JPH09101200A - イメ−ジセンサ− - Google Patents
イメ−ジセンサ−Info
- Publication number
- JPH09101200A JPH09101200A JP7282389A JP28238995A JPH09101200A JP H09101200 A JPH09101200 A JP H09101200A JP 7282389 A JP7282389 A JP 7282389A JP 28238995 A JP28238995 A JP 28238995A JP H09101200 A JPH09101200 A JP H09101200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- photosensitive element
- group
- general formula
- oxytitanium phthalocyanine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】直読の可能な原稿幅サイズイメ−ジセンサ−を
提供することである。 【解決手段】絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共通
電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ−
において、該感光素子がオキシチタニウムフタロシアニ
ンと下記構造式の化合物を有効成分として含有する光導
電膜を有することを特徴とするイメ−ジセンサ−。
提供することである。 【解決手段】絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共通
電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ−
において、該感光素子がオキシチタニウムフタロシアニ
ンと下記構造式の化合物を有効成分として含有する光導
電膜を有することを特徴とするイメ−ジセンサ−。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイメ−ジセンサ−に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】感光素子に光導電材料を用いたイメ−ジ
センサ−は、小型化高信頼化に優れ、また、量産効果に
よる低価格化も容易なことから、ファクシミリ等におけ
る画像読み取り装置に広く用いられている。
センサ−は、小型化高信頼化に優れ、また、量産効果に
よる低価格化も容易なことから、ファクシミリ等におけ
る画像読み取り装置に広く用いられている。
【０００３】従来、感光素子として知られているものと
しては、硫化カドミウム、アモルファスシリコンを用い
た感光素子として特開昭５９−５４３７３号公報、特開
昭５９−１１２６５１号公報、特開昭５９−１１０１７
７号公報等があり、Ｐ−Ｃ−Ｓｉを使用した感光素子と
しては特開昭５８−１１８１１６号公報が挙げられ、ま
た、「日経エレクトロニクス」（１９８２年４月２６
日）では硫化カドミウム、アモルファスシリコンの他に
ＣｄＳｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ等を用いた感光素子を紹介
している。
しては、硫化カドミウム、アモルファスシリコンを用い
た感光素子として特開昭５９−５４３７３号公報、特開
昭５９−１１２６５１号公報、特開昭５９−１１０１７
７号公報等があり、Ｐ−Ｃ−Ｓｉを使用した感光素子と
しては特開昭５８−１１８１１６号公報が挙げられ、ま
た、「日経エレクトロニクス」（１９８２年４月２６
日）では硫化カドミウム、アモルファスシリコンの他に
ＣｄＳｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ等を用いた感光素子を紹介
している。
【０００４】しかしながら、上記の光導電材料を用いた
イメ−ジセンサ−は成膜方法、感光特性等から感光素子
を大きく作成することは困難であり、原稿読み取りに縮
小光学レンズを必要とし、焦点距離を確保するために画
像読み取り装置全体の大きさが大きくなる問題点があっ
た。
イメ−ジセンサ−は成膜方法、感光特性等から感光素子
を大きく作成することは困難であり、原稿読み取りに縮
小光学レンズを必要とし、焦点距離を確保するために画
像読み取り装置全体の大きさが大きくなる問題点があっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、直読
の可能な原稿幅サイズイメ−ジセンサ−を提供すること
である。
の可能な原稿幅サイズイメ−ジセンサ−を提供すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁性基体上に
少なくとも個別電極、共通電極及び感光素子を設けて構
成されるイメ−ジセンサ−において、該感光素子がオキ
シチタニウムフタロシアニンと一般式（１）で示される
スチルベン化合物を有効成分として含有する光導電膜を
有することを特徴とするイメ−ジセンサ−から構成され
る。 一般式（１）
少なくとも個別電極、共通電極及び感光素子を設けて構
成されるイメ−ジセンサ−において、該感光素子がオキ
シチタニウムフタロシアニンと一般式（１）で示される
スチルベン化合物を有効成分として含有する光導電膜を
有することを特徴とするイメ−ジセンサ−から構成され
る。 一般式（１）
【化７】 式中、Ｘは−ＣＨ２ＣＨ２−または−ＣＨ＝ＣＨ−を示
し、Ｒ１及びＲ２はアルキル基、芳香環基または複素環
基を示し、Ｒ３及びＲ４は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ５は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはニトロ
基を示す。
し、Ｒ１及びＲ２はアルキル基、芳香環基または複素環
基を示し、Ｒ３及びＲ４は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ５は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはニトロ
基を示す。
【０００７】また、本発明は絶縁性基体上に少なくとも
個別電極、共通電極及び感光素子を設けて構成されるイ
メ−ジセンサ−において、該感光素子がオキシチタニウ
ムフタロシアニンと一般式（２）で示されるフルオレン
化合物を有効成分として含有する光導電膜を有すること
を特徴とするイメ−ジセンサ−から構成される。 一般式（２）
個別電極、共通電極及び感光素子を設けて構成されるイ
メ−ジセンサ−において、該感光素子がオキシチタニウ
ムフタロシアニンと一般式（２）で示されるフルオレン
化合物を有効成分として含有する光導電膜を有すること
を特徴とするイメ−ジセンサ−から構成される。 一般式（２）
【化８】 式中、Ａｒ１及びＡｒ２は置換基を有してもよい芳香環
を示し、Ｒ６及びＲ７は水素原子、アルキル基、アラル
