DE10345498B4 - Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung - Google Patents

Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung Download PDF

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Abstract

Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung mit mehrstufigem Aufbau, aufweisend – einen Eingangstransistor (1) mit einem Anschluß zum Zuführen eines Eingangssignals (IN), – einen Ausgangstransistor (2) mit einem Anschluß zum Bereitstellen eines Ausgangssignals (OUT), – ein Anpass-Filter (6) mit zumindest einer Kapazität (13) und einer Induktivität (12) ausgelegt zur Impedanztransformation, das den Eingangstransistor (1) mit dem Ausgangstransistor (2) koppelt, wobei die zumindest eine Induktivität (12) als Mikro-Streifenleiter ausgebildet ist, der mit zwei flächenhaft ausgedehnten Metallstreifen (14, 16) integriert ausgeführt ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung mit mehrstufigem Aufbau, aufweisend einen Eingangstransistor mit einem Anschluß zum Zuführen eines Eingangssignals, einen Ausgangstransistor mit einem Anschluß zum Bereitstellen eines Ausgangssignals und ein Anpass-Filter mit zumindest einer Kapazität und einer Induktivität ausgelegt zur Impedanztransformation, das den Eingangstransistor mit dem Ausgangstransistor koppelt.
  • Eine gattungsgemäße integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung ist beispielsweise in der Druckschrift ”Halbleiterschaltungen der Leistungselektronik”, Alfred Neye – Enatechnik GmbH, Quickborn, Hamburg, 1971, Seite 276 gezeigt. Dort ist zwischen einem eingangsseitig angeordneten Transistor und einem ausgangsseitig angeordneten Transistor ein als Koppel-Filter bezeichnetes Anpaß-Filter vorgesehen, welches Kapazitäten und Induktivitäten umfaßt. Das Anpaß-Filter erfüllt zwei wichtige Aufgaben. Erstens werden mit seiner Hilfe die verschiedenen Impedanzen auf die für aktive und passive Bauelemente erforderliche Werte transformiert. Zweitens soll es auch selektiv wirken, das heißt unter dem Einfluß seiner Resonanzgüte soll die in den Harmonischen enthaltene Energie in Betriebsfrequenz-Grundwellenenergie verwandelt und das Auftreten unerwünschter Frequenzkomponenten am Ausgang verhindert werden.
  • Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnungen mit mehreren Stufen, zwischen denen eine Anpaß-Filterschaltung vorgesehen ist, sind in Hochfrequenz-Verstärkern mit Vorteil anwendbar. Insbesondere ist eine mit dem Anpaß-Filter erzielbare Leistungsanpassung bevorzugt in Leistungsverstärkern anwendbar. Solche Leistungsverstärker kommen beispielsweise in Sendepfaden von Funksendeanordnungen vor.
  • Insbesondere kann bei integrierten Leistungsverstärkern vorgesehen sein, die Treiberleistung über ein Anpaß-Filter, umfassend integrierte Kondensatoren und Spulen, an die sehr niederohmige Basis des Ausgangstransistors zu transformieren.
  • Problematisch bei derartigen Anpaß-Filtern ist es, daß integrierte Spulen eine verhältnismäßig geringe Güte aufweisen, die vor allem durch Substratverluste bestimmt ist. Die erreichbare Güte eines Transformationsnetzwerks oder Anpaß-Filters ist deshalb insbesondere durch die verwendeten Spulen festgelegt. Hierdurch wiederum ergeben sich Grenzwerte für den maximal erzielbaren Kollektorwirkungsgrad und die maximal erzielbare Linearität des Verstärkers.
  • In dem Dokument DE 3850729 T2 ist ein monolithisch integrierter Mikrowellenverstärker gezeigt. Eine dort in 1 gezeigte Übertragungsleitung besitzt eine Induktivität.
  • Das Dokument DE 19534382 A1 zeigt eine monolithisch integrierte Schaltung mit einem Mikrowellen-Leistungsverstärker. Dort sind verteilte Leitungen zwischen einem Spannungsversorgungsanschluss sowie einem Signalausgangskontakt und dem Drain-Anschluss eines Feldeffekttransistors einer Ausgangsstufe beschrieben.
