JPH0870125A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
- Publication number
- JPH0870125A JPH0870125A JP20336694A JP20336694A JPH0870125A JP H0870125 A JPH0870125 A JP H0870125A JP 20336694 A JP20336694 A JP 20336694A JP 20336694 A JP20336694 A JP 20336694A JP H0870125 A JPH0870125 A JP H0870125A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- gate electrode
- glass substrate
- thin film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】比抵抗がα−Ta膜より低く、Wよりガラス基
板との付着性が良好である、Wを主成分とするTFT用
電極配線材料を提供する。 【構成】薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極2及び
ソース電極6及びドレイン電極7はタンタルが少なくと
も25原子%以下含まれるタングステン合金が被覆され
て形成されていることを特徴とする構造。 【効果】α−Ta膜より低い比抵抗と純W膜より優れた
付着性を有し、TFT用電極配線材料として良好な特性
を示す。
板との付着性が良好である、Wを主成分とするTFT用
電極配線材料を提供する。 【構成】薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極2及び
ソース電極6及びドレイン電極7はタンタルが少なくと
も25原子%以下含まれるタングステン合金が被覆され
て形成されていることを特徴とする構造。 【効果】α−Ta膜より低い比抵抗と純W膜より優れた
付着性を有し、TFT用電極配線材料として良好な特性
を示す。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マトリスク表示素子や
密着型イメージセンサーなどに用いられる薄膜トランジ
スタに関し、特にその電極配線材料に関するものであ
る。
密着型イメージセンサーなどに用いられる薄膜トランジ
スタに関し、特にその電極配線材料に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示素子
(AM−LCD)や密着型イメージセンサーのスイッチ
ング素子としては、半導体膜を用いた薄膜トランジスタ
(以下TFTと記す)が使われている。TFTの電極配
線材料としては、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、
タングステン(W)、モリブデン(Mo)、アルミニウ
ム(Al)(月刊セミコンダクターワールド記号93年
5月号、特開昭61−147230、特開平1−134
426、特開平3−12637、特開平3−11852
0、特開平3−72318)が採用されている。特開平
1−231024においては、W上に被覆したTaある
いはW−Ta合金上に被覆したTaが記載されている。
特開平3−293329においては、TaN合金上に被
覆されたTa−W合金が記載されている。特開平4−3
09233においては、WF6 ガス処理によって形成さ
れたWが記載されている。特開平3−201590にお
いては、Ta2 O5 上に被覆したWが記載されている。
(AM−LCD)や密着型イメージセンサーのスイッチ
ング素子としては、半導体膜を用いた薄膜トランジスタ
(以下TFTと記す)が使われている。TFTの電極配
線材料としては、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、
タングステン(W)、モリブデン(Mo)、アルミニウ
ム(Al)(月刊セミコンダクターワールド記号93年
5月号、特開昭61−147230、特開平1−134
426、特開平3−12637、特開平3−11852
0、特開平3−72318)が採用されている。特開平
1−231024においては、W上に被覆したTaある
いはW−Ta合金上に被覆したTaが記載されている。
特開平3−293329においては、TaN合金上に被
覆されたTa−W合金が記載されている。特開平4−3
09233においては、WF6 ガス処理によって形成さ
れたWが記載されている。特開平3−201590にお
いては、Ta2 O5 上に被覆したWが記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】実際に製品化されてい
るAM−LCDの電極配線材料には、Ta、Cr、Mo
−Ta、Alが使用されている(エレクトロニク・セラ
ミクス’93年5月号75頁)。単層のWについては、
比抵抗がα−Ta膜より低いにもかかわらず、ガラス基
板から剥離し易いために(特開平3−201590)、
