JPH0883823A - リード接続方法及び接続装置 - Google Patents
リード接続方法及び接続装置Info
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- JPH0883823A JPH0883823A JP6217098A JP21709894A JPH0883823A JP H0883823 A JPH0883823 A JP H0883823A JP 6217098 A JP6217098 A JP 6217098A JP 21709894 A JP21709894 A JP 21709894A JP H0883823 A JPH0883823 A JP H0883823A
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- JP
- Japan
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- circuit board
- lead
- group
- electrode pad
- bonding tool
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】回路基板の両面に安定で高密度にデバイス実装
することを可能とするリード接続方法及び接続装置を提
供する 【構成】デバイス３０のリード群３１と回路基板２０の
電極パッド群２１とを接続するボンディングツール１２
と、そのボンディングツール１２の押圧面１１の周囲あ
るいは近傍で、回路基板２０を吸着して支持する吸引具
６１とを備え、回路基板をデバイス３０接続面側から真
空吸引により吸着し支持した状態で、リード群３１と電
極パッド群２１とを接続する。
することを可能とするリード接続方法及び接続装置を提
供する 【構成】デバイス３０のリード群３１と回路基板２０の
電極パッド群２１とを接続するボンディングツール１２
と、そのボンディングツール１２の押圧面１１の周囲あ
るいは近傍で、回路基板２０を吸着して支持する吸引具
６１とを備え、回路基板をデバイス３０接続面側から真
空吸引により吸着し支持した状態で、リード群３１と電
極パッド群２１とを接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はデバイスのリード群と回
路基板の電極パッド群とを接続するリード接続方法及び
接続装置に関し、特に、回路基板の両面にデバイスを高
密度実装することを可能とするリードの接続方法及び接
続装置に関する。
路基板の電極パッド群とを接続するリード接続方法及び
接続装置に関し、特に、回路基板の両面にデバイスを高
密度実装することを可能とするリードの接続方法及び接
続装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来例を示す断面図である。図に
おいて、３０はリード群３１を有すデバイスである。平
面ステージ４０上には電極パッド群２１を有す回路基板
２０が設置されている。リード群３１と電極パッド群２
１との接続はヒーターを内蔵したボンディングツール１
０を用いて熱圧着することより行う。以下にその接続方
法を示す。まず、電極パッド群２１上にリード群３１が
対応するようにデバイス３０を位置合わせして配置す
る。その後、ボンディングツール１０の押圧面１１をリ
ード群３１上に降下させて、平面ステージ４０とボンデ
ィングツール１０との間に圧力を与え、その間にあるリ
ード群３１あるいは電極パッド群２１にメッキ供給され
た半田を加熱熔融させ加圧することにより、リード群３
１と電極パッド群２１を接続する。
おいて、３０はリード群３１を有すデバイスである。平
面ステージ４０上には電極パッド群２１を有す回路基板
２０が設置されている。リード群３１と電極パッド群２
１との接続はヒーターを内蔵したボンディングツール１
０を用いて熱圧着することより行う。以下にその接続方
法を示す。まず、電極パッド群２１上にリード群３１が
対応するようにデバイス３０を位置合わせして配置す
る。その後、ボンディングツール１０の押圧面１１をリ
ード群３１上に降下させて、平面ステージ４０とボンデ
ィングツール１０との間に圧力を与え、その間にあるリ
ード群３１あるいは電極パッド群２１にメッキ供給され
た半田を加熱熔融させ加圧することにより、リード群３
１と電極パッド群２１を接続する。
【０００３】近年の高密度実装への要求に応えるために
は、回路基板の表裏両面にデバイスの実装を行う必要が
あるが、前記例では回路基板２０の裏面に平面ステージ
４０のためのスペースが必要であるため、裏面での実装
密度を高めることはできない。そこで、図６に示すよう
に平面ステージ４０の代わりに支持体４１を設けて、裏
面デバイス５０を浮かせた状態でデバイス３０の実装を
行うことを可能としたリードの接続方法が知られてい
る。この方法によれば、デバイス３０の実装時に回路基
板２０の裏面に必要なスペースが支持体４１の支持面４
２のスペースのみとなるため、図５に示すリードの接続
方法で実装した場合よりも高密度実装が可能となる。
