JPH0872298A - レーザ書き込み装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザダイオード発光振動を抑え、再現画像
の階調正を確保し、しかも、温度変化による発光光量の
変動を抑える。 【構成】 レーザダイオードＯＦＦ発光時に、ＯＦＦ発
光レベル比較増幅器３０１にて、ホールドコンデンサ７
に保持された電圧と、基準電圧源１１とを比較し、比較
結果に応じて、電圧電流変換回路３０２により、レーザ
駆動点をレーザダイオード発振領域最下限領域に維持す
るとともに、レーザダイオード１ａのＯＦＦ発光光量を
レーザダイオード１ａの最小光量で安定化させる。他
方、レーザダイオードＯＮ発光時に、ＯＮ発光レベル比
較増幅器４０１にて、ホールドコンデンサ１７に保持さ
れた電圧と、基準電圧源２１とを比較し、比較結果に応
じて、電圧電流変換回路４０２により、レーザダイオー
ドのＯＮ発光光量をレーザダイオードの最大光量で安定
化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザビームを用いた
レーザ書き込み装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の画像書き込み装置は、レーザ光量
を安定化させる発光光量制御方式として、バイアス電流
制御方式や、動作電流制御方式が実用化されている。

【０００３】バイアス制御方式は、レーザダイオードが
レーザ発光しない程度の電流、すなわち、バイアス電流
（例えば、40mA）を増減させフィードバックをかける方
法である。この方式によれば、レーザダイオードの温度
特性変化によるレーザスレシホールド電流の変化を正確
にトレースすることができるが、高温状態では、レーザ
発光効率が変化するので、低温時バイアス電流値がスレ
シホールド電流値ぎりぎりにある場合、高温状態で点灯
させたくないのに、発光してしまうことがある。また、
バイアス電流が増加すると、バイアス発光量が増加する
ので、PWM パルスの細い領域で、絶対光量がわずかなが
ら増加することになる。

【０００４】動作電流制御方式は、レーザ発光させる小
電流、すなわち、動作電流（例えば、20mA）を増減させ
てフィードバックをかける方法である。この方式はバイ
アス電流を動かさないため、高温になるほど、動作電流
を増加させなければならず、発光波形が一義的でなく変
化する。しかし、バイアス電流制御方式と比較して、PW
M パルスの細い領域でも絶対光量は変化しない。

【０００５】この両方式は、ともに、検出された１つの
発光光量（目的最大光量）のみに基づき目的光量を制御
するものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
素子を安定に高速駆動させるために、レーザダイオード
の発光動作点を、レーザ発振領域最下限（またはLED(li
ght emitting diode) 発光領域最上限）におき、しか
も、発光動作点での発光光量を安定化させつつ、目的最
大光量を安定化させる制御は困難であった。よって、画
像書き込み装置自体の書き込み速度をさらに向上させる
ことが困難であった。

【０００７】画像書き込み装置の高速化または高解像度
化を図るため、レーザ素子を高速PWM(pulse width modu
lation) 駆動する場合、発光波形の立上がり振動を完全
に抑えることが困難であった。特に、微細パルス幅発光
領域では不要振動部分の占める割合が大きくなるため、
レーザ点灯PWM 信号に対してレーザ発光の光量時間積が
正比例せず、再現画像の階調性を悪化させていた。

【０００８】発光波形の立上がり振動を抑える方法とし
ては、レーザダイオードの振動を抑えるのに、レーザダ
イオードの発光動作をレーザ発振領域最下限（またはLE
D 発光領域最上限）におき、レーザダイオードを駆動す
る方法が有効である。

【０００９】しかしながら、ここで新たな問題点が生じ
る。感光体をPWM 変調で走査露光し静電潜像を形成する
画像形成装置では、露光強度の変化量が静電潜像の電位
変化となり、走査露光時間が静電潜像の領域幅を決定す
る。現像時にこの電位変化量が小さいと、トナー吸着す
べき領域と、そうでない領域との境界が不明確になり、
本来白地である部分にトナーが乗るカブリ画像となる。
カブリのない良質の画像を形成するには、静電潜像の電
位変化を大きくかつ安定にとる必要がある。それには、
露光強度の変化量（レーザダイオード強露光と弱露光の
差）を大きくする必要がある。さらに、弱露光部は感光
体へのトナー吸着開始点であり、この弱露光部での露光
強度変化は視覚に大きく影響する（わずかな露光量変化
が画像カブリとなる）。

