JPH0871366A - 排ガスの処理方法及び装置 - Google Patents
排ガスの処理方法及び装置Info
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- JPH0871366A JPH0871366A JP7182119A JP18211995A JPH0871366A JP H0871366 A JPH0871366 A JP H0871366A JP 7182119 A JP7182119 A JP 7182119A JP 18211995 A JP18211995 A JP 18211995A JP H0871366 A JPH0871366 A JP H0871366A
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- exhaust gas
- absorbing liquid
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 排ガスの処理において、汚染物質除去率の高
められた方法及び装置を提供する。 【構成】 排ガスを吸収液と接触させて浄化する方法に
おいて、（i）第１隔板２と第２隔板３とによって内部
が第１室５と第２室６と第３室７とに区画された密閉槽
１における第２室に排ガスを供給する、（ii）第２室に
供給された排ガスをガス分散管９を通して第１室に収容
されている吸収液中に吹込む、（iii）第１室の上部空
間に存在する排ガスを排ガス上昇管１０を通して第３室
に導入する、（iv）第３室に導入された排ガスを吸収液
と接触させる、（v）第２隔板の上面に存在する吸収液
を吸収液流下管１１を通して第１室の吸収液中に導入さ
せる、（vi）第１室に収容されている吸収液の一部を第
３室に循環させること、（vii）第３室で吸収液粒子と
接触した後の浄化排ガスを第３室から排出させる。
められた方法及び装置を提供する。 【構成】 排ガスを吸収液と接触させて浄化する方法に
おいて、（i）第１隔板２と第２隔板３とによって内部
が第１室５と第２室６と第３室７とに区画された密閉槽
１における第２室に排ガスを供給する、（ii）第２室に
供給された排ガスをガス分散管９を通して第１室に収容
されている吸収液中に吹込む、（iii）第１室の上部空
間に存在する排ガスを排ガス上昇管１０を通して第３室
に導入する、（iv）第３室に導入された排ガスを吸収液
と接触させる、（v）第２隔板の上面に存在する吸収液
を吸収液流下管１１を通して第１室の吸収液中に導入さ
せる、（vi）第１室に収容されている吸収液の一部を第
３室に循環させること、（vii）第３室で吸収液粒子と
接触した後の浄化排ガスを第３室から排出させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、排ガス中に含まれてい
る汚染物質を高除去率でかつ経済的に除去し得る排ガス
の処理方法及び装置に関するものである。
る汚染物質を高除去率でかつ経済的に除去し得る排ガス
の処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、水平隔板によってその内部が２つ
又は３つの室に区画された密閉容器と、その水平隔板に
配設された多数の透孔に垂設された多数のガス分散管を
備えた多管式排ガス処理装置は知られている（特公平３
−７０５３２号、特開平３−７２９１３号、特開平３−
２６２５１０号等）。
又は３つの室に区画された密閉容器と、その水平隔板に
配設された多数の透孔に垂設された多数のガス分散管を
備えた多管式排ガス処理装置は知られている（特公平３
−７０５３２号、特開平３−７２９１３号、特開平３−
２６２５１０号等）。
【０００３】このような多管式排ガス処理装置は、排煙
脱硫装置として広く利用されており、その脱硫率も９０
〜９５％と比較的高いものであるが、近年においては、
地球環境保全の点等から、さらに高い脱硫率で排ガスを
処理することが要望されている。このような要望に対し
ては、ガス分散管の先端を吸収液中に沈める深度を増加
させたり、吸収液のｐＨを高めて吸収液の性能を高める
こと等により対応されているが、しかし、前者の方法で
は排ガスの圧力損失が増大するために動力費用が増大
し、一方、後者の方法では、排ガス処理の副生物として
得られる石こう中への未反応吸収剤の混入量が増大する
という問題があった。
脱硫装置として広く利用されており、その脱硫率も９０
〜９５％と比較的高いものであるが、近年においては、
地球環境保全の点等から、さらに高い脱硫率で排ガスを
処理することが要望されている。このような要望に対し
ては、ガス分散管の先端を吸収液中に沈める深度を増加
させたり、吸収液のｐＨを高めて吸収液の性能を高める
こと等により対応されているが、しかし、前者の方法で
は排ガスの圧力損失が増大するために動力費用が増大
し、一方、後者の方法では、排ガス処理の副生物として
得られる石こう中への未反応吸収剤の混入量が増大する
という問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、排ガスの処
理において、汚染物質除去率の高められた方法及び装置
を提供することをその課題とする。
理において、汚染物質除去率の高められた方法及び装置
を提供することをその課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、排ガスを吸収液と接
触させて浄化する方法において、（i）第１隔板とその
上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と
第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接す
る第３室とに区画された密閉槽におけるその第２室に排
ガスを供給すること、（ii）第２室に供給された排ガス
を第１隔板に形成された透孔に垂設されたガス分散管を
通して第１室に収容されている吸収液中に吹込むこと、
（iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを排ガス上
昇管を通して第３室に導入すること、（iv）第３室に導
入された排ガスを吸収液と接触させること、（v）第３
室の床面を形成する第２隔板の上面に存在する吸収液を
その先端がガス分散管のガス噴出孔より下方に位置する
吸収液流下管を通して第１室の吸収液中に導入させるこ
と、（vi）第１室に収容されている吸収液の一部を前記
第３室に循環させること、（vii）第３室で吸収液粒子
と接触した後の浄化排ガスを第３室から排出させるこ
と、を特徴とする排ガスの処理方法が提供される。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、排ガスを吸収液と接
触させて浄化する方法において、（i）第１隔板とその
上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と
第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接す
る第３室とに区画された密閉槽におけるその第２室に排
ガスを供給すること、（ii）第２室に供給された排ガス
を第１隔板に形成された透孔に垂設されたガス分散管を
通して第１室に収容されている吸収液中に吹込むこと、
（iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを排ガス上
昇管を通して第３室に導入すること、（iv）第３室に導
入された排ガスを吸収液と接触させること、（v）第３
室の床面を形成する第２隔板の上面に存在する吸収液を
その先端がガス分散管のガス噴出孔より下方に位置する
吸収液流下管を通して第１室の吸収液中に導入させるこ
と、（vi）第１室に収容されている吸収液の一部を前記
第３室に循環させること、（vii）第３室で吸収液粒子
と接触した後の浄化排ガスを第３室から排出させるこ
と、を特徴とする排ガスの処理方法が提供される。
【０００６】また、本発明によれば、第１隔板とその上
方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第
１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する
第３室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成さ
れた排ガス入口と、第３室の天板又は側壁に配設された
浄化排ガス出口と、第１隔板に形成された透孔と、その
透孔に垂設されたガス分散管と、第１室と第３室とを連
絡する排ガス上昇管と、第３室の上部に配設された吸収
液分散手段と、第２隔板に形成された透孔と、その透孔
に垂設され、その先端が前記ガス分散管のガス噴出孔よ
り下方に位置する吸収液流下管と、第１室に収容されて
いる吸収液を第３室の吸収液分散手段に循環させる配管
を備えたことを特徴とする排ガス処理装置が提供され
る。さらに、本発明によれば、排ガスを吸収液と接触さ
せて浄化する方法において、（i）隔板によってその内
部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室とに区画さ
れた密閉槽におけるその第２室に排ガスを供給するこ
と、（ii）第２室に供給された排ガスを隔板に形成され
