JPH08511404A - 非線形増幅器用dcバイアス電流補償回路 - Google Patents

非線形増幅器用dcバイアス電流補償回路

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JPH08511404A
JPH08511404A JP7525541A JP52554195A JPH08511404A JP H08511404 A JPH08511404 A JP H08511404A JP 7525541 A JP7525541 A JP 7525541A JP 52554195 A JP52554195 A JP 52554195A JP H08511404 A JPH08511404 A JP H08511404A
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Abstract

(57)【要約】 非線形増幅器(10)用DCバイアス電流補償回路は、回路構成が非線形増幅器(10)とほぼ同一の補償増幅器(128)と、補償すべき非線形増幅器(10)に補償増幅器(128)を結合する電流ミラー(122)とを含む。補償増幅器(128)に、その出力部からその入力部への帰還を設けて、補償増幅器(128)の出力部に供給されるDCバイアス電流を、非線形増幅器(10)のDC入力バイアス電流を補償するように使用できるようにする。このようにして、非線形増幅器(10)を、温度変化又は製造プロセス変化が原因の利得の変化に対して補償することができる。

Description

【発明の詳細な説明】 非線形増幅器用DCバイアス電流補償回路発明の背景 本発明は非線形増幅器の分野に存在し、より詳しくはこのような非線形増幅器 用のDCバイアス電流補償回路に関するものである。 代表的には、RF又はマイクロ波増幅器に用いられる共通エミッタ利得段のよ うな非線形増幅器は、DC入力バイアス電流とDC出力バイアス電流との間に非 線形な関係を有し、したがって所定のDC入力バイアス電流に対するDC出力バ イアス電流を予測するのが困難になる。さらに、プロセス変化及び温度変化によ り追加の非線形性が発生する。従来の非線形利得段においてはDC出力バイアス 電流を正確に予測できないことは、非線形増幅器のDC出力バイアス電流が電圧 振幅、相互コンダクタンス及び最も重要な電圧利得のようなパラメータに直接影 響を及ぼすために問題となっている。したがって、DC入力バイアス電流とDC 出力バイアス電流(例えばベース電流とコレクタ電流)との間の関係に強い非線 形性がある、すなわち温度誤差及び/又はプロセス誤差が原因でこの関係が非常 に変わりやすい場合、通常固定バイアス源を使用する共通エミッタ段のような非 線形増幅段にバイアスがかかるために、非常に変わりやすく予測できない動作と なる。 バイアスをかけるとともに温度を補償する非線形増幅段用の種々の従来の回路 は、例えば欧州特許明細書第0488443号及び米国特許明細書第5150076号に示すよ うに既知である。しかしながら、これらの明細書に記載されている解決方法は、 上記問題の簡単かつ有効な解決方法を提供するものではない。 したがって、予測可能な方法で出力バイアス電流を制御するとともに、特定の 利得を達成及び/又は温度変化若しくはプロセス変化を補償するのに所望な値に 出力バイアス電流を容易に設定できる非線形増幅器用DCバイアス電流補償回路 を有することが好ましい。発明の要約 したがって、本発明の目的は、特定の利得を達成及び/又は温度変化若しくは プロセス変化を補償するのに所望な値に出力バイアス電流を容易に設定すること ができる非線形増幅器用DCバイアス電流補償回路を提供することである。 本発明によれば、これらの目的を、非線形増幅器とほぼ同一の回路形態の補償 増幅器と、補償すべき非線形増幅器にこの補償増幅器を結合する電流ミラーとを 含む新たな非線形増幅器用DCバイアス電流補償回路によって達成される。補償 増幅器にその出力からその入力への帰還を設けて、補償増幅器の出力に供給され るDCバイアス電流を、非線形増幅器のDC入力バイアス電流を補償するのに使 用できるようにする。このようにして、非線形増幅器を、温度変化又は製造プロ セス変化が原因の利得の変化に対して補償する。 本発明の好適例では、帰還を、補償増幅段の出力部に結合された入力部及び電 流ミラーの入力部と補償増幅器の入力部との間に結合された主電流路を有するト ランジスタにより設ける。 本発明の他の好適例では、補償増幅器のDC出力バイアス電流を設定する電流 源は、抵抗を介して入力電圧に結合した制御端子を有するトランジスタを含み、 トランジスタの主電流路を電源端子と補償増幅器の出力部との間に結合する。 