JPH0897538A - 銅張り基板の表面処理方法 - Google Patents
銅張り基板の表面処理方法Info
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- JPH0897538A JPH0897538A JP23388594A JP23388594A JPH0897538A JP H0897538 A JPH0897538 A JP H0897538A JP 23388594 A JP23388594 A JP 23388594A JP 23388594 A JP23388594 A JP 23388594A JP H0897538 A JPH0897538 A JP H0897538A
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- sulfuric acid
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- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面に銅箔を配設した銅張り基板の銅面を、
硫酸、過酸化水素、及び、銅イオンを成分として含有し
た処理液で製面する銅張り基板の表面処理方法であっ
て、より均一な粗面を有し、高精度な回路形成ができる
銅張り基板の表面処理方法を提供する。 【構成】 上記処理液中の銅イオンの濃度が１５〜３０
ｇ／リットル、及び、上記水溶液は銅イオンに対する過
酸化水素の含有量比が１．５〜４．０、過酸化水素に対
する硫酸の含有量比が２．３〜３．６である。
硫酸、過酸化水素、及び、銅イオンを成分として含有し
た処理液で製面する銅張り基板の表面処理方法であっ
て、より均一な粗面を有し、高精度な回路形成ができる
銅張り基板の表面処理方法を提供する。 【構成】 上記処理液中の銅イオンの濃度が１５〜３０
ｇ／リットル、及び、上記水溶液は銅イオンに対する過
酸化水素の含有量比が１．５〜４．０、過酸化水素に対
する硫酸の含有量比が２．３〜３．６である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は銅張り基板の表面処理方
法に関し、具体的には、銅張り基板に回路形成を行うた
めに事前に行う、銅面を製面する表面処理方法に関する
ものである。
法に関し、具体的には、銅張り基板に回路形成を行うた
めに事前に行う、銅面を製面する表面処理方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板の作製にあたっては、表
面に銅箔を配設した積層板等の銅張り基板を用い、この
銅張り基板の銅面に回路形成を行う。この回路形成は、
銅面にドライフィルムレジスト等のエッチングレジスト
を被着し、露光及び現像を行った後に、エッチング液に
浸漬することによって行われる。上記エッチングレジス
トを被着する前に、表面の酸化物、不純化合物、及び汚
れ等の除去と共に銅面を微細な粗面にするために、銅面
の製面化が行われる。上記銅面を微細な粗面にすると、
エッチングレジストの密着性を高めることができる。
面に銅箔を配設した積層板等の銅張り基板を用い、この
銅張り基板の銅面に回路形成を行う。この回路形成は、
銅面にドライフィルムレジスト等のエッチングレジスト
を被着し、露光及び現像を行った後に、エッチング液に
浸漬することによって行われる。上記エッチングレジス
トを被着する前に、表面の酸化物、不純化合物、及び汚
れ等の除去と共に銅面を微細な粗面にするために、銅面
の製面化が行われる。上記銅面を微細な粗面にすると、
エッチングレジストの密着性を高めることができる。
【０００３】上記製面化の処理は、＃３００〜＃１００
程度のバフロールやブラシロールを上下２軸や４軸に使
用した製面研磨機を用い、銅張り基板の銅面を上記バフ
ロールやブラシロールで機械的に研磨する方法が汎用さ
れている。しかし、銅張り基板の厚みが０．２ｍｍ以下
程度の薄い場合、上記研磨の際に、薄い銅張り基板が曲
がり、上記バフロールやブラシロールに引っ掛かった
り、研磨材の大きさのばらつきにより、表面に深い傷を
発生したりする問題がある。
程度のバフロールやブラシロールを上下２軸や４軸に使
用した製面研磨機を用い、銅張り基板の銅面を上記バフ
ロールやブラシロールで機械的に研磨する方法が汎用さ
れている。しかし、銅張り基板の厚みが０．２ｍｍ以下
程度の薄い場合、上記研磨の際に、薄い銅張り基板が曲
がり、上記バフロールやブラシロールに引っ掛かった
り、研磨材の大きさのばらつきにより、表面に深い傷を
発生したりする問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の問題を解決する
ために、機械的な銅面の表面処理に代わり、化学的な銅
面の表面処理が提案されている。しかし、近年の高密度
化に伴い、より高精度な回路形成が必要になっており、
このため、より均一な粗面を有する銅張り基板の表面処
理が求められている。
ために、機械的な銅面の表面処理に代わり、化学的な銅
面の表面処理が提案されている。しかし、近年の高密度
化に伴い、より高精度な回路形成が必要になっており、
このため、より均一な粗面を有する銅張り基板の表面処
理が求められている。
【０００５】本発明は上記事実に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、より均一な粗面を有し、
高精度な回路形成ができる銅張り基板の表面処理方法を
提供することにある。
で、その目的とするところは、より均一な粗面を有し、
