JPH087629Y2 - Transistor - Google Patents
TransistorInfo
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- JPH087629Y2 JPH087629Y2 JP1990125389U JP12538990U JPH087629Y2 JP H087629 Y2 JPH087629 Y2 JP H087629Y2 JP 1990125389 U JP1990125389 U JP 1990125389U JP 12538990 U JP12538990 U JP 12538990U JP H087629 Y2 JPH087629 Y2 JP H087629Y2
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- transistor
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- collector
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Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案はトランジスタに関し、特にコレクタ・エミ
ッタ間にダイパーダイオードを有するトランジスタの構
造に関するものである。The present invention relates to a transistor, and more particularly to the structure of a transistor having a diper diode between a collector and an emitter.
従来の技術 現在、トランジスタのコレクタ・エミッタ間にダンパ
ーダイオードを付加する場合、ペレットの有効利用の観
点からエミッタのボンディングパッドの下部を利用して
いる。2. Description of the Related Art At present, when a damper diode is added between the collector and emitter of a transistor, the lower part of the bonding pad of the emitter is used from the viewpoint of effective utilization of pellets.
第３図は従来のトランジスタのエミッタボンディング
パッド部の断面図を示す。図において、１はコレクタ、
２はコレクタ１に選択的に形成されたベース、３はベー
ス２に選択的に形成されたエミッタ、４はベース2,エミ
ッタ３と部分的に接続されたエミッタ金属電極、５はベ
ース２に接続されたベース金属電極、６はエミッタ金属
電極4,ベース金属電極５とコレクタ1,ベース2,エミッタ
３との短絡を防ぐ絶縁膜である。FIG. 3 shows a sectional view of an emitter bonding pad portion of a conventional transistor. In the figure, 1 is a collector,
Reference numeral 2 is a base selectively formed on the collector 1, 3 is an emitter selectively formed on the base 2, 4 is a base 2, emitter metal electrode partially connected to the emitter 3, and 5 is connected to the base 2. The formed base metal electrode 6 is an insulating film for preventing a short circuit between the emitter metal electrode 4, the base metal electrode 5 and the collector 1, the base 2 and the emitter 3.
コレクタ・エミッタ間に付加するダンパーダイオード
は、エミッタ金属電極４を部分的にベース２と短絡させ
ることにより、エミッタ金属電極４とコレクタ１との間
に形成される。The damper diode added between the collector and the emitter is formed between the emitter metal electrode 4 and the collector 1 by partially shorting the emitter metal electrode 4 with the base 2.
考案が解決しようとする課題 ところで、上記のようにエミッタ金属電極４がダンパ
ーダイオードを形成するために、ベース２と部分的に接
続されていると、エミッタ金属電極４とベース金属電極
５との間にベース２を介して寄生抵抗が形成される。DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention By the way, when the emitter metal electrode 4 is partially connected to the base 2 in order to form a damper diode as described above, a gap between the emitter metal electrode 4 and the base metal electrode 5 is generated. A parasitic resistance is formed through the base 2.
第４図は第３図の構造を有するトランジスタの等価回
路図を示す。図において10はトランジスタ、11はトラン
ジスタ10のコレクタ・エミッタ間に形成されるダンパー
ダイオード、12はトランジスタ10のベース・エミッタ間
に形成される寄生抵抗である。FIG. 4 shows an equivalent circuit diagram of a transistor having the structure of FIG. In the figure, 10 is a transistor, 11 is a damper diode formed between the collector and emitter of the transistor 10, and 12 is a parasitic resistance formed between the base and emitter of the transistor 10.
上記のようにベース・エミッタ間に寄生抵抗12が形成
されると、トランジスタ10を動作させる場合、ベース電
流が寄生抵抗12を通ってエミッタに流れ、電流増幅率h
FEが通常の寄生抵抗がない場合比べ低くなってしまい、
高い電流増幅率hFEを得るのは困難になる。また、寄生
抵抗12の値を大きくするためには寄生抵抗12の主成分で
あるエミッタ３の下のベース２のピンチ抵抗を大きくす
る必要がある。しかし、ピンチ抵抗を大きくするために
は、エミッタ金属電極４の下のエミッタ３を長くする必
要があり、ペレットの有効利用が計れない。When the parasitic resistance 12 is formed between the base and the emitter as described above, when operating the transistor 10, the base current flows through the parasitic resistance 12 to the emitter and the current amplification factor h
FE becomes lower than when there is no normal parasitic resistance,
It becomes difficult to obtain a high current amplification factor h FE . Further, in order to increase the value of the parasitic resistance 12, it is necessary to increase the pinch resistance of the base 2 below the emitter 3, which is the main component of the parasitic resistance 12. However, in order to increase the pinch resistance, it is necessary to lengthen the emitter 3 below the emitter metal electrode 4, and the pellet cannot be effectively used.