  • In dem Dokument US 6 052 029 A ist ein Verstärker mit einem Anpassfilter beschrieben, das eine als Leitung ausgeführte Induktivität aufweist.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine gattungsgemäße, integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung so weiterzubilden, daß der Wirkungsgrad und die Linearität des Verstärkers verbessert sind.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch eine integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung, bei der die zumindest eine Induktivität im Anpass-Filter zwischen Ein- und Ausgangstransistor als Mikro-Streifenleiter ausgebildet ist, der mit zwei flächenhaft ausgedehnten Metallstreifen integriert ausgeführt ist.
  • Mikro-Streifenleiter werden auch als Mikro-Striplines oder Mikro-Streifenleitung, Streifenleiter oder Streifenleitung bezeichnet. Mikro-Streifenleiter arbeiten nach dem Prinzip integrierter Wellenleiter.
  • Gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip ist zumindest eine integrierte Mikro-Streifenleitung vorgesehen, welche als Induktivität im Anpaß-Filter eingesetzt wird. Eine derartige Mikro-Streifenleitung hat den Vorteil, daß sie keinen verlustbehafteten Substrat-Anteil aufweist. Hierdurch ist die Güte der integrierten Induktivität deutlich verbessert. Dies wiederum führt dazu, daß die Güte des Anpaß-Filters insgesamt zunimmt und folglich auch der Wirkungsgrad und die Linearität des Verstärkers verbessert sind.
  • Die Tatsache, daß Mikro-Streifenleiter in integrierter Ausführung normalerweise eine verhältnismäßig hohe parasitäre Kapazität aufweisen, ist bei vorgeschlagener integrierter Verstärkeranordnung mit Vorteil dadurch ausnutzbar, daß das Anpaß-Filter ohnehin zumindest eine Kapazität aufweist. Die eigentlich parasitäre Kapazität des Mikro-Streifenleiters kann demnach mit Vorteil zur Bildung von gewünschten Kapazitäten im Anpaß-Filter mitbenutzt werden.
  • Besonders vorteilhaft ist die vorgeschlagene integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung in solchen Anpaß-Filtern einsetzbar, die eine niederohmige Anpassung bewirken.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des vorgeschlagenen Prinzips umfaßt das Anpaß-Filter eine Serienschaltung aus einer Kapazität und dem Mikro-Streifenleiter, wobei die Kapazität mit einem Anschluß an einen Ausgang des Eingangstransistors angeschlossen ist und mit einem anderen Anschluß mit einem Anschluß des Mikro-Streifenleiters verbunden ist.
  • Der weitere Anschluß des Mikro-Streifenleiters ist bevorzugt an einen Eingang des Ausgangstransistors angeschlossen. Zwischen dem Verbindungsknoten von Kapazität und Mikro-Streifenleiter und einem Bezugspotentialanschluß ist mit Vorteil eine weitere Kapazität vorgesehen.
  • Der Bezugspotentialanschluß kann ein Substratanschluß oder ein Masseanschluß sein oder kann beispielsweise über ein sogenanntes Mittel zur Masse-Durchkontaktierung, englisch: sinker, mit einem Bezugspotentialknoten verbunden sein, der über Widerstände mit Substrat und über weitere Widerstände mit dem eigentlichen Masseanschluß verbunden ist.
  • Alternativ können die Querkapazität gegen Bezugspotential und der Mikro-Streifenleiter auch vertauscht sein, derart, daß die Serienschaltung des Anpaß-Filters zwei Kapazitäten umfaßt, die zwischen den Ausgangsanschluß des Eingangstransistors und den Eingangsanschluß des Ausgangstransistors geschaltet sind. Der Mikro-Streifenleiter ist dabei an den Verbindungsknoten zwischen den beiden Serienkapazitäten angeschlossen. Der weitere Anschluß des Mikro-Streifenleiters kann dabei entweder an ein Bezugspotential gelegt sein oder ein freies Ende bzw. offenes Ende bilden.
  • Besonders vorteilhaft anwendbar ist das vorliegende Prinzip bei solchen Anpaß-Filtern, die eine niederohmige Anpassung bewirken sollen. Eine derartige, niederohmige Anpassung ist bevorzugt dann gegeben, wenn der Eingangswiderstand des Ausgangstransistors kleiner oder gleich 50 Ω ist.
  • Besonders bevorzugt ist das vorgeschlagene Anpaß-Filter am Eingang eines Ausgangstransistors eines Verstärkers angeschlossen, dessen Eingangswiderstand kleiner oder gleich 20 Ω beträgt.
