JPH0892484A - 処理粉体の製造方法 - Google Patents
処理粉体の製造方法Info
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- JPH0892484A JPH0892484A JP24998894A JP24998894A JPH0892484A JP H0892484 A JPH0892484 A JP H0892484A JP 24998894 A JP24998894 A JP 24998894A JP 24998894 A JP24998894 A JP 24998894A JP H0892484 A JPH0892484 A JP H0892484A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 環境上安全で、製造コストを低減化すること
のできる、安全で安定な処理粉体の製造方法を提供す
る。 【構成】 Ｓｉ−Ｈ基を有するシリコーン化合物で粉体
を被覆後、該シリコーン化合物のＳｉ−Ｈ基部分に、Ｓ
ｉ−Ｈ基と反応することのできる化合物を付加する処理
粉体の製造方法において、反応溶媒として実質的に水の
みを用いて前記付加を行うことを特徴とする処理粉体の
製造方法。
のできる、安全で安定な処理粉体の製造方法を提供す
る。 【構成】 Ｓｉ−Ｈ基を有するシリコーン化合物で粉体
を被覆後、該シリコーン化合物のＳｉ−Ｈ基部分に、Ｓ
ｉ−Ｈ基と反応することのできる化合物を付加する処理
粉体の製造方法において、反応溶媒として実質的に水の
みを用いて前記付加を行うことを特徴とする処理粉体の
製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は処理粉体の製造方法に係
り、さらに詳しくは、Ｓｉ−Ｈ基を有するシリコーン化
合物で被覆された粉体にＳｉ−Ｈ基反応性化合物を付加
する際に、反応溶媒として有機溶媒を用いることなく実
質的に水のみを用いることにより、環境上安全で、製造
コストが低減化された、安全で安定な処理粉体の製造方
法に関する。
り、さらに詳しくは、Ｓｉ−Ｈ基を有するシリコーン化
合物で被覆された粉体にＳｉ−Ｈ基反応性化合物を付加
する際に、反応溶媒として有機溶媒を用いることなく実
質的に水のみを用いることにより、環境上安全で、製造
コストが低減化された、安全で安定な処理粉体の製造方
法に関する。
【０００２】本発明によって製造された処理粉体は、塗
料、インキ、化粧料、医療材料等の分野において着色剤
として使用されるばかりでなく、磁性材料、ガスクロマ
トグラフ用カラム充填剤、触媒等に幅広く活用され得
る。
料、インキ、化粧料、医療材料等の分野において着色剤
として使用されるばかりでなく、磁性材料、ガスクロマ
トグラフ用カラム充填剤、触媒等に幅広く活用され得
る。
【０００３】
【従来の技術】塗料、インキ、化粧料、磁性材料、医療
材料等の分野においては、粉体に官能基等を導入して各
種の特性や機能を付与せしめた改質粉体が多く用いられ
ている。
材料等の分野においては、粉体に官能基等を導入して各
種の特性や機能を付与せしめた改質粉体が多く用いられ
ている。
【０００４】従来、粉体に官能基を導入する場合には、
一般にシランカップリング剤が使用されていた。しかし
ながら、これにより得られた改質粉体を化粧料等に配合
した場合、変質や変臭等の問題を起こしたり、共存する
他成分の変質、分解等を起こす等の問題を生じることが
あった。
一般にシランカップリング剤が使用されていた。しかし
ながら、これにより得られた改質粉体を化粧料等に配合
した場合、変質や変臭等の問題を起こしたり、共存する
他成分の変質、分解等を起こす等の問題を生じることが
あった。
【０００５】これに対し本出願人は既に、Ｓｉ−Ｈ基を
有するシリコーンポリマー皮膜で粉体を被覆後、このＳ
ｉ−Ｈ基と反応し得る化合物を前記シリコーンポリマー
のＳｉ−Ｈ基に付加させることによって、粉体本来の性
質を維持したままで改良された性質（例えば疎水性、安
定性）をもった粉体が得られることを見出し、改質粉体
の発明を完成している（特公平１−５４３８０号）。こ
こで、上記Ｓｉ−Ｈ基反応性化合物のシリコーンポリマ
ーのＳｉ−Ｈ基への付加反応は一般にヒドロシリル化反
応として知られており、通常、反応溶媒としてイソプロ
ピルアルコール（ＩＰＡ）、ジオキサンおよびトルエン
等の有機溶媒が用いられている。また、特開平１−１１
０５４０号公報においては、水を含有した反応溶媒
（水：エタノール＝１：１）を用いて上記付加反応を行
う製造方法が開示されている。
有するシリコーンポリマー皮膜で粉体を被覆後、このＳ
ｉ−Ｈ基と反応し得る化合物を前記シリコーンポリマー
のＳｉ−Ｈ基に付加させることによって、粉体本来の性
質を維持したままで改良された性質（例えば疎水性、安
定性）をもった粉体が得られることを見出し、改質粉体
の発明を完成している（特公平１−５４３８０号）。こ
こで、上記Ｓｉ−Ｈ基反応性化合物のシリコーンポリマ
ーのＳｉ−Ｈ基への付加反応は一般にヒドロシリル化反
応として知られており、通常、反応溶媒としてイソプロ
ピルアルコール（ＩＰＡ）、ジオキサンおよびトルエン
等の有機溶媒が用いられている。また、特開平１−１１
０５４０号公報においては、水を含有した反応溶媒
（水：エタノール＝１：１）を用いて上記付加反応を行
う製造方法が開示されている。
【０００６】しかしながら、ヒドロシリル化反応におい
てジオキサンやトルエン等の有機溶媒を用いた場合、処
理粉体に残存し、除去し難い。またこれらの溶媒は、使
用後の排水処理において、環境対策上、その処理に多く
の経済上並びに作業上の負担がかかるという問題があ
る。また、反応溶媒に水を含有させた場合でも、程度の
差こそあれ、上記問題を完全に解決し得ていない。
てジオキサンやトルエン等の有機溶媒を用いた場合、処
理粉体に残存し、除去し難い。またこれらの溶媒は、使
用後の排水処理において、環境対策上、その処理に多く
の経済上並びに作業上の負担がかかるという問題があ
る。また、反応溶媒に水を含有させた場合でも、程度の
差こそあれ、上記問題を完全に解決し得ていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは、Ｓｉ−
Ｈ基を有するシリコーン化合物で被覆された粉体にＳｉ
−Ｈ基反応性化合物を付加して改質粉体を製造する方法
において、環境上安全で、製造コストを低減化した、安
全で安定な処理粉体の製造方法を提供することにある。
みてなされたもので、その目的とするところは、Ｓｉ−
Ｈ基を有するシリコーン化合物で被覆された粉体にＳｉ
−Ｈ基反応性化合物を付加して改質粉体を製造する方法
において、環境上安全で、製造コストを低減化した、安
全で安定な処理粉体の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
重ねた結果、ヒドロシリル化反応時の溶媒として実質的
に水のみを用いることにより、上記課題を解決し得るの
みならず、反応速度や付加密度の高さも従来と同程度も
しくはそれ以上に良好に行うことができるという知見を
得、これに基づき本発明を完成するに至った。
重ねた結果、ヒドロシリル化反応時の溶媒として実質的
に水のみを用いることにより、上記課題を解決し得るの
みならず、反応速度や付加密度の高さも従来と同程度も
しくはそれ以上に良好に行うことができるという知見を
得、これに基づき本発明を完成するに至った。
【０００９】すなわち本発明は、Ｓｉ−Ｈ基を有するシ
リコーン化合物で粉体を被覆後、該シリコーン化合物の
Ｓｉ−Ｈ基部分に、Ｓｉ−Ｈ基と反応することのできる
化合物を付加する処理粉体の製造方法において、反応溶
媒として実質的に水のみを用いて前記付加を行うことを
特徴とする処理粉体の製造方法を提供するものである。
リコーン化合物で粉体を被覆後、該シリコーン化合物の
Ｓｉ−Ｈ基部分に、Ｓｉ−Ｈ基と反応することのできる
化合物を付加する処理粉体の製造方法において、反応溶
媒として実質的に水のみを用いて前記付加を行うことを
特徴とする処理粉体の製造方法を提供するものである。
【００１０】また、上記製造方法により得られた処理粉
体を用いた製品の製造方法、特には化粧料組成物、塗料
組成物および樹脂成形加工品（容器など）の製造方法を
提供するものである。
体を用いた製品の製造方法、特には化粧料組成物、塗料
組成物および樹脂成形加工品（容器など）の製造方法を
提供するものである。
【００１１】本発明により得られる処理粉体は安定で薬
剤との相互作用がなく、さらに香料に対して分解作用の
ないことから、医薬品、化粧料等に用いた場合、経時安
定性が著しく向上する。またＳｉ−Ｈ基と反応すること
のできる化合物（Ｓｉ−Ｈ基反応性化合物）の粉体への
付加密度が高いため、分散性のコントロールができるこ
とから、本発明方法によって磁性粉体を処理することに
よって優れた磁性材料を得ることができる。さらにま
た、付加密度を高くすることによりカラムクロマトグラ
フ用充填剤の分離を高め理論段数を大幅に高くすること
ができることから、ガスクロマトグラフ用カラム充填剤
や液体クロマトグラフ用カラム充填剤等に用いることが
できる。
剤との相互作用がなく、さらに香料に対して分解作用の
ないことから、医薬品、化粧料等に用いた場合、経時安
定性が著しく向上する。またＳｉ−Ｈ基と反応すること
のできる化合物（Ｓｉ−Ｈ基反応性化合物）の粉体への
付加密度が高いため、分散性のコントロールができるこ
とから、本発明方法によって磁性粉体を処理することに
よって優れた磁性材料を得ることができる。さらにま
た、付加密度を高くすることによりカラムクロマトグラ
フ用充填剤の分離を高め理論段数を大幅に高くすること
ができることから、ガスクロマトグラフ用カラム充填剤
や液体クロマトグラフ用カラム充填剤等に用いることが
できる。
【００１２】本発明は、反応溶媒として実質的に水のみ
を用いることによって、シリコーン被覆粉体の表面に非
極性のＳｉ−Ｈ基反応性化合物が高濃度に分配されるこ
と等により上記の特有な効果が得られるものと考えられ
る。したがって、特に極性基を有するＳｉ−Ｈ基反応性
化合物のヒドロシリル化反応にも有効である。
を用いることによって、シリコーン被覆粉体の表面に非
極性のＳｉ−Ｈ基反応性化合物が高濃度に分配されるこ
と等により上記の特有な効果が得られるものと考えられ
る。したがって、特に極性基を有するＳｉ−Ｈ基反応性
化合物のヒドロシリル化反応にも有効である。
【００１３】以下、本発明について詳述する。
【００１４】本発明に用いられる粉体は、特に制限され
るものではないが、一般に粒径１０ｍｍ以下の任意の物
体（１０ｍｍより大きいものも含まれることがある）を
意味し、具体的には、有機顔料、無機顔料、金属酸化物
および金属水酸化物、雲母、パール光沢材料、金属、カ
ーボン、磁性粉末、ケイ酸塩鉱物、多孔質材料等が例示
的に挙げられる。これら粉体は１種類でもまた複数を組
み合わせて用いてもよく、また凝集体、成形体あるいは
造形体等であってもよい。また粉体の上にあるいはその
中に他の物質（例えば、着色剤、ＵＶ吸収剤、医薬品、
各種添加剤）を含有していてもよい。本発明によれば粒
径０．０２μｍ以下の超微粉体も含めた任意の粉体を改
質（処理）することができる。
るものではないが、一般に粒径１０ｍｍ以下の任意の物
体（１０ｍｍより大きいものも含まれることがある）を
意味し、具体的には、有機顔料、無機顔料、金属酸化物
および金属水酸化物、雲母、パール光沢材料、金属、カ
ーボン、磁性粉末、ケイ酸塩鉱物、多孔質材料等が例示
的に挙げられる。これら粉体は１種類でもまた複数を組
み合わせて用いてもよく、また凝集体、成形体あるいは
造形体等であってもよい。また粉体の上にあるいはその
中に他の物質（例えば、着色剤、ＵＶ吸収剤、医薬品、
各種添加剤）を含有していてもよい。本発明によれば粒
径０．０２μｍ以下の超微粉体も含めた任意の粉体を改
質（処理）することができる。
【００１５】有機顔料としては、例えば赤色２０１号、
赤色２０２号、赤色２０４号、赤色２０５号、赤色２２
