JPH0889956A - 超純水製造装置 - Google Patents
超純水製造装置Info
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- JPH0889956A JPH0889956A JP6224691A JP22469194A JPH0889956A JP H0889956 A JPH0889956 A JP H0889956A JP 6224691 A JP6224691 A JP 6224691A JP 22469194 A JP22469194 A JP 22469194A JP H0889956 A JPH0889956 A JP H0889956A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A20/00—Water conservation; Efficient water supply; Efficient water use
- Y02A20/124—Water desalination
- Y02A20/131—Reverse-osmosis
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高純度の超純水を安定に得る。
【構成】 超純水製造装置の脱塩装置の後段にホウ素吸
着樹脂塔を設ける。 【効果】 従来の超純水製造装置では除去し得ない、超
純水の純度低下の原因物質であるホウ素を効率的に除去
することができ、高純度の超純水を安定かつ効率的に得
ることが可能とされる。ホウ素吸着樹脂塔では、ＳｉＯ
2 の除去もなされ、後段の装置へのＳｉＯ2 負荷が軽減
される。
着樹脂塔を設ける。 【効果】 従来の超純水製造装置では除去し得ない、超
純水の純度低下の原因物質であるホウ素を効率的に除去
することができ、高純度の超純水を安定かつ効率的に得
ることが可能とされる。ホウ素吸着樹脂塔では、ＳｉＯ
2 の除去もなされ、後段の装置へのＳｉＯ2 負荷が軽減
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超純水製造装置に係り、
特に、従来の超純水製造装置では除去困難なホウ酸性ホ
ウ素を効果的に除去することにより、高純度超純水を安
定に得ることを可能とする超純水製造装置に関する。
特に、従来の超純水製造装置では除去困難なホウ酸性ホ
ウ素を効果的に除去することにより、高純度超純水を安
定に得ることを可能とする超純水製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、市水、地下水、工水等の原水から
超純水を製造する超純水製造装置は、基本的に、前処理
装置、一次純水製造装置及び二次純水製造装置から構成
される。このうち、前処理装置は、凝集、浮上、濾過装
置で構成される。一次純水製造装置は、２基の逆浸透膜
分離装置及び混床式イオン交換装置、或いは、イオン交
換純水装置及び逆浸透膜分離装置で構成され、また、二
次純水製造装置は、低圧紫外線酸化装置、混床式イオン
交換装置及び限外濾過膜分離装置で構成される。
超純水を製造する超純水製造装置は、基本的に、前処理
装置、一次純水製造装置及び二次純水製造装置から構成
される。このうち、前処理装置は、凝集、浮上、濾過装
置で構成される。一次純水製造装置は、２基の逆浸透膜
分離装置及び混床式イオン交換装置、或いは、イオン交
