JPH0855955A - 集積回路用多層基板及び集積回路用多層基板用内層基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 材料コスト、製造コスト等のコストを低減す
ることにより安価に製造でき、かつ、集積度が高く、信
号の高速伝達性を有するマルチチップモジュール（ＭＣ
Ｍ）用多層基板を提供する。 【構成】 両面にＩＣチップを実装可能なＭＣＭ用多層
基板において、表裏のうち、一方の導体層１４及び絶縁
層１５をそれぞれ一層とし、内層基板１内に、電源に接
続もしくは接地された少なくとも一層の格子状又は平面
状の内部導体層２０を形成する。また、内層基板１に接
する導体層である第１導体層２と一の絶縁層３を挟んで
第１導体層２に重ねて形成された第２導体層５とを接続
する接続導体部４は、その接続方向に垂直な方向の長さ
が内層基板１の表面のあらさに比して十分に長いように
構成する。さらにまた、ＭＣＭ用多層基板の表面と裏面
を接続する内部接続導体部１３を等間隔に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、集積回路用多層基板及
び集積回路用多層基板用内層基板に関し、より詳細に
は、複数のＩＣ(Integrated Circuit)チップを一つの基
板上に装着したマルチチップモジュール用基板及びその
内層基板に関する。

【０００２】マルチチップモジュール（Multi Chip Mod
ule 、以下、ＭＣＭという。）は、複数のＩＣチップを
一つの基板上に実装し、ＩＣチップ間及び外部接続用電
極を基板上又は基板の内部の配線により接続したもので
あり、このＭＣＭによれば、モジュール全体の小形化を
図ることができる。

【０００３】近年のＩＣの動作速度の高速化に伴い、Ｍ
ＣＭについて安価に製造でき、かつ、信号の伝送特性に
優れたものが要求されている。特に、薄膜積層型のＭＣ
Ｍは、高速動作、高密度配線が可能であり、これらの特
性を生かし、かつ、低価格のものが要求されている。

【０００４】

【従来の技術】従来技術のＭＣＭ用多層基板について図
４乃至図６を用いて説明する。はじめに、従来技術のＭ
ＣＭ用多層基板の外観について、図４を用いて説明す
る。

【０００５】図４は、従来技術のＭＣＭ用多層基板に８
個のＩＣチップを配置した場合の外観図である。図４に
おいて、１００はシリコン、窒化アルミニュウム、セラ
ミック等を材質とする内層基板を内部に持つ多層基板で
ある。この多層基板１００の片面又は両面或いは内部に
は、ＩＣチップ間又はＩＣチップと外部接続用電極とを
接続するための銅、アルミニュウム等を材質とする導体
層と絶縁層を交互に多層化した配線パターンが形成され
ている。

【０００６】また、１０２はＩＣチップであり、ボンデ
ィングワイヤ１０３により多層基板１００上又は多層基
板１００内部の配線パターンに接続されている。１０４
は、多層基板外部との接続用の導体パッドであり、リー
ドフレーム又はＩＣチップ１０２等を含む多層基板１０
０を封入するパッケージの接続用パッドに接続されてい
る。

【０００７】次に、従来技術のＭＣＭ用多層基板の一例
（以下、ＭＣＭ−Ｄという。）についてその断面の構造
を図５を用いて説明する。図５に示すＭＣＭ−Ｄにおい
ては、表面の平滑度の高い内層基板（配線パターンが配
設される面の表面を鏡面研磨したシリコン、セラミック
等を材質とする基板）１１０の片面に、導体薄膜である
導体層と絶縁層を交互に積層し（図５の場合は３層積層
されている。）、最上層には図示しないＩＣチップをダ
イボンディングするためのダイボンディングパッド１２
０と、図示しないＩＣチップのボンディングワイヤとの
接続用パッド１０５が設けられている。

【０００８】図５中、符号１１１、１１４及び１１７は
各層に配設された銅、アルミニュウム等を材質とした薄
膜導体によりなる信号線としての配線パターンであり、
ポリイミド等を材質とした絶縁層１１２、１１５及び１
１８により互いに層間絶縁されている。また、符号１１
３、１１６及び１１９は、各層の配線パターン１１１、
１１４及び１１７を互いに層間接続するための接続導体
部としてのビアホール（via hole）であり、一般的に
は、配線パターン１１１、１１４及び１１７と同様の材
質により構成されている。

