JPH0862637A - アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及びその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及びその製造方法Info
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- JPH0862637A JPH0862637A JP12067695A JP12067695A JPH0862637A JP H0862637 A JPH0862637 A JP H0862637A JP 12067695 A JP12067695 A JP 12067695A JP 12067695 A JP12067695 A JP 12067695A JP H0862637 A JPH0862637 A JP H0862637A
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクティブマトリクス表示装置において、画
素の表示むらを低減するための方法を提供する。 【構成】 アクティブマトリクス表示装置の駆動回路に
関し、駆動回路のアナログバッファを並列接続された複
数のソースフォロワで構成する。このことにより、アナ
ログバッファの薄膜トランジスタのしきい値のばらつき
が小さくなり、それに伴い液晶パネルの透過率のばらつ
きも小さくなり、画面のむらを防止する。
素の表示むらを低減するための方法を提供する。 【構成】 アクティブマトリクス表示装置の駆動回路に
関し、駆動回路のアナログバッファを並列接続された複
数のソースフォロワで構成する。このことにより、アナ
ログバッファの薄膜トランジスタのしきい値のばらつき
が小さくなり、それに伴い液晶パネルの透過率のばらつ
きも小さくなり、画面のむらを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタによ
り構成されたアクティブマトリクス型表示装置の駆動回
路に関し、特にソースフォロワをアナログバッファとし
て備え、その特性のばらつきを小さく抑えたアクティブ
マトリクス型表示装置の駆動回路に関する。
り構成されたアクティブマトリクス型表示装置の駆動回
路に関し、特にソースフォロワをアナログバッファとし
て備え、その特性のばらつきを小さく抑えたアクティブ
マトリクス型表示装置の駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型の表示装置と
は、マトリクスの各交差部に画素が配置され、全ての画
素にはスイッチング用の素子が設けられており、画像情
報はスイッチング素子のオン・オフによって制御される
ものをいう。このような表示装置の表示媒体としては液
晶、プラズマ、その他、電気的に光学特性（反射率、屈
折率、透過率、発光強度等）を変化させることが可能な
物体、状態を用いる。本発明ではスイッチング素子とし
て、特に三端子素子、すなわち、ゲイト、ソース、ドレ
インを有する電界効果型トランジスタを用いる。
は、マトリクスの各交差部に画素が配置され、全ての画
素にはスイッチング用の素子が設けられており、画像情
報はスイッチング素子のオン・オフによって制御される
ものをいう。このような表示装置の表示媒体としては液
晶、プラズマ、その他、電気的に光学特性（反射率、屈
折率、透過率、発光強度等）を変化させることが可能な
物体、状態を用いる。本発明ではスイッチング素子とし
て、特に三端子素子、すなわち、ゲイト、ソース、ドレ
インを有する電界効果型トランジスタを用いる。
【０００３】また、本発明の記述においては、マトリク
スにおける行とは、当該行に平行に配置された信号線
（ゲイト線）が当該行のトランジスタのゲイト電極に接
続されているものを言い、列とは、当該列に平行に配置
された信号線（ソース線）が当該列のトランジスタのソ
ース（もしくはドレイン）電極に接続されているものを
言う。さらに、ゲイト線を駆動する回路をゲイト駆動回
路、ソース線を駆動する回路をソース駆動回路と称す
る。前記ゲイト駆動回路ではアクティブマトリクス型表
示装置の垂直方向走査タイミングの信号を発生するた
め、垂直方向のゲイト線数のシフトレジスタが１列に直
列に接続している。このようにして、該ゲイト駆動回路
でアクティブマトリクス型表示装置内の薄膜トランジス
タのスイッチングを行なっている。
スにおける行とは、当該行に平行に配置された信号線
（ゲイト線）が当該行のトランジスタのゲイト電極に接
続されているものを言い、列とは、当該列に平行に配置
された信号線（ソース線）が当該列のトランジスタのソ
ース（もしくはドレイン）電極に接続されているものを
言う。さらに、ゲイト線を駆動する回路をゲイト駆動回
路、ソース線を駆動する回路をソース駆動回路と称す
る。前記ゲイト駆動回路ではアクティブマトリクス型表
示装置の垂直方向走査タイミングの信号を発生するた
め、垂直方向のゲイト線数のシフトレジスタが１列に直
列に接続している。このようにして、該ゲイト駆動回路
でアクティブマトリクス型表示装置内の薄膜トランジス
タのスイッチングを行なっている。
【０００４】前記ソース駆動回路ではアクティブマトリ
クス型表示装置の表示する画像データの水平方向画像デ
ータを表示させるため、水平方向のソース線数のシフト
レジスタが１列に直列に接続している。また水平走査信
号に同期したラッチパルスで前記アナログスイッチをオ
ン・オフする。このようにして、該ソース駆動回路でア
クティブマトリクス型表示装置内の薄膜トランジスタに
電流を流し、液晶セルの配向をコントロールしている。
図９に従来のアクティブマトリクス型表示装置の概略図
を示す。多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造工程に
ついては、高温プロセスと低温プロセスの２種類の製造
方法がある。高温プロセスの場合、石英基板上の絶縁膜
上に多結晶シリコンを成膜し、そして、ゲイト絶縁膜に
熱酸化ＳｉＯ2 膜を成膜する。その後、ゲイト電極を形
成し、ＮイオンまたはＰイオンを打ち込みを行い、ソー
ス・ドレイン電極を形成し、多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタを製造する。
クス型表示装置の表示する画像データの水平方向画像デ
ータを表示させるため、水平方向のソース線数のシフト
レジスタが１列に直列に接続している。また水平走査信
号に同期したラッチパルスで前記アナログスイッチをオ
ン・オフする。このようにして、該ソース駆動回路でア
クティブマトリクス型表示装置内の薄膜トランジスタに
電流を流し、液晶セルの配向をコントロールしている。
図９に従来のアクティブマトリクス型表示装置の概略図
を示す。多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造工程に
ついては、高温プロセスと低温プロセスの２種類の製造
方法がある。高温プロセスの場合、石英基板上の絶縁膜
上に多結晶シリコンを成膜し、そして、ゲイト絶縁膜に
熱酸化ＳｉＯ2 膜を成膜する。その後、ゲイト電極を形
成し、ＮイオンまたはＰイオンを打ち込みを行い、ソー
ス・ドレイン電極を形成し、多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタを製造する。
【０００５】低温プロセスでは、シリコンの結晶化の方
法として、固相成長法とレーザ・アニール法の２種類が
あり、第一に固相成長法は、ガラス基板上の絶縁膜上の
アモーファスシリコン膜に６００℃で２０時間の熱処理
を加えることで、多結晶シリコン膜を得ることができ、
第二にレーザ・アニール法は、ガラス基板表面のアモー
ファスシリコンにレーザを照射し、膜表面だけを高温で
熱処理することによって、多結晶シリコン膜を得ること
ができる。一般には、この方法のいずれかまたは両方を
使用して結晶化をはかる。そして、ゲイト絶縁膜にはプ
ラズマＣＶＤ法でＳｉＯ2 膜を成膜する。その後、ゲイ
ト電極を形成し、ＮイオンまたはＰイオンを打ち込みを
行い、ソース・ドレイン電極を形成し、多結晶シリコン
薄膜トランジスタを製造する。
法として、固相成長法とレーザ・アニール法の２種類が
あり、第一に固相成長法は、ガラス基板上の絶縁膜上の
アモーファスシリコン膜に６００℃で２０時間の熱処理
を加えることで、多結晶シリコン膜を得ることができ、
第二にレーザ・アニール法は、ガラス基板表面のアモー
ファスシリコンにレーザを照射し、膜表面だけを高温で
熱処理することによって、多結晶シリコン膜を得ること
ができる。一般には、この方法のいずれかまたは両方を
使用して結晶化をはかる。そして、ゲイト絶縁膜にはプ
ラズマＣＶＤ法でＳｉＯ2 膜を成膜する。その後、ゲイ
ト電極を形成し、ＮイオンまたはＰイオンを打ち込みを
行い、ソース・ドレイン電極を形成し、多結晶シリコン
薄膜トランジスタを製造する。
【０００６】前記ソース線駆動回路は、アクティブマト
リクス型表示装置のアクティブマトリクスパネルに画像
データを垂直方向に走査するための回路で、シフトレジ
スタと、薄膜トランジスタで形成されるアナログスイッ
チと、コンデンサで構成されるアナログメモリと、薄膜
トランジスタで形成されるアナログバッファから構成さ
れている。
リクス型表示装置のアクティブマトリクスパネルに画像
データを垂直方向に走査するための回路で、シフトレジ
スタと、薄膜トランジスタで形成されるアナログスイッ
チと、コンデンサで構成されるアナログメモリと、薄膜
トランジスタで形成されるアナログバッファから構成さ
れている。
【０００７】ソース線は負荷容量が大きいので前記アナ
ログメモリでアクティブマトリクス型表示装置内の薄膜
