JPH0888523A - 分布定数線路型電力増幅器 - Google Patents

分布定数線路型電力増幅器

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JPH0888523A
JPH0888523A JP6221369A JP22136994A JPH0888523A JP H0888523 A JPH0888523 A JP H0888523A JP 6221369 A JP6221369 A JP 6221369A JP 22136994 A JP22136994 A JP 22136994A JP H0888523 A JPH0888523 A JP H0888523A
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秋重 中島
Toru Fujioka
徹 藤岡
Hidekazu Hase
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 移動体通信端末における送信部のマイクロ波
モノリシックＩＣ電力増幅器に関し、特に携帯端末送信
用電力増幅器の小型化を実現することにある。 【構成】 同一基板上に、入力並びに段間整合回路は集
中定数のスパイラルインダクタンス、容量、抵抗で構成
し、最終段の出力整合回路を分布定数線路と容量で構成
した分布定数線路型電力増幅器。 【効果】 本発明により、分布定数線路の線路長を短く
できたことで全整合回路をFETと同一基板に構成でき、
電源電圧の低下を小さくし、出力電力の低下を抑さえ
ら、これにより、小型、高性能なマイクロ波モノリシッ
クＩＣ電力増幅器を実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、移動体通信などの数GH
zまでの比較的低周波領域における半導体素子に係わ
り、特に、大ゲート幅を有する半導体素子を用いた移動
体端末の送信部電力増幅器のマイクロ波モノリシックＩ
Ｃ化と高性能化に好適な回路構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】移動通信端末の小型化は、電池の小型
化、信号処理部ＬＳＩの小型化と並び、無線部に使われ
る電力増幅器、低雑音増幅器、周波数変換器、バンドパ
スフィルター、などの機能デバイスを小型化する必要が
ある。
【０００３】無線部の機能デバイスには、高性能化のた
めに整合回路が入出力側に必ず設けられている。無線部
は、機能デバイスの整合回路に用いるチップ抵抗、チッ
プコンデンサー、チップインダクタンスなどの回路部品
の小型化、高実装密度化、多層配線基板の採用などによ
り、小型化が進められている。さらなる小型化のため
に、整合回路の一部分の部品をFETなどの能動素子と同
一の半導体基板上に形成したマイクロ波モノリシックIC
化が主流となってきている。
【０００４】マイクロ波モノリシックICに用いる整合回
路主要部品は、薄膜コンデンサー、スパイラルインダク
タンス、分布定数線路である。その中で、大きな面積を
占めるのがスパイラルインダクタンスと分布定数線路で
ある。マイクロ波モノリシックICの開発では、これらの
高性能化、使い分けと小型化が開発の焦点になってい
る。
【０００５】電力増幅器に用いるFETは、大きな出力電
力を得るために大ゲート幅を有している。それに伴い、
出力インピーダンスが低下し、信号電搬方向に存在する
僅かな抵抗でも、電力利得が低下してしまう。
【０００６】そこで、スパイラルインダクタンスの高性
能化が求められ、信号電搬方向に存在する直列寄生抵抗
の低減が望まれる。そのためには、スパイラルインダク
タンスの線路幅を広くする必要があるが、所望するイン
ダクタンス値を得るためには、その外形寸法が大きくな
る。
【０００７】また、スパイラルインダクタンスや分布定
数線路で所望のインピーダンスを実現するために必要
な、スパイラルインダクタンスでは外形寸法、分布定数
線路では線路長は、高周波ほど小さくできる。しかし、
使用周波数によるスパイラルインダクタンスの外形寸法
と分布定数線路の線路長の周波数依存性から、分布定数
線路の線路長の方がスパイラルインダクタンスの外形寸
法より強い周波数依存性を持っているので、低周波では
分布定数線路の線路長は急激に長くなってしまう。
【０００８】一方、スパイラルインダクタンスは、構造
上、線間容量や対地容量などの寄生容量があるため、共
振周波数以下での使用に限定され、数十GHzの高周波で
は使用できない。
【０００９】以上より、回路構成時には、使用周波数領
域、許容される無線部機能デバイスの占有面積との兼ね
合いで、スパイラルインダクタンスと分布定数線路を使
い分けが必要となる。
【００１０】十数ＧＨｚなどの超高周波帯における電力
増幅器には、電子情報通信学会技術報告ＳＡＴ８４ー１
の第４頁から第６頁に記載されているように、スパイラ
ルインダクタンスの共振周波数が十ＧＨｚまで届かない
ためにスパイラルインダクタンスは使用できず、入出力
整合回路共に分布定数線路で構成した１チップ構成のマ
イクロ波モノリシックＩＣ増幅器が実現されている。
【００１１】しかし、数ＧＨｚまでの比較的低い周波数
帯では、分布定数線路のみの構成では、分布定数線路の
線路長がかなり長くなり、そのため、チップ面積が大き