換純水装置及び逆浸透膜分離装置で構成され、また、二
次純水製造装置は、低圧紫外線酸化装置、混床式イオン
交換装置及び限外濾過膜分離装置で構成される。
【０００３】これらの各装置単位において、原水の脱塩
は、逆浸透膜分離装置及び混床式イオン交換装置で行わ
れる。また、原水中の微粒子の除去は、逆浸透膜分離装
置及び限外濾過膜分離装置でなされ、原水中のＴＯＣ成
分の除去は、逆浸透膜分離装置、イオン交換純水装置、
低圧紫外線酸化装置でなされる。
は、逆浸透膜分離装置及び混床式イオン交換装置で行わ
れる。また、原水中の微粒子の除去は、逆浸透膜分離装
置及び限外濾過膜分離装置でなされ、原水中のＴＯＣ成
分の除去は、逆浸透膜分離装置、イオン交換純水装置、
低圧紫外線酸化装置でなされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の超純水製造
装置により工水、その他の水を原水として超純水を製造
する場合、得られる超純水の純度が悪く、管理値を満足
し得ない場合がある。例えば、抵抗率１８．２４μΩ・
ｃｍの超純水を製造する超純水製造装置において、得ら
れる超純水の抵抗率が１７．８μΩ・ｃｍあるいはそれ
以下にまで低下する場合がある。このような純度低下
は、特に、装置内のイオン交換樹脂の使用時間が長くな
った場合に著しい。
装置により工水、その他の水を原水として超純水を製造
する場合、得られる超純水の純度が悪く、管理値を満足
し得ない場合がある。例えば、抵抗率１８．２４μΩ・
ｃｍの超純水を製造する超純水製造装置において、得ら
れる超純水の抵抗率が１７．８μΩ・ｃｍあるいはそれ
以下にまで低下する場合がある。このような純度低下
は、特に、装置内のイオン交換樹脂の使用時間が長くな
った場合に著しい。
【０００５】この問題を解決するために、強塩基性アニ
オン交換樹脂の量を増やす、樹脂の再生レベルを変え
る、などの対策を講じても、顕著な改善効果は得られな
かった。
オン交換樹脂の量を増やす、樹脂の再生レベルを変え
る、などの対策を講じても、顕著な改善効果は得られな
かった。
【０００６】本発明者らは上記従来の超純水製造装置に
おける純度低下の問題を解決し、高純度の超純水を安定
に得ることができる超純水製造装置を提供することを目
的とする。
おける純度低下の問題を解決し、高純度の超純水を安定
に得ることができる超純水製造装置を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の超純水製造装置
は、脱塩装置を有する超純水製造装置において、該脱塩
装置の後段にホウ素吸着樹脂塔を設けたことを特徴とす
る。
は、脱塩装置を有する超純水製造装置において、該脱塩
装置の後段にホウ素吸着樹脂塔を設けたことを特徴とす
る。
【０００８】即ち、本発明者らは、従来の超純水製造装
置における純度低下の原因を究明すべく鋭意検討を重ね
た結果、純度低下の原因はホウ素であることを突き止め
た。
置における純度低下の原因を究明すべく鋭意検討を重ね
た結果、純度低下の原因はホウ素であることを突き止め
た。
【０００９】そして、このホウ素の除去のためには、脱
塩装置の後段にホウ素吸着樹脂塔を設けることが有効で
あることを見出し、本発明を完成させた。
塩装置の後段にホウ素吸着樹脂塔を設けることが有効で
あることを見出し、本発明を完成させた。
