JPH03286590A - セラミック配線基板 - Google Patents
セラミック配線基板Info
- Publication number
- JPH03286590A JPH03286590A JP2088544A JP8854490A JPH03286590A JP H03286590 A JPH03286590 A JP H03286590A JP 2088544 A JP2088544 A JP 2088544A JP 8854490 A JP8854490 A JP 8854490A JP H03286590 A JPH03286590 A JP H03286590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holes
- wiring board
- semiconductor device
- conductor pattern
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 21
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
a、 産業上の利用分野
本発明は、セラミック配線基板に関し、特に配線基板に
実装された半導体装置から発生する熱を、バイヤホール
(Viahole )と同様な貫通穴を多数設けて、効
率よく放散させるセラミ・ンク配線基板に関する。
実装された半導体装置から発生する熱を、バイヤホール
(Viahole )と同様な貫通穴を多数設けて、効
率よく放散させるセラミ・ンク配線基板に関する。
b、 従来の技術
従来、セラミック配線基板に実装された、例えば、IC
,LSI ヤフイクロプロセッサなどのような半導体装
置から発生する熱を、該基板を通して放熱させる構造と
しては、例えば第3図に示すような断面を有するセラミ
ック配線基板がある。(特開開53−84164号公報
) 同図において、セラミック多層配線基板1は、各層(図
では7層)を形成するセラミック基板(グリーンシート
)2上に、印刷法などによって所定の内部配線用導体パ
ターン3.3を形成し、かつ該多層配線基板1の一方の
面にも表面配線用導体パターン4を形成する。また、前
記各導体パターン3,3問および3,4間の所定部分に
、導電ペーストを充填した信号伝達用の貫通穴、すなわ
ち電気的に接続するための信号伝達用バイアホール5,
5を設けると共に、実装される半導体装W6,6の位置
に、導電ペーストを充填した前記バイアホール5より大
口径の貫通穴、所謂放熱用スルーホール7を1ないし2
個(図では1個)設ける。その後、これらを積層、熱着
圧して、製品としての前記セラ壽ツク多層配線基板1を
得ている。
,LSI ヤフイクロプロセッサなどのような半導体装
置から発生する熱を、該基板を通して放熱させる構造と
しては、例えば第3図に示すような断面を有するセラミ
ック配線基板がある。(特開開53−84164号公報
) 同図において、セラミック多層配線基板1は、各層(図
では7層)を形成するセラミック基板(グリーンシート
)2上に、印刷法などによって所定の内部配線用導体パ
ターン3.3を形成し、かつ該多層配線基板1の一方の
面にも表面配線用導体パターン4を形成する。また、前
記各導体パターン3,3問および3,4間の所定部分に
、導電ペーストを充填した信号伝達用の貫通穴、すなわ
ち電気的に接続するための信号伝達用バイアホール5,
5を設けると共に、実装される半導体装W6,6の位置
に、導電ペーストを充填した前記バイアホール5より大
口径の貫通穴、所謂放熱用スルーホール7を1ないし2
個(図では1個)設ける。その後、これらを積層、熱着
圧して、製品としての前記セラ壽ツク多層配線基板1を
得ている。
このセラ壽ツク多層配線基Fi1によれば、実装した半
導体装置6,6から発生する熱は、前記放熱用スルーホ
ール7.7を介して放散していく。
導体装置6,6から発生する熱は、前記放熱用スルーホ
ール7.7を介して放散していく。
C0発明が解決しようとする課題
しかしながら、前記セラミック多層配線基板lを製造す
るためには、通常の信号伝達用バイアホール5,5より
大口径の放熱用スルーホール7゜7を半導体装f6,6
の実装位置に形成し、これに導電ペーストを充填する工
程が追加されることになる。
るためには、通常の信号伝達用バイアホール5,5より
大口径の放熱用スルーホール7゜7を半導体装f6,6
の実装位置に形成し、これに導電ペーストを充填する工
程が追加されることになる。
このため、その製造工程が増えると共に、その原価が高
くなるという問題点があった。
くなるという問題点があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は
前記問題点を解消し、通常の製造工程を増すことな、<
、実装した半導体装置から発生する熱を、効率的に放散
することが可能なセラミック配線基板を提供することに
ある。
前記問題点を解消し、通常の製造工程を増すことな、<
、実装した半導体装置から発生する熱を、効率的に放散
することが可能なセラミック配線基板を提供することに
ある。
d、 課題を解決するための手段
前記目的を達成するための本発明の構成は、次の(1)
〜(4)のとおりである。
〜(4)のとおりである。
(1) 半導体装置の実装位置に、導電性金属材料が
充填された多数の、信号伝達用バイアホールと同様な貫
通穴を、放熱のため密集して設けることを特徴とするセ
ラミック配置基板である。
充填された多数の、信号伝達用バイアホールと同様な貫
通穴を、放熱のため密集して設けることを特徴とするセ
ラミック配置基板である。
(2) ?J数数層層れた配線基板の半導体装置の実
装位置に、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝
達用バイアホールと同様な貫通穴を、放熱のため密集し
て設けると共に、これらの穴が前記配線基板の内部に設
けられた接地用導体パターンに接続されることを特徴と
するセラミック配線基板である。
装位置に、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝
達用バイアホールと同様な貫通穴を、放熱のため密集し
て設けると共に、これらの穴が前記配線基板の内部に設
けられた接地用導体パターンに接続されることを特徴と
するセラミック配線基板である。
(3) 複数積層された配線基板の半導体装置の実装
位置に、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝達
用バイアホールと同様な貫通穴を、放熱のた。め密集し
て設けると共に、前記配線基板の内部に接続用導体パタ
ーンとは無関係な、単数または複数の導電性金属材料か
らなる放熱用導体パターンに、接続されることを特徴と
するセラミック配線基板である。
位置に、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝達
用バイアホールと同様な貫通穴を、放熱のた。め密集し
て設けると共に、前記配線基板の内部に接続用導体パタ
ーンとは無関係な、単数または複数の導電性金属材料か
らなる放熱用導体パターンに、接続されることを特徴と
するセラミック配線基板である。
(4) 前記導電性金属材料が銀、銀−パラジウム、
銀−白金、銀−金、または銅のペースト状材料であるこ
とを特徴とするセラミック配線基板である。
銀−白金、銀−金、または銅のペースト状材料であるこ
とを特徴とするセラミック配線基板である。
e、 作 用
本発明は以上のように構成されているので、半導体装置
から発生した熱は、放熱のため密集して設けた信号伝達
用バイアホールと同様な貫通穴のなかに、充填された導
電性金属材料を介して放散される。また、該貫通穴の導
電性金属材料が基板の内部に設けられた接地用導体パタ
ーンや放熱用導体パターンに接続されるので、前記熱は
、更にこれら導体パターンを通して外部に放散されるこ
とになる。
から発生した熱は、放熱のため密集して設けた信号伝達
用バイアホールと同様な貫通穴のなかに、充填された導
電性金属材料を介して放散される。また、該貫通穴の導
電性金属材料が基板の内部に設けられた接地用導体パタ
ーンや放熱用導体パターンに接続されるので、前記熱は
、更にこれら導体パターンを通して外部に放散されるこ
とになる。
f、 実施例
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を例示的に
詳しく説明する。
詳しく説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すセラミック配線基板の
断面図であり、第3図と同一部材には同一符号を付して
、その説明を省略する。
断面図であり、第3図と同一部材には同一符号を付して
、その説明を省略する。
第1図において、セラミック多層配線基板(図では7層
)11の両面(図で上下面)には、表面配線用導体パタ
ーン4.4を形成すると共に、同面にそれぞれ半導体装
W6.6を実装する。更に、前記基板11の内部の一層
に接地用導体パターン12を設けると共に、他の層に設
けられ、他の内部配線用導体パターン3とは電気的に接
続されない、単数または複数(本実施例では複数)の放
熱専用の導体パターン13.13を設ける。
)11の両面(図で上下面)には、表面配線用導体パタ
ーン4.4を形成すると共に、同面にそれぞれ半導体装
W6.6を実装する。更に、前記基板11の内部の一層
に接地用導体パターン12を設けると共に、他の層に設
けられ、他の内部配線用導体パターン3とは電気的に接
続されない、単数または複数(本実施例では複数)の放
熱専用の導体パターン13.13を設ける。
他方、前記半導体装置6が実装される前記基板11の位
置に、該半導体装置6が発生する熱を放散させるため、
前記信号伝達用バイアホール5と同口径の多数の貫通穴
を密集して設け、これらの貫通穴に導電ペーストを充填
して放熱用スルーホール14を形成する。そして、該放
熱用スルーホール装置6に接触させると共に、その他端
を基板ll内に設けられた接地用導体パターン12に接
続し、かつ前記放熱用スルーホール14は、基板11の
途中の他の層に設けられた単数または複数の前記放熱専
用の導体パターン13にも接続されている。
置に、該半導体装置6が発生する熱を放散させるため、
前記信号伝達用バイアホール5と同口径の多数の貫通穴
を密集して設け、これらの貫通穴に導電ペーストを充填
して放熱用スルーホール14を形成する。そして、該放
熱用スルーホール装置6に接触させると共に、その他端
を基板ll内に設けられた接地用導体パターン12に接
続し、かつ前記放熱用スルーホール14は、基板11の
途中の他の層に設けられた単数または複数の前記放熱専
用の導体パターン13にも接続されている。
前記放熱用スルーホール14は、前記接地用導体パター
ン12、または放熱用導体パターン13のいずれかのみ
に接続してもよいし、また両導体パターン12.13に
接続してもよい、なお、前記接地用導体パターン12、
または放熱用導体パターン13の他端に、図示しない冷
却板を接続しておけば、夏に効率的に放熱することがで
きる。
ン12、または放熱用導体パターン13のいずれかのみ
に接続してもよいし、また両導体パターン12.13に
接続してもよい、なお、前記接地用導体パターン12、
または放熱用導体パターン13の他端に、図示しない冷
却板を接続しておけば、夏に効率的に放熱することがで
きる。
第2図は、第1図のA−Alによる前記放熱用スルーホ
ール14の一例を示す横断面図で、前記信号伝達用バイ