【０００９】さらに、配線パターン１１７を含む層のう
ち配線パターン１１７以外の部分及び配線パターン１１
１を含む層のうち配線パターン１１１以外の部分には、
信号伝達特性を向上されるため、信号線としての配線パ
ターン１１４との間でマイクロストリップ線路としての
インピーダンスマッチングが得られるようにそれぞれに
図示しない電源層が形成されている。これらの電源層
は、配線パターン１１７又は配線パターン１１１とは絶
縁され、それぞれ電源に接続されるか若しくは接地され
ている。

【００１０】図５に示すＭＣＭ−Ｄにおいては、内層基
板１１０の片面のみを使用して配線パターンを形成する
ため、多層基板１００としての製作工程を簡略化するこ
とができるが、ＩＣチップを片面のみにしか実装できな
いため、回路の集積度が不十分であった。

【００１１】そこで、多層基板の両面にＩＣチップを実
装可能とした従来技術のＭＣＭ用多層基板（以下、ＭＣ
Ｍ−Ｃ／Ｄという。）について、図６を用いて説明す
る。図６において、図５と同様の部材については同様の
部材番号を示し、細部の説明は省略する。

【００１２】図６に示すＭＣＭ−Ｃ／Ｄは、表面（図６
中、上面）だけでなく裏面（図６中、下面）をも鏡面研
磨された内層基板１３０（図５に示す基板１１０と同様
の材質よりなる）の表面に図５に示すＭＣＭ−Ｄと同様
の配線パターン等（１０５及び１１１乃至１２０）が配
設され、さらに、裏面にも表面と同様の積層された配線
パターン（図６の場合は２層積層されている。）が配設
されている。そして、最下層には図示しないＩＣチップ
をダイボンディングするためのダイボンディングパッド
１３７と、図示しないＩＣチップのボンディングワイヤ
との接続用パッド１０５が設けられている。

【００１３】図６中、符号１３１及び１３４は符号１１
１、１１４及び１１７と同様の配線パターンであり、符
号１３２及び１３５は、符号１１２、１１５及び１１８
と同様の絶縁層である。また、符号１３３及び１３６
は、符号１１３、１１６及び１１９と同様のビアホール
である。

【００１４】また、図６においては、表面の配線パター
ンと裏面の配線パターンは、内部接続導体部としての厚
膜ビアホール１４０により電気的に接続されている。さ
らに、配線パターン１３１を含む層のうち配線パターン
１３１以外の部分及びダイボンディングパッド１３７及
び接続用パッド１０５を含む層のうちダイボンディング
パッド１３７及び接続用パッド１０５以外の部分には、
表面と同様に、信号線としての配線パターン１３４との
間でインピーダンスマッチングが得られるようにそれぞ
れに図示しない電源層が形成されている。これらの電源
層は、配線パターン１３１、ダイボンディングパッド１
３７又は接続用パッド１０５とは絶縁され、それぞれ電
源に接続されるか若しくは接地されている。

【００１５】図６に示すＭＣＭ−Ｃ／Ｄによれば、ＩＣ
チップを表裏両面に実装できるため、十分な回路集積度
が得られる。さらに、電源層により信号線としての配線
パターンを挟むストリップライン構造により信号伝送線
路としての特性インピーダンスを保持しているので、信
号を劣化させることなくの高速に伝達することが可能で
ある。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術のＭＣＭ用多層基板においては、図６に示すように厚
膜ビアホールを用いて表面の配線パターンと裏面の配線
パターンを接続し、表裏両面をストリップライン構造と
した多層基板（ＭＣＭ−Ｃ／Ｄ）であるために、積層す
る層数が増加し、製造工程が複雑になり製造コストが増
大するという第１の問題点があった。

【００１７】さらに、厚膜ビアホールを用いたＭＣＭ用
多層基板（ＭＣＭ−Ｃ／Ｄ）においては、異なるＩＣチ
ップの配置毎に異なる厚膜ビアホール配置を有する内層
基板を設計製作する必要があり、複数のＩＣチップの配
置間で融通性がないため、設計及び製造コストが増大す
るという第２の問題点があった。

【００１８】さらにまた、基板の表面に微細な薄膜配線
やビアホールを形成するために、ＩＣチップに比して面
積が大きく、かつ、鏡面研磨による平滑度の高い表面を
有する内層基板が必要であり、材料コストが増大すると
いう第３の問題点があった。