た透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容さ
れている吸収液中に吹込むこと、（iii）第１室の上部
空間に存在する排ガスを、第２室を貫通する排ガス上昇
筒内に導入し、上昇させること、（iv）排ガス上昇筒内
に導入した排ガスを該筒内において吸収液と接触させた
後筒外へ排出させること、（v）第１室に収容されてい
る吸収液の一部を前記排ガス上昇筒内の排ガスとの接触
のために排ガス上昇筒に循環させること、を特徴とする
排ガスの処理方法が提供される。さらにまた、本発明に
よれば、隔板によってその内部が第１室の上方に隣接す
る第２室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成
された排ガス入口と、隔板に形成された透孔と、その透
孔に垂設されたガス分散管と、第２室を貫通し、その下
端が第１室内に開口する排ガス上昇筒と、排ガス上昇筒
内に配設された吸収液分散手段と、第１室に収容されて
いる吸収液を排ガス上昇筒内に配設されている吸収液分
散手段に循環させる配管を備えたことを特徴とする排ガ
ス処理装置が提供される。
方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第
１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する
第３室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成さ
れた排ガス入口と、第３室の天板又は側壁に配設された
浄化排ガス出口と、第１隔板に形成された透孔と、その
透孔に垂設されたガス分散管と、第１室と第３室とを連
絡する排ガス上昇管と、第３室の上部に配設された吸収
液分散手段と、第２隔板に形成された透孔と、その透孔
に垂設され、その先端が前記ガス分散管のガス噴出孔よ
り下方に位置する吸収液流下管と、第１室に収容されて
いる吸収液を第３室の吸収液分散手段に循環させる配管
を備えたことを特徴とする排ガス処理装置が提供され
る。さらに、本発明によれば、排ガスを吸収液と接触さ
せて浄化する方法において、（i）隔板によってその内
部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室とに区画さ
れた密閉槽におけるその第２室に排ガスを供給するこ
と、（ii）第２室に供給された排ガスを隔板に形成され
た透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容さ
れている吸収液中に吹込むこと、（iii）第１室の上部
空間に存在する排ガスを、第２室を貫通する排ガス上昇
筒内に導入し、上昇させること、（iv）排ガス上昇筒内
に導入した排ガスを該筒内において吸収液と接触させた
後筒外へ排出させること、（v）第１室に収容されてい
る吸収液の一部を前記排ガス上昇筒内の排ガスとの接触
のために排ガス上昇筒に循環させること、を特徴とする
排ガスの処理方法が提供される。さらにまた、本発明に
よれば、隔板によってその内部が第１室の上方に隣接す
る第２室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成
された排ガス入口と、隔板に形成された透孔と、その透
孔に垂設されたガス分散管と、第２室を貫通し、その下
端が第１室内に開口する排ガス上昇筒と、排ガス上昇筒
内に配設された吸収液分散手段と、第１室に収容されて
いる吸収液を排ガス上昇筒内に配設されている吸収液分
散手段に循環させる配管を備えたことを特徴とする排ガ
ス処理装置が提供される。
【０００７】次に、本発明を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の排ガス処理装置の模式図を示す。この
図において、１は密閉槽、２は第１隔板、３は第２隔
板、４は天板、５は第１室、６は第２室、７は第３室、
８は排ガス導入ダクト、９はガス分散管、１０は排ガス
上昇管、１１は吸収液流下管、１２は排ガス導出ダク
ト、１３はミストエリミネータ、１４は吸収液抜出し
管、１５は吸収剤混入管、１６はポンプ、１７は吸収液
導管、１８は吸収液分散手段、１９は吸収剤導入管、２
０は酸素含有ガス供給管、２１は酸素含有ガス噴出ノズ
ル、２２は排液管、２３は吸収液の静止液面、２４は撹
拌機、Ａはフロス層（気液混合層）、Ｌは吸収液を各示
す。
図１は、本発明の排ガス処理装置の模式図を示す。この
図において、１は密閉槽、２は第１隔板、３は第２隔
板、４は天板、５は第１室、６は第２室、７は第３室、
８は排ガス導入ダクト、９はガス分散管、１０は排ガス
上昇管、１１は吸収液流下管、１２は排ガス導出ダク
ト、１３はミストエリミネータ、１４は吸収液抜出し
管、１５は吸収剤混入管、１６はポンプ、１７は吸収液
導管、１８は吸収液分散手段、１９は吸収剤導入管、２
０は酸素含有ガス供給管、２１は酸素含有ガス噴出ノズ
ル、２２は排液管、２３は吸収液の静止液面、２４は撹
拌機、Ａはフロス層（気液混合層）、Ｌは吸収液を各示
す。
【０００８】図１に示す装置全体は、大型の密閉槽１か
ら構成され、その槽の内部は、第１隔板２及びその上方
に位置する第２隔板３によって第１室５と第１室の上方
に隣接する第２室６と第２室の上方に隣接する第３室７
とに区画されている。第３室の上部空間は天板４によっ
て密閉されている。第１隔板２には多数の透孔が配設さ
れ、これらの各透孔にはガス分散管９が垂設されてい
る。第１隔板２は水平又はやや傾斜したものであること
ができる。第２隔板３は水平又はやや傾斜したものであ
ることができ、その傾斜角は特に制約されない。第１室
５の内部には、吸収液Ｌが収容されている。また、第１
室には、撹拌機２４と、吸収液Ｌ中に酸素を供給する必
要がある場合に用いられる酸素含有ガス噴出ノズル２１
が配設されている。図１において、撹拌機２４としては
水平方向に回転するものが示されているが、この撹拌機
は垂直方向に回転するものを配設することができる。こ
の場合、回転軸は側壁を介して配設される。第２室６の
周壁には排ガス入口が配設され、この入口には排ガス導
入ダクト８が連結されている。第２室の空間には特別の
装置は配設されていないが、必要に応じ、吸収液をスプ
レーするためのスプレーノズルを配設することもでき
る。第３室７の上部には、吸収液分散手段としてのスプ
レーノズル１８が配設されている。図１において、スプ
レーノズル１８は１段に配列されているが、必要に応
じ、２段以上の複数段に配列することもできる。吸収液
分散手段は、酢ぷれーノズルの他、パイプに細孔を多数
穿設したもの等であってもよい。第３室７の上方に配設
された天板４には、浄化排ガス出口が配設され、この出
口には浄化排ガス導出ダクト１２が連結されている。浄
化排ガス出口の配設位置は天板に限られるものではな
く、側壁であってもよい。第１室５と第３室７との間に
は、第１室の吸収液を第３室のスプレーノズル１８に循
環させるための循環ラインが配設されている。この循環
ラインは、吸収液抜出し管１４、循環ポンプ１６及び吸
収液導管１７からなる。この循環ラインには、必要に応
じ、吸収剤をその循環吸収液に混入させるための吸収剤
混入管１５が連結されている。
ら構成され、その槽の内部は、第１隔板２及びその上方
に位置する第２隔板３によって第１室５と第１室の上方
に隣接する第２室６と第２室の上方に隣接する第３室７
とに区画されている。第３室の上部空間は天板４によっ
て密閉されている。第１隔板２には多数の透孔が配設さ
れ、これらの各透孔にはガス分散管９が垂設されてい
る。第１隔板２は水平又はやや傾斜したものであること
ができる。第２隔板３は水平又はやや傾斜したものであ
ることができ、その傾斜角は特に制約されない。第１室
５の内部には、吸収液Ｌが収容されている。また、第１
室には、撹拌機２４と、吸収液Ｌ中に酸素を供給する必
要がある場合に用いられる酸素含有ガス噴出ノズル２１
が配設されている。図１において、撹拌機２４としては
水平方向に回転するものが示されているが、この撹拌機
は垂直方向に回転するものを配設することができる。こ
の場合、回転軸は側壁を介して配設される。第２室６の
周壁には排ガス入口が配設され、この入口には排ガス導
入ダクト８が連結されている。第２室の空間には特別の
装置は配設されていないが、必要に応じ、吸収液をスプ
レーするためのスプレーノズルを配設することもでき
る。第３室７の上部には、吸収液分散手段としてのスプ
レーノズル１８が配設されている。図１において、スプ
レーノズル１８は１段に配列されているが、必要に応
じ、２段以上の複数段に配列することもできる。吸収液
分散手段は、酢ぷれーノズルの他、パイプに細孔を多数
穿設したもの等であってもよい。第３室７の上方に配設
された天板４には、浄化排ガス出口が配設され、この出
口には浄化排ガス導出ダクト１２が連結されている。浄
化排ガス出口の配設位置は天板に限られるものではな
く、側壁であってもよい。第１室５と第３室７との間に
は、第１室の吸収液を第３室のスプレーノズル１８に循
環させるための循環ラインが配設されている。この循環
ラインは、吸収液抜出し管１４、循環ポンプ１６及び吸
収液導管１７からなる。この循環ラインには、必要に応
じ、吸収剤をその循環吸収液に混入させるための吸収剤
混入管１５が連結されている。
【０００９】第１隔板２には、第１室５と第２室６との