【００１０】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明において、ホウ素吸着樹脂として
は、各種のものを用いることができるが、例えば、市販
の「ダイヤイオンＣＲＢ０２」（三菱化成（株））を用
いることができる。このダイヤイオンＣＲＢ０２は、以
下に示す如く、スチレン・ジビニルベンゼンの骨格にホ
ウ酸選択性の高いキレート形成基としてＮグルカミン基
を導入した化学構造を有している。
は、各種のものを用いることができるが、例えば、市販
の「ダイヤイオンＣＲＢ０２」（三菱化成（株））を用
いることができる。このダイヤイオンＣＲＢ０２は、以
下に示す如く、スチレン・ジビニルベンゼンの骨格にホ
ウ酸選択性の高いキレート形成基としてＮグルカミン基
を導入した化学構造を有している。
【００１２】
【化１】
【００１３】このＮグルカミン基は、弱塩基性アニオン
交換樹脂と同様の３級アミン型になっており、次のよう
な反応でホウ酸性ホウ素を吸着する。
交換樹脂と同様の３級アミン型になっており、次のよう
な反応でホウ酸性ホウ素を吸着する。
【００１４】
【化２】
【００１５】ところで、このＮグルカミン基は、Ｃｌ-
やＳＯ4 2- を吸着した場合には、ホウ酸の吸着能がなく
なる。中性塩、例えばＮａＣｌが共存する場合、これら
の塩に対するホウ素吸着樹脂の交換容量は全交換容量の
２０％程度あり、次のような反応でＣｌ- イオンを吸着
するため、その分、ホウ素の交換容量が低減する。即
ち、系内の塩濃度が高い場合には、ホウ素吸着樹脂のホ
ウ素吸着能は約２０％程度低下することとなる。
やＳＯ4 2- を吸着した場合には、ホウ酸の吸着能がなく
なる。中性塩、例えばＮａＣｌが共存する場合、これら
の塩に対するホウ素吸着樹脂の交換容量は全交換容量の
２０％程度あり、次のような反応でＣｌ- イオンを吸着
するため、その分、ホウ素の交換容量が低減する。即
ち、系内の塩濃度が高い場合には、ホウ素吸着樹脂のホ
ウ素吸着能は約２０％程度低下することとなる。
【００１６】
【化３】
【００１７】従って、本発明においては、逆浸透膜分離
装置又はイオン交換純水装置等の脱塩装置の後段にホウ
素吸着樹脂塔を設け、ホウ素吸着樹脂塔への塩類の流入
を防止することにより、高いホウ素吸着能を確保する。
装置又はイオン交換純水装置等の脱塩装置の後段にホウ
素吸着樹脂塔を設け、ホウ素吸着樹脂塔への塩類の流入
を防止することにより、高いホウ素吸着能を確保する。
【００１８】なお、処理を継続することにより、ダイヤ
イオンＣＲＢ０２の吸着容量が飽和に達し、ホウ素吸着
能が低下した場合には、下記の如く、Ｈ2 ＳＯ4 等の鉱
酸で再生し、ホウ酸（或いは更に塩酸）を脱着させた
後、ＮａＯＨでＯＨ- 形に変換することにより、再度使
用に供することができる。
イオンＣＲＢ０２の吸着容量が飽和に達し、ホウ素吸着
能が低下した場合には、下記の如く、Ｈ2 ＳＯ4 等の鉱
酸で再生し、ホウ酸（或いは更に塩酸）を脱着させた
後、ＮａＯＨでＯＨ- 形に変換することにより、再度使
用に供することができる。
【００１９】
【化４】
【００２０】なお、ホウ素吸着樹脂をＳＯ4 2- 形又はＣ
ｌ- 形で使用することも考えられるが、ＳＯ4 2- 形又は
Ｃｌ- 形のものは中性の水に対してはホウ素吸着性能が
悪い。アルカリ性の水に対してはホウ素吸着性能が若干
向上するものの、吸着容量はＯＨ- 形で使用する場合に
比べて小さい。
