JPH089272A - 電子内視鏡用固体撮像装置 - Google Patents
電子内視鏡用固体撮像装置Info
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- JPH089272A JPH089272A JP7119017A JP11901795A JPH089272A JP H089272 A JPH089272 A JP H089272A JP 7119017 A JP7119017 A JP 7119017A JP 11901795 A JP11901795 A JP 11901795A JP H089272 A JPH089272 A JP H089272A
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Instruments For Viewing The Inside Of Hollow Bodies (AREA)
- Endoscopes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型化及び薄型化の可能な電子内視鏡用固体
撮像装置を提供する。 【構成】 基板１上に配線パターン２を形成し、薄膜コ
ンデンサの電極との接続部を除いた配線パターン２上
と、半導体素子配置部を除いた基板１上に絶縁膜３を形
成する。そして該絶縁膜３上に強誘電体からなる薄膜コ
ンデンサ４を形成し配線パターン２と接続すると共に、
基板１上に半導体素子６を配置し、ボンディングワイヤ
７で配線パターン２と接続したのち封止樹脂８で封止す
る。そして基板１の端部に固体撮像素子９を接続して電
子内視鏡用固体撮像装置を構成する。
撮像装置を提供する。 【構成】 基板１上に配線パターン２を形成し、薄膜コ
ンデンサの電極との接続部を除いた配線パターン２上
と、半導体素子配置部を除いた基板１上に絶縁膜３を形
成する。そして該絶縁膜３上に強誘電体からなる薄膜コ
ンデンサ４を形成し配線パターン２と接続すると共に、
基板１上に半導体素子６を配置し、ボンディングワイヤ
７で配線パターン２と接続したのち封止樹脂８で封止す
る。そして基板１の端部に固体撮像素子９を接続して電
子内視鏡用固体撮像装置を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子内視鏡の先端部
に組み込んで用いられる電子内視鏡用固体撮像装置に関
する。
に組み込んで用いられる電子内視鏡用固体撮像装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＣＤ，ＳＩＴ，ＣＭＤなどの固
体撮像素子からなる固体撮像装置を撮像手段として用い
た電子内視鏡が種々提案されている。これらの固体撮像
装置は内視鏡の先端部に組み込まれるが、内視鏡の先端
部は患者の苦痛を和らげるために細くする必要がある。
そのため、固体撮像装置をいかに小型化するかが重要で
ある。
体撮像素子からなる固体撮像装置を撮像手段として用い
た電子内視鏡が種々提案されている。これらの固体撮像
装置は内視鏡の先端部に組み込まれるが、内視鏡の先端
部は患者の苦痛を和らげるために細くする必要がある。
そのため、固体撮像装置をいかに小型化するかが重要で
ある。
【０００３】例えば、特開昭６３−２７２１８０号公報
に開示されている固体撮像装置は、固体撮像素子をパッ
ケージにボンディングワイヤを用いて実装し、更に周辺
回路を組み込んだハイブリッドＩＣを前記パッケージに
ハンダ付けした構成になっている。図24の（Ａ），
（Ｂ）は、従来の電子内視鏡用固体撮像装置の構成例を
示す図で、図24の（Ａ）は正面図、図24の（Ｂ）は側面
図である。図において、101 はセラミック又はガラスエ
ポキシ等からなる絶縁基板で、該絶縁基板101 の一方の
主面には、周辺回路用等の半導体ＩＣ102 がボンディン
グワイヤ103 で接続され封止樹脂104 で封止された状態
で搭載され、更に受動チップ部品105 がハンダ付けされ
ている。前記絶縁基板101 の一方の端部の表面及び裏面
側には、固体撮像素子106 を実装したパッケージ107 の
リード端子108 をハンダ付けし、絶縁基板101 と固体撮
像素子106 とを一体的に固着している。また絶縁基板10
1 の他方の端部の表面及び裏面には、外部リード線111
が接続されている。なお、図において、109 はカラーフ
ィルタ、110 は封止樹脂を示している。
に開示されている固体撮像装置は、固体撮像素子をパッ
ケージにボンディングワイヤを用いて実装し、更に周辺
回路を組み込んだハイブリッドＩＣを前記パッケージに
ハンダ付けした構成になっている。図24の（Ａ），
（Ｂ）は、従来の電子内視鏡用固体撮像装置の構成例を
示す図で、図24の（Ａ）は正面図、図24の（Ｂ）は側面
図である。図において、101 はセラミック又はガラスエ
ポキシ等からなる絶縁基板で、該絶縁基板101 の一方の
主面には、周辺回路用等の半導体ＩＣ102 がボンディン
グワイヤ103 で接続され封止樹脂104 で封止された状態
で搭載され、更に受動チップ部品105 がハンダ付けされ
ている。前記絶縁基板101 の一方の端部の表面及び裏面
側には、固体撮像素子106 を実装したパッケージ107 の
リード端子108 をハンダ付けし、絶縁基板101 と固体撮
像素子106 とを一体的に固着している。また絶縁基板10
1 の他方の端部の表面及び裏面には、外部リード線111
が接続されている。なお、図において、109 はカラーフ
ィルタ、110 は封止樹脂を示している。
【０００４】
（従来技術の欠点）ところで、上記のように構成されて
いる電子内視鏡用の固体撮像装置の小型化を進めて行く
場合、チップ部品等、例えばコンデンサなどのサイズ及
び実装スペース等により、固体撮像素子と組み合わされ
る基板のサイズが決まってしまい、ある程度以上の小型
化には限界が生じてしまう。またチップ部品を基板上に
実装するようになっているため、薄型化にも限界がある
という問題点があった。
いる電子内視鏡用の固体撮像装置の小型化を進めて行く
場合、チップ部品等、例えばコンデンサなどのサイズ及
び実装スペース等により、固体撮像素子と組み合わされ
る基板のサイズが決まってしまい、ある程度以上の小型
化には限界が生じてしまう。またチップ部品を基板上に
実装するようになっているため、薄型化にも限界がある
という問題点があった。
【０００５】（発明の目的）本発明は、従来の電子内視
鏡用固体撮像装置における上記問題点を解消するために
なされたもので、請求項１記載の発明の目的は、小型で
薄型化の可能な電子内視鏡用固体撮像装置を提供するこ
とにある。また請求項２記載の発明は、更に小型化の可
能な電子内視鏡用固体撮像装置を提供することを目的と
する。また請求項３記載の発明は、小型化と共に、作業
性、信頼性並びに歩留りの向上を図ることの可能な電子
内視鏡用固体撮像装置を提供することを目的とする。
鏡用固体撮像装置における上記問題点を解消するために
なされたもので、請求項１記載の発明の目的は、小型で
薄型化の可能な電子内視鏡用固体撮像装置を提供するこ
とにある。また請求項２記載の発明は、更に小型化の可
能な電子内視鏡用固体撮像装置を提供することを目的と
する。また請求項３記載の発明は、小型化と共に、作業
性、信頼性並びに歩留りの向上を図ることの可能な電子
内視鏡用固体撮像装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、本願請求項１記載の発明は、強誘電体で形
成した薄膜コンデンサと半導体素子とを備えた基板の端
面に固体撮像素子を固着し、電子内視鏡用固体撮像装置
を構成するものである。
決するため、本願請求項１記載の発明は、強誘電体で形
成した薄膜コンデンサと半導体素子とを備えた基板の端
面に固体撮像素子を固着し、電子内視鏡用固体撮像装置
を構成するものである。
【０００７】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、強誘電体により形成した薄膜コンデンサを用い
ているので、小型化並びに薄型化を図ることができ、電
子内視鏡の先端の微小部分に容易に実装することが可能
となる。
装置は、強誘電体により形成した薄膜コンデンサを用い
ているので、小型化並びに薄型化を図ることができ、電
子内視鏡の先端の微小部分に容易に実装することが可能
となる。
【０００８】また請求項２記載の発明は、基板の一方の
面に強誘電体からなる薄膜コンデンサを形成し、他方の
面に半導体素子を設けて電子内視鏡用固体撮像装置を構
成するものである。これにより、更に小型化が可能な電
子内視鏡用固体撮像装置を実現することができ、しかも
コンデンサは薄膜で形成されているため厚み方向も殆ど
増大させることがない。
面に強誘電体からなる薄膜コンデンサを形成し、他方の
面に半導体素子を設けて電子内視鏡用固体撮像装置を構
成するものである。これにより、更に小型化が可能な電
子内視鏡用固体撮像装置を実現することができ、しかも
コンデンサは薄膜で形成されているため厚み方向も殆ど
増大させることがない。
【０００９】また請求項３記載の発明は、前記基板を第
１及び第２の２枚の基板で構成し、第１及び第２の基板
のいずれか一方の基板に強誘電体からなる薄膜コンデン
サを形成し、他方の基板に半導体素子を設けると共に、
第１及び第２の基板を電気的に接続して回路を形成する
ように構成するものである。このように別個の基板に薄
膜コンデンサと半導体素子を設けるようにしているの
で、小型化を維持しながら、作業性及び信頼性の向上が
図られ、更にトータルの歩留りを向上させることができ
る。
１及び第２の２枚の基板で構成し、第１及び第２の基板
のいずれか一方の基板に強誘電体からなる薄膜コンデン
サを形成し、他方の基板に半導体素子を設けると共に、
第１及び第２の基板を電気的に接続して回路を形成する
ように構成するものである。このように別個の基板に薄
膜コンデンサと半導体素子を設けるようにしているの
で、小型化を維持しながら、作業性及び信頼性の向上が
図られ、更にトータルの歩留りを向上させることができ
る。
【００１０】
【実施例】次に実施例について説明する。図１は、本発
明に係る電子内視鏡用固体撮像装置の第１実施例を示す
断面図で、固体撮像素子部は概略的に示している。な
お、第２実施例以降においては固体撮像素子部を省略し
て図示することにする。この実施例は、請求項１記載の
発明に対応する実施例であり、１は基板で、セラミッ
ク，シリコン，メタル，ガラス，エポキシ系樹脂，ポリ
イミド系樹脂，テフロン系樹脂，GaAs，サファイアなど
で形成されている。２は基板１上に形成された所定の配
線パターンで、薄膜配線あるいは厚膜配線等で形成する
ことができ、配線パターン材としてはAu, Ag, Cr, Cu,
Ni, Pt, Ti, In, Sn，ハンダ等を用いることができる。
なお、基板が導体あるいは半導体で形成されている場合
は、適宜絶縁処理を施した後配線パターンを形成する。
３は絶縁膜で、後述の薄膜コンデンサの電極と接続され
る部分を除いた配線パターン２上、及び半導体素子実装
部分を除いた基板１上に形成されている。絶縁膜３は有
機系あるいは無機系等の材料を用いて形成することがで
きる。
明に係る電子内視鏡用固体撮像装置の第１実施例を示す
断面図で、固体撮像素子部は概略的に示している。な
お、第２実施例以降においては固体撮像素子部を省略し
て図示することにする。この実施例は、請求項１記載の