【００１０】このような問題点を解決する方法として
は、設定されたレーザダイオード発振領域最下点光量
（または、LED 発光領域最上限光量）を正確に維持しつ
つ、この点と目的光量の２つの光量点間でレーザダイオ
ードをPWM スイッチングすることにより、発光波形の立
上がり振動を抑え、かつ、カブリのない画像を形成する
方法が最良である。

【００１１】レーザダイオード光量安定化のためのバイ
アス電流追従制御方式や、動作電流追従制御方式では、
レーザダイオードの目的最大光量の安定化を図ることは
可能であるが、レーザダイオード発振領域最下点（また
は、LED 発光領域最上限）にレーザダイオード動作点を
維持し、この動作点でPWM スイッチングすることによ
り、高速駆動を実現し、しかも、変調ＯＦＦ時の弱光量
の安定化を図ることはできなかった。

【００１２】本発明の目的は、上記のような問題点を解
決し、レーザダイオード発光振動を抑えることができ、
再現画像の階調正を確保でき、しかも、温度変化による
発光光量の変動を抑えることができるレーザ書き込み装
置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザダイオ
ードをＰＷＭ駆動するレーザ書き込み装置において、レ
ーザダイオードＯＦＦ発光時の前記レーザダイオードの
出射光量を検出する第１光量検出手段と、レーザダイオ
ードＯＮ発光時の前記レーザダイオードの出射光量を検
出する第２光量検出手段と、レーザダイオードＯＦＦ発
光時に、前記第１光量検出手段による検出光量と所定の
第１基準値との比較結果に応じて、レーザ駆動点をレー
ザダイオード発振領域最下限領域に維持するとともに、
前記レーザダイオードのＯＦＦ発光光量をレーザダイオ
ードの最小光量で安定化させる第１安定化手段と、レー
ザダイオードＯＮ発光時に、前記第２光量検出手段によ
る検出光量と所定の第２基準値との比較結果に応じて、
前記レーザダイオードのＯＮ発光光量をレーザダイオー
ドの最大光量で安定化させる第２安定化手段とを備えた
ことを特徴とする。

【００１４】

【作用】本発明では、レーザダイオードＯＦＦ発光時
に、第１光量検出手段による検出光量と所定の第１基準
値との比較結果に応じて、第１安定化手段により、レー
ザ駆動点をレーザダイオード発振領域最下限領域に維持
するとともに、レーザダイオードのＯＦＦ発光光量をレ
ーザダイオードの最小光量で安定化させ、他方、レーザ
ダイオードＯＮ発光時に、第２光量検出手段による検出
光量と所定の第２基準値との比較結果に応じて、第２安
定化手段によりレーザダイオードのＯＮ発光光量をレー
ザダイオードの最大光量で安定化させる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。

【００１６】＜第１実施例＞図１は本発明の一実施例を
示す。図１において、１００はレーザ素子であり、レー
ザダイオード１ａおよびフォトダイオード１ｂを有す
る。レーザダイオード１ａは発光源であり、フォトダイ
オード１ｂはレーザダイオード１ａの光出力を検出する
ものである。

【００１７】２００は電流電圧変換回路であり、モニタ
ダイオード１ｂからの出力電流を電圧に変換するもので
あり、ＯＰアンプ２の非反転端子と出力端子の間に、低
抵抗３を抵抗切り換えスイッチ５を介して接続するとと
もに、高抵抗４を抵抗切り換えスイッチ５を介して接続
してある。