【００１９】そこで、本発明は上記の問題点に鑑みて成
されたもので、その目的は、材料コスト、製造コスト等
のコストを低減することにより、安価に製造でき、か
つ、集積度が高く、信号の高速伝達性を有するＭＣＭ用
多層基板を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上述の第１の問題点を解
決するために、請求項１に記載の発明は、内層基板の表
裏両面のそれぞれに、複数の半導体集積回路等の集積回
路チップ間を接続するポリイミド等よりなる絶縁層及び
銅、アルミニュウム等よりなる導体層の積層構造よりな
る配線パターンが配設され、内層基板内部に表裏両面の
前記配線パターンを接続する銅、アルミニュウム等より
なる内部接続導体部を有する集積回路用多層基板におい
て、表裏両面の前記配線パターンの内、いずれか一方は
一の絶縁層と一定の線幅を有する一の導体層の積層構造
により構成され、前記内層基板内部の前記内部接続導体
部以外の部分に、電源に接続又は接地された少なくとも
一層の内部導体層を備えて構成される。

【００２１】さらに、上述の第１の問題点を解決するた
めに、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の集積
回路用多層基板であって、前記内部導体層のうち、前記
内部接続導体部以外の部分は格子状形状を有して構成さ
れる。

【００２２】さらにまた、上述の第１の問題点を解決す
るために、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の
集積回路用多層基板であって、前記内部導体層のうち、
前記内部接続導体部以外の部分は平面状形状を有して構
成される。

【００２３】また、上述の第３の問題点を解決するため
に、請求項５に記載の発明は、内層基板の少なくとも一
方の面に複数の半導体集積回路等の集積回路チップ間を
接続するポリイミド等よりなる絶縁層及び銅、アルミニ
ュウム等よりなる導体層の積層構造よりなる配線パター
ンが配設されてなる集積回路用多層基板において、前記
内層基板に接する前記導体層である第１導体層と一の絶
縁層を挟んで前記第１導体層に重ねて形成された第２導
体層とを接続する接続導体部は、その接続方向に垂直な
方向の長さを前記内層基板の表面のあらさに比して十分
に長くするように構成される。

【００２４】さらにまた、上述の第２の問題点を解決す
るために、請求項６に記載の発明は、内層基板の両面に
配線パターンを有する集積回路用多層基板に用いられる
内層基板において、前記内層基板両面の前記配線パター
ンを接続するための内部接続導体部は、前記内層基板内
部に等間隔に配置されて構成される。

【００２５】

【作用】請求項１に記載の発明によれば、表裏両面の配
線パターンの内、いずれか一方は一の絶縁層と一定の線
幅を有する一の導体層の積層構造により構成され、内層
基板内部の内部接続導体部以外の部分に、少なくとも一
層の電源に接続又は接地された内部導体層を備えてお
り、導体層と内部導体層の間で一定の特性インピーダン
スが保持される。さらに、集積回路チップ間の配線は、
表裏両面の配線パターンの内、複数の導体層及び絶縁層
を有する配線パターンにおいて行われる。

【００２６】よって、集積回路チップの集積度及び信号
の高速伝達性を損なうことなく導体層及び絶縁層の層数
を低減することができる。請求項２に記載の発明によれ
ば、請求項１に記載の発明の作用に加えて、内部導体層
は格子状形状を有しているので、電源に対する高周波信
号の漏洩を防止でき、電源の高周波安定性を向上させる
ことができる。

【００２７】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加えて、内部導体層は平面状形状
を有しているので、内部導体層の抵抗率を低減すること
ができ、内部導体層における損失を低減することができ
る。

【００２８】請求項５に記載の発明によれば、内層基板
に接する導体層である第１導体層と第２導体層とを接続
する接続導体部は、その接続方向に垂直な方向の長さが
内層基板の表面のあらさに比して十分に長いので、表面
の荒い内層基板を使用することにより第１導体層と接続
導体部との接触面が荒くなった場合でも、接続導体部と
第１導体層とを確実に接触させることができる。

【００２９】請求項６に記載の発明によれば、内部接続
導体部は内層基板内部に等間隔に配置されているので、
半導体集積回路等の集積回路チップの複数種類の配置に
対して、内層基板を共通化することができる。

