JPH03286590A - セラミック配線基板 - Google Patents

セラミック配線基板

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JPH03286590A
JPH03286590A JP2088544A JP8854490A JPH03286590A JP H03286590 A JPH03286590 A JP H03286590A JP 2088544 A JP2088544 A JP 2088544A JP 8854490 A JP8854490 A JP 8854490A JP H03286590 A JPH03286590 A JP H03286590A
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JP
Japan
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holes
wiring board
semiconductor device
conductor pattern
board
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JP2088544A
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English (en)
Inventor
Kyoichi Nakai
恭一 中井
Masaaki Sagawa
佐川 雅昭
Toru Ezaki
徹 江崎
Senjo Yamagishi
山岸 千丈
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Taiheiyo Cement Corp
Original Assignee
Nihon Cement Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298Multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 a、 産業上の利用分野 本発明は、セラミック配線基板に関し、特に配線基板に
実装された半導体装置から発生する熱を、バイヤホール
(Viahole )と同様な貫通穴を多数設けて、効
率よく放散させるセラミ・ンク配線基板に関する。
b、 従来の技術 従来、セラミック配線基板に実装された、例えば、IC
,LSI ヤフイクロプロセッサなどのような半導体装
置から発生する熱を、該基板を通して放熱させる構造と
しては、例えば第3図に示すような断面を有するセラミ
ック配線基板がある。(特開開53−84164号公報
) 同図において、セラミック多層配線基板1は、各層(図
では7層)を形成するセラミック基板(グリーンシート
)2上に、印刷法などによって所定の内部配線用導体パ
ターン3.3を形成し、かつ該多層配線基板1の一方の
面にも表面配線用導体パターン4を形成する。また、前
記各導体パターン3,3問および3,4間の所定部分に
、導電ペーストを充填した信号伝達用の貫通穴、すなわ
ち電気的に接続するための信号伝達用バイアホール5,
5を設けると共に、実装される半導体装W6,6の位置
に、導電ペーストを充填した前記バイアホール5より大
口径の貫通穴、所謂放熱用スルーホール7を1ないし2
個(図では1個)設ける。その後、これらを積層、熱着
圧して、製品としての前記セラ壽ツク多層配線基板1を
得ている。
このセラ壽ツク多層配線基Fi1によれば、実装した半
導体装置6,6から発生する熱は、前記放熱用スルーホ
ール7.7を介して放散していく。
C0発明が解決しようとする課題 しかしながら、前記セラミック多層配線基板lを製造す
るためには、通常の信号伝達用バイアホール5,5より
大口径の放熱用スルーホール7゜7を半導体装f6,6
の実装位置に形成し、これに導電ペーストを充填する工
程が追加されることになる。
このため、その製造工程が増えると共に、その原価が高
くなるという問題点があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は
前記問題点を解消し、通常の製造工程を増すことな、<
、実装した半導体装置から発生する熱を、効率的に放散
することが可能なセラミック配線基板を提供することに
ある。
d、 課題を解決するための手段 前記目的を達成するための本発明の構成は、次の(1)
〜(4)のとおりである。
(1)  半導体装置の実装位置に、導電性金属材料が
充填された多数の、信号伝達用バイアホールと同様な貫
通穴を、放熱のため密集して設けることを特徴とするセ
ラミック配置基板である。
(2)  ?J数数層層れた配線基板の半導体装置の実
装位置に、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝
達用バイアホールと同様な貫通穴を、放熱のため密集し
て設けると共に、これらの穴が前記配線基板の内部に設
けられた接地用導体パターンに接続されることを特徴と
するセラミック配線基板である。
(3)  複数積層された配線基板の半導体装置の実装
位置に、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝達
用バイアホールと同様な貫通穴を、放熱のた。め密集し
て設けると共に、前記配線基板の内部に接続用導体パタ
ーンとは無関係な、単数または複数の導電性金属材料か
らなる放熱用導体パターンに、接続されることを特徴と
するセラミック配線基板である。
(4)  前記導電性金属材料が銀、銀−パラジウム、
銀−白金、銀−金、または銅のペースト状材料であるこ
とを特徴とするセラミック配線基板である。
e、  作  用 本発明は以上のように構成されているので、半導体装置
から発生した熱は、放熱のため密集して設けた信号伝達
