい
る。次に、図６（ｄ）に示すように、前述の所望の配線
パターンに応じたパターンを有するマスク５を用いて、
紫外線等によりレジスト膜１０を露光する（露光工
程）。次いで、図６（ｅ）に示すように、レジスト膜１
０の露光部分（レジスト膜１０としてネガ型レジスト膜
を用いた場合には非露光部分）を除去する現像処理を行
い（現像工程）、所望の配線に応じてパターニングされ
たレジスト膜１１（レジスト膜１０の一部）を残存させ
る。図６（ｄ）に示す露光工程において、図５（ｃ）に
示した位置と全く同一位置にパーティクルが存在しない
限り（再度同一位置にパーティクルが存在する確率は極
めて低い）、図５（ｅ）にて残存した不要な部分の配線
形成用導電性膜３をエッチングできるように、レジスト
膜１１は所望の配線パターンに形成される。

【００４９】その後、図６（ｆ）に示すように、このレ
ジスト膜１１をエッチングマスクとして不要な部位の残
存した配線形成用導電性膜３をエッチング除去する。こ
のとき、ＳＯＧ膜１３及びＰＳＧ膜１２がこの再度のエ
ッチングに対して酸化膜２を保護することになり、酸化
膜２が薄くても、半導体基板１の表面が露出して半導体
基板１にダメージが生じてしまうようなおそれがない。
次に、図２（ｇ）に示すように、レジスト膜１１を剥離
除去する。これにより、最終的にショートのない所望の
配線パターンを有する配線が形成される。よって、半導
体装置の歩留りが向上する。

【００５０】次に、図７及び図８を参照して、本発明の
前記第２の実施の形態による配線形成方法において、配
線形成用導電性膜３のエッチング工程でパーティクルの
影響を受けた場合について説明する。

【００５１】図７及び図８は、前記第２の実施の形態に
よる配線形成方法に従った各工程を示す概略断面図であ
り、配線形成用導電性膜３のエッチング工程でパーティ
クルの影響を受けた状態を示している。

【００５２】図７（ａ）では、図５（ａ）と同じく、半
導体基板１上に比較的薄い酸化膜２が形成され、該酸化
膜２を下地としてこの上に配線形成用導電性膜３が堆積
されて形成されている。

【００５３】次に、配線形成用導電性膜３上に、所望の
配線パターンに応じてパターニングされたエッチングマ
スク層としてのレジスト膜６を形成する。すなわち、ま
ず、図７（ｂ）に示すように、配線形成用導電性膜３を
エッチングするためのレジスト膜４を塗布する。次に、
図７（ｃ）に示すように、所望の配線パターンに応じた
パターンを有するマスク５を用いて、紫外線等によりレ
ジスト膜４を露光する。次いで、図７（ｄ）に示すよう
に、レジスト膜４の露光部分を除去する現像処理を行
い、所望の配線に応じてパターニングされたレジスト膜
６（レジスト膜４の一部）を残存させる。

【００５４】その後、図７（ｅ）に示すように、形成し
た所望のパターンを有するレジスト膜６をエッチングマ
スクとして、配線形成用導電性膜３をエッチングする。
このとき、レジストパターン形成後からエッチング工程
まで乃至エッチング工程中に付着したパーティクル９に
より、除去すべき領域の配線形成用導電性膜３を完全に
はエッチング除去できず、この段階では、前記従来の配
線形成方法と同様に、配線と配線のショートが生じてし
まう。なお、エッチング後に、図７（ｆ）に示すように
レジスト膜６は剥離される。

【００５５】その後、図８（ａ）に示すように、層間絶
縁膜として例えばＰＳＧ膜１２を、配線の下地である酸
化膜２及び配線形成用導電性膜３の上に形成する。次い
で、例えばＳＯＧ膜１３をＰＳＧ膜１２上に塗布焼成
し、ＰＳＧ膜１２による表面形状を平坦化する。次に、
図８（ｂ）に示すように、リアクティブイオンエッチン
グ装置等を用いた酸化膜ドライエッチングにて、エッチ
バックを行い、配線形成用導電性膜３の表面を露出させ
る。

【００５６】次に、配線形成用導電性膜３上に、再び、
所望の配線パターンに応じてパターニングされたエッチ
ングマスク層としてのレジスト膜１１を形成する。すな
わち、まず、図８（ｃ）に示すように、配線形成用導電
性膜３をエッチングするためのレジスト膜１０を塗布す
る。次に、図８（ｄ）に示すように、前述の所望の配線
パターンに応じたパターンを有するマスク５を用いて、
紫外線等によりレジスト膜１０を露光する。次いで、図
８（ｅ）に示すように、レジスト膜１０の露光部分を除
去する現像処理を行い、所望の配線に応じてパターニン
グされたレジスト膜１１（レジスト膜１０の一部）を残
存させる。