間を連絡する透孔が多数配設され、各透孔にはその先端
が吸収液中に延びるガス分散管９が垂設されている。ま
た、第１隔板２及び第２隔板３には、排ガス上昇管１０
を配設するための開口が配設され、これらの開口には、
第１室５の上部空間に存在する排ガスを第３室７に導入
させるための排ガス上昇管１０が連結されている。この
場合、排ガス上昇管１０の開口端は第２隔板の上面より
上方に突出し、第２隔板上の吸収液がこの排ガス上昇管
内を流下しないようになっている。また、第２隔板３に
は、複数の透孔が配設され、この透孔には、その先端が
第１室５に収容されている吸収液中に延びる吸収液流下
管１１が垂設されている。この場合、吸収液流下管１１
の先端は、ガス分散管９のガス噴出孔よりも下方に位置
する。
間を連絡する透孔が多数配設され、各透孔にはその先端
が吸収液中に延びるガス分散管９が垂設されている。ま
た、第１隔板２及び第２隔板３には、排ガス上昇管１０
を配設するための開口が配設され、これらの開口には、
第１室５の上部空間に存在する排ガスを第３室７に導入
させるための排ガス上昇管１０が連結されている。この
場合、排ガス上昇管１０の開口端は第２隔板の上面より
上方に突出し、第２隔板上の吸収液がこの排ガス上昇管
内を流下しないようになっている。また、第２隔板３に
は、複数の透孔が配設され、この透孔には、その先端が
第１室５に収容されている吸収液中に延びる吸収液流下
管１１が垂設されている。この場合、吸収液流下管１１
の先端は、ガス分散管９のガス噴出孔よりも下方に位置
する。
【００１０】図１に示した装置を用いて排ガスの浄化処
理を行うには、排ガスを排ガス導入ダクト８から第２室
６内に導入し、ここからガス分散管９を介して第１室５
内の吸収液Ｌ中に吹込む。吸収液中に吹込まれた排ガス
は気泡となって上昇し、その分散管のガス噴出孔より上
方には気泡と吸収液との混合相からなるフロス層Ａが形
成される。排ガスが吸収液中を気泡として上昇する間に
排ガス中に含まれている汚染物質は吸収液と反応し、排
ガス中から除去される。このようにして浄化された排ガ
スは、フロス層Ａから上部空間に放散され、ここから排
ガス上昇管１０を通って第３室７に導入される。この第
３室内には、吸収液抜出し管１４、ポンプ１６、吸収液
導管１７を通って循環される吸収液がスプレーノズル１
８からスプレーされている。第３室に導入された排ガス
はこの吸収液粒子（平均粒子径：２００〜４０００μ
ｍ）と接触し、排ガス中に残存する汚染物質がその吸収
液粒子と反応し、排ガス中から除去される。第３室内に
おける吸収液粒子との接触により浄化された浄化排ガス
は第３室の上方に配設された天板４の開口部に連結され
た浄化排ガス導出ダクト１２を通って槽外へ抜出され、
ミストセパレーター１３に導入され、ここでそのガス中
に含まれていた吸収液粒子が除去された後、大気へ放出
される。
理を行うには、排ガスを排ガス導入ダクト８から第２室
６内に導入し、ここからガス分散管９を介して第１室５
内の吸収液Ｌ中に吹込む。吸収液中に吹込まれた排ガス
は気泡となって上昇し、その分散管のガス噴出孔より上
方には気泡と吸収液との混合相からなるフロス層Ａが形
成される。排ガスが吸収液中を気泡として上昇する間に
排ガス中に含まれている汚染物質は吸収液と反応し、排
ガス中から除去される。このようにして浄化された排ガ
スは、フロス層Ａから上部空間に放散され、ここから排
ガス上昇管１０を通って第３室７に導入される。この第
３室内には、吸収液抜出し管１４、ポンプ１６、吸収液
導管１７を通って循環される吸収液がスプレーノズル１
８からスプレーされている。第３室に導入された排ガス
はこの吸収液粒子（平均粒子径：２００〜４０００μ
ｍ）と接触し、排ガス中に残存する汚染物質がその吸収
液粒子と反応し、排ガス中から除去される。第３室内に
おける吸収液粒子との接触により浄化された浄化排ガス
は第３室の上方に配設された天板４の開口部に連結され
た浄化排ガス導出ダクト１２を通って槽外へ抜出され、
ミストセパレーター１３に導入され、ここでそのガス中
に含まれていた吸収液粒子が除去された後、大気へ放出
される。
【００１１】スプレーノズル１８から粒子状でスプレー
された吸収液の一部は第２隔板３の上面に落下滞留し、
ここから吸収液流下管１１を通って吸収液中へ返還され
る。吸収液流下管１１の先端は、ガス分散管９のガス噴
出孔より下方に位置させる。吸収液流下管１１の先端が
ガス分散管９のガス噴出孔より上方に位置するときに
は、ガス噴出孔より吸収液中に噴出された排ガスの気泡
の一部がこの吸収液流下管１１内を上昇するようになる
ので好ましくない。この吸収液流下管の先端位置は、ガ
ス分散管９のガス噴出孔の位置よりも、３０ｃｍ以上、
好ましくは５０〜１５０ｃｍ下方に設定するのがよい。
された吸収液の一部は第２隔板３の上面に落下滞留し、
ここから吸収液流下管１１を通って吸収液中へ返還され
る。吸収液流下管１１の先端は、ガス分散管９のガス噴
出孔より下方に位置させる。吸収液流下管１１の先端が
ガス分散管９のガス噴出孔より上方に位置するときに
は、ガス噴出孔より吸収液中に噴出された排ガスの気泡
の一部がこの吸収液流下管１１内を上昇するようになる
ので好ましくない。この吸収液流下管の先端位置は、ガ
ス分散管９のガス噴出孔の位置よりも、３０ｃｍ以上、
好ましくは５０〜１５０ｃｍ下方に設定するのがよい。
【００１２】ガス分散管９としては、下端部の周壁面に
ガス噴出孔を有するものや、下端がノズル構造に形成さ
れたもの等の各種のものを用いることができる。図４に
下端部の周壁面にガス噴出孔を有するガス分散管の斜視
図を示す。図４において、９はガス分散管を示し、３５
はその下端部周壁面に形成されたガス噴出孔を示す。
ガス噴出孔を有するものや、下端がノズル構造に形成さ
れたもの等の各種のものを用いることができる。図４に
下端部の周壁面にガス噴出孔を有するガス分散管の斜視
図を示す。図４において、９はガス分散管を示し、３５
はその下端部周壁面に形成されたガス噴出孔を示す。
【００１３】第１室５に収容された吸収液の一部をノズ
ル１８に循環させる場合、第１室から抜出した吸収液
は、これをそのままスプレーノズル１８に循環させるこ
とができる他、その吸収液に新しい吸収剤を添加して吸
収液の性能を向上させた後、スプレーノズルに循環させ
ることができる。吸収剤導入管１４から導入される新し
い吸収剤は、吸収剤導入管１９から第１室５の吸収液に
導入されるものと同一でも、異っていてもよい。また、
吸収液が吸収剤や副生物（石こう等）を含むスラリー
で、その固形分濃度が高いときには、濾過や遠心分離等
によりその固形分をあらかじめ除去した後、スプレーノ
ズルに循環することもできる。スプレーノズル１８から
スプレーさせる吸収液の量は、標準状態に換算された排
ガス量１ｍ3／ｈｒ当り、通常、０．１〜１０ｋｇ/ｈ
ｒ、好ましくは０．２〜２ｋｇ/ｈｒで、出口排ガス中
の汚染物質が所望濃度になるように設定される。このよ
うな吸収液量をスプレーさせることにより、排ガス中に
残存する極く少量の汚染物質を効果的に除去することが
できる。
ル１８に循環させる場合、第１室から抜出した吸収液
は、これをそのままスプレーノズル１８に循環させるこ
とができる他、その吸収液に新しい吸収剤を添加して吸
収液の性能を向上させた後、スプレーノズルに循環させ
ることができる。吸収剤導入管１４から導入される新し
い吸収剤は、吸収剤導入管１９から第１室５の吸収液に
導入されるものと同一でも、異っていてもよい。また、
吸収液が吸収剤や副生物（石こう等）を含むスラリー
で、その固形分濃度が高いときには、濾過や遠心分離等
によりその固形分をあらかじめ除去した後、スプレーノ
ズルに循環することもできる。スプレーノズル１８から
スプレーさせる吸収液の量は、標準状態に換算された排
ガス量１ｍ3／ｈｒ当り、通常、０．１〜１０ｋｇ/ｈ
ｒ、好ましくは０．２〜２ｋｇ/ｈｒで、出口排ガス中
の汚染物質が所望濃度になるように設定される。このよ
うな吸収液量をスプレーさせることにより、排ガス中に
残存する極く少量の汚染物質を効果的に除去することが
できる。
【００１４】本発明においては、第２室６内にも、第３
室７の場合と同様にして、スプレーノズルを配設し、第
１室５内の吸収液をこのスプレーノズルに循環し、この
スプレーノズルから吸収液を粒子状でスプレーさせるこ
とができる。このようにして第２室内に配設されたスプ
レーノズルからのスプレーにより形成された吸収液粒子
は、第２室６内に導入された排ガスと接触し、排ガス中
の汚染物質及び固体状微粒子（粉塵）を捕捉し、排ガス
中から除去させる。また、この吸収液粒子は排ガスを冷
却させるとともに増湿させる効果も示す。このスプレー
ノズルから第２室にスプレーさせる吸収液の量は、標準
状態に換算された排ガス供給量１ｍ3／ｈｒ当り、通
常、０．２〜５ｋｇ／ｈｒ、好ましくは０．５〜２ｋｇ
／ｈｒである。
室７の場合と同様にして、スプレーノズルを配設し、第
１室５内の吸収液をこのスプレーノズルに循環し、この
スプレーノズルから吸収液を粒子状でスプレーさせるこ
とができる。このようにして第２室内に配設されたスプ
レーノズルからのスプレーにより形成された吸収液粒子
は、第２室６内に導入された排ガスと接触し、排ガス中
の汚染物質及び固体状微粒子（粉塵）を捕捉し、排ガス
中から除去させる。また、この吸収液粒子は排ガスを冷
却させるとともに増湿させる効果も示す。このスプレー