トランジスタを直接駆動できないため、アナログバッフ
ァが必要とされる。前記アナログバッファは薄膜トラン
ジスタをソースフォロワで形成し、図６に示すように１
本のデータ保持用の制御信号の配線に対して、１つの薄
膜トランジスタが単独で一定間隔に配置製造されてい
る。図６ａはＮチャネル型の例であるが、図６ｂのよう
にＰチャネル型もしくは両方を用いてもよい。
ログメモリでアクティブマトリクス型表示装置内の薄膜
トランジスタを直接駆動できないため、アナログバッフ
ァが必要とされる。前記アナログバッファは薄膜トラン
ジスタをソースフォロワで形成し、図６に示すように１
本のデータ保持用の制御信号の配線に対して、１つの薄
膜トランジスタが単独で一定間隔に配置製造されてい
る。図６ａはＮチャネル型の例であるが、図６ｂのよう
にＰチャネル型もしくは両方を用いてもよい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のアクティブマト
リクス型表示装置のソース線駆動回路を構成するアナロ
グバッファは、次のような課題があった。前記アナログ
バッファは、薄膜トランジスタをソースフォロワで単独
に接続して形成している。前述したように、結晶化の手
段の１つとしてレーザ・アニール法を使用する場合、大
型基板を一括照射で処理できる大口径レーザ装置がない
ため、前記薄膜トランジスタ製造工程でガラス基板上の
シリコンをレーザ結晶化する際、図７ａに示すように、
帯状の幅Ｌのレーザ光源をＸ軸方向に水平にシリコン上
に照射していく。レーザ光源はＸ軸方向に一定の間隔で
移動して照射をする際、レーザ処理の重なりの部分がで
きてしまう。レーザ光源の照射の帯の幅Ｌが図７ｂに示
す前記ソースフォロワの間隔ｄと必ずしも一致しないた
め、レーザ結晶化工程時にシリコンの場所により照射さ
れるレーザの光量が異なる。
リクス型表示装置のソース線駆動回路を構成するアナロ
グバッファは、次のような課題があった。前記アナログ
バッファは、薄膜トランジスタをソースフォロワで単独
に接続して形成している。前述したように、結晶化の手
段の１つとしてレーザ・アニール法を使用する場合、大
型基板を一括照射で処理できる大口径レーザ装置がない
ため、前記薄膜トランジスタ製造工程でガラス基板上の
シリコンをレーザ結晶化する際、図７ａに示すように、
帯状の幅Ｌのレーザ光源をＸ軸方向に水平にシリコン上
に照射していく。レーザ光源はＸ軸方向に一定の間隔で
移動して照射をする際、レーザ処理の重なりの部分がで
きてしまう。レーザ光源の照射の帯の幅Ｌが図７ｂに示
す前記ソースフォロワの間隔ｄと必ずしも一致しないた
め、レーザ結晶化工程時にシリコンの場所により照射さ
れるレーザの光量が異なる。
【０００９】そのため、シリコンから製造される前記薄
膜トランジスタに場所的なばらつきが生じ特性も異な
り、図８に示すように薄膜トランジスタのしきい値電圧
Ｖthは、Ｘ軸の値の変化に対してある範囲ＶthH からＶ
thL で変化する。レーザが重複している場所ではしきい
値電圧Ｖthは下がり、重複していない場所では上がる。
これによって、ソースフォロワの出力電圧も高低のばら
つきを生ずることになり、そのばらつきがそのまま液晶
素子の印加電圧のばらつきとなってしまう。
膜トランジスタに場所的なばらつきが生じ特性も異な
り、図８に示すように薄膜トランジスタのしきい値電圧
Ｖthは、Ｘ軸の値の変化に対してある範囲ＶthH からＶ
thL で変化する。レーザが重複している場所ではしきい
値電圧Ｖthは下がり、重複していない場所では上がる。
これによって、ソースフォロワの出力電圧も高低のばら
つきを生ずることになり、そのばらつきがそのまま液晶
素子の印加電圧のばらつきとなってしまう。
【００１０】図１１にノーマリホワイトの液晶表示素子
の透過率、印加電圧の特性を示す。このように液晶素子
に加わる印加電圧のばらつきは、その幅△Ｖthの分だけ
透過率のばらつきとなってしまう。
の透過率、印加電圧の特性を示す。このように液晶素子
に加わる印加電圧のばらつきは、その幅△Ｖthの分だけ
透過率のばらつきとなってしまう。
【００１１】以上のことから、前記ソース線駆動回路は
場所によって出力電圧が異なり、アクティブマトリクス
型表示装置の画素の表示むらの原因となっている。
場所によって出力電圧が異なり、アクティブマトリクス
型表示装置の画素の表示むらの原因となっている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は次に示す手段を施す。従来は、１本のデー
タ線に対するデータ保持用の制御信号に１個のアナログ
バッファが配置されていたのに対して、本発明では、デ
ータ保持用の制御信号を並列接続した複数のソースフォ
ロワに接続したことを特徴とする。さらに、ソースフォ
ロワの並列接続の仕方として、レーザ照射を１度しか受
けないものと、２度受けたものを組み合わせて接続する
ことを特徴とする。レーザ結晶化のためのレーザ光源の
照射の幅Ｌは、ソースフォロワの間隔ｄより広く、かつ
前記ソースフォロワの間隔ｄの整数ｎ倍（３以上）にす
ることを特徴とする。なお、上記レーザ光源の照射の幅
Ｌの設定は、多少の余裕を持って設定してもよい。即
ち、Ｌ＋ΔＬと設定し、位置合わせに余裕を持たせても
よい。
め、本発明は次に示す手段を施す。従来は、１本のデー
タ線に対するデータ保持用の制御信号に１個のアナログ
バッファが配置されていたのに対して、本発明では、デ
ータ保持用の制御信号を並列接続した複数のソースフォ
ロワに接続したことを特徴とする。さらに、ソースフォ
ロワの並列接続の仕方として、レーザ照射を１度しか受
けないものと、２度受けたものを組み合わせて接続する
ことを特徴とする。レーザ結晶化のためのレーザ光源の
照射の幅Ｌは、ソースフォロワの間隔ｄより広く、かつ
前記ソースフォロワの間隔ｄの整数ｎ倍（３以上）にす
ることを特徴とする。なお、上記レーザ光源の照射の幅
Ｌの設定は、多少の余裕を持って設定してもよい。即
ち、Ｌ＋ΔＬと設定し、位置合わせに余裕を持たせても
よい。
【００１３】また、並列接続するソースフォロワの個数
は２以上（ｎ−１）以下とすることを特徴とする。照射
回数の異なるものを組み合わせることによって、薄膜ト
ランジスタのしきい値電圧のばらつきを小さく抑えるこ
とができる。ここでは、ソースフォロワの間隔とレーザ
照射の幅について述べたが、一般には画素の間隔とソー
スフォロワの間隔は等しいため、上記のソースフォロワ
の間隔を画素の間隔と言い換えることができる。
は２以上（ｎ−１）以下とすることを特徴とする。照射
回数の異なるものを組み合わせることによって、薄膜ト
ランジスタのしきい値電圧のばらつきを小さく抑えるこ
とができる。ここでは、ソースフォロワの間隔とレーザ
照射の幅について述べたが、一般には画素の間隔とソー
スフォロワの間隔は等しいため、上記のソースフォロワ
の間隔を画素の間隔と言い換えることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
発明の第１の実施例の回路図であり、レーザ光の進行方
向と平行にソースフォロワを２個ずつ並列接続した例で
ある。ソースフォロワの間隔をｄとし、レーザ光線の照
射幅をＬ＝３ｄとする。ソースフォロワの行列を（ｌ，
ｍ）と記述するとき、最初に，最左側の点線で示す矩形
内のソースフォロワ（ｐ，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォ
ロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋
１）、及びソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）にレーザ
ー光が照射される。なお、ここでは予めソースフォロワ
（ｐ，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）にはレーザ
光が１回照射されている。
発明の第１の実施例の回路図であり、レーザ光の進行方
向と平行にソースフォロワを２個ずつ並列接続した例で
ある。ソースフォロワの間隔をｄとし、レーザ光線の照
射幅をＬ＝３ｄとする。ソースフォロワの行列を（ｌ，
ｍ）と記述するとき、最初に，最左側の点線で示す矩形
内のソースフォロワ（ｐ，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォ
ロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋
１）、及びソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）にレーザ
ー光が照射される。なお、ここでは予めソースフォロワ
（ｐ，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）にはレーザ
光が１回照射されている。
【００１５】次にレーザ光は右方に移動して、中央の点
線で示す矩形内のソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、及びソースフォロワ（ｐ＋
４，ｑ＋１）に照射される。更に、レーザ光は右方に移
動し，最右側の点線で示す矩形内のソースフォロワ（ｐ
＋４，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフ
ォロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋
１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）に照射される。
線で示す矩形内のソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、及びソースフォロワ（ｐ＋