【００３０】

【実施例】次に、本発明に好適な実施例について、図１
乃至図３に基づいて説明する。図１は本発明の実施例で
あるＭＣＭ用多層基板の断面図を示している。

【００３１】図１に示すＭＣＭ用多層基板Ｓにおいて
は、セラミック等を材質とする基板を積層することによ
り形成されている内層基板（表面は鏡面研磨されていな
い。）１の両面に、導体薄膜である導体層とポリイミド
等の絶縁層を交互に積層し（図１の場合は表面（図１中
上面）に３層積層され、裏面（図１中下面）に一層の導
体層１４及び一層の絶縁層１５が積層されている。）、
最上層には図示しないＩＣチップをダイボンディングす
るためのダイボンディングパッド１２と、ＩＣチップの
ボンディングワイヤとの接続用パッド１１が設けられ、
同様に最下層にはダイボンディングパッド１８と、導体
層１４の一部にＩＣチップのボンディングワイヤとの接
続用パッド２４が設けられている。

【００３２】図１中、符号２、５及び８は各層に配設さ
れた銅、アルミニュウム等を材質とした薄膜導体により
なる信号線としての配線パターンであり、ポリイミド等
を材質とした絶縁層３、６及び９により互いに層間絶縁
されている。また、符号４、７及び１０は、各層の配線
パターン２、５及び８を互いに層間接続するための接続
導体部としてのビアホールであり、一般的には、配線パ
ターン２、５及び８と同様の材質により構成されてい
る。ここで、内層基板１に最も近いビアホール４は他の
ビアホール７及び１０よりも太く形成されている。より
具体的には、ビアホール４の接続方向に垂直な方向の長
さはビアホール７及び１０の２倍の約３０μｍとされて
いる。

【００３３】ここで、ビアホールの接続方向に垂直な方
向の長さとは、円形ビアホールの場合は、その直径を示
し、８角形ビアホールの場合は、その対角線のうち、最
長の長さを有する対角線の長さを示す。

【００３４】また、一層の導体層１４と一層の絶縁層１
５が形成されている裏面は、ダイボンディングパッド１
８及び接続用パッド２４以外の部分が絶縁層１５により
覆われている。そして、導体層１４は、厚膜ビアホール
１３（表面の配線パターン２と裏面の導体層１４とを接
続するための内部接続導体部）と接続パッド２４間を最
短距離で接続するように形成されている。

【００３５】さらに、符号２９は、表面のダイボンディ
ングパッド１２と配線パターン２ａを接続するための導
体よりなる接続部であり、厚膜ビアホール１３ａ及び裏
面のダイボンディングパッド１８とともにグランド（接
地）ラインを形成している。

【００３６】内層基板１のうち、厚膜ビアホール１３以
外の部分には、内部導体層１９及び２０（厚膜ビアホー
ル１３とは絶縁されている。）が形成されている。ここ
で、裏面に最も近い内部導体層２０は、導体層１４との
間におけるマイクロストリップラインとしての特性イン
ピーダンスを保持するために、電源に接続されるか若し
くは接地されている（接地する場合には、グランドライ
ンを形成している厚膜ビアホール１３ａに接続され
る。）。

【００３７】この内部導体層は、電源としてのインピー
ダンスを低減することが必要な場合には、厚膜ビアホー
ル１３以外の部分は平面（ベタ）パターンとされる。さ
らに、高周波信号の漏洩を防止して電源としての安定性
を向上させることが必要な場合には、厚膜ビアホール１
３以外の部分は格子状（メッシュ）パターンとされる。

【００３８】次に、図１に示すＭＣＭ用多層基板Ｓの表
面図（図１上方から見た図）を図２に示す。図２におい
て、符号Ａで示す部分（太線枠部分）にはダイボンディ
ングパッド１２（図２中、黒色四角形で示す）を介して
図示しないＩＣチップが多層基板Ｓに固定され、ダイボ
ンディングパッド１２の下部には、図１に示す接続部２
９が形成されている。そして、図示しないＩＣチップの
ボンディングワイヤが所定の接続用パッド１１に接続さ
れる。

【００３９】また、接続用パッド１１及びダイボンディ
ングパッド１２以外の表面には、格子（メッシュ）パタ
ーンの電源線２８が形成されている。この電源線２８と
多層基板内部の信号線としての配線パターン２、５及び
８によりマイクロストリップラインとしての特性インピ
ーダンスを保持し、信号の高速伝達性を確保している。

【００４０】なお、この電源線２８は、表面に形成する
だけでなく、配線パターン２が形成されている層の配線
パターン２以外の部分に形成してもよい。また、特性イ
ンピーダンスの保持については、内層基板１内の内部導
体層１９（図１符号１９参照）を用いて行うことも可能
である。