キル基またはアリ−ル基を示し、Ｒ８は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。
を示し、Ｒ６及びＲ７は水素原子、アルキル基、アラル
キル基またはアリ−ル基を示し、Ｒ８は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。
【０００８】本発明は絶縁性基体上に少なくとも個別電
極、共通電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジ
センサ−において、該感光素子がオキシチタニウムフタ
ロシアニンと一般式（１）で示されるスチルベン化合物
と一般式（２）で示されるフルオレン化合物を有効成分
として含有する光導電膜を有することを特徴とするイメ
−ジセンサ−から構成される。 一般式（１）
極、共通電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジ
センサ−において、該感光素子がオキシチタニウムフタ
ロシアニンと一般式（１）で示されるスチルベン化合物
と一般式（２）で示されるフルオレン化合物を有効成分
として含有する光導電膜を有することを特徴とするイメ
−ジセンサ−から構成される。 一般式（１）
【化５】 式中、Ｘは−ＣＨ２ＣＨ２−または−ＣＨ＝ＣＨ−を示
し、Ｒ１及びＲ２はアルキル基、芳香環基または複素環
基を示し、Ｒ３及びＲ４は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ５は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはニトロ
基を示す。 一般式（２）
し、Ｒ１及びＲ２はアルキル基、芳香環基または複素環
基を示し、Ｒ３及びＲ４は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ５は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはニトロ
基を示す。 一般式（２）
【化６】 式中、Ａｒ１及びＡｒ２は置換基を有してもよい芳香環
を示し、Ｒ６及びＲ７は水素原子、アルキル基、アラル
キル基またはアリ−ル基を示し、Ｒ８は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。
を示し、Ｒ６及びＲ７は水素原子、アルキル基、アラル
キル基またはアリ−ル基を示し、Ｒ８は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。
【０００９】上記表現において、アルキル基としてはメ
チル、エチル、プロピル等の基、アラルキル基としては
ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、芳香環
基としてはフェニル、ナフチル等の基、複素環基として
はピリジル、キノリル、チエニル、フリル等の基、アル
コキシ基としてはメトキシ、エトキシ、プロポキシ等の
基、また、これ等の基における置換基としては例えばメ
チル、エチル、プロピル等のアルキル基、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子または
ニトロ基が挙げられる。更に芳香環としてはベンゼン
環、ナフタレン環が挙げられる。
チル、エチル、プロピル等の基、アラルキル基としては
ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、芳香環
基としてはフェニル、ナフチル等の基、複素環基として
はピリジル、キノリル、チエニル、フリル等の基、アル
コキシ基としてはメトキシ、エトキシ、プロポキシ等の
基、また、これ等の基における置換基としては例えばメ
チル、エチル、プロピル等のアルキル基、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子または
ニトロ基が挙げられる。更に芳香環としてはベンゼン
環、ナフタレン環が挙げられる。
【０００１０】本発明者等は、直読可能な原稿幅サイズ
のイメ−ジセンサ−を作成すべく、オキシチタニウムフ
タロシアニンを利用した感光素子用の光導電材料につい
て研究の結果、オキシチタニウムフタロシアニン単体を
主成分とした光導電膜よりも、オキシチタニウムフタロ
シアニンとスチルベン化合物またはフルオレン化合物の
少なくとも一方とを主成分とした光導電膜が、とりわ
け、Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニンとスチルベン
化合物またはフルオレン化合物の少なくとも一方とを主
成分とする光導電膜がキヤリアの移動度が大きく、応答
速度が改善され、繰り返し使用時のＳＮ比低下、強露光
時の光メモリ−特性においても改善され、感光素子用の
光導電材料として好適に用いられることを見出して、本
発明に到達したものである。
のイメ−ジセンサ−を作成すべく、オキシチタニウムフ
タロシアニンを利用した感光素子用の光導電材料につい
て研究の結果、オキシチタニウムフタロシアニン単体を
主成分とした光導電膜よりも、オキシチタニウムフタロ
シアニンとスチルベン化合物またはフルオレン化合物の
少なくとも一方とを主成分とした光導電膜が、とりわ
け、Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニンとスチルベン
化合物またはフルオレン化合物の少なくとも一方とを主
成分とする光導電膜がキヤリアの移動度が大きく、応答
速度が改善され、繰り返し使用時のＳＮ比低下、強露光
時の光メモリ−特性においても改善され、感光素子用の
光導電材料として好適に用いられることを見出して、本
発明に到達したものである。
【００１１】本発明のイメ−ジセンサ−を用いた画像読
み取り装置の構成について説明すると、図３は本発明の
イメ−ジセンサ−を用いた画像読み取り装置の１例の該
略構成図である。この例の画像読み取り装置は照明光源
８、導光系としてのロッドレンズアレイ１０、アレイ状
に感光素子が設けられたイメ−ジセンサ−９を有し、そ
の他イメ−ジセンサ−駆動のために不図示の読み取り回
路及び走査回路が必要となる。照明光源８から放出され
た光は原稿７を反射し、ロッドレンズアレイ１０を通っ
てイメ−ジセンサ−９に照射される。このイメ−ジセン
サ−９から読み出し回路を用いて原稿７の情報が読み出
されるわけであるが、読み出し方式には、リアルタイム
方式と電荷蓄積方式の２方式がある。
み取り装置の構成について説明すると、図３は本発明の
イメ−ジセンサ−を用いた画像読み取り装置の１例の該
略構成図である。この例の画像読み取り装置は照明光源
８、導光系としてのロッドレンズアレイ１０、アレイ状
に感光素子が設けられたイメ−ジセンサ−９を有し、そ
の他イメ−ジセンサ−駆動のために不図示の読み取り回
路及び走査回路が必要となる。照明光源８から放出され
た光は原稿７を反射し、ロッドレンズアレイ１０を通っ
てイメ−ジセンサ−９に照射される。このイメ−ジセン
サ−９から読み出し回路を用いて原稿７の情報が読み出
