JPH0864602A - バンプ付き半導体装置の製造方法 - Google Patents
バンプ付き半導体装置の製造方法Info
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- JPH0864602A JPH0864602A JP6217958A JP21795894A JPH0864602A JP H0864602 A JPH0864602 A JP H0864602A JP 6217958 A JP6217958 A JP 6217958A JP 21795894 A JP21795894 A JP 21795894A JP H0864602 A JPH0864602 A JP H0864602A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプ欠落が生じた場合でもこれを確実に補
填し、有効に良品率を向上させ得るバンプ付き半導体装
置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体素子１の電極パッド部２上にメッキ法
によりバンプ３を形成する。これらのバンプ３の欠落箇
所４にボールバンプ１０を接合するようにしたものであ
る。特にボールバンプ１０の硬度又は高さを、他の製造
方法によって電極パッド部２上に既に形成されているバ
ンプ３に合わせるようにしたものである。メッキ法によ
り半導体素子１の電極パッド部２上にバンプ３を形成す
る際、いずれかの電極パッド部２においてバンプ欠落４
が生じた場合、その電極パッド部２に対してはボールバ
ンプ１０が接合され、これにより半導体素子１における
バンプ欠落箇所を確実に補填する。
填し、有効に良品率を向上させ得るバンプ付き半導体装
置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体素子１の電極パッド部２上にメッキ法
によりバンプ３を形成する。これらのバンプ３の欠落箇
所４にボールバンプ１０を接合するようにしたものであ
る。特にボールバンプ１０の硬度又は高さを、他の製造
方法によって電極パッド部２上に既に形成されているバ
ンプ３に合わせるようにしたものである。メッキ法によ
り半導体素子１の電極パッド部２上にバンプ３を形成す
る際、いずれかの電極パッド部２においてバンプ欠落４
が生じた場合、その電極パッド部２に対してはボールバ
ンプ１０が接合され、これにより半導体素子１における
バンプ欠落箇所を確実に補填する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に半導体素子の電極部におけるバンプの形成方法
に関する。
法、特に半導体素子の電極部におけるバンプの形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
素子の電極部（電極パッド）をリード等と接続するため
に、微小金属ボールで成るバンプが用いられる。従来の
半導体素子の製造方法において、所謂ウェハバンプにお
いてはメッキ法によりウェハ上に一括でバンプを形成す
る方法や、或いはまた、バンプ形成用基板上のバンプと
リードとを位置合わせして、加熱・加圧によりリード側
にバンプを転写させる方法等が行われている。
素子の電極部（電極パッド）をリード等と接続するため
に、微小金属ボールで成るバンプが用いられる。従来の
半導体素子の製造方法において、所謂ウェハバンプにお
いてはメッキ法によりウェハ上に一括でバンプを形成す
る方法や、或いはまた、バンプ形成用基板上のバンプと
リードとを位置合わせして、加熱・加圧によりリード側
にバンプを転写させる方法等が行われている。
【０００３】例えば、メッキ法においては、半導体素子
の電極パッドに対してアンダーバンプメタル（バリヤメ
タル）を被着後、バンプ形成のためのフォトリソグラフ
ィ処理を行い、フォトレジストによるメッキ用パターン
が形成される。そしてこのパターン内にバンプを形成さ
せる。次に、不要なフォトレジストを除去し、バリヤメ
タルをエッチングする。
の電極パッドに対してアンダーバンプメタル（バリヤメ
タル）を被着後、バンプ形成のためのフォトリソグラフ
ィ処理を行い、フォトレジストによるメッキ用パターン
が形成される。そしてこのパターン内にバンプを形成さ
せる。次に、不要なフォトレジストを除去し、バリヤメ
タルをエッチングする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の製造方法において、特にメッキ法の場合、
前述のようにウェハ上に一括でバンプを形成するように
しているため、メッキ液の循環不良等に起因して一部の
電極パッドにおいてメッキ不良が生じるという問題があ
った。つまり、例えばメッキ液中に混入した空気等のた
めに、その電極パッド上に適正にバンプが形成されず、
従って、そのようなバンプ欠落が生じた半導体素子は、
不良品として扱われざるを得なかった。
半導体装置の製造方法において、特にメッキ法の場合、