【００１８】３００はＯＦＦレベル光量制御回路であ
り、ＯＦＦ発光レベル比較増幅器３０１と、電圧電流変
換回路３０２とを有する。

【００１９】ＯＦＦ発光レベル比較増幅器３０１は、Ｏ
Ｐアンプ８の非反転端子がホールドコンデンサ７を介し
てグランドされており、ＯＰアンプ８の反転端子と出力
端子の間に時定数コンデンサ９が接続されており、反転
端子は抵抗１０と基準電圧源１１とを介してグランドさ
れている。ホールドコンデンサ７は所定のタイミングで
出力された電流電圧変換回路２００のＯＦＦ発光レベル
信号を保持するものである。ＯＦＦ発光レベル比較増幅
器３０１は、ホールドコンデンサ７により保持される電
圧Voffと、基準電圧源１１から抵抗１０を介して得られ
る基準電圧VREFoff との電圧差を打ち消すためのフィー
ドバックを構成する。時定数コンデンサ９の容量と抵抗
１０の抵抗値により決定される時定数により、ＯＦＦ発
光レベル比較増幅器３０１の応答速度が決定される。

【００２０】電圧電流変換回路３０２は、ＯＰアンプ１
２の非反転端子がＯＦＦ発光レベル比較増幅器３０１の
ＯＰアンプ８の出力端子に接続されており、ＯＰアンプ
１２の出力端子がトランジスタ１３のベースに接続され
ており、トランジスタ１３のエミッタが抵抗１４を介し
てグランドされるとともに、ＯＰアンプ１２の反転端子
に接続され、トランジスタのコレクタがレーザ素子１０
０のレーザダイオード１ａのカソードに接続されてい
る。抵抗１４はトランジスタ１３のエミッタ電流に比例
する電圧をＯＰアンプ１２の反転端子に印加するための
ものである。ＯＰアンプ１２はＯＦＦ発光レベル比較増
幅器３０１の出力電圧をレーザドライブ電流に変換する
ものである。トランジスタ１３はＯＰアンプ１２の電流
出力を増幅するものである。

【００２１】６はサンプルスイッチであり、電流電圧変
換回路１００の出力を回路３００に所定のタイミングで
結合するためのものである。

【００２２】４００はＯＮレベル光量制御回路であり、
ＯＮ発光レベル比較増幅器４０１と、電圧電流変換回路
４０２とを有する。

【００２３】ＯＮ発光レベル比較増幅器４０１は、ＯＰ
アンプ１８の非反転端子がホールドコンデンサ１７を介
してグランドされており、ＯＰアンプ１８の反転端子と
出力端子の間に時定数コンデンサ１９が接続されてお
り、反転端子は抵抗２０と基準電圧源２１とを介してグ
ランドされている。ホールドコンデンサ１７は所定のタ
イミングで出力されたＯＮ発光レベル信号を保持するも
のである。ＯＮ発光レベル比較増幅器４０１は、ホール
ドコンデンサ１７により保持される電圧Voffと、基準電
圧源２１から抵抗２０を介して得られる基準電圧VREFof
f との電圧差を打ち消すためのフィードバックを構成す
る。時定数コンデンサ１９と抵抗２０により決定される
時定数により、ＯＮ発光レベル比較増幅器４０１の応答
速度が決定される。

【００２４】電圧電流変換回路４０２は、ＯＰアンプ２
２の非反転端子がＯＮ発光レベル比較増幅器４０１のＯ
Ｐアンプ１８の出力端子に接続されており、ＯＰアンプ
２２の出力端子がトランジスタ２３のベースに接続され
ており、トランジスタ２３のエミッタが抵抗２４を介し
てグランドされるとともに、ＯＰアンプ２２の反転端子
に接続され、トランジスタ２３のコレクタがスイッチン
グ回路１５を介してレーザ素子１００のレーザダイオー
ド１ａのカソードに接続されている。抵抗２４はトラン
ジスタ２３のエミッタ電流に比例する電圧をＯＰアンプ
２２の反転端子に印加するためのものである。ＯＰアン
プ２２はＯＮ発光レベル比較増幅器４０１の出力電圧を
レーザドライブ電流に変換するものである。トランジス
タ２３はＯＰアンプ２２の電流出力を増幅するものであ
る。

【００２５】５００はシーケンスCLK 発生回路であり、
ＯＦＦレベル光量制御時に、サンプルスイッチ６をＯＮ
にするとともに、サンプルスイッチ１６をＯＦＦにし、
抵抗切り換えスイッチ５を高抵抗４側に切り換え、他
方、ＯＮレベル光量制御時に、サンプルスイッチ６をＯ
ＦＦにするとともに、サンプルスイッチ１６をＯＮに
し、抵抗切り換えスイッチ５を低抵抗３側に切り換える
ものである。