高精度な回路形成ができる銅張り基板の表面処理方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
銅張り基板の表面処理方法は、表面に銅箔を配設した銅
張り基板の銅面を、硫酸、過酸化水素、及び、銅イオン
を成分として含有した処理液で製面する銅張り基板の表
面処理方法であって、上記処理液中の銅イオンの濃度が
１５〜３０ｇ／リットル、及び、上記処理液は銅イオン
に対する過酸化水素の含有量比が１．５〜４．０、過酸
化水素に対する硫酸の含有量比が２．３〜３．６である
ことを特徴とする。
銅張り基板の表面処理方法は、表面に銅箔を配設した銅
張り基板の銅面を、硫酸、過酸化水素、及び、銅イオン
を成分として含有した処理液で製面する銅張り基板の表
面処理方法であって、上記処理液中の銅イオンの濃度が
１５〜３０ｇ／リットル、及び、上記処理液は銅イオン
に対する過酸化水素の含有量比が１．５〜４．０、過酸
化水素に対する硫酸の含有量比が２．３〜３．６である
ことを特徴とする。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明は
表面に銅箔を配設した銅張り基板の銅面を、硫酸、過酸
化水素、及び、銅イオンを成分として含有した処理液で
製面する銅張り基板の表面処理方法に関するものであ
る。
表面に銅箔を配設した銅張り基板の銅面を、硫酸、過酸
化水素、及び、銅イオンを成分として含有した処理液で
製面する銅張り基板の表面処理方法に関するものであ
る。
【０００８】本発明に用いる銅張り基板としては、例え
ば、ガラス基材等を用いたエポキシ樹脂積層板、ポリイ
ミド樹脂積層板、不飽和ポリエステル樹脂積層板、フッ
素樹脂積層板、及びこれら樹脂の変性樹脂積層板等の片
面乃至は両面に銅箔を配設した基板や、内層材を有し、
外層に銅箔を配設した多層の基板等が挙げられる。上記
銅張り基板の板厚は限定しないが、本発明は厚さ０．２
ｍｍ以下の薄い銅張り基板に特に効果的である。
ば、ガラス基材等を用いたエポキシ樹脂積層板、ポリイ
ミド樹脂積層板、不飽和ポリエステル樹脂積層板、フッ
素樹脂積層板、及びこれら樹脂の変性樹脂積層板等の片
面乃至は両面に銅箔を配設した基板や、内層材を有し、
外層に銅箔を配設した多層の基板等が挙げられる。上記
銅張り基板の板厚は限定しないが、本発明は厚さ０．２
ｍｍ以下の薄い銅張り基板に特に効果的である。
【０００９】上記銅張り基板の銅面を製面する処理液
は、硫酸、過酸化水素、及び、銅イオンを成分として含
有した水溶液である。上記銅イオンの成分は、例えば、
硫酸銅等の銅化合物を処理液に配合したり、金属銅を処
理液に投入したりして含有させることができる。
は、硫酸、過酸化水素、及び、銅イオンを成分として含
有した水溶液である。上記銅イオンの成分は、例えば、
硫酸銅等の銅化合物を処理液に配合したり、金属銅を処
理液に投入したりして含有させることができる。
【００１０】本発明においては、上記処理液中の銅イオ
ンの濃度が１５〜３０ｇ／リットル、及び、上記処理液
は銅イオンに対する過酸化水素の含有量比（Ｈ2 Ｏ2 ／
Ｃｕ）が１．５〜４．０、過酸化水素に対する硫酸の含
有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ 2 ）が２．３〜３．６の範
囲に制限される。上記銅イオンの濃度が処理液に存在す
ることによって、処理液による銅面の化学反応の反応速
度を安定させることができる。上記銅イオンが存在しな
いと、反応速度が遅くなり、銅面にむらを生じ、エッチ
ングレジストの密着性を低下させる。上記銅イオンが微
量の１５ｇ／リットル未満で含有量比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃ
ｕ）が４．０を超えると反応速度が速くなり、銅面の処
理過多による銅箔の厚み不足のおそれがある。さらに、
上記銅イオンの割合が多量となり含有量比（Ｈ2 Ｏ2 ／
Ｃｕ）が１．５未満になると反応速度が遅くなり、銅面
にむらを生じる。
ンの濃度が１５〜３０ｇ／リットル、及び、上記処理液
は銅イオンに対する過酸化水素の含有量比（Ｈ2 Ｏ2 ／
Ｃｕ）が１．５〜４．０、過酸化水素に対する硫酸の含
有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ 2 ）が２．３〜３．６の範
囲に制限される。上記銅イオンの濃度が処理液に存在す
ることによって、処理液による銅面の化学反応の反応速
度を安定させることができる。上記銅イオンが存在しな
いと、反応速度が遅くなり、銅面にむらを生じ、エッチ
ングレジストの密着性を低下させる。上記銅イオンが微
量の１５ｇ／リットル未満で含有量比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃ
ｕ）が４．０を超えると反応速度が速くなり、銅面の処
理過多による銅箔の厚み不足のおそれがある。さらに、
上記銅イオンの割合が多量となり含有量比（Ｈ2 Ｏ2 ／
Ｃｕ）が１．５未満になると反応速度が遅くなり、銅面
にむらを生じる。
【００１１】なお、上記処理液には、反応の促進、及
び、過酸化水素の分解を抑制するための添加剤を含有し
ておくことが好ましい。
び、過酸化水素の分解を抑制するための添加剤を含有し
ておくことが好ましい。
【００１２】上記銅張り基板の表面処理にあたっては、
上記処理液を銅張り基板の銅面にスプレーしたり、銅張
り基板を浸漬したりして、銅面に処理液を作用させるこ
とによって行うことができ、上記処理液の硫酸と過酸化
水素によるソフトエッチングの作用により、表面の酸化