  • Beispielsweise ein in einer Ausgangsstufe eines Verstärkers vorgesehener Bipolar-Leistungstransistor weist üblicherweise einen besonders niederohmigen Basisanschluß auf, so daß die Treiberleistung der Eingangsstufe über das Anpaß-Filter mit Vorteil an die sehr niederohmige Basis des Ausgangstransistors transformiert werden kann.
  • Der Mikro-Streifenleiter ist bevorzugt mittels mehrerer Metallisierungsebenen auf oder im integrierten Halbleiterkörper einer integrierten Halbleiterschaltung ausgeführt. Beispielsweise wird die eigentliche Streifenleitung in einer Metallisierungsebene ausgeführt, wobei eine weitere Metallisierungsebene die Bezugspotential-Ebene bildet.
  • Die weitere Metallisierungsebene ist bevorzugt über eine sogenannte Masse-Durchkontaktierung oder einen sogenannten Sinker großflächig mit Substrat verbunden, welches wiederum großflächig aufgrund verhältnismäßig guter elektrischer Leitungseigenschaften einen Kontakt zur Rückseitenmetallisierung des Halbleiterkörpers herstellt. Dadurch sind zur Kontaktierung der weiteren Metallisierungsebene keinerlei Bond-Drähtchen erforderlich. Zudem ist aufgrund der großflächigen und niederohmigen Kontaktierung ein weiter verringerter Substratverlust erzielt. Verluste können lediglich durch die Isolierung zwischen den Metallplatten des Streifenleiters und durch den Skin-Effekt verursacht werden.
  • Die Metall-Platten oder Metall-Streifen des Mikro-Streifenleiters sind bevorzugt im wesentlichen flächenhaft ausgedehnt und parallel zueinander sowie parallel zu einer Hauptebene des Halbleiterkörpers angeordnet. Die Metallstreifen sind bevorzugt übereinanderliegend ausgeführt. Zwischen den Metallstreifen ist bevorzugt ein Isolator oder Dielektrikum angeordnet, wie beispielsweise eine Oxidschicht.
  • Besonders bevorzugt ist die vorgeschlagene Verstärkeranordnung mit Mikro-Streifenleiter im Anpaß-Filter in solchen Leistungsverstärkern anwendbar, die in Verstärker-Endstufen von Sendeanordnungen für Trägerfrequenzen von 2,44 oder 5,3 GHz vorgesehen sind.
  • Die Leistungs-Verstärkeranordnung gemäß vorgeschlagenem Prinzip ist mit Vorteil sowohl in Bipolar-Schaltungstechnik als auch in Metall-Isolator-Halbleiter-Schaltungstechnik, also unipolarer Schaltungstechnik, integrierbar.
  • Weitere Einzelheiten und vorteilhafte Ausgestaltungen des vorgeschlagenen Prinzips sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Die Erfindung wird nachfolgend an mehreren Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer integrierten Leistungs-Verstärkeranordnung gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip anhand eines Schaltplans,
  • 2 ein zweites Ausführungsbeispiel einer integrierten Leistungs-Verstärkeranordnung gemäß dem vorgeschlagenem Prinzip anhand eines Schaltplans,
  • 3 beispielhaft die Struktur eines Mikro-Streifenleiters als Induktivität gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip,
  • 4 anhand eines Schaubilds die Effizienz des erfindungsgemäßen Leistungs-Verstärkers,
  • 5 anhand eines Schaubilds das Kompressionsverhalten des integrierten Leistungs-Verstärkers,
  • 6 den Wirkungsgrad eines Leistungs-Verstärkers ohne Mikro-Streifenleiter anhand eines Schaubilds und
  • 7 das Kompressionsverhalten eines Leistungsverstärkers ohne Mikro-Streifenleiter anhand eines Schaubilds.