されるわけであるが、読み出し方式には、リアルタイム
方式と電荷蓄積方式の２方式がある。
【００１２】図４の（Ａ）はリアルタイム方式の読み出
し回路の１例を示す回路図であり、図４の（Ｂ）は電荷
蓄積方式の読み出し回路の１例を示す回路図である。
し回路の１例を示す回路図であり、図４の（Ｂ）は電荷
蓄積方式の読み出し回路の１例を示す回路図である。
【００１３】図４の（Ａ）においてイメ−ジセンサ−９
の各感光素子１７は各感光素子１７の一方に直列にブロ
ッキングダイオ−ド１５の陰極を接続し、他方に切替ス
イッチ１６を個別電極１４を介して接続し、ブロッキン
グダイオ−ド１５の陽極側を共通電極１３に接続する。
共通電極１３は電源１１、負荷抵抗１２、電流検知手段
１８を介して、切替スイッチ１６の他方と共通に接続さ
れる。リアルタイム方式は上記回路構成により、切替ス
イッチ１６を順次切換えることによって、感光素子１７
の抵抗変化を電流変化に変換し、電流検知手段１８によ
って光電変換出力信号として取り出すものである。
の各感光素子１７は各感光素子１７の一方に直列にブロ
ッキングダイオ−ド１５の陰極を接続し、他方に切替ス
イッチ１６を個別電極１４を介して接続し、ブロッキン
グダイオ−ド１５の陽極側を共通電極１３に接続する。
共通電極１３は電源１１、負荷抵抗１２、電流検知手段
１８を介して、切替スイッチ１６の他方と共通に接続さ
れる。リアルタイム方式は上記回路構成により、切替ス
イッチ１６を順次切換えることによって、感光素子１７
の抵抗変化を電流変化に変換し、電流検知手段１８によ
って光電変換出力信号として取り出すものである。
【００１４】次に、本発明のイメ−ジセンタ−の構成の
１例を説明すると、図１の（Ａ）〜（Ｄ）は構成の１例
を説明するための概略的部分構成図である。感光素子の
光導電膜の構成例として、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に単
層方式、図１の（Ｃ）及び（Ｄ）に積層方式を示した。
１例を説明すると、図１の（Ａ）〜（Ｄ）は構成の１例
を説明するための概略的部分構成図である。感光素子の
光導電膜の構成例として、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に単
層方式、図１の（Ｃ）及び（Ｄ）に積層方式を示した。
【００１５】単層方式は同一光導電層１内に本発明にお
ける光導電材料を分散させて層形成する場合に用い、積
層方式は本発明における光導電材料を各光導電層（ここ
では第一の光導電層１ａと第二の光導電層１ｂの２層）
ごとに組成比、材質等を変えて層形成する場合に用いら
れるものである。
ける光導電材料を分散させて層形成する場合に用い、積
層方式は本発明における光導電材料を各光導電層（ここ
では第一の光導電層１ａと第二の光導電層１ｂの２層）
ごとに組成比、材質等を変えて層形成する場合に用いら
れるものである。
【００１６】感光素子の構成としては、図１の（Ａ）及
び（Ｃ）に示したプレナ−方式と図１の（Ｂ）及び
（Ｄ）に示したサンドイッチ方式とがある。サンドイッ
チ方式は絶縁性基板３上において、上部電極２ａと下部
電極２ｂ間に光導電層１または光導電層１ａ、１ｂを挟
んだものであり、サンドイッチ方式は光導電層厚が電極
間隔となるため電極間隔を高精度、かつ、容易に制御で
きる長所がある。一方、プレナ−方式は絶縁性基板３上
で電極２を同時に形成するものであり、サンドイッチ方
式に比して耐ピンホ−ル特性に優れ、電極を１回の工程
で作成できるので工程が容易化できる長所がある。
び（Ｃ）に示したプレナ−方式と図１の（Ｂ）及び
（Ｄ）に示したサンドイッチ方式とがある。サンドイッ
チ方式は絶縁性基板３上において、上部電極２ａと下部
電極２ｂ間に光導電層１または光導電層１ａ、１ｂを挟
んだものであり、サンドイッチ方式は光導電層厚が電極
間隔となるため電極間隔を高精度、かつ、容易に制御で
きる長所がある。一方、プレナ−方式は絶縁性基板３上
で電極２を同時に形成するものであり、サンドイッチ方
式に比して耐ピンホ−ル特性に優れ、電極を１回の工程
で作成できるので工程が容易化できる長所がある。
【００１７】次に、感光素子を構成する材料及び処方に
ついて説明すると、本発明のイメ−ジセンタ−に用いる
絶縁性基板としては、例えば基板側から受光する場合に
は透光性のガラス、セラミック、プラスチックまたはこ
れ等を組み合わせたものを用いる。なお、基板上に形成
される光導電膜側から光照射する場合は、非透光性の絶
縁性基板でもよく、また金属等の非絶縁性の基板上に絶
縁処理された基板であってもよい。
ついて説明すると、本発明のイメ−ジセンタ−に用いる
絶縁性基板としては、例えば基板側から受光する場合に
は透光性のガラス、セラミック、プラスチックまたはこ
れ等を組み合わせたものを用いる。なお、基板上に形成
される光導電膜側から光照射する場合は、非透光性の絶
縁性基板でもよく、また金属等の非絶縁性の基板上に絶
縁処理された基板であってもよい。
【００１８】絶縁性基板上に設置されるセンサ−駆動用
の個別電極、共通電極としては、例えばアルミニウム、
チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバル
ト、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、スズ、銀、金、モリブデ
ン、タングステン等の金属膜、これ等金属及び合金２種
以上の多層膜が用いられ、必要に応じて、ＩＴＯ、酸化
インジウム等の透光性導電膜が用いられる。これ等の導
電膜はスパッタ−法、蒸着法、ＣＶＤ法等の方法により
成膜され、成膜後にフォトエッチング法等の方法により
所望の形状の電極に形成される。また、工業的にもよく
知られているマスク蒸着法、スクリ−ン印刷法、リフト
オフ法等の方法により電極を形成することもできる。導
電膜の膜厚は０．００１〜１０μｍがよく、更に好まし
くは０．０１〜５μｍがよい。
の個別電極、共通電極としては、例えばアルミニウム、
チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバル
ト、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、スズ、銀、金、モリブデ
ン、タングステン等の金属膜、これ等金属及び合金２種
以上の多層膜が用いられ、必要に応じて、ＩＴＯ、酸化
インジウム等の透光性導電膜が用いられる。これ等の導
電膜はスパッタ−法、蒸着法、ＣＶＤ法等の方法により
成膜され、成膜後にフォトエッチング法等の方法により
所望の形状の電極に形成される。また、工業的にもよく
知られているマスク蒸着法、スクリ−ン印刷法、リフト
オフ法等の方法により電極を形成することもできる。導
電膜の膜厚は０．００１〜１０μｍがよく、更に好まし
くは０．０１〜５μｍがよい。
【００１９】個別電極と共通電極が基板上に平面的に設
置されるプレ−ナ−型（図１の（Ａ）及び（Ｃ）図示）
の場合は、絶縁性基板上に光導電膜形成後、電極を積層
させてイメ−ジセンサ−を作成する。一方、基板上に上