は、回路基板の表裏両面にデバイスの実装を行う必要が
あるが、前記例では回路基板２０の裏面に平面ステージ
４０のためのスペースが必要であるため、裏面での実装
密度を高めることはできない。そこで、図６に示すよう
に平面ステージ４０の代わりに支持体４１を設けて、裏
面デバイス５０を浮かせた状態でデバイス３０の実装を
行うことを可能としたリードの接続方法が知られてい
る。この方法によれば、デバイス３０の実装時に回路基
板２０の裏面に必要なスペースが支持体４１の支持面４
２のスペースのみとなるため、図５に示すリードの接続
方法で実装した場合よりも高密度実装が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、支持体
４１を押圧面１１の真下に配置すると、熱圧着の際に支
持面４２より熱が逃げるため、熱圧着を半田の融点より
も１００℃程度高い温度で行わなければならなくなる。
また、回路基板２０の裏面の押圧面１１の真下に位置す
る領域の一部分のみに支持面４２が接するように支持体
４１を配置した場合には、押圧面１１下の電極パッド群
２１内に熱の逃げ易い領域と逃げにくい領域が混在する
こととなり、熱の逃げ易い領域で熱圧着の際の加熱不足
による接続不良が発生する恐れが生じる。更に、支持体
４１をボンディングツール１０の押圧面１１から大きく
離れた位置に設置すると、リード群３１と電極パッド群
２１との接続の際に押圧面１１の与える圧力により回路
基板２０が湾曲し、接続不良が発生し易くなる。
４１を押圧面１１の真下に配置すると、熱圧着の際に支
持面４２より熱が逃げるため、熱圧着を半田の融点より
も１００℃程度高い温度で行わなければならなくなる。
また、回路基板２０の裏面の押圧面１１の真下に位置す
る領域の一部分のみに支持面４２が接するように支持体
４１を配置した場合には、押圧面１１下の電極パッド群
２１内に熱の逃げ易い領域と逃げにくい領域が混在する
こととなり、熱の逃げ易い領域で熱圧着の際の加熱不足
による接続不良が発生する恐れが生じる。更に、支持体
４１をボンディングツール１０の押圧面１１から大きく
離れた位置に設置すると、リード群３１と電極パッド群
２１との接続の際に押圧面１１の与える圧力により回路
基板２０が湾曲し、接続不良が発生し易くなる。
【０００５】以上のような問題を避けるためには、支持
体４１をできる限り押圧面１１直下の領域の近傍に設置
しなければならない。しかしながら、この条件下では、
回路基板２０の表面のデバイス３０を実装しようとする
領域の裏面に、そのデバイス３０と同等以上の大きさを
有するデバイスを実装しておくことはできない。そのた
め、デバイス３０の占めるスペース内に収まる大きさの
デバイスを選んで裏面に配置しなければならない。以上
のように裏面に配置できるデバイスが制約されるため、
余分な配線の引き回しが必要となり、実装面積の増加が
引き起こされる。これらはデバイスを実装した回路基板
を構成要素とする製品の価値を低下させるため、特に、
小型軽量を特長とする製品においては、大きな問題とな
る。
体４１をできる限り押圧面１１直下の領域の近傍に設置
しなければならない。しかしながら、この条件下では、
回路基板２０の表面のデバイス３０を実装しようとする
領域の裏面に、そのデバイス３０と同等以上の大きさを
有するデバイスを実装しておくことはできない。そのた
め、デバイス３０の占めるスペース内に収まる大きさの
デバイスを選んで裏面に配置しなければならない。以上
のように裏面に配置できるデバイスが制約されるため、
余分な配線の引き回しが必要となり、実装面積の増加が
引き起こされる。これらはデバイスを実装した回路基板
を構成要素とする製品の価値を低下させるため、特に、
小型軽量を特長とする製品においては、大きな問題とな
る。
【０００６】本発明は以上の問題を解決するものであ
り、回路基板の両面に高密度で安定なデバイスの実装が
可能なリード接続方法及び接続装置を提供することを目
的とする。
り、回路基板の両面に高密度で安定なデバイスの実装が
可能なリード接続方法及び接続装置を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、デバイスのリ
ード群と回路基板の電極パッド群とをボンディングツー
ルを用いて熱圧着するリード接続方法において、ボンデ
ィングツールの押圧面の周囲あるいは近傍で、回路基板
をデバイス接続面側から真空吸引により吸着し支持した
状態で、リード群と電極パッド群との接続を行うことを
特徴とするものである。
ード群と回路基板の電極パッド群とをボンディングツー
ルを用いて熱圧着するリード接続方法において、ボンデ
ィングツールの押圧面の周囲あるいは近傍で、回路基板
をデバイス接続面側から真空吸引により吸着し支持した
状態で、リード群と電極パッド群との接続を行うことを
特徴とするものである。
【０００８】更に、前記回路基板は両面にデバイスが実
装されている基板であることを特徴とするものである。
装されている基板であることを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明は、デバイスのリード群と回