  • 1 zeigt eine integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung mit einem Eingangstransistor 1 und zwei parallel geschalteten Ausgangstransistoren 2, 3. Ein- und Ausgangstransistoren 1, 2, 3 sind als NPN-Bipolar-Transistoren ausgeführt. Der Basisanschluß des Eingangstransistors 1 bildet einen Eingang der mehrstufigen Verstärkeranordnung. Der gemeinsame Kollektorausgang der Ausgangstransistoren 2, 3 bildet den Signalausgang der Verstärkeranordnung. Der Kollektoranschluß des Eingangstransistors 1 ist über eine Induktivität 4 mit einem Versorgungspotentialanschluß VCC verbunden. Der Emitteranschluß des Eingangstransistors 1 ist über ein Durchkontaktierungsmittel 5 mit einem Bezugspotentialanschluß verbunden. Weiterhin ist an den Kollektoranschluß des Eingangstransistors 1, der den Ausgang des Eingangstransistors 1 bildet, ein Anpaß-Filter 6 angeschlossen. Der Ausgang des Anpaß-Filters 6 ist mit einem Schaltungsknoten K verbunden, der den Eingangsanschluß der Ausgangstransistoren 2, 3 bildet. Der Schaltungsknoten K ist über je eine parasitäre Induktivität 7, 8 mit je einem Basisanschluß der Ausgangstransistoren 2, 3 verbunden. Die Emitteranschlüsse der Ausgangstransistoren 2, 3 sind miteinander und über ein weiteres Mittel zur Durchkontaktierung 9 mit einem Bezugspotentialanschluß GND verbunden.
  • Das Anpaß-Filter 6 umfaßt eine Serienschaltung aus einer Serienkapazität 10, 11 und nachgeschaltetem integriertem Mikro-Streifenleiter 12, der eine Serien-Induktivität bildet. Der Verbindungsknoten zwischen der Serienkapazität 10, 11 und der Serien-Induktivität 12 ist über eine Querkapazität 13 und über das Durchkontaktierungsmittel 9 mit dem Bezugspotentialanschluß GND verbunden. Die Serienkapazität 10, 11 selbst umfaßt eine Serienschaltung aus zwei Teilkapazitäten 10, 11, um die Spannungsfestigkeit der Serienkapazität 10, 11 zu erhöhen. Der Schaltungsknoten K ist zur Arbeitspunkteinstellung der Ausgangstransistoren 2, 3 über eine Bias-Stromquelle BIAS mit dem Versorgungspotentialanschluß VCC verbunden.
  • Aufgrund der Realisierung der Induktivität 12 des Anpaß-Filters zur Impedanz-Transformation als Mikro-Streifenleiter, also als integrierter Wellenleiter, ergibt sich eine hohe Güte der Induktivität 12 und damit auch eine besonders hohe Güte des Anpaß-Filters 6 insgesamt. Dies wiederum ermöglicht einen hohen Wirkungsgrad sowie eine besonders gute Linearität und verbesserte Sättigungseigenschaften des Verstärkers.
  • 2 zeigt ein alternatives Ausführungsbeispiel eines Anpaß-Filters 6' zwischen Eingangstransistor 1 und Ausgangstransistor 2 eines Verstärkers. Vorliegend sind die Querkapazität 13 und die Induktivität 12 vertauscht und in 2 als Quer-Induktivität 12' und weitere Serien-Kapazität 13' bezeichnet. Somit ist zwischen dem Kollektoranschluß des Eingangstransistors 1 und dem Basisanschluß des Ausgangstransistors 2 eine Serienschaltung umfassend eine erste Serienkapazität 10' und eine zweite Serienkapazität 13' geschaltet. Der Verbindungsknoten zwischen den beiden Serienkapazitäten 10', 13' ist mit einem Anschluß eines Mikro-Streifenleiters 12' verbunden. Der weitere Anschluß des Mikro-Streifenleiters 12' bildet ein offenes Ende.
  • Die Funktionsweise und die vorteilhafte Wirkungsweise des integrierten Leistungs-Verstärkers von 2 entspricht aufgrund der Eigenschaften des Anpaß-Filters mit Mikro-Streifenleiter als Induktivität denen von 1 und wird an dieser Stelle daher nicht wiederholt.
  • 3 zeigt beispielhaft die Struktur eines integrierten Mikro-Streifenleiters 12, wie er in den Schaltungen gemäß 1 und 2 anwendbar ist. Der Mikro-Streifenleiter 12 ist vorliegend in einer Bipolar-Schaltungstechnik aufgebaut, welche drei Metallisierungsebenen 14, 15, 16 aufweist. Alle Metallisierungsebenen 14, 15, 16 sind parallel zueinander und zu einer Hauptebene des gesamten Halbleiterkörpers angeordnet.