【００５７】その後、図８（ｆ）に示すように、このレ
ジスト膜１１をエッチングマスクとして不要な部位の残
存した配線形成用導電性膜３をエッチング除去する。こ
のとき、ＰＳＧ膜１２がこの再度のエッチングに対して
酸化膜２を保護することになり、酸化膜２が薄くても、
半導体基板１の表面が露出して半導体基板１にダメージ
が生じてしまうようなおそれがない。図８（ｆ）に示す
エッチング工程の際に、図７（ｅ）に示した位置と全く
同一位置にパーティクルが存在しない限り（再度同一位
置にパーティクルが存在する確率は極めて低い）、図７
（ｅ）にて残存した不要な部分の配線形成用導電性膜３
がエッチング除去される。次いで、図８（ｇ）に示すよ
うに、レジスト膜１１を剥離除去する。これにより、最
終的にショートのない所望の配線パターンを有する配線
が形成される。よって、半導体装置の歩留りが向上す
る。

【００５８】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるもの
ではない。

【００５９】例えば、図６（ａ）乃至図８（ａ）に示し
た層間絶縁膜形成、平坦化工程は、前記実施の形態に限
らず、例えばＢＰＳＧ膜を塗布し、熱処理による平坦化
を行ったり、プラズマＣＶＤ法による酸化膜、窒化膜等
の積層膜や、該膜とＳＯＧ膜との組合せを用いてもよい
ことは言うまでもない。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
配線と配線のショートの可能性が低減され、半導体装置
の歩留りを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による配線形成方法
に従った各工程を示す概略断面図であり、露光工程でパ
ーティクルの影響を受けた状態を示す。

【図２】図１に示す工程に引き続く各工程を示す概略断
面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態による配線形成方法
に従った各工程を示す概略断面図であり、配線形成用導
電性膜のエッチング工程でパーティクルの影響を受けた
状態を示す。

【図４】図３に示す工程に引き続く各工程を示す概略断
面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態による配線形成方法
に従った各工程を示す概略断面図であり、露光工程でパ
ーティクルの影響を受けた状態を示す。

【図６】図５に示す工程に引き続く各工程を示す概略断
面図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態による配線形成方法
に従った各工程を示す概略断面図であり、配線形成用導
電性膜のエッチング工程でパーティクルの影響を受けた
状態を示す。

【図８】図７に示す工程に引き続く各工程を示す概略断
面図である。

【図９】従来の配線形成方法に従った各工程を示す概略
断面図であり、パーティクルによる影響を受けない正常
な状態を示す。

【図１０】前記従来の配線形成方法に従った各工程を示
す概略断面図であり、露光工程でパーティクルの影響を
受けた状態を示す。

【図１１】前記従来の配線形成方法に従った各工程を示
す概略断面図であり、配線形成用導電性膜のエッチング
工程でパーティクルの影響を受けた状態を示す。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 酸化膜 ３ 配線形成用導電性膜 ４ レジスト膜 ５ 所望の配線パターン形成用マスク ６ 現像後にパターニングされたレジスト膜 ７ 露光工程におけるパーティクル ８ 除去されるべき領域のレジスト膜 ９ エッチング工程におけるパーティクル １０ 再リソグラフィ用レジスト膜 １１ 再リソグラフィ時の現像後にパターニングされた
レジスト膜 １２ ＰＳＧ膜 １３ ＳＯＧ膜

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下地上に１層又は複数層の配線形成用導
   電性膜を形成する第１の工程と、 前記配線形成用導電性膜上に、所望の配線パターンに応
   じてパターニングされたエッチングマスク層を形成する
   第２の工程と、 前記エッチングマスク層に従って前記配線形成用導電性
   膜をエッチングする第３の工程と、 前記エッチングマスク層を除去する第４の工程と、 を備え、 前記第１乃至第４の工程を経た後に、前記第２乃至第４
   の工程を繰り返すことを特徴とする配線形成方法。
2. 【請求項２】 下地上に１層又は複数層の配線形成用導
   電性膜を形成する第１の工程と、 前記配線形成用導電性膜上に、所望の配線パターンに応
   じてパターニングされたエッチングマスク層を形成する
   第２の工程と、 前記エッチングマスク層に従って前記配線形成用導電性
   膜をエッチングする第３の工程と、 前記エッチングマスク層を除去する第４の工程と、 前記下地及び前記配線形成用導電性膜の上に絶縁膜を形
   成する第５の工程と、 前記絶縁膜を平坦化する第６の工程と、 前記平坦化された絶縁膜を前記配線形成用導電性膜が露
   出するようにエッチバックする第７の工程と、 を備え、 前記第１乃至第７の工程を経た後に、前記第２乃至第４
   の工程を繰り返すことを特徴とする配線形成方法。
3. 【請求項３】 前記第２の工程が、前記配線形成用導電
   性膜上に前記エッチングマスク層を塗布する塗布工程
   と、前記所望の配線パターンに応じたパターンを有する
   マスクを用いて前記エッチングマスク層を露光する露光
   工程と、前記エッチングマスク層の露光部分又は非露光
   部分を除去する現像処理を行う現像工程と、を含むこと
   を特徴とする請求項１又は２記載の配線形成方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の配線
   形成方法を、半導体装置の配線を形成する工程として含
   むことを特徴とする半導体装置の製造方法。