部電極、光導電膜、下部電極と積層するサンドイッチ型
（図１の（Ｂ）及び（Ｄ）図示）の場合は、下部電極を
形成し、次に光導電膜を形成した後、上部電極を前での
材料及び方法で積層させてイメ−ジセンサ−を作成す
る。上部電極及び下部電極の材料は同一である必要はな
く、光導電膜の特性を妨げないものが望ましい。
置されるプレ−ナ−型（図１の（Ａ）及び（Ｃ）図示）
の場合は、絶縁性基板上に光導電膜形成後、電極を積層
させてイメ−ジセンサ−を作成する。一方、基板上に上
部電極、光導電膜、下部電極と積層するサンドイッチ型
（図１の（Ｂ）及び（Ｄ）図示）の場合は、下部電極を
形成し、次に光導電膜を形成した後、上部電極を前での
材料及び方法で積層させてイメ−ジセンサ−を作成す
る。上部電極及び下部電極の材料は同一である必要はな
く、光導電膜の特性を妨げないものが望ましい。
【００２０】光導電膜は、絶縁性樹脂及びオキシチタニ
ウムフタロシアニンと一般式（１）で示されるスチルベ
ン化合物または一般式（２）で示されるフルオレン化合
物の少なくとも一方とを有効成分として含有する。前述
のように、光導電膜が同一層内に樹脂中に分散されたオ
キシチタニウムフタロシアニンと前記スチルベン化合物
または前記フルオレン化合物の少なくとも一方とを含有
する単層方式、光導電膜が樹脂中に分散されたオキシチ
タニウムフタロシアニンを含有する層と樹脂中に前記ス
チルベン化合物または前記フルオレン化合物の少なくと
も一方とを含有する層の積層構造により構成される積層
方式等の光導電膜がある。
ウムフタロシアニンと一般式（１）で示されるスチルベ
ン化合物または一般式（２）で示されるフルオレン化合
物の少なくとも一方とを有効成分として含有する。前述
のように、光導電膜が同一層内に樹脂中に分散されたオ
キシチタニウムフタロシアニンと前記スチルベン化合物
または前記フルオレン化合物の少なくとも一方とを含有
する単層方式、光導電膜が樹脂中に分散されたオキシチ
タニウムフタロシアニンを含有する層と樹脂中に前記ス
チルベン化合物または前記フルオレン化合物の少なくと
も一方とを含有する層の積層構造により構成される積層
方式等の光導電膜がある。
【００２１】光導電膜に用いる絶縁性樹脂としては、例
えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリ
エステル、ポリカ−ボネ−ト、ポリアリレ−ト、ポリア
ミド、ポリイミド、ブチラ−ル樹脂、ベンザ−ル樹脂等
が挙げられ、成膜性、感光素子としての電気的特性等か
ら選択される。また、これ等樹脂固有の特性を補う目的
で２種以上の絶縁性樹脂を用いたり、可塑剤、酸化防止
剤等を混合することも可能である。
えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリ
エステル、ポリカ−ボネ−ト、ポリアリレ−ト、ポリア
ミド、ポリイミド、ブチラ−ル樹脂、ベンザ−ル樹脂等
が挙げられ、成膜性、感光素子としての電気的特性等か
ら選択される。また、これ等樹脂固有の特性を補う目的
で２種以上の絶縁性樹脂を用いたり、可塑剤、酸化防止
剤等を混合することも可能である。
【００２２】光導電膜が単層方式の場合、使用されるオ
キシチタニウムフタロシアニン及び前記スチルベン化合
物または前記フルオレン化合物の少なくとも一方と絶縁
性樹脂との混合重量比を示す。 オキシチタニウムフタロシアニン／絶縁性樹脂：１／５
〜５／１ 前記スチルベン化合物・前記フルオレン化合物／絶縁性
樹脂：１／５〜２／１
キシチタニウムフタロシアニン及び前記スチルベン化合
物または前記フルオレン化合物の少なくとも一方と絶縁
性樹脂との混合重量比を示す。 オキシチタニウムフタロシアニン／絶縁性樹脂：１／５
〜５／１ 前記スチルベン化合物・前記フルオレン化合物／絶縁性
樹脂：１／５〜２／１
【００２３】光導電膜が積層方式の場合、使用されるオ
キシチタニウムフタロシアニン及び前記スチルベン化合
物または前記フルオレン化合物の少なくとも一方と絶縁
性樹脂との混合重量比を示す。 オキシチタニウムフタロシアニン／絶縁性樹脂：１／１
０〜１０／１ 前記スチルベン化合物・前記フルオレン化合物／絶縁性
樹脂：１／５〜２／１ 前記スチルベン化合物と前記フルオレン化合物とを混合
して使用する場合、使用されるゼンキスチルベン化合物
と前記フルオレン化合物との混合比を示す。 前記スチルベン化合物／前記フルオレン化合物：１／９
９〜９９／１
キシチタニウムフタロシアニン及び前記スチルベン化合
物または前記フルオレン化合物の少なくとも一方と絶縁
性樹脂との混合重量比を示す。 オキシチタニウムフタロシアニン／絶縁性樹脂：１／１
０〜１０／１ 前記スチルベン化合物・前記フルオレン化合物／絶縁性
樹脂：１／５〜２／１ 前記スチルベン化合物と前記フルオレン化合物とを混合
して使用する場合、使用されるゼンキスチルベン化合物
と前記フルオレン化合物との混合比を示す。 前記スチルベン化合物／前記フルオレン化合物：１／９
９〜９９／１
【００２４】オキシチタニウムフタロシアニン及び前記
スチルベン化合物・前記フルオレン化合物の絶縁性樹脂
に対する混合比率が多すぎると光導電膜と電極及び絶縁
性基板との密着性が低下し、信頼性が損なわれる。ま
た、少なすぎると光導電率が小さくなり、ＳＮ比（光電
流／暗電流）を上げることができない。
スチルベン化合物・前記フルオレン化合物の絶縁性樹脂
に対する混合比率が多すぎると光導電膜と電極及び絶縁
性基板との密着性が低下し、信頼性が損なわれる。ま
た、少なすぎると光導電率が小さくなり、ＳＮ比（光電
流／暗電流）を上げることができない。
【００２５】光導電膜の膜厚は単層方式においては０．
１〜５μｍ、好ましくは０．２〜２μｍがよく、光導電
膜が積層方式においては、オキシチタニウムフタロシア
ニン層の膜厚は０．１〜２μｍ、好ましくは０．０５〜
１μｍがよく、前記スチルベン化合物または前記フルオ
レン化合物の少なくとも一方を含有する層は０．５〜５
０μｍ、好ましくは１〜２０μｍがよい。光導電膜の各
層は、例えばディッピング法、ドクタ−ブレ−ド法、ス
プレ−法、ロ−ルコ−ト法等の塗布方法により容易に形
成することができる。
１〜５μｍ、好ましくは０．２〜２μｍがよく、光導電
膜が積層方式においては、オキシチタニウムフタロシア
ニン層の膜厚は０．１〜２μｍ、好ましくは０．０５〜
１μｍがよく、前記スチルベン化合物または前記フルオ
レン化合物の少なくとも一方を含有する層は０．５〜５
０μｍ、好ましくは１〜２０μｍがよい。光導電膜の各
層は、例えばディッピング法、ドクタ−ブレ−ド法、ス
プレ−法、ロ−ルコ−ト法等の塗布方法により容易に形
成することができる。
【００２６】本発明においては光導電膜にはオキシチタ
ニウムフタロシアニン及び前記スチルベン化合物及びま
たは前記フルオレン化合物を混合し、相互の特性を補う
ことも可能である。また、各種特性の向上及び安定化を
図るために他の添加物を加えてもよい。また、光導電層
を環境及び外力から守るための保護層及びピット間分離
の機能を有する光遮断層等を光導電膜上に設けることも