０号、赤色２２６号、赤色２２８号、赤色３０５号、橙
色２０３号、橙色２０４号、黄色２０５号、黄色４０１
号および青色４０４号や、さらに赤色３号、赤色１０４
号、赤色１０６号、赤色２２７号、赤色２３０号、赤色
４０１号、赤色５０５号、橙色２０５号、黄色４号、黄
色５号、黄色２０２号、黄色２０３号、緑色３号および
青色１号等が挙げられ、さらにこれらの有機顔料がジル
コニウムレーキ、バリウムレーキまたはアルミニウムレ
ーキ等のものでもよい。
赤色２０２号、赤色２０４号、赤色２０５号、赤色２２
０号、赤色２２６号、赤色２２８号、赤色３０５号、橙
色２０３号、橙色２０４号、黄色２０５号、黄色４０１
号および青色４０４号や、さらに赤色３号、赤色１０４
号、赤色１０６号、赤色２２７号、赤色２３０号、赤色
４０１号、赤色５０５号、橙色２０５号、黄色４号、黄
色５号、黄色２０２号、黄色２０３号、緑色３号および
青色１号等が挙げられ、さらにこれらの有機顔料がジル
コニウムレーキ、バリウムレーキまたはアルミニウムレ
ーキ等のものでもよい。
【００１６】無機顔料としては、例えば紺青、群青、マ
ンガンバイオレット、（酸化）チタン被覆マイカおよび
オキシ塩化ビスマス等が挙げられる。
ンガンバイオレット、（酸化）チタン被覆マイカおよび
オキシ塩化ビスマス等が挙げられる。
【００１７】金属酸化物および金属水酸化物としては、
例えば酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、酸化カ
ルシウム、水酸化カルシウム、酸化アルミニウム、水酸
化アルミニウム、シリカ、酸化鉄（α−Ｆｅ2 Ｏ3 、γ
−Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 、ＦｅＯ等）、黄色酸化鉄
（特に棒状のもの）、赤色酸化鉄、黒色酸化鉄、水酸化
鉄、酸化チタン（特に粒径０．００１〜０．１μｍの二
酸化チタン）、低次酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸
化クロム、水酸化クロム、酸化マンガン、酸化コバル
ト、酸化ニッケルや、これらの２種以上の組み合わせに
よる複合酸化物および複合水酸化物、例えばシリカアル
ミナ、チタン酸鉄、チタン酸コバルト、リチウムコバル
トチタネート、アルミン酸コバルト等が挙げられる。
例えば酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、酸化カ
ルシウム、水酸化カルシウム、酸化アルミニウム、水酸
化アルミニウム、シリカ、酸化鉄（α−Ｆｅ2 Ｏ3 、γ
−Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 、ＦｅＯ等）、黄色酸化鉄
（特に棒状のもの）、赤色酸化鉄、黒色酸化鉄、水酸化
鉄、酸化チタン（特に粒径０．００１〜０．１μｍの二
酸化チタン）、低次酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸
化クロム、水酸化クロム、酸化マンガン、酸化コバル
ト、酸化ニッケルや、これらの２種以上の組み合わせに
よる複合酸化物および複合水酸化物、例えばシリカアル
ミナ、チタン酸鉄、チタン酸コバルト、リチウムコバル
トチタネート、アルミン酸コバルト等が挙げられる。
【００１８】雲母としては、例えば白雲母、金雲母、黒
雲母、絹雲母、鉄雲母、紅雲母、リチア雲母、チンワル
ド雲母、ソーダ雲母、人工雲母または、ＫＡｌ2 （Ａ
ｌ、Ｓｉ3 ）Ｏ10Ｆ2 、ＫＭｇ3 （Ａｌ、Ｓｉ3 ）Ｏ10
Ｆ2 、Ｋ（Ｍｇ、Ｆｅ3 ）（Ａｌ、Ｓｉ3 ）Ｏ10Ｆ2 で
表される雲母等が挙げられる。
雲母、絹雲母、鉄雲母、紅雲母、リチア雲母、チンワル
ド雲母、ソーダ雲母、人工雲母または、ＫＡｌ2 （Ａ
ｌ、Ｓｉ3 ）Ｏ10Ｆ2 、ＫＭｇ3 （Ａｌ、Ｓｉ3 ）Ｏ10
Ｆ2 、Ｋ（Ｍｇ、Ｆｅ3 ）（Ａｌ、Ｓｉ3 ）Ｏ10Ｆ2 で
表される雲母等が挙げられる。
【００１９】パール光沢材料としては、例えば雲母チタ
ン系複合材料、雲母酸化鉄系複合材料、ビスマスオキシ
クロライド、グアニンや、さらに、酸化窒化チタンおよ
び／または低次酸化チタンを含有するチタン化合物で被
覆された雲母等が挙げられる。雲母チタン系複合材料の
チタンについては二酸化チタン、低次酸化チタン、酸化
窒化チタンのいずれでもよい。また雲母チタン系複合材
料またはビスマスオキシクロライドに、例えば酸化鉄、
紺青、酸化クロム、カーボンブラック、カーミンあるい
は群青等をさらに混合したものであってもかまわない。
ン系複合材料、雲母酸化鉄系複合材料、ビスマスオキシ
クロライド、グアニンや、さらに、酸化窒化チタンおよ
び／または低次酸化チタンを含有するチタン化合物で被
覆された雲母等が挙げられる。雲母チタン系複合材料の
チタンについては二酸化チタン、低次酸化チタン、酸化
窒化チタンのいずれでもよい。また雲母チタン系複合材
料またはビスマスオキシクロライドに、例えば酸化鉄、
紺青、酸化クロム、カーボンブラック、カーミンあるい
は群青等をさらに混合したものであってもかまわない。
【００２０】金属としては、例えばアルミニウム、鉄、
ニッケッル、コバルト、クロム、金、銀、銅、プラチ
ナ、亜鉛、インジウム、スズ、アンチモン、タングステ
ン、ジルコニウム、モリブデン、シリコン、チタン等が
挙げられる。
ニッケッル、コバルト、クロム、金、銀、銅、プラチ
ナ、亜鉛、インジウム、スズ、アンチモン、タングステ
ン、ジルコニウム、モリブデン、シリコン、チタン等が
挙げられる。
【００２１】磁性粉体としては、例えばγ−Ｆｅ2 Ｏ
3 、マグネタイト（Ｆｅ3 Ｏ4 ）、ベルトライト系酸化
鉄（ＦｅＯx １．３３＜ｘ＜１．５）またはそれらが
コバルト、マンガン、ニッケル、亜鉛、クロム等で変性
されたものや、針状の鉄またはＡｌ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、
Ｃｕ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎが含有
された鉄粉、ＣｒＯ2 やＢａフェライト等が挙げられ
る。
3 、マグネタイト（Ｆｅ3 Ｏ4 ）、ベルトライト系酸化
鉄（ＦｅＯx １．３３＜ｘ＜１．５）またはそれらが
コバルト、マンガン、ニッケル、亜鉛、クロム等で変性
されたものや、針状の鉄またはＡｌ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、
Ｃｕ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎが含有
された鉄粉、ＣｒＯ2 やＢａフェライト等が挙げられ
る。
【００２２】また、粉末が、雲母上に被覆された鉄、ニ
ッケル、コバルトまたはその酸化物であってもよいが、
これに限定されるものではない。
ッケル、コバルトまたはその酸化物であってもよいが、
これに限定されるものではない。
【００２３】ケイ酸塩鉱物としては、フイロケイ酸塩鉱
物（例えば、カオリン族、モンモリロナイト族、粘土雲
母族、緑泥石族、蛇紋石）およびテクトケイ酸塩鉱物
（例えばゼオライト族）であり、パイロフィライト、タ
ルク、緑泥石、クリソタイル、アンチゴライト、リザダ
イト、カオリナイト、デッカイト、ナクライト、ハロサ
イト、モンモリロナイト、ノントロナイト、サポナイ
ト、ソーコナイト、ベントナイトや、ソーダ沸石、中沸
石、スコレス沸石、トムソン沸石等のソーダ沸石族、輝
沸石、束沸石、剥沸石等の輝沸石族、および方沸石、重
十字沸石、灰十字沸石、菱沸石、グメリン沸石等のゼオ
ライト等が挙げられる。
物（例えば、カオリン族、モンモリロナイト族、粘土雲
母族、緑泥石族、蛇紋石）およびテクトケイ酸塩鉱物
（例えばゼオライト族）であり、パイロフィライト、タ
ルク、緑泥石、クリソタイル、アンチゴライト、リザダ
イト、カオリナイト、デッカイト、ナクライト、ハロサ
イト、モンモリロナイト、ノントロナイト、サポナイ
ト、ソーコナイト、ベントナイトや、ソーダ沸石、中沸
石、スコレス沸石、トムソン沸石等のソーダ沸石族、輝
沸石、束沸石、剥沸石等の輝沸石族、および方沸石、重
十字沸石、灰十字沸石、菱沸石、グメリン沸石等のゼオ
ライト等が挙げられる。
【００２４】さらに本発明では多孔性物質の処理を良好
に行うことができるが、多孔性物質としては、例えば多
孔性ガラスビーズ、中空シリカまたはゼオライト、ある
いは金属酸化物、金属窒化物、ケイ酸塩鉱物、炭酸塩鉱
物、硫酸塩鉱物若しくはリン酸塩鉱物を、造粒または成
型したもの、あるいは上記鉱物を造粒または成型した
後、焼成したもの、メタル、セルロース、繊維または合
成樹脂等を挙げることができる。
に行うことができるが、多孔性物質としては、例えば多
孔性ガラスビーズ、中空シリカまたはゼオライト、ある
いは金属酸化物、金属窒化物、ケイ酸塩鉱物、炭酸塩鉱
物、硫酸塩鉱物若しくはリン酸塩鉱物を、造粒または成
型したもの、あるいは上記鉱物を造粒または成型した
後、焼成したもの、メタル、セルロース、繊維または合
成樹脂等を挙げることができる。
【００２５】本発明では、まず第１段階として上記粉体
にＳｉ−Ｈ基を有するシリコーン化合物を被覆する。こ
のシリコーン化合物はＳｉ−Ｈ基を有するものであれば
どのような化合物でも用いることができるが、好ましく
は一般式（Ｉ）
にＳｉ−Ｈ基を有するシリコーン化合物を被覆する。こ
のシリコーン化合物はＳｉ−Ｈ基を有するものであれば
どのような化合物でも用いることができるが、好ましく
は一般式（Ｉ）
【００２６】
【化５】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は互いに独立に水素原子
であるかまたは少なくとも１個のハロゲン原子で置換可
能な炭素数１〜１０の炭化水素基であり（但し、Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 が同時に水素原子であることはない）；Ｒ
4 、Ｒ5 およびＲ6は互いに独立に水素原子であるかま
たは少なくとも１個のハロゲン原子で置換可能な炭素数
１〜１０の炭化水素基であり；ａは０または１以上の整
数であり、ｂは０または１以上の整数であり、ｃは０ま
たは２であり（但し、３≦ａ＋ｂ＋ｃ≦１００００であ
る）；そしてこの化合物はＳｉ−Ｈ基部分を少なくとも
１個含むものとする〕で表されるシリコーン化合物を用
いることができる。
であるかまたは少なくとも１個のハロゲン原子で置換可
能な炭素数１〜１０の炭化水素基であり（但し、Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 が同時に水素原子であることはない）；Ｒ
4 、Ｒ5 およびＲ6は互いに独立に水素原子であるかま
たは少なくとも１個のハロゲン原子で置換可能な炭素数
１〜１０の炭化水素基であり；ａは０または１以上の整
数であり、ｂは０または１以上の整数であり、ｃは０ま
たは２であり（但し、３≦ａ＋ｂ＋ｃ≦１００００であ
る）；そしてこの化合物はＳｉ−Ｈ基部分を少なくとも
１個含むものとする〕で表されるシリコーン化合物を用
いることができる。
【００２７】ここでｃ＝０の場合は、下記の一般式（Ｉ
ＩＩ）
ＩＩ）
【００２８】
【化６】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、ａ、ｂは上記に定義した通
り。但し、好ましくはＲ1 、Ｒ2 およびＲ3 が互いに独
立に少なくとも１個のハロゲン原子（特にフッ素原子）
で置換可能な炭素数１〜４の低級アルキル基またはアリ
ール基（例えばフェニル基）であり；ａ＋ｂが３以上で
あり、好ましくは３〜１００、特には３〜７である〕で
表される環状シリコーン化合物である。好ましくは１分
子中に水素原子が２個以上存在するものが望ましい。ま
た、水素原子が多過ぎるものはケイ素原子に水素原子が
２個結合したものが存在するので入手が困難である。一
般式（ＩＩＩ）の化合物の具体的例としては、ヘキサメ
チルシクロテトラシロキサン、ペンタメチルシクロテト
ラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロテトラシ
ロキサン、オクタメチルシクロペンタシロキサン、ヘプ
タメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロ
ペンタシロキサン、ペンタメチルシクロペンタシロキサ
ン、メチルハイドロジェンポリシロキサン（分子量６０
００）等を挙げることができる。
り。但し、好ましくはＲ1 、Ｒ2 およびＲ3 が互いに独
立に少なくとも１個のハロゲン原子（特にフッ素原子）
で置換可能な炭素数１〜４の低級アルキル基またはアリ
ール基（例えばフェニル基）であり；ａ＋ｂが３以上で
あり、好ましくは３〜１００、特には３〜７である〕で
表される環状シリコーン化合物である。好ましくは１分
子中に水素原子が２個以上存在するものが望ましい。ま
た、水素原子が多過ぎるものはケイ素原子に水素原子が
２個結合したものが存在するので入手が困難である。一
般式（ＩＩＩ）の化合物の具体的例としては、ヘキサメ
チルシクロテトラシロキサン、ペンタメチルシクロテト
ラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロテトラシ
ロキサン、オクタメチルシクロペンタシロキサン、ヘプ
タメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロ
ペンタシロキサン、ペンタメチルシクロペンタシロキサ
ン、メチルハイドロジェンポリシロキサン（分子量６０
００）等を挙げることができる。
【００２９】また、ｃ＝２の場合は、下記の一般式（Ｉ
Ｖ）
Ｖ）
【００３０】
【化７】 〔式中、Ｒ1 〜Ｒ6 、ａ、ｂは上記に定義した通り。但
し、好ましくはＲ1 〜Ｒ6 が互いに独立に少なくとも１
個のハロゲン原子（特にフッ素原子）で置換可能な炭素
数１〜４の低級アルキル基またはアリール基（例えばフ
ェニル基）であり；ａ＋ｂが１〜１００、特には２〜５
である〕で表される鎖状シリコーン化合物である。一般
式（ＩＶ）の具体例としては、１，１，１，３，５，
７，７，７−オクタメチルテトラシロキサン、１，１，
１，３，５，７，９，９，９−ノナメチルペンタシロキ
サン、および１，１，１，３，５，７，９，１１，１
１，１１−デカメチルヘキサシロキサン、１，３，５，
７−テトラメチルシクロテトラシロキサン等を挙げるこ
とができる。
し、好ましくはＲ1 〜Ｒ6 が互いに独立に少なくとも１
個のハロゲン原子（特にフッ素原子）で置換可能な炭素
数１〜４の低級アルキル基またはアリール基（例えばフ
ェニル基）であり；ａ＋ｂが１〜１００、特には２〜５
である〕で表される鎖状シリコーン化合物である。一般
式（ＩＶ）の具体例としては、１，１，１，３，５，
７，７，７−オクタメチルテトラシロキサン、１，１，
１，３，５，７，９，９，９−ノナメチルペンタシロキ
サン、および１，１，１，３，５，７，９，１１，１
１，１１−デカメチルヘキサシロキサン、１，３，５，
７−テトラメチルシクロテトラシロキサン等を挙げるこ
とができる。
【００３１】上記のシロキサンはいずれも沸点が比較的
低く、気相処理に適している。粉体への被覆を液相また
は固相で行う場合は、１０≦（ａ＋ｂ＋ｃ）≦２００程
度のものがよい。また、上記シリコーン化合物の被覆量
は粉体に対し０．０１〜３０％程度が好ましく、より好
ましくは０．１〜１０％である。
低く、気相処理に適している。粉体への被覆を液相また
は固相で行う場合は、１０≦（ａ＋ｂ＋ｃ）≦２００程
度のものがよい。また、上記シリコーン化合物の被覆量
は粉体に対し０．０１〜３０％程度が好ましく、より好
ましくは０．１〜１０％である。
【００３２】上記Ｓｉ−Ｈ基を有するシリコーン化合物
の粉体被覆方法は、従来からの被覆方法も含め、各種の
方法によって実施することができ、特に限定されるもの
ではない。
の粉体被覆方法は、従来からの被覆方法も含め、各種の
方法によって実施することができ、特に限定されるもの
ではない。
【００３３】例えば、上記シリコーン化合物を有機溶媒
（クロロホルム、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、アセ
トン、等）に溶解し、この中に粉体を分散させて分散液
を調製し、この分散液を加熱して溶媒を蒸発させ、粉体
表面上に皮膜を形成させることによってシリコーン化合
物の皮膜で粉体を被覆することができる。あるいは、上
記シリコーン化合物の貧溶媒の中に前記分散液を注ぐ
か、若しくはその分散液の中に貧溶媒を注いで粉体表面
上に不溶化シリコーン化合物を付着させてその皮膜を形
成させることによって粉体を被覆してもよい。または、
液体状のシリコーン化合物と粉体とを、例えばボールミ
ルの中でメカノケミカルに処理することによって粉体を
被覆してもよい。さらに、イン・サイチュー重合法のよ
うに、粉体の表面上において触媒の存在下でシリコーン
化合物モノマーを重合させることによってシリコーン化
合物の皮膜で粉体をカプセル化してもよい。あるいはま
た、粉体の実質的に全表面上に広く分布する活性点を利
用して被覆することもできる。
（クロロホルム、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、アセ
トン、等）に溶解し、この中に粉体を分散させて分散液
を調製し、この分散液を加熱して溶媒を蒸発させ、粉体
表面上に皮膜を形成させることによってシリコーン化合
物の皮膜で粉体を被覆することができる。あるいは、上
記シリコーン化合物の貧溶媒の中に前記分散液を注ぐ
か、若しくはその分散液の中に貧溶媒を注いで粉体表面
上に不溶化シリコーン化合物を付着させてその皮膜を形
成させることによって粉体を被覆してもよい。または、
液体状のシリコーン化合物と粉体とを、例えばボールミ
ルの中でメカノケミカルに処理することによって粉体を
被覆してもよい。さらに、イン・サイチュー重合法のよ
うに、粉体の表面上において触媒の存在下でシリコーン
化合物モノマーを重合させることによってシリコーン化
合物の皮膜で粉体をカプセル化してもよい。あるいはま
た、粉体の実質的に全表面上に広く分布する活性点を利
用して被覆することもできる。
【００３４】こうしてできたシリコーン被覆粉体は、未
反応のＳｉ−Ｈ基部分が存在し、アルカリや酸のような
苛酷な条件では若干不安定になる。
反応のＳｉ−Ｈ基部分が存在し、アルカリや酸のような
苛酷な条件では若干不安定になる。
【００３５】次に第２段階として、上記粉体を被覆した
シリコーン化合物の未反応Ｓｉ−Ｈ基に、このＳｉ−Ｈ
基と反応することのできる化合物を付加する。これによ
り、シリコーン化合物の未反応Ｓｉ−Ｈ部分に対してＳ
ｉ−Ｈ反応性化合物を付加し、Ｓｉ−Ｈ反応性化合物か
ら誘導されるペンダント基をシリコーン化合物に導入す
る。Ｓｉ−Ｈ反応性化合物を適切に選択し、所望のペン
ダント基を導入することにより、粉体に対して種々の機
能を付与することができる。
シリコーン化合物の未反応Ｓｉ−Ｈ基に、このＳｉ−Ｈ
基と反応することのできる化合物を付加する。これによ
り、シリコーン化合物の未反応Ｓｉ−Ｈ部分に対してＳ
ｉ−Ｈ反応性化合物を付加し、Ｓｉ−Ｈ反応性化合物か
ら誘導されるペンダント基をシリコーン化合物に導入す
る。Ｓｉ−Ｈ反応性化合物を適切に選択し、所望のペン
ダント基を導入することにより、粉体に対して種々の機
能を付与することができる。
【００３６】これについてさらに述べると、上述の第１
段階の被覆工程において、粉体表面でＳｉ−Ｈ基どうし
の架橋が生じて編目構造が形成され、粉体表面がシリコ
ーン化合物の皮膜で被覆されるが、立体障害等のために
架橋が完全に行われない。そのため残存のＳｉ−Ｈ基が
存在し、アルカリや酸のような苛酷な条件では若干不安
定となる傾向がある。この残存のＳｉ−Ｈ基にＳｉ−Ｈ
反応性化合物（例えば、アルケンやアルキン等の不飽和
化合物、等）をヒドロシリル化反応によって付加させ、
Ｓｉ−Ｃ結合を生成させることにより、アルカリや酸に
対してさらに安定な粉体を得ることができる。
段階の被覆工程において、粉体表面でＳｉ−Ｈ基どうし
の架橋が生じて編目構造が形成され、粉体表面がシリコ
ーン化合物の皮膜で被覆されるが、立体障害等のために
架橋が完全に行われない。そのため残存のＳｉ−Ｈ基が
存在し、アルカリや酸のような苛酷な条件では若干不安
定となる傾向がある。この残存のＳｉ−Ｈ基にＳｉ−Ｈ
反応性化合物（例えば、アルケンやアルキン等の不飽和
化合物、等）をヒドロシリル化反応によって付加させ、
Ｓｉ−Ｃ結合を生成させることにより、アルカリや酸に
対してさらに安定な粉体を得ることができる。
【００３７】したがってＳｉ−Ｈ反応性化合物（不飽和
化合物、等）を適切に選択し、所望のペンダント基を導
入することにより、粉体に対して種々の機能を付与する
ことができる。ここで「ペンダント基」とはＳｉ−Ｈ基
部分と反応することのできる化合物の残基であって、そ
の化合物の付加反応によってシリコーンポリマーに導入
される基を意味する。このペンダント基は、粉体に各種
の特性および機能を付与する。付加させる不飽和化合物
の炭化水素基の種類または長さ等を調節すれば疎水性を
より強めることができる。
化合物、等）を適切に選択し、所望のペンダント基を導
入することにより、粉体に対して種々の機能を付与する
ことができる。ここで「ペンダント基」とはＳｉ−Ｈ基
部分と反応することのできる化合物の残基であって、そ
の化合物の付加反応によってシリコーンポリマーに導入
される基を意味する。このペンダント基は、粉体に各種
の特性および機能を付与する。付加させる不飽和化合物
の炭化水素基の種類または長さ等を調節すれば疎水性を
より強めることができる。
【００３８】付加反応において用いられる化合物は、Ｓ
ｉ−Ｈ基と反応することができる化合物であればどのよ
うな化合物も任意に用いられ得る。このような化合物と
しては、例えば、ＯＨ基またはＳＨ基をもつ化合物例え
ばアミノ酸（システイン等）を使用することができる。
さらに炭素−炭素二重結合または三重結合少なくとも１
個をもち、Ｓｉ−Ｈ基部分と反応することのできる不飽
和化合物（ビニル化合物）を使用することができる。
ｉ−Ｈ基と反応することができる化合物であればどのよ
うな化合物も任意に用いられ得る。このような化合物と
しては、例えば、ＯＨ基またはＳＨ基をもつ化合物例え
ばアミノ酸（システイン等）を使用することができる。
さらに炭素−炭素二重結合または三重結合少なくとも１
個をもち、Ｓｉ−Ｈ基部分と反応することのできる不飽
和化合物（ビニル化合物）を使用することができる。
【００３９】適当な不飽和化合物としては、一般式（Ｉ
Ｉ）
Ｉ）
【００４０】
【化８】 ｛式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は互いに独立に水
素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アシル
オキシ基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、カルボ
キシル基、スルホ基、あるいは炭素数１〜３０の置換ま
たは非置換の炭化水素基〔例えば脂肪族基（例えばアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基）、芳香族基（例
えばフェニル基、ナフチル基）、複素環式基（例えばヘ
テロ原子として窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を
１個以上を含むもの）、脂環式基（例えばシクロアルキ
ル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基）、ス
ピロ化合物残基またはテルペン化合物残基〕であるか；
あるいはＲ11とＲ13とが炭素−炭素結合をなし、−Ｃ＝
Ｃ−と一緒になって−Ｃ≡Ｃ−を形成することができ；
あるいはＲ12とＲ14とが炭素−炭素結合をなし、−Ｃ＝
Ｃ−と一緒になって脂環式基を形成することができる｝
で表される化合物等が挙げられる。