【００２６】スイッチング回路１５は、PWM 画像信号２
５のＯＮ／ＯＦＦに応じて、トランジスタ２３レーザか
らの電流をＯＮ／ＯＦＦ制御するものである。

【００２７】１６はサンプルスイッチであり、電流−電
圧変換回路２００の出力を回路４００に所定のタイミン
グで結合するためのものである。

【００２８】次に、動作を説明する。

【００２９】ＯＦＦレベル光量制御を説明する。ＯＦＦ
レベル光量制御の目的は、(1) レーザダイオード１ａの
発光動作点を、レーザ発振領域最下限（またはLED 発光
領域最上限）におくことにより、ＯＮレベル制御電流を
加算し、レーザダイオード１ａをＯＮ発光させた時の光
振動を最小限に抑え、(2) 微弱なＯＦＦ発光レベルの温
度による経時変動を抑えることにある。

【００３０】PWM 画像信号２５が０のとき、スイッチン
グ回路１５により、トランジスタ２３からの電流がレー
ザダイオードｌａから切り離され、レーザダイオード１
ａには、トランジスタ１３からのＯＦＦレベル電流のみ
が接続される。よって、このＯＦＦレベル制御電流によ
り、レーザダイオードｌａはレーザ発振領域最下限（ま
たはＬＤＥ発光領域最上限）の発光状態となる。この発
光量はフォトダイオード１ｂにより受光される。

【００３１】ついで、シーケンスCLK 発生回路５００か
らの検出抵抗切り換え信号１００５により、抵抗切り換
えスイッチ５が高抵抗４側に切り換えられ（図２参
照）、フォトダイオード１ｂからの微小光電流IS(OFF)
は、抵抗切り換えスイッチ５と高抵抗４（抵抗値： R
(HI) ）を通過することにより、ＯＰアンプ２の出力に
は、R(HI) ・IS(OFF) なる電圧が得られる。そして、R
(HI) ・IS(OFF) なる高電圧が安定した状態で、シーケ
ンスCLK 発生回路５００からのOFF 発光レベルサンプル
信号１００６により、サンプルスイッチ１６がＯＦＦに
されるとともに、サンプルスイッチ６がＯＮにされ（図
２参照）、高抵抗４と、抵抗切り換えスイッチ５と、サ
ンプルスイッチ６と、ホールドコンデンサ７と、ＯＦＦ
発光レベル比較増幅器３０１と、電圧電流変換回路３０
２と、レーザダイオード１ａと、フォトダイオード１ｂ
とによりフィードバック回路が構成され、このフィード
バック回路により、レーザ駆動点がレーザダイオード発
振領域最下限に維持され、レーザダイオード発振領域最
下限のレベルがホールドコンデンサ７により保持され
る。R(HI) ・IS(OFF) なる高電圧はホールドコンデンサ
７に印加されることになる。

【００３２】ＯＦＦレベル発光比較増幅器８はホールド
コンデンサ７間電圧と、基準電圧VREFoff とを比較増幅
する。比較した結果、R(HI) ・IS(OFF) ＞ VREFoff で
ある場合は、回路３００の出力電圧は上昇し、他方、R
(HI) ・IS(OFF) ＜ VREFoffある場合は、回路３００の
出力電圧は下降する。出力電圧の上昇および下降速度
は、時定数コンデンサ９の容量と時定数抵抗１０の抵抗
値により決定される時定数によって決まる。ＯＦＦ発光
レベル比較増幅器８の出力はこの時定数振動を有する直
流電圧となり、ＯＰアンプ１２に入力される。

【００３３】電圧電流変換回路３０２のトランジスタ１
３のエミッタ電流はレーザダイオード１ａのＯＦＦレベ
ル電流IL(OFF) にほぼ等しく、よって、抵抗１４（抵抗
値：RL）間電圧VL(OFF) は、

【００３４】

【数１】VL(OFF) ＝ RL ・IL(OFF) で表される。抵抗１４間電圧VL(OFF) はＯＰアンプ１２
の入力端子と同一になるようにフィードバックが働く。