製品には使用されていない。
るAM−LCDの電極配線材料には、Ta、Cr、Mo
−Ta、Alが使用されている(エレクトロニク・セラ
ミクス’93年5月号75頁)。単層のWについては、
比抵抗がα−Ta膜より低いにもかかわらず、ガラス基
板から剥離し易いために(特開平3−201590)、
製品には使用されていない。
【0004】Wがガラス基板から剥離し易いという欠点
に鑑み成された発明が特開平3−201590である。
この場合、Wとガラス基板との間にTa2 O5 を挿入す
ることにより付着性が向上するものの、Wを直接ガラス
基板に被覆した場合よりコスト高となる。
に鑑み成された発明が特開平3−201590である。
この場合、Wとガラス基板との間にTa2 O5 を挿入す
ることにより付着性が向上するものの、Wを直接ガラス
基板に被覆した場合よりコスト高となる。
【0005】本発明の目的は、比抵抗がα−Ta膜より
低く、Wよりガラス基板との付着性が良好である、Wを
主成分とするTFT用電極配線材料を提供する事にあ
る。
低く、Wよりガラス基板との付着性が良好である、Wを
主成分とするTFT用電極配線材料を提供する事にあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板上
に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と交差
してゲート絶縁膜に選択的に被覆された半導体膜と、選
択的に形成された一対の不純物導入領域と、不純物導入
領域上でゲート電極の両側に形成されたソース・ドレイ
ン電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、ゲート電
極及びソース・ドレイン電極はタンタルが少なくとも2
5原子%以下含まれるタングステン合金が被覆されて形
成されたことを特徴とするものである。ここで、タング
ステン合金に含まれるタンタルを少なくとも25原子%
以下としたのは比抵抗がα−Ta膜より低く、Wよりガ
ラス基板との付着性が良好となるためである。
に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と交差
してゲート絶縁膜に選択的に被覆された半導体膜と、選
択的に形成された一対の不純物導入領域と、不純物導入
領域上でゲート電極の両側に形成されたソース・ドレイ
ン電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、ゲート電
極及びソース・ドレイン電極はタンタルが少なくとも2
5原子%以下含まれるタングステン合金が被覆されて形
成されたことを特徴とするものである。ここで、タング
ステン合金に含まれるタンタルを少なくとも25原子%
以下としたのは比抵抗がα−Ta膜より低く、Wよりガ
ラス基板との付着性が良好となるためである。
【0007】
【作用】本発明の比抵抗に関しては以下のようである。
図1にTa添加量を変化させたときのタングステン合金
膜の比抵抗の変化を示す。α/Ta膜の比抵抗25μΩ
・cm(エレクトロニク・セラミクス’93年5月号7
6頁)より低くなるようなTa添加量は25原子%以下
であることがわかる。特開平1−231024や特開平
3−293329にW−Ta合金が記載されているもの
のこのような特性図は記載されておらず、比抵抗がα−
Ta膜より低くなるようなTa添加量は容易に類推でき
ない。また、これらの従来例においてはW−Ta合金は
二層膜の一部として使用されており、本発明が単層とし
て使用している点においても異なっている。
図1にTa添加量を変化させたときのタングステン合金
膜の比抵抗の変化を示す。α/Ta膜の比抵抗25μΩ
・cm(エレクトロニク・セラミクス’93年5月号7
6頁)より低くなるようなTa添加量は25原子%以下
であることがわかる。特開平1−231024や特開平
3−293329にW−Ta合金が記載されているもの
のこのような特性図は記載されておらず、比抵抗がα−
Ta膜より低くなるようなTa添加量は容易に類推でき
ない。また、これらの従来例においてはW−Ta合金は
二層膜の一部として使用されており、本発明が単層とし
て使用している点においても異なっている。
【0008】付着性については、同業者において通常行
われている粘着テープ(スコッチ社製ポリエステルフィ
ルム−56)による引き剥し試験と押し込み式付着力測
定装置(NEC製)によって評価した。ガラス基板上に
被覆した純W膜は一部が粘着テープによって剥された。
一方、Taを添加したW−Ta合金膜は全ての組成領域
において剥されなかった。図2にTa添加量を変化させ
たときのタングステン合金膜とガラス基板との付着力を
示す。この付着力は押し込み式付着力測定装置におって
測定したものである。測定を同一試料について複数回行
い、結果としてばらつきを有するため、測定点(黒丸)
が複数となった。ほんのわずかにTaを添加しても(例
えば、2原子%)、純W膜の場合より付着力は向上して
いる事がわかる。このように単層膜においても付着性は
向上でき、二層膜によりW膜の付着製を向上させた特開