路基板の電極パッド群とを熱圧着するボンディングツー
ルを有すリード接続装置において、ボンディングツール
の押圧面の周囲あるいは近傍に、リード群と電極パッド
群との接続時に回路基板を吸着し支持する吸引具を設け
たことを特徴とするものである。
路基板の電極パッド群とを熱圧着するボンディングツー
ルを有すリード接続装置において、ボンディングツール
の押圧面の周囲あるいは近傍に、リード群と電極パッド
群との接続時に回路基板を吸着し支持する吸引具を設け
たことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明では、デバイスのリード群と回路基板の
電極パッド群とのボンディングツールを用いた熱圧着に
よる接続を、ボンディングツールの押圧面の周囲あるい
は近傍で回路基板をデバイス接続面側から真空吸引によ
り吸着し支持した状態で行うため、回路基板裏面に自由
かつ高密度にデバイスの実装をすることが可能となる。
電極パッド群とのボンディングツールを用いた熱圧着に
よる接続を、ボンディングツールの押圧面の周囲あるい
は近傍で回路基板をデバイス接続面側から真空吸引によ
り吸着し支持した状態で行うため、回路基板裏面に自由
かつ高密度にデバイスの実装をすることが可能となる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。ボンディングツール１２の近傍には回路基板２０を
吸着し支持する吸引具６１が備えられており、吸引具６
１は真空ポンプに接続されている。ボンディングツール
１２は真空ポンプに接続されたデバイス吸着具１３を有
しており、デバイス３０を吸着することができる。１１
はボンディングツール１２の押圧面であり、これを降下
させることによりデバイス３０のリード群３１と裏面に
裏面デバイス５０，５１の実装された回路基板２０の電
極パッド群２１とを圧着して接続する。図２は吸引具６
１の吸引口６０の配置及び形態を示す図である。図に示
すように、吸引口６０は４つの押圧面１１の外側を囲む
ように設けられている。吸引口は、これに限らず、ボン
ディングツール１２の押圧面１１の周囲あるいは近傍に
配置されていれば、どのような形態のものであっても良
い。例えば、図３に示す吸引口６３のように、４つの押
圧面１１の形成する４角形の４隅に設けられた扇形状の
ものであっても良い。
る。ボンディングツール１２の近傍には回路基板２０を
吸着し支持する吸引具６１が備えられており、吸引具６
１は真空ポンプに接続されている。ボンディングツール
１２は真空ポンプに接続されたデバイス吸着具１３を有
しており、デバイス３０を吸着することができる。１１
はボンディングツール１２の押圧面であり、これを降下
させることによりデバイス３０のリード群３１と裏面に
裏面デバイス５０，５１の実装された回路基板２０の電
極パッド群２１とを圧着して接続する。図２は吸引具６
１の吸引口６０の配置及び形態を示す図である。図に示
すように、吸引口６０は４つの押圧面１１の外側を囲む
ように設けられている。吸引口は、これに限らず、ボン
ディングツール１２の押圧面１１の周囲あるいは近傍に
配置されていれば、どのような形態のものであっても良
い。例えば、図３に示す吸引口６３のように、４つの押
圧面１１の形成する４角形の４隅に設けられた扇形状の
ものであっても良い。
【００１２】尚、デバイス２０としては、例えば、テー
プキャリアパッケージデバイスが使用できる。これを例
にとって、リードの接続方法について詳しく説明する。
まず、金型を用いてテープキャリアからリード群３１付
きの状態でデバイス３０を打ち抜き、リード群３１を所
望の形状にする。次に、ボンディングツール１２をデバ
イス３０に接近させて、デバイス吸着具１３でデバイス
３０を吸着する。続いて、吸引具６１により回路基板２
０を吸着し支持する。その後、リード群３１と電極パッ
ド群２１とを同時にモニターしながら位置合わせする。
ここで、電極パッド群２１には必要に応じてディスペン
サー，スプレー，はけ等によりあらかじめフラックスを
塗布しておく。最後に、ボンディングツール１２の押圧
面１１を降下させて、リード群３１あるいは電極パッド
群２１あるいは双方に供給された半田を周知のパルスヒ
ート方式で加熱熔融させて加圧し接続する。接続は上記
方法に限らず、吸引具６１を上昇させて接続部分を圧す
ることにより行っても良い。
プキャリアパッケージデバイスが使用できる。これを例
にとって、リードの接続方法について詳しく説明する。
まず、金型を用いてテープキャリアからリード群３１付
きの状態でデバイス３０を打ち抜き、リード群３１を所
望の形状にする。次に、ボンディングツール１２をデバ
イス３０に接近させて、デバイス吸着具１３でデバイス
３０を吸着する。続いて、吸引具６１により回路基板２
０を吸着し支持する。その後、リード群３１と電極パッ
ド群２１とを同時にモニターしながら位置合わせする。
ここで、電極パッド群２１には必要に応じてディスペン
サー，スプレー，はけ等によりあらかじめフラックスを
塗布しておく。最後に、ボンディングツール１２の押圧