ｌ- 形で使用することも考えられるが、ＳＯ4 2- 形又は
Ｃｌ- 形のものは中性の水に対してはホウ素吸着性能が
悪い。アルカリ性の水に対してはホウ素吸着性能が若干
向上するものの、吸着容量はＯＨ- 形で使用する場合に
比べて小さい。
【００２１】このため、本発明においては、ホウ素吸着
樹脂の塩形はＯＨ- 形として用いるのが好ましい。
樹脂の塩形はＯＨ- 形として用いるのが好ましい。
【００２２】このようなホウ素吸着樹脂を充填したホウ
素吸着樹脂塔への通水速度が高くなると、ホウ酸吸着量
が低減するため、通水速度は流入水のホウ素濃度、ホウ
素吸着樹脂のホウ酸吸着量及び使用期間等を考慮してＳ
Ｖ＝５〜５０ｈｒ-1の範囲で適宜決定するのが好まし
い。
素吸着樹脂塔への通水速度が高くなると、ホウ酸吸着量
が低減するため、通水速度は流入水のホウ素濃度、ホウ
素吸着樹脂のホウ酸吸着量及び使用期間等を考慮してＳ
Ｖ＝５〜５０ｈｒ-1の範囲で適宜決定するのが好まし
い。
【００２３】前述の如く、本発明の超純水製造装置にお
いて、ホウ素吸着樹脂塔は、脱塩を行う装置の後段であ
れば良く、その設置箇所としては特に制限はない。
いて、ホウ素吸着樹脂塔は、脱塩を行う装置の後段であ
れば良く、その設置箇所としては特に制限はない。
【００２４】即ち、吸着除去の対象であるホウ酸性ホウ
素は、中性ないしそれ以下のｐＨ条件では、Ｈ3 ＢＯ3
として存在している。通常の超純水系ではその濃度も低
く、ｐＨ条件も中性付近にあることから、一次脱塩した
後では、ホウ素は同一挙動をとるため、ホウ素吸着樹脂
塔はどの箇所に設置してもホウ素の除去性能に差はな
い。
素は、中性ないしそれ以下のｐＨ条件では、Ｈ3 ＢＯ3
として存在している。通常の超純水系ではその濃度も低
く、ｐＨ条件も中性付近にあることから、一次脱塩した
後では、ホウ素は同一挙動をとるため、ホウ素吸着樹脂
塔はどの箇所に設置してもホウ素の除去性能に差はな
い。
【００２５】本発明に好適なホウ素吸着樹脂塔の設置例
を以下に示す。なお、以下において、各々の略号は次の
ものを示す。
を以下に示す。なお、以下において、各々の略号は次の
ものを示す。
【００２６】ＡＦ：凝集濾過装置 ＲＯ：逆浸透膜分離装置 ＭＢ−Ｐ：混床式イオン交換塔 ２Ｂ３Ｔ：２床３塔式イオン交換純水装置 ＳＴ：サブタンク Ｌ−ＵＶOX：低圧紫外線酸化装置 Ｈ−ＵＶOX：高圧紫外線酸化装置 ＤＩ：混床式イオン交換装置 ＵＦ：限外濾過膜分離装置 ＡＣ：活性炭吸着塔 ＷＡ：弱塩基性アニオン交換樹脂塔 ＳＣ：強酸性カチオン交換樹脂塔 ＳＡ：強塩基性アニオン交換樹脂塔 ［ＢＡ］：ホウ素吸着樹脂塔 Ｉ 下記（ａ）又は（ｂ）の通常の超純水製造装置の一
次純水製造工程に適用する場合 （ａ） 原水→ＡＦ→一次純水製造工程（ＲＯ→ＲＯ→
ＭＢ−Ｐ）→ＳＴ→二次純水製造工程（Ｌ−ＵＶOX→Ｄ
Ｉ→ＵＦ）→ユースポイント又はＳＴ返送 （ｂ） 原水→一次純水製造工程（ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→Ｍ
Ｂ−Ｐ→ＲＯ）→ＳＴ→二次純水製造工程（Ｌ−ＵＶOX
→ＤＩ→ＵＦ）→ユースポイント又はＳＴ返送 原水→ＡＦ→ＲＯ→ＲＯ→［ＢＡ］→ＭＢ−Ｐ→Ｓ
Ｔ→二次純水製造工程 原水→ＡＦ→ＲＯ→ＲＯ→ＭＢ−Ｐ→［ＢＡ］→Ｓ
Ｔ→二次純水製造工程 原水→ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→［ＢＡ］→ＭＢ−Ｐ→ＲＯ