平3−201590の場合より本発明の方がコストがか
からない。特開平1−231024や特開平3−293
329に記載されたW−Ta合金については付着性に関
して記載されておらず、これらの従来例から本発明は容
易に類推できない。
われている粘着テープ(スコッチ社製ポリエステルフィ
ルム−56)による引き剥し試験と押し込み式付着力測
定装置(NEC製)によって評価した。ガラス基板上に
被覆した純W膜は一部が粘着テープによって剥された。
一方、Taを添加したW−Ta合金膜は全ての組成領域
において剥されなかった。図2にTa添加量を変化させ
たときのタングステン合金膜とガラス基板との付着力を
示す。この付着力は押し込み式付着力測定装置におって
測定したものである。測定を同一試料について複数回行
い、結果としてばらつきを有するため、測定点(黒丸)
が複数となった。ほんのわずかにTaを添加しても(例
えば、2原子%)、純W膜の場合より付着力は向上して
いる事がわかる。このように単層膜においても付着性は
向上でき、二層膜によりW膜の付着製を向上させた特開
平3−201590の場合より本発明の方がコストがか
からない。特開平1−231024や特開平3−293
329に記載されたW−Ta合金については付着性に関
して記載されておらず、これらの従来例から本発明は容
易に類推できない。
【0009】以上のように、本発明はα−Ta膜より低
い比抵抗と純W膜より優れた付着性を有し、TFT用電
極配線材料として良好な特性を示す。
い比抵抗と純W膜より優れた付着性を有し、TFT用電
極配線材料として良好な特性を示す。
【0010】
【実施例】図3に、本発明の電極配線材料を使用したチ
ャネル掘り込み型TFTの一実施例の断面図を示す。T
FTは、ガラス基板1上に、ゲート電極2と、ゲート絶
縁膜3と、ゲート電極2と交差してゲート絶縁膜3上に
選択的に被覆された半導体膜4と、選択的に形成された
一対の不純物導入領域5と、不純物導入領域5上でゲー
ト電極2の両側に形成されたソース電極6及びドレイン
電極7と、半導体膜4及びソース電極6及びドレイン電
極7上に被覆されたパッシベーション保護膜8とからな
る。本発明では、ゲート電極2、ソース電極6及びドレ
イン電極7がTaを2原子%含むW合金或いはTaを5
原子%含むW合金或いはTaを10原子%含むW合金或
いはTaを25原子%含むW合金からなるものである。
ャネル掘り込み型TFTの一実施例の断面図を示す。T
FTは、ガラス基板1上に、ゲート電極2と、ゲート絶
縁膜3と、ゲート電極2と交差してゲート絶縁膜3上に
選択的に被覆された半導体膜4と、選択的に形成された
一対の不純物導入領域5と、不純物導入領域5上でゲー
ト電極2の両側に形成されたソース電極6及びドレイン
電極7と、半導体膜4及びソース電極6及びドレイン電
極7上に被覆されたパッシベーション保護膜8とからな
る。本発明では、ゲート電極2、ソース電極6及びドレ
イン電極7がTaを2原子%含むW合金或いはTaを5
原子%含むW合金或いはTaを10原子%含むW合金或
いはTaを25原子%含むW合金からなるものである。
【0011】次にこの実施例のTFTの製造方法につい
て説明する。最初に、ガラス基板1上にW合金膜を15
0nmスパッタ法により形成し、フォトリソグラフィに
よりゲート電極2のレジストパターンを形成し、W合金
膜をエッチングして幅6μmのストライプ状のゲート電
極2を形成する。次に、プラズマCVD法を用いて、さ
らにこの上に、ゲート絶縁膜3として窒化シリコン膜を
400nm被覆する。次に、半導体膜4を300nm被
覆する。次に、燐がドーピングされた半導体膜を30n
m被覆する。次に、半導体膜4と燐がドーピングされた
半導体膜を島状にエッチングにより形成する。
て説明する。最初に、ガラス基板1上にW合金膜を15
0nmスパッタ法により形成し、フォトリソグラフィに
よりゲート電極2のレジストパターンを形成し、W合金
膜をエッチングして幅6μmのストライプ状のゲート電
極2を形成する。次に、プラズマCVD法を用いて、さ
らにこの上に、ゲート絶縁膜3として窒化シリコン膜を
400nm被覆する。次に、半導体膜4を300nm被
覆する。次に、燐がドーピングされた半導体膜を30n
m被覆する。次に、半導体膜4と燐がドーピングされた
半導体膜を島状にエッチングにより形成する。
【0012】希弗酸によりエッチングした後、チタンを
10nm、窒化チタンを10nm、Ta−W合金を15
0nm順にスパッタ法により成膜する。これらの三層膜
をパターニングして、ソース電極6及びドレイン電極7
を形成する。次に、これらの電極をマスクにしてゲート
電極2上の燐がドーピングされた半導体膜をエッチング
し、不純物導入領域5を形成する。引き続きエッチング
を行い、半導体膜を所定の深さだけ掘り、おおよそ20
0nm残す。最後に、200nmの窒化シリコンからな
るパッシベーション保護膜8でTFT全体を被覆する。
10nm、窒化チタンを10nm、Ta−W合金を15
0nm順にスパッタ法により成膜する。これらの三層膜
をパターニングして、ソース電極6及びドレイン電極7