【００４１】さらに、符号２７は、ＭＣＭ用多層基板Ｓ
の周辺部に形成された多層基板外部との接続用パッドで
ある。次に、図１に示すＭＣＭ用多層基板Ｓの裏面図
（図１下方から見た図）を図３に示す。

【００４２】図３（ａ）に示す平面図おいて、符号Ａで
示す部分（太線枠部分）にはダイボンディングパッド１
８（図３（ａ）中、斜線で示す）を介して図示しないＩ
Ｃチップが銀ペースト等のダイボンディング用導電性樹
脂２６によりＭＣＭ用多層基板Ｓに固定されている。そ
して、図示しないＩＣチップのボンディングワイヤが所
定の接続用パッド２４に接続される。

【００４３】また、接続用パッド２４は、最短距離にあ
る厚膜ビアホール１３と導体層１４により接続されてい
る（図１符号１３、１４及び２４参照）。図３（ａ）に
おけるＢ−Ｂ´の断面図を図３（ｂ）示す。

【００４４】図３（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１０
２は、ダイボンディング用導電性樹脂２６によりダイボ
ンディングパッド１８に固定され、さらにグランド（接
地）ラインを構成する厚膜ビアホール１３ａ（図１符号
１３ａ参照）に接続される。また、ＩＣチップ１０２の
ボンディングワイヤ１０３は所定の接続用パッド２４に
接続され、導体層１４により厚膜ビアホール１３に接続
されて、表面の配線パターンに接続される。

【００４５】ここで、上述のように、ＭＣＭ用多層基板
Ｓの裏面においては、裏面に最も近い電源層又は接地層
としての内部導体層２０と導体層１４との間において特
性インピーダンスを保持しているが、これは、導体層１
４の幅をＭＣＭ用多層基板Ｓ内の全てにおいて、一定の
所定幅Ｗとすることにより実現される。

【００４６】これまで説明したＭＣＭ用多層基板Ｓにお
いて、厚膜ビアホール１３は等間隔に形成されている。
より具体的には、厚膜ビアホール１３の間隔は、ダイボ
ンディングパッド１８を自由に配置できるように、例え
ば１ｍｍ間隔として一定とされている。

【００４７】さらに、上述のＭＣＭ用多層基板Ｓにおい
ては、多層基板Ｓの裏面の導体層１４は、接続用パッド
２４と当該接続用パッド２４に最も近い厚膜ビアホール
１３間を接続するためのみに形成され、裏面に配置され
たＩＣチップに必要なその他の配線は、厚膜ビアホール
１３を介して表面の信号線としての配線パターン２、５
又は８において行われる。

【００４８】以上の本実施例のＭＣＭ用多層基板Ｓにお
いては、裏面の導体層及び絶縁層をそれぞれ一層のみと
し、裏面に配置されたＩＣチップに必要な配線は厚膜ビ
アホール１３を介して表面の配線パターンにおいて実施
し、かつ、裏面に最も近い内部導体層２０と導体層１４
との間で特性インピーダンスを保持する構成としたの
で、信号の高速伝達性等の特性の劣化を生じることなく
裏面の積層数を減少させることができる。

【００４９】さらに、厚膜ビアホール１３の配置を等間
隔配置としたので、複数種のＩＣチップ（ダイボンディ
ングパッド）配置に対して共通のＭＣＭ用多層基板用内
層基板を用いることができる。

【００５０】さらにまた、内層基板１に最も近いビアホ
ール４を他のビアホール７及び１０よりも太くし、その
接続方向に垂直な方向の長さを内層基板１の表面あらさ
に対して十分に長いようにしたので、表面の荒い内層基
板１を使用することにより配線パターン２とビアホール
４との接触面が荒くなった場合でも、配線パターン２と
ビアホール４とを確実に接続することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明によれば、集積回路用多層基板の片面を一の絶縁層
及び一定の線幅を有する一の導体層により構成し、一の
導体層と電源に接続又は接地された内部導体層により特
性インピーダンスを保持し、さらに、集積回路チップ間
の配線を、複数の導体層及び絶縁層を有する配線パター
ンにおいて行うようにしたので、集積回路チップの集積
度及び信号の高速伝達性を損なうことなく導体層及び絶
縁層の層数を低減することができる。

【００５２】したがって、製造工程を単純化して製造コ
ストを低減することができる。請求項２に記載の発明に
よれば、内部導体層は格子状形状を有しているので、請
求項１に記載の発明の効果に加えて、電源に対する高周
波信号の漏洩を防止でき、電源の高周波安定性を向上さ
せることができる。