  • Die erste Metallisierungsebene 14 ist in Aluminium ausgeführt und großflächig mittels einer Masse-Durchkontaktierung 17 mit darunterliegendem Substrat verbunden. Die mittlere Metallisierungsebene 15 wird beim vorliegenden Mikro-Streifenleiter nicht benutzt. Die dritte Metallisierungsebene 16 umfaßt zwei Metallstreifen 18, 19, welche in einer Ebene angeordnet und voneinander durch ein Oxidgebiet 20 beabstandet sind. Über der dritten Metallisierungsebene 16, also über den Metallstreifen 18, 19 und dem dazwischenliegenden Oxid-Gebiet 20 ist eine Passivierungsschicht 21 aufgetragen. Zwischen den einzelnen Metallisierungsschichten 14, 15, 16 sind weitere Oxidgebiete vorgesehen. Die eigentliche Leitung des Streifenleiters 12 wird in der dritten Metallisierungsebene 16 mittels der Metallstreifen 18, 19 realisiert. Die Masse-Ebene des Streifenleiters ist in der ersten Metallisierungsebene 14 ausgeführt und umfaßt zusätzlich den unter der ersten Metallisierungsebene 14 vorgesehenen sehr niederohmigen Sinker-Kontakt 17. Aufgrund der Verwendung der ersten Metallebene 14 mit dem unterlegten Sinker-Kontakt 17 als Gegenleiter entfällt der verlustbehaftete Substratanteil des integrierten Streifenleiters. Hierdurch ist die Spulengüte der Induktivität 12 noch weiter verbessert. Bei gleichem Induktivitätswert ergibt sich für die Mikro-Streifenleitung eine deutlich höhere Güte als bei einer vergleichbaren, gewickelten oder spiralförmigen integrierten Spule.
  • 4 zeigt anhand eines Schaubilds die Gesamteffizienz der Verstärkeranordnung von 1 in Prozent aufgetragen über der Eingangsleistung in dBmW in einem Bereich von –30 bis +5 dBm. Man erkennt anhand der Kurve A, daß die gesamte Effizienz, also der Wirkungsgrad, in einem Bereich zwischen 10 und 50% bezogen auf die Eingangsleistung liegt. Eine weitere Kurve B in 4 zeigt die Stromaufnahme der Verstärkeranordnung, die in Abhängigkeit der Eingangsleistung bis auf etwas über 400 mA ansteigt.
  • 5 zeigt die Leistungskurve C des erfindungsgemäßen Verstärkers in einem Schaubild, in dem die Ausgangsleistung in dBmW aufgetragen ist über der Eingangsleistung in dBmW. Die Eingangsleistung ist wiederum in einem Bereich von –30 bis +5 dBm angegeben, während die Ausgangsleistung in einem Bereich von 0 bis 30 dBm aufgetragen ist. Um den 1 dB-Kompressionspunkt der Leistungskennlinie C zu bestimmen, ist außerdem eine Hilfslinie D eingezeichnet.
  • 6 zeigt zum Vergleich eine Effizienzkennlinie E, welche in Prozent aufgetragen ist über der Eingangsleistung in dBmW in einem Bereich von –30 bis +5 dBm. Zusätzlich ist wiederum die Kurve für die Stromaufnahme F eingezeichnet auf einer Skala von 0 bis 500 mA. Die Kennlinien E, F von 6 gelten für eine Verstärkeranordnung, bei der eine integrierte, gewickelte Spule im Anpass-Filter vorgesehen ist anstelle des erfindungsgemäßen Mikro-Streifenleiters. Bei direktem Vergleich der Effizienz-Kennlinie E, A und der Stromaufnahmekennlinien F, B erkennt man, daß gemäß dem vorgeschlagenen Prinzip mit Mikro-Streifenleiter ein deutlich höherer Wirkungsgrad der Schaltung über den gesamten Eingangsleistungsbereich hinweg zu verzeichnen ist.
  • 7 zeigt die Leistungskurve G einer Verstärkeranordnung mit integrierter, gewickelter Induktivität anstelle des erfindungsgemäßen Mikro-Streifenleiters anhand eines Schaubildes, bei dem die Ausgangsleistung in dBmW aufgetragen ist über der Eingangsleistung in dBmW. Die Ausgangsleistung ist in einem Bereich von 0 bis 30, die Eingangsleistung in einem Bereich von –30 bis +5 aufgetragen. Ebenfalls ist wiederum als Hilfslinie zur Bestimmung des 1 dB-Kompressionspunktes die Gerade H eingezeichnet. Man erkennt deutlich bei Vergleich der 5 und 7 miteinander, daß die erzielten Verbesserungen für Verstärker für die Frequenzen von 2,44 und 5,3 GHz bei über 1 dB für die Sättigungsleistung und bei bis zu 1,8 dB für den 1 dB-Kompressionspunkt liegen, bei etwa gleichen Arbeitspunkten. Die Diagramme gemäß 4 bis 7 wurden anhand von Simulationen ermittelt am Beispiel eines integrierten Verstärkers für Frequenzen von 5,3 GHz.