発明に対応する実施例であり、１は基板で、セラミッ
ク，シリコン，メタル，ガラス，エポキシ系樹脂，ポリ
イミド系樹脂，テフロン系樹脂，GaAs，サファイアなど
で形成されている。２は基板１上に形成された所定の配
線パターンで、薄膜配線あるいは厚膜配線等で形成する
ことができ、配線パターン材としてはAu, Ag, Cr, Cu,
Ni, Pt, Ti, In, Sn，ハンダ等を用いることができる。
なお、基板が導体あるいは半導体で形成されている場合
は、適宜絶縁処理を施した後配線パターンを形成する。
３は絶縁膜で、後述の薄膜コンデンサの電極と接続され
る部分を除いた配線パターン２上、及び半導体素子実装
部分を除いた基板１上に形成されている。絶縁膜３は有
機系あるいは無機系等の材料を用いて形成することがで
きる。
【００１１】４は強誘電体からなる薄膜コンデンサで、
絶縁膜３上に形成され、電極部分は配線パターン２に接
続されている。強誘電体としては、無機質の混合物で、
ペロブスカイト系，チタン酸塩系，例えばBaTiＯ3 ，
（Ba．Sr）TiＯ3 ，SrTiＯ3 ，PbTiＯ3 （通称ＰＴ），
Pb（Zr．Ti）Ｏ3 （通称ＰＺＴ），（Pb．La) （Zr．T
i）Ｏ3 ；ニオブ酸塩系、例えばPb（Mg1/3 ．Nb2/3 ）
Ｏ3 ，LiNbＯ3 ，LiTaＯ3，ＫNbＯ3 ，Ｋ（Ta．Nb）Ｏ
3 ；タングステン・ブロンズ系，例えば（Sr．Ba）Nb2
Ｏ6 ，（Sr．Ba）0.8 Ｒx Na0.4 Nb2 Ｏ6 ，（Pb．Ba）
Nb2 Ｏ6 ，（Ｋ．Sr）Nb2 Ｏ6 ，（Pb．Ｋ）Nb2 Ｏ6 ，
Ba2 NaNb5 Ｏ15（通称ＢＮＮ），Pb0.33Ba0.7 Nb1.99Ｏ
6 （通称ＰＢＮ），Ｋ3 Sr2 Nb5 Ｏ15（通称ＫＳＮ），
Pb2 ＫNb5 Ｏ15（通称ＰＫＮ）等を用いることができ
る。５は薄膜コンデンサ４の上部及び側部に設けられた
保護膜である。６は基板１の所定位置に配置された半導
体素子で、ボンディングワイヤ７で配線パターン２と所
定の接続を行ったのち、封止樹脂８で封止され、基板１
に実装されている。また封止樹脂８としては、エポキシ
系，ポリイミド系，シリコン系，フェノール系等の有機
系樹脂が用いられ、それらの単品又は組み合わせたもの
により封止を行っている。そして、このように薄膜コン
デンサ４及び半導体素子６を実装した基板１の端部に、
固体撮像素子９を接続して電子内視鏡用固体撮像装置を
構成する。
絶縁膜３上に形成され、電極部分は配線パターン２に接
続されている。強誘電体としては、無機質の混合物で、
ペロブスカイト系，チタン酸塩系，例えばBaTiＯ3 ，
（Ba．Sr）TiＯ3 ，SrTiＯ3 ，PbTiＯ3 （通称ＰＴ），
Pb（Zr．Ti）Ｏ3 （通称ＰＺＴ），（Pb．La) （Zr．T
i）Ｏ3 ；ニオブ酸塩系、例えばPb（Mg1/3 ．Nb2/3 ）
Ｏ3 ，LiNbＯ3 ，LiTaＯ3，ＫNbＯ3 ，Ｋ（Ta．Nb）Ｏ
3 ；タングステン・ブロンズ系，例えば（Sr．Ba）Nb2
Ｏ6 ，（Sr．Ba）0.8 Ｒx Na0.4 Nb2 Ｏ6 ，（Pb．Ba）
Nb2 Ｏ6 ，（Ｋ．Sr）Nb2 Ｏ6 ，（Pb．Ｋ）Nb2 Ｏ6 ，
Ba2 NaNb5 Ｏ15（通称ＢＮＮ），Pb0.33Ba0.7 Nb1.99Ｏ
6 （通称ＰＢＮ），Ｋ3 Sr2 Nb5 Ｏ15（通称ＫＳＮ），
Pb2 ＫNb5 Ｏ15（通称ＰＫＮ）等を用いることができ
る。５は薄膜コンデンサ４の上部及び側部に設けられた
保護膜である。６は基板１の所定位置に配置された半導
体素子で、ボンディングワイヤ７で配線パターン２と所
定の接続を行ったのち、封止樹脂８で封止され、基板１
に実装されている。また封止樹脂８としては、エポキシ
系，ポリイミド系，シリコン系，フェノール系等の有機
系樹脂が用いられ、それらの単品又は組み合わせたもの
により封止を行っている。そして、このように薄膜コン
デンサ４及び半導体素子６を実装した基板１の端部に、
固体撮像素子９を接続して電子内視鏡用固体撮像装置を
構成する。
【００１２】以上のように上記第１実施例においては、
基板上にチップ部品の代わりに強誘電体からなる薄膜コ
ンデンサが設けられているので、電子内視鏡用固体撮像
装置を小型で薄型化を図ることができる。
基板上にチップ部品の代わりに強誘電体からなる薄膜コ
ンデンサが設けられているので、電子内視鏡用固体撮像
装置を小型で薄型化を図ることができる。
【００１３】次に、第２実施例を図２に基づいて説明す
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。11はシリコン，GaAs，サファイア等の半導体から
なる基板で、該基板11の表面部には半導体素子12が一体
的に形成されている。また半導体基板11上には、半導体
素子12や薄膜コンデンサの接続用等の配線パターン２が
形成されており、薄膜コンデンサの接続部分を除いた配
線パターン２上及び半導体基板11上には絶縁膜３が形成
されている。そして強誘電体からなる薄膜コンデンサ４
を前記絶縁膜３上に形成し、その電極部分を配線パター
ン２に接続し、更に薄膜コンデンサ４の表面及び側面を
保護膜５で覆い、半導体基板11を固体撮像素子に接続し
て電子内視鏡用固体撮像装置を構成する。
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。11はシリコン，GaAs，サファイア等の半導体から
なる基板で、該基板11の表面部には半導体素子12が一体
的に形成されている。また半導体基板11上には、半導体
素子12や薄膜コンデンサの接続用等の配線パターン２が
形成されており、薄膜コンデンサの接続部分を除いた配
線パターン２上及び半導体基板11上には絶縁膜３が形成
されている。そして強誘電体からなる薄膜コンデンサ４
を前記絶縁膜３上に形成し、その電極部分を配線パター
ン２に接続し、更に薄膜コンデンサ４の表面及び側面を
保護膜５で覆い、半導体基板11を固体撮像素子に接続し
て電子内視鏡用固体撮像装置を構成する。
【００１４】なお、第２実施例における配線パターン及
び強誘電体の材質等は、第１実施例と同様なものを用い
ることができる。このように構成した電子内視鏡用固体
撮像装置は、基板として内部に半導体素子を形成した半
導体基板を用いているので、一層の小型化を図ることが
できると共に、半導体素子の実装工程が不要になるとい
う利点が得られる。
び強誘電体の材質等は、第１実施例と同様なものを用い
ることができる。このように構成した電子内視鏡用固体
撮像装置は、基板として内部に半導体素子を形成した半
導体基板を用いているので、一層の小型化を図ることが
できると共に、半導体素子の実装工程が不要になるとい
う利点が得られる。
【００１５】次に、第３実施例を図３に基づいて説明す
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。この実施例においては、まずセラミック，シリコ
ン，メタル，ガラス，エポキシ系樹脂，ポリイミド系樹
脂，テフロン系樹脂等からなる基板１上に、強誘電体か
らなる薄膜コンデンサ４が形成される。次いで、薄膜コ
ンデンサ４の電極部分を除き基板表面及び薄膜コンデン
サ４上に絶縁膜３を形成し、薄膜コンデンサの電極部分
及び絶縁膜３上に所定の配線パターン２を形成する。そ
して基板１に形成した薄膜コンデンサ４上、もしくは薄
膜コンデンサ４上の一部に跨がって半導体素子６を載置
し、ボンディングワイヤ７で配線パターン２と所定の接
続をしたのち、封止樹脂８で封止する。封止樹脂８とし
ては、エポキシ系，ポリイミド系，シリコン系，フェノ
ール系等の有機系樹脂の単品又はそれらの組み合わせを
用いることができる。
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。この実施例においては、まずセラミック，シリコ
ン，メタル，ガラス，エポキシ系樹脂，ポリイミド系樹
脂，テフロン系樹脂等からなる基板１上に、強誘電体か
らなる薄膜コンデンサ４が形成される。次いで、薄膜コ
ンデンサ４の電極部分を除き基板表面及び薄膜コンデン
サ４上に絶縁膜３を形成し、薄膜コンデンサの電極部分
及び絶縁膜３上に所定の配線パターン２を形成する。そ
して基板１に形成した薄膜コンデンサ４上、もしくは薄
膜コンデンサ４上の一部に跨がって半導体素子６を載置
し、ボンディングワイヤ７で配線パターン２と所定の接
続をしたのち、封止樹脂８で封止する。封止樹脂８とし
ては、エポキシ系，ポリイミド系，シリコン系，フェノ
ール系等の有機系樹脂の単品又はそれらの組み合わせを
用いることができる。
【００１６】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置においては、薄膜コンデンサと半導体素子の立体的
な実装が可能となり、従来のチップ型部品であるコンデ
ンサの搭載のためのスペース等が不要となり、またコン
デンサを薄膜化したことにより、一層の小型化並びに薄
型化を図ることができる。
装置においては、薄膜コンデンサと半導体素子の立体的
な実装が可能となり、従来のチップ型部品であるコンデ
ンサの搭載のためのスペース等が不要となり、またコン
デンサを薄膜化したことにより、一層の小型化並びに薄
型化を図ることができる。
【００１７】次に、第４実施例を図４に基づいて説明す
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。図４において基板１から基板１上の配線パターン
２までの構成は、第３実施例と同様であり、薄膜コンデ
ンサ４上、もしくは薄膜コンデンサ４上の一部に跨がっ
て半導体素子６を、フリップ・チップ実装するように構
成したものである。すなわち、半導体素子６に突起電極
15を設け、突起電極15を配線パターン２と接続し、封止
樹脂８で封止して半導体素子６を実装するものである。
このように構成した電子内視鏡用固体撮像装置において
は、薄膜コンデンサと半導体素子の立体的な実装が可能
となり、従来のチップ型部品であるコンデンサの搭載の
ためのスペース等が不要となり、またコンデンサを薄膜
化したことにより、一層の小型化並びに薄型化を図るこ
とができる。
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。図４において基板１から基板１上の配線パターン
２までの構成は、第３実施例と同様であり、薄膜コンデ
ンサ４上、もしくは薄膜コンデンサ４上の一部に跨がっ
て半導体素子６を、フリップ・チップ実装するように構
成したものである。すなわち、半導体素子６に突起電極
15を設け、突起電極15を配線パターン２と接続し、封止
樹脂８で封止して半導体素子６を実装するものである。
このように構成した電子内視鏡用固体撮像装置において
は、薄膜コンデンサと半導体素子の立体的な実装が可能
となり、従来のチップ型部品であるコンデンサの搭載の
ためのスペース等が不要となり、またコンデンサを薄膜
化したことにより、一層の小型化並びに薄型化を図るこ
とができる。
【００１８】次に、第５実施例を図５に基づいて説明す
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。図５において基板１から基板１上の配線パターン
２までの構成は、第３実施例と同様であり、薄膜コンデ
ンサ４上、もしくは薄膜コンデンサ４上の一部に跨がっ
て半導体素子６を、ＴＡＢ実装するように構成したもの
である。すなわち、半導体素子６に設けた突起電極15を