４，ｑ＋１）に照射される。更に、レーザ光は右方に移
動し，最右側の点線で示す矩形内のソースフォロワ（ｐ
＋４，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフ
ォロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋
１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）に照射される。
【００１６】このような照射を行うと、斜線で示す領域
内のソースフォロワ（ｐ，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ，
ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋４，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋６，ｑ）、及びソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ
＋１）はレーザ光が２回照射されることになるため、し
きい値電圧は図８に示すようにＶthL になる。
内のソースフォロワ（ｐ，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ，
ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋４，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋６，ｑ）、及びソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ
＋１）はレーザ光が２回照射されることになるため、し
きい値電圧は図８に示すようにＶthL になる。
【００１７】他方，白抜きの領域内のソースフォロワ
（ｐ＋１，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）ソ
ースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
３，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソース
フォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）はそれぞれ、レーザ光が１
回のみ照射されるため、しきい値電圧は図８に示すよう
にＶthH になる。
（ｐ＋１，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）ソ
ースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
３，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソース
フォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）はそれぞれ、レーザ光が１
回のみ照射されるため、しきい値電圧は図８に示すよう
にＶthH になる。
【００１８】このように、しきい値電圧が互いに異なる
２種類のソースフォロワがレーザ光の進行方向に対して
交互、または複数個毎に作製されることになる。
２種類のソースフォロワがレーザ光の進行方向に対して
交互、または複数個毎に作製されることになる。
【００１９】一般に、レーザ結晶化工程において、レー
ザ光が照射されない領域がないようにするために、レー
ザ光を１回前の照射領域と重なるように照射している。
ザ光が照射されない領域がないようにするために、レー
ザ光を１回前の照射領域と重なるように照射している。
【００２０】そこで、本実施例では、レーザ光の照射の
幅Ｌをソースフォロワの幅ｄの整数倍（Ｌ＝３ｄ）、ま
たは概略整数倍とする。このようにして、レーザ光の照
射領域の重複部分の長さをソースフォロワの幅ｄの整数
倍（ｄ）とすることで、レーザ光の照射量の異なるソー
スフォロワをレーザ光線の移動方向に対して、規則的に
配列して作製できる。
幅Ｌをソースフォロワの幅ｄの整数倍（Ｌ＝３ｄ）、ま
たは概略整数倍とする。このようにして、レーザ光の照
射領域の重複部分の長さをソースフォロワの幅ｄの整数
倍（ｄ）とすることで、レーザ光の照射量の異なるソー
スフォロワをレーザ光線の移動方向に対して、規則的に
配列して作製できる。
【００２１】図１に示す回路配置においては、ソースフ
ォロワ（ｐ，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋
３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）とソースフォ
ロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋
１）とソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ
＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）とソースフ
ォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）がそれぞれ並列に接続されて
いる。
ォロワ（ｐ，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋
３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）とソースフォ
ロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋
１）とソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ
＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）とソースフ
ォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）がそれぞれ並列に接続されて
いる。
【００２２】このような接続をした状態において、上述
したようなレーザ光の照射を行うと、しきい値電圧がＶ
thL のソースフォロワとＶthH のソースフォロワとがそ
れぞれ１個ずつ並列に接続された状態が得られる。この
ような構成とすることで、ソースフォロワ全体の特性が
平均化され、レーザ照射により生じた特性のばらつきを
軽減することができる。
したようなレーザ光の照射を行うと、しきい値電圧がＶ
thL のソースフォロワとＶthH のソースフォロワとがそ
れぞれ１個ずつ並列に接続された状態が得られる。この
ような構成とすることで、ソースフォロワ全体の特性が
平均化され、レーザ照射により生じた特性のばらつきを
軽減することができる。
【００２３】図２は本発明の第２の実施例の回路図であ
り、レーザ光の進行方向に対して、ースフォロワを３個
並列接続した例である。この例では、ソースフォロワの
間隔をｄとし、レーザ光線の照射幅をＬ＝４ｄとする。
先ず、ある所定のレーザー光の照射によって、レーザ光
がソースフォロ（ｐ，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソー
スフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋
２，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋２）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋２）に照射される。
り、レーザ光の進行方向に対して、ースフォロワを３個
並列接続した例である。この例では、ソースフォロワの
間隔をｄとし、レーザ光線の照射幅をＬ＝４ｄとする。
先ず、ある所定のレーザー光の照射によって、レーザ光
がソースフォロ（ｐ，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソー
スフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋
２，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋２）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋２）に照射される。
【００２４】ここで、ソースファロワ（ｐ，ｑ）、ソー
スファロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースファロワ（ｐ，ｑ＋
２）には、１段階前のレーザー光の照射において、レー
ザ光が照射されているので、この３つのソースファロワ
には、２回目のレーザ光の照射が行われることとなる。
スファロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースファロワ（ｐ，ｑ＋
２）には、１段階前のレーザー光の照射において、レー
ザ光が照射されているので、この３つのソースファロワ
には、２回目のレーザ光の照射が行われることとなる。
【００２５】次にレーザ光が１段階移動して、レーザ光
の照射が行われる。すると、ソースフォロワ（ｐ＋３，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋
４，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ
＋３，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋２）、
ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋２）、及びソースフォロ
ワ（ｐ＋６，ｑ＋２）にレーザ光が照射されることとな
る。
の照射が行われる。すると、ソースフォロワ（ｐ＋３，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋
４，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ
＋３，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋２）、
ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋２）、及びソースフォロ
ワ（ｐ＋６，ｑ＋２）にレーザ光が照射されることとな
る。
【００２６】それにより、ソースフォロワ（ｐ＋３，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋３，ｑ＋２）には、２回目のレーザ光の照射
が行われることになる。
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋３，ｑ＋２）には、２回目のレーザ光の照射
が行われることになる。
【００２７】そして、次に段階のレーザ光の照射が行わ
れることにより、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋
６，ｑ＋２）に２回目のレーザ光の照射が行われること
になる。
れることにより、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋
６，ｑ＋２）に２回目のレーザ光の照射が行われること
になる。
【００２８】２回目のレーザ光の照射が行われたソース
フォロワでは、しきい値電圧は図８に示すようにＶthL
になる。
フォロワでは、しきい値電圧は図８に示すようにＶthL
になる。
【００２９】一方、１回したレーザ光の照射が行われな
かったソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）、
ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォロワ
（ｐ＋１，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋
２）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、
ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、ソースフォロワ
（ｐ＋４，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋
２）は、図８に示すようにしきい値電圧がＶthH にな
る。
かったソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）、
ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォロワ
（ｐ＋１，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋
２）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、
ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、ソースフォロワ
（ｐ＋４，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋
２）は、図８に示すようにしきい値電圧がＶthH にな
る。
【００３０】ここでは、図の点線で示される領域に１回
のレーザ光の照射を行い、それを一部が重なるようにし
て照射していく例を示す。しかし、１か所に複数回のレ
ーザ光が照射されるようにしてもよい。ただしその回数
は定めたものとする必要がある。
のレーザ光の照射を行い、それを一部が重なるようにし
て照射していく例を示す。しかし、１か所に複数回のレ
ーザ光が照射されるようにしてもよい。ただしその回数
は定めたものとする必要がある。
【００３１】図２に示すように、ソースフォロワ（ｐ，
ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）とソースフォロワ
（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）とソー
スフォロワ（ｐ＋４，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋５，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）とソースフォ
ロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ
＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）とソースフ
ォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ＋６，
ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋２）とソース
フォロワ（ｐ＋３，ｑ＋２）とソースフォロワ（ｐ＋
４，ｑ＋２）というような組み合わせで、３個のソース
フォロワを並列接続することにより、２回レーザ照射を
受けたソースフォロワが１個と、１回レーザ照射を受け
たソースフォロワ２個とを並列に接続した構成とするこ
とができる。そしてこのような構成とすることによっ
て、すべての組のソースフォロワの特性を均一化し、レ
ーザ照射によって生じた特性のばらつきを抑制すること
ができる。
ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）とソースフォロワ
（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）とソー
スフォロワ（ｐ＋４，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋５，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）とソースフォ
ロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ
＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）とソースフ
ォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ＋６，
ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋２）とソース
フォロワ（ｐ＋３，ｑ＋２）とソースフォロワ（ｐ＋
４，ｑ＋２）というような組み合わせで、３個のソース
フォロワを並列接続することにより、２回レーザ照射を
受けたソースフォロワが１個と、１回レーザ照射を受け
たソースフォロワ２個とを並列に接続した構成とするこ
とができる。そしてこのような構成とすることによっ
て、すべての組のソースフォロワの特性を均一化し、レ
ーザ照射によって生じた特性のばらつきを抑制すること
ができる。
【００３２】図３は本発明の第３の実施例の回路図であ
り、レーザ光の進行方向に対して、ソースフォロワを１
個おきにとばして２個ずつ並列接続した例である。本実
施例では、図２に示す第２の実施例と同様に、ソースフ
ォロワの間隔をｄとし、レーザ光線照射の幅ＬをＬ＝４
ｄとして、照射領域が幅ｄだけ重複するように、レーザ
光を照射する。
り、レーザ光の進行方向に対して、ソースフォロワを１
個おきにとばして２個ずつ並列接続した例である。本実
施例では、図２に示す第２の実施例と同様に、ソースフ
ォロワの間隔をｄとし、レーザ光線照射の幅ＬをＬ＝４
ｄとして、照射領域が幅ｄだけ重複するように、レーザ
光を照射する。
【００３３】先ず、ソースフォロワ（ｐ，ｑ）、ソース
フォロワ（ｐ，ｑ＋１）には、レーザー光が照射された
状態とする。そして、レーザ光がソースフォロワ（ｐ，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋１，
ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソース
フォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）に照射される。
フォロワ（ｐ，ｑ＋１）には、レーザー光が照射された
状態とする。そして、レーザ光がソースフォロワ（ｐ，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋１，
ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソース
フォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）に照射される。
【００３４】次にレーザ光は移動して、ソースフォロワ
（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋６，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ
＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）にレーザー
光が照射される。
（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋６，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ
＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）にレーザー
光が照射される。
【００３５】次にレーザー光は移動して、ソースフォロ
ワ（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）
にレーザー光が照射される。
ワ（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）
にレーザー光が照射される。
【００３６】ここで、ソースフォロワ（ｐ，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋３，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋
１）には、２回レーザ光が照射されるため、しきい値電
圧は図８に示すようにＶthL になる。
スフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋３，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋
１）には、２回レーザ光が照射されるため、しきい値電
圧は図８に示すようにＶthL になる。
【００３７】一方、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、ソース
フォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）には、レーザ光が１回した
照射されないため、しきい値電圧は図８に示すようにＶ
thH になる。
ースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、ソース
フォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）には、レーザ光が１回した
照射されないため、しきい値電圧は図８に示すようにＶ
thH になる。
【００３８】図３に示すようにして、ソースフォロワ
（ｐ，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフ
ォロワ（ｐ＋１，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋３，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）とソースフォロワ
（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ，ｑ＋１）とソー
スフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ
＋６，ｑ＋１）というような組み合わせで２個のソース
フォロワを１個おきに並列接続することで、全ての並列
回路において、２個のうちいずれか１個のソースファロ
ワが２回のレーザ照射を受け、他の１個が１回レーザ照
射を受けているような組み合わせを実現することができ
る。図３に示す構成の等価回路は図１に示す構成と同じ
であり、図１に示す配置とした場合と同様の効果を図３
に示す構成を採用した場合も得ることができる。
（ｐ，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフ
ォロワ（ｐ＋１，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋３，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）とソースフォロワ
（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ，ｑ＋１）とソー
スフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）とソースフォロワ（ｐ
＋６，ｑ＋１）というような組み合わせで２個のソース
フォロワを１個おきに並列接続することで、全ての並列
回路において、２個のうちいずれか１個のソースファロ
ワが２回のレーザ照射を受け、他の１個が１回レーザ照
射を受けているような組み合わせを実現することができ
る。図３に示す構成の等価回路は図１に示す構成と同じ
であり、図１に示す配置とした場合と同様の効果を図３
に示す構成を採用した場合も得ることができる。
【００３９】図４は本発明の第４の実施例の回路図であ
り、レーザの進行方向に対して、ソースフォロワを斜め
に２個並列接続した例である。図１に示す第１の実施例
と同様に、ソースフォロワ間隔をｄとして、レーザ光線
の照射幅ＬをＬ＝３ｄとしてレーザ光を照射する。
り、レーザの進行方向に対して、ソースフォロワを斜め
に２個並列接続した例である。図１に示す第１の実施例
と同様に、ソースフォロワ間隔をｄとして、レーザ光線
の照射幅ＬをＬ＝３ｄとしてレーザ光を照射する。
【００４０】従って、ソースフォロワ（ｐ，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋
１）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ）、及びソースフォ
ロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）にはレーザ光が２回照射される
ことになるため、しきい値電圧は図８に示すようにＶ
thL になる。
スフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，
ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋
１）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ）、及びソースフォ
ロワ（ｐ＋６，ｑ＋１）にはレーザ光が２回照射される
ことになるため、しきい値電圧は図８に示すようにＶ
thL になる。
【００４１】他方，ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ
＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソー
スフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋５，
ｑ＋１）はそれぞれ、レーザ光が１回のみ照射されるた
め、しきい値電圧は図８に示すようにＶthH になる。
ースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ
＋３，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソー
スフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋５，
ｑ＋１）はそれぞれ、レーザ光が１回のみ照射されるた
め、しきい値電圧は図８に示すようにＶthH になる。
【００４２】図４に示すように、ソースフォロワ（ｐ，
ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋１，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋
１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）とソースフォロワ
（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）と
ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、ソースフォロワ
（ｐ＋４，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、
ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋
６，ｑ＋１）とを並列接続すると、これらの並列回路は
図１に示す第１の実施例の並列回路と接続のパターンが
異なるが、回路的には等価であるで、同じ効果を得るこ
とができる。
ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）、ソースフォ
ロワ（ｐ＋１，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋
１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）とソースフォロワ
（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）と
ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）、ソースフォロワ
（ｐ＋４，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、
ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋
６，ｑ＋１）とを並列接続すると、これらの並列回路は