できる。また、絶縁性基板及び電極との密着性改善及び
光導電膜と電極間の電気的改質のために電極及び絶縁性
基板と光導電層との間に新たな層を設けることも可能で
ある。
ニウムフタロシアニン及び前記スチルベン化合物及びま
たは前記フルオレン化合物を混合し、相互の特性を補う
ことも可能である。また、各種特性の向上及び安定化を
図るために他の添加物を加えてもよい。また、光導電層
を環境及び外力から守るための保護層及びピット間分離
の機能を有する光遮断層等を光導電膜上に設けることも
できる。また、絶縁性基板及び電極との密着性改善及び
光導電膜と電極間の電気的改質のために電極及び絶縁性
基板と光導電層との間に新たな層を設けることも可能で
ある。
【００２７】本発明において用いられるオキシチタニウ
ムフタロシアニンはα型（特開昭６１−２３９２４８号
公報）、Ａ型（特開昭６２−６７０９４号公報）等を用
いることができるが、Ｉ型（特開平３−１２８９７３号
公報）を用いることがより望ましい。
ムフタロシアニンはα型（特開昭６１−２３９２４８号
公報）、Ａ型（特開昭６２−６７０９４号公報）等を用
いることができるが、Ｉ型（特開平３−１２８９７３号
公報）を用いることがより望ましい。
【００２８】本発明において用いられるＩ型オキシチタ
ニウムフタロシアニンのＸ線回折パタ−ンは、図６に示
すようにブラッグ角（２θ±０．２°）の９．０°、１
４．２°、２３．９°及び２７．１°の位置に強いピ−
クを示す。上記ピ−クはピ−ク強度の強い上位４点を採
ったものであり、主要なピ−クとなっている。
ニウムフタロシアニンのＸ線回折パタ−ンは、図６に示
すようにブラッグ角（２θ±０．２°）の９．０°、１
４．２°、２３．９°及び２７．１°の位置に強いピ−
クを示す。上記ピ−クはピ−ク強度の強い上位４点を採
ったものであり、主要なピ−クとなっている。
【００２９】オキシチタニウムフタロシアニンの構造は
下記式で表される。
下記式で表される。
【化９】 式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 及びＸ4 は塩素原子または臭素
原子を表わし、ｋ、ｍ、ｎ及びｐは０〜４の整数であ
る。
原子を表わし、ｋ、ｍ、ｎ及びｐは０〜４の整数であ
る。
【００３２】本発明において用いられる一般式（１）で
示されるスチルベン化合物と一般式（２）で示されるフ
ルオレン化合物の具体例を表１〜７に掲げる。
示されるスチルベン化合物と一般式（２）で示されるフ
ルオレン化合物の具体例を表１〜７に掲げる。
【００３３】
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明のイメ−ジセンサ−は次の
ようにして製造される。
ようにして製造される。
【００３５】ポリアミド樹脂、編成ポリアミド樹脂、メ
タノ−ル及びｎ−ブチルアルコ−ルの溶液を調製し、こ
の溶液をマイラ−基板上に図２の（Ａ）に示した共通電
極、個別電極となるＩｎ２Ｏ３電極５及び６を有する基
板上に塗布し、乾燥し、次に、Ｉ型オキシチタニウムフ
タロシアニン、化合物例３のスチルベン化合物、ポリビ
ニルブチラ−ル、シクロヘキサノンを混合し、サンドミ
ルにて十分に分散を行い、更にテトラヒドロフランで希
釈し、光導電膜用塗料を調製した。この塗料をポリアミ
ド樹脂層を形成したマイラ−基板上にディピング法にて
塗布し、乾燥し光導電膜を形成し、イメ−ジセンサ−を
作成した。
タノ−ル及びｎ−ブチルアルコ−ルの溶液を調製し、こ
の溶液をマイラ−基板上に図２の（Ａ）に示した共通電
極、個別電極となるＩｎ２Ｏ３電極５及び６を有する基
板上に塗布し、乾燥し、次に、Ｉ型オキシチタニウムフ
タロシアニン、化合物例３のスチルベン化合物、ポリビ
ニルブチラ−ル、シクロヘキサノンを混合し、サンドミ
ルにて十分に分散を行い、更にテトラヒドロフランで希
釈し、光導電膜用塗料を調製した。この塗料をポリアミ
ド樹脂層を形成したマイラ−基板上にディピング法にて
塗布し、乾燥し光導電膜を形成し、イメ−ジセンサ−を
作成した。
【００３６】
実施例１ ポリアミド（商品名ＣＭ−８０００、東レ（株）製）４
重量部、編成ポリアミド（商品名ＥＦ−３０Ｔ、帝国化
学（株）製）６重量部、メタノ−ル６０重量部及びｎ−
ブチルアルコ−ル３０重量部の溶液を調製し、次いで、
この溶液をマイラ−基板上に図２の（Ａ）に示した共通
電極、個別電極となるＩｎ2 Ｏ3 電極５及び６を有する
基板上に塗布し、乾燥後の膜厚を０．３μｍとした。
重量部、編成ポリアミド（商品名ＥＦ−３０Ｔ、帝国化
学（株）製）６重量部、メタノ−ル６０重量部及びｎ−
ブチルアルコ−ル３０重量部の溶液を調製し、次いで、
この溶液をマイラ−基板上に図２の（Ａ）に示した共通
電極、個別電極となるＩｎ2 Ｏ3 電極５及び６を有する
基板上に塗布し、乾燥後の膜厚を０．３μｍとした。
【００３７】次に、Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニ
ン１５重量部、化合物例３のスチルベン化合物１０重量
部、ポリビニルブチラ−ル１５重量部、シクロヘキサノ
ン６５重量部を混合し、サンドミルにて十分に分散を行
った。更にテトラヒドロフランで希釈、固形分濃度を２
重量％とし、光導電膜用塗料を調製した。この塗料をポ
リアミド層を形成したマイラ−基板上にディピング法に
て塗布し、乾燥後の膜厚を８μｍとし、光導電膜４を形
成し、イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．１）を作成した。な
お、本実施例では電極、光導電膜の積層順が図１の
（Ａ）及び（Ｃ）とは逆になっている。
ン１５重量部、化合物例３のスチルベン化合物１０重量
部、ポリビニルブチラ−ル１５重量部、シクロヘキサノ
ン６５重量部を混合し、サンドミルにて十分に分散を行
った。更にテトラヒドロフランで希釈、固形分濃度を２
重量％とし、光導電膜用塗料を調製した。この塗料をポ
リアミド層を形成したマイラ−基板上にディピング法に
て塗布し、乾燥後の膜厚を８μｍとし、光導電膜４を形
成し、イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．１）を作成した。な
お、本実施例では電極、光導電膜の積層順が図１の
（Ａ）及び（Ｃ）とは逆になっている。
【００３８】実施例２ 実施例１において用いたスチルベン化合物に代えて、化
合物例５３のフルオレン化合物を用いた他は、実施例１
と同様な方法でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．２）を作成し
た。
合物例５３のフルオレン化合物を用いた他は、実施例１
と同様な方法でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．２）を作成し
た。
【００３９】実施例３ 実施例１において用いたＩ型オキシチタニウムフタロシ
アニン（図７にＸ線回折図を示す）とスチルベン化合物
に代えて、α型オキシチタニウムフタロシアニンと化合
物例６０のフルオレン化合物を用いた他は、実施例１と