ノズルから第２室にスプレーさせる吸収液の量は、標準
状態に換算された排ガス供給量１ｍ3／ｈｒ当り、通
常、０．２〜５ｋｇ／ｈｒ、好ましくは０．５〜２ｋｇ
／ｈｒである。
【００１５】本発明装置の第３室７内には、その第２隔
板３とスプレーノズル１８との間に、充填層を配設する
ことができる。この場合の装置の模式図を図２に示す。
図２において、３０は充填層を示す。図２に示した符号
において、図１に示したものと同じ符号は同じ意味を示
す。第３室７内に充填層３０を配設するときには、排ガ
ス上昇管１０を通って第１室５から第３室７に上昇して
きた排ガスは、スプレーノズル１８からスプレーされた
吸収液が流下する充填層３０を通過し、その間に吸収液
と接触し、次いでスプレーノズルからスプレーされてい
る吸収液粒子と接触した後、浄化排ガス導出ダクト１２
から排出される。排ガスが充填層を通過する際には、排
ガスは充填層内の充填材表面を流下する吸収液と効率よ
く接触することから、充填層を配設しない場合に比べ
て、より高い汚染物除去率が得られる。充填層３０に用
いる充填材としては、従来公知の各種のもの、例えば、
ラシッヒリング、テラレット、ポールリング、サドル、
レッシングリング、木格子等を挙げることができる。充
填層３０の厚さは特に制約されず、適宜決められるが、
通常は０．５〜５ｍである。充填層は、多孔板上に充填
して形成されることができるし、内面に金網を積層した
多孔板上に充填して形成させることもできる。
板３とスプレーノズル１８との間に、充填層を配設する
ことができる。この場合の装置の模式図を図２に示す。
図２において、３０は充填層を示す。図２に示した符号
において、図１に示したものと同じ符号は同じ意味を示
す。第３室７内に充填層３０を配設するときには、排ガ
ス上昇管１０を通って第１室５から第３室７に上昇して
きた排ガスは、スプレーノズル１８からスプレーされた
吸収液が流下する充填層３０を通過し、その間に吸収液
と接触し、次いでスプレーノズルからスプレーされてい
る吸収液粒子と接触した後、浄化排ガス導出ダクト１２
から排出される。排ガスが充填層を通過する際には、排
ガスは充填層内の充填材表面を流下する吸収液と効率よ
く接触することから、充填層を配設しない場合に比べ
て、より高い汚染物除去率が得られる。充填層３０に用
いる充填材としては、従来公知の各種のもの、例えば、
ラシッヒリング、テラレット、ポールリング、サドル、
レッシングリング、木格子等を挙げることができる。充
填層３０の厚さは特に制約されず、適宜決められるが、
通常は０．５〜５ｍである。充填層は、多孔板上に充填
して形成されることができるし、内面に金網を積層した
多孔板上に充填して形成させることもできる。
【００１６】図２においては、吸収液分散手段としてス
プレーノズル１８が示されているが、この場合の吸収液
分散手段はスプレーノズルに限られるものではなく、液
を充填層３０へ供給し得るものであればどのようなもの
でもよい。吸収液分散手段としては、スプレーノズルの
他、パイプの周壁に複数の穴を穿設したもの等であるこ
とができる。
プレーノズル１８が示されているが、この場合の吸収液
分散手段はスプレーノズルに限られるものではなく、液
を充填層３０へ供給し得るものであればどのようなもの
でもよい。吸収液分散手段としては、スプレーノズルの
他、パイプの周壁に複数の穴を穿設したもの等であるこ
とができる。
【００１７】図３は、本発明の他の排ガス処理装置の模
式図を示す。この図において、図１及び図２に示したの
と同じ符号は同一の意味を示す。図３に示した装置は２
室構造のもので、その中央部には、第２室６を貫通し、
その下端が第１室５内に開口する排ガス上昇筒３１が立
設されている。この排ガス上昇筒の横断面形状は四角形
や八角形等の方形状や円形状等であることができる。排
ガス上昇筒３１の配設数は１個又は複数個であることが
でき、装置規模によって適宜選定する。排ガス排出口は
排ガス上昇筒の上端に配設された密閉板に配設してもよ
いし、排ガス上昇筒の側壁に配設してもよい。図３の場
合、排ガス排出口は側壁に配設されている。排ガス上昇
筒３１の上部内部には充填層３０が配設され、その上方
には吸収液分散手段としてのスプレーノズル１８が配設
されている。充填層３０は、必要に応じ、省略すること
ができる。図３における３２は隆起部を示し、この隆起
部は排ガスの流れを排ガス上昇筒３１の開口方向へ案内
させるとともに、この隆起部の配設により、第１室内へ
の吸収液の必要以上の充填が回避される。もちろん、こ
の隆起部の配設は省略することができる。
式図を示す。この図において、図１及び図２に示したの
と同じ符号は同一の意味を示す。図３に示した装置は２
室構造のもので、その中央部には、第２室６を貫通し、
その下端が第１室５内に開口する排ガス上昇筒３１が立
設されている。この排ガス上昇筒の横断面形状は四角形
や八角形等の方形状や円形状等であることができる。排
ガス上昇筒３１の配設数は１個又は複数個であることが
でき、装置規模によって適宜選定する。排ガス排出口は
排ガス上昇筒の上端に配設された密閉板に配設してもよ
いし、排ガス上昇筒の側壁に配設してもよい。図３の場
合、排ガス排出口は側壁に配設されている。排ガス上昇
筒３１の上部内部には充填層３０が配設され、その上方
には吸収液分散手段としてのスプレーノズル１８が配設
されている。充填層３０は、必要に応じ、省略すること
ができる。図３における３２は隆起部を示し、この隆起
部は排ガスの流れを排ガス上昇筒３１の開口方向へ案内
させるとともに、この隆起部の配設により、第１室内へ
の吸収液の必要以上の充填が回避される。もちろん、こ
の隆起部の配設は省略することができる。
【００１８】図３に示した装置を用いて排ガスの浄化処
理を行うには、排ガスを排ガス導入ダクト８から第２室
６内に導入し、ここからガス分散管９を介して第１室５
内の吸収液Ｌ中に吹込む。吸収液中に吹込まれた排ガス
は気泡となって上昇し、その分散管のガス噴出孔より上
方には気泡と吸収液との混合相からなるフロス層Ａが形
成される。排ガスが吸収液中を気泡として上昇する間に
排ガス中に含まれている汚染物質は吸収液と反応し、排
ガス中から除去される。このようにして浄化された排ガ
スは、フロス層Ａから上部空間に放散され、排ガス上昇
筒３１開口内に集められ、ここからその筒内を上昇す
る。排ガス上昇筒内には、吸収液抜出管１４、ポンプ１
６、吸収液導管１７を通って循環される吸収液がスプレ
ーノズル１８からスプレーされ、充填層３０内を流下し
ている。排ガス上昇筒３１内を上昇する排ガスは、この
充填層３０内において流下する吸収液と接触した後、浄
化排ガスダクト１２を通って排出される。吸収剤は、吸
収剤導入管１５から吸収液抜出管１４に導入される。ま
た、この吸収剤は、吸収液導管１７に導入することもで
きる。
理を行うには、排ガスを排ガス導入ダクト８から第２室
６内に導入し、ここからガス分散管９を介して第１室５
内の吸収液Ｌ中に吹込む。吸収液中に吹込まれた排ガス
は気泡となって上昇し、その分散管のガス噴出孔より上
方には気泡と吸収液との混合相からなるフロス層Ａが形
成される。排ガスが吸収液中を気泡として上昇する間に
排ガス中に含まれている汚染物質は吸収液と反応し、排
ガス中から除去される。このようにして浄化された排ガ
スは、フロス層Ａから上部空間に放散され、排ガス上昇
筒３１開口内に集められ、ここからその筒内を上昇す
る。排ガス上昇筒内には、吸収液抜出管１４、ポンプ１
６、吸収液導管１７を通って循環される吸収液がスプレ
ーノズル１８からスプレーされ、充填層３０内を流下し
ている。排ガス上昇筒３１内を上昇する排ガスは、この
充填層３０内において流下する吸収液と接触した後、浄
化排ガスダクト１２を通って排出される。吸収剤は、吸
収剤導入管１５から吸収液抜出管１４に導入される。ま
た、この吸収剤は、吸収液導管１７に導入することもで
きる。
【００１９】排ガス上昇筒３１の横断面積Ｓ1と第１室
５の横断面積Ｓ2との比Ｓ1／Ｓ2は、０．１〜０．９、
好ましくは０．３〜０．７の範囲に規定するのがよい。
Ｓ1／Ｓ2が前記範囲より大きくなると、ガス分散管９の
必要本数を配設するための隔板２の表面を広くする必要
が生じ、装置全体が大きくなる上、少量の吸収液を排ガ
ス上昇筒３１内に分散させるときに、その吸収液を安定
的に均一に分散させるのが困難になる。一方、前記範囲
より小さくなると、排ガス上昇管３１内を上昇するガス
上昇線速度が高速になりすぎて、排ガスの圧力損失が大
きくなったり、第１室５の上部空間での排ガスの偏流が
大きくなる等の問題が生じるので好ましくない。排ガス
上昇筒３１の高さは特に制約されないが、隔板２からス
プレーノズル１８までの距離は２ｍ以上、好ましくは４
〜７ｍの範囲に規定するのがよい。また、排ガス上昇筒
３１を上昇する排ガスの上昇線速度は、１．０ｍ／秒以
上、好ましくは１．５〜３ｍ／秒の範囲に規定するのが
よい。排ガスの上昇線速度が前期範囲より小さいと、充
分な気液接触効率が確保できない等の不都合を生じるの
で好ましくない。排ガスの上昇線速度を前記範囲に規定
することにより、排ガス上昇筒３１内における排ガスか
らの汚染物質の除去を少ない吸収液の使用量で効率よく
除去することができる。さらに、スプレーノズル１８か
ら酢プレーさせる吸収液の量は、標準状態に換算された
排ガス量１ｍ3／ｈｒ当り、通常、０．１〜１０ｋｇ／
ｈｒ、好ましくは０．２〜２ｋｇ／ｈｒである。このよ