【００３５】このように、光結合されたレーザダイオー
ド１ａとフォトダイオード１ｂを介してフィードバック
ループが構成され、ＯＦＦレベル光量制御を行うことが
できる。このループにおいて、VREF(OFF) を設定する
と、IL(OFF) とIS(OFF) が一義的に決定する。ここで、
レーザダイオード１ａの発光光量がレーザ発振領域下限
（またはLED 発光領域最上限）となるようにVREF(OFF)
を設定すると、光電気フィードバックループにより一定
光量を維持し続けることになる。

【００３６】ついで、サンプルスイッチ６がＯＦＦにな
ると、コンデンサ７間電圧はＯＰアンプ１２の高入力抵
抗により一定時間内ではほぼ同レベルを保持する。比較
増幅動作は時定数コンデンサ９の容量および時定数抵抗
１０によりその動作速度を制限され両入力が近接状態に
あるときには出力変化が停止する。つまり、サンプルス
イッチ６がＯＦＦ後も一定時間は比較増幅出力が一定と
なり、レーザダイオード１ａの駆動電流を一定にし、そ
の結果、レーザダイオード１ａの発光レベルを一定にす
る。

【００３７】次に、ＯＮレベル光量制御を説明する。

【００３８】上述したＯＦＦレベル光量制御後、ＯＦＦ
発光レベルの決定後に、ＯＮレベル光量制御が開始され
る。ＯＮレベル光量制御の目的は、(1) 目的とするレー
ザ発光光量を安定化させることにある。

【００３９】PWM 信号２５が１のとき、PWM スイッチン
グ回路１５により、トランジスタ２３からの電流をレー
ザダイオード１ａに接続する。この時、レーザダイオー
ド１ａにはトランジスタ１３からのＯＦＦレベル電流が
既に流れており、新たに接続されたＯＮレベル電流によ
りレーザダイオード１ａは、レーザ発振領域最下限（ま
たはLED 発光領域最上限）の発光状態から一気にＯＮレ
ベル発光状態に移る。レーザダイオード１ａからのレー
ザ光は、フォトダイオード１ｂにより受光される。

【００４０】そして、シーケンスCLK 発生回路５００か
らの検出抵抗切り換え信号１００５により、抵抗切り換
えスイッチ５は低抵抗３側に切り換えられる（図２参
照）。モニタダイオード１ｂからの大光電流IS(ON)は、
抵抗切り換えスイッチ５と低抵抗（抵抗値：R(LOW)）４
を通過することにより、ＯＰアンプ２の出力には、R(LO
W)・IS(ON)なる電圧が得られる。

【００４１】R(LOW)・IS(ON)が安定した状態で、シーケ
ンスCLK 発生回路５００からのON発光レベルサンプル信
号１０１６により、サンプルスイッチ６がＯＦＦにされ
るとともに、サンプルスイッチ１６がＯＮにされる（図
２参照）。サンプルスイッチ１６をＯＮさせると、R(LO
W)・IS(ON)電圧がホールドコンデンサ１７に印加され、
比較増幅器１８はホールドコンデンサ１７に充電された
R(LOW)・IS(ON)電圧と、基準電圧VREFonを時定数抵抗２
０を通して比較増幅する。R(LOW)・IS(ON) ＜VREFonの
場合は出力電圧が上昇し、他方、R(LOW)・IS(ON) ＞
VREFonの場合は出力電圧が下降する。

【００４２】この電圧の上昇および下降速度は、時定数
コンデンサ１９と時定数抵抗２０により決定される時定
数で決まる。比較増幅器１８の出力はこの時定数振動を
有する直流電圧となり電圧電流変換回路４０２に入力さ
れる。

【００４３】電圧電流変換回路４０２のトランジスタ２
３のエミッタ電流は、レーザダイオード１ａのＯＮレベ
ル電流IL(ON)にほぼ等しく、よって、抵抗２４（抵抗
値：RL）間の電圧VL(ON)は、次の式

【００４４】

【数２】VL(ON)＝RL・IL(ON) で表される。抵抗２４間の電圧VL(ON)と、ＯＰアンプ２
２の非反転端子の電圧とが同一になるようにフィードバ
ックが働く。