  • Selbstverständlich liegt es im Rahmen der Erfindung, das vorgeschlagene Prinzip auch auf andere Integrationstechniken wie MOS, Metal Oxide Semiconductor oder GaAs, Gallium-Arsenid zu übertragen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Eingangstransistor
    2
    Ausgangstransistor
    3
    Ausgangstransistor
    4
    Induktivität
    5
    Masse-Durchkontaktierung
    6
    Anpaß-Filter
    6'
    Anpaß-Filter
    7
    parasitäre Induktivität
    8
    parasitäre Induktivität
    9
    Masse-Durchkontaktierung
    10
    Serienkapazität
    10'
    Kapazität
    11
    Serienkapazität
    12
    Mikro-Streifenleiter-Induktivität
    12'
    Mikro-Streifenleiter-Induktivität
    13
    Querkapazität
    13'
    Serienkapazität
    14
    Metallisierungsebene
    15
    Metallisierungsebene
    16
    Metallisierungsebene
    17
    Masse-Durchkontaktierung
    18
    Metallstreifen
    19
    Metallstreifen
    20
    Oxid
    21
    Passivierungsschicht
    A
    Effizienzkennlinie
    B
    Stromaufnahme
    BIAS
    Bias-Stromquelle
    C
    Leistungskennlinie
    D
    Hilfslinie
    E
    Effizienzkennlinie
    F
    Stromaufnahme
    G
    Leistungskennlinie
    H
    Hilfslinie
    IN
    Signaleingang
    K
    Schaltungsknoten
    OUT
    Signalausgang

Claims (6)

  1. Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung mit mehrstufigem Aufbau, aufweisend – einen Eingangstransistor (1) mit einem Anschluß zum Zuführen eines Eingangssignals (IN), – einen Ausgangstransistor (2) mit einem Anschluß zum Bereitstellen eines Ausgangssignals (OUT), – ein Anpass-Filter (6) mit zumindest einer Kapazität (13) und einer Induktivität (12) ausgelegt zur Impedanztransformation, das den Eingangstransistor (1) mit dem Ausgangstransistor (2) koppelt, wobei die zumindest eine Induktivität (12) als Mikro-Streifenleiter ausgebildet ist, der mit zwei flächenhaft ausgedehnten Metallstreifen (14, 16) integriert ausgeführt ist.
  2. Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Anpass-Filter (6) eine Serienschaltung aus einer Serienkapazität (10, 11) und dem Mikro-Streifenleiter (12) umfaßt, die zwischen einem Ausgangsanschluß des Eingangstransistors (1) und einem Eingangsanschluß des Ausgangstransistors (2) geschaltet ist und daß eine Querkapazität (13) vorgesehen ist, die den Verbindungsknoten (K) zwischen der Serienkapazität (10, 11) und dem Mikro-Streifenleiter (12) mit einem Bezugspotentialanschluß (GND) koppelt.
  3. Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Anpass-Filter (6) eine Serienschaltung aus einer ersten Serienkapazität (10') und einer zweiten Serienkapazität (13') umfaßt, die zwischen einem Ausgangsanschluß des Eingangstransistors (1) und einem Eingangsanschluß des Ausgangstransistors (2) geschaltet ist und daß der Mikro-Streifenleiter (12') an den Verbindungsknoten zwischen der ersten Serienkapazität (10') und der zweiten Serienkapazität (13') angeschlossen ist.
  4. Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangswiderstand des Ausgangstransistors (2) kleiner oder gleich 50 Ohm beträgt.
  5. Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangswiderstand des Ausgangstransistors (2) kleiner oder gleich 20 Ohm beträgt.
  6. Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Metallstreifen (14) des Mikro-Streifenleiters (12) mittels einer Masse-Durchkontaktierung (17) großflächig mit einem Substratanschluß verbunden ist.
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