うな吸収液量をスプレーさせることにより、排ガス中に
残存する極く少量の汚染物質を効果的に除去することが
できる。
５の横断面積Ｓ2との比Ｓ1／Ｓ2は、０．１〜０．９、
好ましくは０．３〜０．７の範囲に規定するのがよい。
Ｓ1／Ｓ2が前記範囲より大きくなると、ガス分散管９の
必要本数を配設するための隔板２の表面を広くする必要
が生じ、装置全体が大きくなる上、少量の吸収液を排ガ
ス上昇筒３１内に分散させるときに、その吸収液を安定
的に均一に分散させるのが困難になる。一方、前記範囲
より小さくなると、排ガス上昇管３１内を上昇するガス
上昇線速度が高速になりすぎて、排ガスの圧力損失が大
きくなったり、第１室５の上部空間での排ガスの偏流が
大きくなる等の問題が生じるので好ましくない。排ガス
上昇筒３１の高さは特に制約されないが、隔板２からス
プレーノズル１８までの距離は２ｍ以上、好ましくは４
〜７ｍの範囲に規定するのがよい。また、排ガス上昇筒
３１を上昇する排ガスの上昇線速度は、１．０ｍ／秒以
上、好ましくは１．５〜３ｍ／秒の範囲に規定するのが
よい。排ガスの上昇線速度が前期範囲より小さいと、充
分な気液接触効率が確保できない等の不都合を生じるの
で好ましくない。排ガスの上昇線速度を前記範囲に規定
することにより、排ガス上昇筒３１内における排ガスか
らの汚染物質の除去を少ない吸収液の使用量で効率よく
除去することができる。さらに、スプレーノズル１８か
ら酢プレーさせる吸収液の量は、標準状態に換算された
排ガス量１ｍ3／ｈｒ当り、通常、０．１〜１０ｋｇ／
ｈｒ、好ましくは０．２〜２ｋｇ／ｈｒである。このよ
うな吸収液量をスプレーさせることにより、排ガス中に
残存する極く少量の汚染物質を効果的に除去することが
できる。
【００２０】図３に示した装置は２室構造のもので、し
かも排ガス上昇筒の数も少なく、通常は１個で十分であ
ることから、構造簡単で装置コストが低いという利点が
得られる。その上、排ガス上昇筒を上昇する排ガス流速
は、その排ガス上昇筒の横断面積により自由に制御する
ことができ、その断面積を小さくすることにより速くす
ることができるので、排ガス上昇筒内での排ガスと吸収
液との接触を緊密に行うことができ、排ガス上昇筒内で
の排ガス中からの汚染物の除去率を高くすることができ
る。さらに、図３に示す装置の場合には、装置の高さが
低くなるので、水平方向に回転する撹拌機を採用した場
合には、撹拌機のシャフト長さが短かくなり、取り付け
が容易となる上、図１に示す３室構造の装置に見られる
第３室の底板（第２隔板３）上への石膏堆積がなくなる
等の利点も得られる。
かも排ガス上昇筒の数も少なく、通常は１個で十分であ
ることから、構造簡単で装置コストが低いという利点が
得られる。その上、排ガス上昇筒を上昇する排ガス流速
は、その排ガス上昇筒の横断面積により自由に制御する
ことができ、その断面積を小さくすることにより速くす
ることができるので、排ガス上昇筒内での排ガスと吸収
液との接触を緊密に行うことができ、排ガス上昇筒内で
の排ガス中からの汚染物の除去率を高くすることができ
る。さらに、図３に示す装置の場合には、装置の高さが
低くなるので、水平方向に回転する撹拌機を採用した場
合には、撹拌機のシャフト長さが短かくなり、取り付け
が容易となる上、図１に示す３室構造の装置に見られる
第３室の底板（第２隔板３）上への石膏堆積がなくなる
等の利点も得られる。
【００２１】本発明で用いる吸収液は、排ガスの種類に
応じて適当に選定され、従来公知の各種のものが用いら
れる。このようなものとしては、例えば、排ガス中の汚
染物質がＳＯ2、ＳＯ3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ3、ＮＯ2、Ｎ
2Ｏ4、Ｎ2Ｏ5、ＣＯ2、ＨＣｌ、ＨＦ等の酸性物質であ
る場合には、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化
合物等のアルカリ性物質を含む溶液やスラリーが用いら
れ、特に水酸化カルシウムスラリーや、炭酸カルシウム
スラリーが用いられる。また、吸収液として炭酸カルシ
ウムスラリーや水酸化カルシウムスラリーを用いる場
合、これらのカルシウム化合物は亜硫酸ガスと反応して
亜硫酸カルシウムを形成するが、この場合、吸収液中に
空気や酸素を導入することにより、硫酸カルシウム（石
コウ）を得ることができる。また、排ガス中の汚染物質
がアンモニア等のアルカリ性物質である場合には、酸性
水溶液を吸収液として用いればよい。
応じて適当に選定され、従来公知の各種のものが用いら
れる。このようなものとしては、例えば、排ガス中の汚
染物質がＳＯ2、ＳＯ3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ3、ＮＯ2、Ｎ
2Ｏ4、Ｎ2Ｏ5、ＣＯ2、ＨＣｌ、ＨＦ等の酸性物質であ
る場合には、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化
合物等のアルカリ性物質を含む溶液やスラリーが用いら
れ、特に水酸化カルシウムスラリーや、炭酸カルシウム
スラリーが用いられる。また、吸収液として炭酸カルシ
ウムスラリーや水酸化カルシウムスラリーを用いる場
合、これらのカルシウム化合物は亜硫酸ガスと反応して
亜硫酸カルシウムを形成するが、この場合、吸収液中に
空気や酸素を導入することにより、硫酸カルシウム（石
コウ）を得ることができる。また、排ガス中の汚染物質
がアンモニア等のアルカリ性物質である場合には、酸性
水溶液を吸収液として用いればよい。
【００２２】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。 実施例１ 図１に示した構造の装置を用いて、ＳＯ2：７８０ｖｏ
ｌｐｐｍ、Ｏ2：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。こ
の場合の装置条件を示すと次の通りである。 （１）密閉槽１の直径：３．２ｍ （２）第１室５の高さ：４ｍ （３）第２室６の高さ：２ｍ （４）第３室７の高さ：４ｍ （５）ガス分散管９の直径：４インチ及び本数：１１０
本 （６）吸収液流下管１１の直径：４インチ及び本数：４
本 （７）排ガス上昇管１０の直径：４１０ｍｍ及び本数：
６本 （８）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ：
２ｍ また、ガス分散管９としては、図４に示す構造のものを
用い、その下端部周壁面に設けたガス噴出孔３５の位置
は、吸収液面下２００ｍｍの位置に設定し、吸収液流下
管１１の先端の位置は、ガス分散管９の噴出孔３５の位
置よりも５００ｍｍ下方に設定した。
する。 実施例１ 図１に示した構造の装置を用いて、ＳＯ2：７８０ｖｏ
ｌｐｐｍ、Ｏ2：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。こ
の場合の装置条件を示すと次の通りである。 （１）密閉槽１の直径：３．２ｍ （２）第１室５の高さ：４ｍ （３）第２室６の高さ：２ｍ （４）第３室７の高さ：４ｍ （５）ガス分散管９の直径：４インチ及び本数：１１０
本 （６）吸収液流下管１１の直径：４インチ及び本数：４
本 （７）排ガス上昇管１０の直径：４１０ｍｍ及び本数：
６本 （８）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ：
２ｍ また、ガス分散管９としては、図４に示す構造のものを
用い、その下端部周壁面に設けたガス噴出孔３５の位置
は、吸収液面下２００ｍｍの位置に設定し、吸収液流下
管１１の先端の位置は、ガス分散管９の噴出孔３５の位
置よりも５００ｍｍ下方に設定した。
【００２３】図１に示す構造の装置の第１室５内に、あ
らかじめ、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高
さ２ｍになるように収容させた。次に、この装置の排ガ
ス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ3／ｈの供
給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止
液面下１８００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出
ノズル２１から空気を３７０Ｎｍ3／ｈの流速で噴出さ
せるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液の撹拌を
行った。また、第１室５内から石こう濃度：約１０重量
％、炭酸カルシウム濃度：約０．１重量％の吸収液を６
０ｍ3／ｈの流速でポンプ１６により抜出し、これに炭
酸カルシウムを５０ｋｇ/ｈで添加混合し、第３室７内
に配設したスプレーノズル１８からスプレーさせた。さ
らに、第１室５内の吸収液に対しては、排液管２２を通
して石こう濃度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈの
速度で抜出し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを
８６ｋｇ／ｈで添加混合して吸収剤導入管１９から供給
した。前記のようにして排煙を脱硫処理した結果、９８
％の高脱硫率を得ることができた。次に、比較のため
に、スプレーノズル１８からの吸収液のスプレーを停止