物、不純化合物、及び汚れ等の除去と共に、銅面に微細
な粗面を形成することができるものである。上記処理条
件は、処理液の液温が２５〜３５℃が好ましい。
上記処理液を銅張り基板の銅面にスプレーしたり、銅張
り基板を浸漬したりして、銅面に処理液を作用させるこ
とによって行うことができ、上記処理液の硫酸と過酸化
水素によるソフトエッチングの作用により、表面の酸化
物、不純化合物、及び汚れ等の除去と共に、銅面に微細
な粗面を形成することができるものである。上記処理条
件は、処理液の液温が２５〜３５℃が好ましい。
【００１３】本発明の銅張り基板の表面処理を行うと、
銅張り基板の銅面に０．５〜１．０μｍ程度の均一な粗
面を形成した基板を得ることができる。本発明によって
得られた銅張り基板は、高密度の回路形成に適する。
銅張り基板の銅面に０．５〜１．０μｍ程度の均一な粗
面を形成した基板を得ることができる。本発明によって
得られた銅張り基板は、高密度の回路形成に適する。
【００１４】
実施例１ 銅張り基板として、両表面に３５μｍの銅箔を配設し
た、厚さ０．２ｍｍのガラス基材エポキシ樹脂積層板を
用いた。一方、処理液として、硫酸が１６０ｇ／リット
ル、過酸化水素が４５ｇ／リットル、銅イオン濃度が３
０ｇ／リットル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社
製：ＣＢ−８９５）が２０ｇ／リットル含有したものを
用いた。上記銅イオンは硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ
2 Ｏ）を配合することにより得た。従って、上記処理液
は銅イオンに対する過酸化水素の含有量比（Ｈ2 Ｏ2 ／
Ｃｕ）が１．５、過酸化水素に対する硫酸の含有量比
（Ｈ2 ＳＯ 4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が３．６であった。
た、厚さ０．２ｍｍのガラス基材エポキシ樹脂積層板を
用いた。一方、処理液として、硫酸が１６０ｇ／リット
ル、過酸化水素が４５ｇ／リットル、銅イオン濃度が３
０ｇ／リットル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社
製：ＣＢ−８９５）が２０ｇ／リットル含有したものを
用いた。上記銅イオンは硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ
2 Ｏ）を配合することにより得た。従って、上記処理液
は銅イオンに対する過酸化水素の含有量比（Ｈ2 Ｏ2 ／
Ｃｕ）が１．５、過酸化水素に対する硫酸の含有量比
（Ｈ2 ＳＯ 4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が３．６であった。
【００１５】上記処理液を３０℃に調製し、上記銅張り
基板の銅面に１３秒スプレーすることにより、表面処理
を行った。上記処理装置は、上記処理液が循環するもの
で、銅張り基板の両側の銅面に同時に噴射する。スプレ
ー圧は０．７５ｋｇ／ｃｍ2、処理液のスプレー吐出量
は１００リットル／分であった。
基板の銅面に１３秒スプレーすることにより、表面処理
を行った。上記処理装置は、上記処理液が循環するもの
で、銅張り基板の両側の銅面に同時に噴射する。スプレ
ー圧は０．７５ｋｇ／ｃｍ2、処理液のスプレー吐出量
は１００リットル／分であった。
【００１６】実施例２ 処理液として、硫酸が１５０ｇ／リットル、過酸化水素
が５０ｇ／リットル、銅イオン濃度が２０ｇ／リット
ル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８
９５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は
実施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行っ
た。上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量
比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が２．５、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が３．０であっ
た。
が５０ｇ／リットル、銅イオン濃度が２０ｇ／リット
ル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８
９５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は
実施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行っ
た。上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量
比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が２．５、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が３．０であっ
た。
【００１７】実施例３ 処理液として、硫酸が１４０ｇ／リットル、過酸化水素
が６０ｇ／リットル、銅イオン濃度が１５ｇ／リット
ル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８
９５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は