素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アシル
オキシ基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、カルボ
キシル基、スルホ基、あるいは炭素数１〜３０の置換ま
たは非置換の炭化水素基〔例えば脂肪族基（例えばアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基）、芳香族基（例
えばフェニル基、ナフチル基）、複素環式基（例えばヘ
テロ原子として窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を
１個以上を含むもの）、脂環式基（例えばシクロアルキ
ル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基）、ス
ピロ化合物残基またはテルペン化合物残基〕であるか；
あるいはＲ11とＲ13とが炭素−炭素結合をなし、−Ｃ＝
Ｃ−と一緒になって−Ｃ≡Ｃ−を形成することができ；
あるいはＲ12とＲ14とが炭素−炭素結合をなし、−Ｃ＝
Ｃ−と一緒になって脂環式基を形成することができる｝
で表される化合物等が挙げられる。
【００４１】上記炭化水素基Ｒ11〜Ｒ14は、一般式（Ｉ
Ｉ）の化合物における二重結合または三重結合による付
加反応に不利な影響を与えない限り、１個以上の不飽和
炭化水素基（例えば前記一般式（ＩＩ）の定義で例示し
たもの）および／または１個以上の官能基で置換されて
いることができる。官能基の代表例としては、ハロゲン
原子、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基、メルカプ
ト基、エポキシ基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アシル
オキシ基、４級アンモニウム基、ポリアルキレンエーテ
ル基等を挙げることができる。
Ｉ）の化合物における二重結合または三重結合による付
加反応に不利な影響を与えない限り、１個以上の不飽和
炭化水素基（例えば前記一般式（ＩＩ）の定義で例示し
たもの）および／または１個以上の官能基で置換されて
いることができる。官能基の代表例としては、ハロゲン
原子、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基、メルカプ
ト基、エポキシ基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アシル
オキシ基、４級アンモニウム基、ポリアルキレンエーテ
ル基等を挙げることができる。
【００４２】より好ましい不飽和化合物は、末端あるい
は任意の位置に不飽和結合（二重結合、三重結合）を１
個以上有するアルケンまたはアルキンであり、例えばア
セチレン、エチレン、プロピレン、ブテン、オクテン、
デセン、オクタデセン等が挙げられる。アルケン等は、
不飽和結合を有していればその位置でＳｉ−Ｈ部分と付
加反応するため、それ以外の位置にシクロヘキサン、ベ
ンゼン、ナフタレン等の環状構造が存在していてもかま
わない。
は任意の位置に不飽和結合（二重結合、三重結合）を１
個以上有するアルケンまたはアルキンであり、例えばア
セチレン、エチレン、プロピレン、ブテン、オクテン、
デセン、オクタデセン等が挙げられる。アルケン等は、
不飽和結合を有していればその位置でＳｉ−Ｈ部分と付
加反応するため、それ以外の位置にシクロヘキサン、ベ
ンゼン、ナフタレン等の環状構造が存在していてもかま
わない。
【００４３】また、二重結合が二つ以上あるブタジエ
ン、イソプレン等を用いることもできる。
ン、イソプレン等を用いることもできる。
【００４４】本発明においては、上記Ｓｉ−Ｈ基反応性
化合物を、上記粉体を被覆するシリコーン化合物のＳｉ
−Ｈ基に付加させるに際し、反応溶媒として実質的に水
のみを用いるところに特徴がある。従来は、この反応溶
媒としてＩＰＡ、ジオキサン、トルエン等の有機溶媒を
用いて付加反応を行っていたが、これら溶媒が処理粉体
に残存して除去し難く、このような処理粉体をそのまま
用いることは安全性の点で問題があり、あるいはまた、
溶媒使用後の排水処理において、環境対策上、その処理
に多くの経済的負担がかかっていた。反応溶媒に水を含
有させて用いた場合でも、程度の差こそあれ、上記問題
が依然として残っていた。しかるに本発明では、反応溶
媒としてこれら有機溶媒を用いずに実質的に水のみを用
いて付加反応を行うので、安全性の面での問題点や、廃
液処理等の環境対策上の問題等を解決することができ
る。また、有機溶媒に代えて水を用いることにより、処
理粉体の製造コストを低減化することができる。さらに
反応時間や付加密度等も従来と同等若しくはそれ以上良
好に行うことができることから、特に最終製品等の製造
効率や製品品質等においても良好な結果が得られる。
化合物を、上記粉体を被覆するシリコーン化合物のＳｉ
−Ｈ基に付加させるに際し、反応溶媒として実質的に水
のみを用いるところに特徴がある。従来は、この反応溶
媒としてＩＰＡ、ジオキサン、トルエン等の有機溶媒を
用いて付加反応を行っていたが、これら溶媒が処理粉体
に残存して除去し難く、このような処理粉体をそのまま
用いることは安全性の点で問題があり、あるいはまた、
溶媒使用後の排水処理において、環境対策上、その処理
に多くの経済的負担がかかっていた。反応溶媒に水を含
有させて用いた場合でも、程度の差こそあれ、上記問題
が依然として残っていた。しかるに本発明では、反応溶
媒としてこれら有機溶媒を用いずに実質的に水のみを用
いて付加反応を行うので、安全性の面での問題点や、廃
液処理等の環境対策上の問題等を解決することができ
る。また、有機溶媒に代えて水を用いることにより、処
理粉体の製造コストを低減化することができる。さらに
反応時間や付加密度等も従来と同等若しくはそれ以上良
好に行うことができることから、特に最終製品等の製造
効率や製品品質等においても良好な結果が得られる。
【００４５】かかる付加反応は、例えば以下のようにし
て行う。
て行う。
【００４６】まず第１段階の被覆工程を経た処理粉体を
溶媒（水）と混合する。処理粉体は疎水性のため容易に
分散しないので、比較的速い回転数で攪拌を行う。これ
により徐々に空気を巻き込みながら水と粉体が混合し始
め、最終的にホイップクリーム状になる。その後、例え
ば不飽和化合物（ビニル化合物）等のＳｉ−Ｈ基反応性
化合物を液状で添加し、よく攪拌する。ビニル化合物が
十分混合された後、触媒を添加する。その後昇温（３０
０℃以下、好ましくは０〜２５０℃）し、所定時間（好
ましくは１時間以上）攪拌を行うことにより、所望のビ
ニル化合物を付加した処理粉体（改質粉体）を得ること
ができる。なお付加反応は、使用するＳｉ−Ｈ基反応性
化合物等により、気相、液相あるいは固相で行い得る。
また紫外線、γ線、プラズマ等を利用して行うこともで
きる。
溶媒（水）と混合する。処理粉体は疎水性のため容易に
分散しないので、比較的速い回転数で攪拌を行う。これ
により徐々に空気を巻き込みながら水と粉体が混合し始
め、最終的にホイップクリーム状になる。その後、例え
ば不飽和化合物（ビニル化合物）等のＳｉ−Ｈ基反応性
化合物を液状で添加し、よく攪拌する。ビニル化合物が
十分混合された後、触媒を添加する。その後昇温（３０
０℃以下、好ましくは０〜２５０℃）し、所定時間（好
ましくは１時間以上）攪拌を行うことにより、所望のビ
ニル化合物を付加した処理粉体（改質粉体）を得ること
ができる。なお付加反応は、使用するＳｉ−Ｈ基反応性
化合物等により、気相、液相あるいは固相で行い得る。
また紫外線、γ線、プラズマ等を利用して行うこともで
きる。
【００４７】なお、上記付加反応に用いられる触媒とし
ては、白金族触媒、すなわちルテニウム、ロジウム、パ
ラジウム、オスミウム、イリジウム、白金の化合物が適
しているが、特にパラジウムと白金の化合物が好適であ
る。パラジウム系では塩化パラジウム（ＩＩ）、塩化テ
トラアミンパラジウム（ＩＩ）酸アンモニウム、酸化パ
ラジウム（ＩＩ）、水酸化パラジウム（ＩＩ）等が挙げ
られる。白金系では塩化白金（ＩＩ）、テトラクロロ白
金酸（ＩＩ）、塩化白金（ＩＶ）、ヘキサクロロ白金酸
（ＩＶ）、ヘキサクロロ白金酸（ＩＶ）アンモニウム、
酸化白金（ＩＩ）、水酸化白金（ＩＩ）、二酸化白金
（ＩＶ）、酸化白金（ＩＶ）、二硫化白金（ＩＶ）、硫
化白金（ＩＶ）、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸カリウム
等が挙げられる。さらにアミン触媒例えばトリブチルア
ミンまたは重合開始剤を使用することができる。
ては、白金族触媒、すなわちルテニウム、ロジウム、パ
ラジウム、オスミウム、イリジウム、白金の化合物が適
しているが、特にパラジウムと白金の化合物が好適であ
る。パラジウム系では塩化パラジウム（ＩＩ）、塩化テ
トラアミンパラジウム（ＩＩ）酸アンモニウム、酸化パ
ラジウム（ＩＩ）、水酸化パラジウム（ＩＩ）等が挙げ
られる。白金系では塩化白金（ＩＩ）、テトラクロロ白
金酸（ＩＩ）、塩化白金（ＩＶ）、ヘキサクロロ白金酸
（ＩＶ）、ヘキサクロロ白金酸（ＩＶ）アンモニウム、
酸化白金（ＩＩ）、水酸化白金（ＩＩ）、二酸化白金
（ＩＶ）、酸化白金（ＩＶ）、二硫化白金（ＩＶ）、硫
化白金（ＩＶ）、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸カリウム
等が挙げられる。さらにアミン触媒例えばトリブチルア
ミンまたは重合開始剤を使用することができる。
【００４８】本発明によればさらに、上記製造方法によ
り得られた処理粉体を用いた、化粧料組成物、塗料組成
物、樹脂成形加工品（射出成形による容器など）等の製
品の製造方法が提供される。これら製品の製造方法にお
いては、従来法による処理粉体に代えて、上記の本発明
製造方法により製造された処理粉体を用いるということ
以外は、常法によって各製品を製造することができる。
本発明製造方法により得られた処理粉体を用いることに
より、化粧料組成物、塗料組成物、容器等の最終製品
は、製品の製造コストの低減、製品品質の向上、製品の
安定性および安全性、環境対策面での経済上並びに作業
上の負荷の軽減等を図ることができる。
り得られた処理粉体を用いた、化粧料組成物、塗料組成
物、樹脂成形加工品（射出成形による容器など）等の製
品の製造方法が提供される。これら製品の製造方法にお
いては、従来法による処理粉体に代えて、上記の本発明
製造方法により製造された処理粉体を用いるということ
以外は、常法によって各製品を製造することができる。
本発明製造方法により得られた処理粉体を用いることに
より、化粧料組成物、塗料組成物、容器等の最終製品
は、製品の製造コストの低減、製品品質の向上、製品の
安定性および安全性、環境対策面での経済上並びに作業
上の負荷の軽減等を図ることができる。
【００４９】本発明者らは、溶媒として水のみを用いて
ビニル化合物の付加反応を行ったところ、有機溶媒を用
いたときと同程度の反応速度および付加密度を達成する
ことができたので、以下に実施例を示してさらに詳細に
説明する。ただし、本発明の範囲はこれら実施例によっ
てなんら限定されるものでないことはいうまでもない。
ビニル化合物の付加反応を行ったところ、有機溶媒を用
いたときと同程度の反応速度および付加密度を達成する
ことができたので、以下に実施例を示してさらに詳細に
説明する。ただし、本発明の範囲はこれら実施例によっ
てなんら限定されるものでないことはいうまでもない。
【００５０】
【実施例】実施例１−１：微粒子シリカゲルのシリコーンポリマー
被覆 容積１００リットルの回転式ダブルコーン型反応槽（ス
テンレススチール製、保温ジャケット付き）中に粒径５
０ｎｍのシリカゲル４ｋｇを入れた。その反応槽および
それに直結させた容積１０リットルの処理液供給タンク
（ステンレススチール製、保温ジャケット付き）の温度
は、８０℃に加熱した熱媒体を循環ポンプで熱媒体加熱