→ＳＴ→二次純水製造工程 原水→ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→ＭＢ−Ｐ→［ＢＡ］→ＲＯ
→ＳＴ→二次純水製造工程 原水→ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→ＭＢ−Ｐ→ＲＯ→［ＢＡ］
→ＳＴ→二次純水製造工程 II 上記（ａ）又は（ｂ）の通常の超純水製造装置の二
次純水製造工程に適用する場合 原水→ＡＦ→一次純水製造工程→ＳＴ→［ＢＡ］→
Ｌ−ＵＶOX→ＤＩ→ＵＦ 原水→ＡＦ→一次純水製造工程→ＳＴ→Ｌ−ＵＶOX
→［ＢＡ］→ＤＩ→ＵＦ III 回収水から超純水を製造する系において、回収水中
のホウ酸を除去する場合 回収水→ＡＣ→ＷＡ→ＳＣ→［ＢＡ］→ＳＡ→Ｈ−
ＵＶOX→回収純水→上記（ａ）又は（ｂ）へ 回収水→ＡＣ→ＷＡ→ＳＣ→ＳＡ→［ＢＡ］→Ｈ−
ＵＶOX→回収純水→上記（ａ）又は（ｂ）へ
次純水製造工程に適用する場合 （ａ） 原水→ＡＦ→一次純水製造工程（ＲＯ→ＲＯ→
ＭＢ−Ｐ）→ＳＴ→二次純水製造工程（Ｌ−ＵＶOX→Ｄ
Ｉ→ＵＦ）→ユースポイント又はＳＴ返送 （ｂ） 原水→一次純水製造工程（ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→Ｍ
Ｂ−Ｐ→ＲＯ）→ＳＴ→二次純水製造工程（Ｌ−ＵＶOX
→ＤＩ→ＵＦ）→ユースポイント又はＳＴ返送 原水→ＡＦ→ＲＯ→ＲＯ→［ＢＡ］→ＭＢ−Ｐ→Ｓ
Ｔ→二次純水製造工程 原水→ＡＦ→ＲＯ→ＲＯ→ＭＢ−Ｐ→［ＢＡ］→Ｓ
Ｔ→二次純水製造工程 原水→ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→［ＢＡ］→ＭＢ−Ｐ→ＲＯ
→ＳＴ→二次純水製造工程 原水→ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→ＭＢ−Ｐ→［ＢＡ］→ＲＯ
→ＳＴ→二次純水製造工程 原水→ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→ＭＢ−Ｐ→ＲＯ→［ＢＡ］
→ＳＴ→二次純水製造工程 II 上記（ａ）又は（ｂ）の通常の超純水製造装置の二
次純水製造工程に適用する場合 原水→ＡＦ→一次純水製造工程→ＳＴ→［ＢＡ］→
Ｌ−ＵＶOX→ＤＩ→ＵＦ 原水→ＡＦ→一次純水製造工程→ＳＴ→Ｌ−ＵＶOX
→［ＢＡ］→ＤＩ→ＵＦ III 回収水から超純水を製造する系において、回収水中
のホウ酸を除去する場合 回収水→ＡＣ→ＷＡ→ＳＣ→［ＢＡ］→ＳＡ→Ｈ−
ＵＶOX→回収純水→上記（ａ）又は（ｂ）へ 回収水→ＡＣ→ＷＡ→ＳＣ→ＳＡ→［ＢＡ］→Ｈ−
ＵＶOX→回収純水→上記（ａ）又は（ｂ）へ
【００２７】
【作用】原水中にホウ酸性ホウ素が存在する場合、或い
は、回収水を超純水の原水として利用する系において回
収水中にホウ酸が含有される場合、従来の超純水製造装
置ではこれらのホウ素を除去することができず、或い
は、アニオン交換樹脂が新品ないし再生直後においては
除去可能であっても、その後早期に除去不可能となる。
これは、前述の如く、系内のホウ素の存在形態がＨ3 Ｂ
Ｏ3 として存在していることによるものである。一方、
本発明の場合ホウ素吸着樹脂は高アルカリ性（ｐＨ９以
上）となっているので、Ｈ3 ＢＯ3 は塔内で下記反応式