実施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行っ
た。上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量
比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が４．０、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が２．３であっ
た。
が６０ｇ／リットル、銅イオン濃度が１５ｇ／リット
ル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８
９５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は
実施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行っ
た。上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量
比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が４．０、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が２．３であっ
た。
【００１８】比較例１ 処理液として、硫酸が１６０ｇ／リットル、過酸化水素
が５０ｇ／リットル、銅イオン濃度が５ｇ／リットル、
及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８９
５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は実
施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行った。
上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量比
（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が１０．０、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が３．２であっ
た。
が５０ｇ／リットル、銅イオン濃度が５ｇ／リットル、
及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８９
５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は実
施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行った。
上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量比
（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が１０．０、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が３．２であっ
た。
【００１９】比較例２ 処理液として、硫酸が１５０ｇ／リットル、過酸化水素
が４０ｇ／リットル、銅イオン濃度が３０ｇ／リット
ル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８
９５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は
実施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行っ
た。上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量
比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が１．３、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が３．８であっ
た。
が４０ｇ／リットル、銅イオン濃度が３０ｇ／リット
ル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８
９５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は
実施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行っ
た。上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量
比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が１．３、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が３．８であっ
た。
【００２０】比較例３ 処理液として、硫酸が１６０ｇ／リットル、過酸化水素
が８０ｇ／リットル、銅イオン濃度が２０ｇ／リット
ル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８
９５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は
実施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行っ
た。上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量