本発明の他の好適例では、補償増幅器のDC出力バイアス電流を設定する電流 源を、入力電流源に結合した入力部及び補償増幅器の出力部に結合した出力部を 有する第2電流ミラーとする。 本発明の基本動作原理は、非線形増幅器とほぼ同一の回路形態の補償増幅器を 設けて非線形増幅器の非線形性を取り消すことであり、その結果非線形増幅器の DC出力バイアス電流を、補償増幅器のDC出力バイアス電流の線形関数とする 。これは、補償増幅器の出力部をその入力部に帰還結合する帰還回路に補償増幅 器を設けることにより達成され、したがって補償増幅器の入力バイアス電流をそ の出力の非線形関数として設定し、その後この入力バイアス電流を電流ミラーを 介して補償すべき非線形増幅器の入力部に結合する。補償増幅器及び非線形増幅 器をほぼ同一の回路形態としているので、これらの非線形性は取り消され、その 結果非線形増幅器からのDC出力バイアス電流が、制御可能で、かつ、補償増幅 器のDC出力バイアス電流の線形関数となり、この補償増幅器のDC出力バイア ス電流を直接所望の値に設定することができる。図面の簡単な説明 本発明を、添付図面を参照して読むべき以下の詳細な説明からより完全に理解 することができる。 図1は、従来の非線形増幅段のブロックダイヤグラムである。 図2は、RF又はマイクロ波増幅器に使用される代表的な従来の非線形増幅回 路の線形ダイヤグラムである。 図3は、本発明による非線形増幅器用DCバイアス電流補償回路を示す。 図4は、補償回路用電流供給回路の第1実施例を示す。 図5は、補償回路用電流供給回路の第2実施例を示す。 図面中、種々の図の対応する素子には一般的に同一符号を付す。好適実施例の説明 RF又はマイクロ波増幅器に使用される代表的なタイプの従来の非線形増幅段 を、図1においてブロックダイヤグラム形態で示すとともに、図2において線形 形態で示す。図1において、非線形増幅段10を、入力端子102及び出力端子 104を有する非線形増幅器100で構成する。増幅器100を、増幅器の入力 部のDC入力バイアス電流源106及び増幅器出力部のDC出力バイアス電流源 108により電源端子Vccに結合する。非線形増幅段10を意図的に非常に一般 的な形態で図示していることを理解することができ、この場合電流源106及び 108を種々の受動素子及び/又は能動素子で構成することができ、増幅器10 0を、種々の受動素子と結合した一つ又はそれ以上の能動装置で構成することが できる。注目すべき重要な点は、図1の増幅器100が、DC出力バイアス電流 がDC入力バイアス電流の線形関数でなく、増幅段10の利得がDC出力バイア ス電流の大きさ、温度変化及びプロセス変化とともに変わるおそれがある非線形 増幅器である点である。増幅段のDC出力バイアス電圧は、電圧振幅、相互コン ダクタンス及び電圧利得のようなパラメータの影響を直接受けるので、この電流 の大きさを正確に予測することができず、その結果非常に変わりやすく予測する ことができない応答をする。 図2に示す簡単な単一トランジスタの共通エミッタ増幅段10は、RF又はマ イクロ波の用途の代表的な従来の非線形増幅回路である。図2の回路では、増幅 器100は、共通エミッタ形態で接続されたトランジスタ110を含む。この形 態では、入力端子102を、キャパシタ112を介してトランジスタ110のベ ースに容量的に結合し、出力端子104を、キャパシタ114を介してトランジ スタ110のコレクタに接続し、トランジスタ110のエミッタを接地する。D C入力バイアス電流を、Vccとトランジスタ110のベースとの間に接続された 電流源106によって発生させ、抵抗116をトランジスタ110のベースと接 地点との間に接続する。図2に示す回路を、Vccとトランジスタ110のコレク タとの間に接続したインダクタ118によって完成させる。このインダクタ11 8は、動作周波数負荷及び図1に示す電流源108に類似したDC出力バイアス 電流源として作用する。この回路は代表的にはRF又はマイクロ波増幅器に用い ることができる簡単な非線形増幅段の一例であることも理解することができ、こ の回路では、DC出力バイアス電流とDC入力バイアス電流との間の非線形的で 予測できない関係により、非常に変わりやすく予期できない動作をする。 本発明による非線形増幅段10用のDCバイアス電流補償回路20を図3に示 す。この回路では、非線形増幅段10を図1のようなブロックダイヤグラム形態 で示すが、DC入力バイアス電流源106を、電流ミラー122の出力トランジ スタとして接続されたトランジスタ(この場合MOSFET)120として示す 。