課題を解決するための手段 この考案は上記の課題を解決するために、コレクタ
と、このコレクタに選択的に形成したトランジスタのベ
ースと、このベースに選択的に形成したエミッタと、コ
レクタにトランジスタのベースから分離して形成したダ
ンパーダイオードのベースと、コレクタ，トランジスタ
のベース，エミッタ，ダンパーダイオードのベース上に
形成した絶縁膜と、エミッタ及びダンパーダイオードの
ベース上の絶縁膜にコンタクト用の窓をあけて相互間を
電気的に接続したエミッタ金属電極とを具備したトラン
ジスタであって、ダンパーダイオードのベースをトラン
ジスタのベースで取り囲み、ダンパーダイオードのベー
ス及びトランジスタのベースに挟まれたコレクタ上を絶
縁膜を介してエミッタ金属電極で覆い、それによりトラ
ンジスタhFEの低下を防止し、且つダイオード順方向電
圧を低くしたことを特徴とするものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention provides a collector, a base of a transistor selectively formed on the collector, an emitter selectively formed on the base, and a transistor on the collector. A contact window is opened in the base of the damper diode formed separately from the base, the insulating film formed on the collector, the base of the transistor, the emitter, and the base of the damper diode, and the insulating film on the base of the emitter and the damper diode. And a metal emitter electrode electrically connected to each other, the base of the damper diode is surrounded by the base of the transistor, and an insulating film is formed on the collector sandwiched between the base of the damper diode and the base of the transistor. Covered with an emitter metal electrode through, It is characterized in that the transistor h FE is prevented from being lowered and the diode forward voltage is lowered.
作用 上記の構成によると、ダンパーダイオードのベースと
トランジスタのベースを分離したことにより、トランジ
スタのベース・エミッタ間に寄生抵抗が形成されないた
め、電流増幅率hFEが低下することを防止できる。Action According to the above configuration, since the base of the damper diode and the base of the transistor are separated, a parasitic resistance is not formed between the base and emitter of the transistor, so that the current amplification factor h FE can be prevented from decreasing.
しかも、ダンパーダイオードの接合部面積も、深さ方
向にPN接合が形成されることによって、従来構造に比較
して広くとることができ、ダイオードの順方向電圧VFも
低くできる。Moreover, the junction area of the damper diode also, by the PN junction is formed in the depth direction can be widened as compared with the conventional structure, the forward voltage V F of the diode can be reduced.
実施例 以下、この考案の実施例について図面を参照して説明
する。Embodiment Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図はこの考案の一実施例のエミッタボンディング
パッド部の断面図を示す。図において、１はコレクタ、
２はコレクタ１に選択的に形成したトランジスタのベー
ス、2aはトランジスタのベース２と分離しコレクタ１に
ベース２で取り囲まれたダンパーダイオードのベース、
３はトランジスタのベース２に選択的に形成したエミッ
タ、４はダンパーダイオードのベース2a及びエミッタ３
を電気的に接続したエミッタ金属電極、５はトランジス
タのベース２に電気的に接続したベース金属電極、６は
コレクタ1,トランジスタのベース2,ダンパーダイオード
のベース2a及びエミッタ３上に形成した絶縁膜である。
エミッタ金属電極４は絶縁膜６を介してベース２及び2a
に挟まれたコレクタ１上を覆っている。第２図は第１図
の構造を有するトランジスタの等価回路図を示す。10は
トランジスタ、11はダンパーダイオードである。FIG. 1 is a sectional view of an emitter bonding pad portion according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a collector,
2 is a base of a transistor selectively formed in the collector 1, 2a is a base of a damper diode which is separated from the base 2 of the transistor and is surrounded by the base 2 in the collector 1,
3 is an emitter selectively formed on the base 2 of the transistor, and 4 is the base 2a and the emitter 3 of the damper diode.
Is electrically connected to the emitter metal electrode, 5 is a base metal electrode electrically connected to the base 2 of the transistor, 6 is an insulating film formed on the collector 1, the base 2 of the transistor, the base 2a of the damper diode and the emitter 3. Is.
The emitter metal electrode 4 has bases 2 and 2a via an insulating film 6.
It covers the collector 1 that is sandwiched between. FIG. 2 shows an equivalent circuit diagram of a transistor having the structure of FIG. 10 is a transistor and 11 is a damper diode.
上記の構成によれば、ダンパーダイオードのベース2a
とトランジスタのベース２が分離しているため、トラン
ジスタのベース・エミッタ間に寄生抵抗が形成されず、
電流増幅率hFEの低下が防止できる。According to the above configuration, the damper diode base 2a
Since the transistor and the base 2 of the transistor are separated, a parasitic resistance is not formed between the base and the emitter of the transistor,
The current amplification factor h FE can be prevented from lowering.