用バイアホールと同様な貫通穴のなかに、充填された導
電性金属材料を介して放散される。また、該貫通穴の導
電性金属材料が基板の内部に設けられた接地用導体パタ
ーンや放熱用導体パターンに接続されるので、前記熱は
、更にこれら導体パターンを通して外部に放散されるこ
とになる。
f、 実施例 以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を例示的に
詳しく説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すセラミック配線基板の
断面図であり、第3図と同一部材には同一符号を付して
、その説明を省略する。
第1図において、セラミック多層配線基板(図では7層
)11の両面(図で上下面)には、表面配線用導体パタ
ーン4.4を形成すると共に、同面にそれぞれ半導体装
W6.6を実装する。更に、前記基板11の内部の一層
に接地用導体パターン12を設けると共に、他の層に設
けられ、他の内部配線用導体パターン3とは電気的に接
続されない、単数または複数(本実施例では複数)の放
熱専用の導体パターン13.13を設ける。
他方、前記半導体装置6が実装される前記基板11の位
置に、該半導体装置6が発生する熱を放散させるため、
前記信号伝達用バイアホール5と同口径の多数の貫通穴
を密集して設け、これらの貫通穴に導電ペーストを充填
して放熱用スルーホール14を形成する。そして、該放
熱用スルーホール装置6に接触させると共に、その他端
を基板ll内に設けられた接地用導体パターン12に接
続し、かつ前記放熱用スルーホール14は、基板11の
途中の他の層に設けられた単数または複数の前記放熱専
用の導体パターン13にも接続されている。
前記放熱用スルーホール14は、前記接地用導体パター
ン12、または放熱用導体パターン13のいずれかのみ
に接続してもよいし、また両導体パターン12.13に
接続してもよい、なお、前記接地用導体パターン12、
または放熱用導体パターン13の他端に、図示しない冷
却板を接続しておけば、夏に効率的に放熱することがで
きる。
第2図は、第1図のA−Alによる前記放熱用スルーホ
ール14の一例を示す横断面図で、前記信号伝達用バイ
アホール5と同口径の約0.1−0.2閣の穴を8〜6
0個/、mm”の密集度で多数設け、これらの穴のなか
に導電ペーストを充填したものである。
前記導電ペーストは、銀、銀−パラジウム、銀−白金、
銀−金、銅のいずれか、またはこれらを混合したものを
ペースト状にした導電性金属材料から構成されている。
以上のとおり本実施例においては、前記放熱用スルーホ
ール14を構成するそれぞれの穴は、前記信号伝達用バ
イアホール5と同口径のため、セラミック多層配線基板
11の製造に際し、導電ペースト充填を含めて同一工程
で実施することができる。
このため、製造原価を安価にすることができる。
なお、本発明の技術は前記実施例における技術に限定さ
れるものではなく、同様な機能を果たす他の態様に手段
によってもよく、また本発明の技術は前記構成の範囲内
において種々の変更、付加が可能である。
g、 発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明のセラミック配線
基板によれば、半導体装置の実装位置に、導電性金属材
料が充填された多数の、信号伝達用バイアホールと同様
な貫通穴を密集して設け、または、これらの密集した貫
通穴を接地用導体パターンまたは放熱用導体パターンに
接続するので、前記半導体装置から発生する熱を、前記
密集した貫通穴(放熱用スルーホール)を介して、効率
よく放散することができる。
また、前記セラ藁ンク配線基板の製造に際し、工程を追
加することなく、通常の製造工程内で行なうことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すセラミック配m基板の
断WJ図、第2図は放熱用スルーホールの一例を示す横
断面図、第3図は従来のセラミック配線基板の断面図で
ある。 5・・・信号伝達用バイアホール、 6・・・半導体装置、 11・・・セラくンク多層配線基板、 12・・・接地用導体パターン、 13・・・放熱用導体パターン、 14・・・放熱用スルーホール。 第 ] 第 図 図 一49’。 第 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)半導体装置の実装位置に、導電性金属材料が充填さ
    れた多数の、信号伝達用バイアホールと同様な貫通穴を
    、放熱のため密集して設けることを特徴とするセラミッ
    ク配線基板。 2)複数積層された配線基板の半導体装置の実装位置に
    、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝達用バイ
    アホールと同様な貫通穴を、放熱のため密集して設ける
    と共に、これらの穴が前記配線基板の内部に設けられた
    接地用導体パターンに接続されることを特徴とするセラ
    ミック配線基板。 3)複数積層された配線基板の半導体装置の実装位置に
    、導電性金属材料が充填された多数の、信号伝達用バイ
    アホールと同様な貫通穴を、放熱のため密集して設ける
    と共に、前記配線基板の内部に接続用導体パターンとは
    無関係な、単数または複数の導電性金属材料からなる放
    熱用導体パターンに、接続されることを特徴とするセラ
    ミック配線基板。 4)前記導電性金属材料が銀、銀−パラジウム、銀−白
    金、銀−金、または銅のペースト状材料である特許請求
    の範囲第1項、第2項、または第3項記載のセラミック
    配線基板。
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