アホール5と同口径の約0.1−0.2閣の穴を8〜6
0個/、mm”の密集度で多数設け、これらの穴のなか
に導電ペーストを充填したものである。
ール14の一例を示す横断面図で、前記信号伝達用バイ
アホール5と同口径の約0.1−0.2閣の穴を8〜6
0個/、mm”の密集度で多数設け、これらの穴のなか
に導電ペーストを充填したものである。
前記導電ペーストは、銀、銀−パラジウム、銀−白金、
銀−金、銅のいずれか、またはこれらを混合したものを
ペースト状にした導電性金属材料から構成されている。
銀−金、銅のいずれか、またはこれらを混合したものを
ペースト状にした導電性金属材料から構成されている。
以上のとおり本実施例においては、前記放熱用スルーホ
ール14を構成するそれぞれの穴は、前記信号伝達用バ
イアホール5と同口径のため、セラミック多層配線基板
11の製造に際し、導電ペースト充填を含めて同一工程
で実施することができる。
ール14を構成するそれぞれの穴は、前記信号伝達用バ
イアホール5と同口径のため、セラミック多層配線基板
11の製造に際し、導電ペースト充填を含めて同一工程
で実施することができる。
このため、製造原価を安価にすることができる。
なお、本発明の技術は前記実施例における技術に限定さ
れるものではなく、同様な機能を果たす他の態様に手段
によってもよく、また本発明の技術は前記構成の範囲内
において種々の変更、付加が可能である。
れるものではなく、同様な機能を果たす他の態様に手段
によってもよく、また本発明の技術は前記構成の範囲内
において種々の変更、付加が可能である。
g、 発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明のセラミック配線
基板によれば、半導体装置の実装位置に、導電性金属材
料が充填された多数の、信号伝達用バイアホールと同様
な貫通穴を密集して設け、または、これらの密集した貫
通穴を接地用導体パターンまたは放熱用導体パターンに
接続するので、前記半導体装置から発生する熱を、前記
密集した貫通穴(放熱用スルーホール)を介して、効率
よく放散することができる。
基板によれば、半導体装置の実装位置に、導電性金属材
料が充填された多数の、信号伝達用バイアホールと同様
な貫通穴を密集して設け、または、これらの密集した貫
通穴を接地用導体パターンまたは放熱用導体パターンに
接続するので、前記半導体装置から発生する熱を、前記
密集した貫通穴(放熱用スルーホール)を介して、効率
よく放散することができる。
また、前記セラ藁ンク配線基板の製造に際し、工程を追
加することなく、通常の製造工程内で行なうことができ
る。
加することなく、通常の製造工程内で行なうことができ
る。
第1図は本発明の一実施例を示すセラミック配m基板の
断WJ図、第2図は放熱用スルーホールの一例を示す横
断面図、第3図は従来のセラミック配線基板の断面図で
ある。 5・・・信号伝達用バイアホール、 6・・・半導体装置、 11・・・セラくンク多層配線基板、 12・・・接地用導体パターン、 13・・・放熱用導体パターン、 14・・・放熱用スルーホール。 第 ] 第 図 図 一49’。 第 図
断WJ図、第2図は放熱用スルーホールの一例を示す横
断面図、第3図は従来のセラミック配線基板の断面図で
ある。 5・・・信号伝達用バイアホール、 6・・・半導体装置、 11・・・セラくンク多層配線基板、 12・・・接地用導体パターン、 13・・・放熱用導体パターン、 14・・・放熱用スルーホール。 第 ] 第 図 図 一49’。 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半導体装置の実装位置に、導電性金属材料が充填さ
れた多数の、信号伝達用バイアホールと同様な貫通穴を
、放熱のため密集して設けることを特徴とするセラミッ
ク配線基板。 2)複数積層された配線基板の半導体装置の実装位置に
、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝達用バイ
アホールと同様な貫通穴を、放熱のため密集して設ける
と共に、これらの穴が前記配線基板の内部に設けられた
接地用導体パターンに接続されることを特徴とするセラ
ミック配線基板。 3)複数積層された配線基板の半導体装置の実装位置に
、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝達用バイ
アホールと同様な貫通穴を、放熱のため密集して設ける
と共に、前記配線基板の内部に接続用導体パターンとは
無関係な、単数または複数の導電性金属材料からなる放
熱用導体パターンに、接続されることを特徴とするセラ
ミック配線基板。 4)前記導電性金属材料が銀、銀−パラジウム、銀−白
金、銀−金、または銅のペースト状材料である特許請求
の範囲第1項、第2項、または第3項記載のセラミック
配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2088544A JPH03286590A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | セラミック配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2088544A JPH03286590A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | セラミック配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03286590A true JPH03286590A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13945795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2088544A Pending JPH03286590A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | セラミック配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03286590A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0600590A1 (en) * | 1992-12-03 | 1994-06-08 | International Computers Limited | Cooling electronic circuit assemblies |