くなる。そこで、数GHz帯は集中定数のスパイラルイン
ダクタンスの共振周波数以下であるため、スパイラルイ
ンダクタンスを用いることができ、１９９４年電子情報
通信学会春季大会Ｃー１１０に記載されているように、
スパイラルインダクタンスと分布定数線路が混在した回
路構成を採用している。入力整合回路及び段間整合回路
にはスパイラルインダクタンスを用いている。最終段の
出力整合回路内の最終段FETのドレイン電極と出力信号
端子間は、電力利得を低下させる信号電搬方向の直列寄
生抵抗を線路幅を広くすることで比較的簡単に低減でき
る分布定数線路で構成した。最終段FETのドレイン電圧
供給用分布定数線路の線路長は、従来より定着固定化し
ている設計手法により、電源側に出力信号が漏れないよ
うにするためドレイン電極から電源側をみたインピーダ
ンスを使用周波数である1.9GHz帯で無限大にするλ／４
となる。λ／４の線路長は、1.9GHzでは約11mmにも達し
長すぎるため、同一基板内に内蔵できず、また、外付け
でも長いため、分布定数線路に代わって集中定数である
スパイラルインダクタンスを外付けにて構成する回路形
式を採用している。同大会Ｃー１０７に記載されている
回路形式では、最終段の出力整合回路部をFETが形成さ
れている半導体基板とは別な高誘電率を持つ基板に分布
定数線路で構成している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】移動体端末などに使用
する数ＧＨｚまでの比較的低い周波数帯での上記従来技
術において、最終段FETのドレイン電圧供給用に集中定
数であるスパイラルインダクタンスを外付けにて構成す
る回路形式では、スパイラルインダクタンスの直列寄生
抵抗による電圧低下が起き、それに伴い出力電力、電力
利得が低下する。加えて、外付け回路により増幅器全体
の面積が拡大する。また、最終段の出力整合回路部をFE
Tが形成されている半導体基板とは別な高誘電率を持つ
基板に分布定数線路で構成する複数チップ構成では、増
幅器全体の面積が大きくなるという問題がある。
【００１３】本発明の目的は、出力FETのドレイン電圧
供給用に分布定数線路を用い、全ての整合回路をFETと
同一の小さな面積を有する半導体基板上に構成した小
型、高性能なマイクロ波モノリシックＩＣ電力増幅器を
提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的は、従来より固
定定着しているFETドレイン電圧供給用分布定数線路の
線路長をλ／４に設定し、ドレイン電極から電源側をみ
たインピーダンスを無限大にするという設計概念に代わ
り、出力FETの出力インピーダンスと出力FETのドレイン
電極から電源側をみたインピーダンスの比を無限大では
なく、約100倍程度にまで低くする設計概念を導入する
ことで、出力FETのドレイン電圧供給用の分布定数線路
の線路長を従来のλ／４の線路長より短い約１／５程度
まで短縮でき、全ての整合回路をFETと同一の小さな面
積を有する半導体基板上に構成することで達成できる。
【００１５】
【作用】出力FETのドレイン電圧供給用分布定数線路を
プリFETのドレイン電圧供給用に用いた所定のインダク
タンスを形成する渦巻き形状を有する線路の線路幅より
太い分布定数線路で構成することで、断面積が広がり寄
生抵抗を少なくできる。これにより、電源電圧の低下を
防ぐことができるので、出力電力の増加が期待でき、高
性能化が実現できる。また、上記出力FETのドレイン電
圧供給用分布定数線路の線路長は、従来の固定定着して
いる設計概念から求まるλ／４の線路長を有する分布定
数線路によりFETドレイン電極から電源側をみたインピ
ーダンスを無限大にしてFETの出力インピーダンスに対
する比を無限大近くにしていたが、出力FETの出力イン
ピーダンスが1.9GHz帯では1Ω程度とかなり小さいた
め、FETドレイン電極から電源側をみたインピーダンス
を従来の線路長の約１／５に短くした線路長で数百Ωに
するだけで、FETの出力インピーダンスに対する比を100
程度にできる。その結果、出力信号の電源への漏れも無
視できる。
【００１６】以上の作用によって、出力FETのドレイン
電圧供給用配線を分布定数線路で構成し内蔵できるの
で、全ての整合回路をFETと同一の小さな面積を有する
半導体基板上に構成でき、小型、高性能なマイクロ波モ
ノリシックＩＣ電力増幅器を実現できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１８】図１は、入力整合回路および段間整合回路
には、集中定数のスパイラルインダクタンス４、７、容
量２、３、８、抵抗５、９、最終段出力整合回路は、分
布定数線路１１、１２、容量１３、１４から構成した本
発明による移動体通信端末の送信部に用いる電力増幅器
の平面パターン図である。図２は、上記図１に示した平
面パターン図の等価回路図である。プリFET６のドレイ
ン電極とドレイン電圧供給用のパッド１６との間の接続
は、段間整合用に設けたライン＆スペース16μmのスパ
イラルインダクタンス７と線路幅25μmの分布定数線路
２１で構成した。プリFET６に供給する電流は約40mAと
小さいために、スパイラルインダクタンス７の約２Ωに