前述のようにウェハ上に一括でバンプを形成するように
しているため、メッキ液の循環不良等に起因して一部の
電極パッドにおいてメッキ不良が生じるという問題があ
った。つまり、例えばメッキ液中に混入した空気等のた
めに、その電極パッド上に適正にバンプが形成されず、
従って、そのようなバンプ欠落が生じた半導体素子は、
不良品として扱われざるを得なかった。
【０００５】また、転写バンプの場合においても、バン
プの欠落が生じると、その半導体素子はもはや不良品扱
いとなり、このようにバンプ欠落が製品の良品率に著し
く影響していた。
プの欠落が生じると、その半導体素子はもはや不良品扱
いとなり、このようにバンプ欠落が製品の良品率に著し
く影響していた。
【０００６】本発明はかかる実情に鑑み、特にバンプ欠
落が生じた場合でもこれを確実に補填し、有効に良品率
を向上させ得るバンプ付き半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
落が生じた場合でもこれを確実に補填し、有効に良品率
を向上させ得るバンプ付き半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプ付き半導
体装置の製造方法は、半導体素子の電極パッド部上にメ
ッキ法によりバンプを形成し、これらのバンプの欠落箇
所にボールバンプを接合するようにしたものである。
体装置の製造方法は、半導体素子の電極パッド部上にメ
ッキ法によりバンプを形成し、これらのバンプの欠落箇
所にボールバンプを接合するようにしたものである。
【０００８】また、本発明のバンプ付き半導体装置の製
造方法は、半導体素子の電極パッド部上にメッキ法によ
りバンプを形成し、これらのバンプ上にボールバンプを
重ねて接合するようにしたものである。
造方法は、半導体素子の電極パッド部上にメッキ法によ
りバンプを形成し、これらのバンプ上にボールバンプを
重ねて接合するようにしたものである。
【０００９】これらのバンプ付き半導体装置の製造方法
において、特に前記ボールバンプの硬度を、他の製造方
法によって前記電極パッド部上に既に形成されている前
記バンプに合わせるようにしてもよい。また、前記ボー
ルバンプの高さを、他の製造方法によって前記電極パッ
ド部上に既に形成されている前記バンプに合わせるよう
にしてもよい。
において、特に前記ボールバンプの硬度を、他の製造方
法によって前記電極パッド部上に既に形成されている前
記バンプに合わせるようにしてもよい。また、前記ボー
ルバンプの高さを、他の製造方法によって前記電極パッ
ド部上に既に形成されている前記バンプに合わせるよう
にしてもよい。
【００１０】更に、本発明のバンプ付き半導体装置の製
造方法は、基板上にメッキ法によりバンプを形成し、こ
れらのバンプをリードに転写することにより転写バンプ
を形成し、これらの転写バンプの欠落箇所にボールバン
プを接合するようにしたものである。このバンプ付き半
導体装置の製造方法において、前記バンプ形成用基板の
前記バンプの欠落箇所にボールバンプを接合するように
したものである。
造方法は、基板上にメッキ法によりバンプを形成し、こ
れらのバンプをリードに転写することにより転写バンプ
を形成し、これらの転写バンプの欠落箇所にボールバン
プを接合するようにしたものである。このバンプ付き半
導体装置の製造方法において、前記バンプ形成用基板の
前記バンプの欠落箇所にボールバンプを接合するように
したものである。
【００１１】
【作用】メッキ法により半導体素子の電極パッド部上に
バンプを形成する際、いずれかの電極パッド部において
バンプ欠落が生じると、そのままではその半導体素子は
不良品となってしまう。本発明方法によれば、そのよう
なバンプが欠落した電極パッド部に対してはボールバン
プが接合され、これにより半導体素子におけるバンプ欠
落箇所を補填する。
バンプを形成する際、いずれかの電極パッド部において
バンプ欠落が生じると、そのままではその半導体素子は
不良品となってしまう。本発明方法によれば、そのよう
なバンプが欠落した電極パッド部に対してはボールバン
プが接合され、これにより半導体素子におけるバンプ欠
落箇所を補填する。
【００１２】また、本発明方法によれば、半導体素子の
電極パッド部上にメッキ法により形成されたバンプ上に
ボールバンプが重ねて接合される。例えば、このメッキ
法によって電極パッド部上にバンプを形成する場合、そ
の電極パッド部が狭ピッチ化すると、一般にはバンプ自
体が小さくなり、従ってそのバンプ高さを確保すること
が困難になる。このような場合、メッキ法によって形成
さたバンプ上にボールバンプを重ねて接合することによ
り、特に電極パッド部の狭ピッチ化に対して有効に対応
することができる。
電極パッド部上にメッキ法により形成されたバンプ上に
ボールバンプが重ねて接合される。例えば、このメッキ
法によって電極パッド部上にバンプを形成する場合、そ
の電極パッド部が狭ピッチ化すると、一般にはバンプ自
体が小さくなり、従ってそのバンプ高さを確保すること