同様な方法でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．３）を作成し
た。
アニン（図７にＸ線回折図を示す）とスチルベン化合物
に代えて、α型オキシチタニウムフタロシアニンと化合
物例６０のフルオレン化合物を用いた他は、実施例１と
同様な方法でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．３）を作成し
た。
【００４０】比較例１ 実施例１と同様にして、Ｉｎ2 Ｏ3 電極の形成された基
板上に０．３μｍ厚のポリアミド層を形成した。次に、
実施例１で使用したと同じＩ型オキシチタニウムフタロ
シアニン１５重量部、ポリビニルブチラ−ル１５重量
部、シクロヘキサノン６５重量部を混合し、サンドミル
にて十分に分散を行った。更にテトラヒドロフランで希
釈、固形分濃度を２重量％とし、光導電膜用塗料を調製
した。実施例１と同様の方法で光導電膜を塗布し、乾燥
後の膜厚８μｍとし、比較イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．
４）を作成した。
板上に０．３μｍ厚のポリアミド層を形成した。次に、
実施例１で使用したと同じＩ型オキシチタニウムフタロ
シアニン１５重量部、ポリビニルブチラ−ル１５重量
部、シクロヘキサノン６５重量部を混合し、サンドミル
にて十分に分散を行った。更にテトラヒドロフランで希
釈、固形分濃度を２重量％とし、光導電膜用塗料を調製
した。実施例１と同様の方法で光導電膜を塗布し、乾燥
後の膜厚８μｍとし、比較イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．
４）を作成した。
【００４１】比較例２ 比較例１において用いたＩ型オキシチタニウムフタロシ
アニンに代えてα型オキシチタニウムフタロシアニンを
用いた他は、比較例１と同様の方法で比較イメ−ジセン
サ−（Ｎｏ．５）を作成した。
アニンに代えてα型オキシチタニウムフタロシアニンを
用いた他は、比較例１と同様の方法で比較イメ−ジセン
サ−（Ｎｏ．５）を作成した。
【００４２】実施例４ マイラ−基板上に図２の（Ｂ）に示した個別電極となる
アルミニウム電極６ａを有する基板を作成し、次に、Ｉ
型オキシチタニウムフタロシアニン１５重量部、ポリビ
ニルブチラ−ル５重量部、シクロヘキサノン８５重量部
を混合し、サンドミルにて十分に分散を行った。更にテ
トラヒドロフランで希釈、固形分濃度を１重量％とし、
Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニン塗料を調製した。
アルミニウム電極６ａを有する基板上にＩ型オキシチタ
ニウムフタロシアニン塗料を塗布、乾燥して０．２μｍ
厚のＩ型オキシチタニウムフタロシアニン層を形成し
た。
アルミニウム電極６ａを有する基板を作成し、次に、Ｉ
型オキシチタニウムフタロシアニン１５重量部、ポリビ
ニルブチラ−ル５重量部、シクロヘキサノン８５重量部
を混合し、サンドミルにて十分に分散を行った。更にテ
トラヒドロフランで希釈、固形分濃度を１重量％とし、
Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニン塗料を調製した。
アルミニウム電極６ａを有する基板上にＩ型オキシチタ
ニウムフタロシアニン塗料を塗布、乾燥して０．２μｍ
厚のＩ型オキシチタニウムフタロシアニン層を形成し
た。
【００４３】次に、化合物例９のスチルベン化合物１０
重量部、ポリカ−ボネ−ト（商品名パンライトＬ−１２
５０、帝人化成（株）製）１０重量部及びテトラヒドロ
フラン５０重量部を溶解し、スチルベン化合物塗料を調
製し、この塗料を先のＩ型オキシチタニウムフタロシア
ニン層の上に塗布、乾燥して８μｍのスチルベン化合物
層を形成した。
重量部、ポリカ−ボネ−ト（商品名パンライトＬ−１２
５０、帝人化成（株）製）１０重量部及びテトラヒドロ
フラン５０重量部を溶解し、スチルベン化合物塗料を調
製し、この塗料を先のＩ型オキシチタニウムフタロシア
ニン層の上に塗布、乾燥して８μｍのスチルベン化合物
層を形成した。
【００４４】更にスチルベン化合物層上に図２の（Ｂ）
に示した共通電極となるＩｎ2 Ｏ3電極５ａを蒸着し、
イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．６）を作成した。
に示した共通電極となるＩｎ2 Ｏ3電極５ａを蒸着し、
イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．６）を作成した。
【００４５】実施例５ 実施例４における化合物例９に代えて化合物例３７のス
チルベン化合物を用いた他は、実施例４と同様の方法で
イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．７）を作成した。
チルベン化合物を用いた他は、実施例４と同様の方法で
イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．７）を作成した。
【００４６】実施例６ 実施例４におけるＩ型オキシチタニウムフタロシアニン
と化合物例９に代えてＡ型オキシチタニウムフタロシア
ニン（図８にＸ線回折図を示す）と化合物例６６のフル
オレン化合物を用いた他は、実施例４と同様の方法でイ
メ−ジセンサ−（Ｎｏ．８）を作成した。
と化合物例９に代えてＡ型オキシチタニウムフタロシア
ニン（図８にＸ線回折図を示す）と化合物例６６のフル
オレン化合物を用いた他は、実施例４と同様の方法でイ
メ−ジセンサ−（Ｎｏ．８）を作成した。
【００４７】実施例７ 実施例４における化合物例９に代えて、化合物例９のス
チルベン化合物と化合物例６０のフルオレン化合物を混
合重量比１／９で混合したものを用いた他は、実施例４
と同様の方法でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．９）を作成し
た。
チルベン化合物と化合物例６０のフルオレン化合物を混
合重量比１／９で混合したものを用いた他は、実施例４
と同様の方法でイメ−ジセンサ−（Ｎｏ．９）を作成し
た。
【００４８】比較例３ 実施例４と同様にアルミニウム電極パタ−ンを有するマ
イラ−基板を作成し、実施例４と同様にＩ型オキシチタ
ニウムフタロシアニン層を塗布し、スチルベン層を設け
ず、図２の（Ｂ）のＩｎ2 Ｏ3 共通電極を蒸着し、比較
イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．１０）を作成した。
イラ−基板を作成し、実施例４と同様にＩ型オキシチタ
ニウムフタロシアニン層を塗布し、スチルベン層を設け
ず、図２の（Ｂ）のＩｎ2 Ｏ3 共通電極を蒸着し、比較
イメ−ジセンサ−（Ｎｏ．１０）を作成した。
【００４９】比較例４ 比較例３においてＩ型オキシチタニウムフタロシアニン
に代えてＡ型オキシチタニウムフタロシアニンを用いた
他は、比較例３と同様にして比較イメ−ジセンサ−（Ｎ
ｏ．１１）を作成した。
に代えてＡ型オキシチタニウムフタロシアニンを用いた