この電流ミラー122は、電流ミラーの入力トランジスタとして接続されたト ランジスタ124も含む。図3の回路では、電流ミラー122は回路の上側すな わちVccをオフにするように動作し、入力トランジスタ124の主電流路を、こ こではバイポーラトランジスタとして示す帰還トランジスタ126の主電流路に 直列接続する。この形態では、トランジスタ126のコレクタを電流ミラーの入 力側に結合し、トランジスタ126のベースを補償増幅器128の出力端子に結 合し、トランジスタ126のエミッタを補償増幅器128の入力側に結合して帰 還配置を形成し、これにより増幅器128の出力電流の一部をその入力側に帰還 結合する。図3の回路は電流源130によって完成され、この電流源130は、 Vccと補償増幅器128の出力側及びトランジスタ126のベースの接合点との 間に主電流路を有する。電流源130は、信号を受信して電流源130の電流レ ベルを設定する制御入力部132を有し、これにより後に詳細に説明するような 方法で非線形増幅器100のDC出力バイアス電流を制御する。 図4及び5は、補償回路20の電流源130の二つの他の実施例を示す。これ らの形態では図3のトランジスタ126の左側の回路部のみを示し、簡単のため に図3のトランジスタ126の右側の回路部は省略する。図4において、電流源 130はトランジスタ134及び136を含み、これらトランジスタを、図3の 電流ミラー122の接続で図示及び説明したように回路の上側をオフにするよう に動作する通常の電流ミラー形態で接続する。この回路では、回路動作中入力バ イアス電流を回路入力部132に供給し、これにより補償増幅器128のDC出 力バイアス電流を制御する。図5に示す他の実施例では、電流源130は、Vcc 及び補償増幅器128の出力側間に接続された主電流路を有するトランジスタ1 38と、制御入力部132及びトランジスタ138の制御入力部間に接続された 抵抗140とを具える。この場合、電圧入力を制御入力部132に供給して、補 償増幅器128の出力部に供給すべき電流源130の所望の電流を発生させる。 既に説明したように、図1で一般的にかつ図2でより詳しく図示したような従 来の非線形増幅器は、非線形で容易に予測できないDC入力バイアス電流の関数 のDC出力バイアス電流を有し、これにより非常に変わりやすくて予測できない ように動作する。これら不都合を克服するために、本発明によれば非線形増幅段 10に、図3に示すようなDCバイアス電流補償回路20を設ける。動作中、非 線形増幅器100のDC入力バイアス電流を、電流ミラー形態122でトランジ スタ124と接続したトランジスタ120により発生させる。したがって、非線 形増幅器100への入力バイアス電流を、電流ミラーの入力トランジスタ124 に流れる電流に等しく(1の換算係数)、又は、トランジスタ124に流れる電 流のk倍に等しく(kの換算係数)設定することができる。電流ミラーへの入力 電流は帰還トランジスタ126を介して補償増幅器128の入力部に流れ、増幅 器128のDC出力バイアス電流を、制御入力部132の信号によって設定され る電流源130によって発生させる。回路のこの部分の帰還配置のために、電流 源130への増幅器128のDC出力バイアス電流を設定することにより、電流 ミラー122の入力部への電流したがってその出力を制御することができる。電 流ミラー122の出力部からDC入力バイアス電流を非線形増幅器100に供給 するので、このDC入力バイアス電流を、電流源130の制御入力部132に供 給される信号によって制御できるのがわかる。 補償増幅器128に非線形増幅器100の回路形態とほぼ同一の回路形態を設 けるので、これら二つの増幅器はほぼ同一の非線形性を示す。したがって、選択 された電流が電流源130により増幅器128の出力部に供給されると、この電 流が、非線形増幅器100の出力に対する入力から得られる利得関数のほぼ逆と なる利得関数を有する増幅器128の入力部に反射され、したがってこれらの非 線形性がほぼ取り消され、非線形増幅器100のDC出力バイアス電流を、電流 源130によって生じる電流のほぼ線形関数とする。 比較的低い電流レベルを扱うように設計された回路では、補償増幅器128を 、非線形増幅器100を複製したものとすることができ、この場合電流ミラー1 22はほぼ単一利得を有する。非線形増幅器の電流が相当なものである場合も、 変換係数kにより非線形増幅器100の電流から減少した電流を通す補償増幅器 128を構成することにより、電力消費を減少させることができる。