【００４５】このように、光結合されたレーザダイオー
ド１ａとフォトダイオード１ｂを介してフィードバック
ループが構成され、ＯＮレベル光量制御を行うことがで
きる。このループにおいて、VREF(ON)を設定すると、IL
(ON)とIS(ON)が一義的に決定される。ここで、レーザダ
イオード１ａの発光光量がレーザ発振領域の目標値とな
るようにVREF(ON)を設定すると、光電気フィードバック
ループにより一定光量を維持し続けることになる。

【００４６】ついで、サンプルスイッチ１６がＯＦＦに
なると、ホールドコンデンサ１７間電圧はＯＰアンプ２
２の高入力抵抗により一定時間内ではほぼ同レベルを保
持する。比較増幅動作は時定数コンデンサ１９および時
定数抵抗２０によりその動作速度が制限され、両入力が
近接状態にあるとき出力変化が停止する。つまり、サン
プルスイッチ１６がＯＦＦの後も、一定時間は比較増幅
出力が一定となり、レーザダイオード１ａの駆動電流を
一定にし、その結果、ＯＮ発光レベルを一定にする。

【００４７】本実施例では、このようにしたので、(1)
レーザダイオードの発光動作点をＯＦＦレベル発光制御
としてレーザ発振領域最下限またはLED 発光領域最上限
におくことにより、ＯＮレベル制御電流を加算し、レー
ザダイオードをＯＮ発光させた時の光振動を最小限に抑
え、(2) 微弱なＯＦＦ発光レベルの温度による経時変動
を抑え、(3) ＯＦＦレベル発光制御により得られたＯＦ
Ｆレベルレーザダイオード電流に、ＯＮレベル制御電流
を加算することにより間、目的とするＯＮレベルレーザ
発光光量を得るとともにＯＮレベルレーザ発光光量の安
定化を図ることができる。

【００４８】従来より、レーザを高速変調するため、Ｏ
ＦＦレベル発光点をレーザダイオードのスレシホールド
電流値近傍におく試みが行われているが、このスレシホ
ールド電流値は周囲温度およびレーザダイオードの自己
昇温により値が変化するため、低温時にそのときのスレ
シホールド電流値ぎりぎりにＯＦＦレベル発光電流を設
定したとすると、光量安定化(APC) 機構によりLED 発光
領域にあったバイアス電流値が温度変化とともに、レー
ザ発振領域に食い込み、ＯＦＦ発光レベルの上昇を招
き、画像カブリ減少を起こしてしまう。この減少を避け
るため、ＯＦＦ発光レベル電流値をスレシホールド電流
値から遠ざかるLED 発光領域に置くと、今度は、ＯＮレ
ベル発光させたときにレーザ光の立上がり振動（レーザ
緩和振動）が大きくなり、PWM パルス幅を狭くしたと
き、その細パルス発光内に占めるレーザ緩和振動の割合
が大きくなるため、正確な光量時間積が出なくなり細パ
ルス発光から太パルス発光までのPWM 入力信号に対する
比例関係（直線性）が崩れる。この相反する問題を解決
するため、本実施例では、微小なＯＦＦ発光レベルを検
出抵抗を切り換えることにより検出可能とし、温度変化
により移動するレーザスレシホールド電流値に関わらず
ＯＦＦ発光光量を安定化させることにより、LED 発光領
域最上限とレーザダイオード発振領域最下限領域にレー
ザ駆動点を持ってくることができ、しかも、ＯＮ発光検
出抵抗を切り換えることによりレーザＯＮ発光光量を安
定化し、レーザのPWM 高速光変調を可能とし、画像書き
込み装置の高速化、高解像化、高階調化を実現した。レ
ーザダイオード動作電流と発光量の関係の一例を図３に
示す。

