JPH0884028A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
- Publication number
- JPH0884028A JPH0884028A JP21736294A JP21736294A JPH0884028A JP H0884028 A JPH0884028 A JP H0884028A JP 21736294 A JP21736294 A JP 21736294A JP 21736294 A JP21736294 A JP 21736294A JP H0884028 A JPH0884028 A JP H0884028A
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- JP
- Japan
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- frequency amplifier
- high frequency
- output
- pass phase
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- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 飽和出力付近における信号の通過位相の変化
量を低減させた高周波増幅器を提供する。 【構成】 入力電力の増加に伴い信号の通過位相が変化
する第１高周波増幅器２と直列に、この第１高周波増幅
器２によって生じた位相の変化を打ち消す通過位相特性
を持った第２高周波増幅器３を接続して通過位相の変化
量を低減させる。
量を低減させた高周波増幅器を提供する。 【構成】 入力電力の増加に伴い信号の通過位相が変化
する第１高周波増幅器２と直列に、この第１高周波増幅
器２によって生じた位相の変化を打ち消す通過位相特性
を持った第２高周波増幅器３を接続して通過位相の変化
量を低減させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディジタル多値位相変
調信号の増幅に用いられる線形高周波増幅器に関するも
のである。
調信号の増幅に用いられる線形高周波増幅器に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来のディジタル多値位相変調信号の増
幅に用いられる線形高周波増幅器としては、増幅すべき
信号の通過位相が入力電力の大小によらず、理想的には
一定に保たれるように、増幅器としてはＡＢ級増幅器ま
たはＡ級増幅器の線形領域を使用していた。
幅に用いられる線形高周波増幅器としては、増幅すべき
信号の通過位相が入力電力の大小によらず、理想的には
一定に保たれるように、増幅器としてはＡＢ級増幅器ま
たはＡ級増幅器の線形領域を使用していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなＡＢ級増幅
器またはＡ級増幅器の飽和出力付近においては、位相の
変化が起こりやすいため、広い線形領域で、信号の通過
位相を一定に保とうとすると飽和出力を大幅に上げなく
てはならない。しかしながら、増幅器に使用するデバイ
スにも限界があり、飽和出力を所望の値まで上げられな
い場合が多く、従って、信号の通過位相が変化しない領
域は比較的狭いものとなっていた。
器またはＡ級増幅器の飽和出力付近においては、位相の
変化が起こりやすいため、広い線形領域で、信号の通過
位相を一定に保とうとすると飽和出力を大幅に上げなく
てはならない。しかしながら、増幅器に使用するデバイ
スにも限界があり、飽和出力を所望の値まで上げられな
い場合が多く、従って、信号の通過位相が変化しない領
域は比較的狭いものとなっていた。
【０００４】本発明は、このような従来の課題を解決す
るものであり、飽和出力を上げることなく、信号の通過
位相が変化しない領域、または変化量の少ない領域を増
幅器の飽和出力付近まで拡げようとするものである。
るものであり、飽和出力を上げることなく、信号の通過
位相が変化しない領域、または変化量の少ない領域を増
幅器の飽和出力付近まで拡げようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するするため、高周波増幅器の飽和出力付近での信号の
通過位相の変化を打ち消すような通過位相特性を持った
他の高周波増幅器を、前記高周波増幅器と直列に接続し
たものである。
するするため、高周波増幅器の飽和出力付近での信号の
通過位相の変化を打ち消すような通過位相特性を持った
他の高周波増幅器を、前記高周波増幅器と直列に接続し
たものである。
【０００６】
【作用】上記構成により、前段の例えば高出力側高周波
増幅器の飽和出力付近での信号通過位相の変化は、その
後段に接続された例えば低出力側高周波増幅器の通過位
相特性によって打ち消され、信号の通過位相の変化量が
低減される。
増幅器の飽和出力付近での信号通過位相の変化は、その
後段に接続された例えば低出力側高周波増幅器の通過位
相特性によって打ち消され、信号の通過位相の変化量が
低減される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の高周波増幅器の一実
施例を示す回路構成図である。図中、１は入力端子、２
は入力電力の増加に伴い信号の通過位相が負方向に変化
する例えばシリコンバイポーラトランジスタを用いた第
１高周波増幅器、３は入力電力の増加に伴い信号の通過
位相が正方向に変化する例えばＧaＡsＦＥＴを用いた第
２高周波増幅器、４は出力端子であり、全体として高周
波増幅器５を構成している。
しながら説明する。図１は本発明の高周波増幅器の一実
施例を示す回路構成図である。図中、１は入力端子、２
は入力電力の増加に伴い信号の通過位相が負方向に変化
する例えばシリコンバイポーラトランジスタを用いた第
１高周波増幅器、３は入力電力の増加に伴い信号の通過
位相が正方向に変化する例えばＧaＡsＦＥＴを用いた第
２高周波増幅器、４は出力端子であり、全体として高周
波増幅器５を構成している。
【０００８】次にその動作を説明するに、第１高周波増
幅器２の入出力特性及び通過位相特性は、図２(a)の出