に従って、水和して解離し、イオン交換可能となる。
は、回収水を超純水の原水として利用する系において回
収水中にホウ酸が含有される場合、従来の超純水製造装
置ではこれらのホウ素を除去することができず、或い
は、アニオン交換樹脂が新品ないし再生直後においては
除去可能であっても、その後早期に除去不可能となる。
これは、前述の如く、系内のホウ素の存在形態がＨ3 Ｂ
Ｏ3 として存在していることによるものである。一方、
本発明の場合ホウ素吸着樹脂は高アルカリ性（ｐＨ９以
上）となっているので、Ｈ3 ＢＯ3 は塔内で下記反応式
に従って、水和して解離し、イオン交換可能となる。
【００２８】 Ｈ3 ＢＯ3 ＋Ｈ2 Ｏ → Ｂ（ＯＨ）4 -＋Ｈ+ このようなことから、従来の超純水製造装置において、
アニオン交換樹脂の量を増やしたり、樹脂の再生レベル
を変えたりしても、顕著な効果は得られず、製造される
超純水中には、１ｐｐｂないしそれ以上のホウ素濃度の
ホウ酸のリークがある。これにより、得られる超純水の
抵抗率の低下が見られる。
アニオン交換樹脂の量を増やしたり、樹脂の再生レベル
を変えたりしても、顕著な効果は得られず、製造される
超純水中には、１ｐｐｂないしそれ以上のホウ素濃度の
ホウ酸のリークがある。これにより、得られる超純水の
抵抗率の低下が見られる。
【００２９】本発明の超純水製造装置では、この従来の
超純水製造装置では除去し得ない、従って、従来の超純
水製造装置の純度低下の原因物質であるホウ素を、ホウ
素吸着樹脂塔により効率的に除去するため、高純度の超
純水を安定に得ることができる。
超純水製造装置では除去し得ない、従って、従来の超純
水製造装置の純度低下の原因物質であるホウ素を、ホウ
素吸着樹脂塔により効率的に除去するため、高純度の超
純水を安定に得ることができる。
【００３０】しかして、このホウ素吸着樹脂塔は、脱塩
装置の後段に設置されるため、塩類の共存により、ホウ
素吸着樹脂のホウ素の吸着能が阻害されることなく、高
いホウ素除去効率を得ることができる。
装置の後段に設置されるため、塩類の共存により、ホウ
素吸着樹脂のホウ素の吸着能が阻害されることなく、高
いホウ素除去効率を得ることができる。
【００３１】また、ホウ素吸着樹脂はＳｉＯ2 除去能力
をも有し、従って、ホウ素吸着樹脂塔を組み込むことに
より、後段の装置に対するＳｉＯ2 負荷の軽減を図るこ
ともできる。
をも有し、従って、ホウ素吸着樹脂塔を組み込むことに
より、後段の装置に対するＳｉＯ2 負荷の軽減を図るこ
ともできる。
【００３２】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より具体的に説明する。説明の便宜上、まず比較例を挙
げる。
より具体的に説明する。説明の便宜上、まず比較例を挙
げる。
【００３３】なお、以下の実施例及び比較例において、
処理に供した原水は、ホウ酸性ホウ素（Ｂ（ＯＨ）4 -−
Ｂ）濃度約１００ｐｐｂのものである。
処理に供した原水は、ホウ酸性ホウ素（Ｂ（ＯＨ）4 -−
Ｂ）濃度約１００ｐｐｂのものである。
【００３４】比較例１ 原水をＡＦ→２Ｂ３Ｔ→ＭＢ−Ｐ→ＳＴ→Ｌ−ＵＶOX→
ＤＩ→ＵＦの順で通水して処理したところ、得られた処
理水（ＵＦ流出水）のＢ（ＯＨ）4 -−Ｂ濃度は２〜３ｐ
ｐｂであり、ホウ素の残留が認められた。
ＤＩ→ＵＦの順で通水して処理したところ、得られた処