【００４９】＜第２実施例＞本実施例は第１実施例との
比較でいえば、装置の構成が相違する。すなわち、第１
実施例では、PWM 画像信号２５が論理０であるとき、シ
ーケンスCLK 発生回路５００により、電流電圧変換回路
２００の検出抵抗切り換えスイッチ５を低抵抗３側に切
り換え、サンプルスイッチ６をＯＮにするとともに、サ
ンプルスイッチ１６をＯＦＦにし、他方、PWM 画像信号
２５が論理１であるとき、シーケンスCLK 発生回路５０
０により、電流電圧変換回路２００の検出抵抗切り換え
スイッチ５を高抵抗４側に切り換え、サンプルスイッチ
６をＯＦＦにするとともに、サンプルスイッチ１６をＯ
Ｎにした。

【００５０】これに対して、本実施例では、図４に示す
ように、ＯＦＦ発光レベル検出回路６００を、OPアンプ
６０２と、低抵抗６０３と、ツェナダイオード６０４と
により構成し、ＯＦＦ発光レベル検出回路６００をサン
プルスイッチ６を介してOFFベル光量制御回路３００に
接続した。ツェナダイオード６０４は、強大なＯＮ発光
光電流によりOPアンプ６０２が飽和しないようにするた
めのものである。また、ＯＮ発光レベル検出回路７００
をOPアンプ７０２と、高抵抗７０４とにより構成し、Ｏ
Ｎ発光レベル検出回路７００をサンプルスイッチ１６を
介してONレベル光量制御回路４００に接続した。そし
て、PWM 画像信号２５が論理０のとき、シーケンスCLK
発生回路８００により、サンプルスイッチ６をＯＮにす
るとともに、サンプルスイッチ１６をＯＦＦにし、他
方、PWM 画像信号２５が論理１のとき、シーケンスCLK
発生回路８００により、サンプルスイッチ６をＯＦＦに
するとともに、サンプルスイッチ１６をＯＮにする。

【００５１】本実施例では、このようにしたので、発光
光量検出までの時間を短縮することができ、１主走査区
間をより短くでき、しかも、高速書き込みを行うことが
できる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上記のように構成したので、レーザダイオード発光振動
を抑えることができ、再現画像の階調正を確保でき、し
かも、温度変化による発光光量の変動を抑えることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示すブロック図である。

【図２】図１に示す各部のタイミングを示すタイミング
チャートである。

【図３】レーザダイオードの動作領域を説明するための
説明図である。

【図４】本発明の第２実施例を示すブロック図である。

【符号の説明】

１００ レーザ素子 １ａ レーザダイオード １ｂ モニタダイオード ２ ＯＰアンプ ３ 低抵抗 ４ 高抵抗 ５ 抵抗切り換えスイッチ ６，１６ サンプルスイッチ ７，１７ ホールドコンデンサ ８，１１，１８，２２ ＯＰアンプ ９，１９ 時定数コンデンサ １０，２０ 時定数抵抗 １１，２１ 基準電圧源 １３，２３ トランジスタ １４，２４ 抵抗 １５ スイッチング回路 ２５ PWM 画像信号 ２００ 電流電圧変換回路 ３００ ＯＦＦレベル光量制御回路 ３０１ ＯＦＦ発光レベル比較増幅器 ３０２ 電圧電流変換回路 ４００ ＯＮレベル光量制御回路 ４０１ ＯＮ発光レベル比較増幅器 ４０２ 電圧電流変換回路

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザダイオードをＰＷＭ駆動するレー
   ザ書き込み装置において、 レーザダイオードＯＦＦ発光時の前記レーザダイオード
   の出射光量を検出する第１光量検出手段と、 レーザダイオードＯＮ発光時の前記レーザダイオードの
   出射光量を検出する第２光量検出手段と、 レーザダイオードＯＦＦ発光時に、前記第１光量検出手
   段による検出光量と所定の第１基準値との比較結果に応
   じて、レーザ駆動点をレーザダイオード発振領域最下限
   領域に維持するとともに、前記レーザダイオードのＯＦ
   Ｆ発光光量をレーザダイオードの最小光量で安定化させ
   る第１安定化手段と、 レーザダイオードＯＮ発光時に、前記第２光量検出手段
   による検出光量と所定の第２基準値との比較結果に応じ
   て、前記レーザダイオードのＯＮ発光光量をレーザダイ
   オードの最大光量で安定化させる第２安定化手段とを備
   えたことを特徴とするレーザ書き込み装置。