図１に示す第１の実施例の並列回路と接続のパターンが
異なるが、回路的には等価であるで、同じ効果を得るこ
とができる。
【００４３】図５は本発明の第５の実施例の回路図であ
り、ソースフォロワを斜めに３個並列接続した例であ
る。本実施例では、図２に示す第２の実施例と同様に、
ソースフォロワの間隔をｄとし、レーザ光線照射の幅Ｌ
をＬ＝４ｄとして、照射領域が幅ｄだけ重複するよう
に、レーザ光を照射する。
り、ソースフォロワを斜めに３個並列接続した例であ
る。本実施例では、図２に示す第２の実施例と同様に、
ソースフォロワの間隔をｄとし、レーザ光線照射の幅Ｌ
をＬ＝４ｄとして、照射領域が幅ｄだけ重複するよう
に、レーザ光を照射する。
【００４４】従って、ソースフォロワ（ｐ，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ，ｑ＋
２）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋
２）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋６，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋
２）には、２回レーザ光が照射されるため、しきい値電
圧は図８に示すようにＶthL になる。
スフォロワ（ｐ，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ，ｑ＋
２）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋３，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋
２）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ）、ソースフォロワ
（ｐ＋６，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋６，ｑ＋
２）には、２回レーザ光が照射されるため、しきい値電
圧は図８に示すようにＶthL になる。
【００４５】一方、ソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ
＋２，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，
ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、ソース
フォロワ（ｐ＋４，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
５，ｑ＋２）は１回のみレーザ光が照射されるため、し
きい値電圧は図８に示すようにＶthH になる。
ースフォロワ（ｐ＋２，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）、ソ
ースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ
＋２，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ）、ソー
スフォロワ（ｐ＋５，ｑ）、ソースフォロワ（ｐ＋４，
ｑ＋１）、ソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）、ソース
フォロワ（ｐ＋４，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
５，ｑ＋２）は１回のみレーザ光が照射されるため、し
きい値電圧は図８に示すようにＶthH になる。
【００４６】図５に示すようにして、ソースフォロワ
（ｐ，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）とソー
スフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）とソース
フォロワ（ｐ＋３，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
２，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）とソース
フォロワ（ｐ＋４，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
３，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）とソース
フォロワ（ｐ＋５，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
４，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）とソース
フォロワ（ｐ＋６，ｑ＋２）というような組み合わせで
３個のソースフォロワを並列接続すると、これらの回路
は図２に示す第２の実施例と同様に、３個のソースフォ
ロワのうち１個が２回レーザ照射を受け、他の２個が１
回レーザ照射を受けているという組み合わせとすること
ができる。そして、第２の実施例と同じ効果を得ること
ができる。
（ｐ，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋１，ｑ＋１）とソー
スフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
１，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋２，ｑ＋１）とソース
フォロワ（ｐ＋３，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
２，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋３，ｑ＋１）とソース
フォロワ（ｐ＋４，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
３，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋４，ｑ＋１）とソース
フォロワ（ｐ＋５，ｑ＋２）、ソースフォロワ（ｐ＋
４，ｑ）とソースフォロワ（ｐ＋５，ｑ＋１）とソース
フォロワ（ｐ＋６，ｑ＋２）というような組み合わせで
３個のソースフォロワを並列接続すると、これらの回路
は図２に示す第２の実施例と同様に、３個のソースフォ
ロワのうち１個が２回レーザ照射を受け、他の２個が１
回レーザ照射を受けているという組み合わせとすること
ができる。そして、第２の実施例と同じ効果を得ること
ができる。
【００４７】以下に、薄膜トランジスタを利用して構成
されたソースファロワの例についてその作製工程を図１
０を用いて説明する。ここでは相補型インバータ回路を
例にとる。
されたソースファロワの例についてその作製工程を図１
０を用いて説明する。ここでは相補型インバータ回路を
例にとる。
【００４８】まず、ガラス基板（コーニング７０５９等
の低アルカリガラスまたは石英ガラス等を使用する。）
上に下地酸化膜として厚さ１０００〜３０００Åの酸化
珪素膜を形成した。この酸化膜の形成方法としては、酸
素雰囲気中でのスパッタ法を使用した。しかし、より量
産性を高めるには、ＴＥＯＳをプラズマＣＶＤ法で分解
・堆積した膜を用いてもよい。
の低アルカリガラスまたは石英ガラス等を使用する。）
上に下地酸化膜として厚さ１０００〜３０００Åの酸化
珪素膜を形成した。この酸化膜の形成方法としては、酸
素雰囲気中でのスパッタ法を使用した。しかし、より量
産性を高めるには、ＴＥＯＳをプラズマＣＶＤ法で分解
・堆積した膜を用いてもよい。
【００４９】その後、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法
によって非晶質珪素膜を３００〜５０００Å、好ましく
は５００〜１０００Å堆積し、これを、５５０〜６００
℃の還元雰囲気に４〜４８時間放置して、結晶化せしめ
た。この工程の後に、レーザ照射によっておこなって、
さらに結晶化の度合いを高めた。また、レーザ光源は３
０８ｎｍまたは２４８ｎｍの波長光を発するものを使用
した。そして、このようにして結晶化させた珪素膜をパ
ターニングして島状領域１、２を形成した。さらに、こ
の上にスパッタ法によって厚さ７００〜１５００Åの酸
化珪素膜３を形成した。
によって非晶質珪素膜を３００〜５０００Å、好ましく
は５００〜１０００Å堆積し、これを、５５０〜６００
℃の還元雰囲気に４〜４８時間放置して、結晶化せしめ
た。この工程の後に、レーザ照射によっておこなって、
さらに結晶化の度合いを高めた。また、レーザ光源は３
０８ｎｍまたは２４８ｎｍの波長光を発するものを使用
した。そして、このようにして結晶化させた珪素膜をパ
ターニングして島状領域１、２を形成した。さらに、こ
の上にスパッタ法によって厚さ７００〜１５００Åの酸
化珪素膜３を形成した。
【００５０】その後、厚さ１０００Å〜３μｍのアルミ
ニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もしくは０．１〜０．３ｗｔ
％のＳｃ（スカンジウム）を含む）膜を電子ビーム蒸着
法、もしくはスパッタ法によって形成した。そして、フ
ォトレジスト（例えば、東京応化製、ＯＦＰＲ８００／
３０ｃｐ）をスピンコート法によって形成した。なお、
フォトレジストの形成前に、陽極酸化法によって厚さ１
００〜１０００Åの酸化アルミニウム膜を表面に形成し
ておくと、フォトレジストとの密着性が良くなると共
に、フォトレジストからの電流のリークを抑制すること