この場合、 電流ミラー122は、変換係数kにほぼ等しい利得を有する。これに関して、増 幅器100及び128は常にほぼ同一の回路形態を有するが、(バイポーラトラ ンジスタ増幅器の)エミッタ領域又は(MOSトランジスタの)アスペクト比を 適切に選択することにより相違する電流レベルを通すように設計できることを理 解することができる。この場合、換算係数を、使用されるトランジスタのタイプ に応じてエミッタ領域比又はアスペクト比に等しくする。 図4の回路において、電流源130を電流ミラー回路として設け、この場合回 路は、接続入力部132に供給される入力電流によって制御される。制御入力部 132に電圧を入力して回路を制御することを所望する場合、図5に示すような 回路を使用することができる。図5において、制御入力部132の電圧をトラン ジスタ138のベース駆動用電流に変換する抵抗140を設けて、トランジスタ 138のコレクタの補償増幅器128の出力部に供給すべき電流を発生させる。 図3のDCバイアス電流補償回路は、従来の回路より優れた種々の利点を有す る。補償回路128を使用することにより、増幅器100の非線形性が有効に取 り消され、したがって非線形増幅器のDC出力バイアス電流を線形性とし、その 結果電流源130に発生する電流の関数を予測可能にする。このようにして、非 線形増幅器128のDC出力バイアス電流を予測可能に設定して、所望の電圧利 得、電圧振幅又は相互コンダクタンスを達成することができる。さらに、温度変 化又はプロセス誤差変化が原因のDC出力バイアス電流の変動を、電流源130 の制御入力部132に適切な信号を供給することにより容易に補償することがで きる。その上、図5の回路形態の場合には、抵抗140の温度係数を適切に選択 することにより更に複雑にすることなく温度補償を達成することができ、しだが って追加の素子を付加することなく自動的に温度補償の特徴を付与することがで きる。 本発明を、複数の好適実施例を特に図示及び説明したが、本発明の範囲内で種 々の変更及び変形が可能であることは当業者には理解することができる。例えば 、増幅器100及び128を簡単な単一段増幅器にすることも複雑な複数段増幅 器にすることもでき、バイポーラトランジスタとして図示したトランジスタをM OSトランジスタとして設けることもでき、その逆も可能である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.非線形増幅器(10)用DCバイアス電流補償回路(20)であって、この 非線形増幅器(10)はDC入力バイアス電流及びDC出力バイアス電流を有し 、前記非線形増幅器(10)の利得を前記DC出力バイアス電流の関数とし、前 記補償回路(20)は、入力部及び出力部を有する第1電流ミラー(122)を 具え、前記出力部を、前記DC入力バイアス電流を制御する前記非線形増幅器( 10)の入力部に結合し、また前記DCバイアス電流補償回路は、前記非線形増 幅器(10)とほぼ同一の回路形態の補償増幅器(128)を具え、この補償増 幅器はDC入力バイアス電流及びDC出力バイアス電流を有し、前記第1電流ミ ラー(122)の入力部を前記補償増幅器(128)の入力部に結合し、また前 記DCバイアス電流補償回路は、前記補償増幅器(128)の出力を前記補償増 幅器(128)の入力に帰還結合するとともに前記補償増幅器(128)のDC 入力バイアス電流及び前記第1電流ミラー(122)の入力電流を制御する帰還 手段と、前記補償増幅器(128)のDCバイアス電流を設定して前記非線形増 幅器(10)のDC入力バイアス電流を前記第1電流ミラー(122)によって 補償する電流供給手段(130)とを具えることを特徴とする非線形増幅器(1 0)用DCバイアス電流補償回路(20)。 2.前記帰還手段は、制御端子及び主電流路を有する第1トランジスタ(126 )を具え、この制御端子を前記補償増幅器(128)の出力部に結合し、前記主 電流路を、前記第1電流ミラー(122)の入力部と前記補償増幅器(128) の入力部との間に結合したことを特徴とする請求の範囲1記載の非線形増幅器( 10)用DCバイアス電流補償回路(20)。 3.前記補償増幅器(128)を、前記非線形増幅器(10)を複製したものと し、前記第1電流ミラー(122)はほぼ単一利得を有することを特徴とする請 求の範囲1又は2記載の非線形増幅器(10)用DCバイアス電流補償回路(2 0)。 4.