インナーリード16の一端に接続して、その接続部分を封
止樹脂８で封止する。そして、半導体素子６の突起電極
15を設けていない側を薄膜コンデンサ４の上面に載置
し、インナーリード16の他端を配線パターン２に接続し
て、半導体素子６を実装するものである。
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。図５において基板１から基板１上の配線パターン
２までの構成は、第３実施例と同様であり、薄膜コンデ
ンサ４上、もしくは薄膜コンデンサ４上の一部に跨がっ
て半導体素子６を、ＴＡＢ実装するように構成したもの
である。すなわち、半導体素子６に設けた突起電極15を
インナーリード16の一端に接続して、その接続部分を封
止樹脂８で封止する。そして、半導体素子６の突起電極
15を設けていない側を薄膜コンデンサ４の上面に載置
し、インナーリード16の他端を配線パターン２に接続し
て、半導体素子６を実装するものである。
【００１９】次に、第６実施例を図６に基づいて説明す
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。図６において基板１から基板１上の配線パターン
２までの構成は、第３実施例と同様であり、薄膜コンデ
ンサ４上、もしくは薄膜コンデンサ４上の一部に跨がっ
て半導体素子６を、ＴＡＢ実装するように構成したもの
である。すなわち、半導体素子６に設けた突起電極15を
設け、該突起電極15に接続したインナーリード16を設け
た側を、薄膜コンデンサ４に向けて載置し、インナーリ
ード16の他端を配線パターン２に接続して実装するもの
である。これらの第５及び第６実施例の場合も、図３に
示した第３実施例と同様な作用効果が得られる。なお、
フリップ・チップ実装及びＴＡＢ実装に必要とする突起
電極15は、半導体素子の電極パット上に、Au, Ag, Cr,
Cu, Ni, Pt, Ti, In, Sn，ハンダ等からなる単層又は多
層膜を形成して構成することができる。
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。図６において基板１から基板１上の配線パターン
２までの構成は、第３実施例と同様であり、薄膜コンデ
ンサ４上、もしくは薄膜コンデンサ４上の一部に跨がっ
て半導体素子６を、ＴＡＢ実装するように構成したもの
である。すなわち、半導体素子６に設けた突起電極15を
設け、該突起電極15に接続したインナーリード16を設け
た側を、薄膜コンデンサ４に向けて載置し、インナーリ
ード16の他端を配線パターン２に接続して実装するもの
である。これらの第５及び第６実施例の場合も、図３に
示した第３実施例と同様な作用効果が得られる。なお、
フリップ・チップ実装及びＴＡＢ実装に必要とする突起
電極15は、半導体素子の電極パット上に、Au, Ag, Cr,
Cu, Ni, Pt, Ti, In, Sn，ハンダ等からなる単層又は多
層膜を形成して構成することができる。
【００２０】次に、第７実施例を図７に基づいて説明す
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。この実施例では、図１に示した実施例と同様の基
板１上に配線パターン２を形成し、半導体素子６を基板
１上に載置する。半導体素子６の表面には所定の配線パ
ターンが形成されていて、その配線パターンに電極部を
接続して強誘電体からなる薄膜コンデンサ４が搭載され
ている。そして、ボンディングワイヤ７を用いて半導体
素子６及び薄膜コンデンサ４と配線パターン２を電気的
に接続したのち、封止樹脂８で封止し、電子内視鏡用固
体撮像装置を構成している。
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもので
ある。この実施例では、図１に示した実施例と同様の基
板１上に配線パターン２を形成し、半導体素子６を基板
１上に載置する。半導体素子６の表面には所定の配線パ
ターンが形成されていて、その配線パターンに電極部を
接続して強誘電体からなる薄膜コンデンサ４が搭載され
ている。そして、ボンディングワイヤ７を用いて半導体
素子６及び薄膜コンデンサ４と配線パターン２を電気的
に接続したのち、封止樹脂８で封止し、電子内視鏡用固
体撮像装置を構成している。
【００２１】上記実施例において、薄膜コンデンサを形
成するための強誘電体や配線パターンの形成材並びに封
止樹脂材等は、第１実施例と同様なものを用いることが
できる。この実施例によれば、立体的な実装が可能であ
り、コンデンサを薄膜化したことと相俟って、小型化及
び薄型化を図ることができる。なお、この場合も、半導
体素子を第４実施例と同様にフリップ・チップ実装する
ことができ、また第５及び第６実施例と同様なインナー
リードを用いたＴＡＢによって実装することができる。
成するための強誘電体や配線パターンの形成材並びに封
止樹脂材等は、第１実施例と同様なものを用いることが
できる。この実施例によれば、立体的な実装が可能であ
り、コンデンサを薄膜化したことと相俟って、小型化及
び薄型化を図ることができる。なお、この場合も、半導
体素子を第４実施例と同様にフリップ・チップ実装する
ことができ、また第５及び第６実施例と同様なインナー
リードを用いたＴＡＢによって実装することができる。
【００２２】次に、第８実施例を図８に基づいて説明す
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもの
で、半導体からなる基板11の表面部に半導体素子12を一
体的に形成すると共に、半導体基板11上に半導体素子12
と接続した配線パターン２を形成する。そして薄膜コン
デンサの接続部分を除いた配線パターン２上及び半導体
素子６上に絶縁膜３を形成し、半導体素子６の形成領域
の絶縁膜３上に強誘電体から薄膜コンデンサ４を形成
し、その電極部を配線パターン２に接続する。そして薄
膜コンデンサ４の外周部に保護膜５を施す。この実施例
においても、各部の形成材料には、上記各実施例におい
て用いたものを用いることができる。この実施例も、第
３〜第４実施例と同様に、立体的な実装が可能となり、
しかもコンデンサを薄膜で形成しているため厚さを増大
させずに小型化を図ることができる。
る。この実施例も請求項１記載の発明に対応するもの
で、半導体からなる基板11の表面部に半導体素子12を一
体的に形成すると共に、半導体基板11上に半導体素子12
と接続した配線パターン２を形成する。そして薄膜コン
デンサの接続部分を除いた配線パターン２上及び半導体
素子６上に絶縁膜３を形成し、半導体素子６の形成領域
の絶縁膜３上に強誘電体から薄膜コンデンサ４を形成
し、その電極部を配線パターン２に接続する。そして薄
膜コンデンサ４の外周部に保護膜５を施す。この実施例
においても、各部の形成材料には、上記各実施例におい
て用いたものを用いることができる。この実施例も、第
３〜第４実施例と同様に、立体的な実装が可能となり、
しかもコンデンサを薄膜で形成しているため厚さを増大
させずに小型化を図ることができる。
【００２３】次に、第９実施例を図９に基づいて説明す
る。この実施例は請求項２記載の発明に対応するもので
ある。この実施例は基板１の表面に所定配線パターン２
を施し、そして基板１上に半導体素子６を載置してボン
ディングワイヤ７で配線パターン２と接続し、封止樹脂
８で封止する。また基板１の裏面にも配線パターン２を
施し、薄膜コンデンサの電極と接続される部分を除いた
配線パターン２上及び基板１上に絶縁膜３を形成する。
そして絶縁膜３上に強誘電体からなる薄膜コンデンサ４
を形成し、その電極部を配線パターン２と接続し、薄膜
コンデンサ４の外周部に保護膜５を形成する。この際、
基板１にスルーホール17を形成して、基板１を両面配線
基板として用いるように構成してもよい。
る。この実施例は請求項２記載の発明に対応するもので
ある。この実施例は基板１の表面に所定配線パターン２
を施し、そして基板１上に半導体素子６を載置してボン
ディングワイヤ７で配線パターン２と接続し、封止樹脂
８で封止する。また基板１の裏面にも配線パターン２を
施し、薄膜コンデンサの電極と接続される部分を除いた
配線パターン２上及び基板１上に絶縁膜３を形成する。
そして絶縁膜３上に強誘電体からなる薄膜コンデンサ４
を形成し、その電極部を配線パターン２と接続し、薄膜
コンデンサ４の外周部に保護膜５を形成する。この際、
基板１にスルーホール17を形成して、基板１を両面配線
基板として用いるように構成してもよい。
【００２４】この実施例においても、各部の構成材料に
は、上記各実施例と同様のものを用いることができる。
この実施例においては、両面実装、更には両面配線を行
うことができるので、厚さを増大させずに小型化を図る
ことができる。
は、上記各実施例と同様のものを用いることができる。
この実施例においては、両面実装、更には両面配線を行
うことができるので、厚さを増大させずに小型化を図る
ことができる。
【００２５】次に、第10実施例を図10に基づいて説明す
る。この実施例も請求項２記載の発明に対応するもので
ある。この実施例は、半導体からなる基板11の表面部に
半導体素子12を一体的に形成すると共に、半導体素子12
と接続するように配線パターン２を形成し、半導体素子
12の表面及び配線パターン２上に保護膜５を形成する。
一方、半導体基板11の裏面には、配線パターン２を施
し、薄膜コンデンサの電極と接続される部分を除いた配
線パターン２上及び半導体基板11上に絶縁膜３を形成す
る。そして絶縁膜３上に強誘電体からなる薄膜コンデン
サ４を形成し、その電極部を配線パターン２と接続し、
薄膜コンデンサ４の外周部に保護膜５を形成する。この
際、半導体基板11にスルーホール17を形成して、半導体
基板11を両面配線基板として用いるように構成してもよ
い。
る。この実施例も請求項２記載の発明に対応するもので
ある。この実施例は、半導体からなる基板11の表面部に
半導体素子12を一体的に形成すると共に、半導体素子12
と接続するように配線パターン２を形成し、半導体素子
12の表面及び配線パターン２上に保護膜５を形成する。
一方、半導体基板11の裏面には、配線パターン２を施
し、薄膜コンデンサの電極と接続される部分を除いた配
線パターン２上及び半導体基板11上に絶縁膜３を形成す
る。そして絶縁膜３上に強誘電体からなる薄膜コンデン
サ４を形成し、その電極部を配線パターン２と接続し、
薄膜コンデンサ４の外周部に保護膜５を形成する。この
際、半導体基板11にスルーホール17を形成して、半導体
基板11を両面配線基板として用いるように構成してもよ
い。
【００２６】この実施例においても、両面実装、更には
両面配線を行うことができるので、厚さを増大させずに
小型化を図ることができる。
両面配線を行うことができるので、厚さを増大させずに
小型化を図ることができる。
【００２７】次に、第11実施例について図11に基づいて
説明する。この実施例は、図３に示した第３実施例にお
いて、基板１の薄膜コンデンサ４及び半導体素子６を実
装した面とは反対側の面に、薄膜配線又は厚膜配線によ
り配線パターン２を形成した、セラミック，シリコン，
メタル，ガラス，エポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，
テフロン系樹脂等からなる裏打ち基板18を接着して構成
したものである。この実施例によれば、両面配線が可能