上記実施例は、NPN個別半導体装置の例を示したが、
本考案はその他、たとえばPNPトランジスタを内蔵したI
CやLSIにも適用できるものである。Although the above embodiment shows an example of the NPN individual semiconductor device,
The present invention is also applicable to other devices such as PNP transistor built-in I
It is also applicable to C and LSI.
考案の効果 以上説明したように、この考案はダンパーダイオード
のベース2aをトランジスタのベース２から分離し、かつ
ベース２で取り囲み、ベース２及び2aに挟まれたコレク
タ１上を絶縁膜を介してエミッタ金属電極で覆っている
ことにより、トランジスタのベース・エミッタ間に寄生
抵抗が形成されず、その結果、電流増幅率hFEの低下を
防ぐことができる。さらに電流増幅率hFEの低下を防ぐ
ことにより、コレクタ・エミッタ間の飽和電圧VCE(sat)
も低くできるため、トランジスタの小電力化ができる効
果がある。Effect of the Invention As described above, the present invention separates the base 2a of the damper diode from the base 2 of the transistor and surrounds the base 2 with the base 2, and the collector 1 sandwiched between the bases 2 and 2a has the emitter interposed via the insulating film. By covering with the metal electrode, a parasitic resistance is not formed between the base and emitter of the transistor, and as a result, it is possible to prevent the current amplification factor h FE from decreasing. Furthermore, by preventing the current amplification factor h FE from decreasing, the saturation voltage between the collector and the emitter V CE (sat)
It is also possible to reduce the power consumption of the transistor because it can be lowered.
また、ダンパーダイオード部のPNジャンクションの面
積を従来の構造に比べ広くでき、ダンパーダイオードの
順方向電圧VFも低くすることができる。Also, the area of the PN junction of the damper diode portion can widely than the conventional structure, the forward voltage V F of the damper diode can be lowered.
第１図はこの考案の一実施例のトランジスタのエミッタ
ボンディングパッド部の断面図である。 第２図は第１図の構造を有するトランジスタの等価回路
図である。 第３図は従来のダンパーダイオードを形成したトランジ
スタのエミッタボンディングパッド部の断面図である。 第４図は第３図の構造を有するトランジスタの等価回路
図である。 １……コレクタ、２……ベース、2a……ダンパーダイオ
ード部のベース、３……エミッタ、４……エミッタ金属
電極、10……トランジスタ、11……ダンパーダイオー
ド。FIG. 1 is a sectional view of an emitter bonding pad portion of a transistor according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a transistor having the structure of FIG. FIG. 3 is a sectional view of an emitter bonding pad portion of a transistor having a conventional damper diode. FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a transistor having the structure of FIG. 1 ... Collector, 2 ... Base, 2a ... Damper diode base, 3 ... Emitter, 4 ... Emitter metal electrode, 10 ... Transistor, 11 ... Damper diode.
Claims (1)
したトランジスタのベースと、このベースに選択的に形
成したエミッタと、前記コレクタに前記ベースから分離
して形成したダンパーダイオードのベースと、前記コレ
クタ，トランジスタのベース，エミッタ，ダンパーダイ
オードのベース上に形成した絶縁膜と、前記エミッタ及
びダンパーダイオードのベース上の絶縁膜にコンタクト
用の窓をあけて相互間を電気的に接続したエミッタ金属
電極とを具備したトランジスタであって、 前記ダンパーダイオードのベースを前記トランジスタの
ベースで取り囲み、前記ダンパーダイオードのベース及
び前記トランジスタのベースに挟まれた前記コレクタ上
を前記絶縁膜を介して前記エミッタ金属電極で覆い、そ
れによりトランジスタhFEの低下を防止し、且つダイオ
ード順方向電圧を低くしたことを特徴とするコレクタ・
エミッタ間にダンパーダイオードを有するトランジス
タ。1. A collector, a base of a transistor selectively formed in the collector, an emitter selectively formed in the base, a base of a damper diode formed in the collector separately from the base, An insulating metal film formed on the collector, the base of the transistor, the emitter, and the base of the damper diode, and an emitter metal electrode electrically connected to each other by opening a contact window in the insulating film on the base of the emitter and the damper diode. Wherein the base of the damper diode is surrounded by the base of the transistor, and the emitter metal electrode is provided on the collector sandwiched between the base of the damper diode and the base of the transistor via the insulating film. covered with, whereby the transistor h FE low Preventing, and is characterized in that lower the diode forward voltage Collector-
A transistor having a damper diode between the emitters.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990125389U JPH087629Y2 (en) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990125389U JPH087629Y2 (en) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480047U JPH0480047U (en) | 1992-07-13 |
| JPH087629Y2 true JPH087629Y2 (en) | 1996-03-04 |
Family
ID=31872989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990125389U Expired - Lifetime JPH087629Y2 (en) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087629Y2 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107773A (en) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS62263674A (en) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP1990125389U patent/JPH087629Y2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107773A (en) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS62263674A (en) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480047U (en) | 1992-07-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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