なる寄生抵抗による電圧低下は0.08ｖと小さく、出力信
号レベルの低下は無視できる。最終段出力整合回路内の
出力FET１０のドレイン電極とドレイン電圧供給用パッ
ド１７との間の分布定数線路１１は、出力FET１０に供
給する電流が約240mAと大きいために、先の分布定数線
路２１の線路幅と同じでは、電圧低下が約0.5ｖと電源
電圧3.0ｖに比べ大きく、著しく出力信号レベルが低下
する。そのため、分布定数線路１１は、分布定数線路２
１より太い72μmの線路幅とし、線路長は、出力FET１０
の出力インピーダンスが１Ωと小さいために、従来のλ
／４に相当する約11mmの約１／５以下となる約1.5mmと
短くても、出力FETの出力インピーダンスに対するドレ
イン電極から電源をみたインピーダンスの比が100程度
になり、出力信号の電源への漏れは無視できるほど小さ
くできる。これにより、蛇行させるだけで同一基板内に
押し込むことができる。また、分布定数線路１１の線路
幅を72μmと太くしたことで、分布定数線路１１の寄生
抵抗は、0.1Ωと小さくなり、240mAの大電流が流れて
も、電圧低下は0.024ｖと無視でき、出力信号レベルの
低下がなく、高性能な増幅器が実現できる。出力FETの
ドレイン電極と出力信号パッド１５との間の分布定数線
路１２は、先の分布定数線路２１の線路幅より太い約50
μmの線路幅で、出力信号パッド１５での増幅器ICをみ
たインピーダンスが50Ωにする整合条件を満たし、か
つ、容量１３、１５と相まって、出力FETのドレイン電
極端での最適負荷を実現するために必要な約2.5mmの線
路長を有し、蛇行さて同一基板内に形成した。以上によ
り、チップ面積が1.5mm×1.5mmと小型、高性能なマイク
ロ波モノリシックIC電力増幅器を実現できる。
【００１９】
【発明の効果】本発明により、分布定数線路の線路長を
短くできたことで全整合回路をFETと同一基板に構成で
き、電源電圧の低下を小さくし、出力電力の低下を抑さ
えら、これにより、小型、高性能なマイクロ波モノリシ
ックＩＣ電力増幅器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す分布定数線路型電力増幅
器平面パターン図である。
【図２】図１に示した電力増幅器の等価回路図である。
【符号の説明】
１・・・高周波信号入力端子、１５・・・高周波信号出
力端子、４、７・・・・スパイラルインダクタンス、
２、３、８、１３、１４・・・容量、６、１０・・・Ｆ
ＥＴ、５、９・・・・抵抗、１１、１２、２１・・・分
布定数線路、１６、１７・・・ドレインバイアス供給端
子、１８・・・ゲートバイアス供給端子、１９・・・・
ソース電極、２０・・・・接地用引き出し電極。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半絶縁性基板上に構成した多段増幅器にお
    いて、プリFETのドレイン電極とドレイン電圧供給用の
    第１のパッドとの間の第１の分布定数線路ｌ１は、所定
    のインダクタンスを形成する第１の線路幅の渦巻き形状
    部分を有し、出力FETのドレイン電極とドレイン電圧供
    給用の第２のパッドとの間の第２の分布定数線路ｌ２
    は、第１の線路幅より広い第２の線路幅を有し、出力FE
    Tの出力インピーダンスによって決まる所定の長さとな
    るように蛇行した形状を有し、出力FETのドレイン電極
    と出力信号パッドとの間の第３の分布定数線路ｌ３は、
    第１の線路幅より広い第３の線路幅を有し、出力FETの
    出力インピーダンスと出力信号パッドでの整合条件によ
    り決まる所定の長さとなるように蛇行した形状を有する
    ことを特徴とする分布定数線路型電力増幅器。
  2. 【請求項２】請求項１において、第２の分布定数線路ｌ
    ２の線路幅は、第３の分布定数線路ｌ３の線路幅より広
    いことを特徴とする分布定数線路型電力増幅器。
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US08/524,188 US5574402A (en) 1994-09-16 1995-09-06 Monolithic integrated circuit device having microwave power amplifier including a matching circuit using distributed lines
KR1019950029631A KR100379029B1 (ko) 1994-09-16 1995-09-12 분포정수선로를사용한정합회로를포함하는마이크로파전력증폭기를가진모노리딕집적회로장치
CN95116116A CN1064194C (zh) 1994-09-16 1995-09-15 带有微波功率放大器的单片集成电路器件
DE19534382A DE19534382B4 (de) 1994-09-16 1995-09-15 Monolithisch integrierte Schaltung mit einem Mikrowellen-Leistungsverstärker mit einer Anpassungsschaltung unter Verwendung verteilter Leitungen