になり、高密度で小型化が図れ、また裏面保護も可能と
なる。
説明する。この実施例は、図３に示した第３実施例にお
いて、基板１の薄膜コンデンサ４及び半導体素子６を実
装した面とは反対側の面に、薄膜配線又は厚膜配線によ
り配線パターン２を形成した、セラミック，シリコン，
メタル，ガラス，エポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，
テフロン系樹脂等からなる裏打ち基板18を接着して構成
したものである。この実施例によれば、両面配線が可能
になり、高密度で小型化が図れ、また裏面保護も可能と
なる。
【００２８】次に、第12実施例を図12に基づいて説明す
る。この実施例は、図８に示した第８実施例において、
半導体基板11の薄膜コンデンサ４及を実装した面とは反
対側の面に、図11に示した第11実施例と同様に、配線パ
ターン２を形成した裏打ち基板18を接着して構成したも
ので、第11実施例と同様に、両面配線が可能となり、高
密度で小型化が図れ、また裏面保護も可能となる。な
お、上記第10〜第12実施例においても、各部の構成材料
には、第１〜第９実施例と同様のものを用いることがで
きる。
る。この実施例は、図８に示した第８実施例において、
半導体基板11の薄膜コンデンサ４及を実装した面とは反
対側の面に、図11に示した第11実施例と同様に、配線パ
ターン２を形成した裏打ち基板18を接着して構成したも
ので、第11実施例と同様に、両面配線が可能となり、高
密度で小型化が図れ、また裏面保護も可能となる。な
お、上記第10〜第12実施例においても、各部の構成材料
には、第１〜第９実施例と同様のものを用いることがで
きる。
【００２９】次に、第13及び第14実施例を、図13及び図
14に基づいて説明する。第13実施例は、図３に示した第
３実施例における基板１の下面に、直接薄膜配線又は厚
膜配線からなる裏面配線19を形成し、且つスルーホール
17を形成したものである。また第14実施例は、図８に示
した第８実施例における、半導体基板11の薄膜コンデン
サ４の配置側とは反対側の面に、直接薄膜配線又は厚膜
配線からなる裏面配線19を形成し、且つスルーホール17
を形成したものである。第13及び第14実施例の裏面配線
19の形成材料としては、Au, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt, Ti,
In, Sn，ハンダ等を用いることができ、また、それらの
材料の少なくとも一つを主成分としたもので裏面配線を
形成することができる。その他、各部の形成材料には、
上記各実施例と同様なものを用いることができ、また第
13実施例の半導体素子の実装方法としてもフリップ・チ
ップ，ＴＡＢ等を用いることができる。
14に基づいて説明する。第13実施例は、図３に示した第
３実施例における基板１の下面に、直接薄膜配線又は厚
膜配線からなる裏面配線19を形成し、且つスルーホール
17を形成したものである。また第14実施例は、図８に示
した第８実施例における、半導体基板11の薄膜コンデン
サ４の配置側とは反対側の面に、直接薄膜配線又は厚膜
配線からなる裏面配線19を形成し、且つスルーホール17
を形成したものである。第13及び第14実施例の裏面配線
19の形成材料としては、Au, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt, Ti,
In, Sn，ハンダ等を用いることができ、また、それらの
材料の少なくとも一つを主成分としたもので裏面配線を
形成することができる。その他、各部の形成材料には、
上記各実施例と同様なものを用いることができ、また第
13実施例の半導体素子の実装方法としてもフリップ・チ
ップ，ＴＡＢ等を用いることができる。
【００３０】これらの実施例においても、図11，図12で
示した第11及び第12実施例と同様に、両面配線が可能と
なり、高密度で小型化を図ることができる。
示した第11及び第12実施例と同様に、両面配線が可能と
なり、高密度で小型化を図ることができる。
【００３１】次に、第15実施例を図15の（Ａ），（Ｂ）
に基づいて説明する。この実施例は請求項３記載の発明
に対応するものである。図15の（Ａ），（Ｂ）におい
て、21は第１の基板で、半導体素子６及びアウターリー
ド26を配置するための穴部22，23がそれぞれ形成されて
いる。そして表面には配線パターン24が形成されてい
て、半導体素子６との接続部分はインナーリード25，外
部との接続部分はアウターリード26となっている。第１
の基板の材料としては、有機系及び無機系基板を用いる
ことができ、有機系基板としては、ポリイミド系樹脂，
エポキシ系樹脂，テフロン系樹脂を用いることができ、
また無機系基板としては、セラミック，メタル，シリコ
ン，ガラス等を用いることができる。また配線パターン
材料としては、Au, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt, Ti, In, Sn，
ハンダ等を用いることができ、単層又はそれらの組み合
わせによる多層で形成することができる。そして、上記
第１の基板21には、その穴部22に突起電極15を備えた半
導体素子６を配置して、突起電極15とインナーリード25
とを接続する。
に基づいて説明する。この実施例は請求項３記載の発明
に対応するものである。図15の（Ａ），（Ｂ）におい
て、21は第１の基板で、半導体素子６及びアウターリー
ド26を配置するための穴部22，23がそれぞれ形成されて
いる。そして表面には配線パターン24が形成されてい
て、半導体素子６との接続部分はインナーリード25，外
部との接続部分はアウターリード26となっている。第１
の基板の材料としては、有機系及び無機系基板を用いる
ことができ、有機系基板としては、ポリイミド系樹脂，
エポキシ系樹脂，テフロン系樹脂を用いることができ、
また無機系基板としては、セラミック，メタル，シリコ
ン，ガラス等を用いることができる。また配線パターン
材料としては、Au, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt, Ti, In, Sn，
ハンダ等を用いることができ、単層又はそれらの組み合
わせによる多層で形成することができる。そして、上記
第１の基板21には、その穴部22に突起電極15を備えた半
導体素子６を配置して、突起電極15とインナーリード25
とを接続する。
【００３２】27は第２の基板で、その表面には強誘電体
からなる薄膜コンデンサ４が形成され、その一端に薄膜
又は厚膜からなる電極部28が形成されており、該電極部
28を除いた全面に絶縁膜３が形成されている。そして、
この第２の基板27上に第１の基板21を載置して、位置合
わせしたのち第１の基板21のアウターリード26と第２の
基板27の電極部28とを電気的に接続する。この電気的な
接続法としては、固相溶接，導電性樹脂系接着剤による
接着，ハンダ接続等の方法を用いることができ、固相溶
接としては熱圧着，超音波溶接，超音波併用熱圧着等を
用いる。また導電性樹脂系接着剤としては、異方導電性
膜，異方導電性樹脂，導電性樹脂等を用いることができ
る。
からなる薄膜コンデンサ４が形成され、その一端に薄膜
又は厚膜からなる電極部28が形成されており、該電極部
28を除いた全面に絶縁膜３が形成されている。そして、
この第２の基板27上に第１の基板21を載置して、位置合
わせしたのち第１の基板21のアウターリード26と第２の
基板27の電極部28とを電気的に接続する。この電気的な
接続法としては、固相溶接，導電性樹脂系接着剤による
接着，ハンダ接続等の方法を用いることができ、固相溶
接としては熱圧着，超音波溶接，超音波併用熱圧着等を
用いる。また導電性樹脂系接着剤としては、異方導電性
膜，異方導電性樹脂，導電性樹脂等を用いることができ
る。
【００３３】この実施例によれば、薄膜コンデンサを用
いているため薄型で小型化を図ることができるばかりで
なく、半導体素子実装部と薄膜コンデンサ形成部とを別
々の基板に設けているため、信頼性、作業性並びに歩留
りの向上を図ることが可能となる。
いているため薄型で小型化を図ることができるばかりで
なく、半導体素子実装部と薄膜コンデンサ形成部とを別
々の基板に設けているため、信頼性、作業性並びに歩留
りの向上を図ることが可能となる。
【００３４】図16は、図15の（Ａ），（Ｂ）に示した第
15実施例の変形例を示す図である。この変形例は、半導
体素子６をＴＡＢ実装するに当たって、半導体素子６を
第１の基板21の穴部22内に配置する代わりに、穴部22の
上部に配置するようにしたものである。
15実施例の変形例を示す図である。この変形例は、半導
体素子６をＴＡＢ実装するに当たって、半導体素子６を
第１の基板21の穴部22内に配置する代わりに、穴部22の
上部に配置するようにしたものである。
【００３５】図17は、同じく第15実施例の変形例で、第
１の基板21に半導体素子配置用の穴部を設けずに、半導
体素子６をフリップ・チップ実装するようにしたもので
ある。図18も同じく第15実施例の変形例で、図17に示し
た変形例と同様に第１の基板21には半導体素子配置用の
穴部を設けずに、半導体素子６を第１の基板21上に載置
して、ボンディングワイヤ７で配線パターン24と接続
し、封止樹脂８で封止して実装するもので、他の構成は
図15の（Ａ），（Ｂ）に示した第15実施例と同様であ
る。
１の基板21に半導体素子配置用の穴部を設けずに、半導
体素子６をフリップ・チップ実装するようにしたもので
ある。図18も同じく第15実施例の変形例で、図17に示し
た変形例と同様に第１の基板21には半導体素子配置用の
穴部を設けずに、半導体素子６を第１の基板21上に載置
して、ボンディングワイヤ７で配線パターン24と接続
し、封止樹脂８で封止して実装するもので、他の構成は
図15の（Ａ），（Ｂ）に示した第15実施例と同様であ
る。
【００３６】図19は、同じく第15実施例の変形例を示す
図で、この変形例は第１の基板21を両面配線基板とし、
第２の基板27の薄膜コンデンサ４の電極部28と接続する
アウターリード26は、第１の基板21の裏面に設けた配線
パターン24ａから導出させて形成する。そして、表面の
配線パターン24と裏面の配線パターン24ａとは、必要に
応じてスルーホール17により接続するようにしてもよ
い。
図で、この変形例は第１の基板21を両面配線基板とし、
第２の基板27の薄膜コンデンサ４の電極部28と接続する
アウターリード26は、第１の基板21の裏面に設けた配線
パターン24ａから導出させて形成する。そして、表面の
配線パターン24と裏面の配線パターン24ａとは、必要に
応じてスルーホール17により接続するようにしてもよ
い。
【００３７】図20は、同じく図15の（Ａ），（Ｂ）に示
した第15実施例の変形例を示す図で、この変形例は薄膜
コンデンサ４を第２の基板27の裏面に形成し、第１の基
板21のアウターリード26と接続すべき電極部28は、第２
の基板27の表面に形成する。そして、該電極部28と薄膜
コンデンサ４とは、スルーホール17を介して接続するよ
うに構成したものである。
した第15実施例の変形例を示す図で、この変形例は薄膜
コンデンサ４を第２の基板27の裏面に形成し、第１の基
板21のアウターリード26と接続すべき電極部28は、第２
の基板27の表面に形成する。そして、該電極部28と薄膜
コンデンサ４とは、スルーホール17を介して接続するよ