槽から各保温ジャケットに供給することにより、８０℃
に保持した。処理液供給タンクに窒素ガスを１．５リッ
トル／ｍｉｎで供給して、処理液（１，３，５，７−テ
トラメチルシクロテトラシロキサン）をバブリングさせ
た。なお、反応槽には凝縮器を取り付け、窒素ガスがそ
こから放出され、未反応の処理剤が回収できるようにし
た。また、反応槽は１０分間隔で１分間回転させ、反応
槽内で微粒子シリカゲルを混合する操作を８時間繰り返
し、処理粉体を取り出した。得られた粉体は著しい疎水
性を示した。
被覆 容積１００リットルの回転式ダブルコーン型反応槽（ス
テンレススチール製、保温ジャケット付き）中に粒径５
０ｎｍのシリカゲル４ｋｇを入れた。その反応槽および
それに直結させた容積１０リットルの処理液供給タンク
（ステンレススチール製、保温ジャケット付き）の温度
は、８０℃に加熱した熱媒体を循環ポンプで熱媒体加熱
槽から各保温ジャケットに供給することにより、８０℃
に保持した。処理液供給タンクに窒素ガスを１．５リッ
トル／ｍｉｎで供給して、処理液（１，３，５，７−テ
トラメチルシクロテトラシロキサン）をバブリングさせ
た。なお、反応槽には凝縮器を取り付け、窒素ガスがそ
こから放出され、未反応の処理剤が回収できるようにし
た。また、反応槽は１０分間隔で１分間回転させ、反応
槽内で微粒子シリカゲルを混合する操作を８時間繰り返
し、処理粉体を取り出した。得られた粉体は著しい疎水
性を示した。
【００５１】実施例１−２ 実施例１−１の微粒子シリカゲルを微粒子二酸化チタン
に代えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆
微粒子二酸化チタンを得た。
に代えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆
微粒子二酸化チタンを得た。
【００５２】実施例１−３ 実施例１−１の微粒子シリカゲルをセリサイト１０ｋｇ
に代えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆
セリサイトを得た。
に代えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆
セリサイトを得た。
【００５３】実施例１−４ 実施例１−１の微粒子シリカゲルをタルク１０ｋｇに代
えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆タル
クを得た。
えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆タル
クを得た。
【００５４】実施例１−５ 実施例１−１の微粒子シリカゲルを雲母チタン１０ｋｇ
に代えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆
雲母チタンを得た。
に代えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆
雲母チタンを得た。
【００５５】実施例１−６ 微粒子二酸化チタン２０ｇを遊星形ボールミルに入れ５
分間混合摩砕後、メチルハイドロジェンポリシロキサン
（分子量６０００）１ｇを加えてさらに混合摩砕を３時
間行った。得られた処理粉体は著しい疎水性を示した。
分間混合摩砕後、メチルハイドロジェンポリシロキサン
（分子量６０００）１ｇを加えてさらに混合摩砕を３時
間行った。得られた処理粉体は著しい疎水性を示した。
【００５６】実施例１−７ 実施例１−６の微粒子二酸化チタンをセリサイトに代え
て、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆セリサ
イトを得た。
て、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆セリサ
イトを得た。
【００５７】実施例１−８ 実施例１−６の微粒子二酸化チタンを微粒子シリカゲル
に代えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆
シリカゲルを得た。
に代えて、同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆
シリカゲルを得た。
【００５８】実施例１−９ 実施例１−６の微粒子二酸化チタンを亜鉛華に代えて、
同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆亜鉛華を得
た。
同様の処理を行い、シリコーンポリマー被覆亜鉛華を得
た。
【００５９】実施例２−１：シリコーンポリマー被覆微
粒子シリカゲルの表面修飾 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ル１００ｇを３リットルのナス型フラスコに取り、これ
にまず水３００ｇを加え攪拌機で高速攪拌を１０〜１５
分間行い、ホイップ化を行った。次に、２−ヒドロキシ
−３−アリル−４−メトキシベンゾフェノン７ｇを溶解
して加え、さらに触媒として塩化白金酸１０ｍｇを加え
てマントルヒーター中８０℃で６時間攪拌加熱させた
後、濾過し、次いでエタノール２リットルで洗浄し、脱
気乾燥を行い、ベンゾフェノンで表面修飾された処理粉
体を得た。
粒子シリカゲルの表面修飾 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ル１００ｇを３リットルのナス型フラスコに取り、これ
にまず水３００ｇを加え攪拌機で高速攪拌を１０〜１５
分間行い、ホイップ化を行った。次に、２−ヒドロキシ
−３−アリル−４−メトキシベンゾフェノン７ｇを溶解
して加え、さらに触媒として塩化白金酸１０ｍｇを加え
てマントルヒーター中８０℃で６時間攪拌加熱させた
後、濾過し、次いでエタノール２リットルで洗浄し、脱
気乾燥を行い、ベンゾフェノンで表面修飾された処理粉
体を得た。
【００６０】実施例２−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【００６１】実施例２−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００６２】実施例２−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【００６３】実施例２−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００６４】実施例２−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【００６５】実施例２−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００６６】実施例２−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
ルを用いて実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
【００６７】実施例２−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例２−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【００６８】実施例３−１ 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作をアリル−３，
４，５−トリメトキシシンナメートにて行い、処理粉体
を得た。
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作をアリル−３，
４，５−トリメトキシシンナメートにて行い、処理粉体
を得た。
【００６９】実施例３−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【００７０】実施例３−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００７１】実施例３−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【００７２】実施例３−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００７３】実施例３−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【００７４】実施例３−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００７５】実施例３−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
ルを用いて実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
【００７６】実施例３−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例３−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【００７７】実施例４−１ 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作を２−（２−ヒ
ドロキシ−３−アリル−５−メチルフェニル）ベンゾト
リアゾールにて行い、処理粉体を得た。
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作を２−（２−ヒ
ドロキシ−３−アリル−５−メチルフェニル）ベンゾト
リアゾールにて行い、処理粉体を得た。
【００７８】実施例４−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【００７９】実施例４−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００８０】実施例４−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【００８１】実施例４−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００８２】実施例４−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【００８３】実施例４−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００８４】実施例４−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
ルを用いて実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
【００８５】実施例４−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例４−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【００８６】実施例５−１ 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作を４−アリロキ
シ−４’−ｔ−ブチルベンゾイルメタンにて行い、処理
粉体を得た。
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作を４−アリロキ
シ−４’−ｔ−ブチルベンゾイルメタンにて行い、処理
粉体を得た。