により、後述する陽極酸化工程において、多孔質陽極酸
化物を側面のみに形成するうえで有効であった。その
後、フォトレジストとアルミニウム膜をパターニングし
て、アルミニウム膜と一緒にエッチングし、ゲイト電極
４、５及びマスク膜６、７とした。（図１０ａ）
ニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もしくは０．１〜０．３ｗｔ
％のＳｃ（スカンジウム）を含む）膜を電子ビーム蒸着
法、もしくはスパッタ法によって形成した。そして、フ
ォトレジスト（例えば、東京応化製、ＯＦＰＲ８００／
３０ｃｐ）をスピンコート法によって形成した。なお、
フォトレジストの形成前に、陽極酸化法によって厚さ１
００〜１０００Åの酸化アルミニウム膜を表面に形成し
ておくと、フォトレジストとの密着性が良くなると共
に、フォトレジストからの電流のリークを抑制すること
により、後述する陽極酸化工程において、多孔質陽極酸
化物を側面のみに形成するうえで有効であった。その
後、フォトレジストとアルミニウム膜をパターニングし
て、アルミニウム膜と一緒にエッチングし、ゲイト電極
４、５及びマスク膜６、７とした。（図１０ａ）
【００５１】さらに、これに電解液中で電流を通じて陽
極酸化し、厚さ３０００〜６０００Å、例えば、厚さ５
０００Åの陽極酸化物を形成した。陽極酸化は、３〜２
０％のクエン酸もしくはショウ酸、燐酸、クロム酸、硫
酸等の酸性水溶液を用いておこない、１０〜３０Ｖの一
定電流をゲイト電極に印加すればよい。本実施例では、
シュウ酸溶液（３０℃）中で電圧を１０Ｖとし、２０〜
４０分、陽極酸化した。なお、陽極酸化物の厚さは陽極
酸化時間によって制御した。（図１０ｂ）
極酸化し、厚さ３０００〜６０００Å、例えば、厚さ５
０００Åの陽極酸化物を形成した。陽極酸化は、３〜２
０％のクエン酸もしくはショウ酸、燐酸、クロム酸、硫
酸等の酸性水溶液を用いておこない、１０〜３０Ｖの一
定電流をゲイト電極に印加すればよい。本実施例では、
シュウ酸溶液（３０℃）中で電圧を１０Ｖとし、２０〜
４０分、陽極酸化した。なお、陽極酸化物の厚さは陽極
酸化時間によって制御した。（図１０ｂ）
【００５２】次に、マスクを除去し、再び電解溶液中に
おいて、ゲイト電極に電流を印加した。本実施例では、
３〜１０％の酒石液、硼酸、硝酸が含まれたエチレング
ルコール溶液を用いた。溶液の温度は１０℃前後の室温
より低い方が良好な酸化膜が得られた。このため、ゲイ
ト電極の上面および側面にバリヤ型の陽極酸化物１０、
１１が形成された。陽極酸化物１０、１１の厚さは印加
電圧に比例し、例えば、印加電圧が１５０Ｖでは２００
０Åの陽極酸化物が形成された。陽極酸化物１０、１１
の厚さは必要とされるオフセットの大きさによって決定
した。３０００Å以上の厚さの陽極酸化物を得るには２
５０Ｖ以上の高電圧を印加するが必要であるが、薄膜ト
ランジスタの特性に悪影響を及ぼすので、３０００Å以
下の厚さとすることが好ましい。本実施例では、印加電
圧を８０〜１５０Ｖまで上昇させ、必要とする陽極酸化
膜１０、１１の厚さによって電圧を選択した。
おいて、ゲイト電極に電流を印加した。本実施例では、
３〜１０％の酒石液、硼酸、硝酸が含まれたエチレング
ルコール溶液を用いた。溶液の温度は１０℃前後の室温
より低い方が良好な酸化膜が得られた。このため、ゲイ
ト電極の上面および側面にバリヤ型の陽極酸化物１０、
１１が形成された。陽極酸化物１０、１１の厚さは印加
電圧に比例し、例えば、印加電圧が１５０Ｖでは２００
０Åの陽極酸化物が形成された。陽極酸化物１０、１１
の厚さは必要とされるオフセットの大きさによって決定
した。３０００Å以上の厚さの陽極酸化物を得るには２
５０Ｖ以上の高電圧を印加するが必要であるが、薄膜ト
ランジスタの特性に悪影響を及ぼすので、３０００Å以
下の厚さとすることが好ましい。本実施例では、印加電
圧を８０〜１５０Ｖまで上昇させ、必要とする陽極酸化
膜１０、１１の厚さによって電圧を選択した。
【００５３】注目すべきは、バリヤ型の陽極酸化が後の
工程であるにもかかわらず、多孔質の陽極酸化物の外側
にバリヤ型の陽極酸化物ができるのではなく、バリヤ型
の陽極酸化物１０、１１は多孔質陽極酸化物８、９とゲ
イト電極４、５の間に形成されることである。そして、
ドライエッチング法（もしくはウェットエッチング法）
によって絶縁膜３をエッチングした。このエッチング深
さは任意であり、下に存在する活性層が露出するまでエ
ッチングをおこなっても、その途中でとめてもよい。し
かし、量産性・歩留り・均一性の観点からは、活性層に
至るまでエッチングすることが望ましい。この際には陽
極酸化物８、９、およびゲイト電極４、５に覆われた領
域の下側の絶縁膜（ゲイト絶縁膜）には、もとの厚さの
絶縁膜１２、１３が残される。（図１０ｃ）
工程であるにもかかわらず、多孔質の陽極酸化物の外側
にバリヤ型の陽極酸化物ができるのではなく、バリヤ型
の陽極酸化物１０、１１は多孔質陽極酸化物８、９とゲ
イト電極４、５の間に形成されることである。そして、
ドライエッチング法（もしくはウェットエッチング法）
によって絶縁膜３をエッチングした。このエッチング深
さは任意であり、下に存在する活性層が露出するまでエ
ッチングをおこなっても、その途中でとめてもよい。し
かし、量産性・歩留り・均一性の観点からは、活性層に
至るまでエッチングすることが望ましい。この際には陽
極酸化物８、９、およびゲイト電極４、５に覆われた領
域の下側の絶縁膜（ゲイト絶縁膜）には、もとの厚さの
絶縁膜１２、１３が残される。（図１０ｃ）
【００５４】その後、陽極酸化物８、９を除去した。エ
ッチャントとしては、燐酸系の溶液、例えば、燐酸、酢
酸、硝酸の混酸等が好ましい。この際、燐酸系のエッチ
ャントにおいては、多孔質陽極酸化物のエッチングレー
トはバリヤ型陽極酸化物のエッチングレートの１０倍以
上である。したがって、バリヤ型の陽極酸化物１０、１
１は、燐酸系のエッチャントでは実質的にエッチングさ
れないので、内側のゲイト電極を守ることができた。
ッチャントとしては、燐酸系の溶液、例えば、燐酸、酢
酸、硝酸の混酸等が好ましい。この際、燐酸系のエッチ
ャントにおいては、多孔質陽極酸化物のエッチングレー
トはバリヤ型陽極酸化物のエッチングレートの１０倍以
上である。したがって、バリヤ型の陽極酸化物１０、１
１は、燐酸系のエッチャントでは実質的にエッチングさ
れないので、内側のゲイト電極を守ることができた。
【００５５】この構造で加速したＮ型もしくはＰ型の不
純物のイオンを活性層に注入することによって、ソース
・ドレインを形成した。まず、左側の薄膜トランジスタ
領域をマスク１４によって覆った状態で、イオンドーピ
ング法によって、比較的低速（典型的には、加速電圧は
５〜３０ｋＶ）の燐イオンを照射した。本実施例では、
加速電圧は２０ｋＶとし、ドーピングガスとしてはフォ
スフィン（ＰＨ3 ）を９い、ドーズ量は５×１０14〜５
×１０15ｃｍ-2とした。この工程では、燐イオンは絶縁
膜１３を透過できないので、活性層のうち、表面の露出
された領域のみに燐イオンが注入され、Ｎチャネル型薄
膜トランジスタのドレイン１５、ソース１６が形成され
た。（図１０ｄ）
純物のイオンを活性層に注入することによって、ソース
・ドレインを形成した。まず、左側の薄膜トランジスタ
領域をマスク１４によって覆った状態で、イオンドーピ
ング法によって、比較的低速（典型的には、加速電圧は
５〜３０ｋＶ）の燐イオンを照射した。本実施例では、
加速電圧は２０ｋＶとし、ドーピングガスとしてはフォ
スフィン（ＰＨ3 ）を９い、ドーズ量は５×１０14〜５
×１０15ｃｍ-2とした。この工程では、燐イオンは絶縁
膜１３を透過できないので、活性層のうち、表面の露出
された領域のみに燐イオンが注入され、Ｎチャネル型薄
膜トランジスタのドレイン１５、ソース１６が形成され
た。（図１０ｄ）
【００５６】次に、同じくイオンドーピング法によっ
て、比較的高速（典型的には、加速電圧は６０〜１２０
ｋＶ）の燐イオンを照射した。本実施例では、加速電圧
は９０ｋＶとし、ドーズ量は１×１０13〜５×１０14ｃ
ｍ-2とした。この工程では、燐イオンは絶縁膜１３を透
過して、その下の領域にも到達するが、ドーズ量が少な
いので、低濃度のＮ型領域１７、１８が形成された。
（図１０ｅ）
て、比較的高速（典型的には、加速電圧は６０〜１２０
ｋＶ）の燐イオンを照射した。本実施例では、加速電圧
は９０ｋＶとし、ドーズ量は１×１０13〜５×１０14ｃ
ｍ-2とした。この工程では、燐イオンは絶縁膜１３を透
過して、その下の領域にも到達するが、ドーズ量が少な
いので、低濃度のＮ型領域１７、１８が形成された。
（図１０ｅ）
【００５７】燐イオンのドーピングが終了したのち、マ
スク１４を除去し、今度は、Ｎチャネル型薄膜トランジ
スタをマスクして、同様に、Ｐチャネル型薄膜トランジ
スタにもソース１９、ドレイン２０、低濃度のＰ型領域
２１、２２を形成した。そして、ＫｒＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射し
て、活性層中に導入された不純物イオンの活性化をおこ
なった。
スク１４を除去し、今度は、Ｎチャネル型薄膜トランジ
スタをマスクして、同様に、Ｐチャネル型薄膜トランジ
スタにもソース１９、ドレイン２０、低濃度のＰ型領域
２１、２２を形成した。そして、ＫｒＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射し
て、活性層中に導入された不純物イオンの活性化をおこ
なった。
【００５８】最後に、ＣＶＤ法によって、全面に層間絶
縁物２３として酸化珪素膜を厚さ３０００〜６０００Å
形成した。そして、薄膜トランジスタのソース・ドレイ