うに構成したものである。
【００３８】上記図16〜図20に示したこれらの変形例
は、いずれも第15実施例と同様な作用効果が得られるも
のである。
は、いずれも第15実施例と同様な作用効果が得られるも
のである。
【００３９】次に、第16実施例を図21に基づいて説明す
る。この実施例も請求項３記載の発明に対応するもので
ある。この実施例は、第１の基板31にアウターリード配
置用の穴部32を設け、基板31の表面上には所定の配線パ
ターン33を形成し、その一部をアウターリード34として
穴部32に配置する。薄膜コンデンサ接続部分を除いた配
線パターン33及び基板31上に絶縁膜３を形成する。そし
て絶縁膜３上に強誘電体からなる薄膜コンデンサ４を形
成して配線パターン33に接続し、薄膜コンデンサ４の外
周部に保護膜５を施す。一方、第２の基板35はシリコ
ン，GaAs，サファイア等の半導体基板で構成し、表面内
部に半導体素子６を一体的に形成し、更に半導体からな
る第２の基板35の表面に接続用電極部36と該電極部36を
除いた表面に絶縁膜３を形成する。そして第１の基板31
と第２の基板35とを重ね合わせ、位置決めをしたのちに
第１の基板31のアウターリード34を第２の基板35の接続
用電極部36に接続する。
る。この実施例も請求項３記載の発明に対応するもので
ある。この実施例は、第１の基板31にアウターリード配
置用の穴部32を設け、基板31の表面上には所定の配線パ
ターン33を形成し、その一部をアウターリード34として
穴部32に配置する。薄膜コンデンサ接続部分を除いた配
線パターン33及び基板31上に絶縁膜３を形成する。そし
て絶縁膜３上に強誘電体からなる薄膜コンデンサ４を形
成して配線パターン33に接続し、薄膜コンデンサ４の外
周部に保護膜５を施す。一方、第２の基板35はシリコ
ン，GaAs，サファイア等の半導体基板で構成し、表面内
部に半導体素子６を一体的に形成し、更に半導体からな
る第２の基板35の表面に接続用電極部36と該電極部36を
除いた表面に絶縁膜３を形成する。そして第１の基板31
と第２の基板35とを重ね合わせ、位置決めをしたのちに
第１の基板31のアウターリード34を第２の基板35の接続
用電極部36に接続する。
【００４０】この実施例における各構成部分の構成材料
等は、上記各実施例と同様のものを用いることができ
る。この実施例によれば、半導体素子を一体的に形成し
た半導体基板を第２の基板として用いているので、半導
体素子の実装工程を必要とせずに薄型化が可能となる。
等は、上記各実施例と同様のものを用いることができ
る。この実施例によれば、半導体素子を一体的に形成し
た半導体基板を第２の基板として用いているので、半導
体素子の実装工程を必要とせずに薄型化が可能となる。
【００４１】次に、第17実施例を図22に基づいて説明す
る。この実施例も、請求項３記載の発明に対応するもの
である。この実施例は、図15の（Ａ），（Ｂ）の第15実
施例において示した、第２の基板27の薄膜コンデンサ形
成面とは反対側の面に、直接裏面配線29を形成したもの
である。裏面配線29の形成材料としては、Au, Ag, Cr,
Cu, Ni, Pt, Ti, In, Sn，ハンダ等の単層膜又は多層膜
を用いることができる。この実施例によれば、個別基板
を用いたものにおいて両面配線が可能になり、更に高密
度実装が可能となる。
る。この実施例も、請求項３記載の発明に対応するもの
である。この実施例は、図15の（Ａ），（Ｂ）の第15実
施例において示した、第２の基板27の薄膜コンデンサ形
成面とは反対側の面に、直接裏面配線29を形成したもの
である。裏面配線29の形成材料としては、Au, Ag, Cr,
Cu, Ni, Pt, Ti, In, Sn，ハンダ等の単層膜又は多層膜
を用いることができる。この実施例によれば、個別基板
を用いたものにおいて両面配線が可能になり、更に高密
度実装が可能となる。
【００４２】次に、第18実施例を図23に基づいて説明す
る。この実施例も、請求項３記載の発明に対応するもの
である。この実施例は、図15の（Ａ），（Ｂ）の第15実
施例において示した、第２の基板27の薄膜コンデンサ形
成面とは反対側の面に、裏面配線パターン38を形成した
裏打ち基板37を接着したものである。裏打ち基板37とし
ては有機系又は無機系基板を用いることができ、有機系
基板の形成材料としては、ポリイミド系，エポキシ系，
テフロン系樹脂を用いることができる。また裏面配線パ
ターン38としては薄膜又は厚膜を用いることができ、そ
の形成材料としては、例えばAu, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt,
Ti, In, Sn，ハンダ等の単層膜又は多層膜を用いること
ができる。この実施例においては、個別基板を用いたも
のにおいて両面配線が可能になり、高密度実装が可能と
なると共に、第２の基板の裏面保護機能をもたせること
ができる。
る。この実施例も、請求項３記載の発明に対応するもの
である。この実施例は、図15の（Ａ），（Ｂ）の第15実
施例において示した、第２の基板27の薄膜コンデンサ形
成面とは反対側の面に、裏面配線パターン38を形成した
裏打ち基板37を接着したものである。裏打ち基板37とし
ては有機系又は無機系基板を用いることができ、有機系
基板の形成材料としては、ポリイミド系，エポキシ系，
テフロン系樹脂を用いることができる。また裏面配線パ
ターン38としては薄膜又は厚膜を用いることができ、そ
の形成材料としては、例えばAu, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt,
Ti, In, Sn，ハンダ等の単層膜又は多層膜を用いること
ができる。この実施例においては、個別基板を用いたも
のにおいて両面配線が可能になり、高密度実装が可能と
なると共に、第２の基板の裏面保護機能をもたせること
ができる。
【００４３】以上実施例について説明したが、本願発明
の態様をまとめて示すと、次のようになる。 （１）強誘電体で形成した薄膜コンデンサと半導体素子
とを備えた基板の端面に固体撮像素子を固着し、電子内
視鏡先端部へ組み込めるように構成したことを特徴とす
る電子内視鏡用固体撮像装置。このように構成した電子
内視鏡用固体撮像装置は、強誘電体により形成した薄膜
コンデンサを用いているので、小型化並びに薄型化を図
ることができる。 （２）強誘電体で形成した薄膜コンデンサ上に半導体素
子を実装したことを特徴とする上記（１）記載の電子内
視鏡用固体撮像装置。これにより、立体的な実装が可能
となり更に小型化が可能な電子内視鏡用固体撮像装置を
実現することができ、しかもコンデンサは薄膜で形成さ
れているため厚み方向も殆ど増大させることがなく、薄
型化を図ることができる。 （３）半導体素子上に強誘電体からなる薄膜コンデンサ
を形成したことを特徴とする上記（１）記載の電子内視
鏡用固体撮像装置。これにより、立体的な実装が可能と
なり更に小型化が可能な電子内視鏡用固体撮像装置を実
現することができ、しかもコンデンサは薄膜で形成され
ているため厚み方向も殆ど増大させることがなく、薄型
化を図ることができる。 （４）基板の一方の面に強誘電体からなる薄膜コンデン
サを形成し、他方の面に半導体素子を設けたことを特徴
とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、立体的な両面実装が可能となり更に小型化が
可能な電子内視鏡用固体撮像装置を実現することがで
き、しかもコンデンサは薄膜で形成されているため厚み
方向も殆ど増大させることがなく、薄型化を図ることが
できる。 （５）前記基板を第１及び第２の２枚の基板で構成し、
第１及び第２の基板のいずれか一方の基板に強誘電体か
らなる薄膜コンデンサを形成し、他方の基板に半導体素
子を設けると共に、第１及び第２の基板を電気的に接続
して回路を形成するように構成したことを特徴とする上
記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。このように
別個の基板に薄膜コンデンサと半導体素子を設けるよう
にしているので、小型化を維持しながら、作業性及び信
頼性の向上が図られ、更にトータルの歩留りを向上させ
ることができる。 （６）前記強誘電体で形成した薄膜コンデンサが、基板
と一体的に形成されていることを特徴とする上記（１）
記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、一層の
小型化が可能な電子内視鏡用固体撮像装置を実現するこ
とができる。 （７）前記半導体素子が、基板と一体的に形成されてい
ることを特徴とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体
撮像装置。これにより、一層の小型化と共に、半導体素
子の実装工程が不要となる電子内視鏡用固体撮像装置を
実現することができる。 （８）前記強誘電体で形成した薄膜コンデンサ及び半導
体素子が、基板と一体的に形成されていることを特徴と
する上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これ
により、一層の小型化と共に、半導体素子の実装工程が
不要となる電子内視鏡用固体撮像装置を実現することが
できる。 （９）前記半導体素子は、基板上に形成されている配線
パターンにボンディングワイヤを用いて接続されている
ことを特徴とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮
像装置。これにより、半導体素子を基板に容易に実装可
能な電子内視鏡用固体撮像装置を実現することができ
る。 （10）前記半導体素子は、該半導体素子に設けた突起電
極を基板上に形成されている配線パターンに直接接合す
るフリップ・チップ接続により接続されていることを特
徴とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。
これにより、半導体素子を基板に容易に実装可能な電子
内視鏡用固体撮像装置を実現することができる。 （11）前記半導体素子を、該半導体素子に設けた突起電
極が基板と対向する側とは反対側に位置するように基板
に対して配置し、該突起電極を基板上に形成されている
配線パターンに、インナーリードを用いて接続している
ことを特徴とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮
像装置。これにより、半導体素子を基板に容易に実装可
能な電子内視鏡用固体撮像装置を実現することができ
る。 （12）前記半導体素子を、該半導体素子に設けた突起電
極が基板と対向する側に位置するように基板に対して配
置し、該突起電極を基板上に形成されている配線パター
ンに、インナーリードを用いて接続していることを特徴
とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、半導体素子を基板に容易に実装可能な電子内
視鏡用固体撮像装置を実現することができる。 （13）前記半導体素子上に薄膜コンデンサを一体的に形
成し、前記半導体素子を、基板上に形成されている配線
パターンにボンディングワイヤを用いて接続しているこ
とを特徴とする上記（３）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、半導体素子と薄膜コンデンサの立体