面１１を降下させて、リード群３１あるいは電極パッド
群２１あるいは双方に供給された半田を周知のパルスヒ
ート方式で加熱熔融させて加圧し接続する。接続は上記
方法に限らず、吸引具６１を上昇させて接続部分を圧す
ることにより行っても良い。
【００１３】裏面デバイス５０の実装は上記のリードの
接続方法により同様に行うことができる。また、裏面デ
バイス５０の実装時点では、表面にデバイス３０が実装
されていないため、裏面デバイス５０の実装は従来例に
示したリードの接続方法によっても行うことができる。
裏面デバイス５１は公知のリフロー接続法により実装で
きる。尚、回路基板の片面のみにデバイスを実装する際
にも、本発明のリードの接続方法が使用できることは明
らかである。
接続方法により同様に行うことができる。また、裏面デ
バイス５０の実装時点では、表面にデバイス３０が実装
されていないため、裏面デバイス５０の実装は従来例に
示したリードの接続方法によっても行うことができる。
裏面デバイス５１は公知のリフロー接続法により実装で
きる。尚、回路基板の片面のみにデバイスを実装する際
にも、本発明のリードの接続方法が使用できることは明
らかである。
【００１４】以上のように、本例によれば、デバイス３
０のリード群３１と回路基板２０の電極パッド群２１と
のボンディングツール１２を用いた熱圧着による接続
を、ボンディングツール１２の押圧面１１の周囲あるい
は近傍で回路基板２０をデバイス３０の接続面側から真
空吸引により吸着し支持した状態で行うため、デバイス
３０実装の際に回路基板２０の裏面に平面ステージや支
持体のためのスペースを設ける必要がないため、裏面に
おいても高い実装密度が実現でき、且つ、回路基板設計
の自由度を広げることができる。また、押圧面１１の真
下で回路基板２０を支持しないため、熱が逃げにくくな
り、熱圧着を必要以上に高温で行う必要がなくなる。更
に、電極パッド群２１内での温度分布が小さくなるた
め、リード３１の接続不良の発生を抑えることができ
る。
０のリード群３１と回路基板２０の電極パッド群２１と
のボンディングツール１２を用いた熱圧着による接続
を、ボンディングツール１２の押圧面１１の周囲あるい
は近傍で回路基板２０をデバイス３０の接続面側から真
空吸引により吸着し支持した状態で行うため、デバイス
３０実装の際に回路基板２０の裏面に平面ステージや支
持体のためのスペースを設ける必要がないため、裏面に
おいても高い実装密度が実現でき、且つ、回路基板設計
の自由度を広げることができる。また、押圧面１１の真
下で回路基板２０を支持しないため、熱が逃げにくくな
り、熱圧着を必要以上に高温で行う必要がなくなる。更
に、電極パッド群２１内での温度分布が小さくなるた
め、リード３１の接続不良の発生を抑えることができ
る。
【００１５】図４は本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。本実施例では、ボンディングツール１４が吸引具
６２内に設置されており、実装領域全体が吸引具６２に
より吸引される構成となっている。リード群３１と電極
パッド群２１の接続は以下のような方法で行う。まず、
デバイス３０のリード群３１と回路基板２０上の電極パ
ッド群２１とを位置合わせする。次に、電極パッド群２
１上にディスペンサー，スプレー，はけ等で塗布したフ
ラックスにより電極パッド群２１上にリード群３１を仮
固定する。その後、吸引具６２により回路基板２０を真
空吸引することにより吸着して支持する。最後に、ボン
ディングツール１４の押圧面１１を降下させてリード群
３１あるいは電極パッド群２１あるいは双方に供給され
た半田を周知のパルスヒート方式で加熱熔融させて加圧
して接続する。
ある。本実施例では、ボンディングツール１４が吸引具
６２内に設置されており、実装領域全体が吸引具６２に
より吸引される構成となっている。リード群３１と電極
パッド群２１の接続は以下のような方法で行う。まず、
デバイス３０のリード群３１と回路基板２０上の電極パ
ッド群２１とを位置合わせする。次に、電極パッド群２
１上にディスペンサー，スプレー，はけ等で塗布したフ
ラックスにより電極パッド群２１上にリード群３１を仮
固定する。その後、吸引具６２により回路基板２０を真
空吸引することにより吸着して支持する。最後に、ボン
ディングツール１４の押圧面１１を降下させてリード群
３１あるいは電極パッド群２１あるいは双方に供給され
た半田を周知のパルスヒート方式で加熱熔融させて加圧
して接続する。
【００１６】本例においても、図１の実施例と同様に、
高密度で安定なデバイス実装が実現できる。
高密度で安定なデバイス実装が実現できる。
【００１７】以上の実施例ではテープキャリアデバイス
を実装する場合について説明したが、本発明がフラット
パッケージデバイス等の他のデバイスを実装する場合に
も適用可能であることは言うまでもない。
を実装する場合について説明したが、本発明がフラット
パッケージデバイス等の他のデバイスを実装する場合に
も適用可能であることは言うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、回路基