【００８７】実施例５−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【００８８】実施例５−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００８９】実施例５−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【００９０】実施例５−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００９１】実施例５−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【００９２】実施例５−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００９３】実施例５−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
ルを用いて実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
【００９４】実施例５−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例５−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【００９５】実施例６−１ 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作をテトラデセン
にて行い、テトラデシル基で表面修飾された処理粉体を
得た。
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作をテトラデセン
にて行い、テトラデシル基で表面修飾された処理粉体を
得た。
【００９６】実施例６−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【００９７】実施例６−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【００９８】実施例６−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【００９９】実施例６−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１００】実施例６−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【０１０１】実施例６−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１０２】実施例６−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
ルを用いて実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
【０１０３】実施例６−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例６−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１０４】実施例７−１ 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作をグリセロール
−α−モノアリルエーテルにて行い、グリセリン残基で
表面修飾された処理粉体を得た。
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作をグリセロール
−α−モノアリルエーテルにて行い、グリセリン残基で
表面修飾された処理粉体を得た。
【０１０５】実施例７−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【０１０６】実施例７−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１０７】実施例７−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１０８】実施例７−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１０９】実施例７−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【０１１０】実施例７−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１１１】実施例７−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
ルを用いて実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
【０１１２】実施例７−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例７−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１１３】実施例８−１ 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ル１００ｇを３リットルのナス型フラスコに取り、これ
にまず水３００ｇを加え、攪拌機で高速攪拌を１０〜１
５分間行い、ホイップ化を行った。次に、クロロメチル
スチレン６ｇを加え、さらに触媒として塩化白金酸１０
ｍｇを加えてマントルヒーター中８０〜９０℃で５時間
加熱還流を行った。その後、ｎ−ヘキシルジメチルアミ
ン５ｇを加えて８０℃で３時間攪拌加熱した後、濾過
し、次いでエタノール２リットルで洗浄し、脱気乾燥を
行い、第四級アンモニウム塩で表面修飾された処理粉体
を得た。
ル１００ｇを３リットルのナス型フラスコに取り、これ
にまず水３００ｇを加え、攪拌機で高速攪拌を１０〜１
５分間行い、ホイップ化を行った。次に、クロロメチル
スチレン６ｇを加え、さらに触媒として塩化白金酸１０
ｍｇを加えてマントルヒーター中８０〜９０℃で５時間
加熱還流を行った。その後、ｎ−ヘキシルジメチルアミ
ン５ｇを加えて８０℃で３時間攪拌加熱した後、濾過
し、次いでエタノール２リットルで洗浄し、脱気乾燥を
行い、第四級アンモニウム塩で表面修飾された処理粉体
を得た。
【０１１４】実施例８−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【０１１５】実施例８−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１１６】実施例８−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１１７】実施例８−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１１８】実施例８−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【０１１９】実施例８−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１２０】実施例８−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
ルを用いて実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
【０１２１】実施例８−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例８−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１２２】実施例９−１ 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作を下記の一般式
（ＩＩａ）で表されるパーフルオロオクテン
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作を下記の一般式
（ＩＩａ）で表されるパーフルオロオクテン
【０１２３】
【化９】 にて行い、パーフルオロアルキル基で表面修飾された処
理粉体を得た。
理粉体を得た。
【０１２４】実施例９−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【０１２５】実施例９−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１２６】実施例９−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１２７】実施例９−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１２８】実施例９−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
タンを用いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【０１２９】実施例９−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を
得た。
【０１３０】実施例９−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
ルを用いて実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理
粉体を得た。
【０１３１】実施例９−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例９−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１３２】実施例１０−１ 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作をアリルグリシ
ジルエーテルにて行い、エポキシ基で表面修飾された処
理粉体を得た。
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作をアリルグリシ
ジルエーテルにて行い、エポキシ基で表面修飾された処
理粉体を得た。
【０１３３】実施例１０−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、
処理粉体を得た。
タンを用いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、
処理粉体を得た。
【０１３４】実施例１０−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
【０１３５】実施例１０−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１３６】実施例１０−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
【０１３７】実施例１０−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、
処理粉体を得た。
タンを用いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、
処理粉体を得た。
【０１３８】実施例１０−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
【０１３９】実施例１０−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
ルを用いて実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【０１４０】実施例１０−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例１０−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１４１】実施例１１−１ 実施例１−１のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作を下記の一般式
（ＩＩｂ）で表されるテトラオール
ルを用いて、実施例２−１と同様の操作を下記の一般式
（ＩＩｂ）で表されるテトラオール