的な実装が可能となり、コンデンサを薄膜化したことと
相俟って、小型化及び薄型化を図ることができる。 （14）前記半導体素子上に薄膜コンデンサを一体的に形
成し、前記半導体素子を、該半導体素子に設けた突起電
極を基板上に形成されている配線パターンに直接接合す
るフリップ・チップ接続により接続していることを特徴
とする上記（３）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、半導体素子と薄膜コンデンサの立体的な実装
が可能となり、コンデンサを薄膜化したことと相俟っ
て、小型化及び薄型化を図ることができる。 （15）前記半導体素子上に薄膜コンデンサを一体的に形
成し、該半導体素子に設けた突起電極が基板と対向する
側とは反対側に位置するように、該半導体素子を基板に
対して配置し、該突起電極を基板上に形成されている配
線パターンに、インナーリードを用いて接続しているこ
とを特徴とする上記（３）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、半導体素子と薄膜コンデンサの立体
的な実装が可能となり、コンデンサを薄膜化したことと
相俟って、小型化及び薄型化を図ることができる。 （16）前記半導体素子上に薄膜コンデンサを一体的に形
成し、該半導体素子に設けた突起電極が基板と対向する
側に位置するように、該半導体素子を基板に対して配置
し、該突起電極を基板上に形成されている配線パターン
に、インナーリードを用いて接続していることを特徴と
する上記（３）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これ
により、半導体素子と薄膜コンデンサの立体的な実装が
可能となり、コンデンサを薄膜化したことと相俟って、
小型化及び薄型化を図ることができる。 （17）前記基板の上下面に形成した配線パターンを、該
基板に形成したスールホールを介して電気的に接続した
ことを特徴とする上記（４）記載の電子内視鏡用固体撮
像装置。これにより、両面実装、更には両面配線を行う
ことができるので、厚さを増大させずに小型化を図るこ
とができる。 （18）前記基板の裏面に、配線パターンを形成した裏打
ち基板を接着したことを特徴とする上記（１）記載の電
子内視鏡用固体撮像装置。これにより、両面配線が可能
となり、高密度で小型化が図られ、また裏面保護も可能
となる。 （19）前記基板の裏面に裏面配線を形成し、且つ該基板
にスールホールを形成していることを特徴とする上記
（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、
両面配線が可能となり、高密度で小型化を図ることがで
きる。 （20）前記裏面配線はAu, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt, Ti, I
n, Sn，ハンダのうち少なくとも１つを主成分とする材
料で形成されていることを特徴とする上記（19）記載の
電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、特性の良好な
裏面配線を容易に形成することができる。 （21）前記第１の基板に半導体素子を設け、第２の基板
には薄膜コンデンサを設けると共に、前記第１の基板の
半導体素子を設けていない面と、前記第２の基板の薄膜
コンデンサを設けている面とを接着していることを特徴
とする上記（５）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、薄膜コンデンサを用いているため薄型で小型
化を図ることができると共に、半導体素子実装部と薄膜
コンデンサ形成部とを別々の基板に設けているため、信
頼性、作業性並びに歩留りの向上を図ることができる。 （22）前記第１の基板に２つの穴部を形成し、一方の穴
部の内部には半導体素子を、他方の穴部の内部にはアウ
タリードを配置し、前記第１の基板と第２の基板とを前
記アウタリードを介して電気的に接続したことを特徴と
する上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これ
により、基板の穴部内に半導体素子を配置しているの
で、一層の薄型化を図ることができる。 （23）前記電気的な接続には、固相溶接、導電性接着剤
による接続もしくはハンダ接続が用いられていることを
特徴とする上記（22）記載の電子内視鏡用固体撮像装
置。これにより、第１の基板と第２の基板との電気的な
接続を容易に且つ確実に行うことができる。 （24）前記第１の基板に２つの穴部を形成し、一方の穴
部の上部に半導体素子を、他方の穴部の内部にアウタリ
ードを配置し、前記第１の基板と第２の基板とを前記ア
ウタリードを介して電気的に接続したことを特徴とする
上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これによ
り、上記（21）記載のものと同様な作用効果が得られ
る。 （25）前記第１の基板上に半導体素子をフリップ・チッ
プで実装すると共に該基板に１つの穴部を形成して、該
穴部にアウタリードを配置し、第１の基板上に設けた半
導体素子と第２の基板に形成した薄膜コンデンサとを、
前記アウタリードを介して電気的に接続したことを特徴
とする上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、上記（21）記載のものと同様な作用効果が得
られる。 （26）前記第１の基板上に半導体素子をボンディングワ
イヤで実装すると共に該基板に１つの穴部を形成して、
該穴部にアウタリードを配置し、第１の基板上に設けた
半導体素子と第２の基板に形成した薄膜コンデンサと
を、前記アウタリードを介して電気的に接続したことを
特徴とする上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装
置。これにより、上記（21）記載のものと同様な作用効
果が得られる。 （27）前記第１の基板は、両面に配線を形成しているこ
とを特徴とする上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、上記（21）記載のものと同様な作用
効果が得られる。 （28）前記第１の基板の両面の配線を、スールホールを
介して電気的に接続したことを特徴とする上記（27）記
載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、上記（2
1）記載のものと同様な作用効果が得られる。 （29）前記第１の基板の半導体素子を設けていない面
と、前記第２の基板の薄膜コンデンサを設けていない面
とを接着していることをことを特徴とする上記（５）記
載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、上記
（５）記載のものと同様な作用効果が得られる。 （30）前記第２の基板は、両面に配線を形成しているこ
とを特徴とする上記（29）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、上記（５）記載のものと同様な作用
効果が得られる。 （31）前記第２の基板の両面の配線をスールホールを介
して電気的に接続したことを特徴とする上記（30）記載
の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、上記（５）
記載のものと同様な作用効果が得られる。 （32）前記第１の基板に薄膜コンデンサを設け、第２の
基板に半導体素子を設けると共に、前記前記第１の基板
に薄膜コンデンサを設けていない面と、前記第２の基板
の半導体素子を設けていない面と接着していることをこ
とを特徴とする上記（５）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、上記（５）記載のものと同様な作用
効果が得られる。 （33）前記第１の基板上に穴部を形成し、該穴部にアウ
タリードを配置し、第１の基板に設けた薄膜コンデンサ
と第２の基板に設けた半導体素子とを、前記アウタリー
ドを介して電気的に接続したことを特徴とする上記（3
2）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、上
記（５）記載のものと同様な作用効果が得られる。 （34）前記第２の基板の薄膜コンデンサを形成している
面とは反対側の面に、裏面配線を形成していることを特
徴とする上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。
これにより、上記（21）記載のものと同様な作用効果が
得られる。 （35）前記第２の基板の薄膜コンデンサを形成している
面とは反対側の面に、裏面配線を形成した裏打ち基板を
接着したことを特徴とする上記（21）記載の電子内視鏡
用固体撮像装置。これにより、個別基板を用いたものに
おいて両面配線が可能となり、高密度実装が可能となる
と共に、第２の基板の裏面保護機能をもたせることがで
きる。
の態様をまとめて示すと、次のようになる。 （１）強誘電体で形成した薄膜コンデンサと半導体素子
とを備えた基板の端面に固体撮像素子を固着し、電子内
視鏡先端部へ組み込めるように構成したことを特徴とす
る電子内視鏡用固体撮像装置。このように構成した電子
内視鏡用固体撮像装置は、強誘電体により形成した薄膜
コンデンサを用いているので、小型化並びに薄型化を図
ることができる。 （２）強誘電体で形成した薄膜コンデンサ上に半導体素
子を実装したことを特徴とする上記（１）記載の電子内
視鏡用固体撮像装置。これにより、立体的な実装が可能
となり更に小型化が可能な電子内視鏡用固体撮像装置を
実現することができ、しかもコンデンサは薄膜で形成さ
れているため厚み方向も殆ど増大させることがなく、薄
型化を図ることができる。 （３）半導体素子上に強誘電体からなる薄膜コンデンサ
を形成したことを特徴とする上記（１）記載の電子内視
鏡用固体撮像装置。これにより、立体的な実装が可能と
なり更に小型化が可能な電子内視鏡用固体撮像装置を実
現することができ、しかもコンデンサは薄膜で形成され
ているため厚み方向も殆ど増大させることがなく、薄型
化を図ることができる。 （４）基板の一方の面に強誘電体からなる薄膜コンデン
サを形成し、他方の面に半導体素子を設けたことを特徴
とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、立体的な両面実装が可能となり更に小型化が
可能な電子内視鏡用固体撮像装置を実現することがで
き、しかもコンデンサは薄膜で形成されているため厚み
方向も殆ど増大させることがなく、薄型化を図ることが
できる。 （５）前記基板を第１及び第２の２枚の基板で構成し、
第１及び第２の基板のいずれか一方の基板に強誘電体か
らなる薄膜コンデンサを形成し、他方の基板に半導体素
子を設けると共に、第１及び第２の基板を電気的に接続
して回路を形成するように構成したことを特徴とする上
記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。このように
別個の基板に薄膜コンデンサと半導体素子を設けるよう
にしているので、小型化を維持しながら、作業性及び信
頼性の向上が図られ、更にトータルの歩留りを向上させ
ることができる。 （６）前記強誘電体で形成した薄膜コンデンサが、基板