力電力曲線６，通過位相曲線７に示すようになってお
り、特に通過位相特性は、この第１高周波増幅器２の飽
和出力付近において、大きく負側に変化している。ま
た、第２高周波増幅器３の入出力特性及び通過位相特性
は、図２(b)の出力電力曲線８，通過位相曲線９に示す
ようになっており、通過位相特性は、この第２高周波増
幅器３の飽和出力付近において、大きく正側に変化して
いる。従って、これら第１及び第２高周波増幅器２，３
が直列接続された場合の飽和出力付近における通過位相
特性の前記変化は、互いに打ち消されることになる。
幅器２の入出力特性及び通過位相特性は、図２(a)の出
力電力曲線６，通過位相曲線７に示すようになってお
り、特に通過位相特性は、この第１高周波増幅器２の飽
和出力付近において、大きく負側に変化している。ま
た、第２高周波増幅器３の入出力特性及び通過位相特性
は、図２(b)の出力電力曲線８，通過位相曲線９に示す
ようになっており、通過位相特性は、この第２高周波増
幅器３の飽和出力付近において、大きく正側に変化して
いる。従って、これら第１及び第２高周波増幅器２，３
が直列接続された場合の飽和出力付近における通過位相
特性の前記変化は、互いに打ち消されることになる。
【０００９】このようにして、全体としての高周波増幅
器５の入出力特性及び通過位相特性は、図２(c)の出力
電力曲線10，通過位相曲線11で表されるようになり、特
に、この高周波増幅器５の飽和出力付近における通過位
相特性の変化を低く抑えることが可能となる。
器５の入出力特性及び通過位相特性は、図２(c)の出力
電力曲線10，通過位相曲線11で表されるようになり、特
に、この高周波増幅器５の飽和出力付近における通過位
相特性の変化を低く抑えることが可能となる。
【００１０】なお、前記第２高周波増幅器３としてＧa
ＡsＦＥＴを用いた場合は、電力効率も上がる。
ＡsＦＥＴを用いた場合は、電力効率も上がる。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、上記実施例から明らかなよう
に、高周波増幅器の飽和出力付近においても、信号の通
過位相の変化量を低減することができるので、高周波増
幅器の飽和出力を上げることなく実使用範囲を拡げるこ
とができる。
に、高周波増幅器の飽和出力付近においても、信号の通
過位相の変化量を低減することができるので、高周波増
幅器の飽和出力を上げることなく実使用範囲を拡げるこ
とができる。
【図１】本発明の高周波増幅器の一実施例を示すブロッ
ク構成図である。
ク構成図である。
【図２】本発明の高周波増幅器の一実施例における入出
力特性及び通過位相特性を示す曲線図である。
力特性及び通過位相特性を示す曲線図である。
１…入力端子、 ２…第１高周波増幅器、 ３…第２高
周波増幅器、 ４…出力端子、 ５…高周波増幅器、
６，８，10…出力電力曲線、 ７，９，11…通過位相曲
線。
周波増幅器、 ４…出力端子、 ５…高周波増幅器、
６，８，10…出力電力曲線、 ７，９，11…通過位相曲
線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小杉 裕昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 入力電力の増加に伴い、信号の通過位相
が変化する第１高周波増幅器と、前記第１高周波増幅器
に直列に接続され、前記第１高周波増幅器によって生じ
た位相の変化を打ち消す通過位相特性を持った第２高周
波増幅器とよりなることを特徴とする高周波増幅器。 - 【請求項２】 第１高周波増幅器として、入力電力の増
加に伴い信号の通過位相が負方向に変化するシリコンバ
イポーラトランジスタを用い、第２高周波増幅器とし
て、入力電力の増加に伴い信号の通過位相が正方向に変
化するＧaＡsＦＥＴを用いたことを特徴とする請求項１
記載の高周波増幅器。 - 【請求項３】 第１高周波増幅器として、入力電力の増
加に伴い信号の通過位相が正方向に変化するＧaＡsＦＥ
Ｔを用い、第２高周波増幅器として、入力電力の増加に
伴い信号の通過位相が負方向に変化するシリコンバイポ
ーラトランジスタを用いたことを特徴とする請求項１記
載の高周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21736294A JPH0884028A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21736294A JPH0884028A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0884028A true JPH0884028A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16702992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21736294A Pending JPH0884028A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0884028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060375A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Nec Casio Mobile Communications Ltd | 携帯端末および位相偏差量調整方法 |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP21736294A patent/JPH0884028A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060375A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Nec Casio Mobile Communications Ltd | 携帯端末および位相偏差量調整方法 |
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