が困難になる。このような場合、メッキ法によって形成
さたバンプ上にボールバンプを重ねて接合することによ
り、特に電極パッド部の狭ピッチ化に対して有効に対応
することができる。
【００１３】これらの場合において、接合されるべきボ
ールバンプの硬度又は高は、他の製造方法、即ちメッキ
法によって形成されるバンプのものよりも容易に調整可
能であり、バンプ補填を効果的に行うことができる。
ールバンプの硬度又は高は、他の製造方法、即ちメッキ
法によって形成されるバンプのものよりも容易に調整可
能であり、バンプ補填を効果的に行うことができる。
【００１４】更に、転写バンプにより半導体装置のリー
ドに対してバンプを形成する場合においても、そのリー
ドにおける転写バンプの欠落箇所にボールバンプを接合
することにより、そのバンプ欠落箇所を確実に補填する
ことができる。また、この転写バンプ方式の場合におい
て、バンプ形成用基板にてバンプ欠落が生じたとき、そ
のバンプ欠落箇所にボールバンプを接合することによ
り、リードに対するバンプ転写前にバンプ形成用基板の
段階でバンプ欠落箇所を補填することができる。
ドに対してバンプを形成する場合においても、そのリー
ドにおける転写バンプの欠落箇所にボールバンプを接合
することにより、そのバンプ欠落箇所を確実に補填する
ことができる。また、この転写バンプ方式の場合におい
て、バンプ形成用基板にてバンプ欠落が生じたとき、そ
のバンプ欠落箇所にボールバンプを接合することによ
り、リードに対するバンプ転写前にバンプ形成用基板の
段階でバンプ欠落箇所を補填することができる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明のバンプ付き半
導体装置の製造方法の好適な実施例を説明する。図１及
び図２は、本実施例に係る半導体素子１及びその要部を
それぞれ示している。この実施例において、半導体素子
１は、その四辺に沿って多数の電極パッド部２（図２）
を有しているものとする。そして、各電極パッド部２上
にウェハバンプとしてのバンプ３が形成される。このバ
ンプ３は、従来例において説明したようにメッキ法によ
って形成するものである。
導体装置の製造方法の好適な実施例を説明する。図１及
び図２は、本実施例に係る半導体素子１及びその要部を
それぞれ示している。この実施例において、半導体素子
１は、その四辺に沿って多数の電極パッド部２（図２）
を有しているものとする。そして、各電極パッド部２上
にウェハバンプとしてのバンプ３が形成される。このバ
ンプ３は、従来例において説明したようにメッキ法によ
って形成するものである。
【００１６】バンプ３を形成する際、図示例のような電
極パッド部２においてバンプ欠落４が生じた場合を考え
る。この場合、図３に示したようにその電極パッド部２
に対して、ボールバンプ１０が接合される。このボール
バンプ１０は、熱圧着等により電極パッド部２に接合す
ることができるが、その接合後の高さは、図４に示され
るようにバンプ３の高さＨと同一に設定される。これに
より半導体素子１におけるバンプ欠落箇所を補填する。
極パッド部２においてバンプ欠落４が生じた場合を考え
る。この場合、図３に示したようにその電極パッド部２
に対して、ボールバンプ１０が接合される。このボール
バンプ１０は、熱圧着等により電極パッド部２に接合す
ることができるが、その接合後の高さは、図４に示され
るようにバンプ３の高さＨと同一に設定される。これに
より半導体素子１におけるバンプ欠落箇所を補填する。
【００１７】そして、バンプ欠落箇所に補填されたボー
ルバンプ１０を介して、半導体素子１をリード等と適正
に接続することにより、半導体装置が構成される。ボー
ルバンプ１０の高さは、図４に示したようにバンプ３の
高さＨと整合しており、半導体素子１をリード等と接続
させる場合においても確実に接続することができる。ま
たウェハバンプにおいてはこれがメッキ法によって形成
されるため、その硬度の選択が制約されざるを得ないの
に対して、ボールバンプ１０は、その形成材料における
添加物の調整によってかなりの自由度でその硬度を変化
させることが可能である。従って、ボールバンプ１０の
硬度をバンプ３の硬度に合わせ易く、そのようにするこ
とによりバンプ欠落４に対するバンプ補填を効果的に行
うことができる。
ルバンプ１０を介して、半導体素子１をリード等と適正
に接続することにより、半導体装置が構成される。ボー
ルバンプ１０の高さは、図４に示したようにバンプ３の
高さＨと整合しており、半導体素子１をリード等と接続
させる場合においても確実に接続することができる。ま
たウェハバンプにおいてはこれがメッキ法によって形成
されるため、その硬度の選択が制約されざるを得ないの
に対して、ボールバンプ１０は、その形成材料における
添加物の調整によってかなりの自由度でその硬度を変化
させることが可能である。従って、ボールバンプ１０の
硬度をバンプ３の硬度に合わせ易く、そのようにするこ
とによりバンプ欠落４に対するバンプ補填を効果的に行