他は、比較例３と同様にして比較イメ−ジセンサ−（Ｎ
ｏ．１１）を作成した。
【００５０】Ｎｏ．１〜１１のイメ−ジセンサ−につい
て、ＳＮ比（光電流／暗電流）、繰り返し２００回使用
後のＳＮ比、強露光１５００ルックス、５分間照射後の
ＳＮ比及び光応答速度（立上がり時間：Ｔｕ、立下がり
時間：Ｔｄ）を表８〜１０に示す。
て、ＳＮ比（光電流／暗電流）、繰り返し２００回使用
後のＳＮ比、強露光１５００ルックス、５分間照射後の
ＳＮ比及び光応答速度（立上がり時間：Ｔｕ、立下がり
時間：Ｔｄ）を表８〜１０に示す。
【００５１】ただし、実施例１、２、３、比較例１、２
の感光素子構造はプレナ−型、実施例４、５、６、７、
比較例３、４の感光素子構造はサンドイッチ型であり、
個別電極間距離は１０μｍ、電極膜厚０．５μｍであ
る。
の感光素子構造はプレナ−型、実施例４、５、６、７、
比較例３、４の感光素子構造はサンドイッチ型であり、
個別電極間距離は１０μｍ、電極膜厚０．５μｍであ
る。
【００５２】ＳＮ比は感光素子に直流電圧を印加し、電
界強度５×１０4 Ｖ／ｃｍの電界下における光電流／暗
電流で表わした。また、光応答速度は５×１０4 Ｖ／ｃ
ｍにおける光電流波形（図５参照）よりＴｕ、Ｔｄを求
めた。ここで、図５に示すように、Ｔｕは光電流が最大
電流値の１０％から９０％になるまでの時間、Ｔｄは光
電流が最大電流値の９０％から１０％になるまでの時間
をいう。ＳＮ比、光応答速度共に測定時の照射光量はタ
ングステンランプで２００ルックスである。
界強度５×１０4 Ｖ／ｃｍの電界下における光電流／暗
電流で表わした。また、光応答速度は５×１０4 Ｖ／ｃ
ｍにおける光電流波形（図５参照）よりＴｕ、Ｔｄを求
めた。ここで、図５に示すように、Ｔｕは光電流が最大
電流値の１０％から９０％になるまでの時間、Ｔｄは光
電流が最大電流値の９０％から１０％になるまでの時間
をいう。ＳＮ比、光応答速度共に測定時の照射光量はタ
ングステンランプで２００ルックスである。
【００５３】
【表８】
【表９】
【表１０】
【００５３】表８〜１０において、イメ−ジセンサ−Ｎ
ｏ．１、Ｎｏ．２及びＮｏ．３はオキシチタニウムフタ
ロシアニンとスチルベン化合物及びまたはフルオレン化
合物とを同一層に分散させた単層方式を用いたが、スチ
ルベン化合物及びまたはフルオレン化合物を含まない比
較イメ−ジセンサ−Ｎｏ．４、Ｎｏ．５、Ｎｏ．１０及
びＮｏ．１１より優れ、高感度のＳＮ比、繰り返し特
性、耐強露光性能を示すことが知られる。特に積層方式
であるＮｏ．６、Ｎｏ．７及びＮｏ．８及びＮｏ．９で
は１０3 台のＳＮ比が得られ、改善効果は著しい。応答
速度においても各実施例のイメ−ジセンサ−は比較例の
イメ−ジセンサ−と比べ改善効果は歴然としており、、
本発明における特定のオキシチタニウムフタロシアニン
と特定のスチルベン化合物及びまたは特定のフルオレン
化合物とを有効成分とする効果は明らかである。また、
特にＩ型オキシチタニウムフタロシアニンと特定のスチ
ルベン化合物及びまたは特定のフルオレン化合物を用い
たＮｏ．１、Ｎｏ．２、Ｎｏ．６、Ｎｏ．７及びＮｏ．
９において、その効果は顕著である。
ｏ．１、Ｎｏ．２及びＮｏ．３はオキシチタニウムフタ
ロシアニンとスチルベン化合物及びまたはフルオレン化
合物とを同一層に分散させた単層方式を用いたが、スチ
ルベン化合物及びまたはフルオレン化合物を含まない比
較イメ−ジセンサ−Ｎｏ．４、Ｎｏ．５、Ｎｏ．１０及
びＮｏ．１１より優れ、高感度のＳＮ比、繰り返し特
性、耐強露光性能を示すことが知られる。特に積層方式
であるＮｏ．６、Ｎｏ．７及びＮｏ．８及びＮｏ．９で
は１０3 台のＳＮ比が得られ、改善効果は著しい。応答
速度においても各実施例のイメ−ジセンサ−は比較例の
イメ−ジセンサ−と比べ改善効果は歴然としており、、
本発明における特定のオキシチタニウムフタロシアニン
と特定のスチルベン化合物及びまたは特定のフルオレン
化合物とを有効成分とする効果は明らかである。また、
特にＩ型オキシチタニウムフタロシアニンと特定のスチ
ルベン化合物及びまたは特定のフルオレン化合物を用い
たＮｏ．１、Ｎｏ．２、Ｎｏ．６、Ｎｏ．７及びＮｏ．
９において、その効果は顕著である。
【００５４】
【発明の効果】本発明のイメ−ジセンサ−は、光導電膜
の大面積な成膜が可能であり、その結果、長尺な等倍型
イメ−ジセンサ−を作成することが可能となる。更にま
た特定のオキシチタニウムフタロシアニンと特定のスチ
ルベン化合物及びまたは特定のフルオレン化合物を用い
ることにより、ＳＮ比、繰り返し特性、耐強露光性に優
れた有機感光素子が得られるという顕著な効果をそうす
る。
の大面積な成膜が可能であり、その結果、長尺な等倍型
イメ−ジセンサ−を作成することが可能となる。更にま
た特定のオキシチタニウムフタロシアニンと特定のスチ
ルベン化合物及びまたは特定のフルオレン化合物を用い
ることにより、ＳＮ比、繰り返し特性、耐強露光性に優
れた有機感光素子が得られるという顕著な効果をそうす
る。
【図１】本発明のイメ−ジセンサ−の１構成例を説明す
るための概略的部分構成図である。
るための概略的部分構成図である。
【図２】本発明のイメ−ジセンサ−のアレイ状構成を示
す概略的平面図である。
す概略的平面図である。
【図３】本発明のイメ−ジセンサ−を用いた画像読み取
り装置の１例を示す概略的構成図である。
り装置の１例を示す概略的構成図である。
【図４】読み出し回路の１例を示す回路図である。
【図５】５×１０4 Ｖ／ｃｍの電界下における光電流の
波形図である。
波形図である。
【図６】Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回
折図である。
折図である。
【図７】α型オキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回
折図である。
折図である。
【図８】Ａ型オキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回
折図である。
折図である。
１ 光導電層 １ａ 光導電層 １ｂ 光導電層 ２ 電極 ２ａ 上部電極 ２ｂ 下部電極 ３ 絶縁性基板 ４ 光導電膜 ５ Ｉｎ2Ｏ3 電極 ５ａ Ｉｎ2Ｏ3 電極 ６ Ｉｎ2Ｏ3 電極 ６ａ Ａｌ電極 ７ 原稿 ８ 光源 ９ イメ−ジセンサ− １０ ロッドレンズアレイ １１ 電源 １２ 負荷抵抗 １３ 共通電極 １４ 個別電極 １５ ブロッキングダイオ−ド １６ スイッチ １７ 感光素子 １８ 電流検知手段 １９ 電界効果型トランジスタ− ２０ コンデンサ− ２１ 走査回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/146 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｃ 51/10 31/08 Ｔ 31/08
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共
通電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ
−において、該感光素子がオキシチタニウムフタロシア
ニンと一般式（１）で示されるスチルベン化合物を有効
成分として含有する光導電膜を有することを特徴とする
イメ−ジセンサ−。 一般式（１） 【化１】 式中、Ｘは−ＣＨ2 ＣＨ2 −または−ＣＨ＝ＣＨ−を示
し、Ｒ1 及びＲ2 はアルキル基、芳香環基または複素環
基を示し、Ｒ3 及びＲ4 は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ5 は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはニトロ
基を示す。 - 【請求項２】 絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共
通電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ
−において、該感光素子がオキシチタニウムフタロシア
ニンと一般式（２）で示されるフルオレン化合物を有効
成分として含有する光導電膜を有することを特徴とする
イメ−ジセンサ−。 一般式（２） 【化２】 式中、Ａｒ1 及びＡｒ2 は置換基を有してもよい芳香環
を示し、Ｒ6 及びＲ7 は水素原子、アルキル基、アラル
キル基またはアリ−ル基を示し、Ｒ8 は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。 - 【請求項３】 絶縁性基体上に少なくとも個別電極、共
通電極及び感光素子を設けて構成されるイメ−ジセンサ
−において、該感光素子がオキシチタニウムフタロシア
ニンと一般式（１）で示されるスチルベン化合物と一般
式（２）で示されるフルオレン化合物を有効成分として
含有する光導電膜を有することを特徴とするイメ−ジセ
ンサ−。 一般式（１） 【化３】 式中、Ｘは−ＣＨ２ＣＨ２−または−ＣＨ＝ＣＨ−を示
し、Ｒ１及びＲ２はアルキル基、芳香環基または複素環
基を示し、Ｒ３及びＲ４は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ５は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはニトロ
基を示す。 一般式（２） 【化４】 式中、Ａｒ１及びＡｒ２は置換基を有してもよい芳香環
を示し、Ｒ６及びＲ７は水素原子、アルキル基、アラル
キル基またはアリ−ル基を示し、Ｒ８は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。 - 【請求項４】 オキシチタニウムフタロシアニンがＣｕ
Ｋα特性のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±２°が
９．０°、１４．２°、２３．９°及び２７．１°に強
いピ−クを有する結晶形のＩ型オキシチタニウムフタロ
シアニンである請求項１または２または３記載のイメ−
ジセンサ−。 - 【請求項５】 感光素子が、同一層内に分散されたオキ
シチタニウムフタロシアニンと一般式（１）で示される
スチルベン化合物を含有する光導電膜を有する請求項１
記載のイメ−ジセンサ−。 - 【請求項６】 感光素子が、同一層内に分散されたオキ
シチタニウムフタロシアニンと一般式（２）で示される
フルオレン化合物を含有する光導電膜を有する請求項２
記載のイメ−ジセンサ−。 - 【請求項７】 感光素子が、同一層内に分散されたオキ
シチタニウムフタロシアニンと一般式（１）で示される
スチルベン化合物と一般式（２）で示されるフルオレン
化合物を含有する光導電膜を有する請求項３記載のイメ
−ジセンサ−。 - 【請求項８】 感光素子が、分散されたオキシチタニウ
ムフタロシアニンを含有する層と分散された一般式
（１）で示されるスチルベン化合物を含有する層との積
層構造により構成される光導電膜を有する請求項１記載
のイメ−ジセンサ−。 - 【請求項９】 感光素子が、分散されたオキシチタニウ
ムフタロシアニンを含有する層と分散された一般式
（２）で示されるフルオレン化合物を含有する層との積
層構造により構成される光導電膜を有する請求項２記載
のイメ−ジセンサ−。 - 【請求項１０】 感光素子が、分散されたオキシチタニ
ウムフタロシアニンを含有する層と分散された一般式
（１）で示されるスチルベン化合物と分散された一般式
（２）で示されるフルオレン化合物を含有する層との積
層構造により構成される光導電膜を有する請求項３記載
のイメ−ジセンサ−。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282389A JPH09101200A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | イメ−ジセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282389A JPH09101200A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | イメ−ジセンサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09101200A true JPH09101200A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17651774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7282389A Withdrawn JPH09101200A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | イメ−ジセンサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09101200A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7411072B2 (en) | 2002-06-26 | 2008-08-12 | Eli Lilly And Company | Tricyclic steroid hormone nuclear receptor modulators |
-
1995
- 1995-10-05 JP JP7282389A patent/JPH09101200A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7411072B2 (en) | 2002-06-26 | 2008-08-12 | Eli Lilly And Company | Tricyclic steroid hormone nuclear receptor modulators |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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