US5543661A (en) * | 1994-05-31 | 1996-08-06 | Sumitomo Metal Ceramics Inc. | Semiconductor ceramic package with terminal vias |
WO1996042134A1 (fr) * | 1995-06-09 | 1996-12-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplificateur |
US5731067A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-24 | Denso Corporation | Multi-layered substrate |
JP2001015869A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2001077540A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | セラミック基板 |
JP2001127224A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Kyocera Corp | 絶縁性アルミナ質基板およびアルミナ質銅貼回路基板 |
US6303877B2 (en) | 1997-12-26 | 2001-10-16 | Fujitsu Limited | Multilayer thin-film wiring board |
WO2004068923A1 (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-12 | Cmk Corporation | メタルコア多層プリント配線板 |
JP2006140360A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
DE4443424B4 (de) * | 1993-12-07 | 2009-07-09 | Denso Corporation, Kariya | Anordnungen aus einem mehrschichtigen Substrat und einem Leistungselement und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP2013149918A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 配線基板及びこれを用いた半導体モジュール |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6158297A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | 沖電気工業株式会社 | 多層印刷配線板 |
JPS63127590A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | 松下電器産業株式会社 | 電子回路装置 |
-
1990
- 1990-04-03 JP JP2088544A patent/JPH03286590A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6158297A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | 沖電気工業株式会社 | 多層印刷配線板 |
JPS63127590A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | 松下電器産業株式会社 | 電子回路装置 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0600590A1 (en) * | 1992-12-03 | 1994-06-08 | International Computers Limited | Cooling electronic circuit assemblies |
DE4443424B4 (de) * | 1993-12-07 | 2009-07-09 | Denso Corporation, Kariya | Anordnungen aus einem mehrschichtigen Substrat und einem Leistungselement und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US5543661A (en) * | 1994-05-31 | 1996-08-06 | Sumitomo Metal Ceramics Inc. | Semiconductor ceramic package with terminal vias |