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6072205A (en) * 1997-06-04 2000-06-06 Nec Corporation Passive element circuit
US7084708B2 (en) 2004-04-23 2006-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba High-frequency amplification device
WO2008093477A1 (ja) * 2007-01-30 2008-08-07 Renesas Technology Corp. Ｒｆ増幅装置
JP2009088770A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Renesas Technology Corp Ｒｆ増幅装置
US20120226847A1 (en) * 2007-01-22 2012-09-06 Renesas Electronics Corporation Multi-processor device

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3105489B2 (ja) * 1998-04-16 2000-10-30 松下電器産業株式会社 増幅器
US6320468B2 (en) * 1998-10-23 2001-11-20 Raytheon Company Method and system for suppressing oscillations in a multi-stage amplifier
WO2001056148A1 (en) * 2000-01-26 2001-08-02 Powerwave Technologies, Inc. Method and apparatus for increasing the bandwidth, and reducing the size, of the dc feed network for wideband rf amplifiers
DE10036127B4 (de) * 2000-07-25 2007-03-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur Versorgungsspannungsentkopplung für HF-Verstärkerschaltungen
US6583673B2 (en) * 2001-02-26 2003-06-24 Infineon Technologies Ag Stability enhanced multistage power amplifier
DE10152652A1 (de) * 2001-10-16 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Hochfrequenzleistungsverstärker mit integrierter passiver Anpassungsschaltung
DE10334384B4 (de) * 2003-07-28 2014-03-27 Infineon Technologies Ag Chipvorrichtung
DE10345498B4 (de) 2003-09-30 2016-06-02 Intel Deutschland Gmbh Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung
US7934190B1 (en) 2008-09-25 2011-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Multiple amplifier matching over lumped networks of arbitrary topology
US8723602B2 (en) * 2012-08-10 2014-05-13 Tensorcom, Inc. Method and apparatus for a class-E load tuned beamforming 60 GHz transmitter
US8873339B2 (en) 2012-08-10 2014-10-28 Tensorcom, Inc. Method and apparatus for a clock and signal distribution network for a 60 GHz transmitter system
EP3480945A1 (en) * 2017-11-06 2019-05-08 NXP USA, Inc. Multiple-stage power amplifiers implemented with multiple semiconductor technologies
US11581299B2 (en) * 2019-03-12 2023-02-14 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Flexible impedance network system
CN117240236A (zh) * 2022-06-08 2023-12-15 苏州华太电子技术股份有限公司 功率放大器模块及其制作方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4771247A (en) * 1987-09-24 1988-09-13 General Electric Company MMIC (monolithic microwave integrated circuit) low noise amplifier
JPH0260204A (ja) * 1988-08-25 1990-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波集積回路
EP0434328A3 (en) * 1989-12-18 1991-11-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha A microwave integrated circuit
JPH0583017A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波集積回路装置
JPH05251959A (ja) * 1992-03-03 1993-09-28 Toshiba Corp モノリシックマイクロ波集積回路

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6072205A (en) * 1997-06-04 2000-06-06 Nec Corporation Passive element circuit
US7084708B2 (en) 2004-04-23 2006-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba High-frequency amplification device
US20120226847A1 (en) * 2007-01-22 2012-09-06 Renesas Electronics Corporation Multi-processor device
US8621127B2 (en) * 2007-01-22 2013-12-31 Renesas Electronics Corporation Multi-processor device with groups of processors and respective separate external bus interfaces
US10372654B2 (en) 2007-01-22 2019-08-06 Renesas Electronics Corporation Multi-processor device
WO2008093477A1 (ja) * 2007-01-30 2008-08-07 Renesas Technology Corp. Ｒｆ増幅装置
US7928802B2 (en) 2007-01-30 2011-04-19 Renesas Electronics Corporation RF amplification device
JP4896996B2 (ja) * 2007-01-30 2012-03-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｒｆ増幅装置
JP2009088770A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Renesas Technology Corp Ｒｆ増幅装置

Also Published As

Publication number Publication date
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US5574402A (en) 1996-11-12

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