前記補償増幅器(128)を、変換係数により前記非線形増幅器(10)の 電流から減少した電流を通すように配置し、前記第1電流ミラー(122)は 、前記変換係数にほぼ等しい利得を有することを特徴とする請求の範囲1又は2 記載の非線形増幅器(10)用DCバイアス電流補償回路(20)。 5.前記補償増幅器(128)のDC出力バイアス電流を設定する前記電流供給 手段(130)は、入力電流源に結合した入力部(132)及び前記補償増幅器 (128)の出力部に結合した出力部を有する第2電流ミラー(136,134 )を具えることを特徴とする請求の範囲1,2,3又は4記載の非線形増幅器( 10)用DCバイアス電流補償回路(20)。 6.前記補償増幅器(128)のDC出力バイアス電流を設定する前記電流供給 手段(130)は、制御端子及び主電流路を有する第2トランジスタ(138) を具え、この制御端子を、抵抗(140)を介して入力電圧に結合するとともに 、前記主電流路を、電源端子と前記補償増幅器(128)の出力部と間に結合し たことを特徴とする請求の範囲1,2,3又は4記載の非線形増幅器(10)用 DCバイアス電流補償回路(20)。
JP7525541A 1994-03-31 1995-03-20 非線形増幅器用dcバイアス電流補償回路 Pending JPH08511404A (ja)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432479A (en) * 1994-03-31 1995-07-11 U.S. Philips Corporation D.C. current compensation circuit for a nonlinear amplifier
US5760651A (en) * 1996-07-30 1998-06-02 Philips Electronics North America Corporation Inductorless voltage biasing circuit for and Ac-coupled amplifier
TWI674678B (zh) * 2015-12-07 2019-10-11 聯華電子股份有限公司 二極體結構
WO2017148760A1 (de) * 2016-02-29 2017-09-08 Gerd Reime Bidirektionaler transponder mit geringem energieverbrauch

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2163749C3 (de) * 1971-12-22 1974-11-28 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur Eliminierung der Temperatureinflüsse einer Schaltungsanordnung mit nicht linearer Kennliniencharakteristik
US3935478A (en) * 1973-08-10 1976-01-27 Sony Corporation Non-linear amplifier
US3999139A (en) * 1974-08-19 1976-12-21 Motorola, Inc. Monolithic alternately stacked IF amplifier
JPH0456404A (ja) * 1990-06-25 1992-02-24 Nec Corp 増幅装置
NL9002591A (nl) * 1990-11-28 1992-06-16 Philips Nv Versterkerschakeling met temperatuurcompensatie.
US5432479A (en) * 1994-03-31 1995-07-11 U.S. Philips Corporation D.C. current compensation circuit for a nonlinear amplifier

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Publication number Publication date
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US5432479A (en) 1995-07-11
DE69516781D1 (de) 2000-06-15
EP0701747A1 (en) 1996-03-20

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