US5731067A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-24 | Denso Corporation | Multi-layered substrate |
WO1996042134A1 (fr) * | 1995-06-09 | 1996-12-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplificateur |
US6303877B2 (en) | 1997-12-26 | 2001-10-16 | Fujitsu Limited | Multilayer thin-film wiring board |
JP2001015869A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2001077540A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | セラミック基板 |
JP2001127224A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Kyocera Corp | 絶縁性アルミナ質基板およびアルミナ質銅貼回路基板 |
US7087845B2 (en) | 2003-01-28 | 2006-08-08 | Cmk Corporation | Metal core multilayer printed wiring board |
WO2004068923A1 (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-12 | Cmk Corporation | メタルコア多層プリント配線板 |
JP2006140360A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP4630041B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2011-02-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP2013149918A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 配線基板及びこれを用いた半導体モジュール |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5599747A (en) | Method of making circuitized substrate | |
US6888240B2 (en) | High performance, low cost microelectronic circuit package with interposer | |
US6043986A (en) | Printed circuit board having a plurality of via-holes | |
US5519176A (en) | Substrate and ceramic package | |
JP2960276B2 (ja) | 多層配線基板、この基板を用いた半導体装置及び多層配線基板の製造方法 | |
CN100417310C (zh) | 具有散热元件的印刷电路板,其制作方法和包含它的器件 | |
EP1761119B1 (en) | Ceramic capacitor | |
US7591067B2 (en) | Thermally enhanced coreless thin substrate with embedded chip and method for manufacturing the same | |
US6528734B2 (en) | Semiconductor device and process for fabricating the same | |
US20080017402A1 (en) | Substrate module with high thermal conductivity and its fabrication method of same | |
JPH09307238A (ja) | 多層回路基板 | |
JPH03286590A (ja) | セラミック配線基板 | |
US6221694B1 (en) | Method of making a circuitized substrate with an aperture | |
JP2008513998A (ja) | 多層基板アッセンブリにおいて容量結合を低減するための同心スペーサー | |
JPH06104350A (ja) | 多層配線基板 | |
US6207354B1 (en) | Method of making an organic chip carrier package | |
US6225028B1 (en) | Method of making an enhanced organic chip carrier package | |
JPH05191002A (ja) | 多層回路板 | |
JPH07106721A (ja) | プリント回路板及びその放熱方法 | |
JPH065994A (ja) | 多層プリント配線板 | |
JPH10242335A (ja) | 半導体装置 | |
JPH07321471A (ja) | 多層基板 | |
JPS5853854A (ja) | 高密度lsiパツケ−ジ | |
JPH08250650A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6219072B2 (ja) |