【０１４２】
【化１０】 にて行い、エポキシ基で表面修飾された処理粉体を得
た。
た。
【０１４３】実施例１１−２ 実施例１−２のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、
処理粉体を得た。
タンを用いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、
処理粉体を得た。
【０１４４】実施例１１−３ 実施例１−３のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
【０１４５】実施例１１−４ 実施例１−４のシリコーンポリマー被覆タルクを用いて
実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１４６】実施例１１−５ 実施例１−５のシリコーンポリマー被覆雲母チタンを用
いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
【０１４７】実施例１１−６ 実施例１−６のシリコーンポリマー被覆微粒子二酸化チ
タンを用いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、
処理粉体を得た。
タンを用いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、
処理粉体を得た。
【０１４８】実施例１１−７ 実施例１−７のシリコーンポリマー被覆セリサイトを用
いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体
を得た。
【０１４９】実施例１１−８ 実施例１−８のシリコーンポリマー被覆微粒子シリカゲ
ルを用いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
ルを用いて実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処
理粉体を得た。
【０１５０】実施例１１−９ 実施例１−９のシリコーンポリマー被覆亜鉛華を用いて
実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
実施例１１−１と同様の表面修飾を行い、処理粉体を得
た。
【０１５１】 実施例１２：ファンデーション 配合成分 重量％ （１）実施例６−３の処理粉体 １０．０ （２）二酸化チタン １３．０ （３）コロイダルカオリン ２５．０ （４）タルク ３４．７ （５）ベンガラ １．０ （６）黄酸化鉄 ２．５ （７）黒酸化鉄 ０．１ （８）流動パラフィン ８．０ （９）セスキオレイン酸ソルビタン ３．５ （１０）グリセリン ２．０ （１１）エチルパラベン ０．２製法 上記成分（１）〜（７）を混合し、粉砕機を通して平均
粒径１〜５μｍに粉砕した。これを高速ブレンダーに移
し、成分（１０）を加えて混合した。これとは別に成分
（８）、（９）および（１１）を混合し、均一にしたも
のを上記混合物に加えてさらに均一に混合した。これを
粉砕機で処理し、ふるいを通し粒度を整えた後、圧縮成
形し、ケーキ型ファンデーションを得た。得られたファ
ンデーションは化粧もちが良好であった。
粒径１〜５μｍに粉砕した。これを高速ブレンダーに移
し、成分（１０）を加えて混合した。これとは別に成分
（８）、（９）および（１１）を混合し、均一にしたも
のを上記混合物に加えてさらに均一に混合した。これを
粉砕機で処理し、ふるいを通し粒度を整えた後、圧縮成
形し、ケーキ型ファンデーションを得た。得られたファ
ンデーションは化粧もちが良好であった。
【０１５２】 実施例１３：乳化ファンデーション 配合成分 重量％ （Ａ）イオン交換水 ４３．５ コンドロイチン硫酸ナトリウム １．０ 乳酸ナトリウム ０．５ １，３−ブチレングリコール ３．０ メチルパラベン 適量 （Ｂ）ジメチルポリシロキサン（２０ｃｓ） １６．０ デカメチルシクロペンタシロキサン ５．０ シリコーン樹脂 １．０ セチルイソオクタネート １．０ ポリオキシアルキレン変性オルガノポリシロキサン ４．０ （変性率２０％） 酸化防止剤 適量 香料 適量 （Ｃ）黄色酸化鉄 １．０ 赤色酸化鉄 ０．４５ 黒色酸化鉄 ０．２ 実施例２−２の処理粉体 １１．７ 実施例５−３の処理粉体 １１．６５製法 成分（Ｂ）を加熱溶解後、成分（Ｃ）の粉体を添加分散
した。さらにあらかじめ溶解加熱しておいた成分（Ａ）
を添加乳化し、室温まで冷却して乳化ファンデーション
を得た。
した。さらにあらかじめ溶解加熱しておいた成分（Ａ）
を添加乳化し、室温まで冷却して乳化ファンデーション
を得た。
【０１５３】比較例１ 実施例１３の処方において、成分（Ｃ）中の実施例２−
２の処理粉体を未処理の二酸化チタンに代えた以外は実
施例１３と同様にして、比較例１の乳化ファンデーショ
ンを得た。
２の処理粉体を未処理の二酸化チタンに代えた以外は実
施例１３と同様にして、比較例１の乳化ファンデーショ
ンを得た。
【０１５４】実施例１３のものは、比較例１のものに比
べて二酸化チタンの分散性がよく、きれいに仕上がり、
日焼け止め効果の高いものであった。
べて二酸化チタンの分散性がよく、きれいに仕上がり、
日焼け止め効果の高いものであった。
【０１５５】 実施例１４：プレストパウダー 配合成分 重量％ （１）実施例９−４の処理粉体 ３０．０ （２）実施例７−３の処理粉体 ６５．８ （３）酸化鉄顔料 ０．１ （４）スクワラン ２．０ （５）２−エチルヘキシルパルミテート ２．０ （６）香料 ０．１製法 上記成分（１）、（２）および（３）をヘンシェルミキ
サーで混合し、これに成分（４）および（５）を加熱混
合したものを吹き付け、混合後粉砕し、中皿に成型して
プレストパウダーを得た。得られたプレストパウダーは
保湿効果があり、化粧持ちが良好であった。
サーで混合し、これに成分（４）および（５）を加熱混
合したものを吹き付け、混合後粉砕し、中皿に成型して
プレストパウダーを得た。得られたプレストパウダーは
保湿効果があり、化粧持ちが良好であった。
【０１５６】 実施例１５：紫外線防御スティック 配合成分 重量％ （１）実施例２−２の処理粉体 ２０．０ （２）実施例５−４の処理粉体 １０．０ （３）実施例５−３の処理粉体 １１．０ （４）酸化鉄（赤色、黄色、黒色） ０．５ （５）カルナウバロウ １．０ （６）固形パラフィン ３．０ （７）流動パラフィン ４５．０ （８）イソプロピルミリステート ８．０ （９）ソルビタンセスキオレート １．５ （１０）香料 適量製法 上記成分（７）、（８）を釜に流し込み、８０〜９０℃
に加温し、成分（５）、（６）を加えて溶解させた。こ
れに成分（１）〜（４）を加えて均一に分散し、脱気
後、成分（１０）を加えて緩やかに攪拌した。これを８
０℃で容器に流し込み室温まで冷却することにより紫外
線防御スティックを得た。得られたスティックは紫外線
防御効果の高いものであった。
に加温し、成分（５）、（６）を加えて溶解させた。こ
れに成分（１）〜（４）を加えて均一に分散し、脱気
後、成分（１０）を加えて緩やかに攪拌した。これを８
０℃で容器に流し込み室温まで冷却することにより紫外
線防御スティックを得た。得られたスティックは紫外線
防御効果の高いものであった。
【０１５７】 実施例１６：口紅 配合成分 重量％ （１）炭化水素ワックス ３．０ （２）カルナウバロウ １．０ （３）グリセリルイソステアレート ４０．０ （４）流動パラフィン ４５．８ （５）実施例７−２の処理粉体 ４．０ （６）酸化鉄、セリサイト混合粉体 ６．０ （７）香料 ０．２製法 上記成分（１）〜（４）を８５℃で溶かし、その中に成
分（５）、（６）を攪拌しながら加えた。次いで攪拌
下、成分（７）を加えた。得られた混合物を容器に装入
した。得られた口紅は、優れた分散性をもつものであっ
た。
分（５）、（６）を攪拌しながら加えた。次いで攪拌
下、成分（７）を加えた。得られた混合物を容器に装入
した。得られた口紅は、優れた分散性をもつものであっ
た。
【０１５８】 実施例１７：日焼け止めクリーム 配合成分 重量％ （Ａ）デカメチルシクロペンタシロキサン ４２．０ ポリエチレングリコール ５．０ 分散剤 適量 （Ｂ）セチルアルコール ５．０ ワセリン １０．０ ジメチルポリシロキサン（１０ｃｓ／２５℃） ５．０ メチルフェニルポリシロキサン（２０ｃｓ／２５℃） ５．０ ミクロクリスタリンワックス ５．０ グリセリルモノステアレート ３．０ ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート ３．０ 香料 適量 防腐剤 適量 酸化防止剤 適量 （Ｃ）実施例２−２の処理粉体 ５．０ 着色顔料 適量製法 （Ａ）相を加熱溶解した後、（Ｃ）相を添加し、ホモミ
キサーで均一に分散させた。それに（Ｂ）相を加熱溶解
したものを添加してよく攪拌し、ホモミキサーで均一に
分散後、攪拌冷却することにより日焼け止めクリームを
得た。得られたクリームは日焼け止め効果が高いもので
あった。
キサーで均一に分散させた。それに（Ｂ）相を加熱溶解
したものを添加してよく攪拌し、ホモミキサーで均一に
分散後、攪拌冷却することにより日焼け止めクリームを
得た。得られたクリームは日焼け止め効果が高いもので
あった。
【０１５９】 実施例１８：ボディパウダー 配合成分 重量％ （Ａ）タルク ５０．０ 実施例８−４の処理粉体 ３９．０ パール剤 １．０ 着色顔料 適量 （Ｂ）亜鉛華 ３．０ （Ｃ）ステアリン酸マグネシウム ４．０ 流動パラフィン １．０ 殺菌剤 適量 （Ｄ）香料 適量製法 （Ａ）をブレンダーで混合する。これに（Ｂ）を添加し
てよく混合してから（Ｃ）を加え、調色した後、香料
（Ｄ）を噴霧し均一に混ぜる。これを粉砕機で粉砕した
後、ふるいを通すことによりボディパウダーを得た。得
られたボディパウダーは防臭効果が高いものであった。
てよく混合してから（Ｃ）を加え、調色した後、香料
（Ｄ）を噴霧し均一に混ぜる。これを粉砕機で粉砕した
後、ふるいを通すことによりボディパウダーを得た。得
られたボディパウダーは防臭効果が高いものであった。
【０１６０】実施例１９：塗料 実施例４−２で得た処理粉体２０ｇとアクリル樹脂溶液
（Ｍｎ４８，２００、Ｍｗ／Ｍｎ２．５６）１８ｇをガ
ラスビーズ７０ｇと共にペイントシェーカーで２０分間
混練して塗料を得た。得られた塗料は耐光性が高いもの
であった。
（Ｍｎ４８，２００、Ｍｗ／Ｍｎ２．５６）１８ｇをガ
ラスビーズ７０ｇと共にペイントシェーカーで２０分間
混練して塗料を得た。得られた塗料は耐光性が高いもの
であった。
【０１６１】実施例２０：容器 実施例４−３で得た処理粉体をポリエチレン中に２重量
％混合して白色のポリスチレン広口瓶を射出成形した。
％混合して白色のポリスチレン広口瓶を射出成形した。
【０１６２】比較例２ 比較例として処理粉体を混合しないで白色のポリスチレ
ン広口瓶を射出成形した。
ン広口瓶を射出成形した。
【０１６３】実施例２０と比較例２の広口瓶からそれぞ
れ４ｃｍ×４ｃｍの大きさのピースを切り取り、紫外線
吸収スペクトル（拡散反射法）を測定したところ、実施
例２０で得られたピースの方に高い紫外線吸収効果がみ
られた。
れ４ｃｍ×４ｃｍの大きさのピースを切り取り、紫外線
吸収スペクトル（拡散反射法）を測定したところ、実施
例２０で得られたピースの方に高い紫外線吸収効果がみ
られた。
【０１６４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明では処理粉
体の製造方法において、Ｓｉ−Ｈ基を有するシリコーン
化合物で被覆した粉体に、Ｓｉ−Ｈ基と反応することの
できる化合物を付加する際に、反応溶媒として実質的に
水のみを用いるよう構成したので、製造コストの低減化
を図ることができるとともに、排水等環境面においても
負担を軽減化した、安全で安定な処理粉体の製造方法を
提供することができるという効果を奏する。また、上記
製造方法により得られた処理粉体を用いた製品の製造効
率の向上、製造コストの低減、製品品質の安定性と安全