比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が４．０、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が２．０であっ
た。
が８０ｇ／リットル、銅イオン濃度が２０ｇ／リット
ル、及び、窒素系添加剤（メック株式会社製：ＣＢ−８
９５）が２０ｇ／リットル含有したものを用いた以外は
実施例１と同様にして、銅張り基板の表面処理を行っ
た。上記処理液は銅イオンに対する過酸化水素の含有量
比（Ｈ2 Ｏ2 ／Ｃｕ）が４．０、過酸化水素に対する硫
酸の含有量比（Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ）が２．０であっ
た。
【００２１】比較例４ 処理液として、硫酸が１５０ｇ／リットル、過酸化水素
が５０ｇ／リットル、及び、窒素系添加剤（メック株式
会社製：ＣＢ−８９５）が２０ｇ／リットル含有したも
のを用いた以外は実施例１と同様にして、銅張り基板の
表面処理を行った。
が５０ｇ／リットル、及び、窒素系添加剤（メック株式
会社製：ＣＢ−８９５）が２０ｇ／リットル含有したも
のを用いた以外は実施例１と同様にして、銅張り基板の
表面処理を行った。
【００２２】表面処理を行った実施例１〜３、及び、比
較例１〜４の銅張り基板の表面粗度、及び、ドライフィ
ルムの密着性を評価した。上記表面粗度は接触式表面粗
度計により銅面の凹凸の深さを測定した。上記ドライフ
ィルムの密着性は銅面にドライフィルムレジストを被着
し、露光及び現像を行った後に、セロハンテープを貼り
強制的にセロハンテープを剥がして剥離度合を観察し
た。この剥離度合で全く剥離しなかったものを◎、剥離
個所の面積が５％未満のものを○、５〜２０％の個所が
剥離したものを△、２０％以上剥離したものを×として
表示した。結果は表１のとおりであった。実施例の表面
粗度はいずれも０．５〜１．０μｍであり、比較例に比
較し良好であった。実施例のドライフィルムの密着性は
いずれも◎または○であり、比較例は△または×の水準
であった。
較例１〜４の銅張り基板の表面粗度、及び、ドライフィ
ルムの密着性を評価した。上記表面粗度は接触式表面粗
度計により銅面の凹凸の深さを測定した。上記ドライフ
ィルムの密着性は銅面にドライフィルムレジストを被着
し、露光及び現像を行った後に、セロハンテープを貼り
強制的にセロハンテープを剥がして剥離度合を観察し
た。この剥離度合で全く剥離しなかったものを◎、剥離
個所の面積が５％未満のものを○、５〜２０％の個所が
剥離したものを△、２０％以上剥離したものを×として
表示した。結果は表１のとおりであった。実施例の表面
粗度はいずれも０．５〜１．０μｍであり、比較例に比
較し良好であった。実施例のドライフィルムの密着性は
いずれも◎または○であり、比較例は△または×の水準
であった。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】本発明の銅張り基板の表面処理による
と、銅張り基板の銅面に均一な粗面を形成した基板を得
ることができる。本発明によって得られた銅張り基板
は、高密度の回路形成に適する。
と、銅張り基板の銅面に均一な粗面を形成した基板を得
ることができる。本発明によって得られた銅張り基板
は、高密度の回路形成に適する。
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に銅箔を配設した銅張り基板の銅面
を、硫酸、過酸化水素、及び、銅イオンを成分として含
有した処理液で製面する銅張り基板の表面処理方法であ
って、上記処理液中の銅イオンの濃度が１５〜３０ｇ／
リットル、及び、上記処理液は銅イオンに対する過酸化
水素の含有量比が１．５〜４．０、過酸化水素に対する
硫酸の含有量比が２．３〜３．６であることを特徴とす
る銅張り基板の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23388594A JPH0897538A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 銅張り基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23388594A JPH0897538A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 銅張り基板の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897538A true JPH0897538A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16962090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23388594A Pending JPH0897538A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 銅張り基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897538A (ja) |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP23388594A patent/JPH0897538A/ja active Pending
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