したところ、同じ脱硫率を得るためには、ガス分散管の
ガス噴出孔３５の位置を液面下３００ｍｍの深さにする
必要があることがわかった。以上の結果から、本発明の
場合には、高められた脱硫率で排煙を処理することがで
きることがわかる。また、本発明では、従来の場合と同
一脱硫率で排煙を処理する場合には、排ガス供給圧を１
００ｍｍ（水柱）削減することが可能となり、循環ポン
プ１６の動力の増加を考慮しても、大幅な動力費の節約
が可能になることが明らかとなった。
らかじめ、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高
さ２ｍになるように収容させた。次に、この装置の排ガ
ス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ3／ｈの供
給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止
液面下１８００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出
ノズル２１から空気を３７０Ｎｍ3／ｈの流速で噴出さ
せるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液の撹拌を
行った。また、第１室５内から石こう濃度：約１０重量
％、炭酸カルシウム濃度：約０．１重量％の吸収液を６
０ｍ3／ｈの流速でポンプ１６により抜出し、これに炭
酸カルシウムを５０ｋｇ/ｈで添加混合し、第３室７内
に配設したスプレーノズル１８からスプレーさせた。さ
らに、第１室５内の吸収液に対しては、排液管２２を通
して石こう濃度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈの
速度で抜出し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを
８６ｋｇ／ｈで添加混合して吸収剤導入管１９から供給
した。前記のようにして排煙を脱硫処理した結果、９８
％の高脱硫率を得ることができた。次に、比較のため
に、スプレーノズル１８からの吸収液のスプレーを停止
したところ、同じ脱硫率を得るためには、ガス分散管の
ガス噴出孔３５の位置を液面下３００ｍｍの深さにする
必要があることがわかった。以上の結果から、本発明の
場合には、高められた脱硫率で排煙を処理することがで
きることがわかる。また、本発明では、従来の場合と同
一脱硫率で排煙を処理する場合には、排ガス供給圧を１
００ｍｍ（水柱）削減することが可能となり、循環ポン
プ１６の動力の増加を考慮しても、大幅な動力費の節約
が可能になることが明らかとなった。
【００２４】実施例２ 図２に示した構造の装置を用いて、ＳＯ2：７８０ｖｏ
ｌｐｐｍ、Ｏ2：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。こ
の場合の装置条件を示すと次の通りである。 （１）密閉槽１の直径：３．２ｍ （２）第１室５の高さ：４ｍ （３）第２室６の高さ：２ｍ （４）第３室７の高さ：４ｍ （５）ガス分散管９の直径：４インチ及び本数：１１０
本 （６）吸収液流下管１１の直径：４インチ及び本数：４
本 （７）排ガス上昇管１０の直径：４１０ｍｍ及び本数：
６本 （８）第３室７における充填層３０層厚：２ｍ （９）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ：
２ｍ なお、前記充填層３０を構成する充填材としては、テラ
レットを用いた。また、ガス分散管９としては、図４に
示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス
噴出孔３５の位置は、吸収液面下２００ｍｍの位置に設
定し、吸収液流下管１１の先端の位置は、ガス分散管９
の噴出孔３５の位置よりも５００ｍｍ下方に設定した。
ｌｐｐｍ、Ｏ2：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。こ
の場合の装置条件を示すと次の通りである。 （１）密閉槽１の直径：３．２ｍ （２）第１室５の高さ：４ｍ （３）第２室６の高さ：２ｍ （４）第３室７の高さ：４ｍ （５）ガス分散管９の直径：４インチ及び本数：１１０
本 （６）吸収液流下管１１の直径：４インチ及び本数：４
本 （７）排ガス上昇管１０の直径：４１０ｍｍ及び本数：
６本 （８）第３室７における充填層３０層厚：２ｍ （９）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ：
２ｍ なお、前記充填層３０を構成する充填材としては、テラ
レットを用いた。また、ガス分散管９としては、図４に
示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス
噴出孔３５の位置は、吸収液面下２００ｍｍの位置に設
定し、吸収液流下管１１の先端の位置は、ガス分散管９
の噴出孔３５の位置よりも５００ｍｍ下方に設定した。
【００２５】図２に示す構造の装置の第１室５内に、あ
らかじめ、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高
さ２ｍになるように収容させた。次に、この装置の排ガ
ス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ3／ｈの供
給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止
液面下１８００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出
ノズル２１から空気を３７０Ｎｍ3／ｈの流速で噴出さ
せるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液を撹拌し
た。また、第１室５内から石こう濃度：約１０重量％、
炭酸カルシウム濃度：約０．１重量％の吸収液をポンプ
１６により抜出し、シックナーで石こうを分離した後、
４０ｍ3／ｈの流速で吸収液をシックナーから抜出し、
これに炭酸カルシウムを４０ｋｇ/ｈで添加混合し、第
３室７内に配設したスプレーノズル１８からスプレーさ
せた。さらに、上記したシックナーの下部より石こう濃
度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈの速度で抜出
し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを１０ｋｇ／
ｈの速度で添加混合して第１室５内の吸収液に対して吸
収剤導入管１９から供給した。前記のようにして排煙を
脱硫処理した結果、９９．５％の高脱硫率を得ることが
できた。また、このときの充填層３０での圧力損失は約
３０ｍｍ（水柱）であった。次に、比較のために、第３
室７内から充填層３０を除去し、スプレーノズル１８か
らの吸収液のスプレーを停止し、ガス分散管９のガス噴
出孔３５の位置を液面下４００ｍｍまで深くして脱硫処
理を行ったが、約９９％の脱硫率しか得られなかった。
以上の結果から、従来法ではほとんど達成困難な高脱硫
率を、本発明の場合には、わずかな動力費の増加により
容易に達成することができることがわかる。
らかじめ、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高
さ２ｍになるように収容させた。次に、この装置の排ガ
ス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ3／ｈの供
給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止
液面下１８００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出
ノズル２１から空気を３７０Ｎｍ3／ｈの流速で噴出さ
せるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液を撹拌し
た。また、第１室５内から石こう濃度：約１０重量％、
炭酸カルシウム濃度：約０．１重量％の吸収液をポンプ
１６により抜出し、シックナーで石こうを分離した後、
４０ｍ3／ｈの流速で吸収液をシックナーから抜出し、
これに炭酸カルシウムを４０ｋｇ/ｈで添加混合し、第
３室７内に配設したスプレーノズル１８からスプレーさ
せた。さらに、上記したシックナーの下部より石こう濃
度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈの速度で抜出
し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを１０ｋｇ／
ｈの速度で添加混合して第１室５内の吸収液に対して吸
収剤導入管１９から供給した。前記のようにして排煙を
脱硫処理した結果、９９．５％の高脱硫率を得ることが
できた。また、このときの充填層３０での圧力損失は約
３０ｍｍ（水柱）であった。次に、比較のために、第３
室７内から充填層３０を除去し、スプレーノズル１８か
らの吸収液のスプレーを停止し、ガス分散管９のガス噴
出孔３５の位置を液面下４００ｍｍまで深くして脱硫処
理を行ったが、約９９％の脱硫率しか得られなかった。
以上の結果から、従来法ではほとんど達成困難な高脱硫
率を、本発明の場合には、わずかな動力費の増加により