を形成する。次に、これらの電極をマスクにしてゲート
電極2上の燐がドーピングされた半導体膜をエッチング
し、不純物導入領域5を形成する。引き続きエッチング
を行い、半導体膜を所定の深さだけ掘り、おおよそ20
0nm残す。最後に、200nmの窒化シリコンからな
るパッシベーション保護膜8でTFT全体を被覆する。
【0013】
【発明の効果】このように本発明によれば、α−Ta膜
より低い比抵抗と純W膜より優れた付着性を有するTF
T用電極配線材料を用いたので特性の良好は薄膜トラン
ジスタを得ることができる。
より低い比抵抗と純W膜より優れた付着性を有するTF
T用電極配線材料を用いたので特性の良好は薄膜トラン
ジスタを得ることができる。
【図1】Ta添加量を変化させたときのタングステン合
金膜の比抵抗の変化を示す特性図である。
金膜の比抵抗の変化を示す特性図である。
【図2】Ta添加量を変化させたときのタングステン合
金膜とガラス基板との付着力を示す特性図である。
金膜とガラス基板との付着力を示す特性図である。
【図3】本発明の電極配線材料を使用したチャネル堀込
み型TFTの一実施例の断面図である。
み型TFTの一実施例の断面図である。
1 ガラス基板 2 ゲート電極 3 ゲート絶縁膜 4 半導体膜 5 不純物導入領域 6 ソース電極 7 ドレイン電極 8 パッシベーション保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/38 A 7511−4E 9056−4M H01L 29/78 617 M
Claims (1)
- 【請求項1】 ガラス基板上に、ゲート電極と、ゲート
絶縁膜と、前記ゲート電極と交差して前記ゲート絶縁膜
に選択的に被覆された半導体膜と、前記半導体膜の少な
くとも表面部に選択的に形成された一対の不純物導入領
域と、前記不純物導入領域上でゲート電極の両側に形成
されたソース・ドレイン電極とからなる薄膜トランジス
タにおいて、前記ゲート電極及びソース・ドレイン電極
は、タンタルが少なくとも25原子%以下含まれるタン
グステン合金が被覆されて形成されたことを特徴とする
薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6203366A JP2699882B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6203366A JP2699882B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0870125A true JPH0870125A (ja) | 1996-03-12 |
JP2699882B2 JP2699882B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=16472842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6203366A Expired - Lifetime JP2699882B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2699882B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5917198A (en) * | 1996-03-29 | 1999-06-29 | Nec Corporation | Gate electrodes and matrix lines made of W/Ta alloy for LCD apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0334368A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス表示パネル |
JPH07225395A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP6203366A patent/JP2699882B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0334368A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス表示パネル |
JPH07225395A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5917198A (en) * | 1996-03-29 | 1999-06-29 | Nec Corporation | Gate electrodes and matrix lines made of W/Ta alloy for LCD apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2699882B2 (ja) | 1998-01-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970826 |