板裏面に自由にデバイスの実装ができるため高密度なデ
バイス実装が可能となり、デバイスを実装した回路基板
を構成要素とする製品の小型軽量化を実現することがで
きる。また、ボンディングツールの押圧面の真下で回路
基板を支持しないため、熱が逃げにくくなり、熱圧着を
必要以上に高温で行う必要がなくなる。更に、電極パッ
ド群内の温度分布が小さくなるため、それに起因するリ
ードの接続不良が生じにくくなり、信頼性が向上する。
板裏面に自由にデバイスの実装ができるため高密度なデ
バイス実装が可能となり、デバイスを実装した回路基板
を構成要素とする製品の小型軽量化を実現することがで
きる。また、ボンディングツールの押圧面の真下で回路
基板を支持しないため、熱が逃げにくくなり、熱圧着を
必要以上に高温で行う必要がなくなる。更に、電極パッ
ド群内の温度分布が小さくなるため、それに起因するリ
ードの接続不良が生じにくくなり、信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１の吸引口の配置及び形態を示す図である。
【図３】図１の吸引口の配置及び形態の他の例を示す図
である。
である。
【図４】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図５】従来例を示す断面図である。
【図６】他の従来例を示す断面図である。
１１ ボンディングツールの押圧面 １２，１４ ボンディングツール ２０ 回路基板 ２１ 電極パッド群 ３０ デバイス ３１ リード群 ５０，５１ 裏面デバイス ６０，６３ 吸引口 ６１，６２ 吸引具
Claims (3)
- 【請求項１】デバイスのリード群と回路基板の電極パッ
ド群とをボンディングツールを用いて熱圧着するリード
接続方法において、該ボンディングツールの押圧面の周
囲あるいは近傍で、前記回路基板を前記デバイス接続面
側から真空吸引により吸着し支持した状態で、前記リー
ド群と前記電極パッド群との接続を行うことを特徴とす
るリード接続方法。 - 【請求項２】前記回路基板は両面にデバイスが実装され
る基板であることを特徴とする請求項１に記載のリード
接続方法。 - 【請求項３】デバイスのリード群と回路基板の電極パッ
ド群とを熱圧着するボンディングツールを有すリード接
続装置において、前記ボンディングツールの押圧面の周
囲あるいは近傍に、前記リード群と前記電極パッド群と
の接続時に前記回路基板を吸着し支持する吸引具を設け
たことを特徴とするリード接続装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217098A JPH0883823A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | リード接続方法及び接続装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217098A JPH0883823A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | リード接続方法及び接続装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883823A true JPH0883823A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16698818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6217098A Pending JPH0883823A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | リード接続方法及び接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883823A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7777288B2 (en) * | 2004-02-09 | 2010-08-17 | Nec Electronics Corporation | Integrated circuit device and fabrication method therefor |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP6217098A patent/JPH0883823A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7777288B2 (en) * | 2004-02-09 | 2010-08-17 | Nec Electronics Corporation | Integrated circuit device and fabrication method therefor |
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