容易に達成することができることがわかる。
【００２６】実施例３ 図３に示した構造の装置を用いて、ＳＯ2：７８０ｖｏ
ｌｐｐｍ、Ｏ2：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。こ
の場合の装置条件を示すと次の通りである。 （１）密閉槽１の直径：３．５ｍ （２）第１室５の高さ：４ｍ （３）排ガス上昇筒３１：直径：２．２ｍ、高さ：２．
５ｍ （４）排ガス上昇筒内の充填層３０層厚：３ｍ （５）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ：
２ｍ （６）隔板２から充填層３１までの距離：１．５ｍ （７）隔板２からスプレーノズル１８までの距離：５ｍ なお、前記充填層３０を構成する充填材としては、テラ
レットを用いた。また、ガス分散管９としては、図４に
示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス
噴出孔３５の位置は、吸収液面下２００ｍｍの位置に設
定した。
ｌｐｐｍ、Ｏ2：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。こ
の場合の装置条件を示すと次の通りである。 （１）密閉槽１の直径：３．５ｍ （２）第１室５の高さ：４ｍ （３）排ガス上昇筒３１：直径：２．２ｍ、高さ：２．
５ｍ （４）排ガス上昇筒内の充填層３０層厚：３ｍ （５）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ：
２ｍ （６）隔板２から充填層３１までの距離：１．５ｍ （７）隔板２からスプレーノズル１８までの距離：５ｍ なお、前記充填層３０を構成する充填材としては、テラ
レットを用いた。また、ガス分散管９としては、図４に
示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス
噴出孔３５の位置は、吸収液面下２００ｍｍの位置に設
定した。
【００２７】図３に示す構造の装置の第１室５内に、あ
らかじめ、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高
さ２ｍになるように収容させた。次に、この装置の排ガ
ス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ3／ｈの供
給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止
液面下１８００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出
ノズル２１から空気を３７０Ｎｍ3／ｈの流速で噴出さ
せるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液を撹拌し
た。また、第１室５内から石こう濃度：約１０重量％、
炭酸カルシウム濃度：約０．１重量％の吸収液をポンプ
１６により抜出し、シックナーで石こうを分離した後、
４０ｍ3／ｈの流速で吸収液をシックナーから抜出し、
これに炭酸カルシウムを４０ｋｇ/ｈで添加混合し、排
ガス上昇筒３１内に配設したスプレーノズル１８からス
プレーさせた。さらに、上記したシックナーの下部より
石こう濃度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈの速度
で抜出し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを１０
ｋｇ／ｈの速度で添加混合して第１室５内の吸収液に対
して吸収剤導入管１９から供給した。前記のようにして
排煙を脱硫処理した結果、９９．８％の高脱硫率を得る
ことができた。また、このときの充填層３０での圧力損
失は約３０ｍｍ（水柱）であった。次に、比較のため
に、排ガス上昇筒３１内から充填層３０を除去し、スプ
レーノズル１８からの吸収液のスプレーを停止し、ガス
分散管９のガス噴出孔３５の位置を液面下４００ｍｍま
で深くして脱硫処理を行ったが、約９９％の脱硫率しか
得られなかった。以上の結果から、従来法ではほとんど
達成困難な高脱硫率を、本発明の場合には、わずかな動
力費の増加により容易に達成することができることがわ
かる。
らかじめ、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高
さ２ｍになるように収容させた。次に、この装置の排ガ
ス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ3／ｈの供
給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止
液面下１８００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出
ノズル２１から空気を３７０Ｎｍ3／ｈの流速で噴出さ
せるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液を撹拌し
た。また、第１室５内から石こう濃度：約１０重量％、
炭酸カルシウム濃度：約０．１重量％の吸収液をポンプ
１６により抜出し、シックナーで石こうを分離した後、
４０ｍ3／ｈの流速で吸収液をシックナーから抜出し、
これに炭酸カルシウムを４０ｋｇ/ｈで添加混合し、排
ガス上昇筒３１内に配設したスプレーノズル１８からス
プレーさせた。さらに、上記したシックナーの下部より
石こう濃度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈの速度
で抜出し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを１０
ｋｇ／ｈの速度で添加混合して第１室５内の吸収液に対
して吸収剤導入管１９から供給した。前記のようにして
排煙を脱硫処理した結果、９９．８％の高脱硫率を得る
ことができた。また、このときの充填層３０での圧力損
失は約３０ｍｍ（水柱）であった。次に、比較のため
に、排ガス上昇筒３１内から充填層３０を除去し、スプ
レーノズル１８からの吸収液のスプレーを停止し、ガス
分散管９のガス噴出孔３５の位置を液面下４００ｍｍま
で深くして脱硫処理を行ったが、約９９％の脱硫率しか
得られなかった。以上の結果から、従来法ではほとんど
達成困難な高脱硫率を、本発明の場合には、わずかな動
力費の増加により容易に達成することができることがわ
かる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、従来法では達成困難な
高脱硫率を格別の処理コストの増加を必要とせず、容易
に得ることができ、その産業的意義は多大である。
高脱硫率を格別の処理コストの増加を必要とせず、容易
に得ることができ、その産業的意義は多大である。
【図１】本発明の排ガス処理装置の１例についての模式
図を示す。
図を示す。
【図２】本発明の排ガス処理装置の他の例についての模
式図を示す。
式図を示す。
【図３】本発明の排ガス処理装置のさらに他の例につい
ての模式図を示す。
ての模式図を示す。
【図４】ガス分散管の１例についての斜視図を示す。
１ 密閉槽 ２ 第１隔板 ３ 第２隔板 ４ 天板 ５ 第１室 ６ 第２室 ７ 第３室 ８ 排ガス導入ダクト ９ ガス分散管 １０ 排ガス上昇管 １１ 吸収液流下管 １２ 排ガス導出ダクト １３ ミストエリミネータ １４ 吸収液抜出し管 １５ 吸収剤混入管 １６ ポンプ １７ 吸収液導管 １８ 吸収液スプレーノズル １９ 吸収剤導入管 ３０ 充填層 ３１ 排ガス上昇筒 ３５ ガス噴出孔 Ｌ 吸収液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 53/18 Ｅ 53/34 ＺＡＢ Ｂ０１Ｄ 53/34 １２５ Ｅ (72)発明者 梅原 洋一 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 曽根原 尚紀 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 木村 隆志 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 排ガスを吸収液と接触させて浄化する方
法において、 （i）第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによっ
てその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と
第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽に
おけるその第２室に排ガスを供給すること、 （ii）第２室に供給された排ガスを第１隔板に形成され
た透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容さ
れている吸収液中に吹込むこと、 （iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを排ガス上
昇管を通して第３室に導入すること、 （iv）第３室に導入された排ガスを吸収液と接触させる
こと、 （v）第３室の床面を形成する第２隔板の上面に存在す
る吸収液をその先端がガス分散管のガス噴出孔より下方