うことができる。
【００１８】次に、本発明のバンプ付き半導体装置の製
造方法の他の実施例を説明する。ところで、半導体素子
１において特に電極パッド部２が狭ピッチ化した場合、
その電極パッド部２上に形成されるバンプ３の面積も小
さくなり、そのままではバンプ３高さを確保することが
困難である。つまり、例えば特にメッキ法によりバンプ
３を形成する際、前述したようにフォトリソグラフィ工
程にてフォトレジストによるメッキ用パターンが形成さ
れるが、そのパターンにおけるフォトレジスト開口が狭
くなり、その開口内にバンプ形成用のメッキ液が浸入し
難い。従ってバンプ３の高さも制限されざるを得ない
が、その結果形成される高さの低いバンプ３では、その
ままではリード等の接触不良の危険がある。
造方法の他の実施例を説明する。ところで、半導体素子
１において特に電極パッド部２が狭ピッチ化した場合、
その電極パッド部２上に形成されるバンプ３の面積も小
さくなり、そのままではバンプ３高さを確保することが
困難である。つまり、例えば特にメッキ法によりバンプ
３を形成する際、前述したようにフォトリソグラフィ工
程にてフォトレジストによるメッキ用パターンが形成さ
れるが、そのパターンにおけるフォトレジスト開口が狭
くなり、その開口内にバンプ形成用のメッキ液が浸入し
難い。従ってバンプ３の高さも制限されざるを得ない
が、その結果形成される高さの低いバンプ３では、その
ままではリード等の接触不良の危険がある。
【００１９】さて、この実施例においては、図５及び図
６に示したように半導体素子１において狭ピッチ化した
電極パッド部上にメッキ法によりバンプ３が形成され
る。そして図７に示されるように、各バンプ３上にボー
ルバンプ１０が重ねて接合される。電極パッド部が狭ピ
ッチ化し、従ってバンプ３自体が小さくなりその高さを
確保し得ない場合でも、ボールバンプ１０を重ねて接合
することにより、必要且つ十分なバンプ高さを有効に確
保するこができる。従って、リード等の接触不良の危険
を解消し、半導体素子１をリード等と適正に接続するこ
とができる。
６に示したように半導体素子１において狭ピッチ化した
電極パッド部上にメッキ法によりバンプ３が形成され
る。そして図７に示されるように、各バンプ３上にボー
ルバンプ１０が重ねて接合される。電極パッド部が狭ピ
ッチ化し、従ってバンプ３自体が小さくなりその高さを
確保し得ない場合でも、ボールバンプ１０を重ねて接合
することにより、必要且つ十分なバンプ高さを有効に確
保するこができる。従って、リード等の接触不良の危険
を解消し、半導体素子１をリード等と適正に接続するこ
とができる。
【００２０】更に、本発明のバンプ付き半導体装置の製
造方法の別の実施例を説明する。この実施例は、転写バ
ンプ方式に対して本発明方法を適用したものである。転
写バンプ方式においては、バンプ形成用基板上のバンプ
とリードとを位置合わせして、加熱・加圧によりリード
側にバンプを転写させる。例えば図８に示したように、
バンプ形成用基板２０において、ガラス基板２１上にメ
ッキ用マスク材としてのフォトレジスト膜２２が形成さ
れ、この上にバンプ２３が形成される。バンプ形成用基
板２０上のバンプ２３は次に、ボンディングツール２４
を用いて、半導体装置を構成すべきリード２５と熱圧着
され、これによりバンプ２３は図中、実線で示されるよ
うにリード２５の端部に接合される。
造方法の別の実施例を説明する。この実施例は、転写バ
ンプ方式に対して本発明方法を適用したものである。転
写バンプ方式においては、バンプ形成用基板上のバンプ
とリードとを位置合わせして、加熱・加圧によりリード
側にバンプを転写させる。例えば図８に示したように、
バンプ形成用基板２０において、ガラス基板２１上にメ
ッキ用マスク材としてのフォトレジスト膜２２が形成さ
れ、この上にバンプ２３が形成される。バンプ形成用基
板２０上のバンプ２３は次に、ボンディングツール２４
を用いて、半導体装置を構成すべきリード２５と熱圧着
され、これによりバンプ２３は図中、実線で示されるよ
うにリード２５の端部に接合される。
【００２１】ところが、このような転写バンプ方式にお
いて、バンプ２３の転写が適正に行われず、つまり例え
ば、バンプ２３が図示のようにバンプ形成用基板２０側
に残留すると、そのバンプ２３に対応するバンプ欠落２
６（点線参照）が生じる。そしてこの場合には、そのリ
ード２５、即ち半導体装置は不良品となる。
いて、バンプ２３の転写が適正に行われず、つまり例え
ば、バンプ２３が図示のようにバンプ形成用基板２０側
に残留すると、そのバンプ２３に対応するバンプ欠落２
６（点線参照）が生じる。そしてこの場合には、そのリ
ード２５、即ち半導体装置は不良品となる。
【００２２】本発明方法によれば、このような転写バン
プにおける欠落箇所にボールバンプ１０を接合する。ボ
ールバンプ１０は、図中、一点鎖線で示したようにバン
プ２３が正規に接合されるべきであったリード２５の端
部に接合される。この場合、ボールバンプ１０は熱圧着