ンにコンタクトホールを形成し、アルミニウム配線・電
極２４、２５、２６を形成した。さらに２００〜４００
℃で水素アニールをおこなった。以上によって、薄膜ト
ランジスタを用いた相補型インバータ回路が完成した。
（図１０ｆ） 以上において、インバータ回路で説明をおこなったが、
他の回路においても同様である。また、ここではコプラ
ナ型の薄膜トランジスタについて説明したが、コプラナ
型のみならず逆スタガ型など他の型の薄膜トランジスタ
でも本発明には対応できる。
縁物２３として酸化珪素膜を厚さ３０００〜６０００Å
形成した。そして、薄膜トランジスタのソース・ドレイ
ンにコンタクトホールを形成し、アルミニウム配線・電
極２４、２５、２６を形成した。さらに２００〜４００
℃で水素アニールをおこなった。以上によって、薄膜ト
ランジスタを用いた相補型インバータ回路が完成した。
（図１０ｆ） 以上において、インバータ回路で説明をおこなったが、
他の回路においても同様である。また、ここではコプラ
ナ型の薄膜トランジスタについて説明したが、コプラナ
型のみならず逆スタガ型など他の型の薄膜トランジスタ
でも本発明には対応できる。
【００５９】
【発明の効果】本発明によると、例えばレーザ結晶化工
程おいて、アナログバッファを構成するソースフォロワ
のしきい値電圧Ｖthがばらついていても、ソースフォロ
ワを並列接続するようにしたため、アナログバッファの
薄膜トランジスタのしきい値電圧のばらつきを平均化す
ることができる。
程おいて、アナログバッファを構成するソースフォロワ
のしきい値電圧Ｖthがばらついていても、ソースフォロ
ワを並列接続するようにしたため、アナログバッファの
薄膜トランジスタのしきい値電圧のばらつきを平均化す
ることができる。
【００６０】また、アナログバッファを構成するソース
フォロワを複数個並列に構成し、その中の決まった数に
レーザ光が重なって照射されるようにすることで、アナ
ログバッファの特性のばらつきを抑制することができ
る。
フォロワを複数個並列に構成し、その中の決まった数に
レーザ光が重なって照射されるようにすることで、アナ
ログバッファの特性のばらつきを抑制することができ
る。
【００６１】具体的には、レーザ照射幅を所定の規則に
従って配置されたソースファロワの間隔のｎ倍（ｎ≦
３）とし、かつ一部のソースファロワでレーザ光が重ね
るようにすることで、アナログバッファの特性を平均化
することができる。即ち、レーザ光の照射回数の異なる
ソースファロワの組合せを、複数のアナログバッファに
おいて、同じものとすることができるため、アナログバ
ッファ毎の特性のばらつきを平均化することができる。
従って配置されたソースファロワの間隔のｎ倍（ｎ≦
３）とし、かつ一部のソースファロワでレーザ光が重ね
るようにすることで、アナログバッファの特性を平均化
することができる。即ち、レーザ光の照射回数の異なる
ソースファロワの組合せを、複数のアナログバッファに
おいて、同じものとすることができるため、アナログバ
ッファ毎の特性のばらつきを平均化することができる。
【００６２】そして、このようなアナログバッファを用
いることで、例えば、液晶表示装置において、表示のば
らつきのないものを実現することができる。
いることで、例えば、液晶表示装置において、表示のば
らつきのないものを実現することができる。
【図１】 本発明によるアクティブマトリクス型表示装
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
【図２】 本発明によるアクティブマトリクス型表示装
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
【図３】 本発明によるアクティブマトリクス型表示装
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
【図４】 本発明によるアクティブマトリクス型表示装
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
【図５】 本発明によるアクティブマトリクス型表示装
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
置における実施例のアナログバッファの回路図を示す。
【図６】 従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
けるアナログバッファの回路図を示す。
けるアナログバッファの回路図を示す。
【図７】 従来のアナログバッファ製造工程のレーザ照
射の概略図を示す。
射の概略図を示す。
【図８】 従来のアナログバッファに使用される薄膜ト
ランジスタ製造時のレーザ光源位置ｘと薄膜トランジス
タのしきい値電圧Ｖthの関係を示す図を示す。
ランジスタ製造時のレーザ光源位置ｘと薄膜トランジス
タのしきい値電圧Ｖthの関係を示す図を示す。
【図９】 従来のアクティブマトリクス型表示装置の概
略図を示す。
略図を示す。
【図１０】 相補型インバータ回路の製造法を示す。
【図１１】 従来のノーマリホワイトの液晶素子におけ
る印加電圧と透過率の係を表した図を示す。
る印加電圧と透過率の係を表した図を示す。
１、２ 島状領域（活性層） ３ 酸化珪素膜（ゲイト絶縁膜） ４、５ ゲイト電極 ６、７ マスク膜 ８、９ 陽極酸化物 １０、１１ バリア型の陽極酸化物 １２、１３ 絶縁膜 １４ マスク １５ ドレイン １６ ソース １７、１８ 低濃度のＮ型領域 １９ ソース ２０ ドレイン ２０、２１ Ｐ型領域 ２３ 層間絶縁物 ２４、２５、２６ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｋ 7426−5Ｈ Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｈ０１Ｌ 29/786 21/336
Claims (12)
- 【請求項１】 アナログスイッチ及び、コンデンサから
構成されるアナログメモリと、薄膜トランジスタで形成
したアナログバッファから構成されたアクティブマトリ
クス型表示装置の駆動回路において、前記アナログバッ
ファが並列接続された複数のソースフォロワで構成され
ていることを特徴としているアクティブマトリクス型表
示装置の駆動回路。 - 【請求項２】 請求項１において、前記アクティブマト
リクス型表示装置の駆動回路の製造工程において、レー
ザ結晶化工程を含むことを特徴とするアクティマトリク
ス型表示装置の駆動回路。 - 【請求項３】 請求項２において、ｎを３以上の自然数
として、ソースフォロワの間隔ｄとレーザ照射幅Ｌと
は，Ｌ＝ｎｄの関係にあることを特徴とするアクティブ
マトリクス型表示装置の駆動回路。 - 【請求項４】 請求項３において、レーザ照射の進行方
向に対して平行な方向に並んだ前記ソースフォロワを２
個以上ｎ個以下並列接続したことを特徴と するアクテ
ィブマトリクス型表示装置の駆動回路。 - 【請求項５】 請求項３において、前記ソースフォロワ
を（ｎ−１）個並列接続し、そのうち１個のソースフォ
ロワのみは、他のソースフォロワとレーザ照射された回
数が異なることを特徴とするアクティブマトリクス型表
示装置の駆動回路。 - 【請求項６】 請求項４において、並列接続されたソー
スフォロワは，レーザ照射された回数の異なるものを組
み合わせて並列接続されたことを特徴とするアクティブ
マトリクス型表示装置の駆動回路。 - 【請求項７】 請求項３において、ソースフォロワをｌ
行ｍ列の行列状に配置し、ｐ，ｑ，ｕ，ｖを次のような
自然数とする。 １＜ｐ＜ｌ、１＜ｑ＜ｍ、０＜ｕ＜（ｌ−１）、０＜ｖ
＜（ｍ−１） このとき、ソースフォロワ（ｐ，ｑ）、（ｐ＋１，ｑ＋
１）、──（ｐ＋ｕ，ｑ＋ｖ）を並列接続したことを特
徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆動回路。 - 【請求項８】 アナログスイッチ及びコンデンサから成
るアナログメモリと、薄膜トランジスタで形成したアナ
ログバッファとを要素として有するアクティブトリクス
型表示装置の製造方法において、レーザ結晶化工程を含
み、かつレーザ照射の幅Ｌは前記アナログバッファの幅
ｄの整数ｎ倍であることを特徴とするアクティブマトリ
クス型表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８において、前記レーザ結晶化工
程において、レーザ照射時の重複部分の長さは、ｄの整
数倍であることを特徴とするアクティブマトリクス型表
示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項８において、前記レーザ結晶化
工程において、レーザ光の波長は３０８ｎｍまたは２４
８ｎｍであることを特徴としたアクティブマトリクス型
表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０において、前記レーザ結晶
化工程において、レーザ照射前のシリコン膜は固相成長
法によって結晶化した膜であることを特徴としたアクテ
ィブマトリクス型表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１１において、レーザ照射前の
前記シリコン膜は非結晶性の膜としたことを特徴とする
アクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
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| JP10757394 | 1994-04-22 | ||
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