と一体的に形成されていることを特徴とする上記（１）
記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、一層の
小型化が可能な電子内視鏡用固体撮像装置を実現するこ
とができる。 （７）前記半導体素子が、基板と一体的に形成されてい
ることを特徴とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体
撮像装置。これにより、一層の小型化と共に、半導体素
子の実装工程が不要となる電子内視鏡用固体撮像装置を
実現することができる。 （８）前記強誘電体で形成した薄膜コンデンサ及び半導
体素子が、基板と一体的に形成されていることを特徴と
する上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これ
により、一層の小型化と共に、半導体素子の実装工程が
不要となる電子内視鏡用固体撮像装置を実現することが
できる。 （９）前記半導体素子は、基板上に形成されている配線
パターンにボンディングワイヤを用いて接続されている
ことを特徴とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮
像装置。これにより、半導体素子を基板に容易に実装可
能な電子内視鏡用固体撮像装置を実現することができ
る。 （10）前記半導体素子は、該半導体素子に設けた突起電
極を基板上に形成されている配線パターンに直接接合す
るフリップ・チップ接続により接続されていることを特
徴とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。
これにより、半導体素子を基板に容易に実装可能な電子
内視鏡用固体撮像装置を実現することができる。 （11）前記半導体素子を、該半導体素子に設けた突起電
極が基板と対向する側とは反対側に位置するように基板
に対して配置し、該突起電極を基板上に形成されている
配線パターンに、インナーリードを用いて接続している
ことを特徴とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮
像装置。これにより、半導体素子を基板に容易に実装可
能な電子内視鏡用固体撮像装置を実現することができ
る。 （12）前記半導体素子を、該半導体素子に設けた突起電
極が基板と対向する側に位置するように基板に対して配
置し、該突起電極を基板上に形成されている配線パター
ンに、インナーリードを用いて接続していることを特徴
とする上記（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、半導体素子を基板に容易に実装可能な電子内
視鏡用固体撮像装置を実現することができる。 （13）前記半導体素子上に薄膜コンデンサを一体的に形
成し、前記半導体素子を、基板上に形成されている配線
パターンにボンディングワイヤを用いて接続しているこ
とを特徴とする上記（３）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、半導体素子と薄膜コンデンサの立体
的な実装が可能となり、コンデンサを薄膜化したことと
相俟って、小型化及び薄型化を図ることができる。 （14）前記半導体素子上に薄膜コンデンサを一体的に形
成し、前記半導体素子を、該半導体素子に設けた突起電
極を基板上に形成されている配線パターンに直接接合す
るフリップ・チップ接続により接続していることを特徴
とする上記（３）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、半導体素子と薄膜コンデンサの立体的な実装
が可能となり、コンデンサを薄膜化したことと相俟っ
て、小型化及び薄型化を図ることができる。 （15）前記半導体素子上に薄膜コンデンサを一体的に形
成し、該半導体素子に設けた突起電極が基板と対向する
側とは反対側に位置するように、該半導体素子を基板に
対して配置し、該突起電極を基板上に形成されている配
線パターンに、インナーリードを用いて接続しているこ
とを特徴とする上記（３）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、半導体素子と薄膜コンデンサの立体
的な実装が可能となり、コンデンサを薄膜化したことと
相俟って、小型化及び薄型化を図ることができる。 （16）前記半導体素子上に薄膜コンデンサを一体的に形
成し、該半導体素子に設けた突起電極が基板と対向する
側に位置するように、該半導体素子を基板に対して配置
し、該突起電極を基板上に形成されている配線パターン
に、インナーリードを用いて接続していることを特徴と
する上記（３）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これ
により、半導体素子と薄膜コンデンサの立体的な実装が
可能となり、コンデンサを薄膜化したことと相俟って、
小型化及び薄型化を図ることができる。 （17）前記基板の上下面に形成した配線パターンを、該
基板に形成したスールホールを介して電気的に接続した
ことを特徴とする上記（４）記載の電子内視鏡用固体撮
像装置。これにより、両面実装、更には両面配線を行う
ことができるので、厚さを増大させずに小型化を図るこ
とができる。 （18）前記基板の裏面に、配線パターンを形成した裏打
ち基板を接着したことを特徴とする上記（１）記載の電
子内視鏡用固体撮像装置。これにより、両面配線が可能
となり、高密度で小型化が図られ、また裏面保護も可能
となる。 （19）前記基板の裏面に裏面配線を形成し、且つ該基板
にスールホールを形成していることを特徴とする上記
（１）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、
両面配線が可能となり、高密度で小型化を図ることがで
きる。 （20）前記裏面配線はAu, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt, Ti, I
n, Sn，ハンダのうち少なくとも１つを主成分とする材
料で形成されていることを特徴とする上記（19）記載の
電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、特性の良好な
裏面配線を容易に形成することができる。 （21）前記第１の基板に半導体素子を設け、第２の基板
には薄膜コンデンサを設けると共に、前記第１の基板の
半導体素子を設けていない面と、前記第２の基板の薄膜
コンデンサを設けている面とを接着していることを特徴
とする上記（５）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、薄膜コンデンサを用いているため薄型で小型
化を図ることができると共に、半導体素子実装部と薄膜
コンデンサ形成部とを別々の基板に設けているため、信
頼性、作業性並びに歩留りの向上を図ることができる。 （22）前記第１の基板に２つの穴部を形成し、一方の穴
部の内部には半導体素子を、他方の穴部の内部にはアウ
タリードを配置し、前記第１の基板と第２の基板とを前
記アウタリードを介して電気的に接続したことを特徴と
する上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これ
により、基板の穴部内に半導体素子を配置しているの
で、一層の薄型化を図ることができる。 （23）前記電気的な接続には、固相溶接、導電性接着剤
による接続もしくはハンダ接続が用いられていることを
特徴とする上記（22）記載の電子内視鏡用固体撮像装
置。これにより、第１の基板と第２の基板との電気的な
接続を容易に且つ確実に行うことができる。 （24）前記第１の基板に２つの穴部を形成し、一方の穴
部の上部に半導体素子を、他方の穴部の内部にアウタリ
ードを配置し、前記第１の基板と第２の基板とを前記ア
ウタリードを介して電気的に接続したことを特徴とする
上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これによ
り、上記（21）記載のものと同様な作用効果が得られ
る。 （25）前記第１の基板上に半導体素子をフリップ・チッ
プで実装すると共に該基板に１つの穴部を形成して、該
穴部にアウタリードを配置し、第１の基板上に設けた半
導体素子と第２の基板に形成した薄膜コンデンサとを、
前記アウタリードを介して電気的に接続したことを特徴
とする上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
れにより、上記（21）記載のものと同様な作用効果が得
られる。 （26）前記第１の基板上に半導体素子をボンディングワ
イヤで実装すると共に該基板に１つの穴部を形成して、
該穴部にアウタリードを配置し、第１の基板上に設けた
半導体素子と第２の基板に形成した薄膜コンデンサと
を、前記アウタリードを介して電気的に接続したことを
特徴とする上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装
置。これにより、上記（21）記載のものと同様な作用効
果が得られる。 （27）前記第１の基板は、両面に配線を形成しているこ
とを特徴とする上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、上記（21）記載のものと同様な作用
効果が得られる。 （28）前記第１の基板の両面の配線を、スールホールを
介して電気的に接続したことを特徴とする上記（27）記
載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、上記（2
1）記載のものと同様な作用効果が得られる。 （29）前記第１の基板の半導体素子を設けていない面
と、前記第２の基板の薄膜コンデンサを設けていない面
とを接着していることをことを特徴とする上記（５）記
載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、上記
（５）記載のものと同様な作用効果が得られる。 （30）前記第２の基板は、両面に配線を形成しているこ
とを特徴とする上記（29）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、上記（５）記載のものと同様な作用
効果が得られる。 （31）前記第２の基板の両面の配線をスールホールを介
して電気的に接続したことを特徴とする上記（30）記載
の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、上記（５）
記載のものと同様な作用効果が得られる。 （32）前記第１の基板に薄膜コンデンサを設け、第２の
基板に半導体素子を設けると共に、前記前記第１の基板
に薄膜コンデンサを設けていない面と、前記第２の基板
の半導体素子を設けていない面と接着していることをこ
とを特徴とする上記（５）記載の電子内視鏡用固体撮像
装置。これにより、上記（５）記載のものと同様な作用
効果が得られる。 （33）前記第１の基板上に穴部を形成し、該穴部にアウ
タリードを配置し、第１の基板に設けた薄膜コンデンサ
と第２の基板に設けた半導体素子とを、前記アウタリー
ドを介して電気的に接続したことを特徴とする上記（3
2）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。これにより、上