理水（ＵＦ流出水）のＢ（ＯＨ）4 -−Ｂ濃度は２〜３ｐ
ｐｂであり、ホウ素の残留が認められた。
【００３５】実施例１ 比較例１において、ホウ素吸着樹脂としてダイヤイオン
ＣＲＢ０２を充填したホウ素吸着樹脂をＭＢ−Ｐの後段
に組み込み、比較例１で処理した原水と同水質の原水を
ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→ＭＢ−Ｐ→［ＢＡ］→ＳＴ→Ｌ−ＵＶ
OX→ＤＩ→ＵＦに順次通水して処理した。
ＣＲＢ０２を充填したホウ素吸着樹脂をＭＢ−Ｐの後段
に組み込み、比較例１で処理した原水と同水質の原水を
ＡＦ→２Ｂ３Ｔ→ＭＢ−Ｐ→［ＢＡ］→ＳＴ→Ｌ−ＵＶ
OX→ＤＩ→ＵＦに順次通水して処理した。
【００３６】なお、ホウ素吸着樹脂ダイヤイオンＣＲＢ
０２は、樹脂塔カラムに１リットル充填し、５重量％Ｈ
Ｃｌを１００ｇ−ＨＣｌ／リットル−樹脂の割合で用い
て押出洗浄した後、４重量％ＮａＯＨを１００ｇ−Ｎａ
ＯＨ／リットル−樹脂の割合で用いて押出洗浄して用い
た。また、ホウ素吸着樹脂塔の通水速度はＳＶ＝２０ｈ
ｒ-1とした。
０２は、樹脂塔カラムに１リットル充填し、５重量％Ｈ
Ｃｌを１００ｇ−ＨＣｌ／リットル−樹脂の割合で用い
て押出洗浄した後、４重量％ＮａＯＨを１００ｇ−Ｎａ
ＯＨ／リットル−樹脂の割合で用いて押出洗浄して用い
た。また、ホウ素吸着樹脂塔の通水速度はＳＶ＝２０ｈ
ｒ-1とした。
【００３７】その結果、ホウ素吸着樹脂塔の流入水及び
流出水のホウ素濃度，ＳｉＯ2 濃度は表１に示す通りで
あり、ホウ素及びＳｉＯ2 を効率的に除去することがで
きた。なお、この処理を３ケ月継続した後もホウ素及び
ＳｉＯ2 の除去効果に差はなく、長期にわたり継続処理
可能であることが確認された。
流出水のホウ素濃度，ＳｉＯ2 濃度は表１に示す通りで
あり、ホウ素及びＳｉＯ2 を効率的に除去することがで
きた。なお、この処理を３ケ月継続した後もホウ素及び
ＳｉＯ2 の除去効果に差はなく、長期にわたり継続処理
可能であることが確認された。
【００３８】
【表１】
【００３９】比較例２ 実施例１において、ホウ素吸着樹脂塔の代りに強塩基性
ＯＨ形アニオン交換樹脂塔（三菱化成（株）製「ダイヤ
イオンＳＡＮ−ＵＰ」（新品）を１リットル充填）を設
けたこと以外は同様にして処理を行った。
ＯＨ形アニオン交換樹脂塔（三菱化成（株）製「ダイヤ
イオンＳＡＮ−ＵＰ」（新品）を１リットル充填）を設
けたこと以外は同様にして処理を行った。
【００４０】その結果、アニオン交換樹脂塔の流出水の
ホウ素濃度は表２に示す如く、経時的に増加し、長期継
続処理ができないことが判明した。
ホウ素濃度は表２に示す如く、経時的に増加し、長期継
続処理ができないことが判明した。
【００４１】
【表２】
【００４２】実施例２ 前記の処理工程において、実施例１で設けたものと同
様のホウ素吸着樹脂塔を適用して同様に処理を行った。
即ち、原水→ＡＦ→ＲＯ→ＲＯ→［ＢＡ］→ＭＢ−Ｐ→
ＳＴ→二次純水製造工程の順で処理した。その結果、得
られた超純水（ＵＦ流出水）の抵抗率は３ケ月継続処理
後においても１８．１μΩ・ｃｍ以上と高い純度を示し
た。
様のホウ素吸着樹脂塔を適用して同様に処理を行った。
即ち、原水→ＡＦ→ＲＯ→ＲＯ→［ＢＡ］→ＭＢ−Ｐ→
ＳＴ→二次純水製造工程の順で処理した。その結果、得
られた超純水（ＵＦ流出水）の抵抗率は３ケ月継続処理