等の方法によりリード２５に接合されるが、このように
転写バンプ方式によりリード２５に対してバンプ２３を
形成する場合においても、リード２５における転写バン
プの欠落箇所にボールバンプ１０を接合することによ
り、バンプ欠落２６を確実に補填することができる。
プにおける欠落箇所にボールバンプ１０を接合する。ボ
ールバンプ１０は、図中、一点鎖線で示したようにバン
プ２３が正規に接合されるべきであったリード２５の端
部に接合される。この場合、ボールバンプ１０は熱圧着
等の方法によりリード２５に接合されるが、このように
転写バンプ方式によりリード２５に対してバンプ２３を
形成する場合においても、リード２５における転写バン
プの欠落箇所にボールバンプ１０を接合することによ
り、バンプ欠落２６を確実に補填することができる。
【００２３】また、かかる転写バンプ方式の場合におい
て、バンプ形成用基板２０にてメッキ不良等に起因する
バンプ２３の欠落が生じたとき、その欠落箇所にボール
バンプ１０を接合することにより、リード２５に対する
バンプ転写前にバンプ形成用基板２０の段階でバンプ欠
落箇所を補填することができる。なお、ボールバンプ１
０の高さや硬度をバンプ２３の高さ，硬度に合わせるこ
とにより、バンプ形成用基板２０におけるバンプ欠落に
対しても有効に対応することができる。
て、バンプ形成用基板２０にてメッキ不良等に起因する
バンプ２３の欠落が生じたとき、その欠落箇所にボール
バンプ１０を接合することにより、リード２５に対する
バンプ転写前にバンプ形成用基板２０の段階でバンプ欠
落箇所を補填することができる。なお、ボールバンプ１
０の高さや硬度をバンプ２３の高さ，硬度に合わせるこ
とにより、バンプ形成用基板２０におけるバンプ欠落に
対しても有効に対応することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
ンプを介して半導体素子及びリード等の接続を行う際、
バンプ欠落が生じた場合でもこれを確実に補填し、製品
の良品率を格段に向上させることができる。また、その
場合において、バンプ欠落を補填するためのボールバン
プの硬度，高さ等を調整し易く、適正なバンプ接合を保
証する。更に、特に電極パッドのピッチが狭小化した場
合、バンプ高さを容易且つ確実に確保することができ、
かかる狭ピッチ化に有効に対応することができる等の利
点を有している。
ンプを介して半導体素子及びリード等の接続を行う際、
バンプ欠落が生じた場合でもこれを確実に補填し、製品
の良品率を格段に向上させることができる。また、その
場合において、バンプ欠落を補填するためのボールバン
プの硬度，高さ等を調整し易く、適正なバンプ接合を保
証する。更に、特に電極パッドのピッチが狭小化した場
合、バンプ高さを容易且つ確実に確保することができ、
かかる狭ピッチ化に有効に対応することができる等の利
点を有している。
【図１】本発明のバンプ付き半導体装置の製造方法の一
実施例に係る半導体素子の斜視図である。
実施例に係る半導体素子の斜視図である。
【図２】本発明のバンプ付き半導体装置の製造方法の一
実施例に係る上記半導体素子の要部斜視図である。
実施例に係る上記半導体素子の要部斜視図である。
【図３】本発明のバンプ付き半導体装置の製造方法の一
実施例における半導体素子のバンプ欠落箇所にボールバ
ンプを補填した例を示す要部斜視図である。
実施例における半導体素子のバンプ欠落箇所にボールバ
ンプを補填した例を示す要部斜視図である。
【図４】本発明のバンプ付き半導体装置の製造方法の一
実施例におけるバンプ欠落箇所に補填された上記ボール
バンプの高さ調整の例を示す要部斜視図である。
実施例におけるバンプ欠落箇所に補填された上記ボール
バンプの高さ調整の例を示す要部斜視図である。
【図５】本発明のバンプ付き半導体装置の製造方法の他
の実施例に係る半導体素子の斜視図である。
の実施例に係る半導体素子の斜視図である。
【図６】本発明のバンプ付き半導体装置の製造方法の他
の実施例に係る上記半導体素子の要部斜視図である。
の実施例に係る上記半導体素子の要部斜視図である。
【図７】本発明のバンプ付き半導体装置の製造方法の他
の実施例における半導体素子のの電極部にボールバンプ
を重ねて接合した例を示す要部斜視図である。
の実施例における半導体素子のの電極部にボールバンプ
を重ねて接合した例を示す要部斜視図である。
【図８】本発明のバンプ付き半導体装置の製造方法の更
に別の実施例におけるバンプ形成用基板の部分断面図で
ある。
に別の実施例におけるバンプ形成用基板の部分断面図で
ある。
【図９】本発明のバンプ付き半導体装置の製造方法の更
に別の実施例における転写バンプの接合工程例を示す部
分断面図である。
に別の実施例における転写バンプの接合工程例を示す部
分断面図である。
１ 半導体素子 ２ 電極パッド部 ３ バンプ ４ バンプ欠落 １０ ボールバンプ ２０ バンプ形成用基板 ２１ ガラス基板 ２２ フォトレジスト膜 ２３ バンプ ２４ ボンディングツール ２５ リード ２６ バンプ欠落