記（５）記載のものと同様な作用効果が得られる。 （34）前記第２の基板の薄膜コンデンサを形成している
面とは反対側の面に、裏面配線を形成していることを特
徴とする上記（21）記載の電子内視鏡用固体撮像装置。
これにより、上記（21）記載のものと同様な作用効果が
得られる。 （35）前記第２の基板の薄膜コンデンサを形成している
面とは反対側の面に、裏面配線を形成した裏打ち基板を
接着したことを特徴とする上記（21）記載の電子内視鏡
用固体撮像装置。これにより、個別基板を用いたものに
おいて両面配線が可能となり、高密度実装が可能となる
と共に、第２の基板の裏面保護機能をもたせることがで
きる。
【００４４】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
本願請求項１記載の発明によれば、強誘電体からなる薄
膜コンデンサを用いているので、小型化並びに薄型化を
図ることができ、電子内視鏡の先端の微小部分に容易に
実装可能な電子内視鏡用固体撮像装置を得ることができ
る。また請求項２記載の発明によれば、立体的な実装が
可能となり、厚さを増大せずに更に小型化を図ることが
できる。また請求項３記載の発明によれば、個別の基板
に薄膜コンデンサと半導体素子を設けるようにしたの
で、小型化を維持しながら、作業性、信頼性並びに歩留
りの向上を図ることができる。
本願請求項１記載の発明によれば、強誘電体からなる薄
膜コンデンサを用いているので、小型化並びに薄型化を
図ることができ、電子内視鏡の先端の微小部分に容易に
実装可能な電子内視鏡用固体撮像装置を得ることができ
る。また請求項２記載の発明によれば、立体的な実装が
可能となり、厚さを増大せずに更に小型化を図ることが
できる。また請求項３記載の発明によれば、個別の基板
に薄膜コンデンサと半導体素子を設けるようにしたの
で、小型化を維持しながら、作業性、信頼性並びに歩留
りの向上を図ることができる。
【図１】本発明に係る電子内視鏡用固体撮像装置の第１
実施例を固体撮像素子部を概略的に示した断面図であ
る。
実施例を固体撮像素子部を概略的に示した断面図であ
る。
【図２】第２実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図３】第３実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図４】第４実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図５】第５実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図６】第６実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図７】第７実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図８】第８実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図９】第９実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図10】第10実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図11】第11実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図12】第12実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図13】第13実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図14】第14実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図15】第15実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図及び上面図である。
図及び上面図である。
【図16】図15に示した第15実施例の変形例の固体撮像素
子部を除いて示す断面図である。
子部を除いて示す断面図である。
【図17】図15に示した第15実施例の変形例の固体撮像素
子部を除いて示す断面図である。
子部を除いて示す断面図である。
【図18】図15に示した第15実施例の変形例の固体撮像素
子部を除いて示す断面図である。
子部を除いて示す断面図である。
【図19】図15に示した第15実施例の変形例の固体撮像素
子部を除いて示す断面図である。
子部を除いて示す断面図である。
【図20】図15に示した第15実施例の変形例の固体撮像素
子部を除いて示す断面図である。
子部を除いて示す断面図である。
【図21】第16実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図22】第17実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図23】第18実施例の固体撮像素子部を除いて示す断面
図である。
図である。
【図24】従来の電子内視鏡用固体撮像装置を示す平面図
及び側面図である。
及び側面図である。
１ 基板 ２ 配線パターン ３ 絶縁膜 ４ 薄膜コンデンサ ５ 保護膜 ６ 半導体素子 ７ ボンディングワイヤ ８ 封止樹脂 ９ 固体撮像素子 11 半導体基板 12 半導体素子 15 突起電極 16 インナーリード 17 スルーホール 18 裏打ち基板 19 裏面配線 21 第１の基板 22、23 穴部 24 配線パターン 25 インナーリード 26 アウターリード 27 第２の基板 28 電極部 31 第１の基板 32 穴部 33 配線パターン 34 アウターリード 35 第２の基板 36 接続用電極部 37 裏打ち基板 38 裏面配線パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 強誘電体で形成した薄膜コンデンサと半
導体素子とを備えた基板の端面に固体撮像素子を固着
し、電子内視鏡先端部へ組み込めるように構成したこと
を特徴とする電子内視鏡用固体撮像装置。 - 【請求項２】 基板の一方の面に強誘電体からなる薄膜
コンデンサを形成し、他方の面に半導体素子を設けたこ
とを特徴とする請求項１記載の電子内視鏡用固体撮像装
置。 - 【請求項３】 前記基板を第１及び第２の２枚の基板で
構成し、第１及び第２の基板のいずれか一方の基板に強
誘電体からなる薄膜コンデンサを形成し、他方の基板に
半導体素子を設けると共に、第１及び第２の基板を電気
的に接続して回路を形成するように構成したことを特徴
とする請求項１記載の電子内視鏡用固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7119017A JPH089272A (ja) | 1994-04-22 | 1995-04-21 | 電子内視鏡用固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10621894 | 1994-04-22 | ||
| JP6-106218 | 1994-04-22 | ||
| JP7119017A JPH089272A (ja) | 1994-04-22 | 1995-04-21 | 電子内視鏡用固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH089272A true JPH089272A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=26446363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7119017A Withdrawn JPH089272A (ja) | 1994-04-22 | 1995-04-21 | 電子内視鏡用固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089272A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10252831A1 (de) * | 2002-03-14 | 2003-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung |
| JP2005065285A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 固体撮像用半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013000359A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | 内視鏡装置および電子機器 |
| JP2013128778A (ja) * | 2013-01-29 | 2013-07-04 | Toshiba Corp | 内視鏡装置および電子機器 |
| JP2021519655A (ja) * | 2018-12-07 | 2021-08-12 | 上海英諾偉医療器械有限公司 | 可撓性チューブに基づく生体内検出装置及びシステム |
| JP2021519656A (ja) * | 2018-12-21 | 2021-08-12 | 上海英諾偉医療器械有限公司 | 可撓性チューブに基づく検出パッケージ構造及び生体内検出装置 |
-
1995
- 1995-04-21 JP JP7119017A patent/JPH089272A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10252831A1 (de) * | 2002-03-14 | 2003-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung |
| US6727564B2 (en) | 2002-03-14 | 2004-04-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid image pickup apparatus |
| JP2005065285A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 固体撮像用半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013000359A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | 内視鏡装置および電子機器 |
| JP2013128778A (ja) * | 2013-01-29 | 2013-07-04 | Toshiba Corp | 内視鏡装置および電子機器 |
| JP2021519655A (ja) * | 2018-12-07 | 2021-08-12 | 上海英諾偉医療器械有限公司 | 可撓性チューブに基づく生体内検出装置及びシステム |
| JP2021519656A (ja) * | 2018-12-21 | 2021-08-12 | 上海英諾偉医療器械有限公司 | 可撓性チューブに基づく検出パッケージ構造及び生体内検出装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020702 |