性の確保、環境対策面での経済上並びに作業上の負荷の
軽減等を図ることができる。
体の製造方法において、Ｓｉ−Ｈ基を有するシリコーン
化合物で被覆した粉体に、Ｓｉ−Ｈ基と反応することの
できる化合物を付加する際に、反応溶媒として実質的に
水のみを用いるよう構成したので、製造コストの低減化
を図ることができるとともに、排水等環境面においても
負担を軽減化した、安全で安定な処理粉体の製造方法を
提供することができるという効果を奏する。また、上記
製造方法により得られた処理粉体を用いた製品の製造効
率の向上、製造コストの低減、製品品質の安定性と安全
性の確保、環境対策面での経済上並びに作業上の負荷の
軽減等を図ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｃ 3/12 ＰＣＨ
Claims (24)
- 【請求項１】 Ｓｉ−Ｈ基を有するシリコーン化合物で
粉体を被覆後、該シリコーン化合物のＳｉ−Ｈ基部分
に、Ｓｉ−Ｈ基と反応することのできる化合物を付加す
る処理粉体の製造方法において、反応溶媒として実質的
に水のみを用いて前記付加を行うことを特徴とする処理
粉体の製造方法。 - 【請求項２】 上記Ｓｉ−Ｈ基を有するシリコーン化合
物が、一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は互いに独立に水素原子
であるかまたは少なくとも１個のハロゲン原子で置換可
能な炭素数１〜１０の炭化水素基であり（但し、Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 が同時に水素原子であることはない）；Ｒ
4 、Ｒ5 およびＲ6は互いに独立に水素原子であるかま
たは少なくとも１個のハロゲン原子で置換可能な炭素数
１〜１０の炭化水素基であり；ａは０または１以上の整
数であり、ｂは０または１以上の整数であり、ｃは０ま
たは２であり（但し、３≦ａ＋ｂ＋ｃ≦１００００であ
る）；そしてこの化合物はＳｉ−Ｈ基部分を少なくとも
１個含むものとする〕で表されるシリコーン化合物であ
る、請求項１記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項３】 上記一般式（Ｉ）中、ｃ＝０である、請
求項２記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項４】 上記一般式（Ｉ）中、ｃ＝２である、請
求項２記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項５】 上記シリコーン化合物がメチルハイドロ
ジェンポリシロキサン（分子量６０００）である、請求
項１、２または３のいずれか１項に記載の処理粉体の製
造方法。 - 【請求項６】 上記シリコーン化合物が１，３，５，７
−テトラメチルシクロテトラシロキサンである、請求項
１、２または４のいずれか１項に記載の処理粉体の製造
方法。 - 【請求項７】 上記粉体が有機顔料、無機顔料、金属酸
化物、金属水酸化物、雲母、パール光沢材、金属、磁性
粉体、ケイ酸塩鉱物または多孔性物質のうちの１種若し
くは２種以上の組み合わせである、請求項１〜６のいず
れか１項に記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項８】 上記粉体がシリカゲル、二酸化チタン、
セリサイト、タルク、雲母チタンまたは亜鉛華である、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の処理粉体の製造方
法。 - 【請求項９】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのできる
化合物が、炭素−炭素二重結合または三重結合を少なく
とも１つもち、Ｓｉ−Ｈ基と反応することができる不飽
和化合物である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の
処理粉体の製造方法。 - 【請求項１０】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、一般式（ＩＩ） 【化２】 ｛式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は互いに独立に水
素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、アシル
オキシ基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、カルボ
キシル基、スルホ基、あるいは炭素数１〜３０の置換ま
たは非置換の炭化水素基〔例えば脂肪族基（例えばアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基）、芳香族基（例
えばフェニル基、ナフチル基）、複素環式基（例えばヘ
テロ原子として窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を
１個以上を含むもの）、脂環式基（例えばシクロアルキ
ル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基）、ス
ピロ化合物残基またはテルペン化合物残基〕であるか；
あるいはＲ11とＲ13とが炭素−炭素結合をなし、−Ｃ＝
Ｃ−と一緒になって−Ｃ≡Ｃ−を形成することができ；
あるいはＲ12とＲ14とが炭素−炭素結合をなし、−Ｃ＝
Ｃ−と一緒になって脂環式基を形成することができる｝
で表される化合物である、請求項１〜９のいずれか１項
に記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項１１】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、２−ヒドロキシ−３−アリル−４メトキシ
ベンゾフェノンである、請求項１〜１０のいずれか１項
に記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項１２】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、アリル−３，４，５−トリメトキシシンナ
メートである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の
処理粉体の製造方法。 - 【請求項１３】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、２−（２−ヒドロキシ−３−アリル−メチ
ルフェニル）ベンゾトリアゾールである、請求項１〜１
０のいずれか１項に記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項１４】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、４−アリロキシ−４’−ｔ−ブチルベンゾ
イルメタンである、請求項１〜１０のいずれか１項に記
載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項１５】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、テトラデセンである、請求項１〜１０のい
ずれか１項に記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項１６】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、グリセロール−α−モノアリルエーテルで
ある、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の処理粉体
の製造方法。 - 【請求項１７】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、クロロメチルスチレンである、請求項１〜
１０のいずれか１項に記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項１８】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、一般式（ＩＩａ） 【化３】 で表されるパーフルオロオクテンである、請求項１〜１
０のいずれか１項に記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項１９】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、アリルグリシジルエーテルである、請求項
１〜１０のいずれか１項に記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項２０】 上記Ｓｉ−Ｈ基と反応することのでき
る化合物が、一般式（ＩＩｂ） 【化４】 で表されるテトラオールである、請求項１〜１０のいず
れか１項に記載の処理粉体の製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１〜２０のいずれか１項に記載
の製造方法により得られた処理粉体を原料の一成分とし
て用いて、常法により化粧料組成物を製造することを特
徴とする、化粧料組成物の製造方法。 - 【請求項２２】 上記化粧料組成物がケーキ型ファンデ
ーション、乳化ファンデーション、プレストパウダー、
紫外線防御スティック、口紅、日焼け止めクリーム、ボ
ディパウダーのいずれかである、請求項２１に記載の化
粧料組成物の製造方法。 - 【請求項２３】 請求項１〜２０のいずれか１項に記載
の製造方法により得られた処理粉体を原料の一成分とし
て用いて、常法により塗料組成物を製造することを特徴
とする、塗料組成物の製造方法。 - 【請求項２４】 請求項１〜２０のいずれか１項に記載
の製造方法により得られた処理粉体を原料の一成分とし
て用いて、常法により合成樹脂組成物を射出成形するこ
とを特徴とする、樹脂成形加工品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24998894A JP3478607B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 処理粉体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24998894A JP3478607B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 処理粉体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0892484A true JPH0892484A (ja) | 1996-04-09 |
| JP3478607B2 JP3478607B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=17201168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24998894A Expired - Lifetime JP3478607B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 処理粉体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3478607B2 (ja) |
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-
1994
- 1994-09-19 JP JP24998894A patent/JP3478607B2/ja not_active Expired - Lifetime
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