に位置する吸収液流下管を通して第１の吸収液中に導入
させること、 （vi）第１室に収容されている吸収液の一部を前記第３
室に循環させること、 （vii）第３室で吸収液接触した後の浄化排ガスを第３
室から排出させること、を特徴とする排ガスの処理方
法。 - 【請求項２】 第３室の空間部に充填層を存在させ、吸
収液をこの充填層内を流下させるとともに、第１室から
の排ガスをこの充填層を通して上昇させて吸収液と接触
させることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項３】 第１隔板とその上方に位置する第２隔板
とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する
第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された
密閉槽と、第２室の周壁に形成された排ガス入口と、第
３室の天板又は側壁に配設された浄化排ガス出口と、第
１隔板に形成された透孔と、その透孔に垂設されたガス
分散管と、第１室と第３室とを連絡する排ガス上昇管
と、第３室の上部に配設された吸収液分散手段と、第２
隔板に形成された透孔と、その透孔に垂設され、その先
端が前記ガス分散管のガス噴出孔より下方に位置する吸
収液流下管と、第１室に収容されている吸収液を第３室
の吸収液分散手段に循環させる配管を備えたことを特徴
とする排ガス処理装置。 - 【請求項４】 第３室の空間部に充填層を配設したこと
を特徴とする請求項３の装置。 - 【請求項５】 排ガスを吸収液と接触させて浄化する方
法において、 （i）隔板によってその内部が第１室と第１室の上方に
隣接する第２室とに区画された密閉槽におけるその第２
室に排ガスを供給すること、 （ii）第２室に供給された排ガスを隔板に形成された透
孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容されて
いる吸収液中に吹込むこと、 （iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを、第２室
を貫通する排ガス上昇筒内に導入し、上昇させること、 （iv）排ガス上昇筒内に導入した排ガスを該筒内におい
て吸収液と接触させた後筒外へ排出させること、 （v）第１室に収容されている吸収液の一部を前記排ガ
ス上昇筒内の排ガスとの接触のために排ガス上昇筒に循
環させること、 を特徴とする排ガスの処理方法。 - 【請求項６】 排ガス上昇筒に充填層を存在させ、吸収
液をこの充填層内を流下させるとともに、第１室からの
排ガスをこの充填層を通して上昇させて吸収液と接触さ
せることを特徴とする請求項５の方法。 - 【請求項７】 隔板によってその内部が第１室の上方に
隣接する第２室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁
に形成された排ガス入口と、隔板に形成された透孔と、
その透孔に垂設されたガス分散管と、第２室を貫通し、
その下端が第１室内に開口する排ガス上昇筒と、排ガス
上昇筒内に配設された吸収液分散手段と、第１室に収容
されている吸収液を排ガス上昇筒内に配設されている吸
収液分散手段に循環させる配管を備えたことを特徴とす
る排ガス処理装置。 - 【請求項８】 排ガス上昇筒内に充填層を配設したこと
を特徴とする請求項７の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18211995A JP3667823B2 (ja) | 1994-06-27 | 1995-06-26 | 排ガスの処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16740694 | 1994-06-27 | ||
| JP6-167406 | 1994-06-27 | ||
| JP18211995A JP3667823B2 (ja) | 1994-06-27 | 1995-06-26 | 排ガスの処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0871366A true JPH0871366A (ja) | 1996-03-19 |
| JP3667823B2 JP3667823B2 (ja) | 2005-07-06 |
Family
ID=26491461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18211995A Expired - Lifetime JP3667823B2 (ja) | 1994-06-27 | 1995-06-26 | 排ガスの処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3667823B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002200411A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Ｎｔｏスクラバー |
| WO2011052477A1 (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | 千代田化工建設株式会社 | 排ガス処理装置 |
| CN110026072A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-07-19 | 广元揽山环保科技有限公司 | 一种烟气脱硫超低排放吸收塔以及烟气脱硫超低排放工艺 |
| CN110538564A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-06 | 苏州仕净环保科技股份有限公司 | 一种具有尾气监测功能的酸性废气处理装置 |
| CN112807974A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-18 | 苏州仕净环保科技股份有限公司 | 一种环保型工业废气净化装置 |
| CN118022519A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-05-14 | 山东冠卓重工科技有限公司 | 一种油气回收处理系统 |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP18211995A patent/JP3667823B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002200411A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Ｎｔｏスクラバー |
| WO2011052477A1 (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | 千代田化工建設株式会社 | 排ガス処理装置 |
| JP2011088111A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Chiyoda Kako Kensetsu Kk | 排ガス処理装置 |
| US9039813B2 (en) | 2009-10-26 | 2015-05-26 | Chiyoda Corporation | Exhaust gas treatment apparatus |
| TWI513501B (zh) * | 2009-10-26 | 2015-12-21 | Chiyoda Corp | Exhaust gas treatment device |
| CN110026072A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-07-19 | 广元揽山环保科技有限公司 | 一种烟气脱硫超低排放吸收塔以及烟气脱硫超低排放工艺 |
| CN110538564A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-06 | 苏州仕净环保科技股份有限公司 | 一种具有尾气监测功能的酸性废气处理装置 |
| CN112807974A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-18 | 苏州仕净环保科技股份有限公司 | 一种环保型工业废气净化装置 |
| CN118022519A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-05-14 | 山东冠卓重工科技有限公司 | 一种油气回收处理系统 |
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| JP3667823B2 (ja) | 2005-07-06 |
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Legal Events
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| A977 | Report on retrieval |
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