【００５３】請求項３に記載の発明によれば、内部導体
層は平面状形状を有しているので、請求項１に記載の発
明の効果に加えて、内部導体層の抵抗率を低減すること
ができ、内部導体層における損失を低減することができ
る。

【００５４】請求項５に記載の発明によれば、第１導体
層と第２導体層を接続する接続導体部の接続方向に垂直
な方向の長さを内層基板の表面のあらさに比して十分に
長いようにしたので、表面の粗い内層基板を使用するこ
とにより第１導体層と接続導体部との接触面が粗くなっ
た場合でも、接続導体部と第１導体層とを確実に接触さ
せることができる。

【００５５】したがって、平滑度の高い表面を有する内
層基板が不要となり、材料コストを低減することができ
る。請求項６に記載の発明によれば、内部接続導体部
は、内層基板内部に等間隔に配置されているので、複数
種類の集積回路チップの配置に対して、内層基板を共通
化することができる。

【００５６】したがって、集積回路チップの配置を設計
する上での自由度が向上するとともに、内層基板の設計
及び製造コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係わるマルチチップモジュー
ル用多層基板Ｓの断面の構成を示す図である。

【図２】本発明の実施例に係わるマルチチップモジュー
ル用多層基板Ｓの表面の構成を示す図である。

【図３】本発明の実施例に係わるマルチチップモジュー
ル用多層基板Ｓの裏面の構成を示す図である。

【図４】従来技術のマルチチップモジュール用多層基板
の表面の構成例を示す図である。

【図５】従来技術のマルチチップモジュール用多層基板
（ＭＣＭ−Ｄ）の断面の構成例を示す図である。

【図６】従来技術のマルチチップモジュール用多層基板
（ＭＣＭ−Ｃ／Ｄ）の断面の構成例を示す図である。

【符号の説明】

１、１１０、１３０…基板 ２、２ａ，５、８、１１１、１１４、１１７、１３１、
１３４…配線パターン ３、６、９、１５、１１２、１１５、１１８、１３２、
１３５…絶縁層 ４、７、１０、１１３、１１６、１１９、１３３、１３
６…ビアホール １１、２４、１０５…接続用パッド １２、１８、１２０、１３７…ダイボンディングパッド １３、１３ａ、１４０…厚膜ビアホール １４…導体層 １９、２０…内部導体層 ２７、１０４…多層基板外部との接続用パッド ２８…電源線 ２９…接続部 １００…多層基板 １０２…ＩＣチップ １０３…ボンディングワイヤ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内層基板の表裏両面のそれぞれに、複数
   の集積回路チップ間を接続する絶縁層及び導体層の積層
   構造よりなる配線パターンが配設され、内層基板内部に
   表裏両面の前記配線パターンを接続する内部接続導体部
   を有する集積回路用多層基板において、 表裏両面の前記配線パターンの内、いずれか一方は一の
   絶縁層と一定の線幅を有する一の導体層の積層構造によ
   り構成され、 前記内層基板内部の前記内部接続導体部以外の部分に、
   電源に接続又は接地された少なくとも一層の内部導体層
   を備えたことを特徴とする集積回路用多層基板。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の集積回路用多層基板で
   あって、 前記内部導体層のうち、前記内部接続導体部以外の部分
   は格子状形状を有することを特徴とする集積回路用多層
   基板。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の集積回路用多層基板で
   あって、 前記内部導体層のうち、前記内部接続導体部以外の部分
   は平面状形状を有することを特徴とする集積回路用多層
   基板。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の集積
   回路用多層基板において、 前記内層基板はセラミック基板を積層することにより形
   成されていることを特徴とする集積回路用多層基板。
5. 【請求項５】 内層基板の少なくとも一方の面に複数の
   集積回路チップ間を接続する絶縁層及び導体層の積層構
   造よりなる配線パターンが配設されてなる集積回路用多
   層基板において、 前記内層基板に接する前記導体層である第１導体層と一
   の絶縁層を挟んで前記第１導体層に重ねて形成された第
   ２導体層とを接続する接続導体部は、その接続方向に垂
   直な方向の長さが前記内層基板の表面のあらさに比して
   十分に長いことを特徴とする集積回路用多層基板。
6. 【請求項６】 内層基板の両面に配線パターンを有する
   集積回路用多層基板に用いられる内層基板において、 内層基板両面の前記配線パターンを接続するための内部
   接続導体部は、前記内層基板内部に等間隔に配置されて
   いることを特徴とする内層基板。