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子の電極パッド部上にメッキ法
によりバンプを形成し、これらのバンプの欠落箇所にボ
ールバンプを接合するようにしたことを特徴とするバン
プ付き半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体素子の電極パッド部上にメッキ法
によりバンプを形成し、これらのバンプ上にボールバン
プを重ねて接合するようにしたことを特徴とするバンプ
付き半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ボールバンプの硬度を、他の製造方
法によって前記電極パッド部上に既に形成されている前
記バンプの硬度に合わせるようにしたことを特徴とする
請求項１又は２に記載のバンプ付き半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記ボールバンプの高さを、他の製造方
法によって前記電極パッド部上に既に形成されている前
記バンプの高さに合わせるようにしたことを特徴とする
請求項１又は２に記載のバンプ付き半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 バンプ形成用基板上にメッキ法によりバ
ンプを形成し、これらのバンプをリードに転写すること
により転写バンプを形成し、これらの転写バンプの欠落
箇所にボールバンプを接合するようにしたことを特徴と
するバンプ付き半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の方法において、 前記バンプ形成用基板の前記バンプの欠落箇所にボール
バンプを接合するようにしたことを特徴とするバンプ付
き半導体装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP06217958A JP3090853B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | バンプ付き半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
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| JP3090853B2 JP3090853B2 (ja) | 2000-09-25 |
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| JP (1) | JP3090853B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008038482A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Ibiden Co., Ltd. | Production method and production equipment of printed wiring board |
| US7749756B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-07-06 | Wacker Chemie Ag | Microorganism strain for producing recombinant proteins |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP06217958A patent/JP3090853B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7749756B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-07-06 | Wacker Chemie Ag | Microorganism strain for producing recombinant proteins |
| WO2008038482A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Ibiden Co., Ltd. | Production method and production equipment of printed wiring board |
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| JP5098648B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2012-12-12 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法及び製造装置 |
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