後においても１８．１μΩ・ｃｍ以上と高い純度を示し
た。
【００４３】また、この処理において、ホウ素吸着樹脂
塔の流入水及び流出水のホウ素濃度を調べたところ、流
入水のＢ（ＯＨ）4 -−Ｂは２０〜３０ｐｐｂであるのに
対し、流出水のＢ（ＯＨ）4 -−Ｂは＜０．０５ｐｐｂで
あり、ホウ素が効率的に除去されたことが確認された。
塔の流入水及び流出水のホウ素濃度を調べたところ、流
入水のＢ（ＯＨ）4 -−Ｂは２０〜３０ｐｐｂであるのに
対し、流出水のＢ（ＯＨ）4 -−Ｂは＜０．０５ｐｐｂで
あり、ホウ素が効率的に除去されたことが確認された。
【００４４】比較例３ 実施例２において、ホウ素吸着樹脂塔を設けなかったこ
と以外は同様に処理を行った。即ち、原水→ＡＦ→ＲＯ
→ＲＯ→ＭＢ−Ｐ→ＳＴ→二次純水製造工程の順で処理
した。この処理において、ＭＢ−Ｐの流入水及び流出水
のホウ素濃度を調べたところ、流入水のＢ（ＯＨ）4 -−
Ｂは２０〜３０ｐｐｂであるのに対し、流出水のＢ（Ｏ
Ｈ）4 -−Ｂは７ｐｐｂと、ホウ素のリークが認められ
た。
と以外は同様に処理を行った。即ち、原水→ＡＦ→ＲＯ
→ＲＯ→ＭＢ−Ｐ→ＳＴ→二次純水製造工程の順で処理
した。この処理において、ＭＢ−Ｐの流入水及び流出水
のホウ素濃度を調べたところ、流入水のＢ（ＯＨ）4 -−
Ｂは２０〜３０ｐｐｂであるのに対し、流出水のＢ（Ｏ
Ｈ）4 -−Ｂは７ｐｐｂと、ホウ素のリークが認められ
た。
【００４５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の超純水製造
装置によれば、従来の超純水製造装置では除去し得な
い、超純水の純度低下の原因物質であるホウ素を効率的
に除去することができ、高純度の超純水を安定かつ効率
的に得ることが可能とされる。しかも、本発明に係るホ
ウ素吸着樹脂塔では、ＳｉＯ2 の除去もなされ、後段の
装置へのＳｉＯ2 負荷が軽減されるという効果も奏され
る。
装置によれば、従来の超純水製造装置では除去し得な
い、超純水の純度低下の原因物質であるホウ素を効率的
に除去することができ、高純度の超純水を安定かつ効率
的に得ることが可能とされる。しかも、本発明に係るホ
ウ素吸着樹脂塔では、ＳｉＯ2 の除去もなされ、後段の
装置へのＳｉＯ2 負荷が軽減されるという効果も奏され
る。
フロントページの続き (72)発明者 遠藤 和博 大阪府大阪市北区中崎西２丁目４番12号梅 田センタービル ダイキン工業株式会社内 (72)発明者 本村 敬人 東京都新宿区西新宿３丁目４番７号 栗田 工業株式会社内 (72)発明者 古川 征弘 東京都新宿区西新宿３丁目４番７号 栗田 工業株式会社内 (72)発明者 十倉 幸一 大阪府大阪市中央区北浜２丁目２番22号 栗田テクニカルサービス株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 脱塩装置を有する超純水製造装置におい
て、該脱塩装置の後段にホウ素吸着樹脂塔を設けたこと
を特徴とする超純水製造装置。
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-09-20 JP JP22469194A patent/JP3992299B2/ja not_active Expired - Fee Related
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